Fundamentos de la clencia e ingenieria de materiales | \ TA Bhi M | MY HASHEMI ~FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES Tercera edicion William F. Smith Profesor de ingenieria University of Central Florida Traduccién Alicia Larena Pellejero Universidad Politécnica de Madrid MADAIO « BUENOS AIRES « CARACAS « GUATEMALA « LISBOA « MEXICO « NUEVA YORK PANAMA » SAN JUAN « SANTAFE DE B0GO1 SANTIAGO « SAC PAULO. . _ ‘AUCKLAND + HAMEURGO™s LONORES * MIL JONTREAL * NUEVA DELHI PARIS * SAN FRANCISCO « SIONEY » SINGAPUR « ST. LOUIS « TOKIO ® TORONTOFUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENTERLA DE MATERLALES Tercera ediciéa Na estd permiida Ta reproduecién total o parcial de este bra, ai sv eatarentc informitico, ni la transmisiéa de ninguna forma © par cualquier medio, ya sea electrénieo, mecdalco, por fotocopia, por registra u otros smétodos, sin el permis previo y por escrivo de Ios tnulares del Copyright) DERECHOS RESERVADOS © 1998, respecio a'la ‘primera evicién en espaol, por McCRAW-HILLAINTERAMERICANA DE ESPANA, S. A. U- Edificio Valrealy-A, 1 planta; us, Basauri, s/n : 28023 Araveca (Macrid) ‘Traducida de la terdera eticign en ingléside®** es PRINCIPLES OF MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING Copyright © MCMXCVI por MeGraw-Hill, Tae. ISBN: 9-07-059241-1 ISBN: B+-$81-1429-9 Depésite legal: M, 2.678-1999 Sditora: Concepcién Fernandez Madrid Compueso ca MonaComp, S. A. tmpreso ea LAVEL, S.A. _ IMPRESO EN ESPANA - PRINTED IN SPAIN ~ ACERCA DEL AUTOR WILLIAM F. SMITH es Profesor de Ingenieria en cl Departamento de Ingenieria Mecénica y Aeroespacial de la€fniversity of Cental Florida en Orlando, Florida Licenciado en Ingenieria Metaldrgica por Ia Purdue University y Doctor en Metalurgia por el Masachuserts Institute of Technology. Ingeniero profesional en los Estados de California y Florida. Durante muchos afos, i Profesor de Ciencia e Ingenierfa de Materiales en cursos para estudiantes y graduados y autor de I numerosos libros de texto. Es autor de Structure and Properties of Engineering Alloys I (McGraw-Hill) y Foundations of Materials Science and Engineering (McGraw-Hill). t= — = - aes SS ee - i — = - i i Es dificit saber qué es imposible, el suedo de ayer es ta esperanza de hoy . y la realidad det maftana. Robert H. Goddard ! | 1 i i ! { i | 1 i i . 1 . ' | i 1 f | ! i pee- | CONTENIDO Prdlogo xii CAPITULO 1, INTRODUCCION A LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES 1 MATERIALES E INGENIERIA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES, TIPOS DE MATERIALES COMPETENCIA ENTRE MATERIALES PERSPECTIVAS FUTURAS EN EL USO DE MATERIALES beer Teun — CAPITULO 2. ESTRUCTURA ATOMICA Y ENLACE 18 il dig eh La ESTRUCTURA DE LOS ATOMOS 15 i NUMEROS ATOMICOS Y MASAS ATOMICAS 15 LA ESTRUCTURA ELECTRONICA DE LOS ATOMOS 19 TIPOS DE ENLACES ATOMICOS Y MOLECULARES 29 ENLACE IONICO 29 ENLACE COVALENTE 35 “ENLACE METALICO 39 } ENLACE SECUNDARIO ad ENLACES MIXTOS 45 i CAPITULO 3. ESTRUCTURAS Y GEOMETRIA CRISTALINA : . 53 I . 3.1. REDES ESPACIALES Y CELDILLAS UNIDAD 33 3.2. SISTEMAS CRISTALINOS Y REDES DE BRAVAIS 33 | 3.3. PRINCIPALES ESTRUCTURAS CRISTALINAS METALICAS 54 ‘ 3.4. POSICIONES ATOMICAS EN CELDILLAS UNIDAD CUBICAS 62 3.5. DIRECCIONES EN CELDILLAS UNIDAD CUBICAS 62 | 3.6. INDICES DE MILLER PARA PLANOS CRISTALOGRAFICOS EN CELDILLAS i UNIDAD CUBICAS 66 ! 3.7. PLANOS CRISTALOGRAFICOS Y DIRECCIONES EN CELDILLAS UNIDAD HEXAGONALES 70 | 3.8. COMPARACION DE ESTRUCTURAS CRISTALINAS FCC, HCP Y BCC 2 3.9. CALCULOS DE DENSIDAD VOLUMETRICA. PLANAR Y LINEAL \ DE CELDILLAS UNIDAD . 14 - 3.10, POLIMORFISMO O ALOTROPIA . W 3.11. ANALISIS DE ESTRUCTURAS CRISTALINAS 9CONTENIOO 8... LA REGLA DE LA PALANCA 293 i. capitulo 4. SOLIDIFICACIGN, IMPERFECCIONES CRISTALINAS Y DIFUSION EN sSOLIDOS 93 ee = a , . SOLIDIFICACION DE METALES 9 4.2, SOLIDIFICACION DE CRISTALES SIMPLES 100 SOLUCIONES SOLIDAS METALICAS 103 IMPERFECCIONES CRISTALINAS 10s VELOCIDADES DE PROCESOS EN SOLIDOS U8 DIFUSION ATOMICA EN SOLIDOS 122 APLICACIONES INDUSTRIALES DE PROCESOS DE DIFUSION 127 EFECTO DE LA TEMPERATURA EN LA DIFUSION DE SGLIDOS 133 CAPITULO 5. PAOPIEDADES ELECTAICAS DE LOS MATERIALES 143 5.4, CONDUCTIVIDAD ELECTRICA EN METALES . 143 MODELO DE BANDAS DE ENERGIA Y CONDUCTIVIDAD ELECTRICA 152 3. SEMICONDUCTORES INTRINSECOS 153 5.4. SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS 160 5.3. DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES 169 5.6, MICROELECTRONICA PARA INTEGRACION MONOLITICA 5 5.7. COMPUESTOS SEMICONDUCTORES 186 CAPITULO 6. PROPIEDADES MECANICAS DE LOS METALES 495 . EL PROCESADO DE METALES Y ALEACIONES 195 TENSION Y DEFORMACION EN METALES 204 ENSAYOS DE TENSION Y DIAGRAMA TENSION-DEFORMACION EN INGENIERIA 208 64. DUREZA Y ENSAYOS DE DUREZA 216 65. DEFORMACION PLASTICA DE METALES MONOCRISTALINOS 218 66. DEFORMACION PLASTICA DE METALES POLICRISTALINOS 229 6.1. ENDURECIMIENTO DE METALES POR SOLUCIONES SOLIDAS 232 68. RECUPERACION Y RECRISTALIZACION DE METALES DEFORMADOS PLASTICAMENTE 233 69. FRACTURA DE METALES 238 6.10. FATIGA DE METALES 245 6.11. FLUENCIA Y TENSION DE RUPTURA DE METALES 249 CAPITULO 7. PROFIEDADES OPTICAS Y MATERIALES SUPERCONDUCTORES. 261 7.1. INTRODUCCION 261 72. LA LUZ ¥ EL ESPECTRO ELECTROMAGNETICO 261 7.3, REFRACCION DE LA LUZ 263 14, ABSORCION, TRANSMISION Y REFLEXION DE LA LUZ 266 75, LUMINISCENCIA 269 7.6. EMISION ESTIMULADA DE RADIACION Y LASER mm 1.7. FIBRAS OPTICAS 275 7.8. MATERIALES SUPERCONDUCTORES 280 i CAPITULO 8. DIAGRAMAS DE FASE 289 i i $1, DIAGRAMAS DE FASE DE SUSTANCIAS PURAS 239 i 8.2 REGLA DE LAS FASES DE GIBBS 290 1 8.3. SISTEMA DE ALEACIONES ISOMORFAS BINARIAS 292 CONTENIDO: . 8.5. SOLIDIFICACION DE ALEACIONES FUERA DEL EQUILIBRIO - _8.6._ SISTEMA DE ALEACIONES EUTECTICAS BINARIAS 7 SISTEMAS' DE ALEACIONES PERITECTICAS BINARIAS ——~~=" - xi 296 298 305: 8.8, SISTEMAS MONOTECTICOS BINARIOS 309 89. REACCIONES INVARIANTES 3 $10. DIAGRAMAS DE FASES CON FASES Y COMPUESTOS INTERMERIOS 312 3.U. DIAGRAMAS DE FASES TERNARIOS 316 CAPITULO 8. MATERIALES POLIMERICOS 327 INTRODUCCION 327 REACCIONES DE POLIMERIZACION 338 METODOS INDUSTRIALES DE POLIMERIZACION 339 CRISTALINIDAD Y ESTEREOISOMERISMO EN ALGUNOS TERMOPLASTICOS 341 PROCESADO DE LOS MATERIALES PLASTICOS M4 TERMOPLASTICUS DE USO GENERAL 350 TERMOPLASTICOS EN INGENIERIA 361 PLASTICOS TERMOESTABLES ant ELASTOMEROS (CAUCHOS} 379 DEFORMACION Y ENDURECIMIENTO DE LOS MATERIALES PLASTICOS 385 TERMOFLUENCIA Y FRACTURA DE MATERIALES POLIMERICOS 390 SELECCION DE MATERIALES PARA DISENOS EN INGENIERIA USANDO MATERIALES PLASTICOS 394 CAPITULO 10. ALEACIONES DE INGENIERIA ant 10.1, PRODUCCION DE HIERRO Y ACERO - At2 10.2. DIAGRAMA DE FASES CARBURO DE HIERRO-HIERRO als 10.3. TRATAMIENTOS TERMICOS DE ACEROS AL CARBONO 433 10.4. ACEROS DE BAJA ALEACION 439 10.5. ALEACIONES DE ALUMINIO 446 10.6. ALEACIONES DE COBRE 460 10.2, ACEROS INOXIDABLES 463 10.8. HIERROS PARA FUNDICION 470 10.9. ALEACIONES DE MAGNESiO, TITANIO Y NiQUEL 476 10.10, SELECCION DE MATERIALES PARA DISENOS DE INGENTERIA USANDO MATERIALES METALICOS 483 CAPITULO 11. MATERIALES CERAMICOS 435 IL. INTRODUCCION * 495 11.2, ESTRUCTURAS CRISTALINAS DE CERAMICOS SENCILLOS 4y7 11.3, ESTRUCTURA DE SILICATOS 509 IL4, PROCESADO DE LOS CERAMICOS $13 ILS. CERAMICOS TRADICIONALES Y DE INGENIERIA sw ‘ 11.6. PROPIEDADES ELECTRICAS DE LOS CERAMICOS $24 . 1L7. PROPIEDADES MECANICAS DE LOS CERAMICOS 532 14.8, PROPIEDADES TERMICAS DE LOS CERAMICOS 538 1L9. ViDRIOS 540 CAPITULO 12. MATERIALES MAGNETICOS 5S7 12.1, CAMPOS MAGNETICOS Y MAGNITUDES 337 12.2. TiPOS DE MAGNETISMO 361 1 EFECTO DE LA TEMPERATURA SOBRE EL FERROMAGNETISMO. 365xii CONTENIDO 12.4. DOMINIOS FERROMAGNETICOS 566 12.5, TIPOS DE ENERGIA QUE DETERMINAN LA ESTRUCTURA DE LOS DOMINIOS FERROMAGNETICOS. : S67 12.6. MAGNETIZACION Y DESMAGNETIZACION DE UN METAL FERROMAGNETICO 571 12.7, MATERIALES MAGNETICAMENTE BLANDOS 572 128, MATERIALES MAGNEFICAMENTE DUROS S77 12.9, FERRIFAS 583 CAPITULO 13. CORROSION 595 13.1. INTRODUCCION 595 13.2. CORROSION ELECTROQUIMICA DE METALES 596 133. PILAS GALVANICAS 598 13.4. CINETICA DE LA CORROSION 607 13.5. TIPOS DE CORROSION 615 13.6. OXMDACIGN DE METALES 626 13.7. CONTROL DE CORROSION 630 CAPITULO 14, MATERIALES COMPUESTOS 641 14.1. INTRODUCCION GAT 14.2. FIBRAS PARA MATERIALES COMPUESTOS DE PLASTICOS REFORZADOS 643 14.3. MATERIALES COMPUESTOS DE PLASTICOS REFORZADOS CON FIBRA 647 14.4. PROCESOS DE MOLDE ABIERTO PARA MATERIALES COMPUESTOS DE PLASTICOS REFORZADOS CON FIBRAS 656 14.8, PROCESOS DE MOLDE CERRADO PARA MATERIALES COMPUESTOS DE PLASTICOS REFORZADOS CON FIBRAS 658 14.6. HORMIGON . 660 14.7, ASFALTO Y MEZCLAS ASFALTICAS 689 14.8, MADERA 670 14,9, ESTRUCTURAS SANDWICH . | 671 14.10, MATERIALES COMPUESTOS DE MATRIZ METALICA Y MATRIZ CERAMICA —678 Referencias por capttilos para estudios mas avanzados 691 Apéndice f. — Algunas propiedades de los elementos seleccionados 693 Apéndice Hf, Radios iGnicos de los elementos 695 Apéndice I? Algunas magninides fisicas y sus unidades 67 Respuestis a problemas seleccionadas 6x9 fudice 707 PROLOGO Esta tercera edicién de Fundamentos de la Ciencia e Ingenieria de materiales obedece al deseo de ofrecer un libro de texto para un primer curso de Ciencia ¢ Ingenierfa de Materiales para alumnos de ingenierfa. Es una versién ampliada, actualizada y mejorada de la segunda edicién. Hay 280 problemas numéricos nuevos o modificados con respuestas numéricas. Aigunos de los mejores provinientes del profesor Lew Rabenberg, Universidad de Texas, Austin, han sido con- servacios, asf como las excelentes indicaciones de ta profesora Patricia Shamamy, de la Universi- dad Tecnoldgica de Lawrence. Se han afiadido apartados nuevas sobre elastémeros termoplasti- cos de poliuretano. Se han ampliado los apartados correspondientes a cerémicas estructurales de nitruro y carburo de silicio y se ha incluido Ja imptantacidn idnica en materiales de microelec- trénica, Se ha incluido tambiér un apartado sobre las nuevas tendencias y tecnologias de micro- procesadores en microelectrénica, porque es el campo en el que ha tenido lugar un mayor nime- to de cambios en los ultimos afios, Otras ampliaciones realizadas comprenden informaciones adicionales sobre las propiedades mecénicas de tas fibras de carbono, nuevas fotografias téc- nicas y diagramas y otros datos actualizados sobre materiales poliméricos. Se han incluido tam- bién nuevas apartados sobre seleccidn de materiales metdlicos y pldsticos, por su importancia en los disefias en ingenieria. De nuevo, es un placer agradecer la ayuda y el apoyo de cada una de las personas que han participado en este proyecto y a todos Jos profesores que han usado o van ausar este texto; sin el mantenimiento realizado por ellos, no hubiera sido posible elaborar este libro. Muchas gracias a todos ellos por su apoyo moral. Debo un reconocimiento especial a los siguiente revisares, todos ellos muy apreciados por mf: Chung-Jen Hsu, Feng Chia University: Taichung, Taiwan; Jose Pires, Universidad de California, y Lew Rabenberg, Universidad de Texas (Austin). Finalmente, quiero agradecer el continuado apoyo y dnimo de mi ingeniero editor B. J. Clark de McGraw-Hill, a David Nicholson, presidente del Departamento de Ingenieria Mecdnica y Aeroespacial, y a Dean Marty Wanielista, del Colegio de Ingenieria de la Universidad Central de Florida. William F. Smith xifiIntroduccién a la Ciencia e Ingenieria de Materiales 14. MATERIALES E INGENIERIA Los materiales son sustancias de las que cualquier cosa estA compuesta o hecha. Desde el co- mienzo de la civilizacién, los materiales junto con la energia han sido utilizados por el hombre para mejorar su nivel de vida, Podernos encontrar materiales en cualquier lugar de nuestro entor- no ya que cualquier cosa est4 hecha a partir de ellos. Algunos de los materiales que mds comtin- mente nos encontramos son: madera, hormigéa, fadrillo, acero, plistico, vidrio, caucho, alumi- nio, cobre y papel. Pero hay muchas mds clases de materiales; séto hace falta mirar en nuestro entomo para darse cuenta de ello. Los constantes trabajos de investigacién y desarrollo en este campo dan origen frecuentemente a nuevos materiales. La produccisn y procesado de nuevos materiales constituye una parte importante de nuesira econom/a actual. Los ingenieros disefian la mayorfa de los productos facturados y los procesos necesarios para su fabricacién, para lo que necesitan partir de materiales. Por tanto, los ingenie- ros deben conocer la estructura y propiedades de los materiales de forma que sean capaces de seleccionar el mds idéneo para cada aplicacién y de desarrollar los mejores métodos para su procesado. Los ingenieros de desarrollo e investigacién trabajan para crear nuevos materiales o para modificar las propiedades de los existentes. Los ingenieros de disefio utilizan unos y otros mate- tiales para disefiar y crear nuevos productos y sistemas. A veces sucede a Ja inversa: los ingenie- ros de disefio requieren que los cientificas e ingenieros de investigacién creen ua nuevo material que permita resolver determinados disefios. Por ejemplo, los ingenieros de disefio de un avidn hipersénico de transporte como el X-30 (Fig. 1.1) precisan el disefio de nuevos materiales avan- zados que soporten altas temperaturas, como 1.800 °C, y que les permita alcanzar velocidades de £2. a 25 mach’. Entre los materiales (1993) investigados para el X-30 figuran ateaciones de titanio metal 215 titanio reforzadas con fibras de carburo de silicio para estructuras que deban * Un mach equivale a ta velocidad del sonido en el aire.FUNOAMENTOS DE LA CIENGIA & INGENIERIA DE MATERIALES Figura 1.1, El avidn aeroespacial que funciona con hidrdgeno puede ser capaz de usar ‘sistemas asidndar para despeque y aterizaje y poder viajar @ fa astacién aspacial, pero sdlo si 56 desarollan materiales rasisientes, ligeros y capaces de resistir variaciones extremas de temperatura. (Segin Advanced Materials & Processes, septiembre 1383, pag. 24.) soportar cargas, y materiales compuestos de epoxy con fibra de carbono para tanques de com- bustible. Otro reto para los ingenieros es, por ejemplo, la estacién espacial permanentemente triputada (Fig. 1.2a). Una propuesta incluye fa fabricacién de [a estructura principal de la esta- cidn espacial en el propio espacio utilizando vigas y conductos fabricados en Orbita a partir de materiales compuestos de polieterimidas y polidietercetonas (Fig. 1.2b y ¢). Continuamente se avanza en la busqueda de nuevos materiales. Por ejemplo, los ingenieros mecdnicos buscan materiales para altas temperaturas para que los motores de reaccién puedan operar més eficientemente. Los ingenieros eléctricos buscan nuevos materiales para que los dispositivos electrénicos puedan operar a mayores velocidades y temperaturas més elevadas. Los ingenieros aeroespaciales buscan materiales con una relacién resistencia/peso més elevada para naves aéreas y vehfculos espaciales. Los ingenicros quimicos buscan materiales més alta- mente resistentes a la corrosién. Estos son unos ejemplos de la béisqueda por parte de los inge- nieros de nuevos y mejores materiales para distintas aplicaciones. {En muchos casas, lo que ayer era imposible es hoy una realidad! Los ingenieras de todas las especialidades deben tener unos conocimientos bdsicos y apli- cados de los materiales de uso en ingenierfa que les permita una mayor eficacia en ef trabajo en el que esté implicado ef uso de materiales. El propésito de este libro es servir de introducciéa ala estructura interna, propiedades, procesado y aplicaciones de materiales de uso en ingenieria. Su . contenido ha tenido que ser seleccionado debido a fa gran cantidad de informacién, disponible sobre estos materiales. 1.2. CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES La Ciencia de Materiales est4 ligada fundamentalmente a la bitsqueda de conocimientos basi- cds sobre la estructura interna, propiedades y procesado de materiales. La Ingenieria de Mate- riales est principalmente relacionada con el uso de Jos conocimientos basicos y aplicados de tos materialés para la conversién de estos materiales en productos necesarios o requeridos por la sociedad, El nombre de Ciencia e Ingenierfa de Materiales combina tanto 1a ciencia como la ingenierfa de materiales y es e! objeto de este libro. La ciencia de materiales tiene como fin b&sico el conocimiento del conjunto de los materiales existentes y la ingenieria de materiales aad om fin un conocimiento aplicado, no habiendo una linea de demarcacién entre ellas jig. 1.3). INTRODUCCION A LA CIENCIA E INGENIEAIA DE MATERIALES. 3 ‘roquet de taminado y elemento de catefaccién Elemento estructura! continua . Figura 1.2. {@) Un concapto artistice de fa configuracidn de ta estacién espaciat pemnanentemente tripulada producida por Martin Marlatta. (Segun Journal of Metals, 40 (5): 12 (1988).] (0) y (c) Una propuesia es consirvir la estructura de fa estacidn con componentes fabricados en el espacio a partir de materiales compuestos termopldsticas avanzados. (Segin Modem Plastic, agosto 1988, pag. 102.) La Figura 1.4 muestra un diagrama de tres niveles que indica la relacién existente entre las ciencias basicas (y las matemdticas), Ia ciencia e ingenierfa de materiales, y otras disciptinas de ingenierfa. Las ciencias basicas estén localizadas en el anillo mds interno o centro det diagrama, mientras que las diversas disciplinas de ingenierta (mec4nica, elécuica, civil, quimica, etc.) estdn localizadas en el tercer anilio, el mAs alejado. Las ciencias aplicadas, metalurgia, y ciencia de cerimicos y polfmeros estén localizadas en ef medio o segundo anillo. La ciencia ¢ ingenie- tfa de materiales forma un puente dentro del conocimiento de los materiales que va desde las ciencias bdsicas (y matemdticas) a las disciplinas de ingenieria. TIPOS DE MATERIALES Por conveniencia, fa mayorta de los materiales de ingenieria se incluyen dentro de tres grupos principales: materiales metdlicos. poliméricos y cerdmicos. En este capitulo fos diferenciaremos basdndonos en algunas de sus principales propiedades mecdnicas, eléctricas y fisicas. En capitu- los siguientes estudiaremos las diferencias en estructura interna de estos tipas de materiales.4 FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES Materiales metdlicos Figura 1.4. Este clagrama muestra cdmo fa clencia @ ingenieria de materiales forma un puenta de conocimiento desde las ciencias basicas a fas disofpiinas de ingenleria. (Conesia de National Academy of Stience.) ~~ * Resultantes del conocimicato n de la estructura, propiedades, bisicos procesado y comportamiento de materiales de materiales de ingenierta ‘Conocimiento aplicado: de materiales Conocimientos Figura 1.3, Espectro del conocimiento de materiales. La utilizacién det canacimiento combinado de materiates a partir de fa clencla de materiales y de la ingenterfa de materiales capacita a les ingenieros para convertir los materiales en productos requeridos par la sociedad. Ademis de estos tres tipos de materiales, debernos considerar dos tipos ms, materiales cont- puestos y materiales electrdnicos, por su gran importancia en ingenieria. Estos materiales son sustancias inorgdnicas que estan formadas por uno o mds elementos metiti- Cos y pueden contener también algunos elementos no metalicos. Ejemplos de elementos metali- cos son: hierro, cobre, aluminio, niquel y titanio. Elementos no metélicos que pueden estar contenidos en fos materiales metdlicos son: carbono, nitrégeno y oxigeno. Los metales tienen una estructura cristalina en la que los 4tomos estén dispuestos de una manera ordenada, Los nietales son en general buenos conductores térmicos y eléctricos. Muchos metales tienen relati- vamente alta resistencia mecdnica y son diictiles a temperatura ambiente, y algunos tienen eleva- da resistencia incluso a altas temperaturas. Los metales y aleaciones? se dividen normalmente en dos grupos: metales y aleaciones ferrosas, que contienen un gran porcentaje de hierro tales como aceros y hierros fundidos, y * Una aleacién metilica ¢s una combinacién de dos o mas metales o un metal y un no metal. Medicina Ciencias de Ia vida Ciencias de a derma ingenienia . . geokigica yminera Materiales poliméricos ‘Materiales cerdmicos INTROOUCCION ALA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES 5 aleaciones'y metales no ferrosos, que no contienen hierro o contienen cantidades relativa- mente pequefias de hiecro. Ejemplos. de-metates-no-ferrosos'son aluminio, cobre, cine, titanio y niquel. La Figura‘ 1.5 es una fotografia de un motor a reaccidn de una nave aérea comercial hecha principalmente de aleaciones metilicas. Las aleaciones metalicas usadas para el interior del motor deben de ser capaces de soportar las altas femperaturas y presiones que se generan durante su funcionamiento. Ha sido necesario durante muchos aitos el trabajo de investigacién y desarrollo de cientificos e ingenieros para perfeccionar este motor de alto rendimiento. La Figara 1.6 muestra los materiales que han estado asociados al aumento de la eficacia de las turbinas de gas de motores de propulsién y sus procesos de ejecucién durante tos ultimos aiios. Se espera que los materiales de matriz metdlica y de matriz cerdmica favorezcan incluso su ejecucidn en el futuro. La mayorfa de los materiales poliméricos estén for Por largas cadenas de moléculas org- nicas (conteniendo carbono) o redes. Estructuralmente, la mayoria de los materiales poliméricos Os pero algunos conticnen mezclas de regiones cristalinas y amorfas. La resisten- Cia y ductilidad de los materiales poliméricos varfa mucho. Debido a la naturaleza de su estruc- tura interna la mayoria de los materiales potiméricos son matos conductores de la electricidad, Algunos de estos materiales son buenos aistantes. por lo que se utilizan en aplicaciones como aislantes eléctricos (Fig. 1.7). Los materiales cerémicos son materiales inorgdnicos formados por elementos metdlicos y no metalicos unidos quimicamente. Los materiales ceramicos pueden ser cristalinos, amorfos o mezctas de ellos. La mayor parte de los cerdmicos tienen alta dureza y resisten altas temperatu- Figura 1.5. &# motor de turbina para avidn que sa muestra estd fabricado fundamentaimente con aleaciones metdficas. En este motor se han usada aleacianes recientes de base niquel de elevada resistencia mecdnica y térmica, Este motor lleva un nuevo control electronic digital de estado sdtido que elimina ja influencia del movimiento frecuente de la tripulacidn de vuelo. Una mejor sefrigeraciin del motor mefora tanto la aficiencia del motor como el consumo de combustible. Motores de esie.tipo estén siento. — constanternenta mejorados por é! trabajo constante de investigaciin y desarrolo de los ingenieras. (Cortas{a de Pratt and Whitney, Go.)6 —_ FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES Figura 1.6. Los materiales y los procesos de labricacién de matenales han estado asociadas en los ullimos afios at aumento de la eficiencia de los motores de turbina de gas. [Segun Adv. Mat. & Proc., 133 (1); 88 (1988).) Materlales compuestos Figura 1.7. & circuita impreso y tos conactores que Se muestran utitzan et termopléstico de ingenieria polidietarcetona para conseguir fa resisiencia a altas temperaturas ¥ la estabilided dimensional requeridas asi como para asegurar su integrided bajo las condiciones de sofdadura. (Cortesia de ICt Americas.) Materiales compuestos de matriz metilica i Carb6n-carbon Materiales compuestos de matriz ceramica. 18 | Monocrisiales Materiales compuestos de resinas Superateaciones solidificadas 10 unidireccionalmente Fusién Titanig 3 z 2 2 & s 8 @ ras pero tienden a tener fragilidad mecénica. Ultimamente se han desarrollado nuevos materiales cer4micos para aplicaciones de ingenieria (Fig. 1.8). Las ventajas de los materiales cerdmicos para aplicaciones de ingenierfa son su bajo pe: a resistencia y dureza, su buena resisten- cia al calor y a la humedad, su reducida fricc ,-y propiedades aislantes. Las propiedades aislantes junto con la elevada resistencia al calor y a la humedad de mu- chos materiales cerdmicos los hacen titiles para recubrimicntos de hornos de fundicién de meta- les como él acero. Un espacio de aplicacién importante para materiales cerimicos son los enlo- sados cerémicos para vehiculos espaciales. Estos materiales cerdmicos protegen térmicamente la estructura interna de aluminio de los vehiculos espaciales durante el ascenso de salida y en la entrada en la atmosfera (Figs. 11.50-11.51). Los materiales compuestos son mezclas de dos 0 mas materiales. La mayor parte de los materia- Tes compuestos consisten en un relleno escogido o material de refuerzo y una resina compatible de unién para obtener unas caracterfsticas especificas y propiedades deseadas. Normalmente, los componentes no se disuelven uno en otro y pueden ser fisicamente identificados por una interfa- INTRODUCCION A LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES «= 7 Insercién de aire Tuba de escape Rotor de la turbina de alimentacion Linez de tubuladaras de escape vi de combustion Placa frortat Cabeza de piston ‘Camisa interior del cilindro Figura 1.8. (a) Ejempios de una nueva generaclin desarroliada de materiales cerdmicos de ingenierta pasa su apicacién en motores avanzadios. Las piezas en negro son valvulas de motor, asientos de valvula y pemos de pisién hechos de nitruro de silicio. La pieza en blanco es un arificio de salida hecho de un matenal cerdmico de altimina. (Cortesia de Norte TAW Ceramics.) (b) Potenciales componentes cerdmicos de aplicacidn en un motor turbodiesel, (Metals and Materials, diciembre 1988.) Materiales electrénicos se entre ellos. Los materiales compuestos pueden ser de muchos tipos. Algunos de jos tipos predominantes son fibrosos (constituidos por fibras en una matriz) y particulados (constituidos por partfculas en una matriz). Hay muchas combinaciones diferentes de refuerzos y matrices que se han utilizado para producir materiales compuestos. Dos excelentes tipos de modernos niate- tiles compuestos usados en aplicaciones de ingenierfa son fos formados por fibras de vidrio como material de refuerzo en una matriz de poliéster 0 epoxidica y fibras d: carbono en una matriz epoxfdica. La Figura 1.15 muestra esqueméticamente dénde ha sido utilizado material compuesto de fibra de carbono-resina epoxi en alas y motores del nuevo avidnde pasajeros 777. Quo ejemplo de materiales compuestos utilizados es sulfuro de polifenilo reforzado con vidrio para pozos petroliferos. Estas aplicaciones requieren materiales como estos, con excelente resis- tencia a la corrosién (Fig. 1.9). Los materiales electrénicos no son un tipo numeroso de materiales pero sonextremadamente importantes en tecnologias de ingenieria avanzada. E} material electrénico mis importante es silicio puro modificado por diversos caminos para cambiar sus caracteristicas eléctricas. Una gran cantidad de circuitos electrénicos complejos pueden ser miniaturizados sobre un chip de silicio de aproximadamente 0,635 cm (Fig. 1.10). Dispositivos electrénicos han hecho posibles nuevos productos como satélites de comunicacién, ordenadores avanzados, rlojes digitales y robots para soldaduras (Fig. t.14).FUNDAMENTOS CELA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES ° INTRODUGCION A LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES 9 Jo Figura 1.11. Los materiales electrénicas, juegan un papel importante en la construccién de robots controlades por ordenador. La figura muestra cuatro robots controiadas por Grdenador soldando un automévil en su totalidad para lagrar solidez estructural y rabajar costes. (Cortesia de General Motars Co.) Figura 1.9, Los materiales compuesios de sulrure de politenito (PPS) reforzado caiibra de vidrio (20% de fibra carta y 40% de tora larga} ienen buena cot srencia a la comasidn en amblentes quimicas propios de fos campos pelvoliferas. En la figura aparecen tuborfas de PPS moldeadas a compresién do : pe tesistencia y establlidad térmica para experimentacidn en campo da pruebas. (Gortesia de Phillips 66 Co.) : 4.4. COMPETENCIA ENTRE MATERIALES Cada material compite con los demds para mantenerse y abrir nuevos mercados. En cada periodo de tiempo hay muchos factores que hacen que un material ascienda en el mercado y reemplace a otros para ciertas aplicaciones. El precio es ciertamente un factor. Si se progresa en el procesado de un determinado tipo de material de forma que su coste decrezca sustancialmente, este mate- rial puede reemplazar 4 otro para algunas aplicaciones. Otro factor causa de reemplazamientos de materiales es el desarrollo de un nuevo material con propiedades especiales para algunas apticaciones. Por ello, cada cierta tiempo cambia el uso de fos materiales. La Figura 1.12 muestra graficamente ‘c6mo ha variado en afios pasados la produccién de seis materiales en Estados Unidos sobre un peso base. La produccion de aluminio y polfmeros presenta un aumento significativo desde 1930. Este incremento de praduccién para el aluminio y polimeros est favorecido en cuanto son materiales ligeros. La competencia entre materiales es evidente en la composicién de automéviles norteamerica- » nos. En 1978 el peso medio de un qutomévil norteamericano era de 1.800 kg y estaba formado por unos érdenes del 60 % de hierro y acero, del 10 al 20% de plasticos y caucho y del 3 al 5% de aluninio. Comparativamente, en 1993 su peso medio era. de 1.430 kg y su composicién del 50 al 4 60% de hierro y acero, del LO al 20 % de plasticos y caucho y det 5 al 10% de aluminio (Fig. 1.13 Aluminio Produccién anual en Estudos ‘Unidos, 1b Figura 1.10. Muestra de un microprocesador, unidad central de ae procesado de un microotdenador, de = forma que puede opservarse ef chip de silicio, (Cortesta de Intel Corporation.) —Figara-t.12. = Compatencia entre seis materiales fabsicados en Estados Unidos sot care je pone de manifesto fa rdpida subida en ta producciéo de aluminio y pols10 FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES Tabla 1.1. Plstico y caucho 10-20% x Otros Material ferroso 50-60% (15-20% HSLA) Aluminio 5-10% 3.150 Ib (1.430 kg) 1993 actual Figura 1.13. Desglose de las porcentajes en peso de los principales materiates ullizados como media en un avlomdvil nortsamericano 1993. Algunas de las predicciones hechas en la década pasada fallaran porque fallaron fos prondsticas sabre dimensionada, aerodindmica y @/ uso del contro! por ordenador de las funciones de! motor. (Segun J. Bitence, Mater. Eng., con datos modificados.} y Tabla 1.1). Asi, en el perfodo de 1978 a 1993 e porcentaje de composicién en hierro y acero ha disminuido mientras que el de aluminio y pldsticos ha aumentado. En tan corto espacio de tiempo el cambio ha sido grande. Para ciertas aplicaciones sélo algunos materiales satisfacen Jos requerimientos del ingenie- ro para un disefio dado, y estos materiales pueden ser relativamente costosos. Por ejemplo, el motor de un avin modero requiere superaleaciones de base niquel de alta temperatura. Estos materiales son costasos, y no se ha encontrado ningiin sustituto barato que los reemplace. Asf, aunque el coste es un factor importante en el disefio en ingenierfa, e] material utilizado debe poseer también unas caracteristicas especificas. El reemplazamiento de un material por otro continuaré en el futuro mientras se descubran nuevos materiales y se disefien nuevos procesos. Comparacicn dei rango de peso (en libras) de materiales en Jos coches norteamericanos en el perfoda 1977-1993 Material 1993 4991 1987 1977 1, Acero regular, hoja, lamina, barra 1.376,0 1.344,0 4.459,0 1,995.0 2. Acero de alta y media resistencia 259,0 240,5 28,0 125.0 3. Acero Inoxidable 43,5 37,0 32,0 26,0 4, Otros aceros: 48,0 415 55,5 56,0 5. Hierro 4115 431,0 460,0 540,0 6. Plasticos y compuestos pidsticos 245,0 238,0 221,68 188,90 7. Aluminio W770 166,0 146,0 97,0 8. Cobre, latén 435 46,0 46,0 38,5 9. Fundiciones de magnesio 65 5.0 25 1,0 40. Piezes de meta! en potvo 26,0 235 19,6 15,5 14. Troqueiado de cine 16,0 V7.5 18,0 38,0 12, Caucho 1345 135,5 136,5 150,0 13. Vidrio 865 86,0 86,0 87,5 14, Fluidos y lubricantes 1885 1740 183,0 200.0 45. Otros materiales 86,0 76, 85,5 128,0 16. Total 3.149,5 3.059,0 3.178,0 3665 ES OO RE * Para convertir an kilogramas, dividir por 2.204. Fuente; American Metal Market from industry reports, INTRODUGCION A LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES = 11 1.5. PERSPECTIVAS FUTURAS EN EL USO DE MATERIALES Materiales metalicos Materiales poliméricos Figura 1.14. Compaetitividad de costes entre resinas pldsticas da ingeniarta y algunos metaies comunes de 19704 1990. Se espera que los pldsticos de ingenierfa manteagan su ventaja frente a acero y otros metales. (A partir de Modern Pasties, agosto 1982, pag. 12.) La produccién norteamericana de metales bisicos tales como hierro, acero, aluminio, cobre, cine y magnesio es de esperar que siga bastante de cerca ala evolucién de ta economia de ese pais. Sin embargo, las aleaciones existentes pueden ser perfeccionadas por mejora de las técnicas quimicas, de control y de procesado. Se investiga constantemente para conseguir nuevas y mejo- res aleaciones aeroespaciales, tales como las superaleaciones de base niquel de alta temperatura, para incrementar su resistencia a las altas temperaturas y su resistencia a la corrosidn, ya que estas aleaciones se usan para motores de aviones y s¢ puede aumentar la eficiencia del motor al operar éste a temperaturas més altas. Nuevas técnicas de procesado como compresién isostatica en caliente, pueden conducir a mejorar la vida media a Ja fatiga en aleaciones para naves areas. Asimismo, las técnicas de metalurgia de polvos continuaran siendo importantes ya que se puede obtener una mejora en las propiedades de ciertas aleaciones con menotes costes en el producto acabado. La tecnolog{fa de solidificacién ripida permite obtener ahora polvos de aleaciones metdlicas que pueden ser enfriados répidamente desde la fusi6n a velocidades de un mill6n de grados Celsius por segundo. Estos polvos pueden ser compactados por varios procesos como la - compresién isostdtica en caliente. Por ejemplo, se han obtenido mediante este proceso nuevas superaleaciones de niquel de alta temperatura, y nuevas aleaciones de aluminio y de titanio. Histéricamente, los materiales pldsticos han sido los materiales basicos de m&s rapido creci- miento en los Estados Unidos en los pasados ajios, con un indice de crecimiento del 9 %/afio sobre un peso base (Fig. 1.12). Sin embargo, el fndice de crecimiento posterior para los plasticos se espera que sea menor hasta 1995, ya que éstos habrian sustituido a los metales, vidrio y papel en la mayor parte de los mercadas de volumen importante tales como embalaje y construccién donde los plésticos son titiles. Se espera de acuerdo con algunas predicciones que plasticos de ingenieria tales como et nylon compitan con los metales cuando menos en el afio 2000. La Figura 1.14 muestra los costes Acero laminado en frio 3 2 a 3 : § f Lingote de aluminio Yo? Pigsticos industriales < ff Acero, laminado en caliente [> Lingote de magnesio12 FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES Caja de estabilizador as INTRODUCCION A LA CIENCIA & INGENIERIA DE MATERIALES 13 . Junta exterior vertical __ - = TS | IM Fibra-epoxi del carbone pura a. Silatertn coin dc RAE ee toon = 100 —— BF; : " -: ‘aja de estabilizador anna “A estore de par de giro Timéa de = 10M 80 O Fibra de vidtio sireccién 3 IM 2 0 Lateral jo del borde anterior Fiméa de altura 100m = 40 Paneles del borde posterior & tom 20 mE ag 4 a" Puntal frontal y fuselajes ne poser 1970 1975 1980 1985 1990 1995 2000 1979-1982 98619891993 de popa ) fa) Tiempo ——» ® Affo Laterales de la estructura de fusclaje Alas ‘ Junta interior y exterior Figura 1-16. Tendencias en circuttos elacircnicas integrados: (a) transistores Pata chifvaites; (b) potencia de : de deflectores Procesado en millones de instrucciones por segunda (MIPYanios, (Datos de tet Corp.) Cubierta - _ delantera | Costado det tren materiales. Los modemos aviones comerciales usan cada vez més materiales compuestos. Por Engranaje de Cublena de aterriaaje ejemplo, en el nuevo avién de pasajeros 777 (Fig. 1.15) ~1995— un 10 % de su Peso son puertas delanteras del motor materiales compuestos. . sa ay Tp0s y dstibucion dels partes en materiaes COmPuOSIes del nuevo avién de passjeras 777. (Cortesia da Boeing Matertales El uso de materiales de silicio y otros materiales semiconductores y microefectrénicos en electrénicos estado sétido ha Mostrado un gran crecimiento desde 1970, y este crecimiento se espera que continue més alld del afio 2000, EI impacto de los ordenadores y otros equipamientos indus- Giales que utilizan circuitos integrados hechos a partir de chips de silicio ha sido espectacular. esperados para las resinas plasticas de ingenieria frente a algunos metales comunes, Se espera i El efecto global de robots computarizados en [a industria moderna esté por detecminar todavia. que, con excepcidn del acero laminado en caliente, los plasticos de ingenieria sean el material Los materiales electronicos estdn Ilamados a Ocupar un papel vital en «las fabricas del futuro» menos caro. Una importante tendencia en el desarrollo de plasticos de ingenierfa es mezclar a alear donde casi toda la manufactura se pueda hacer por robots asistidos por mAquinas controladas diferentes materiales poliméricos Para producir nucvas aleaciones plasticas sinergéticas?. Por por ordenador. : ejemplo, en el periodo de junio de 1987 a junio de 1988 se introdujeron a nivel mundial aproxima- A wavés de los afios se han fabricado circuitos integrados de menor tamaiio que contienen ' damente mil nuevas resinas termoplésticas. Un 10% de ellas eran aleaciones y mezelas. cada vez mayor densidad de transistores localizadas en un solo chip de silicio, Como se indica ena Figura 1.164, el nimero de transistores en un chip de circuito integrado se ha doblado cada Materiales El crecimiento histérico de materiales cerdmicos tradicionales tales como arcilloso, vidrio yde i 18 meses en los tltimos 30 afios. La Figura 1.16 muestea que la capacidad de procesamiento de Cerdmicos —construccién ha sido en Estados Unidos de un 3,6 % (1966-1980). Sus expectativas para el indice un microprocesador ha aumentado grandemente durante el periodo de 1989 a 1993 de crecimiento de 1982 a 1995 se situaron en ef 2%. En la dltima década se produjo una nueva familia de cerdmicos de ingenierta de nitruros, Carburos y éxidos. Constantemente se encuentran nuevas aplicaciones para estos materiales, en particular para usos a alta temperatura y para cerdémicos electrénicos. Los materiales cerdmicos son bajos en coste pero su procesado para producir productos terminados es normalmente lento y laborioso. La mayor parte de los materiales cerdmicos se dafian focilmente por impacto al tener baja o nula ductilidad. Si se encontraran nuevas técnicas para desarrollar cerdmicos de alto impacto, estos materiales mostrarian una subida repentina en Sus aplicaciones en ingenieria en ambientes de alta temperatura y alto desgaste. Materiales Et principal tipo de materiales Ccompuestos usado por la industria son los plasticos reforzados compuestos in fibra, siendo el vidrio la fibra dominante. Los poliésteres insaturados son la principal resina Usada como matriz para muchos plasticos reforzados con vidrio, su uso se ha incrementado desde 640 Mkg en 1991 a 667 Mkg en 1992 que corresponde a un incremento del orden del 4 %. Materiales compuestos avanzados tales como combinaciones de fibra de vidtio-epoxy y grafito-epoxy son cada vez més importantes para aplicaciones estructurales criticas y de alto fendimiento. Se predice una ganancia media anual de! orden del 7,5 % en el futuro uso de estos * Sinergismo significa que ta accién Cooperativa de medios discrewos es tal que ia suma de los efectos. totates es mayor que i suma de los efectos tomados independientemente I } t i i { RESUMEN La ciencia de materiales y la ingenierfa de materiales (conjuntamente, ciencia ¢ ingenierfa de materiales) forman un Puente en el conocimiento de los materiales entre las ciencias bdsicas (y matemdticas) y las disciplinas de ingenierfa. La ciencia de materiales involucra fundamental- mente la biisqueda del conacimiento bdsico acerca de los materiales, mientras que la ingenieria de materiales uata del uso de los conocimientos aplicados a los materiales, Los tres principales tipos de materiales son los materiales metdlicos, los cerémicos y los Ppoliméricos. Ouros dos tipos de materiales también importantes en la moderna tecnologia de ingenieria son los materiales compuestos y los materiales electrénicos. Todos ellos son tratados en este libro. Los materiales compiten unos con otros por su existencia y los nuevos mercados, y asf se Producen desplazamientos de unos por otros para algunas aplicaciones. Los factores Prioritarios =~ que condicionan cambios en el uso de fos materiales son la disponibitidad de materias primas, el coste de la manufactura y el desarrollo de nuevos materiales y procesos de producto. /14 FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES DEFINICIONES PROBLEMAS + Materiales, Sustancias de las que cualquier cosa est4 compuesta o hecha. El término materiales de inge- inierfa es usado @ veces para referirse especificamente a materiales cmpleados en ta fabricacién de productos técnicos. Sin embargo, no existe una linea de demarcacién clara entre fos conceptos anterio- res y se utilizan indistintamente. Ciencia de materiales. ‘Una disciplina cientffica preacupada fundamentalmente por la biisqueda del co- nocimiento basico sobre Ia estructura interna, propiedades y procesado de materiales, Ingenieria de materiales, Una disciplina de ingenierfa preocupada fundamentalmente por el uso de los conceptos bésices y de} conocimiento aplicado de materiales de forma que estos puedan convertirse en productos necesarios o descados por la sociedad. Materiales metdlicas (metales y aleaciones metéticas). Materiales caracterizados por altas conductivida- des térmicas y eléctricas. Por ejemplo, hierro, aceto, aluminio y cobre. Metales y aleaciones ferrosos. Metales y aleaciones que conticnen elevado porcentaje de hierro tales como aceros y hierros fundidos. Metates y aleaciones no ferrosos. Metales y aleaciones que no contienen hierro o bien lo contienen sélo ‘en Un pequefio porcentaje. Ejemplos dé materiales no ferrosos son aluminio, cobre, cine, titanio y niquel. Materiales cerdtnicos, Materiales que constan de compuestos de metales y no metales. Los materiales cerimicos son usualmente duros y quebradizos. Ejemplos de materiales cerdmicos son los productos de arcilla, vidrios, y 6xido de aluminio puro una vez compactado y densificado. Materiales polimérices, Materiales que constan de cadenas moleculares largas o redes de elementos de bajo peso atémico como carbono, hidrSgeno, oxfgeno y nitrégeno. La mayor parte de los materiales poliméricos tienen bajas conductividades eléctricas. Ejemplos de estos materiales son polietileno y clorura de potivinilo. Materiales eompuestos. Materiales que son mezcla de dos o més materiales. Por ejemplo, los formados por una matriz de poliéster o resina epoxi reforzada con fibra de vidrio. Materiales electrénicos. Materiales utilizados en elecurdnica, especialmente en microelectrénica. Por ejemplo, silicio y arseniuro de galio. {Qué son los moteriales? Enumere ocho materiales de uso comin en ingenieria, Defina ciencia de materiales ¢ ingenierta de materiales. {Cudles son las principales clases de materiales en ingenierfa? 7 Cudles son las propiedades més importantes de cada una de estas clases de materiales? Defina material compuesto. DE un ejemplo de material compuesto.” : Indique algunos cambios que usted haya observado en el uso de materiales en algunos productos manufacturados durante un perfodo de tiempo. 1.4.2. (Qué factores pudieran ser la causa de que fallaran las predicciones en el uso de los materiales? Estructura atémica y enlace 24. LAESTRUCTURA DE LOS ATOMOS Se hace aguf una revisién de algunos de los fundamentos de la estructura atémica ya que los 4tomos son la unidad estructural basica de todos Ios materiales de ingenieria. Los dtomos estan constituidos fundamentalmente por tres partfculas subatémicas: protones, neutrones y électrones, El modelo comén més simple de un 4tomo es cl de un niicleo muy pequefio del orden de 10~!* m de didmetro rodeado por una nube de electrones relativamente poco dispersa y de densidad variable de forma que el didmetro del Atomo es del orden de 107 10m. El nécleo aglutina casi toda la masa del étomo y contiene los protones y neutrones. ‘Un proton tiene una masa de 1,673 x 10724 gy una unidad de carga de +1,602 x 107 ?? culombios (C). El neutrén ¢s ligeramente més pesado que ef protén y tiene una masa 1,675 x 10774 gy no tiene carga. El electron tiene una masa relativamente pequefia de 9,109 x 10778 g (& ja del : 1836 protén} y una unidad de carga de —1,602 x 10-?° C (igual en valor absolute pero de signo conirario a la del protén), La Tabla 2.1 recoge estas propiedades de las particulas subatémicas. La nube de carga electrénica constituye casi todo ¢! volumen del Stomo pero s6lo represen- ta una pequeiia parte de su masa. Los electrones, particularmente los mds externos, determinan la mayor parte de las propiedades eléctricas, mecdnicas, quimicas y térmicas de los étomos, por Jo que un conocimiento bésico de 1a estructura atémica es importante en el estudio de los mate- tiales de ingenierfa. 2.2, NUMEROS ATOMICOS Y MASAS ATOMICAS Nimeros El ntiero aiémico de un tomo indica el niimero de protones (particulas positivamente carga- atémices das) que hay en su niicleo. En un tomo neutro el nimero atémico es también igual al nimero de electrones de su nube de carga, Cada elemento tiene su propio nimero atémico caracteristico, asf 156 FUNOAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIEAIA DE MATERIALES ‘ ESTRUCTURA ATOMICA Y ENLACE 17 Tabla 2.1. Masa y carga del Protén, Neutron y Electrén Masa en — Carga en = ==/= = YL < = "grannies (Gy ‘Coulombios (cy ” Bx g Protén 1,673 x 10744 41,602 x 1071? e Neutré 1,678 x 10-74 0 = = paige Becton 9.108 x 10-28 —1,602 x 107"? nao am = Ra elezd — SS el niimero atémico identifica el elemento, Los niimeros atémicos de los elementos desde el hidrdégeno, que tiene un néimero atémico de I, al hahaio, que tiene un niimero atémico de 105, estdn localizados en la parte superior de los simbolos atémicos de Ios elementos en la tabla periédica de la Figura 2.1. 101 Md o Tn 168.934] 173.04 (257) 258) 127,60 {126.905 33 AS a Sb 121.75 T 6 Er 100 Fm flasas atémicas La masa atdmica relativa de un elemento es la masaen gramos de 6,023 x 10?) dtomos (Niime- ro de Avogadso N,) del elemento, La masa atémica de los elementos desde el 1 al 105 esta localizada en la parte inferior de los sfmbolos atémicos de los elementos en la tabla periddica . (Fig. 2.1). El dtomo de carbono, con 6 protones y 6 neutrones, es el 4tomo de carbono 12 yes la masa de referencia para las masas atémicas. Una unidad. de masa atémica {u) se define exacta- mente como un doceavo de la masa de un &tomo de carbono que tiene una masa de 12 uma. Una masa atémica relativa molar de carbono 12 tiene una masa de 12 gramos en esta escala. Una molécula gramo (abreviadamente mol) de un elemento se define como el ndmero en gramos de ese elemento igual al mimero que expresa la masa atémica relativa molar de ese elemento. Asi, por ejemplo, | mo! de aluminio tiene una masa de 26,98 gramos y contiene 6,023 x 1072 dtomos. Problema Ejempio 2.1 (a) {Cul es ta masa en gramos de un dtomo de cobre? ©) {Cusntos somos de cobre hay en 1 g de cobre? 4 Se Hl 72,59 | 74.9216] 78.96 | 79.904 | 83.80 || 32 Te 32 Ge 50 Sa 118.69 67 Ho 99 Es (252) , 1984, pag. 170.) 3t In 114,82 38 cf 10.811 |12.01215] 14.0067) 15.9984] 18.9984 | 20.179: 26.9815 | 28.086 | 30,9738] 32.064 | 35.453 | 39.948! 69.72 49 Bl 247) | @sn 65 Tb 157.25 | 158.924] 162.50 | 164.930] 167.26 30 Zn | Ga 65.38 48 Cd 96 | 97 o cu 63,54 47 Ag Cm (247) 107.870} 112.41 64 Gd —y 195,08 | 196.967] 200.59 | 204.38 | 207.19 | 208.980] (209) 66 Dy 28 Ni 106.4 7 Pe 63 Eu 151.96 95 Am (243) 46 27 Co Rh | Pa 7 Ir 192.2 62 Sm 150,36 4 Pu Ru 101.07 | 102.906 26 Fe %6 Os 190.2 41 Pm (145) 93 Np Solucién: 25 a | @ | 4s 8B 24 Cr | Mn 5 Re 186.2 60 Ne 92 U Te (@, , La masa atimica det cobre es 63,54 g/mol. Teniendo en cuenta que en 63,54 g de cobre hay 6,023 x 1079 dtomos, el numero de gramos en un Atomo de cobre es: 95.94 | (98) 4 w a | Mo 63,54 gimol Cu xgCu 6,023 "x 10° gomos/mol — 1 étomo r cr) Ce Pr 140.12 | 140.907] 144.24 5 Pa [i 227.03 | 232.038 | 231.0¢ 238.03 | 237.05 | (244) {(Masas atémicas son relativas al °C = 12,0000, Los nimeros entre paréntesis son para los, isdeopos més estables.) 5B 23 v al Nb Ha (260) 3 Ta 178.49] 180.948 | 183.85 104} 105 x = masa de un dtomo de Cu : R Ti 2 Ht 40 Zr 87.62 | 88,906 | 91.22 | 92.906 Rf 257) 37 La 138.91 89 Ac + 63,54 g/mol Cu on i ** $093 x 10° Mtomosianl x 10 stomos/mel x 1 ftomo = 1,05 x 10-77 2 4 3B 39 Y 2 Se 71 Lu 178.97 103 Lr (260) @) El némero de dtomos de cobre en un gramo de cobre es 4 Be 9.0122 12 Mg 20 Ca 3B sr 36 Ba 88 Ra 26 Serie de lantinidos af Serie de actinidos of ' 6,02_x 10% stomos/mol x Atomos de cobre ° 63.54 g/mol Tg de Cu | 37 58 87 Tabla periddica de los elementos, (Sequin F. M. Miller, «Chomistry; Structure and Dynamics», MoGraw-H' 3 3 a g g a g 5 & R = g x ¥ z g {5 3 & 3 & a = 8 gz = = 8 s g z g 3 s 22,9898) 24.305 19 132.905) 137.33 Fr 223) ui 6941 u Na (6,02 _x 107? dtomes/mol) (1 g Cu) oe ose) 8 Sy . 63,54 g/mol Cu. = 9,47 x 107! tomes sp3p én | Cs Sap Z LT Sy 6dip x = mimero de dtomos de Cu = Is Flenira 2.1.FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES Problema Ejempio 2.2 El revestimiento (la capa exterior) de la moneda de cuarto de délar de Estados Unidos est4 compuesta de una aleacién! del 75 % en peso de cobre y del 25 % de niquel. ,Cudles son los porcentajes atémicos de cobre y nique! contenidos en este material? Solucién: ‘Tomando como base 100 gramos de la aleacién 75 % de cobre y 25% de nfquel, tendremos 75 gramos de cobre y 25 gramos de nfquel, Por tanto, el ndmero de moles de cobre y niquel serd: Be 2 = -————>— = 1,1803 mok NP de moles de Cu = gee Tg = 11805 motes Ne de moles de nfguel = 75.2 _ = 9,4260 moles # de moles de ntquel = seas Ay ~ ” Moles totales = 1,6063 moles Asi, los porcentajes atémicos de cobre y niquel son: 1,1803 mol émii = (2 %) = 73.5% 4 % atémico de Cu ( 3 22 oo ) % atémico de Ni = (5a) (100 %) = 26.5% 4 mol, Problema Ejempio 2.3 Un compuesto intermetdlico tiene de formula quimica general: Ni,xAl,, donde x ¢ y son nilmeros enteros sencillos, y estd formado por un 42,04% en peso de niquel y 57,96 % en peso de aluminio. {Cudl es ta formula quimica més sencilla de este aluminuro de niquel? Solucién: Determinamos primero las fracciones molares de n(quel y aluminio en este compuesto. Utilizanda una base de 100 grams del compuesto, tenemos 42,04 g de niquel y 57,96 g de aluminio. Asi, 42,02 2 =e N2 de moles de Ni 58,71 gmol = 0,7160 moles o = > = 2. N? de moles de Al 26.98 pmol 1483 moles Moles totales = 2,8643 moles 0,7160 mot 2.8643 mol 2,1483 mol 12,8643 mol Fraccién motar de Ni = 0,25 Fraccién molar de Al = 0,75 Sustituimos xe y en la f6rmula quimica general Ni,Al, por 0,25 y 0,75, respectivamente, obteniendo No.5 ‘Alo.rs que es la fSrmula quimica més sencilla expresada en fracciones molares. La formula quimica mas sencilla respecto a una base entera se obtiene multiplicando tanto 0,25 como 0,75 por 4 para dar NiAl, que corresponde a la férmula quimica més sencilla de este aluminuro de niquel. + Una aleacidn es la combinacida de dos metales o de un metal(es) y un no metal (es). 2.3. ESTRUCTURA ATOMICA Y ENLACE 19 LA ESTRUCTURA ELECTRONICA DE LOS ATOMOS El dtomo de hidrégeno El dtomo de hidrégeno es el Stomo més sencillo y consta de un electron circundando a un nticleo de un protén. Si consideramos el movimiento orbital del electron de hidrégeno en torno a su niicleo, sdlo son permitidas drbitas definidas (niveles de energfa). La razén de estos valores restringidos de energia es que los electrones cumpien las leyes de la mecnica cudntica y estas s6lo permiten determinados valores-de energfa y no valores arbitrarios. De forma que, si el electr6n del dtomo de hidrégeno es excitado a una érbita (nivel energético) superior es absorbida una cantidad discreta de energfa (Fig. 2.2.4). Andlogamente, si el electrén cae a una drbita (nivel energético) inferior se emite una cantidad discreta de energfa (Fig. 2.2.6). Durante Ja transicién a una érbita de menor energfa, el electrén del hidrégeno emitir4 una cantidad discreta (cuanto) de energia en forma de radiaci6n electromagnética llamada fotdn. El cambio de energfa asociado con la transicién del electrén desde un nivel a otro esta relacionado con la frecuencia v (nu) del fotdn, por la ecuacién de Planck? AE = hy Q1) donde k = constante de Planck = 6,63 x 107% Julios segundo (J - s). Para la radiacién electro- magnética, c = Ay, donde c es la velocidad de la luz igual a 3,00 x 10° metros/segundo (m/s) y A Gambda) su longitud de onda, pudiendo ser expresado el cambio de energia asociado a un fotén como Ac ars 22) Problema Ejemplo 2.4 Catcular la energia en julios (J) y electron-voltios (¢V) del fotén cuya Iongitud de onda es 121,6 nanéme- twos (nm) (1,00 eV = 1,60 x 107!9 J; k = 6,63 x 1074 F-s; 1am = 107? m). Solucién: he ABE == . q (2.2) (6,63 x_ 10734 J+s)(3,00 x 10° m/s) _ (121.6 amj(o-® m/nm) ~ = 163 x 10778 ¢ AE = lev - 18 163 x 108 I x a ag = 10,2eV La verificacién experimental de las energfas asociadas con electrones que son excitados a niveles de energia discreta superior © Ia pérdida de energia y caida a niveles discretos mas bajos, se obtiene princigal- mente por e! andlisis de las longitudes dc onda ¢ intensidades de las lineas espectrales. Utilizando los datos espectrales del hidrégeno, Nicls Bohr? en 1913 desarrollé un modelo para cl dtomo de hidrégeno, que consistfa en un electrén girando alrededor de un protén con un radio fijo (Fig. 2.3). Una buena aproxima- cin de Ie energia del electzén en ef étomo de hidrégeno para un nivel energético determinado viene dada por la ecuacién de Bohr Qnimet* 13,6 B= TS SPY A234 5 09 23) donde e = carga del electrén m = masa del electron *n = un mimero entero llamado niimero cudntica principal 2 Max Ernest Planck (1858-1947), Fisico alemdn, recibié el Premio Nobel de Fisiea en 1918 por su teorfa cudntica. 2 Niels Henrik Bohr (1885-1962). Fisico danés, fue uno de los fundadores de la fisica modema. En 1922 recibié el Premio Nobel de Fisica por su teorfa del dtomo de hidrégeno.20 FUNDAMENTOS OE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES: Figura 2.2, Ef electrén del hidrégeno (2) es excitado a una Orbila de mayor energla, y (b) cae de una érbita de mayor energia a una drbita de menor energia emitiendo un fotdén de energia hy, Figura 2.3, El étomo : de hidedgeno de Bohr, \ En el domo de { hidrdgeno da Bohr un electron gira en una 1 Orbita circular de 0,08 _—_—=—. 9m de radio. en temo a ao 1 YA protén central. | a=3 (a) Energia absorbida n=3 {b) Energia emitida Problema Ejemplo 2.5 Un dtomo de hidrdgeno existe con su elecurén en un estado n = Calcular: a) Ia energfa del fot6n emitido, 6) energia en la transicién? Solucién: {a) La energia del fotén emitido es . El electrén pasa a un estado n = 2. itud de onda, d) gse emite o se absorbe } su frecuencia, c} su log =13,6 ev E Se (2.3) SE = EE, : =136 13, = apt es. 1890 4 m9 = 180eV x eae = 302 x 107874 (®) La frecuencia del fotén es AE = hy Qi) AE 302 x 10719 F & © 663 x 107 J-5 = 455 x 10's"! = 455 x 10'* Ha Radio de la 6rbita: ESTRUCTURA ATOMICA Y ENLACE 2 (c) La tongitud de onda del fotdn es - fic AE = — . (2.2) Z ¢ Qo , _ fe _ (6.63 x 107 J+ /(3,00 x 10% m/s) AE” 302 x to" T = 6,59 x 10-7 m - Lam = 659 x 10°" m x 5 = 659 nm 4 (d) Se emite energia en esta transicién. En la teorfa atémica moderna, ta # de la ecuacién de Bohr se designa como ntimero cuduti- ‘co principal y representa fos nivetes energéticos principales para os electrones en los dtomos. Figura 2.4, Diagrama de nivelas energeticos para las lineas espectiales del hidrégeno, (A partir de F.M. Miller «Chemistry: Structure and Dinamics»; MoGrw-Hil; 1984, pag. 141.) A partir de Ia ecuacign de Bohr (2.3) el nivel de energia del electrén de hidrégeno en su estado fundamental es — 13,6 eV y cortesponde a la linea donde n = 1 enel diagrama de tos niveles energéticos del hidrégeno (Fig. 2.4). Cuando el electrén del hidrégeno es excitado a niveles energéticos superiores su energia aumenta pero su valor absoluto es menor. Por ejemplo, cuando el electrdn de hidrégeno es excitado al segundo nivel cudntico principal, su energia es —3,4 eV, y si el clectrén es excitado hasta el estado libre, donde n = co, ef elecun tendrd energia nula. La energia necesaria para hacer que el electrén abandone el tomo de hidrdgeno es 13,6 eV, que es la energia de ionizacién del etectrén de hidrégeno. El movimiento de los electrones en los dtomos es més complicado que el presentado por et modelo atémico de Bohr sencillo. Los electrones pueden tener drbitas no circulares (el{pticas) en tomo al niicleo, y de acuerdo con el principio de incertidumbre de Heisenberg. la posicisn y ef momento (masa x velocidad) de una particula pequefia como es et electrén no pueden ser deter- minados simulténeamente. Ast, la posicién exacta del clectrén en un instante dado no puede ser determinada debido a que el clectrén es una particula muy pequefia. Puesto que la posicidn del Contino 0 Brackett ~15eV E -3dev Estado fundamental _166¥22 FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES: Numeros cuadnticos electrén en el hidrégeno no puede ser determinada con precision, se suele utilizar una distribu- cién de la densidad de la nube de carga electrénica para representar la posicion del electrén del hidrégeno en su movimiento orbital alrededor de! ‘nicleo (Fig. 2.5). La mayor densidad de carga electronica se encuentra en un radio de 0,05 nm, que corresponde al radio de Bohr de! dtomo de hidrégeno. La modema teoria atémica establece que la energia y el movimiento de un electrén alrededor de su nticleo est4 caracterizado no sdlo por un ndmero cudntico principal sino por cuatro nimeros : el ntimero cudntico principal x, el ntimero cudntico secundario J, el ndmero cudntico co m, y el nimero cudntico de spin electrénico m,, EI nimero cuantico principal . El mimero cudntico principal » corresponde a la n de la ecuacién de Bohr. Representa el nivel electrénico principal del electrén y puede interpretarse como una zona del espacio donde es elevada 1a probabilidad de encontrar al electrén con un determinado valor de n. Los valores de n son nimeros pasitivos comprendidos entre | y 7. Cuanto mayor es et valor de # més alejada esta la corteza del nficleo y por consiguiente cuanto mayor es el valor del numero cudntico principal de un electrén més alejado estd el electrén del nticleo (en un tiempo promedio). Y en general, cuanto mayor es ef ntimero cudntico principal de un electrén mayor es su energia. El nimero cudatico secundario i. El segundo ntimero cudntico es el néimero cudntico secun- dario L. Este ndimero cudntico especifica el subnive! dentro de los comprendidos entre los niveles principales, especifica la subcapa donde es alta la probabilidad de encontrar el electron si ese nivel energético est4 ocupado. Los valores permitidos de? son! = 0, 1, 2,3, ....@ — 1. Las letras s, p, dy f se utilizan* para designar a los subniveles energéticos / como sigue: Numero de designaci6n} = 0 1 2 3 Letra de designacién I = sp d f Los subniveles energéticos s, p, d y f de un electrén se denominan orbitales, y se habla también de un subnivel energético so p, por ejemplo. Puede hablarse también de una subcapa s 0 p de un dtomo en particular. Ntimero cuantico magnético m,. El tercer mimero cudntico, ef néimero cudntico magnético my especifica la orientacién espacial de un orbital atémico ¢ influye muy poco en la energia de un electrén. El némero de diferentes orientaciones permitidas de un orbital depende del vator de f de dicho orbital. Los valores permitidos de m, van de —/.a +1 incluyendo el cero. Cuando > £ = 0, sélo hay un valor para m, que es el cero. Cuando / = 1 hay 2/ + 1 valores permitidos para my que son —1, Oy +1. En general, hay 2/ + 1 valores permitidos para m1. En términos de orbitales s, p, dy f, hay un maximo de un orbital s, tres orbitales p, cinco orbitales d y siete orbitales f de los subuiveles energéticos permitidos s, p, dy f. Nimero cudntico de spin eleetrénico am, El cuarto nimero cudntico, nimero cudntico de spin electrénico m, especifica la direccién de entre las dos direcciones de spin permitidas de un electr6n que gira en torne a su propio eje. Las direcciones son en e/ sentido de las agujas del reloj y enel sentido contrario, y sus valores permitidos son -++ y —4. El ntimero cufiniico de spin tiene slo una pequefta influencia sobre la energia de un electron. Dos electrones pueden ocupar el mismo orbital si tienen spines opuestas. La Tabla 2.2 muestra los valores permitidos para los cuatro némeros cudnticos de los elec- trones. De acuerdo con el principio de exclusién de Pauli 5 de la teorta atémica, dos electrones no pueden tener sus cuatro nimeros cudnticos iguates. * Las letras 5. p. dy f'se toman de las primeras fetras de fas antiguas designaciones de Ia intensidad de linea espectral: sharp. principal, difuse y fundamental, . * Werner Karl Heisemberg (1901-1976), Fisico aleman, fue uno de los creadores de Ja teorfa cudntica moderna. En 1932 recibié et Premio Nobel de Fisica. 5 Wolfgang Pauli (1900-1958). Fisico austriaco, fue uno de fos fundadoies de la teoria cudntica moderna. En 1945 recibié el Premio Nobe! de Fisica, Figura 2.8, Esquema de la nube de carga electronica de un domo de hidrégeno en estado fundamental. El circulo exterior der = 0,050 nm corresponde af radio de 1a primera Orbita de Bohr (n = 1}@ indica la region mas probable de encontrar al electron. Estructura electrénica de atomos multielectronicos Tabla 2.2. ESTRUCTURA ATOMICAYENLACE 23 72005 nm Electrén Is Segtin las leyes de mec4nica cudntica, los dtomos contienen niveles (capas) principales de altas densidades electrénicas. Hay sicte de clos cuando el ntimero atémice llega a 87 para el elemento Francio (Fr). Cada nivel sélo puede contener un nimero méximo de electrones que viene dado, a su vez, por las leyes de la mecdnica cudntica. El maximo ntimero de electrones que pueden ser ubicados en cada nivel atémico estd definido por los diferentes ndmeros cudnti- cos (principio de exclusién de Pauli) y es 2n?, donde n es el ntimero cudntico principal. De este modo, sélo puede haber un mAximo de 2 electrones en el primero, 8 electrones en el segundo, 18 en el tercero, 32 en el cuarto, eic., conforme se indica en la Tabla 2.3. Tamaiioatémico. Cada dtomo puede ser considerado en una primera aproximacién como una esfera de radio definido. E] radio de la esfera atémica no es constante ya que depende en alguna extensién del entorno. La Figura 2.6 muestra los tamaiios atémicos de muchos de los elementos junto con sus radios atémicos. Muchos de los valores de los radios atémicos no son todavia concordantes y varfan en alguna medida dependienda de 1a fuente de referencia. A partir de la Figura 2.6 se observan algunas tendencias de los tamafios atémicos. En general, el tamafio aumenta conforme a un elemento se Ie afiaden niveles sucesivos al incremen- tar el nimero cudntico principal. Sin embargo, hay unas pocas excepciones en que el tamafio atémico se reduce. Los elementos alcalinos del grupo 1A de la tabla periddica son un buen ejemplo de stomos cuyo tamafio crece conforme se afiade cada capa electrénica. Por ejemplo, el Titio (n = 2) tiene un radio atémico de 0,157 nm, mientras que el cesio (2 = 6 tiene un radio atémico de 0,270 nm. Cruzando la tabla periddica desde un elemento de los alcalinos, grupo LA, aun gas noble del grupo 8A ¢! tamafio atémico en general decrece. Sin embargo, nos encontra- mos de nuevo con algunas excepciones. El tamajio atémico serd importante en el estudio de 1a difusién atémica en aleaciones metélicas. Configuraciones electrénicas de los elementos. La configuracién electronica de un dtomo describe cémo los electrones estan ordenados en orbitales en un tomo. Las configuraciones electrénicas se escriben mediante una notaci6n convencional que contiene el primer numero cudatico principal seguido de una letra que indica el orbital s, p, dof, Los superindices sobre las Valores permitides para los numeros cudaticos de ios electrones a Namero eudmtico Todos los antaras positives principal 1 Numero cudntico n valores permitidos de / secundario m, * Numero cuantico Valores enteros desde 2+t Mmagnético —ta +/incluido al cero . m Namero cudntico +4 2 magnético24 FUNDAMENTOS DE LA GIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES ESTRUCTURA ATOMICA YENLACE 25, Tabla 2.3. Numero méximo de electrones por cada nivel atdmico principal l Maximo _ ns - =—ig® 3 weet ————— SS nimerode ‘Maxlmo 4 S Ss g ~ Niimero de nivel, 7 electrones: nimero de os - .o a (ntimero cudntico en cada nivel electrones 2 @: = s 8 principal) (any en orbitaies 3 -~e : o ° 3 e 08, 03 5 z 3 i s £ ess 3 é < & 5 2 a fk e: ©} 4 ; 4 spay gs 3 s 8 8 fs 08 2@8 8 é 8 6 os s 8 ; f 3 o§ -08 ©: Q . banal. 5 z letras del orbital indican los electrones que contienen cada orbital. El orden en que los electrones g acupan los distintos orbitales es el siguiente’: 2 n 5 ers 2 §- : g os a® 3 6s S ge 1s?252p°3s*3pS4s23!°dpSSs2dd*Sp%Gstapt45d1 OG 9675257146107, 6 & 8 oS aa as Same: = a El orden a seguir para escribir los orbitales de las configuraciones electrénicas (en este libro) 62 2@: 6 3 @§ aS serd por incremento del néimero cudntico principal como sigue: ae a8 2 5 a 3 1s?2s72p 5353p 83d 4sPup ad Oasiss. 25 p95 1105p $6.26, 86 410742 a ©: 2 @ 3 2 rents sayz ] 6&2 2@= Probiema Ejemplo 2.6 3 @ os 5 2 stk 23 Escribir las,configuraciones electrénicas de los elementos a) hierro, Z = 26, y b) samario, Z = 62. 2Ws ERIS Solueién: s@sa =@2 Usando el orden de Menado de orbitales establecido arriba Ias configuraciones elecudnicas para estos s ° elementos son las siguientes z 2 2@8 s@E Hierro (Z = 26): 15°2s?2p53s?3p3q%qs? 2 ete Obsérvese que tos orbitales 3c estin incompletos. La disposicién de os electrones 3° en el dtomo de #@) 3 = 2) o hierro serd importante en el estudio del fecromagnetismo. Samario (Z = 62): 1s725°2p*3s73p%3d! 94s 2p S4uO4y5525 66,2 w O14) Obsérvese que para esie elemento de las tierras raras los orbitales 4festin incompletas, La similitud de tas Propiedades quimicas de los elementos de tas tierras raras es debido a que se Henan los orbitales 4f que estin dos niveles por debajo que ta capa exterior que contiene dos electrones 6s, 144 En la Tabla 2.4 se recogen las configuraciones electrénicas de los elementos tal como se han determinado experimentalmente, Se observa que existen pequefias irregularidades inconsis- 0173 © Un recurse nemotécnico para seguir ef erden correcto es disponer como se muestra abajo y utilizar una serie de Fechas cibujadas sobre los orbitales, Siguicnda tas flechas de cola a cabeza el orden queda establecico, 0.135 '@ © Figura 2.6, Tamatios relativos de algunos diemos @ jones. Los valores de fos radios de los dtomos a ic diomos en que 2s aplicable, (Adaptado de F. M, Millar, «Chemistry: Structure and Dinamics», McCraw- cae ni tenn aetna teen 0.128 Nb @ . . 160 0.147 0, 1270, Tm ® 66 ol' | 26 FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES L ESTRUCTURA ATOMICA Y ENLACE 27 : | Tabla 2.4. Configuraciones slactrdnicas de ios elementos : i Configuracion Configuracién : Zz Elemento electrénica z Elemento electronica i (tT [tH | : Figura 2.7. 1 H 1s 53 t [Ke]40"Sstop | Direosiones de spin 2 He 12 54 Xe KrisaMestse? : en electrones Disposicién correcta de Disposicién incorrecta de 3 u [HeJ2s 55 cs [Xe]6s i desapareacios en electrones en orbitales * electrones en orbitales ¢ 4 Bo tee 58. Ba [Xe]6s* 2 i orbitates d. ° 5. B 282 57 ta [Xe]. i 6 c (He]2sa? 58 Ce [Xe}41506* i 7 N eee 59 Pr Delsfss 1 : 8 oO ie}2. 60 Nd (xel4re: i Estructui Jes. i irni 4 as 5 r tieresar a Pm frelerest i jae ma Gases robles. cas propiedades quimicas de los dtomos de los elementos dependen principal- 10 Ne [He]as2p° 62 sm [Xelees? i lad de sus electrones mds externos. Los mds estables y menos reactivos de it Na [Ne]3s 63 Eu (xoKrest i y reactividad todos los clementos son los gases nobles. Con la excepcién del helio, que tiene una configura- 12 Mg [Ne]3s? 64 Gd [Xe]arsc6s? f quimica cidn electrénica 1s”, las capas externas de los otros gases nobles (Ne, Ar, Kr, Xe y Rn) tienen #3 a ee 88 Pr pee : una configuraci6n electrénica s*p*. La configuracién electrénica s*p® para la ‘capa més externa 1s Ey nelae a @ Ry ver rest i, confiere una elevada estabilidad quimica como corresponde a la relativa inactividad de los gases 416 s (Ne]3¢3¢" 68 er fxoyartes? { nobles para reaccionar quimicamente con otros dtomos. 7 a (Ne]3s3p° 69 ™m [Xe}4ares? f 18 ar [Ne]3s°3pF 70 Yb [xe]artae } Elementos electropositives y electronegativos. Las elementos electropositivos son metélicos i 9 K tage 5, 7 ty Xe] etc i por naturaleza y ceden electrones en las reacciones quimicas para dar ‘ones positivos 0 cationes. 21 Se TAngatAg B Ta ixela feces ‘ EL némero de electrones cedido por un tomo de un elemento electropositive se conoce como 22 Ti [arpeeas? 14 W [xelar'so'es? i aimero de oxidaci6n positive. La Figure 2.8 ofrece una relaci6n de los ntimeros de oxidacién de 29 v [Arsatas? 75 Re [Xe]arsdes? i los distintos elementos. Obsérvese que algunos elementos tienen mds de un ndmero de oxida- 24 Cr farisch4s 76 Os [xe]apsc*6s° : cién. Los elementos més electropositivos estén en los grupos 1A y 2A de la tabla periédica. 2s un tartaaes, a bh (xejaisdse i Los elementos electronegativos son no metdlicos por naturaleza y aceptan electrones en las 28 Fo ae 7 a beclamcartss : reacciones quimicas para producir iones negativos, 0 aniones. El mimero de electrones aceptados por 238 Ni [arset4st 80 Hg {xeyar"sa"6e : un tomo de un elemento electronegative se conoce como sintero de oxidacién negativo (Fig. 2.8). 29 Cu [Ar3q%4s a1 1 [Xe]ar‘se'es*ép Los elementos mds electronegativos estin en los grupos 6A y 7A de Ia tabla periédica en la Figura 2.1. 30 Uariaee: 82 Po [Xe]erisd*6s"6° t : Alguaos elementos de los grupos 4A a 7A pueden comportarse de una forma electronegati- 3 ga Epa ae “4p e 3 a Cd regeaser va o de forma electropositiva. Este doble comportamiento se da en elementos como carbono, 33 As [Ar]ad"4s"4p%. 85. At [xel4fSo6s6p° silicio, germanio, arsénico, antimonio y f6sforo. Asf, en algunas reacciones ellos presentan nd- 34 Se [Arad *4t4p* 86. An [xe]arSoes'ep i . meros de oxidacién Positives, cuando tienen un comportamiento electropositivo, y en otras tie- % & Ae ee a ee [Rede : nen nimeros de oxidaci6n negativos, cuando presentan un comportamiento electronegativo. 37. Rb tkrss 8g Ac [Rnjeo7s i 38. Sr [keJ5s2 90 Th {Anjed7s : 38 q, ee 1 pe eae ‘ Problema Ejemplo 2.7 rn 3 a4 Nb (krJac'ss 93. Np (Rn}sr6c7s? : 42 Mo fie}4d'ss 94 Pu (Rolsf7s? : Escriba la configuracién electrdnica para el dtomo de hierro (Z = 26) Ios i 2+ y Fed* / 8 of nenese s An frase : Ia notacién convencional spdf (2 = 26) y para los jones Fe™* y Fe?* usando tu r] iS Te in. - 8 8 kage no RR son: 47 Ag {Kr]4g"Ss 99 Es (Rajsr'7e Fe: 1525?2p63523p$3q8ag? 48 Cd Tk}40"Set 400 Fm [Rnjsrt7st Peles Jaasegpenayy adits 49 In [kr}40"Sssp 101 Md [Rn]s rors? 3 Felts 1e22s2apOqgtaneyae 50 Sn (KeNea "Sept 402 No [rn]se7s : # ADS pas 3p Set 51 8b [kr]Jag"sse5p° 103 le (Anjsf‘ea7s? i Obsérvese . 5 2 . i que los dos electrones externos 4s son los que primero se‘pierden ya I i 52 Te ikrladvsst5et : menor energfa y se pueden separar mds facilmente. , Plerden ya que son los que tence 1 ; Electronegatividad. La electrouegatividad muestra la capacidad de un dtome de atraer hacia tentes con et orden de llenado antes citado. Por ejemplo, el cobre (Z = 29) tiene una configura- : sia los electrones de enlace. La tendencia comparativa de un dlomo a mostrar un comportamien- cién electr6nica externa 349457. La razén de estas irregillaridades no se conoce con precisién. : to electropositivo 0 electronegativo se puede cuantificar asignando a cada elemento un ntimero La evidencia experimental muestra también que los electrones con el mismo niimero cuén- : de electronegatividad. La electronegatividad se mide en una escala de 0 a 4,1, y cada elemento . tico secundaria tienen jos spines paralelos siempre que es posible. Asf, si hay cinco elecuones en . Hene asignado un valor sobre esta escala, como se muestra en la Figura 2.9. Los elementos mas - Jos orbitales d, habré un electron en cada orbital d y las dirceciones de los spines de todos estos : electropositivos son los metales alcalinos cuyas electronegatividades van desde 0,9 para cesio, clectrones serdn paralelas, como se muestra en la Figura 2.7. . tubidio y potasio a 1,0 para sodio y litio. Los elementos mds electronegativos son fluor, oxigeno28 FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES ESTRUCTURA ATOMICA Y ENLACE =. 29 Figura 2.8. Numeros de oxidacién de los elementos con respecto a su posicién en la tabla periédica. (Sect i Gailey y K. W, Whitten, «Principles of Chemistry», CBS College Publishing, 1984, pag. peed (Sequin E. Davis, KD, y nitrégeno, que tienen electronegatividades de 4,1, 3,5 y 3.1. respectivamente. El concepto de electronegatividad ayuda a comprender ef comportamiento enlazante de los elementos. Resumen de algunas relaciones entre estructuras ¥ Propiedades quimicas para metales y no metales Metales No metates 1, Tlenen algunos etectrones en 1. Tienen cuatra 0 mas electrones en nivelas externos, nowmalmente niveles externas. tres o menos. 2. Forman cationes por pérdida de 2. Forman aniones por ganancia de electrones. electrones, 93. Tienen bajas 3. Tienen elevadas electronegatividades. electronegatividades, Figura 2.9, Electro- negatividades de los elementos. (Seguin F. M. Miller, «Chemistry: Structure and Dynamics», McGraw-Hill, 1984, pag. 185.} Lantinidos 1,0-1,2 Actinidos 1 2.4, TIPOS DE ENLACES ATOMIGOS Y MOLECULARES Enlaces atémicos Primarios Enlaces atémicos secundarios y moleculares El enlace quimico entre dtomos acontece siempre que hay una disminucién neta en la energia potencial en el dtomo enlazado, Es decir, los 4tomos en estado enlazado se encuentran en condi- ciones energéticas més estables. En general, el enlace quimico entre dtomos se puede dividir en dos grupos: enlaces primarios o fuertes y enlaces secundarios 0 débiles. Los enlaces atémicos primarios son aquellos que desarrollan grandes fuerzas interatémicas, pueden dividirse en fas tres clases siguientes: 1. Enlaces iénicos. En este tipo de enlace acuian fuerzas intermoleculares relativamente gran- des, por transferencia electronica se producen iones positivos ¥ negativos que se mantienen unidos por fuerzas de Coulomb (atraccién entre iones cargados positivamente y iones carga- dos negativamente). El enlace i6nico es un enlace no direccional y relativamente fuerte. 2, Enlaces covalentes. Actéan fuerzas interatémicas relativamente grandes creadas por la com- particién de electrones entre atomos dando lugar a la formacién de un enlace directional. 3. Enlaces metdlicos. Actéan fuerzas interatémicas relativamente grandes creadas por la comparticin de electrones destocalizados que conducen a ta formacién de un fuerte enlace no direccional entre dtomos. 1. Enlaces de dipole permanente. Son enlaces intermoleculares relativamente débiles forma- dos entre moléculas que poseen dipolos permanentes. Un dipolo existe en una molécula debido a una asimetcfa en la distribucién de densidad electronica. El enlace de hidrdgeno es un caso especial de interaccién. 2, Enlaces de dipolo oscitante. Enlaces muy débiles de dipolo eléctrico se producen entre dtomos debido a la distribuci6n asimétrica de densidades electrénicas en un dtomo entorno a su propio niicleo. Este tipo de enlace se denomina oscilante puesto que la densidad electrd- nica esté continuamente cambiando con ei tiempo. 2.5. ENLACE IONICO Enlace idnico en general ~- tive; -produciendo-cationes, cargados ‘positivamente, y aniones, cargados ‘negativaiment Los enlaces iénicos se pueden formur entre elementos altamente electropositivos (metdlicos) y elementos altamente electronegativos (no metdlicos). En el proceso de ionizacién se transfieren electrones desde los dtomos del elemento electropositive a los Atomos del elemento electronega- Las fuerzas de enlace iénico son debidas a fa accién de fuerzas de atraccién electrostiticas 0 de30 FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES Fuerzas interiénicas para un par iénico Figura 2.10. Forma- ci6n de un par idnico ion sodio-ion cloro @ partir de dtomos de sogio y cloro, En el proceso de jonizacidn, un elecirdn 3s* es transtarido det dtomo de sodio a un 3p semiocupade del dlomo ds cloro, Coulomb entre jones de carga opuesta. Los enlaces idnicos se forman entre iones de carga opuesta al producirse una disminucién neta de 1a energia potencial en los iones enlazados. ‘Un ejemplo de sdlido con alto grado de enlace idnico es el cloruro sédico (CINa). En el proceso de ionizacién para formar un par iénico Na* C1”, un étomo de sodio pierde su electrén més externo 3s! y lo wansfiere al orbital 3p que est4 medio ocupado de un 4tome de cloro produciendo un par de iones Na* y Cl” (Fig. 2.10). En el proceso de ionizacién, el dtomo de sodio que originalmente tenfa un radio de 0,192 nm reduce su tamaiio a un catién sodio’con un radio de 0,095 nm, y el dtomo de cloro que originalmente tenia un radio de 0,099 nm aumenta su tamajio transformdndose en un ion cloro de radio 0,181 nm. El dtomo de sodio reduce su tamajio al transformarse en ion debido a la pérdida del electrén de sv capa més externa 3s" y al disminuir la relacién electrén/protén. El nucleo de} ion sodio con alta carga positiva atrae fuertemente hacia si la nube de carga electrénica dando lugar 2 una reduccién del tamafio del 4tomo durante la ionizacién. Por el contrario, el dtomo de cloro aumenta su tamafio durante la fonizacién al aumentar la relacién electrén/protén, Durante la ionizacién los 4tomos reducen su tamafio al formar cationes y aumentan su tarnafio al formar aniones, como se muestra para algunos dtomos en la Figura 2.6. Consideremos un par de iones de carga opuesta (por ejemplo, un par iénico Na*C1~) aproxi- méandose desde una distancia de separaci6n a. A medida que los iones se van acercando serén atraidos por fuerzas de Coulomb. De forma que, e! nicleo de un ion atraerd la carga de ta nube electrénica del otro, y viceversa. Cuando los iones se aproximen atin mas, eventualmente sus dos nubes electrénicas interaccionarén y aparecerdn fuerzas repulsivas. Cuando las fuerzas atracti- vas igualen a las repulsivas, no habrd fuerza neta entre los iones y Estos permanecerdn a una distancia de equilibrio, la distancia interiGnica a. La Figura 2.11 muestra esquematicamente para un par idnico las curvas fuerza/distancia interiénica. La fuerza neta entre un par de jones con carga opuesta es igual a la suma de fuerzas atracti- vas y fuerzas repulsivas. Asf, . Fea = Fesciva “+ Frepusiva (2.4) Las fuerzas de atraccién entre el par iGnico son fuerzas de Coulomb (al considerar a tos iones como cargas puntuales). Usando la ley de Coulomb’ con unidades del sistema SI podemos escribir a siguiente ecuacién: _ eZee) Z1Z,e? Frenaica = 25 acct Area? 4n69a" 2.5) ©) © + , ~ () Atomo Atomo Ion Ton de sodio, Na de ctoro, CS - sodio, Nat cloruro, Cr Radio Radio Radio Radio atémico = atémico = iémico = iénico = 0192 om 0,099 nm 0,095 nm 18) nm 7 Charles Augustin Coulomb (1736-1806). Fisico francés que demostré experimenualmente que Ja fuerza entre dos cuerpos cargades variaba inversamente con el cuadrado de la distancia entre ellos. : Figura 2.11. Fuerza/disiancia de separacidn, para un par de janes de carga opuasta. La distancia interiénica de equilibrio 2S By. ESTRUCTURA ATOMICA Y ENLACE 31 Fuerza a+ Distancia interiénica a Repulsién donde Z, yZ, = niimero de electrones cedidos o aceptados por los 4tomos durante la formacién de los correspondientes iones e = carga del elecuén @ = distancia interiénica & = permitividad en el vacfo = 8,85 x 107}? C?(N-m?) La fuerza repulsiva entre un par iénico ha resultado ser experimentalmente proporcional a la distancia de separacién interidnica a y puede ser descrita por la ecuacién “pei (2.6) donde a es la distancia de separacién interinica y 6 y n son constantes; m varfa generalmente de 7.49, siendo 9 para NaCl. Sustituyendo las Ecuaciones 2.5 y 2.6 en la 2.4 se obtiene la fuerza neta entre el par idnico: (2.7) Problema Ejemplo 2.8 Catcular Ja fuerza de atraccién culombiana (e+ =e) entre un par de iones Na* y Ci” que acaban de ponerse en contacto. Considérese que el radio igaico del Na* es 0,095 nm y el del ion Cl” es 0,181 nm. Solucién: Z, = +i pareNa* Z, = —1 para Cl7 1,60 x 10799 eg = 885 x 107!? C24N - m2)32 FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES, Energias interiénicas Para un par de lones dg = suma de los radios de los iones Na* y CI~ a 0,095-nm + 0.181 nm 276 am x 10°? m/nm = 2.76 x 107° m Are gag, ection = = (41(-DU,60_ x 10°19 ©. 4x(885 x 107"? CYNm)]1G,76 x 107 mm? = +302 x 10-9 N 4 J.a fuerza de atraccién (o ) entre los iones resulta ser +3,02 x 107° N. La fuerza repulsiva (we oe) serd igual y de signo opuesto, seri por tanto —3,02 x 107-9 N. Problema Ejemplo 2.9 ] ‘Sila fuerza atractiva entre un par de iones Mg?" y del S?~ es 1,49 x 10-=N y siel ion S?~ tiene un radio de 0,184 nm, calcular un valor para el radio iénico del ion Mg?* en nandmetros. . Soluctén: El valor de ay como suma de tos radios idnico del Mg?* y del S?~ puede ser calculado mediante un reordenamiento de la ecuacién de la ley de Coulomb (2.5): ax [eee OV Sto Faaciva Z, = +2 para Mg?* 2, = —2 para S?~ lel = 1.60 x 10799 y = 885 x 107? C2/(N-m?) Fencivs = 1,49 x 1079 N Por tanto, tg = I(-2),60 x NN an(8, CHAN-m)](1,49 x 107® Np = 2,49 x 107? m= 0,249 om By = Tape + sie Por tanto, 0,249 om = rye + 0,184 nm Fuge = 0,065 nm’ € La energia potencial total E entre un par de iones de carga opuesta, por ejemplo Na* Cl, a los que se ies aproxima hasta estar muy juntos es igual a la suma de las energias asociadas con 1a atraccién y repulsién entre los iones, lo que puede escribirse conforme a la siguiente ecuacién Zizye* , b Exe = 28) anega a’ Energia de-- Energia de - atraccién —repulsidn Figura 2.12. Energla/ distancia de separacidn, para un par de iones de carga opuesta. En /a distancia interidnica de equilibrio, —-agr la energia potencial neta es minima. ESTRUCTURA ATOMICA Y ENLACE — 3 El término Energia de atraccién de la Ecuacién 2.8 representa la energia liberada cuand los iones se‘acercan y es negativa porque el producto de (+Z,) (—Z,) es negativo. Eftérmino de ire: ; tepulsiva dé 1a Ecuacién 2-8 tepresenta la énergia absorbida cuando lds iones s aproximan y es. positiva. La suma de las energias asociadas con la atracci6n y la repulsin de lo iones es igual a la energfa total, que es m{nima cuando Ia distancia de separacién entre los ione: es la distancia de equilibrio ag. La Figura 2.12 muestra ja relacién entre estas tres energias « indica la energfa m{nima E,,,,. En el minimo de energia a fuerza entre los iones es cero. ‘mtn? Problema Ejemplo 2.10 Calcular Ia energia poteneial neta de un par i6nico sencillo Na* Ci™ haciendo uso de Ia ecuacién _ +2,Z,¢ b Free = Axega +e y tomando como b el valor obtenido de La fuerza repulsiva calculada para et par iGnico Na* CI” enc problema ejemplo 2.8. Considere n = 9 para el NaCl. Satucién: a) Para determinar el valor de & para un par idnico NaC! utilizamos la ecuacién: ab Fe-ih (2. El valor de la fuerza repulsiva para un par de iones Na* Ci”, obtenido del Problema 2.8, ¢s — 3,02 x 107 N. Por tanto, : . =98 Q,16 x 107! my"? b = 859 x 107 N-m!o —3.02 x 109 N = Distancia interiénica a recatién Rsanién ayzr+R34 FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES: Disposicién de los iones en los sofidos iénicos by Para caleular Ja energia potencial det par iénico Na*Cl” operamos con la Ecuacién 2.8 +Z,Z.27 | b s Eo. = E+ mercy 4neoa a _ GE D(= 10,60 x 10779 CP * 4e[885 x 107'* C2AN-m2)} (2,76 x 107! m) 8.59 x 107126 N-m!? (2,16 x 10-1? m)® . = —834 x 10719 J* +092 x 1071 Je = = -742 x 107" I € + Hasta ahora la discusi6n hecha sobre el enlace idnico Jo ha sido para un par de jones. Ahora levaremos la discusidn hasta la formacién de sélidos idnicos tridimensionales. Debido a que los jones elementales tienen aproximadamente una distribucién de carga con simetria esférica, pue- den ser considerados esféricos con un radio caracterfstico. Las radios idnicos de algunos aniones y cationes clementales seleccionados estan reco gidos en la Tabla 2.5. Como se ha visto anterior- mente, los cationes elementales son mis pequefios que sus 4tomos y Jos aniones son mAs gran- des. Andlogamente al caso de los dtomos, los jones elementates, en general, aumentan en tamafio conforme lo hace su nimero cudntico principal (es decir, a medida que ej mimero de capas electrénicas aumenta. Cuando los ones se empaquetan juntos en un sdlido lo hacen sin una orientacién preferen- te, ya que las fuerzas de atraccién electrostatica de cargas simétricas es independiente de ta orientacidn de las cargas. El enlace iénico dene cardcter no direccional. Sin embargo, el empa- quetamiento de iones en un s6lido idnico esté gobernado por Ia disposicién geométricamente posible de los iones y la necesidad de mantener la neutralidad eléctrica del sélido. Disposicién geométrica de fos iones en un s6lido iénico. Los cristales idnicos pueden tener estructuras muy complejas. Nosotros sélo consideraremos Ja disposicién geométrica de los iones en dos estructuras iénicas sencillas: CsCl y NaCl. En el caso del CsCl ocho iones Cl” (r = 0,18b nm) se empaquetan en tomo a un ion central Cs* (r = 0,169 nm), como se muestra en la Figura 2.132. Sin embargo, en el NaC! sélo seis jones C1~ (r = 0,181 nm) pueden empaquetarse en tomo a un ion _ central Na* (r = 0,095 nm), como se muestra en ia Figura 2.130. Para el CsCl Ja relacién radio del cati6n al radio del anién es 0,169/0,181 = 0,934, mientras que para el NaCl es 0,095/0,181 = = 0,525. De forma qué, cuanto menor es la relacién radio de] catién al radio del anién menor ntimero de aniones rodean al catién central en este tipo de estructura. Las estructuras de los crista- jes idnicos sern discutidas con més detalle en el Capitulo 10 al hablar de Materiales Cerdmicos. Neutralidad eléctrica de sélidos i micos. Los iones en un cristal i6nico deben disponerse de modo que se mantenga una neutralidad dé carga local. Asf, en un cristal iénico tal como CaF,, el ordenamiento iénico vendr4 impuesto en parte por el hecho de que tiene que haber dos iones F~ por eada ion Ca?*. : Tabla 2.5. Radios idnicos de algunos elementos Radlo Radio ién Jenico (am) ten iénico (nm) ut 9,080 Fo 0,136 Na* 9.095 oo, ovat K 0,133 Br 0.195 Ro* 0,148 r 0216 Cs" 0,169 SO * Inmet) . Figura 2.13. Disposiciones de ampaquetamieno iertco en (a) CsCl y (b) NaCt. Ocho iones CI” se pueden empaquetar en tarno a un ion Cs*, pero sdlo seis ones Cl” ‘sa pueden empaquetar en torno aunt ion Na’. (Segin C. R. Barrett, W.D. Nix, yA. S. Tetelman, «The Principies of Engineering Materials», Prentice-Hall, 1973, pag. 27.) Energlas de enlace de sdlidos fénicos ESTRUCTURA ATOMICA ¥ ENLACE 3 Las energias reticulares y los puntos de fusién de sélidos con enlaces idnicos son relativamente altas, como se indica en la Tabla 2.6 que recoge las energias reticulares y los puntos de fusién de una seleccién de sdlidos iénicos. Asf como ‘e] tamafio del ion se incrementa conforme se avanza én un grupo en la tabla periddica, la energia reticular disminuye. Por ejemplo, ta energfa reticutar del LiCl es 829 K¥/mol (198 Keal/mol), mientras que la del CsCt es s6lo 649 Kifmol (155 Keal/mol). Larazén para esta disminucién de la energia reticular es que los clectrones de enlace en tos iones mis grandes se encuentran mas Jejos de la influencia atractiva de los nicleos positivos. Asimismo, la presencia de electrones de enlace multiple en un sélido iénico aumenta Ja energia reticular, como por ejemplo el MgO que tiene una energia reticular de 3,932 K3/mol (940 Keal/mol). 2.6. ENLACE COVALENTE Tabla 2.6. Un segundo tipo de enlace atémico primario es el enlace covalente. Mientras que el enlace iénico involucra 4tomos muy electropositives y electronegativos, el enlace covalente. se forma entre 4tomos con pequefias diferencias en electronegatividad y préximos en fa tabla periddica. En el enlace covalente los Atomos gencralmente comparten sus electrones extemos sy p con otros dtomos, de modo que cada ftomo alcanza la configuracién electrénica de gas noble, En un enlace covalente sencitlo cada uno de los 4tomos contribuye con un electrén para formar el par de electrones y las energ(as de ambos 4tomos enlazados covalentemente son menores (mayor estabilidad) como ‘consecuencia de la interaccién de los electrones. Mediante enlazamiento co- valente se pueden formar enlaces muiltiples entre tomos iguales 0 dtomos distintos. Energias raticulares y puntos de fusién de algunos sdlides idnicos + Energfas de enlace” ‘ Sélides Punto de iénices d/mol ‘keal/mol fusién, °C uci 829 198 613 NaCl 766 183 801 KCI 686 164 776 Abc! 670 160 715 CsCl 649 155 646 MgO 3932 940 2800 cal 3583 846 2580 S10 ast 791 2490 Bad © 3127 747 1923 Todos Jes valores san negatives para la formacion de anlage (69 Hers energia).36 © FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES Enlace covalente _ El caso mds sencillo de enlace covalente se da en la molécula de hidrégeno en la que dos dtomos en la molécula de hidrégeno enlace covatente, como se indica por la nota Enlace covalente en otras moléculas diatémicas Figura 2.14. Enlace covalente en fa motécula de hidrégeno, La mayor densidad de carga en la aube electrdnica se encuentra en la region de solapamiento entre Jos nicleas de los atomos. de hidrégeno contribuyen con sus clectrones 1s! 2 la formacién del par electrénico que forma el fo. punto-electrdn en Ja siguiente.reaccién: —. 1 Enlace covalente de un pat Been (Ode leeranes H- + H- Hee Atome de hidrégeno Atomode hidrégeno Motécuta de hidrdgeno Aunque [a notacién punto-electrén es titi Para representar el entace covalente, no considera la densidad de distribucién electrénica de los clectrones de valencia. En ta Figura 2.14 se muéstra cémo dos dtomos de hidrégeno forman ua par de electrones de enlace covalente con una aha densidad de la nube de carga electronica entre los dos micleos de los Atomos de hidrégeno. Al aproximarse los dos dtomos de hidrégeno para formar la molécula de hidr6geno, sus nubes de carga clectrénica interaccionan y se solapan, creéndose una alta probabilidad de encontrar a los electrones 1s! de los atomos entre los dos nuicleos en la molécula (Fig. 2.14). En el proceso de enlace de formacién de la molécula de hidrégeno, ta energia potencial de los dtomos de hidrége- no disminuye, como se indica en Ia Figura 2.15, y se libera energia. Para separar los Atomos de hidrégeno en la molécula de hidrégeno se requerird energia puesto que los étomos aislados estan en un estado energético més alto. También se forman enlaces covalentes por comparticién de electrones en otras moléculas diaté- micas tales como F,, O, y N>. En estos casos se comparten electrones p entre ios dtomos. Et dtomo de fhior con siete electrones externos (2572p5) puede alcanzar la configuracién de gas noble por comparticién de un electron 2p con otro dtome de fitior, como se muestra segtin la notacién punto-electron en la reaccidn de la Figura 2.16a. Andfogamente el Stomo de oxfgeno con sus seis electrones externos (2572p) puede alcanzar la configuracin electronica del gas noble nedn (2s?2p°) por comparticién de dos electrones 2p con otro Stomo de oxigeno para formar Ia molécula diatémica O, (Fig. 2.166). Asimismo, el nitrégeno con sus cinco electrones extemnos (2572p*) puede alcanzar la configuracidn electronica del gas noble nedn (2572p5) por comparticién de tres electrones 2p con otro dtomo de nitrégeno para formar la molécula diatémi- ca de nitedgeno (Fig. 2.16c). Las reacciones quimicas que involucran enlaces covalentes se escriben muchas veces usan- do la notacién punto-electrén para los enlaces covalentes, como se muestra en la Figura 2.16, Sin embargo, se utiliza més comttnmente la notacién de lineas cortas rectas para representar el Mokécula de Interaccién del enlace Enlace covatente por par de clectrones ESTRUCTURA ATOMICA Y ENLACE 37 Figura 2.15. Energia potencialdistancia de separacidn, para dos dtomos de hidrégeno. La distancia interiénica do equilibrio, a, se da para el minimo de energia potencial, Entace covalente para el carbono Figura 2.16. Enlace covatenta en moléculas da fldor (enlace sencillo}, ox/gena (enlace coble) y nitrégano (entace tripla). EI par efectrdnico da enlace covalente entre los dtamos sa muestra @ la derecha. segiin.la.noiacién punto-electrény a la-izquierda - — con notacida linea recta. Distancia de separacién a Enengia patencial, eV ° enlace covalente (Fig. 2.16). Nos encontraremos ambos tipos de notaciones en el Capitulo Tal hablar de materiales poliméricos. La Tabla 2.7 recoge enexgfas y longitudes de entace medias para algunos enlaces covalentes. Obsérvese que las mayores energias de enlace estan asociadas a los enlaces mtiltiples. Por ejemplo, el enlace sencitlo C—C tiene una energia de enlace de 370 KJ/mol (88 Kealmol), mientras que e! doble enlace C=C tiene una energfa de enlace mayor: 680 KJ/mol (162 Kcal/mol). . En el estudio de los materiales de ingenieria el carbono es muy importante puesto que es el elemento basico en muchos materiales poliméricos. La configuracién electrénica dei dtomo de carbono en su estado fundamental es 1s72s?2p”. Esta ordenacién elecurénica indicaria que el tomo de carbono podria formar dos enlaces covatentes con sus dos orbitales 2p semiocupados. Sin embargo, en muchos casos el carbone forma cuatro enlaces covalenes de igual fuerza. La explicacién para estos cuatco enlaces covalentes formados viene dada por el concepto de hibri- daciGa, segiin el cual en ef momento del enlace uno de Jos orbitales 2s es promovido a un orbital 2p para formar asf cuatro orbitales hibridos sp> equivalentes como se indica en el diagrama de orbitales de Ja Figura 2.17. Aun cuando en el proceso de hibridacién se necesita energia para promover el electr6n 2s al estado 2p, la energia necesaria para esta promacién queda compensa- da en exceso por la disminucién de energfa (se libera energfa) que acompafia al proceso de formacién del enlace. El carbono en 1a forma del diamante presenta enlace covalente tetzaédrico sp?, Los cuatro orbitales hibridos sp? estan dirigidos simétricamente hacia tos vértices de un tetraedro regular, como se muestra en la Figura 2,18. La estructura del diamante consiste ¢ . molécula masiva con enlaces covalentes tetraédricos sp?, como se muestra en la Figura 2.19. Esta estructura éxplica la extremiadamente alta dureza del diamante, su gran fuerza de enlace y. su elevada temperatura de fusién. El diamante tiene una energia de enlace de 71! KJ/mol (170 Keal/mol) y una temperatura de fusién de 3.550 °C. (a) 1b) {or38 FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES Tabla 2.7. Energias y tongitudes de enlace de algunos entaces covalentes eee Energia de eniace* Longitud de enlace, Entace keat/mal kJ/mot nm Se oc 88 370 co 162 680 “C=C 213 390 cH 104 438 CN 73 305 co 86 360 c=0 128 535 cr 108 450 c—a BI 340 O-H 119 500 0-0 82 220 Osi 30 375 N-O 60 250 NOH 103 430 FF 38 160 H-H 104 435 0,074 ——_— * Valores aproximados, puesto que la energia cambia con al entomo, Ta- dos los valores son negativos para la formacién de enlaces (¢e e/a energia). Fuente: LM, Van Viack, «Elements of Materials Sciences, 4." ed., Addison- ‘Wesley, 1980. Enlace covalente Los hidrocarburos son moléculus unidas covalentemente que conticnen sélo carbeno e hidrége- en moléculas _ no. El hidrocarburo més simple es el metano en el que el carbono forma cuatro enlaces covalen- que contienen tes tetraédricos con dtomos de hidrégeno, como se muestra en la Figura 2.20. La energia de carbono — enlace intramolecular del metano es relativamente alta: 1.650 KJ/mol (396 Keal/mol): sin ém- bargo, la energia de enlace intermolecular es muy baja: del orden de 8 KJ/mol (2 Keal/mol). Por tanto, las moléculas de metano estén débilmente unidas y tienen un punto de fusién muy bajo: —183 °C. La Figura 2.21 muestra férmulas estructurales y puntos de fusién para metano, etano y n-butano, que son hidrocarburos sencillos unidos covalentemente. Conforme aumenta el peso molecular de la molécula aumenta su punto de fusién. El carbono puede unirse también consigo mismo formando moléculas con dobles y triples enlaces como se indica en la Figura 2.22 que muestra formulas estructurales para el etileno y el acetileno. Los dobles y triples enlaces carbono-carbono son mas estables que los enlaces senci- Ylos carbono-carbono. Los enlaces miiltiples carbono-carbono en moléculas que contienen car- bono se denominan enlaces insaturados. . Bencerio Una estructura molecular importante para algunos materiales poliméricos es el benceno. La molécula de bencena tiene de composicién quimica C,H,, con los 4tomos de carbono formando un anillo hexagonal denominado a veces anillo bencénico (Fig. 2.23). Los seis 4tomos de hidré- Hibridacién ls 25 Desorbitates 2p Is Cuatro orbitales equivalentes sp* semiocupados _ Semigcupados Figura 2.17, Hibrida- cnosick ssposici cidn de onbitales en ef Disposiciéa en el Disposicién en carbone para fa estado fundamental hibridacién sp? formacion de enlaces covaientas sencitios. Figura 2.18. Un dtomo de carbono con cuatro orbitales equivalentes sp* ditigidos simétricamente hacia los vértices da un lettasdro. Et dnguto entre orbliales es de 1095. ESTRUCTURA ATOMICA Y ENLACE 39 geno del benceno estén unidos covatentemente mediante enlaces sencill i carbono del anillo, Sin embargo, el orden de enlace entre los 4tomos de Catena e complejo. La forma mds facil de satisfacer el requerimiento de cada dtomo de carbono de er cuatro enlaces covalentes €s asignar alternativamente entaces sencillos y dobles a Ios stomos de carbono en el propio anillo (Fig, 2.23a). Esta estructura puede representarse de forma mds senci- lla omitiendo los 4tomos de hidrégeno externos (Fig. 2.236), Esta formula estructural para el benceno seré la utilizada en este libro para mds claramente el orden de culace en el benceno Sin embargo, !os datos experimentales indican que en el benceno no existe un doble enlace carbono-carbono normalmente Teactivo y que los electrones de enlace dentro det anillo bencéni- co- estén deslocalizades formando una estructura de enlace global intermedia en reactividad quimica entre fa que muestran los enlaces carbono-carbono sencillos y los dobles (Fig. 2.23c). Asi, Ia mayoria de los libros quimicos representan la estruc i ono con ve cheulo incite Pn dase ictura de] benceno mediante un hexd- 2.7. ENLACE METALICO Figura 2.19. Enlaces covalentes tetraddricos sp? en is estructura de! diamante. Cada regidn sombreada representa un par elactrdnico de enlace covalente. Un tereer tipo de enlace atémico Primario es el enlace metélico, que se presenta en los metales s6lidos. En los metales en estado sélido, los dtomos estén empaquetados relativamente juntos en una ordenacién sistemética o estructura cristelina. Por ejemplo, Ia disposicién de los dtomos de40 FUNOAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES ESTRUCTURA ATOMICAYENLACE 44 Figura 2.20, La mofécula de metano, CH, contione cuatro enlaces covalentes tetraddricos sp. Cada tegién sombreada representa un par elecirénico de enlace covalente. vecins. Enel caso del cobre S6lido, cada tomo estd rodeado por 12 vecinos mds proximos. Los electrones de valencia no estan, por tanto, asociados exclusivamente a nticleo particular alguno ¥, asf, se extienden entre todos los dtomos en forma de una i j densidad, oney siege nube de carga electrénica de baja sin distorsionar completamente 1a estructura de enlace metdlico, 03 dtoros en un metal sdtido enlazan consigo mismos i ‘ ie or enlace metdlico para alcanzar un estado de mds baja energfa (mds estab te), Para el enlace metdlico no hay restricciones sobre pares proceso de enlace. Como en los casos de enlace iénico y covalente, el minimo de energia para un Par de dtomtos se alcanza cuando se llega a la distancia de separacién atémica de equitibrio, a, como muestra la Figura 2.25. La magnitud de Eq — Eq en ta Figura 2.25 es una medida de ta energia de enlace entre los dtomos de un metal en Particular, 0s niveles de energia de los cristales metdlicos multiatémi istit s Rive icos son distintos de los de los 4tomos individuales, Cuando los dtomos de metal se unen entre sf para formar un cristal metdli- £0, sus energias descienden pero a niveles soto Higeramente diferentes. Los electrones de valen- cia en un cristal metdtico forman por tanto una «banda» de energia. La teorfa de la banda de energia de los metales se tratard en la Seccién 5,2. ttf HE Figura 2.21, Formulas estructurates pata hidrocerburos con Metano Etano a-Butano enlaces cavalentes sencillcs. Observe que conform: P . je aumenti unto de peso molecular aumenta el punto de tucion, mena of soni sions Risién 183°C. fusiga= 172°C pion == 135 °C earbono-carbona. “f i H - ame = = Cm += =-H-C=C-H= = . ha Figura 2.22, Formulas estructurales para moléculas con eniaces covalentes mulltigles mee — fasion =-169.4°C —Fusién = -81.8 °C Las energfas de enlace y los puntos de fusién de los diferentes metales varian mucho. En general, a menor niimero de electrones de valencia por 4tomo implicados en el enlace metalico mayor es el caricter metdtico del enlace, Es decir, los electrones de valencia son mas libres para moverse. El enlace de mayor cardcter metalico se presenta en los metales alcalinos ya que justo con perder un solo electrén de enlace alcanzan la configuracién electronica de gas noble. Asi, las energias de enlace y los puntos de fusién de fos metales alcatinos son retativamente bajos. Por ejemplo, la energia de enlace para el sodio es de 108 KI/mot (25,9 Keal/mol) y para el potasio de 89,6 KJ/mol (21,4 Kea/mol). Los puntos de fusién del sodio (97,9 °C) y potasio (63,5 °C) son también relativamente bajos. Sin embargo, a medida que cl numero de electrones de enlace aumenta, las energias de enlace y los puntos de fusién de los metales también aumentan, como se indica en ta Tabla 2.8 para los metates del cuarto perfodo. El calcio, con sus dos electrones de valencia por dtomo, tiene sus electrones de enlace mas estrechamente unidos que el potasio siendo su energia de enlace, 177 K3/mol (42,2 Keal/mol), y su punto de fusién, 851 °C, considerablemente més altos que los del potasio. Con la ocupacidn del nivel 3d en los metales de transicidn del cuanto pe- tiodo, desde el escandio al niquel, las energias de enlace y los puntos de fusién de estas ele- Mentos se elevan mucho mis. Por ejemplo, el titanio tiene una energfa de enlace de 473 Ki/mot (113 Keal/mol) y un punto de fusidn de 1.812 °C. El aumento de las energfas de enlace y los puntos de fusi6n de los metales de transicién se atribuye al enlazamiento por hibridacién dsp que incluye una fraccién significativa de enlace covalente. Cuando las orbitales 34 y 4s estan Ilenos los electrones mas externos participan mas libremente en el enlace y tanto las energfas de enlace como los puntos de fusidn de los metales disminuyen de nuevo. Por ejemplo, e! cine con una configuracién electrénica 3¢*4s? tiene una energia de enlace relativamente baja, 131 KJ/mol G12 Keal/mol) y una temperatura de fusién de 419 °C. Figura 2.23. Reprasentaciones de la térmula estructural del benceno, molécula formada por enlaces covalentes. (a) Formula estructural usando la natacidn de enlace por linea recta, (b} Notacién simplificada sin dtomios de hidrégeno, (c} Dispasicién da enlace indicando la deslocalizacién de fas electrones de enlace carbono-cartono en el anillo bencénico. (Segin R. E. Davis, K. D. Gailey y KW. Whitten, «Principles of Chemistry», Saunders College Publishing, 1984, pag, 820.) (d) Nolacidn simplificada indicando indicando ef, enlace, deslocalizado.en.ef anilio. «Baa. 820.) (2) Rotacitn sing* Cores de jones positives Electrones de valencia en la forma de nubes de carga electronica (a) @ Figura 2.24. (a) Disposicién atémica en un cristal de cobre metal. Cada diomo de cobre esté Goordinado con otros 12 dtomos de cobre, dando fugar a una estructura cristalina Jlamadacibica centrada en las caras. Los atomos estan enlazados a través de un «gas de electrones» formado por los electronas de valencia deslocalizados. (b) Diagrama esqueméitico bidimensional de atomos enlazados metalicamente. Los circulas con signos positives en su interior representan nuicleos idnicos positivos y las nubes de carga en torno a 10s nicleos iénicos representan fos electrones de valencia dispersados. 2.8. ENLACE SECUNDARIO Figura 2.25, Ener- gfa/distancia de separacicn, para un par de dtomos matalicos. La distancia de equilibrio a, se aleanza cuando Ja energia potenciat neta es minima. Hasta ahora hemos considerado tnicamente el enlace primario entre dtomos y se ha demostrado que depende de la interaccién de sus clectrones de valencia. La fuerza impulsora para la forma- cién del enlace atémico primario es Ja disminucién de la energia de los electrones enlazados. Los enlaces secundarios son relativamente débiles en contraste con los enlaces primarios y tie- nen energias sdlo de 4 a 42 KI/mol (1 a 10 Keal/mol). La fuerza impulsora para la formacién de enlaces secundarios es la atraccién de los dipolos eléctricos contenidos en 4tomos o moléculas. Distancia interatomica a Par de dtomos metdlicos a, = 2R Tabla 2.8. Figura 2.26. (a) Un Gipolo eiéctrico. Ef momento dipolar es qd. (b) Un aipolo eléetrico en una molécula enlazada covalentemente. Observe la separacién entre fos centros de carga positiva y negativa. Energias de enlace, puntos de fusién y configuraciones electidnicas de fos metales del cuarto perfado de fa tabla periédica Energia de enlace Configuracién Punto de Elemento electrénica_—kd/rmol—keal/mol_fusién, °C K 4s! 89,6 214 63,5 ca 4s 177 + 422 851 Se Sd'4s* 342 82 1.397 Ti ad'4e 473 143 1812 v Bde BI5 123 1.730 cr Bd°4s! 398 95 4,903 Mn Bde 279 66,7 1.244 Fe Bde? 418 99.8 1.535 Co ad4s 383 914 1.490 Ni Sates? 423 101 1.435 Cu 3a'4s! 339 B14 1.083 2n 4s? 131 31,2 419 Ga 4s%4pt 272 65 29,8 Ge 4s'4 377 90 960 Un momento dipolar eléctrico se crea cuando dos cargas iguales opuestas se separan, como se muestra en la Figura 2.26a. Se crean dipolos eléctricos en dtomos o moléculas cuando existen centros de carga positiva y negativa (Fig. 2.26b). Los dipolos en étomos o moléculas crean momentos dipolares. Un momento dipolar se define como el valor de la carga multiplicado por Ia distancia de separacién entre Jas cargas positiva y negativa, o n= @d (2.9) doade # = momento dipolar q = magnitud de la carga eléctrica d = distancia de separacién entre los centros de las cargas. Los momentos dipolares en dtomos y moléculas sc miden en Culombios-metros (C+m) o en unidades de debyes, donde 1 debye = 3,34 x 107° C-m. Los dipolos eléctricos interaccionan entre sf mediante fuerzas electrostéticas (culombianas) y, asi, los 4tomos o moléculas que contienen dipolos son atraidas entre si por estas fuerzas, Aun cuando las energfas de enlace de Jos enlaces secundarios son débiles, se convierten en importan- tes cuando se trata de la nica forma de unién entre esos 4tomos o moléculas. En general, existen dos tipos principales de entaces secundarios entre 4tomos o moléculas que involucran dipolos eléctricos: los dipolos oscitantes y los dipolos permanentes. Estos enla~ ces dipolares secundarios se denominan a veces conjuntamente como enlaces (fuerzas) de van der Waals.44 FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES Dipolos oscilantes Dipotos permanentes Es posible que se desarrollen fuerzas de enlace secundarias muy débiles entre Stomos de elemen- tos de los gases nobles que tienen completa la capa electronica mas externa (5? helio y s*p4 para.Ne,.Ar, Kr: Xe-y-Rn):Estas-fuerzas de ciilace surgen debido a que Ia distribucién asimétrica de las cargas eléctricas de estos dtomos crean dipolos eléctricos, En'un instante dado hay una afta probabilidad de que haya mas carga eléctrica en un extremo del dtomo que en el otro (Fig. 2.27), Asi, en un dtomo en particular, la nube de carga eléctrica puede cambiar con el tiempo creando un «dipolo oscilante». Los dipotos oscilantes de dtomos cercanos pueden atraerse unos a otros Creando débiles enlaces interatémicos no direccionales, La licuefacién y solidificacién-de.tos bles.a bajas, temperaturas y alta presién se atribuye a tos de fusién y ebullicién de los gases nobles a presiéa atmosférica se mucstran en la Tabla 2.9. Obsérvese como al aumentar el radio atémico de los gases nobles se incrementan los puntos de fusiéa y de ebullicién debido a la formacién de enlaces més fuertes al tener tos elec- trones mayor libertad y crearse mayores momentos dipolares. Entre moléculas formadas por enlaces covatentes que contienen dipolos permanentes pueden establecerse fuerzas de enlaces débiles. Por ejemplo, ta molécula de metaro, CH,, con sus, cuatro enlaces C—H, dispuestos en una estructura tetraédrica (Fig. 2.20), tiene un momento dipolar debido a Ja disposicién simétrica de sus cuatro enlaces C—H. Debido a que la suma vectorial de sus cuatro momentos dipolares es cero. Por el contrario, la molécula de clorometa- no, CH,CI, tiene una disposicién asimétrica de sus tres enlaces C—H y de su enlace CCI resultando un momento dipolar neto para la molécula de 2,0 debyes. La sustitucién de un dtomo de hidrogeno en cl metano por un dtomo de cloro hace aumentar el punto de ebullicién del meiano de — 128 °C a 14 °C para el clorometano. El punto de ebullicién mas alto para el cloro- metano es debido a tas fuerzas de enlace entre los dipotos permanentes de las moléculas de clorometano. La Tabla 2.10 recoge los valores de tos momentos dipolares experimentales de al- gunos compuestos. E) enlace de hidrdgeno es un caso especial de interaccidn dipolo-dipolo en moléculas pola- res. El enlace de hidr6geno se produce cuando un enlace polar que contenga un dtomo de hidré- geno, O—H o N—H, interacciona con dtomos electronegativos: O, N, F o Cl. Por ejemplo, la molécula de agua tiene un momento dipolar permanente de 1,84 debyes, debido a su estructura asimétrica con sus dos dtomos de hidrégeno a un dngulo de [05° respecto a su dtomo de oxfgeno (Fig. 2.284). Las regiones de los Atomos de hidrdgeno de fa molécuta de agua tienen centros cargados Positivamente y, en oposiciéa, la Tegidn del 4tomo de oxfgeno tiene un centro cargado negativa- mente (Fig. 2.28¢). En el enlace de hidrégeno entre moléculas de agua la regién cargada negati- vamente de una molécula es atraida por fuerzas de Coulomb Por Ia region cargada positivamente de owa moiécula (Fig. 2.284). Figura 2.27. Distribucidn de la nube de carga electrinica en un dtomo 2 gas noble (a) Distnbucidn simdirica idealizada de la nubs de carga electronica, (b) Situacidn real con distribucicn asimética de la nube de carga electronica que cambia con el tiempo, creanda un dipolo.eléctrico_.. =. osciante. Tabla 2.9, ESTRUCTURA ATOMICA YENLACE 45 Puntos de tusicn y ebullicidn de fos gases nobles a presién - atmosférica’ por dipolos.oscilantes, _ Punto de ebullicién, °C Gas noble Punto de fusion, °C Helio —272,2 -268,9 Neén —248,7 ~245,9 Argon ~189,2 —185,7 Kriptén ~ 187.0 = 152.9 Xenon -112.0 = 107,1 Radon —71,0 -618 eee En el agua liquida o sélida se forman, entre las moléculas de agua, fuerzas dipolares perma- nentes (enlaces de hidrégeno) de cardcter relativamente fuerte. La energia asociada al enlace de hidrégeno es del orden de 29 KJ/mol (7 Keal/mol) en comparacién con los menores valores de energias de 2 a § KJ/mol (0,5 a 2 Keal/mol) debidas a las fuerzas dipolares oscilantes en los gases nobles. El excepcionalmente alto punto de ebullicién de] agua (100 °C) Para su masa molecular es atribuido al efecto det enlace de hidrégeno. El enlace de hidrégeno es también importante en el referzamiento de enlace entre cadenas moleculares de algunos tipos de materia- les poliméricos. ‘ 2.9. ENLACES MIXTOS Enlace mixto idnico-covalente Tabla 2.10. * — °=* Linus Cast Pauting (1901-). Quimico americano, pionero en el éstudio del Enlace quimico y cuyo trabajo condu El enlace quimico entre détomos o iones puede involucrar mds de un tipo de enlace primario y también enlaces dipolares secundarios. Para el enlace primario puede haber las siguientes com binaciones de tipos de enlaces mixtos: (1) inico-covalente, (2) metélico-covalente, (3) metdli- co-idnico y (4) iGnico-covalente-metilico. La mayoria de tas moléculas con enlaces covatentes poseen cierto cardcter idnico y viceversa. El cardcter iénico parcial de tos enlaces covalentes puede ser interpretado en términos de la escala de electronegatividades de la Figura 2,9, Cuanto mayor es Ja diferencia de electronegatividad de los elementos involucrados en un enlace mixto iénico-covalente, mayor es el grado del cardcter iénico del enlace. Pauling ® propuso ta siguiente ecuacién para determinar el porcentaje de ca- racter iénico de enlace en un compuesto AB: % cardcter i6nico = (1 — ef! -¥04 (100 %) (2.10) donde X, y Xz son las electronegatividades de los 4tomos A y B en el compuesto, Muchos compuestos semiconductores tienen enlace mixto idnico-covalente. Por ejemplo, GaAs es un compuesto 3-5 (el Ga estd en el grupo 3A y el As estd en el grupo SA de Ja tabla periédica) y ZnS es un compuesto 2-6. El grado de cardcter iénico en el enlace de estos com- puestos se incrementa conforme fo hace la diferencia de elecuonegatividades enure fos dtomos del compuesto. Asi, podemos esperar que un compuesto 2-6 tiene mayor cardcter iénico que un compuesto 3-5 porque Ia diferencia de electronegatividad es mayor en et compuesto 2-6, EI problema ejemplo 2.11 ilusura lo hasta aqui expuesto. Momentos dipolares experimentales de algunos compuestos (Debyes) la comprensiéa de los diversas tipos de entace. Recibio et Premio Nobel de Quimica en el aio 1995,46 FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES Figura 2.28. {a) Dipolo permanente de fa motécula de agua. (0) Enlace de hidrégeno entre moléculas de agua debido ala atraccién entre dipolos permanentes. Enlace mixto metdlico- covalente Enlace mixto metdlico-iénico Enlace de hidr6geno [ Problema Ejemplo 2.17 Calcular el porcentaje de cardcter iGnico de los compuestos semiconductores GaAs (3-5) y ZnSe (2-6) usando Ia ecuacién de Pauling % cardcter i6nico = (1 — &- ¥%4—%)(100 %) a) Para GaAs las electronegatividades segtin la Figura 2.9 son X4. = 18 y Xq, = 2.2. Asi, % cardcter idnico = (1 — ef ¥9¥1-8-2.229(100 %) = (1m ef 1° 9412)(100 &) = (1 = 0,96)(100%) = 4% b) Para ZnSe las electronegatividades segun la Figura 2.9 son X,, = 1,7 y Xs- = 2,5. Ast, % carécter idnico = (1 — ef VEM1-7-2-512)(100 %) = (1 = ef 48-0.892)(199 %) = (1 = 0,85)(100%) = 15% Observe cémo Ia diferencia de electronegatividades es mayor en ef compuesto 2-6 y es mayor también su % de cardcter i6nico. . El enlace mixto metélico-covalente se presenta frecuentemente. Por ejemplo, los metales de transicidn tienen enlaces mixtos metilico-covalente que involucran orbitales enlazantes dsp. Los elevados puntos de fusién de los metales de transici6n se atribuyen al enlace mixto metalico- covalente. En el grupo 4A de la tabla periédica hay una transici6n gradual | desde el enlace covalente puro en el carbono (diamante) a cierto cardécter metdlico en el silicio y germanio. Estaio y plomo tienen cardcter metélico. Hay una diferencia significativa de electronegatividad entre fos elementos que forman un compuesto intermetdlico, puede haber una cantidad significativa de transferencia elecrénica (enlace i6nico en el compuesto). Asi, algunos compuestos intermetdlicos son buenos ejemplos de enlace mixto me- talico-idnico. La transferencia electronica es especialmente importante para compuestos inter- metélicos tales como NaZn, , y de menos importancia para compuestos como AlyCo, y FesZn», al ser en estos dos Gltimos compuestos mucho menor la diferencia de electronegatividades.- gto agen menace RN em RESUMEN DEFINICIONES ESTRUCTURA ATOMICA Y ENLACE 47 Los 4tomos estén constituidos principalmente por tres particulas subatémicas bdsicas: protones, neutrones y electrones. Los electrones se representan como formando una nube electrénica de densidad variable en torne a un denso nticleo atémico que contiene la mayor parte de la masa del dtomo. Los electrones extemnos son los electrones de valencia, y es principalmente su comporta- miento el que determina la reactividad quimica de cada dtomo individual. Los electrones obedecen a las leyes de la mecdnica cudntica y en-consecuencia sus energfas estén cuantizadas. De forma que un electron sélo puede tener ciertos valores permitidos de energia, Si un electrén cambia su energia lo debe hacer a un nivel energético de los permitidos. Durante un cambio de energfa un electrén emite o absorbe un fotén de energfa conforme a la ecuacién de Plank AE = hv, donde ves la frecuencia de la radiacidn. Cada electrén estd asocia- do a cuatro niimeros cudnticos: el nimero cudntico principal n, el nimero cudntico secundario , el ntimero cudntico magnético m,, y el nimero cudntico de spin m,. De acuerdo con el principio de exclusién de Pauli dos electrones no pueden tener sus cuatro mimeros cudnticos iguales. Los electrones también obedecen al principio de incertidumbre de Heisenberg, que establece que es imposible determinar simultaneamente momento y posicidn de un electrén. Por tanto, la locali- zacién de los electrones en los dtomos tiene que ser considerada en términos de distribucién de densidades electrénicas. Hay dos tipos principales de enlaces atémicos: (1) enlaces primarios fuertes y (2) enlaces secundarios débiles. Los enlaces primarios pueden dividirse en enlaces (1) i6nico, (2) cavalente y (3) meidiico, y los enlaces secundarios pueden dividirse en (1) dipolos oscilantes y (2) dipolos permanentes. Los enlaces iénicas estin formados por transferencia de uno o més electrones de un Atomo electropositive a un 4tomo electronegativo. Los iones se mantienen unidos, mediante fuerzas elecirostaticas (coulombianas) no direccionales, formando un s6lido cristalino. El tamaiio de las iones (factor geométrico) y la neutralidad eléctrica son los factores principales que determinan la disposici6n de empaquetamiento de los iones. Los enlaces covalentes se formana través de la compartici6n de pares de electrones de orbitales semillenos. Cuanto mayor es el solapamiento de Jos orbitales de enlace, mayor es Ia fuerza del enlace. Los enlaces covalentes son direccionales. Los enlaces metdlicos sdto se dan entre 4tamos metilicos y son no direccionales. Los enlaces secundarios se forman por atraccién electrostatica entre los dipolos eléctricos que forman 4tomos 0 moléculas. En el enlace por dipolos oscilantes los dtomos se mantienen unidos debido a 3a distribucién de asimétrica de la carga electrénica en el propio dtomo. Estas fuerzas de enlace actiian en la licuacién y solidificacin de los gases nobles. Los enlaces por dipo- Jos permanentes son importantes en el enlace entre moléculas covalentes polares como por ejem- plo el agua y los hidrocarburos. El enlace por puentes de hidrégeno es un caso particular de enlace. Los enlaces mixtos se dan frecuentemente entre 4tomos y en moléculas, Por ejemplo, meta- les como titanio y hierro tienen enlaces mixtos metdlico-covalente; compuestos enlazados cova- fentemente como GaAs y ZnSe tienen un cierto porcentaje de cardcter iGnico; algunos compues- tos intermetdlicos tales como NaZn,, tienen una mezcla de cardcter iénico con cardcter covalente. En general, tiene lugar enlace entre dtomos o moléculas porque sus energfas se redu- cen en el proceso de enlace. Sec, 21 Atomo. Unidad bisica de un elemento que puede experimentar un cambio quimico. See, 2.2 Niémero‘atémice. Nimero de protones en el micleo de un dtomo de un elemento. Unidad de masa atémica (uma). Unidad de masa basada en Ja masa exacta de 12 para el ic Niimero de Avogadio. 6,023 x 107? dtamos/mol, niimero de 4tomos en una molécula gramo o mol de un elemento.48 FUNDAMENTOS DE LA CIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES. PROBLEMAS See. 2.3 Mecdnica cudntica,- Rama.de.ta fisica-en-la-que los sistemas.en.estudia pueden tener sélo valores discre- tos de energia pecmitidos que estin separados por regiones prohibidas. Estado fundamental, Estado cudntico de menor energfa. . Principio de incertidumbre de Heisenberg. Establece que es imposible determinar simultineamente con precisiOn la posicién y el momento de una particula pequefia como es el electrén. Fotén, Una particula de radiacién que Neva asociada una determinada frecuencia y longitud de onda. Ndmeros cudnticos. Conjunto de cuatro mimeros necesarios para caracterizar cada electrén en un dtomo. Estos son: ef némero cuntico principal n, el nimero cudatico secundaria f, el ndmero cudntico mag. nético my, y el niimero cudntico de spin mi, Principio de exclusién de Pauli, Establece que ningiin par de electrones pueden tener iguales los cuatro ndmeros cudnticos. Nivel electrénica-capa electrénica, Grupo de electrones con el mismo ntimero cusntico principal, Configuracién electrénica, Distribucién de todos los electrones en un atomo de acuerdo con sus orbitales atémicos. Orbital atémico. Regién del espacio en tomo al adcleo de un dtomo donde es mis probable encontrar a un electron con un conjunte dade de mimeros eudnticos. Un orbital atémico estd asociado también con un cierto nivel energético. Energia de ionizacién. Energfa requerida para separar un clectrén de un Stomo desde su estado funda- mental al infinite, See. 2.5 Anién. lon con carga negativa, Catién. Ton con carga positiva, Enlace (nico. Enlace primario resultante de ta atraccién stectrostética de iones con carga opuesta. Es un enlace no direccional. Un ejemplo de material con enlace iGnico es un cristal de NaC. Sec. 2.6 Enlace covalente. Enlace primario resultante de la comparticién de electrones. En la mayor parte de fos casos él enlace covalente involucra el solapamiento de orbitales semiacupados de dos dtomos, Es un enlace direccional. Un ejemplo de material con enlace covalente es el diamante, Orbital hfbrido, Orbital obtenido cuando dos o ms orbitales de un tomo se combinan. El proceso se denomina Aibridacién. See. 2.7 Electrones de valencia. Electrones de las capas mds externas que a menudo estén implicados en la formacién de enlaces, Enlace metillico, Enlace resultante de la comparticién de electrones externos deslacalizados en forma de nube de carga electrénica. Es un enlace no direccional. Un ejemplo de material con enlace metilico es el elemento sodio. See, 2.8 Enlace dipoto permanente. Enface secundario formado por atraccién de moléculas conteniendo dipotos pecmanentes. Entace de hidrégeno. Tipo especial de atraccién intermolecular entre dipolos permanentes que acurte entre un dtomo de hidrégeno enlazado con un elemento muy elecironegativo (F, O, No Cl) y otro dtomo de un elemento fuertemente electronegative. eCudl es fa masa en gramos de (a) un protén, (6) un neutrén y (c) un electrén? 2Cudl es Ia carga eléctrica en culombios de (a) un protén. (b) un neutron y (c) un electrén? Defina (a) nimero atémico, (4) unidad de masa atémica y (c) niimero de Avogadro. iCudl es la masa en gramos de an étomo-de- plata? ——— iCudntos dtomos hay en un gramo de plata? : 2.2.4. 2.2.8. 2.2.9, 2.2.10. 2211 2.2.5. 2.2.6. 2.2.7. 23.1. 2.3.2, 2.3.3. 2.3.4. 23.8. 23.9, ESTRUCTURA ATOMICA Y ENLACE 439 Unalambre de nique! dene 0,90 mm de didmetro y 10 cm de longitud. ;Cudntos Stomés contiene? La.densidad. del niquel.es-8,90 g/cm? —<—<— iCudt es ia masa en gramos de un dtomo de estaiio? iCudntds dtomos hay en un gramo de estafio? ‘Una soldadura contiene un 55% en peso de estafio y un 45 % en peso de plomo. ,Cudtes son los porcentajes at6micos de Sn y Pb en la soldadura? Tenemos una aleacién de 65% en peso de niquel y 35% en peso de cobre, ¢Cudles son los porcentajes atémicos de niquel y cobre en esia aleacién? ; Et lat6n estd formado por un 80 % en peso de cobre y un 20% en peso de cinc. {Cudles son los Porcentajes atémicos de cobre y cinc en la aleacién? {Cul es 1a férmuta quimica de un compuesto intermetdlico que esid formado por un 54,7% en peso de cobre y un 45,93 % en peso de alumi {Cul es la férmula quimica de un compuesto intermetélico que estd formado por un 45,3% en peso de magnesio y tn 54,7 % en peso de niquel? Defina un: fotén. . Catcule la energia en julios y electrén-voltios de un fotén cuya longitud de onda es 286.3 nm. Calcule 1a gnergia en julios y electr6n-voltios de un fotén cuya longitud de onda es 425,2 nm Un dtomo de hidrégeno se encuentra con su electrén en un esiado m = 5. El electron experiment una transicién al estado n = 3, Calcute (a) la energia del fotén emitido, (b) su frecuencia y (¢) su Tongitud de onda en nanémetros, . Un dtomo de hidrégeno sc encuentra con su electrén en un estado a = 6. El clectrén experimenta una transicién al estado n = 4. Calcule (a) la energfa del fotéa emitido, () su frecuencia y (c) su longitud de onda en nanémetros. ; En.un generador comercial de rayos X, metales estables tales como Cu oFese encuentran expues- tos a un haz de electrones de alta energia. Estos electrones producen ionizacién en dtomos del metal. Cuando tos dtomos del metal recuperan su nivel fundamental emiten rayos X de energia y longitud de onda caracteristica. Por ejemplo, un tomo de Fe que sufre el impacto de un haz de electrones de alta energia puede perder uno de sus electrones de ta capa K. Si tiene tugar una transicién 2p—+ {sen el Fe se emite una radiacién X Fe K,. Una ridiaci6n X Fe K, tiene una longitud de onda de 0,1937 nm, {Cul es su energia? ;Cudl es su frecuencia? , La mayorta de los modemos microscopios clectrénicos de barrido (SEM) estin equipados con detectores de rayos X de energia dispersa para determinaciones de andlisis quimico. Este andlisis por rayos X es una extensién natural de ta capacidad de los SEM debido a que tos electrones que se utilizan para formar fa imagen son también capaces de crear rayos X caracteristicos de la muestra. Cuando un chorro de electrones incide sobre la muestra se generam rayos X caracteristi- cos de los elementos de la misma. Estos pueden ser detectados y utilizados para deducir fa compo- siciGn de ta muestra conocidas las tongitudes de onda de rayos X caracteristicas de los elementos. Por ejemplo —>——_—_______ Lengitud de onda Elemento de rayos X, K, cr 0.2291 nm Mn 0,2103 nm Fa 0,1937 nm Co 0,1790 nm Ni 0,1659 nm Cu 0,1542 nm 20 0,1436 nm Supdngase que una aleacién metilica es analizada en un SEM y se detectan tres diferentes ener- gias-de rayos X: 5.911. 6.417 y 6.994 eV. ¢Qué elementos estén presentes en la muestra? {COmo se podria Hamar a tal aleacién? _ Describa el modelo de Bohr para el dtomo de hidrégeno, ;Cusles son [os principales defectos del modelo de Bohr? | ; 4Cual es la energia de ionizacidn ea ¢V para el electrén del dtomo de hidrégeno en su estado fundamental? Describa los cuatro némeros cudnticos de un electrén e indique sus valores permitidos. "Escriba la configuracidn electrénica de los sigdientes elementos usando la notacién spdf: (a) ytrio. {b) hafaio, (c) samario, (d) renio.2.3.12. 2.3.13. 2.3.14, 23.15. 2.3.16. 2.3.17, 2.4.4. 2.4.2, 2.4.3. 251. 2.5.2. 2.5.3. 2.5.4. 2.5.10. 2.6.1. 2.6.2. 2.6.3. 2.6.4, 2.6.5, 2. 7.2. 2.73. 27.4. 2.8.1. 2.8.2. 2.8.3. 2.8.4, 2.8.5, 2.8.6. 2.8.7, 2.8.8. 2.9.1. iCual es 1a configuracién electronica externa de todos los gases nobles, excepto el helio? De los gases nobles Ne, Ar, Kr y Xe, gcud} debiera ser mas reactive quimicamente? Defina el término de elecuonegatividad. {Cuiles son los cinco elementos mAs electropositivos conforme a la escala de electronegativi- dades? {Cudles son los cinco elementos més electronegativos conforme a la escala de electronegatividades? Escriba la configuraci6n electrénica de los siguientes iones usando la notaci6n spdf: (a) Cr**, Cr*, Cré* (&) Mo*, Mo**, Mo®* (c) Se**, Se®*, Se”. Describa brevemente Jos siguientes tipos de enlaces primarios: iénico, covalente y metdlico. Describa brevemente los siguientes tipos de enlaces secundarios: dipolo oscilante y dipolo perma- nente. En general, cpor qué se enlazan los 4tomos? Describa el proceso de enlace entre un par de 4tomos de Na y Cl. Qué electrones estin involucra- dos en el proceso de enlace? Como consecuencia de la ionizacién, ,por qué es mas pequefio el ion sadio que el 4tomo de odio? Como consecuencia de la ionizacién, zpor qué es mds grande el ion cloro que el dtomo de cloro? Calcule la fuerza de atraccién (@ #e) entre un par de iones de K* y C17 justo en contacto. Considere como valores de los correspondientes radios iénicos: K* (0,133 nm) y C1~ (0,18! am). Calcule 1a fuerza de atraccién (e+ =e) entre un par de iones de Ca?* y S?~ justo en contacto. Considere como valores de los correspondientes radios iénicos: Ca?* (0,106 nm) y S?” (0,184 nm). Calcule la energfa potencial neta para el par iénico K*C{~ usando el valor de la constant b calculado a partir del Problema 2.5.4. Tome para n el valor de 9.0. Calcule la energfa potencial neta para el par i6nico Ca?*S?~ usando el valor dé la constante & calcutado a partir del Problema 2.5.4. Tome para n el valor de 9,0. Calcule el radio idnico del ion F~ en nanémetros sabiendo que la fuerza atractiva entre un par de jones F~ y Na es de 4,439 x 107° N y que et radio idnico del Na* es de 0,095 am. Calcule el radio idnico de] ion Sr?* en nanémetros sabiendo que la fuerza atractiva entre un par de iones Sr?* y S?- es de 9,544 x 1079 N y que el radio iGnico del S*~ es de 0,184 nm. Describa los dos factores principales a tener en cuenta en e] empaquetamiento de jones en un cristal idnico, Describa el proceso de enlace covalente entre un par de dtomos de hidrégeno. {Qué energia actéa en la formacién de una molécula diatémica? Describa el enlace covalente por comparticién de electrones en tas siguientes moléculas diatémi- cas: (a) flor, (b) oxigeno y (c} nitégeno. Describa el proceso de hibridacién para la formacién de cuatro orbitales atémicos hibridos sp? en el carbono durante !a formacién de enlaces covalentes. Utilice diagramas de orbitales, Indique el auimero de dtomos que s¢ enlazan respectivamente a un dtomo de carbono con hibrida- ci6n sp, sp* y sp?. Dé para cada caso la disposicién geométrica de los étomos enlazados en la molécula. Por qué es el diamante un material duro? Describa el proceso de enlace metélico entre un agregado de dtomos de cobre. {Cémo explicarfa los altos valores de las conductividades eléctricas y térmicas de los metales a partir del «modelo de gas electrénico» del enlace metélico? ;Y la ductilidad de los metales? Et punto de fusién det potasio metal es de 63,5 °C, mientras que el del titanio es de 1.812 °C. Justifique esta gran diferencia entre sus temperaturas de fusién. {Existe correlaci6n entre las configuraciones electrdnicas de los elementos potasio (Z = 19) y cobre (Z = 29) y sus puntos de fusién (ver Tabla 2.8). Defina un momento dipolar eléctrice. Describa el enlace por dipolas oscilantes entre ios dtomos del gas noble neén. De entre los gases nobles kriptén y xendn, {de cual cabria esperar un enlace por dipolos mas fuerte y por qué? Describa el enlace por dipolos permanentes entre moléculas covalentes polares, E] tetracloruro de carbono (CC1,) tiene un momento dipolar cero. ;Qué puede decir acerca de la disposicién de los enlaces C—CI en esta molécula? Describa el enlace de hidrégeno. gEnire qué elementos puede darse? Deseriba el enlace de hidrégeno entre moléculas de agua. El metano (CH,) tiene una temperatura de cbullicién mucho menor que cl agua (H,0). Justifique- lo en términos del enlace intermolecular en cada uba de estas sustancias. Dibuje un tetraedro y haga un modelo del mismo en cartén de 2 centimetros de lado, Haga lo mismo para un octaedro. zCual es la ecuacién de Pauling que permite determinar ct porcentaje de carfcter idnico en un enlace mixto idnico-covalente? 2.9.2. 2.9.3. 2.9.4. EOINYUIUMAKIUMILA TENLAGE = On” Compare ef porcentaje de cardcter iénico para los siguientes compuestos semiconductores: ZnS y Gi Compare el porcentaje de cardcter iénico para los siguientes compuestos semiconductores: CdS y InAs. Establezca para los siguientes compuestos si ¢l enlace es esencialmente metélico, idnico, covalen- te, de Van der Waals o de hidrégeno: (a) Ni, (6) ZrO, (c) grafito, (d) Kr sélido, (e) Si, (f) BN, (2) SIC, (h) Fe,O,; (/) MgO, (A) W, (A) H,O dentro de la molécuta, (!) HO entre las moléculas. Para los compuestos en que haya implicados enlaces i6nicos y covalentes, calcular el porcentaje de , cardcter idnico en el compuesto.Estructuras y geometria cristalina 3.1. REDES ESPACIALES Y CELDILLAS UNIDAD La estructura fisica de los materiales de ingenierfa tiene gran importancia principalmente en cuanto a ta disposicién de los dtomos, iones o moléculas que constituyen el sétido y de las fuerzas de enlace entre ellos. Si los 4tomos 0 iones de un sélido estén ordenades segin una disposicién que se repite en fas tres dimensiones, forman un sdlido que se dice posee estructura cristalina y es referide como sdlido cristalino o material crisialino, Ejemplos de materiales cristalinos son los metales, tas aleaciones, y algunos materiales cerdémicos. La disposicién atémica en los s6lidos cristalinos se puede representar considerando a los ftomos como fos puntos de interseccién de una red de lineas en tres dimensiones. Esta red se denomina red espacial (Fig. 3.1a) y se puede describir como una disposicién de puntos tridimen- sional infinita, Cada punto de la red espacial tiene idéntico entorno. En un cristal ideal Ja agrupa- cién de puntos de la red en torno a todo punto dado es idéntica a Ja agrupacién en tomo a cualquier otro punto de la red cristalina, Asf, cada red espacial se puede describir especificando la disposicién de los dtomos en una celdilla imidad que se repite tal y como se muestra en la Figura 3.1. El tamaiie y forma de la celdilla unidad puede describirse mediante (res vectores a b y ¢, con origen en un vértice de la celdilla unidad (Fig. 3.14). Las longitudes axiales a, by cy los Angulos axiates a, B y y son las constantes reticulares de la celditla unidad. 3.2. SISTEMAS CRISTALINOS Y REDES DE BRAVAIS é Se pueden construir celdillas unidad de diferentes tipos, por asignacion de valores espe. : _ _... fas longitudes axiales y Angulos interaxiales. Los cristalégrafos han mostrado que s6| sorios siete sistemas cristalinos para describir todas las posibles redes. Estos sistem:Figura 3.1. (a) Reticula espacial de un sdtido cristalino ideal. (0) Celdifia unidad con indicacién de jas constantes reticulares. se identifican en la Tabla 3.1. A.J. Bravais’ mostré que catorce celdillas unidad estandar descri- bian todas Jas redes posibles. Estas redes de Bravais se muestran en Ja Figura 3.2. Hay cuatro tipos bdsicos de celdilla unidad: (1) simple, (2) centrada en el cuerpo, (3) centrada en las caras y (4) centrada en la base. En el sistema ctibico hay tes tipos de celdilla unidad: cibica simple, clibica centrada en el cuerpo y ctibica centrada en las caras. En el sistema ortorrémbico hay Jos cuatro tipos. En el sistema tetragonal hay slo dos: simple y centrada en el cuerpo. La cedilla unidad tetragonal centrada en las caras se puede formar a partir de cuatro celdillas unidad tetragonales centradas en et cuerpo. El sistema monoclinic tiene celdillas unidad simple y centrada en la base, y los sistemas romboédrico, hexagonal y triclinico tienen sdlo el tipo simple de celdilla unidad, 3.3. PRINCIPALES ESTRUCTURAS CAISTALINAS METALICAS En este capitulo se discuten con detalle Jas principales estructuras cristalinas de los metales . elementales. En el Capitulo 111 se tratan las principales estructuras cristalinas idnicas y covalen- tes que se presentan en los materiales cerdmicos. oo La mayor parte de Ios metales elementales (en torno al 90 %) cristalizan al solidificar en tres estructuras cristalinas de empaquetamiento compacto: cubica centrada en el cuerpo (BCC) (Fig. 3.3a), ctibica centrada en las caras (FCC) (Fig. 3.36) y hexagonal compacta {HCP) (Fig. 3.3c). La estructura HCP es una modificacién més densa de Ia estructura cristalina hexago- nal sencilla mostrada en ta Figura 3.2. La mayor parte de los metales cristalizan en esta estructu- 1a de denso empaquetamiento debido a que se libera energfa a medida que los étomos se aproxi- man y se enlazan fuertemente entre sf. Asf, las estructuras de empaquetamiento compacto corresponden a niveles de energia menores y més estables. Las celdillas unidad de tas principales estructuras cristalinas de los metales se muestran en Ja Figura 3.3, su tamajio es extremadamente pequefio. Asi, por ejemplo, Ja arista del cubo de la celdilla unidad del hierro cibico centrado en el cuerpo es igual a 0,287 x 107° m, 0 0,287 nm (nm)?, Por tanto, si las celdillas unidad del hierro puro estuvieran alineadas arista con arista, en 1 mun habria: 1 celda unidad Imm x 0537 am x 107® mm/nin = {3,48 x 10° celdas unidad! + August Bravais (1611-1863). Cristaldgrafo francés quien estableci6 las catoree distribuciones posibles de puntos en ef espacio. oo 2 1 nanémetro = 107? m. cra itegyeseneaschubraesman eb me ropieun EARNER EEN engeretttnen rem mane nraasrte as smpanmean Tabla 3.1, Estructura cristalina cibica centrada en el cuerpo (BCC) Clasificacidn de reticulos espaciales en sistemas cristalinos Sistema Longitudes axlales y Reth cristalino Sngulos interaxlales ‘eticulos espaciales Cilbico Ejes iguates en angulos rectos Cubico sencillo a=b=c¢azfeys 90” Cibico centrado en el cuerpo Cubico centrado en las caras Tetragonal Ejes en dngulos rectos, dos de | Tetragonal sencilla ellos iguales: Tetragonal centrado én el cuerpo. a=bs¢oanpry = 90° Ortorrémbico Ejes distintos en dngulos rectos | Ortorrémbico sencilla ag bd#6,a= $= 7 = 90° | Ortorrémbico cantrado en el cuerpo Ortorrémbico centrado en las bases Ortorrémbico centrado en las caras Romboédrico Ejes iguales, inclinados por igual a | Romboédrico sencilla begaafizype 90° Hexagonal Ejes igualas a 120° y a 90° con of | Hexagonal sencillo terceroa = bt ca =f = 90", y = 120° Monoclinico Ejes distintos, dos de ellos no for- | Monoclinico sencilio man angulo recto Monoctinico centrado en la base axbdbéAgcH y= 4K Triclinico Ejes distintos con distinta inclina- | Triclinico sencillo cién, y ninguno en dnguto recto axbeeadk pay 4 90° Vamos a examinar con detalle la disposicién de os dtomos en las celdillas unidad de las tres principales estructuras cristalinas. Como aproximacién consideraremos a los dtomos en estas estructuras como esferas rigidas. La distancia entre los 4tomos (distancia interatémica) en las estructuras cristalinas puede ser determinada experimentalmente por andlisis? de difrac- cién de rayos X. Por ejemplo, la distancia interatémica entre dos 4tomos de aluminto en una pieza de aluminio puro a 20 °C es de 0,2862 nm. Et radio del 4tomo de aluminio en el aluminio metal se toma como la mitad de Ia distancia interatémica, es decir, 0,143 nm. En las Tablas 3.2.4 3.4 se dan los valores de radios atémicos para algunos metales. Consideremos en primer lugar la disposicién de los 4tomos en la celdilla unidad para la estructu- ra cristalina BCC como se muestra en la Figura 3.4a. En esta representaci6n de la celdilla unidad, los puntos gruesos representan los centros donde Jos dtomos estan localizados e indican claramente sus posiciones relativas. Si representamos los dtomos en fa celdilla como esferas rigidas, la representaci6n de la celdilla corresponde a la mostrada en la Figura 3.46. Aqui, pode- mos observar que el tomo central est4 rodeado por ocho vecinos mids préximos: se dice que tiene un niimero de coordinacién ocho. Si aistamos una simple esfera rigida de la celdilla unidad, obtenemos el modelo mostrado en Ja Figura 3.4¢, Tenemos un equivalente de dos 4tomos por celdilla unidad. Un 4torme completo estd loca- lizado en el centro de la celdilla unidad. Un octavo de una esfera estd Jocalizado en cada vérti- ce de la celdilla, constituyendo el equivalente de otro dtomo. Asf, hay un total de t (cn ef cen- tro) + 8 x 1/8 (en los vértices) = 2 dtomos por celdilla unidad. Los dtomos en las celdillas BCC contactan entre sf a través de la diagonal del cubo, como se muestra en la Figura 3.5, de forma que la relacién entre la longitud del lado del cubo a y el radio atémico R es: . J/3a = 4R o bien B.D } Los principios del andlisis de difraccién de rayos X s¢ estudian en la Seccién 3.11,§6 = FUNDAMENTOS DE LA GIENCIA E INGENIERIA DE MATERIALES. ESTRUCTURAS Y GEOMETRIA CRISTALINA 57 Ortorrémbica Trictinien Figura 3.2. Las 14 celdiias unidad convencionales da Btavais agrupadas por sistemas cristalinos. Las esferas indican ‘puntos reticulares que cuands estén situados en las caras o en los vértices astdn companidos por otras celdillas unidad reticulares idénticas. (Segun W. G. Morffatt, G. W. Pearsall y J. Wulff, «The Structure and Properties of Materials», vol. I: «Structure», Wiley, 1964, pag. 47.} Problema Ejemplo 3.1 El hierro a 26 °C es'BCC com atomos de radio atémico 0:24 nm. Calcalar la constante de fed a 5 del cubo de Ia celdilla unidad del hierro. Tiado Figura 3.3. Celdillas unidad de las principales estructuras cristalinas metaticas {a) eubica centrada en e! cuerpo; (b) cubica centrada en las caras; (c) hexagonal compacta. Figura 3.4. Coditias unidad BCC: (a) de posiciones atémicas; (b).de.esteras rigidas; (¢) coldita unidad aisiada. Solucién: En la Figura 3.5 se ve que los dtomos en la celditla BCC contactan alo largo de las diagonales del cubo. Entonces, si a es la longitud del lado del cubo: /3a = 4R B.D donde R es el radio del dtomo de hierro. Entonces, 4R _ 4, a = SR, M0124 om) oo a64am 4 3B 3 Si los dtomos en la celdilla unidad BCC se consideran esféricos, se puede calcular el factor de empaquetamiento atémico (APF) a través de la ecuacién: Factor de empaquetamiento atémico (APF) = _ Volumen de dtomos en ta celdilla unidad 62) ~ volumen de Ia celdilla unidad ° Utilizando esta ecuacién, el APF para la celdilla unidad BCC (Fig. 3.32) es del 68% (ver Proble- ma Ejemplo 3.2). Asfes que el 68 % del volumen de la celdilla unidad BCC estd ocupado por los tomes y queda un 32% de espacio vacfo. La estructura cristalina BCC no es una estructura totalmente compacta ya que los dtomos atin podrian situarse mds juntos. Muchos metales tales como hierro, cromo, wolframio, molibdens y vanadio tienen estructura cristalina BCC a tempe- ratura ambiente. La Tabla 3.2 retine las constantes de red y los radios atémicos de algunos metales BCC.