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Difusión
Difusión
if ió ‐ Fenómeno de transporte de masa por movimiento
atómico
Mecanismos
• Gases y Líiquidos
Gases y Líiquidos – movimiento aleatorio (Browniano)
• Sólidos – difusión por vacancias o difusión intersticial.
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Difusión en sólidos
• Interdifusión o difusión de impurezas: Los átomos de un metal difunden en el otro.
g
Los átomos migran de las regiones
g j concentración.
de alta concentración a la de baja
Inicial Después de un tiempo
Perfiles de concentración
Perfiles de concentración Perfiles de concentración
Perfiles de concentración
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Autodifusión
• Autodifusión: En metales puros, los átomos del mismo tipo puede intercambiar
Posiciones. No puede observarse por cambios de composición.
A nivel atómico, la difusión consiste en la migración de los átomos de un sitio de la red a otro.
En los materiales sólidos, lo átomos están en continuo movimiento.
La movilidad atómica requiere 2 condiciones:
La movilidad atómica requiere 2 condiciones:
1) un lugar vecino vacío
2) el átomo debe tener suficiente enrgía como para rompere los enlaces con los
átomos vecinos y distorsionar la red durante el desplazamiento.
y p
A una temperatura determinada una pequeña fracción del número total de átomos es capaz
De difundir debido a la magnitud de su energía vibratoria. 4
Mecanismos de difusión
•Difusión por vacancias
•Difusión intersticial
Difusión por vacancias
• intercambio de un átomo de una posición reticular normal a una vacancia
o lugar reticular vecino vacío.
vacío
• applies to substitutional impurities atoms
• la tasa depende de:
--número
número de vacancias
--la energía de activación para el intercambio.
El movimiento de los átomos en la difusión va en sentido opuesto al de las vacancias.
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• Difusión intersticial –átomos que van desde una posición
intersticial a otra vecina desocupada.
• Tiene lugar por interdifusión de solutos que tiene átomos
pequeños
ñ (como
( H C N O)
H, C, N, O) .
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Procesos que usan difusión
Procesos que usan difusión
• Dopar silicio con fósforo para tener semiconductores tipo n
0 5 mm
0.5
2. Se calienta
3. Resultado: Regiones del light regions: Si atoms
Semiconductor dopadas
light
g regions:
g Al atoms
silicon
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Cuantificación
• Cómo cuantificamos la tasa de difusión?
moles (or mass) diffusing mol kg
J Flux or
surface area time cm s m2s
2
• Mediciones
M di i empíricas
íi
– Hacer una película delgada (membrana) con área superficial conocida
– Imponer un gradiente de concentración
– Medir qué tan rápido los átomos o moléculas se dufunden a través de
la membrana.
M=
Flujo
l M l dM mass J slope
J diffused
At A dt
time
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Difusión en estado estacionario
Condición de estado estacionario: el flujo de difusión no cambia con el tiempo
dC
C2 C2 J D
dx
x1 x2
x D coeficiente de difusión [m2/s]
dC C C2 C1
si es lineal
dx x x2 x1 La dirección de difusión es contraria
Al
Al gradiente de concentración:
di t d t ió
Va de alta a baja concentración
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Ejemplo: Guantes protectores contra
químicos
• El
El cloruro
l d
de metileno
il es un ingrediente
i di común
ú para remover
pintura. Además de ser irritante, puede absorberse por la piel.
Cuando se utiliza este removedor de pintura
p se deben usar
guantes protecores.
• Si se utilizan guantes de caucho butílico (0.04 cm de espesor),
cuál
ál es el flujo
l fl j de difusión
d dif ió del cloruro
d l l d
de metileno
il a través
é del
d l
guante?
• Datos:
– Coeficiente de difusión en caucho butílico:
D = 110x10‐8 cm2/s
– Concentraciones en superficies: C1 = 0.44 g/cm3
C2 = 0.02 g/cm3
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Ejemplo
j p ((cont).
)
• Solución – asumiendo un gradiente de concentración lineal
guante
C1 dC C2 C1
tb
2 J -D D
Removedor 6D dx x2 x1
piel
de pintura
C2 Datos: D = 110 x 10-8 cm2/s
x1 x2 C1 = 0.44 g/cm3
C2 = 0.02 g/cm3
x2 – x1 = 0.04
0 04 cm
-8 2 g/cm3 0.44 g
(0.02 g g/cm3 ) g
J (110 x 10 cm /s)
/ ) 1.16 x 10 -5
(0.04 cm) cm2s
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Difusión y temperatura
Qd
D Do exp
RT
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Difusión y temperatura
D depende exponencialmente de T
1500
1000
600
300
T(C)
0-8
10
10-20
05
0.5 10
1.0 15
1.5 1000 K/T
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Example: At 300ºC the diffusion coefficient and activation energy for Cu in
Si are
D(300ºC) = 7.8 x 10-11 m2/s
Qd = 41.5 kJ/mol
D transform data ln D
Temp = T 1/T
Qd1 Qd 1
lnD2 lnD0 and lnD1 lnD0
R T2 R T1
D2 Qd 1 1
lnD2 lnD1 ln
D1 R T2 T1
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Example (cont )
Example (cont.)
Qd 1 1
D2 D1 exp
R T2 T1
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Difusión en estado
en estado no estacionario
no estacionario
• La concentración
a co ce t ac ó dede las
as espec
especies
es que se
se difunden
d u de es función
u có
tanto de la posición como del tiempo C=C(x,t)
En condiciones no estacionarias utilizamos la ecuación con derivadas parciales:
Si el coeficiente de difusión es independiente de la composición, la ec. anterior
se simplifica a:
i lifi
C 2C
D 2 Segunda ley de Fick
t x
Las soluciones a esta ecuación se consiguen especificando condiciones límites
Físicamente significativas. 18
Consideraciones para la solución
p
• En la práctica, una solución importante es la de un sólido semiinfinito cuya
concentración superficial se mantiene constante.
• Frecuentemente la substancia que difunde es un gas, cuya presión parcial
se mantiene constante.
• Se plantean las siguientes hipótesis:
1. Antes de la difusión, todos los átomos de soluto están uniformemente
distribuidos en el sólido a concentración C0.
2. El valor de x en la superficie es cero y aumenta con la distancia dentro del
sólido.
3. El tiempo se toma igual a cero en el intante inmediatamente antes de
empezar la difusión.
Estas condiciones límite son:
Para t=0, C= C0 a 0 x
para t>0, C= Cs (la concentración superficial constante) x=0
C= C
C a x=
C0 a x
Aplicando las condiciones iniciales, se obtiene la solución:
C x , t Co x
1 erff
Cs Co 2 Dt
Solución:
Solución:
C x , t Co x
1 erf
Cs Co 2 Dt
C(x,t) = Conc. En el punto
C(x t) = Conc En el punto x al
al CS
tiempo t
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• Cobre difundiéndose hacia una barra de aluminio.
Conc. superficial
Cs de átomos de bar
Conc. p
pre-existente Co de átomos de cobre
Cu
Cu.
Cs
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C x , t Co x
1 erf
Cs Co 2 Dt
• Cuando se desea conseguir una concentración determinada de soluto C
d d ó d d d l 1,
el primer miembro de la ec. se convierte en:
• En esta condición, el segundo miembro de la ec es una constante:
Perfil de concentración
Para difusión en estado no
Estacionario.
Estacionario
Valores de la función error
Valores de la función error
Ejemplo
j p
• Para algunas aplicaciones tecnológicas es más conveniente
endurecer la superficie del acero que el interior. Un camino
para conseguir este fin es incrementar la concentración de
carbono de la superficie en un proceso llamado
carburación. La muestra de acero se expone a elevada
p
temperatura, en una atmósfera rica en un hidrocarburo
gaseoso, tal como el metano (CH4).
• Se trata a 450ºC un aleación con una concentración inicial
Se trata a 450ºC un aleación con una concentración inicial
uniforme de 0.25% en peso de carbono. Si la concentración
del carbono de la superficie se lleva y se mantiene a 1.2% ,
¿ á t ti
¿cuánto tiempo se necesita para conseguir un contenido
it i t id
del 0.80% a 0.5 mm de profundidad? El coeficiente de
difusión del carbono en el hierro a esta temperatura es de
1.6x10‐11
11 m2/s. Se supone que la muestra es semiinfinita.
/
Solución
• Problema de difusión en estado no estacionario.
• Co=0.25% C
• Cs=1.2% C
• C 0 80%
Cx=0.80%
• X=0.5 mm= 5x10‐4 m
• D=1 6x10 11 m2/s
D=1.6x10‐11 m2/s
• Así:
Así:
Debemos encontrar el valor de z para el cual la función error es de 0.4210. Para ello hacemos
una interpolación usando los datos de la tabla:
• Entonces
• Despejando t:
Ejemplo 2
j p
• Los coeficientes de difusión del cobre y del aluminio a 500 y 600ºC son
4 8 10‐14
4.8x10 14 y 5.3x10
5 3 10‐13
13 m2/s, respectivamente. Determine el tiempo
/ ti t D t i l ti
aproximado necesario para conseguir a 500ºC la misma difusión del Cu en
Al en un punto determinado, que un tratamiento de 10 h a 600ºC.
Usamos la ec.
La composición de ambas difusiones es igual en la misma posición (x)
Entonces
Dt = constante a ambas temperaturas
(Dt)500=(Dt)600
Ejemplo 3
Ejemplo 3
• Los dispositivos como transistores se fabrican dopando
semiconductores con diversos dopantes para generar regiones que
semiconductores con diversos dopantes para generar regiones que
tengan semiconductividad tipo p o tipo n. El coeficiente de difusión
del fósforo (P) en el Si es D=6.5x10‐13 cm2/s a 1100ºC. Suponga que
la fuente proporciona una concentración superficial de 1020 átomos
la fuente proporciona una concentración superficial de 10 átomos
/cm3 y que el tiempo de difusión es una hora. Suponga que para
empezar, la oblea de silicio no contiene P.
A) Calcule la profundidad a la cual la concentración de P será 1018
• A) Calcule la profundidad a la cual la concentración de P será 10
átomos/cm3.
• B)¿Qué sucederá con el perfil de concentración al enfriar la oblea
de Si con contenido de P?
de Si con contenido de P?
• C) ¿Qué sucederá si ahora se debe recalentar la oblea para
difundirle boro y crear una región tipo p?
Factores involucrados en la difusión
Factores involucrados en la difusión
• Especies que se difunden
i dif d
– La magnitud del coef. De difusión D es indicativo
de la tasa a la cual los átomos se difunden.
– Las especies que se difunden al igual que el
material base influencian el coef. De difusión.
• Temperatura
p
– Influencia profunda en el coeficiente de difusión y
la tasa de difusión (D puede aumentar 6 órdenes
( p
de magnitud al aumetar la T de 500 a 900ºC en la
difusión de Fe en ‐Fe)
Resumen
Difusión MÁS RÁPIDA para... Difusión MÁS LENTA para...
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