Le transistor bipolaire

Présentation générale
• Transistor bipolaire : élément actif à 3 accès (Base (B),
Collecteur (C), Emetteur (E)) constitué de 3 couches semi-
conductrices NPN et PNP.
Transistor NPN
C C
IC > 0
IC > 0
IB > 0 N IB > 0
B P VCE > 0 B VCE > 0
N
VBE > 0 IE > 0
VBE > 0
E E
Transistor PNP
C C
IC < 0
IC < 0
IB < 0 P IB < 0
B N VCE < 0 B VCE < 0
P
VBE < 0 IE < 0
VBE < 0
E E
Les tensions de polarisation (VBE et VCE) et les courants (IB et IC) sont des grandeurs
continues données avec leurs signes respectifs (>0 ou <0) pour un fonctionnement normal
Fonctionnement du transistor – Effet amplificateur de courant

• Cas du transistor NPN

N - P - N
+ +
E - + C

L’émetteur (E) est fortement dopé. Son rôle est d’injecter des électrons
dans la base.

La base (B) est faiblement dopée et très mince. Elle transmet au

collecteur la plupart des électrons venant de l’émetteur.

Le collecteur (C) recueille les électrons qui lui viennent de la base d’où
son nom.
Fonctionnement du transistor – Effet amplificateur de courant

• Cas du transistor NPN

B

N - P - N
+ +
E - + C

Jonction Jonction
émetteur collecteur

Jonction émetteur polarisée en directe pour créer un champ externe

opposé au champ interne .
Si , les électrons majoritaires au niveau de l’émetteur peuvent passer dans la
base. La base est faiblement dopée et très mince donc très peu d’électrons se
recombinent avec des trous. Le courant de base est très faible.

Jonction collecteur polarisée en inverse - Le champ externe est

dans le même sens que le champ interne .
Les électrons qui n’ont pas été recombinés avec les trous au niveau de la base peuvent
passer dans le collecteur
Polarisation du transistor NPN

Polarisation base commune

VBE > 0 B VCB > 0

N P N

E C

Polarisation émetteur commun

VBE > 0 B

N P N Avec VCE > VBE

car VCB = VCE – VBE > 0
E C

VCE > 0
Relations fondamentales – Les courants

Effet amplificateur de courant

1
Réseau des caractéristiques statiques du transistor

Le transistor comporte trois accès il est caractérisé par 6 grandeurs électriques :

3 courants IB, IC et IE
3 tensions VBE, VCE, VCB
Mais et
4 relations indépendantes sont nécessaires pour le caractériser

IB = cste
VCE = cste
IC

IB

VCE

VCE = cste
VBE
Polarisation du transistor – Droites de charge statiques

Objectif de la polarisation : Fixer les valeurs des tensions VBE, VCE et des
courants IB, IC pour imposer la localisation des points de fonctionnement
dans le réseau
E>0

RC
RB
IC Exemple : polarisation directe de la base et
IB
du collecteur par deux résistances RB et RC
VCE

VBE IE

Droite de charge statique de sortie ∆ :

tracé dans le réseau de caractéristique statique IC = f(VCE)

Droite de charge statique d’entrée ∆’ :

tracé dans le réseau de caractéristique statique IB = f(VBE)
Polarisation du transistor – Point de fonctionnement

Le point de fonctionnement Q dans le réseau d’entrée IB = g(VBE) est

situé à l’intersection de la droite de charge ∆’ et de la caractéristique
Le point de fonctionnement P dans le réseau de sortie IC = f(VCE) est
situé à l’intersection de la droite de charge ∆ et d’une caractéristique IB =
cste

IC
E/RC

IC0 P
IB0

Droite de charge
IB E/RB statique de sortie ∆
IB0
VCE0 E VCE

Q
VBE0

VBE
Droite de charge
statique d’entrée ∆’
Transistor bloqué – transistor saturé

Point de saturation VCE = VCEsat

IC
E/RC IC ≈ E/RC

IC0 P
IB0

Point de blocage IB ≈ 0
IC ≈ 0

VCE0 E VCE
VCEsat

La partie de la droite de charge statique située entre les points de

blocage et de saturation définit la zone active
!"#$ % % &# '(# !

Au point de saturation, le transistor idéal est équivalent à un

interrupteur fermé
Au point de blocage, le transistor idéal est équivalent à un
interrupteur ouvert
Autres exemples de circuits de polarisation
E>0 E>0
RC
R1 RC
RB

R2
RE

Diviseur de courant Contre-réaction au collecteur

RC

VCC

RB
RE VEE

Polarisation d’émetteur
Amplificateur élémentaire à transistor bipolaire

• Montage émetteur commun

Lorsque le transistor est polarisé dans la région active, une tension alternative
peut lui être appliquée de la jonction émetteur pour produire des fluctuations du
courant de collecteur
Les accès d’entrée et de sortie sont 1 et 2
Les capacités C1 et C2 sont des capacités de découplage

E>0

RC
RB
C C2 2
1 C1

B RL
E
Rg
Analyse du circuit : application du théorème de
superposition

• Etude en statique (en régime continu)

La source sinusoïdale est court-circuitée

Les capacités de découplage présentent une impédance infinie

Schéma électrique en continu

E>0

RC
RB Les circuits de polarisations fixent les
IC
valeurs des tensions VBE, VCE et des courants
IB
VCE
IB, IC (voir étude précédente)

VBE IE
 Analyse du circuit : application du théorème de
superposition

• Etude dynamique (en régime sinusoïdal)

La source continue est court-circuitée

Les capacités de découplage présentent une impédance nulle à la
fréquence de fonctionnement

Schéma électrique en régime sinusoïdal

iC i2
C
i1
vCE
B RC RL
+, +-
) *+ /
E
Rg
, . +-
RB
Analyse du circuit : tension composite de sortie

• La tension de sortie est donc un signal composite, somme de la

composante continue 0 et de la composante alternative )
1 ) 0

• La droite de charge dynamique ∆’’ est la droite passant par le point

2
de fonctionnement P dans le réseau (IC , VCE) et de pente + 33 +
, -
+, . +-
* +, +-

IC
∆’’ : droite de charge dynamique
E/RC

IC0 P
IB0

∆ : droite de charge statique

VCE0 E VCE
 Zone de fonctionnement de l’amplificateur

IC IC
∆’’ : droite de charge dynamique ∆’’ : droite de charge dynamique

IC0 P
IB0 IC0 P
IB0

VCE0 VCE VCE0 VCE

vCE vCE

t t
Fonctionnement non linéaire Fonctionnement linéaire
Signal écrêté
Schéma électrique sinusoïdal basses fréquences du
transistor en fonctionnement linéaire

• Le transistor peut être considéré comme un quadripôle

iC
iB iC

iB
vCE vBE vCE

vBE

• Pour des raisons liées à la mesure, le quadripôle est décrit en utilisant

les paramètres hybrides

5 677 678 5 9 9
4
5 9 5 9
avec
687 688 5

Ces grandeurs représentent de petites variations autour du point de fonctionnement

Détermination graphique des paramètres hij
autour du point de fonctionnement
IC
E/RC

IC0 P
IB0

∆
IB E/RB IB0
VCE0 E VCE
∆’
Q
VBE0

VBE

;<=> ;<=>
:22 @ = @ résistance différentielle de la diode d’entrée = pente
;?= ;< ;?= <
-> A0 ->B
de la caractéristique IB = f(VBE)
;<=> ;<=>
:2C @ = @ gain en tension ≈ 0
;<-> ;? A0 ;<-> ?
= =B
;?- ;?-
:C2 @ = @ gain en courant = pente de la caractéristique IC = g(IB)
;?= ;< ;?= <
-> A0 ->B
;?- ;?-
:CC @ = @ admittance = pente de la caractéristique IC = h(VCE)
;<-> ;? A0 ;<-> ?
= =B
Schéma électrique équivalent alternatif BF

• Schéma équivalent général

iB h11 iC

vBE h12 vCE h21 iB 1 / h22 v

CE

• Schéma équivalent simplifié

2
:2C 0 et ρ →∞
FGG

iB iC

vBE h21 iB
h11 vCE
!
 Caractéristiques électriques de l’amplificateur
en fonctionnement alternatif
iC i2
C
i1 iB B

RC RL Gain en tension GV
E
L
J *K
Rg
v2
677
vBE vCE
v1
L
RB

Gain en courant GI

J *K
Schéma électrique de 677 L
l’amplificateur
Résistance d’entrée Re
i1 iB
B C
iC i2 677
677
Rg RB

v1 vBE h11 β iB v2 Résistance de sortie Rs

RL
vCE R &
C
E
Gains en puissance d’un quadripôle

• Définitions

Zg
i1(t) i2(t)

eg(t) v1(t) Quadripôle v2(t) ZL

Gain en puissance
7 ∗
N 8 8 P' &&# " Q!'( à # "6#($
JM * 8
7 ∗ P' &&# " (# S# & T'#S( Mô
N 7 7
8

Gain transducique
7 ∗
N 8 8 P' &&# " Q!'( à # "6#($
JV * 8
8 P' &&# " S &M! S # &!'("
$
W $
référence
Transistor bipolaire en hautes fréquences (HF)
– Schéma de GIACOLLETO
• Quand f β et apparition d’un déphasage entre les courants
d’entrée et de sortie
introduction de capacités parasites dans le schéma équivalent
car ces dernières ne peuvent plus être assimilées à des circuits
ouverts
CB’C

B iB RBB’ RB’C iC C
B’

vBE RB’E gm vB’E RCE vCE

vB’E
CB’E

B’ est une base fictive interne au transistor

Remarque : Les constructeurs ne donnent jamais les valeurs de ces
éléments
Fin