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DISEÑO Y SIMULACIÓN DE
MICROELECTRODOS EN TECNOLOGÍA CMOS
PARA APLICACIONES DIELECTROFORÉTICAS

Article · August 1997

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4 authors, including:

Flavio Humberto Fernández Morales Jose Maria Lopez Villegas


Universidad Pedagógica y Tecnológica de Col… University of Barcelona
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DISEÑO Y SIMULACIÓN DE MICROELECTRODOS EN TECNOLOGÍA CMOS PARA
APLICACIONES DIELECTROFORÉTICAS

F. H. Férnandez Morales*, J. E. Duarte*, J. M. López-Villegas y J. Samitier i Martí.


Universitat de Barcelona
Departament de Física Aplicada i Electrónica
Tel: ++-34-3-4021147, Fax: ++-34-3-4021148
E-Mail: flavio@europa.fae.ub.es
*Profesores de la Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia, Sede Duitama, Boyacá, Colombia
Doctorandos U.B.

1. RESUMEN: La dielectroforésis es un fenómeno que en los últimos años ha tenido un gran auge en
aplicaciones de biotecnología y biomedicina ya que gracias a los avances en las técnicas de fabricación
microelectrónica, es posible diseñar y construir estructuras que permiten el estudio de partículas en los rangos de
micras y submicras. El objetivo del presente trabajo es establecer la distribución del potencial y del campo
eléctrico sobre un arreglo de electrodos interdigitados y determinar el efecto de la variación de la permitividad
relativa del líquido y del espesor de la capa de silicio en la intensidad del campo sobre los electrodos. Ésta
información será útil en el proceso de optimización de las estructuras seleccionadas, así como en el diseño de los
experimentos. Los cálculos se realizaron a través del programa de análisis por elementos finitos ANSYS,
desarrollando un modelo bidimensional.

2. INTRODUCCIÓN: El fenómeno de dielectroforésis (DEP) definido como el movimiento de materia causado


por los efectos de la polarización en un campo eléctrico no uniforme [1], ha sido la base de una gran cantidad de
aplicaciones como por ejemplo: Remoción de partículas sólidas en una solución polimérica [1], bombeo de
líquidos no conductores y medición de propiedades dieléctricas de materiales [2].
Gracias a los espectaculares avances en las técnicas de fabricación microelectrónica, la DEP en todas sus
variantes ha sido utilizada en aplicaciones de biotecnología y biomedicina entre las cuales cabe destacar:
Caracterización de partículas artificiales y biopartículas de diferentes tipos [3,4], dispositivos de fusión celular
[5], separación de partículas sobre la base de la polarizabilidad diferencial, recolección de partículas, creación de
superficies blindadas por campo eléctrico que permiten el cultivo de células sin ningún tipo de contacto con los
electrodos requeridos para su manipulación y manipulación de partículas en términos de movimiento lineal,
posicionamiento, levitación y confinamiento en jaulas de campo [6].
En los últimos años el empleo del fenómeno dielectroforético como principio básico de actuación ha tenido un
auge bastante grande en la manipulación y caracterización de partículas cuyo diámetro típicamente está entre 14
nm y 70 µm. Gracias al reducido tamaño de las partículas que se pueden estudiar y a sus características, ésta
técnica se emplea con biopartículas bajo condiciones que de otra forma serían imposibles de lograr. La
manipulación de partículas individuales requiere de herramientas con igual o menor tamaño que el de las
partículas mismas.

Fig. 1. Vista parcial de los microelectrodos interdigitados Fig. 2. Esquema de la estructura dielectroforética
fabricados en el Centro Nacional de Microelectrónica simulada por el método de elementos finitos.
(España)..
3. MODELADO Y SIMULACIÓN: La fuerza translacional dielectroforética neta actuante sobre un cuerpo
pequeño eléctricamente neutro dentro de un campo eléctrico no uniforme en aproximación de dipolo [2], está
dada por:
F = 1 α v∇ E
2
(1)
2
Donde α es la polarizabilidad de la partícula por unidad de volumen, v es su volumen, ∇ es el operador vectorial
gradiente y E es la intensidad de campo eléctrico que afecta a la partícula.
En una situación experimental los valores de los parámetros v y α son constantes, lo cual indica que la fuerza
dielectroforética depende principalmente del gradiente del cuadrado de la intensidad del campo eléctrico. Como
paso previo a la evaluación del citado gradiente, en el presente trabajo se ha hecho una simulación estática del
campo eléctrico que permite establecer las regiones de mayor interés para un estudio más detallado. Además
éstos datos también permiten determinar las condiciones de equilibrio del sistema, antes de establecer su
comportamiento dinámico.
Los electrodos interdigitados bajo análisis (ver figura 1), tienen conductores con un ancho y una separación entre
ellos de 5 µm, espesor de 1 µm y longitud de 390 µm.
Desafortunadamente y salvo algunas configuraciones de electrodos simétricos especiales, no hay expresiones
analíticas disponibles para calcular los campos y las fuerzas generadas por las estructuras utilizadas, por lo tanto
se hace necesario el empleo de procedimientos numéricos. Los cálculos se efectuaron empleando el programa
ANSYS, a través de un modelo bidimensional.
El modelo se estableció considerando un corte transversal de la estructura (ver figura 2), con lo cual se asume que
los conductores del interdigitado tienen una longitud infinita. Dicha simplificación es válida ya que la longitud de
los electrodos es mucho mayor que su ancho. Además como la estructura es periódica y la fase de las tensiones
aplicadas se repite cada dos conductores, solo es necesario incluir dos electrodos vecinos.
El modelo así planteado permite calcular la distribución bidimensional (plano x-z) del potencial y del campo
eléctrico en el centro del canal dielectroforético que es el sitio donde interesa caracterizar el comportamiento de
las partículas.

Fig. 3. Distribución de potencial. Fig. 4. Distribución del campo eléctrico.

Como se observa en las figuras 3 y 4, las mayores intensidades e inhomogeneidades, tanto del campo como del
potencial, se presentan en las regiones próximas a la superficie de los electrodos con un máximo en los bordes y
un mínimo en el centro Esto hará que las partículas sean atraídas hacia una u otra región por la DEP positiva o
negativa según las relaciones de permitividades relativas y conductividades entre las partículas y el medio.
Se logra una mejor comprensión de la distribución del campo al efectuar cortes a diferentes alturas sobre los
electrodos, ver figuras 5 y 6. En ellas se observa que tanto las inhomogeneidades como la magnitud de la
intensidad del campo se reducen a medida que el punto de observación se aleja de los electrodos en la dirección z.
La figura 7 indica que el campo en el medio varía en forma exponencial decreciente a medida que se aumenta su
permitividad relativa. Por eso será recomendable trabajar con líquidos cuyas permitividades relativas sean lo más
bajas posibles, para que la intensidad del campo eléctrico dentro del medio se mantenga en valores adecuados, ya
que allí es el sitio donde se presenta la interacción campo - partícula.
La figura 8 muestra la variación del campo eléctrico en el medio contra el espesor de la capa de silicio que hay
depositada sobre los electrodos, y muestra que la intensidad del campo es decreciente a medida que dicho espesor
aumenta. Esto indica que para lograr valores elevados de campo eléctrico en el medio será necesario reducir al
mínimo el espesor de la capa de silicio.
Fig. 5. Campo eléctrico en y= 1 µm. Fig. 6. Campo eléctrico en y= 5.5 µm.

Fig. 7. E en el centro del canal DEP vs. εm.


Fig. 8. E en el centro del canal vs. espesor del Si.

4. CONCLUSIONES:

1. En arreglos de microelectrodos planares para aplicaciones DEP los valores máximos de potencial e intensidad
del campo eléctrico se presentan en regiones próximas a las superficie de los electrodos.
2. Las mayores inhomogeneidades del campo eléctrico también ocurren cerca a los electrodos, lo cual hace
necesario que las partículas y el líquido estén lo más cerca posible a ellos para que el fenómeno dielectroforético
tenga mayor eficiencia.
3. Es recomendable trabajar con líquidos cuya permitividad relativa sea baja, de modo que la intensidad del
campo eléctrico en el medio presente un mayor valor.
4. Es necesario reducir el espesor de la capa de silicio que se deposita sobre los electrodos, para que la intensidad
del campo eléctrico en el medio sea lo más alta posible. Esto es perfectamente factible empleando las técnicas de
ataque del silicio.

5. BIBLIOGRAFÍA

1. Pohl H. A.. 1951. The motion and precipitation of suspendoids in divergent electric fields. J. of Appl. Phys.
22, 869 - 871.
2. Pohl H. A.. 1958. Some effects of nonuniform fields on dielectrics. J. Appl. Phys. 29, 1182 - 1188.
3. Price J. A. R., Burt J. P. H. y Pethig R.. 1988. Applications of a new optical technique for measuring the
dielectrophoretic behaviour of micro-organisms. Biochimica et Biophysica Acta 964, 221 - 230.
4. Quinn C. M., Archer G. P., Betts W. B. y O'Neill J. G.. 1996. Dose-dependent dielectrophoretic response of
Cryptosporodium oocysts treated whit ozone. Letters in Applied Microbiology 22, 224 - 228.
5. Lee S-W, Choi J-H. y Kim Y-K.. 1995. Design of a biological cell fusion device. Transducers'95 - Eurosensors
IX. 377 - 380.
6. Fuhr G., Müller T., Schnelle T., Hagedorn R., Voigt A. y Fiedler S.. 1994. Radio-frequency microtools for
particle and living cell manipulation. Naturwissenschaften 81, 528 - 535.

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