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FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO
EN POWER POINT
2015
ARTURO TALLEDO
FACULTAD DE CIENCIAS
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

CRISTALOGRAFÍA
Primer capítulo de curso

FC UNI
Agosto 2013_2
Lima, Perú
ARTURO TALLEDO
Doctor en Física
Introducción
• Sólidos cristalinos (ordenados) y sólidos
amorfos (desordenados)
• Lo que actualmente se conoce como FES es
básicamente la física de los cristales o sólidos
cristalinos. La Física de sólidos amorfos se
explica en base a los conceptos de la Física de
cristales.
• Los cristales son una disposición periódica de
átomos en el espacio real tridimensional
(longitudes).
CRISTAL = RED + BASE
Un sólido cristalino se puede describir
definiendo un conjunto ordenado de
puntos y asignando a cada punto un
conjunto de (1,2, 3...n) átomos en
posiciones bien definidas
Definición de red cristalina
Conjunto de puntos descrito por tres vectores linealmente

independientes y todo el conjunto de ternas de enteros Z3

RED  P / P  n1 a 1  n 2 a 2 
 n 3 a 3 ; n1 , n 2 , n 3  
donde a1 , a 2 , a3 son vectores

linealmente independientes
Vectores Primitivos y celdas primitivas
• Se dice que una terna de vectores L.I es una
terna de vectores primitivos si junto con el
conjunto Z define dicha red cristalina.
• El paralepípedo definido por la terna
primitiva se llama celda primitiva
• La terna primitiva no es única
• Todas las celdas primitivas tienen el mismo
volumen
Red cristalina y vectores
primitivos
a2
a1
La terna (dupla) primitiva no es única
u2
u1
a2
a1
c2
b1 b2 c1
d2
d1
Diferentes celdas primitivas de una red. Todas
tienen igual área (volumen)
a2
a1
c2
b1 b2 c1
d2
d1
CLASIFICACIÓN DE LAS REDES
CRISTALINAS
• Se clasifican por sus propiedades de

simetría
• Hay 5 tipos de redes bidimensionales
• Hay 14 tipos de redes 3D (redes de Bravais)

CELDA UNITARIA
• Cada tipo de red cristalina se identifica con
una celda convencional o celda unitaria, no
necesariamente celda primitiva.
• Los tres vectores l.i. que definen la celda

unitaria se llaman ejes cristalinos o
vectores convencionales.
Redes Bidimensionales
• Oblicua
• Rectangular
• Rectangular centrada
• Cuadrada
• Hexagonal
Redes de Bravais 3D (1)
Cúbico
Hexagonal
Trigonal
Vectores primitivos y ejes cristalinos
en una red sc
Ejes cristalinos
a=ai
b=aj c
c=ak
Vectores Primitivos b
a
a1 = a
a2 = b
a3 = c
en una red bcc
• Ejes cristalinos
• a=ai a2
• b=aj c
a3
• c=ak
• Vectores Primitivos
b
• a1 = 1/2 a (i + j - k) a
a1
• a2 = 1/2 a (- i + j + k)
• a3 = 1/2 a (i - j + k)
en una red bcc
• a=ai
• b=aj
• c=ak
• a1 = a’ = 1/2 a (i + j - k)
• a2 = b’ = 1/2 a (- i + j + k)
• a3 = c’ = 1/2 a (i - j + k)
en una red fcc
• a=ai
• b=aj a3 c
a2
• c=ak
• Vectores Primitivos b
• a1 = 1/2 a (i + j) a
a1
• a2 = 1/2 a ( j + k)
• a3 = 1/2 a ( k + i)
en una red fcc
• a=ai
• b=aj
• c=ak
• a1 = a’ = 1/2 a (i + j)
• a2 = b’ = 1/2 a ( j + k)
• a3 = c’ = 1/2 a ( k + i)
Ejercicio
• Demostrar que el volumen de una celda
primitiva de una red bcc es la mitad del
volumen de la correspondiente celda
unitaria
• Demostrar que el volumen de una celda
primitiva de una red fcc es un cuarto del
volumen de la correspondiente celda
unitaria
El volumen de una celda primitiva es la cuarta
parte de una celda unitaria fcc
El volumen de una celda primitiva es la mitad
de una celda unitaria bcc
PLANOS CRISTALINOS
Un plano cristalino puede ser definido por:
• Tres puntos no colineales de una red

cristalina
• los vectores que van de uno de los puntos a
los otros dos.
• la normal al plano
• En FES se usa una convención especial para
designar a los planos: Los índices de Miller
Índices de Miller
• Desde cualquier punto de la
red no contenido en el plano
se trazan los ejes cristalinos.
• Se observan las
intersecciones del plano con
los ejes cristalinos.
• Se invierten los coeficientes
• Se multiplican por el entero
que los convierte en la terna
de enteros más pequeña,
(hkl) , en esa proporción
Índices de Miller
El entero por el que hay que multiplicar a los interceptos
invertidos para obtener los índices de Miller es 1 si se
toma origen en el plano paralelo vecino inmediato
O 2b y
O' b y
a
(1/2) a
X
Algunos planos cristalinos de redes
cúbicas
Familias de planos paralelos
• Dado un plano cristalino (hkl) por cualquier punto
de la red se puede trazar un plano paralelo.
• Un cristal puede considerarse como la
superposición de una familia de planos paralelos
(cualquier punto de un cristal está contenido en
una familia de planos)
• Planos equivalentes por operaciones de simetría
{hkl}
Algunos planos en redes cúbicas
ALGUNOS ÍNDICES DE MILLER
VÁLIDOS
• Cúbico simple
• (100), (110), (111), (120), (121), (221), (130)
• BCC
• (110), (200), (121),
• (h+k+l) = entero par
• FCC
• (111), (200), (220)
• (hkl) todos pares o todos impares
Distancia interplanar en redes
ortorrómbicas
d d
cos   cos  h
xa a
d
cos  
d cos   k z
yb b plano (hkl)
d d
cos   cos  l d
zc c y
1
d  2 2 2 x
h k   l 
     
a b c
a
d  , para redes cúbicas
2 2 2
h k l
Estructuras cristalinas
(sc monoatómica)
• Cristal = Red + base
• Red: cúbico simple

• base: un átomo
• en origen (cualquier
punto de red)
• Polonio
(bcc monoatómica)

• Red: bcc
• base: un átomo
punto de red)
• Li, Na, K, Rb, Cs, Ba,
Ta, W, Nb, Mo, Fe, Eu
(fcc monoatómica)
• Red: fcc
• base: un átomo
punto de red)
• Ca, Sr, Ni, Cu, Al, Ag,
Au, Pd, Pt, Ir, Ne, Ar,
Kr, Xe, Pb
Estructuras cristalinas (CsCl)
• Red: cúbico simple
• base: dos átomos
• Cs en origen (cualquier
punto de red)
• Cl en (1/2, 1/2, 1/2)a
• TlBr, TlI, CuPd,
CuZn (bronce beta),
AgMg, LiHg, AlNi, BeCu
Estructuras cristalinas (CsCl)
Perovskita
Estructuras Cristalinas (NaCl)
• Red: fcc
• Cl en origen (cualquier
punto de red)
• Na en (1/2, 0, 0)a
• LiH, NaCl, KCl, PbS,
AgBr, MgO, MnO, KBr.
Estructuras cristalinas (diamante)
• Red: fcc
• C en origen (cualquier
punto de red)
• C en (1/4, 1/4, 1/4)a
• C, Si, Ge, estaño gris.
Estructuras cristalinas (diamante)
Estructuras cristalinas (Blenda, ZnS)
• Red: fcc
• Zn en origen (cualquier
punto de red)
• S en (1/4, 1/4, 1/4)a
• ZnS, ZnSe, CuF, CuCl,
AgI.
Estructuras cristalinas (Blenda, ZnS)
Estructuras cristalinas (hexagonal
compacta)
• Red: Hexagonal
simple
• Uno en origen (cualquier
punto de red)
• otro en (2/3) a + 1/3 b + (1/2) c
• He, Be, Mg, Tl, Zn, Cd,
Co,Y.
DISTANCIA ENTRE VECINOS MÁS CERCANOS
SC 6 a
BCC 8 3 a/2
FCC 12 2 a/2
HCP 12 ¿?
DIAMANTE 4 3 a/4
Factor de empaquetamiento de una
estructura fcc monoatómica
a 2  4R a
R
4 R 3
4( )
f  3
a3
 2
f 
6
f  0,74
Encontrar la relación c/a en una
estructura hcp ideal
h 
2
a
3 c/2
3 2
2 2
a
 a  c
a2    
 3 4
h
8
c  a
3
a
CELDA WIGNER SEITZ
• Desde cualquier punto de la

red
• Se trazan segmentos a los
puntos vecinos más
cercanos, segundos más
cercanos, y así...
• Se bisecan dichos
segmentos con planos
perpendiculares.
• La celda WS es el sólido
más pequeño formado por
las intersecciones de los
planos.
Construcción de una celda WS
Una red cristalina como una
superposición de celdas WS
(Hay una celda WS por punto de red)
Celda Wigner Seitz
Celda Wigner-Seitz de una red cuadrada
Celda Wigner-Seitz de una red cúbica
cuerpo centrado (octaedro truncado)
Celda Wigner-Seitz de una red cúbica
cara centrada (dodecaedro regular)
Imperfecciones de un cristal
• Efectos de superficie
• Impurezas
• Vacancias
• fracturas
OPERACIONES DE SIMETRÍA DE
REDES CRISTALINAS
• Operaciones de simetría de un objeto son aquellas que lo
dejan invariante.
• Cualquier rotación respecto a un eje que pasa por su centro
es una operación de simetría de una esfera.
• Una operación de simetría de una red cristalina es
cualquier traslación de una red cristalina por un vector:
T  n1 a 1  n 2 a 2  n 3 a3
• Otras operaciones de simetría son la inversión, reflexiones

y rotaciones 2  / n ; n = 1, 2, 3, 4, 6.
TEORÍA DE GRUPOS
• Grupo es un conjunto con una operación
(producto) que :
• es cerrado
• es asociativo
• hay un elemento identidad
• hay un elemento inverso para cada elemento
• conmutativo = abeliano
Operaciones de simetría de un
triángulo equilátero
• E, identidad
• A, B, C, rotaciones de 180 1
respecto a los ejes A, B y C,
respectivamente
• D, rotación de 120 en sentido
B
horario respecto a eje C
perpendicular por el centro del
triángulo
• F, rotación de 120 en sentido
antihorario respecto a eje 2 3
perpendicular por el cenro del
triángulo A
Tabla de multiplicación del triángulo
equilátero
E A B C D F
E E A B C D F
A A E F D C B
B B D E F A C
C C F D E B A
D D B C A F E
F F C A B E D
Operaciones de simetría de un tetraedro
regular ( T )
c
• Identidad
• C2x, C2y, C2z

a
d
• 8 rotaciones de 120
(C3) alrededor de las
diagonales de un cubo.
b
Algunos grupos de simetría
REDES CRISTALINAS Y GRUPOS DE SIMETRÍA
Sistema Celda unitaria Grupos Número de

operaciones de
simetría
Triclínico abc C1 , 1
  S2 (Ci) 2
Monoclínico abc C1h 2
   /2   C2 2
C2h 4
Ortorrómbico abc C2v 4
       /2 D2 (V) 4
D2h ( Vh) 8
Tetragonal abc C4 4
 S4 4
    C4h 8
2
D2d 8
C4v 8
D4 8
D4h 16
Romboedral abc C3 3
2  S6 6
    
3 2 C3v 6
D3 6
D3d 12
Hexagonal abc C3h 6
 2 C6 6
  ,  
2 3 C6h 12
D3h 12
C6v 12
D6 12
D6h 24
Cúbico abc T 12
 Th 24
   
2 Td 24
O 24
Oh 48
Redes imposibles
(Simetría de orden5 )
Un eje de simetría de orden 5 es incompatible con el concepto
de red. Considere que T es el vector de
traslación de longitud más pequeño
T´
T´´
Nótese que T`+ T`` es de

menor longitud que T
Redes imposibles
(Simetría de orden 7 o mayor)
Un eje de simetría de orden n, donde n es 7 o mayor que 7, es
incompatible con el concepto de red.
Supongamos que T es el vector de traslación
Más pequeño.
T´
T  T`  2 T Sen ( /n)  T , si n  7
Ejercicio: Estructura cristalina del grafito
altura c/2
altura c y 0
12 atomos por celda unitaria o celda primitiva

A1 : (0,0,0)
A2: 1/3 a +1/3 b
A3: 2/3 a +2/3 b +1/2 c
A4: (0,0,c/2)
esfera negra altura c/2

esfera roja altura 0 y c 4 átomos por celda unitaria
RED RECÍPROCA
Segundo capítulo de curso
FC UNI
SETIEMBRE 2013
Lima Perú
ARTURO TALLEDO
Doctor en Física
RED RECÍPROCA
DEFINICIÓN
La red recíproca de la red cristalina definida por a1, a2, a3 es el conjunto de puntos en
el espacio recíproco (L-1  L-1  L-1)
RR  g / g  h1 A1  h 2 A2  h3 A3 ; h1 , h 2 , h3  Z 
donde a su vez los vectores A1, A2 y A3 se definen como:
a 2  a3
A1  2 
.
a1 a 2  a 3
a 3  a1
A2  2 
.
a1 a 2  a 3
a1  a 2
A3  2 
.
a1 a 2  a 3
RED RECÍPROCA
PROPIEDAD 1
El volumen (  ) de una celda primitiva de una red

recíproca está dado por
8 3
 
V
donde V es el volumen de la celda primitiva de la red
directa.
Efectivamente:
8 π3
Λ  (a2  a3)  (a3  a1)  (a1  a2)
V3
8 π3
Λ  (a 2  a3)  a3  (a1  a 2) a1 a1  (a1  a 2)a3 
V 3
RED RECÍPROCA
PROPIEDAD 2
El producto escalar de un vector R de la red directa

por un vector g de la red recíproca es un múltiplo
entero de 2  .
Efectivamente:
R  g  n1a1  n 2 a2  n3 a3   (h1A1  h 2 A2  h3 A3 )
R  g  2  (h1 n1  h 2 n 2  h3 n3 )
Observar que :
Ai  a j  2 π  ij
RED RECÍPROCA DE UNA RED
CÚBICO SIMPLE
k
k
a 2
a
a j 2
a
2 j
a
a1  a  a i a j a k 2
A1  2  3
 i
a a
a2  b  a j A2  2 
a k  a i 2
a 3

a
j
a i  a j 2
A3  2   k
a3  c  a k a 3 a
La red recíproca
2
A
2
i B
a
j C
2
k de una directa sc
a a
es una sc
RED RECÍPROCA DE UNA RED FCC
4
a
 a   a
k a   ( j  k )     k  i 
 2  2
A1  2
a3 a2  a3 
j
 
a1  4
i
2
A1  i  j - k 
a
1
a1  a  b 
2
1
a 2  b  c 
2 A 1  A B-C
1
a 3  c  a 
2
2 2 2
A i B j C k
a a a
RED RECÍPROCA DE UNA RED FCC
4
4
a
a
A2
k a
A3
a3 a2 j
a1
i
A1
1 A1  A  B - C
a1  a  b 
2
1
a 2  b  c  A 2   A  B  C
2
1
a 3  c  a  A 3  A  B  C
2
2
La red recíproca
2
A i B
2
j
C
a
k de una directa fcc
a a
es una bcc
RED RECÍPROCA DE UNA RED BCC
4
a
a2
a3
a1
a a
   i  j  k     i  j  k 
2 2
A1  2  
a3
2
1
a1  a  b  c 2
2 A1  i  j 
1
a 2   a  b  c  a
2
1
a 3   a - b  c A1  AB
2
2 2 2
A i B j C k
a a a
RED RECÍPROCA DE UNA RED BCC
4
a 4
a2 a
a3
a1
1 A1  A  B 
a1  a  b  c
2
1
a 2   a  b  c 
A 2   B  C
2
1
a 3   a - b  c A 3   C  A
2
La red recíproca
2
A
2
i B
a
j C
2
k de una directa bcc
a a
es una fcc
ALGUNOS VECTORES EN RED
RECÍPROCA DE UNA RED DIRECTA
BCC
k 4
a g3
g4 g6
g1
g2 g5
i
g1  A  C  (1,0,1)
g 2  2A  (2,0,0)
g 3  2B  2C  (0,2,2)
g 4  2 A  2B  2C  (2,2,2)
g 5  A  3B  (1,3,0)
g 6  2A  4 B  2 C   (2,4,2)
ALGUNOS VECTORES EN RED
RECÍPROCA DE UNA RED DIRECTA
FCC
4π
a
k
g5
g1 g4
j
g2
i g3 g6
g1  A  B  C  (1,1,1)
g 2  2A  (2,0,0)
g 3  2A  2B  (2,2,0)
g 4  2 A  2B  2C  (2,2,2)
g 5  2A  4B  2C  (2,4,2)
g 6  2A  4 B  (2,4,0)
RED RECÍPROCA DE UNA RED
RECTANGULAR
22 π π
j i
ba A=
b
a2
B =2 π j
b
a
2π
A= a
i
a1  a  a i
b j c k 2
A1  2   i
a2  b  b j a bc a
a3  c  c k A2  2 
cka i

2
j
a bc b
2 B 
2
j
A  i
a b
Red recíproca de una red rectangular centrada
4
a1  a  a i b A2 
b
j
a2 A1
1 1
a2  a i  b j
2 2
a1 = a
a3  c  c k B 
2
j
b
cka i 4 2
A2  2  j A  i
a
abc b
2
a b 
 i  j  c k
2 2  2 2
A1  2   i  j
abc a b
2
PROPIEDAD 3 (parte 1)
• La familia de planos paralelos {hkl} en la

red directa es perpendicular al vector de la
red recíproca g  hA  kB  lC
R1  m1 a1  n1 a 2  p1 a3
R 2  m2 a1  n 2 a 2  p 2 a3
R3  m3 a1  n 3 a 2  p3 a3
N R 2  R1  R3  R1 
N  (h1 A1  h 2 A 2  h 3 A3 ) cte
h1  n 2  n1 p3  p1   n 3  n1 p 2  p1 
…
PROPIEDAD 3 (parte 2)
• La ecuación del plano perpendicular a g
(R - R1 )  g  0
g es vector más pequeño en esa dirección, o sea, vector primitivo de

red recíproca
R  g  2  N  constante
g en términos de ejes cristalinos recíprocos g hA k BlC
Interceptos con ejes cristalinos: pa, qb , rc

p a .g  2 N  2  h p
N N N
h , k , l
p q r
 Los índices de Miller del plano R . g = 2  N son (hkl)

CONCLUSIÓN: Los índices de Miller (hkl) definen una
familia de planos paralelos entre sí y perpendiculares todos
ellos al vector de la red recíproca:
g h A k BlC
DISTANCIAS INTERPLANARES (1)
• Plano perpendicular a g que

pasa por el origen (Π0 ):
R g 0
• Plano paralelo más cercano
a2
(Π1):
a3 R  a1
R  g  2
g  A1 (A1  a1  2 )
porque dos vectores primitivos del plano Π0 y un vector R = a1

que va de origen a Π1 forman una terna primitiva
DISTANCIA ENTRE PLANOS
PARALELOS EN LA RED DIRECTA (2)
Π0
R1
Π1
R  a1
g
g  A1
g
d  R 
g
2
d
g
(Observe que R es vector primitivo de red directa
y g es vector primitivo de red recíproca)
Ver animación 3D
RED RECÍPROCA Y SERIES DE
FOURIER (1)
• Propiedades físicas de un cristal
tales como densidad de carga r +R
electrónica o potencial
electrostático debido a los iones
en los puntos de la red son
funciones periódicas, con
periodicidad de la red, es decir, R
r
son representadas por funciones
que satisfacen
f ( r  R )  f (r )
donde R es un vector de la red cristalina

CASO UNIDIMENSIONAL
• Si f (x + na) = f (x) ,
x+na
entonces:
x
a
2 2
f( x)   a n Cos n x  bn Sen n x
n a a
2π
i( )n x
f(x)   cn e a
a/2 2π
1 -i ( ) n x
c n   f (x) e a dx
a -a / 2
SERIES DE FOURIER
TRIDIMENSIONAL
Si f (r + R ) = f ( r), entonces:
f(r)   Cg e i gr
1

-i gr
Cg  f (r ) e dV
V V
donde V es el volumen de la celda primitiva

EJEMPLO EN CRISTALES
UNIDIMENSIONALES
V0 , si x  -a/4, a/4


V(x)  
0, para otros x en la celda unitaria

V
2π
i( )n x
V(x)   cn e a
n
a
a/4 2π -V0
1 -i ( )n x a/2
cn  
a -a / 4
V0 e a
dx
 2   2 
V0 1 i nx 1 i nx
V(x)  (   e  a 
-   e  a 
)
π n  1, 5,.. n  n  3, 7 ..,..  n 
EJEMPLO EN CRISTALES
BIDIMENSIONALES
V0 , si x  -a/4, a/4 , y  -a/4, a/4


V(x, y)  
0, para otros (x,y) en la celda unitaria

1

-i gr
Cg  f (r ) e d(área) a
área área
a/4 a / 4 2π a/2
1 -i ( i ) ( x i  y j )
c10  2
a  V
-a/4 -a / 4
0 e a
dx dy a/2
V0
C10  C01 
2π
V0
C11 
2
ZONAS DE BRILLOUIN
• De un punto de la red recíproca se trazan segmentos

sucesivamente a los vecinos más cercanos, segundos
vecinos más cercanos, terceros vecinos y así
sucesivamente.
• Se bisecan los segmentos con planos perpendiculares
• El sólido más pequeño encerrado por los planos bisectantes
es la Primera Zona de Brillouin (celda WS en el espacio
recíproco)
• El segundo sólido más pequeño es la segunda zona de
Brillouin, y así sucesivamente.
PRIMERA ZONA DE BRILLOUIN DE
UNA RED CUADRADA
2
a
1
SEGUNDA ZONA DE BRILLOUIN DE
UNA RED CUADRADA
2
a
2
1
TERCERA ZONA DE BRILLOUIN DE
UNA RED CUADRADA
2
a
2
3 1
PRIMERA ZONA DE BRILLOUIN DE
UNA RED HEXAGONAL
BIDIMENSIONAL
red directa red recíproca
a
B
b
A
a
Primera zona de Brillouin de una

red hexagonal bidimensional
Primera zona de Brillouin de una red
FCC
4
4
a
a
4
a
La primera zona de Brillouin de una red FCC es la celda WS

de una red BCC
Primera zona de Brillouin de una red
BCC
4
a
4
a
4
a
La primera zona de Brillouin de una red BCC es la celda WS

de una red FCC
Zonas de Brillouin de una red cristalina
unidimensional
2
a
TZB SZB -
a
PZB  SZB TZB
a
DIFRACCIÓN DE RAYOS X
Tercer capítulo de curso

FC UNI
Lima Perú
setiembre 2013
ARTURO TALLEDO
Doctor en Física
DIFRACCIÓN DE RAYOS X
placa fotográfica
cristal
haz de rayos X
Un haz monocromático de rayos X al incidir sobre un

sólido cristalino es re-emitido en ciertas direcciones
específicas que dependen de la estructura del cristal
LEY DE BRAGG
(una explicación sencilla de la DRX)
 
 d
d sen d dsen
sen 
El haz es desviado un ángulo 2θ si encuentra en su

camino una familia de planos cristalinos que satisface:
2 d sen   n 
LEY DE BRAGG
22
0)
(21
Haz (100)
incid
ente
1 21
(100) 1
2
10) Detec
(2 tor
Cada familia de planos cristalinos produce un haz

desviado 2  con respecto a la dirección incidente
Análisis de von Laue
(una explicación más analítica)
• Radiación re-emitida o desviada por un electrón
• Radiación re-emitida por dos electrones puntuales
• Por varios electrones puntuales
• Por un átomo
• Por los átomos de una celda primitiva
• Por los átomos de todo el cristal
Rayos X desviados por un electrón
i ado
esv
yod
Rayo incidente ra
2
electrón
Campos del rayo incidente: E inc  A e i (K i x - w t)

A i (K d D - w t)
Campos del rayo desviado: E desv  fe e
D
e 4
 1 + cos 2
2 
f e  2 4 
2
 (factor de polarización)
m c  2 
Rayos X desviados por dos electrones
Scattering
coherente
M Kd Kd
2 2
r12 P2
Ki
Ki N
P1 K d - K i   K  2 K sen 
E desv  fe
D
e 
A i Kd D
+ ei K d D +   
  K d P1M - K i P1 N   (K d - Ki )  r12
Rayos X desviados por n electrones
Para dos electrones:
E desv
A i Kd D
 f e (e
D

) 1 + ei  K (r2 - r1 )  
E desv  f e
D
(e )e 
A i K d D i  K r1 
+ e i  K r 2  
Se puede generalizar para n electrones que desvían un haz en  K
A i Kd D n
E desv  f e (e ) e i   K rm 
D m 1
Rayos X desviados por un átomo
A i K d D n i  K rm 
E desv  f e (e ) e
D m 1
donde n es el número de electrones en un átomo, pero para ser más precisos

tenemos que considerar que la carga de los electrones se distribuye como una nube
A i Kd D  ρ  i  K r 
E desv  f e (e )   e dV
D e
V  
A i Kd D
E desv  f e f a (e )
D
Factor atómico  ρ  i  K r 
f a    e dV
e
V  
Rayos X desviados por dos átomos iguales
Kd
M Kd
Ki
P2 2 2
r12 K d - K i   K  2 K sen 
Ki N
P1
E desv  f e f a
D
e 
A i Kd D
+ ei K d D +   
  (K d - K i )  r12
A i K D  i  K r 1 
E desv  f ef a (e d ) e + e i   K  r 2  
D
Rayos X desviados por los átomos
de una celda primitiva
nP
A i Kd D i  K rj 
E desv  fe (e )  f aje
D j1
donde n P , es el número de átomos por celda primitiva,

f aj es el factor atómico de cada uno de los
elementos en una celda primitiva
A i Kd D
E desv  f e FB (e )
D
nP
 

i  K rj
donde FB  fa j e , factor de base
j1
Rayos X desviados por todos los
átomos de un cristal
A i K d D N i  K Rl 
E desv  f e FB (e ) e
D l1
A iK D
E desv  f e FB FR (e )
D
N
donde FR  l1
ei  K Rl  , es el factor de red
 N , si K  g , vector de red recíproca

FR  
0, si K  g
N es el número de celdas primitivas en el cristal

Condición de Difracción
Kdesv2
g2
cristal Kdesv1
haz de rayos X g1
Kinc
La intensidad de la radiación re-emitida por un cristal es

nula en todas direcciones excepto en aquellas donde el
cambio del vector de onda coincide con un vector de la
red recíproca
K  g
K desv  Kinc + g
Condiciones de Laue
La condición de difracción:
K  g
Fue enunciada originalmente por von Laue en la forma:
K  a 1  2 h1
K  a 2  2 h2
K  a 3  2 h3
Y se llaman condiciones de Laue para la difracción

Equivalencia Laue-Bragg
K  g  K  g
Kd
2
2 K sen   n g 0
Ki
donde g 0 es el vector de la red recíproca más pequeño en

esa dirección y n es un entero
 2   2 
2  sen   n  
    d 
2 d sen   n 
Descripción convencional
A iK D
E desv  f e FR FB (e )
D
A iK D
E desv  fe F S (e )
D
 N , si K  hA + kB + C; con h,k, enteros
F  
0, si K  hA + kB + C
Al factor F podemos llamarle factor de red primitiva.
n c.u
 

i ( hA + k B + l C ) rj
Shkl  fa j e
j1
S se llama factor de estructura y la suma es sobre todos

los átomos de una celda unitaria.
Cálculo de F
N1 N2 N3
F  ( e i  K  m a 
) ( e i  K  n b 
) (  ei  K  p c  )
m 0 n0 p0
 N  K  a  
Sen  1 
N1
1  ei  K  a N1  2 
F1   e i  K  m a 
 
1 e
i  K  a 
  K  a  
m 0
Sen  
 2 
 N  K  a   2 2 2 2
2
F1 
Sen 2  1
 2

 F F F F 1 2 3
  K  a  
Sen 2  
 2 
Condiciones de Difracción
K  h Α + k B + l C
K  a  2 h
K  b  2 k
K  c  2 l
S hkl  0
Factor de estructura de una
estructura bcc monoatómica
n c.u
 

i ( hA + k B + l C ) rj
Shkl  fa j e
j1
Shkl  f a (1 + ei(h Α + k  +l C)(1/2)(a + b + c) )

r1  (0,0,0)
a Shkl  f a (1 + ei (h+ k +l) )
r2  (1,1,1)
2
2 f a , si h + k + l es par 
Shkl   
0, si h + k + l es impar 
Factor de estructura de una
estructura fcc monoatómica
n c.u
 

i ( hA + k B + l C ) rj
Shkl  fa j e
j1
Shkl  f a (1 + ei(h Α + k  +l C)(1/2)(a + b ) + ei(h Α + k  +l C)(1/2)( b + c ) + ei(h Α + k  +l C)(1/2)(c + a ) )

r1  (0,0,0)
a
r2  (1,0,1)
2 Shkl  f a (1 + ei (h+ k) + ei (k+l) + ei (l+ h) )
a
r3  (1,1,0)
2
a 4 f a , si h, k y l tienen la misma paridad 

r4 
2
(0,1,1) Shkl   
0, en caso contrario 
Factor de estructura de una estructura
de diamante
 i (h+ k +l) 

r1  (0,0,0) Shkl  f a (1 + ei (h+k) + ei (k+l) + ei (l+h) )1 + e 2 

a
r2 
2
(1,0,1)  
a
r3  (1,1,0)
2
r4 
a
(0,1,1) 8 f a , si h, k y son pares y h + k + es 2(par)
2

r5 
a
(1,1,1) 4f a (1  i),si h,k y son todos impares
4
S hk  
r6 
a
4
(3,1,3) 0, si h, k y son pares y h + k + es 2(impar)
0, no todos de la misma paridad
r7 
a
(3,3,1) 
4
a
r8  (1,3,3)
4
ESFERA DE EWALD
g1
Kd
haz incidente
Ki C Ki O
g3
g2
Es una esfera en el espacio recíproco cuyo radio es igual al módulo del

vector de onda incidente (o desviado).
La condición de Laue se interpreta geométricamente como la intersección de
la superficie esférica de Ewald con la red recíproca.
TÉCNICAS EXPERIMENTALES
• Laue, haz policromático

• Cristal rotatorio
• Debye Scherrer o método del polvo
Método de Laue
g1
Kd
haz incidente
Km C O KM
g3
g2
Se usa un haz polcromático con vectores de onda con módulos

comprendidas entre Km y KM. Esto permite que ahora ya no tengamos una
esfera de Ewald, sino un continuum de esferas y por lo tanto la intersección con
red recíproca es un conjunto mayor de puntos. Da información sobre la simetría d
monocristal.
Técnica del cristal rotatorio
g1
Kd
haz incidente
Ki C Ki
O
g3
g2
Al rotar el cristal con respecto a un eje, rota también cada vector de la red
recíproca e intercepta a la superficie esférica de ewald en dos puntos.
Técnica del polvo o Debye Sherrer
g
haz incidente Ki 2
Al moler el cristal se tienen partículas de algunos micrones, todavía cristales,

orientados en todas las direcciones posibles. Es como si cada vector g rotara
alrededor de todos los ejes posibles, describe una esfera. La intersección de la
esfera generada por cada g con la esfera de Ewald es una circunferencia. Para
cada g se tiene entonces un cono de haces difractados que hace un ángulo 2 
con la dirección incidente.
Cámara Debye Sherrer
Método Debye Sherrer
Una cinta de película fotográfica sirve como detector de los ángulos en los
que se producen ángulos difractados.
Difractómetro de polvos
Una fuente de rayos X monocromáticos emite en una dirección fija y un detector

de gas recorre una circunferencia intersectando a los conos de haces difractado
Automáticamente con ayuda de un software se almacenan los datos 2 vs I
Difractómetro X´pert UNI
DIFRACTÓMETRO DE LA FC UNI
Algunos espectros
Verificación de estructuras
K  g
2 K sen   g
El valor más pequeño de  corresponde al vector de red recíproca
de menor módulo
Si podemos construir una sucesión de los g más pequeños entonces

podemos determinar una sucesión de los  más pequeños para los cuales
se producen haces difractados.
Ejemplo: Discutir como hallar los 5 valores de más pequeños para los que
existe rayo difractado en el caso de una ortorrómbica F de parametros a = 4,
b= 6, c = 10
Estructura cristalina del grafito
La estructura del grafito es hexagonal a = 2,46 Å; c = 6,7 Å con base de 4

átomos: A1 (0,0,0); A2 (1/3 a + 2/3 b); A2 (2/3 a + 1/3 b + ½ c); A4 (1/2 c);
Dé las dimensiones de los vectores convencionales de la red recíproca (A y C)

Dé una expresión para el factor de estructura Shkl
Identifique los 4 módulos más pequeños de los vectores de la red recíproca
Indique cuáles serían los 4 valores de 2 theta para los cuáles se obtendría rayos
difractados con radiación incidente de longitud de onda 1,54 angstron
A1 : (0,0,0)
A2: 2/3 a +1/3 b
A3: 1/3 a +2/3 b +1/2 c
A4: (0,0,c/2)
b a
esfera negra altura c/2

esfera roja altura 0 y c 4 átomos por celda unitaria
red directa red recíproca
a
B
b
 A

a c
C
4
a  2,46 Å A Primera zona de Brillouin
A  2,95de
Å 1 una
3a
c  6,7 Å red hexagonal bidimensional
C  0,93 Å 1
2
C 
c
S hkl  1 + e
.
1
3
2
i ( hA + kB +lC) ( a + b )
3 +e
. 2 1 1
i ( hA + kB +lC) ( a + b + c )
3 3 2 +e
. 1
i ( hA + kB +lC) ( c )
2
(hkl) Shkl ghkl (Å-1) (2 (theta)
(001) 0 0,93
(002) 4 1,87 26,5
(100); (010),(1-10) algo 2,95 42,4
(101): (1-11) algo 3,09 44,5
(102) algo 3,49 50,6
(004) 4 3,74
(110) 4 5,10
INDEXACIÓN DE REDES CÚBICAS
K  g
2 K sen   g
El valor más pequeño de  corresponde al vector de red recíproca
de menor módulo y los siguientes valores  de cumplirán con la relación:
2 2 2 2
gi h + k + 
sen i i i i
  a
sen 1 g1 2 h 2 + k 2 +  2
1 1 1
a
Para cada una de las estructuras cúbicas (sc, bcc, fcc, diamante)
podemos hallar la sucesión de números gi/g1. Esta nos da la relación entre los
senos de los ángulos Seni ./ Sen1
INDEXACION DE REDES CÚBICAS
(h,k,  )  h 2 + k 2 + l 2  sen 
sc sen  sen 
fcc sen 
  sen 1 sen 1 sen 1 sen 1
bcc Diaman
(100) 1 1 - - -
(110) 2 2 1 - -
(111) 3 3 - 1 1
(200) 4 2 2 2/ 3 -
(210) 5 5 - - -
(211) 6 6 3 - -
(220) 8 2 2 2 2 2/ 3 2 2/ 3
(221) 9 3 - - -
(300) 9 3 - - -
(310) 10 10 5 - -
(311) 11 11 - 11 / 3 11 / 3
(222) 12 2 3 6 2 -
(320) 13 13 - - -
(321) 14 14 - - -
(400) 16 4 2 2 4/ 3 4/ 3
(322) 17 17 - - -
INDEXACION DE REDES CUBICAS
(h,k,l)  h 2 + k 2 + l 2  sen 
sc
sen 
bcc
sen 
fcc
sen 
  sen 1 sen 1 sen 1 sen 1
Diamante
(100) 1 1 - - -
(110) 2 2 1 - -
(111) 3 3 - 1 1
(200) 4 2 1,41 1.15 -
(210) 5 5 - - -
(211) 6 6 1,73 - -
(220) 8 2 2 2 1.63 1.63
(221) 9 3 - - -
(300) 9 3 - - -
(310) 10 10 5 - -
(311) 11 11 - 1.91 1.91
(222) 12 2 3 6 2 -
(320) 13 13 - - -
(321) 14 14 - - -
(400) 16 4 2 2 2,309 2,309
(322) 17 17 - - -
EJERCICIO
Prob1 Cap.6 Ashcroft and Mermin: Se han obtenido difractogramas
de tres materiales A, B y C por el método Debye-Scherrer y se han
observado los valores de los cuatro primeros ángulos de desviación
(2 θ ) para cada material:
A B C
42,2 28,8 42,8
49,2 41,0 73,2
72,0 50,8 89,0
87,3 59,6 115,0
Si se sabe que uno de ellos tiene estructura bcc monoatómico, otro fcc
y otro tiene estructutura de diamante; identifique cada material con su
respectiva estructura.
SOLUCIÓN A EJERCICIO
De los datos para cada material se obtienen los correspondientes
sen
Sen θ i
Sen θ Sen θ1
A B C A B C
0,3599 0,2486 0,3648
1 1 1
0,4163 0,3502 0,5962
1,16 1,41 1,63
0,5877 0,4289 0,7009
1,63 1,73 1,92
0,6902 0,4817 0,8433
1,92 1,94 2,31
Comparando con tabla de indexación a redes cúbicas se llega a una

conclusión clara.
Generación de rayos x
Espectros de rayos x generados
por un target de molibdeno
Difracción de electrones
De Broglie:
h
 
p
p2
E  eV 
2m
150
 ( A) 
V
V  8000V , entonces,   0,134 A

DIFRACCIÓN DE ELECTRONES POR UN CRISTAL IDEAL
(tratamiento cuántico)
Supongamos que mandamos un haz de electrones rápidos a través del

cristal, la interacción del potencial periódico con los electrones origina
transiciones entre estados electrónicos. En la aproximación de Bohr, en
teoría de perturbaciones, la probabilidad de transición por unidad de
tiempo entre el estado inicial ψk y el estado final ψk´ es proporcional al
cuadrado del elemento de matriz:
M k ´k  k´r U (r)ψk (r) dV


 ψ
ψk  ei k. r ondas planas
U(r)  g
V
g
e i g.r
M k ´k   e  i k´.r
 g e dV
g
V e i g.r i k .r
M k ´k   g
V
g
e i k + g k´.r
dV
Vg , si k + g - k´ 0
M k ´k  
0, en caso contrario
Difracción de neutrones
3
Eave  K BT
2
p  2mn Eave
h
 
p
ENLACE CRISTALINO
Capítulo 4 de curso

FC UNI, Setiembre 2013
ARTURO TALLEDO
Doctor en Física
¿Qué fuerzas mantienen unidos a
los átomos de un cristal ?
• La interacción electrostática atractiva entre las
cargas negativas de los electrones y las cargas
positivas de los núcleos es enteramente
responsable de la cohesión de los sólidos.
• Iones positivos separados entre sí, electrones
de valencia también separados entre sí,
electrones de valencia cerca a iones positivos
para minimizar la energía potencial y electrones
no localizados para disminuir su energía
cinética.
Algunas variantes de cómo actúan
las fuerzas electrostáticas
• Enlace Van der Waals o dipolar inducido
• Enlace iónico
• Enlace covalente
• Enlace metálico
• Enlace de hidrógeno
• Analizaremos en este capítulo sólo los dos

primeros.
Cristales de gases inertes
• Interacción dipolar inducida o Van der

Waals
• Potencial Lennard Jones
• Constantes de equilibrio
• Energía de cohesión
• Módulo de compresión y compresibilidad
Interacción van der Waals-London
1  3 (p1  R) R 3 p1 
E(R)   - 
4  0  R 5
R3 
1
E(R)  3
R
1
p 2  (cte)E  3
R
U   p2  E
- constante
U 
r6
Modelo cuántico de interacción van der
Waals
Hamiltoniano de dos osciladores independientes
p12 1 p 2
1
H0    x1 
2 2
  x22
2m 2 2m 2
Hamiltoniano de interacción de dos osciladores que experimentan interacción dipolar:
p12 1 p22 1 2e2 x1 x2

H  H0  H1    x1 
2
  x2 
2
2m 2 2m 2 R3
Cambios de variable:
1 1 1 1
xs  ( x1  x2 ) xa  ( x1  x2 ) ps  ( p1  p2 ) pa  ( p1  p2 )
2 2 2 2
Modelo cuántico de interacción van der
Waals
 ps2 1 2e2 2   pa2 1 2e2 2 

H  H0  H1    (  3 ) xs     (  3 ) xa 
 2m 2 R   2m 2 R 
1/2
 2e
2
   1  2e 2  1  2e 2  2 
     3  / m  0 1   3  -  3   ... 
 R    2  R  8  R  
2
1 1  2e 2
U  s  a   0  
3 
2 8  R 
C
U  - 6
R
Modelo de Sólido de gases nobles
Potencial Lennard-Jones
El potencial repulsivo puede explicarse como una consecuencia del
traslape de nubes electrónicas de átomos vecinos así como al efecto
cuántico de aumento de energía cinética de los electrones por
confinamiento en un volumen muy pequeño. Se propone como fórmula
empírica para este potencial:
B
U rep  12
r
B C
U 
r12 r 6
  12   6 
Uij (R)  4       
 r   r  
Gráfico del potencial Lennard Jones
  12   6 
U ij (r)  4       
 rij   rij  
 
 es el valor de r para el cual U es cero
 es el valor de la energía potencial mínima.
  
12
 
6

U i  (4  )        
 j i  rij 


i  j  rij

 
 
Energía de interacción de un átomo
con todos los demás
   12    
6
U i (R)  (4  )     
 
 

 i  j  pij R  i  j  p ij R  
 
 ij  14,45
p -6
j p
j
-12
ij  12,13
pi2 R pi4 R
i pi1R p R
i3
pi5R
Constantes de la red en equilibrio
N  
 
12
  

6
Ucristal (R)  (4  ) 12,13    14, 45   

2   R  R  
dUcristal   12 6
 - 2N  (12)(12,13) R13  (6)(14,45) 7 0
dR  R 
R 0  1,09 
Energía de cohesión
  
12
 
6

Ucristal(R 0 )  2 N  12,13    14,45  
  R0   R0  
R 0  1,09 
Ucohesión(R)  - (2,15) (4 N )
Propiedades de los cristales de
gases inertes
Elemento Distancia Energía de Punto de Potencial de ε σ
entre cohesió fusió ionización en 10-23 en Å
vecinos n n del átomo J
(Angstrons) (Kj/mol) (K)
libre (en
eV)
He 24,58 14 2,56
Ne 3,13 1,88 24 21,56 50 2,74

Ar 3,76 7,74 84 15,76 167 3,40
Kr 4,01 11,2 117 14,0 225 3,65
Xe 4,35 16,0 161 12,13 320 3,98
•Tabla 2 capítulo 3 de C. Kittel

Módulos de elasticidad
F
A L F
Módulo de Young E 
l A l
L
F
A 1 F
Módulo de rígidez = G  
(Tg ) A 
P P
Módulo de compresión=   V
V V
V
Módulo de compresión y compresibilidad
Definición de módulo de compresión o bulk modulus:
dp
B  V
dV
A 0K la entropía es constante así que la primera ley de la termodinámica es:
dU  p dV
Y por lo tanto:
d2U
BV 2
dV
El módulo de compresión es una medida de la dureza del cristal o de la
energía necesaria para producir una deformación dada. A mayor valor de B
más duro es el cristal
El volumen de un cristal fcc monoatómico en términos de R (la distancia entre

vecinos más cercanos) es:
NR 3
V
2
Por lo tanto, la expresión para la energía del cristal en términos de V es:
b12 b 6
U cristal  4  2
V V
donde: b12  (1/2)(12,13 )N5  12 y b6  (1/2)14,45) N3  6
dUcristal 4 b12 2 b 6
En equilibrio a presión cero:  5  3 0
dV V V
Por consiguiente el volumen de equilibrio está dado por:
1/ 2 1/ 2
2b   12,13 
V0   12    Nσ3
 b6   14,45 
El módulo de compresión es entonces:
 d 2 Ucristal  20 b12 6 b6 b65 / 2

B   V 2
  3
 3  2 3/ 2
 dV  V0 V0 b12
75
B
3
ENLACE IONICO
9+
3+
Li F
9+
3+
Li+ F-
Definiciones Básicas
e + Cl Cl- + 3,6 eV
Afinidad electrónica
Na + 5,1 eV Na+ + e
Energía de ionización
Na+ + Cl- Na+ Cl- + 7,9 eV
Energía de cohesión
Energía electrostática o de Madelung
1 q2
U ij (R)   exp(-R/ ) 
4 0 R
 1 q2 
 exp(-R/ )  4 R , vecinos más cercanos 
 0 
Uij (R)   2 
 1 q 
, otros
 4 0 pij R 
U i   U ij
j i
Ucristal  NU i
Energía electrostática o de Madelung
Ucristal  NU i
1  q2
U cristal(R)  N ( z  exp(-R/ )  )
4 0 R
 
  constante de Madelung
j i pij
Constante de red y energía de
cohesión
dUi zλ N  q2
N  -N exp(-R/ )  0
dR ρ 4 0 R 2
1 ρ α q2
z λ exp(-R 0 / ) 
4  0 R 02
1  q2
U cristal(R)  N ( z  exp(-R/ )  )
4 0 R
N  q2 ρ
U cohesión   (1  )
4 0 R 0 R0
Cálculo de la constante de Madelung
para cristal unidimensional
         
R
α


x 2 x3 x 4
R j i rij log (1  x)  x -    ...
2 3 4
α 1 1 1 1 
 2     ...
R  R 2R 3R 4R 
α  2 log 2
1 1 1
  2  1     ...
 2 3 4 
Cálculo de la constante de Madelung
para NaCl (convergencia lenta)
α 6 12 8
    ...
R R R 2 R 3
α

 
R j i rij
6 12 8 6
α   1 / 2  1/ 2   ...
1 2 3 2
Método de Evjen para constante de
Madelung
6(1 / 2) 12(1 / 4) 8(1 / 8)

α1    1/ 2
1 3
1/ 2
2
α1  1,46
La suma es sobre el primer cubo neutro

Madelung
6(1 / 2) 12(1 / 4) 8(1 / 8)

α1    1/ 2
1 3
1/ 2
2
α1  1,46
La suma es sobre el primer cubo neutro

Madelung
α 2  1,75
α  1,747565
α 2  1,75
La suma es sobre el segundo cubo neutro
6 12 8 6(1 / 2) 24(1 / 2) 24(1 / 2) 12(1 / 4) 24(1 / 4) 8(1 / 8)

α 2   1 / 2  1/ 2      
1 2 3 2 5 6 8 3 2 3
en cristales ionicos
Definición de módulo de compresión o bulk modulus:
dp d2U
B  V Y por lo tanto: BV 2
dV
dV
dU dU dR N a3 dR 1 1
 ; V ; V2NR ; 3  
dV dR dV 4 dV dV/dR 6NR 2
2
d 2 U d 2 U  dR  dU d 2 R
2
 2   
dV dR  dV  dR dV2
A la distancia de equilibrio, cuando R = R0 y dU/dR = 0, se tendrá:
2 2
d U 1  1 d2U
BV 2  2 

dR  6NR  18NR 0 dR 2
Módulo de compresión en cristales
ionicos
2 2
d U 1  1 d2U
BV 2  2 

dR  6NR  18NR 0 dR 2
 d2U  N z λ R 0 /ρ 2Nα q 2 N  q2  R 0 
 2   2 e   
3 
 2 
 dR R 0 ρ 4  0 R0 4  0 R0  ρ
3

α q2  R0 
B 
4 
 2 
4 π ε 018R 0  ρ 
Parámetros y medibles en cristales
iónicos
1  q2
U cristal(R)  N ( z  exp(-R/  )
4 0 R
2
1 ρ α q
R 02 exp(-R 0 / ) 
4  0 z λ
N  q2 ρ
U cohesión   (1  )
4 0 R 0 R0
α q2  R0 
B 
4 
 2 
4 π ε 018R 0  ρ 
De las medidas experimentales de B y R0 podemos hallar ρ y λ

Luego calcular la energía de cohesión y verificar con el experimento
Energías de Madelung y repulsivas
para el KCl.
Ley de repulsión de potencia inversa
N α q2 C
U (R)  -  m
4π 0 R R
dU N  q 2 R 0m-1
0  C
dR 4  0 m
2
d2U  1  1 d2U (4   0 )18 B R 04
BV 2  2 
  m 1
dR  6NR  18 N R 0 dR 2
 q2
Conociendo R0 y B se determinan C y m. Luego se verifican estos

resultados comparando la energía de cohesión experimental con la
teórica:
teórica N  q2 m 1
U cohesión 
4 0 R 0 m
Propiedades cristales alcalinos con
estructura NaCl
Elemento Distancia Energía de Punto de Potencial de zλ ρ
entre cohesión fusión ionizació en 10-23 en Å
vecinos respecto a (K) n del J
(Angstrons) iones átomo
libres libre (en
(Kcal/mol) eV)
LiF 2,014 -242,3 24,58 0,296
LiCl 2,570 -198,9 24 21,56 50 2,74

LiBr 2,751 -189,8 84 15,76 167 3,40
NaCl 2,820 -182,6 117 14,0 225 3,65
NaBr 2,989 -173,6 161 12,13 320 3,98
•Tabla 5 capítulo 3 de C. Kittel 4ed ingles, 2da español.

FONONES
ARTURO TALLEDO
Doctor en Física
Capítulo V de curso
FC UNI
Lima, abril 2008
Introducción
Los átomos están sometidos a potenciales que se pueden aproximar al de un

oscilador armónico simple. Constituyen un sistema de osciladores acoplados.
La descripción del movimiento se puede hacer clásica (Newton) o cuánticamente
(Schrodinger). A un modo de vibración de frecuencia ω , según Planck,
se le puede considerar como una partícula de energía 
se le llama fonón.
ω . A esta partícula
Ondas elásticas en una barra contínua
u A’ u  du
F (x) F (x +dx)
x x+ dx
F du
Esfuerzo S 
A
Deformación unitaria e  dx
Ley de Hooke: S  Y e ; Y es el módulo de Young
 2u
(ρ A' dx) 2  S(x  dx)  S(x)A'
t
 2u S
(ρ A' dx) 2  dx A'  2u   2u
t x  0
 x Y t 2
2
Ondas elásticas en una barra contínua
2 2
u ρu
2
 2
0
x Y t
i(q x  ω t)
u (x, t)  A e
 2u
 q 2
u  2u
 ω u 2
ω
2
x  t2
ω  vs q ω  vs q
Relación de dispersión:
vs 
Y q
ρ
Densidad de modos de vibración en 1D
Condiciones de frontera periódicas: u (x)  u (x  L)
iqL
F (x) F (x +dx)
e 1
x0 x x+ dx xL
2π
qn
0 L
2π
L
L
Número de modos entre q y q + dq : g (q) dq  dq
2π
dq L 1
ω y ω  dω : g(ω)  2 g(q) g(ω) 
Número de modos entre π vs
dω
Ecuación de onda en un medio
continuo 3D
2
2ρu
 u 2
0
Y t
i( q r  ω t)
u (r, t)  A e
ω  vs q
i(q1 L) i(q 2 L) i(q3 L)

Por condiciones de frontera periódicas: e e e 1
q1 , q 2 , q3   ( 2π m, 2π n, 2π p)
L L L
q1 , q 2 , q3   ( 2π m, 2π n, 2π p) Número de modos de vibración con
L L L
vector de onda entre 0 y q :
3
q2  L  4π 3 V 4π 3
  q  q
2
L  2π  3 2π 3
3
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . 2
Número de modos de vibración con vector
. . . . . . . . . . L de onda entre q y q + dq :
. . . . . q. . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . q1 V 2
. . . . . . . . . . g(q) d q  4π q dq
. . . . . . . . . .
2  3
Número de modos de vibración con vector de onda entre q y q + dq :
V 2
g(q) d q  4π q dq
2  3
g (ω)
Número de modos de vibración con vector
de onda entre ω y ω  dω
2
V  ω  dω
g (ω) dω  4π  
2    vs  vs
3
(3)V ω2 ω
g (ω) 
2  2 v3s
Vibraciones de un cristal
unidimensional monoatómico
un-1 un un+1
d2u n
M 2  -  u n  u n 1    u n  u n-1 
dt
d2u n
M 2  -  2 u n - u n 1  u n-1 
dt
Condiciones de frontera periódicas: un (x) = un (x+L)

Vibraciones de un cristal
unidimensional monoatómico
i(qXn  t) i(q n a ω t)
un  A e  Ae
M   2
e iqna

  2e iqna
e
iq ( n1) a
e
iq ( n1) a

 
M     2  e  e
2
 iqa  iqa

M ω2  2α 1  Cos q a 
4α
ω Sen(qa/2)
M
Relación de dispersión para vibraciones
en un cristal unidimensional
ω  ωm Sen(qa/2) ω (q)
ω (q)
4α4α
4α
ωm  MM
M
2π
Por CFP : qn
L
• Obsérvese la periodicidad:
2
ω(q)  ω(q  )
a π π q
y  2π
a a
ω(-q)  ω(q) Na
• Hay N modos de vibración en la PZB

Comparación con relación de
dispersión lineal
• Para longitudes de onda grande,
es decir, q próximo a cero, la ecuación:
4α
ω Sen(qa/2)
M
Se reduce a :
4α qa
ω
M 2
Comparable con la ecuación: ω  vs q
α La medida de la velocidad del sonido

vs  a nos permite determinar las fuerzas
M interatómicas
Velocidad de grupo y velocidad de fase
ω
ω vg 
vf  q
q
Para longitudes de onda grandes v f  vg  vs
Para valores de q cerca a la frontera de zona de Brillouin: vg  0
Las ondas elásticas cerca de la frontera de zona experimentan

difracción de Bragg
Densidad de modos de vibración en un
cristal monoatómico
L 1
g(ω) 
π dω
dq
1
2L  qa 
g(ω)  Cos ( 2 )
π a m
Cristal unidimensional diatómico
a
2n 1 2n 2n 1
M1 M2
d 2 u 2n1
M1 2
 α2u 2n1  u 2n  u 2n2 
dt
d 2 u 2n
M2 2
 α2u 2n  u 2n1  u 2n1 
dt
Condiciones de frontera periódicas: un (x) = un (x+L)
Cristal unidimensional diatómico
u
 2n1   A1 e iq (2n1)a
 iω t
u    iq(2n)a 
e
 2n  A 2 e 
2α  M1ω2 - 2 Cos (qa)  A1 

   0
  A 2 
2
- 2 Cos (qa) 2α  M 2 ω
2α  M1ω2 - 2 Cos (qa)

0
- 2 Cos (qa) 2α  M2ω 2
Relaciones de dispersión para vibraciones
en cristal unidimensional diatómico
2
 1 1   1 1  4sen 2 (qa)
ω2  α    α    
 M1 M 2   M1 M 2  M1M 2 ω
ω
vf 
q
Signo - , rama acústica. Signo + rama óptica.   1
ωO  2   
1 
1/ 2

  M1 M 2 
Para q = 0: ωA  0
1/ 2
  1 1 
ωO  2    
  M1 M 2 
π
Para q = 
2a : 2α
ωA 
M2 π π
q

2a 2a
2
ωO 
M1 M1  M 2
Relación de dispersión para vibraciones en
cristal unidimensional diatómico
ω
M1

M2
π
q
π
 2a
2a
Relación de dispersión para vibraciones en
cristal unidimensional diatómico
ω
1/ 2
  1 1 
ωO  2   
M

M 2
  1 2  ωO 
M1
2α
ωA 
M2
π π
q

2a 2a
Modos ópticos y modos acústicos
2α  M1ω2 - 2 Cos (qa)  A1 
   0
- 2 Cos (qa) 2α  M 2ω  A 2 
2
ω  0  A1  A 2 Átomos vecinos vibran en fase
1/ 2
  1 1 
ωO  2  
    M1A1  M 2 A 2  0 Desfasaje de 1800
  M1 M 2 
Vibraciones en cristales
tridimensionales monoatómicas
 xx  xy  xz 
d 2u lmn  -  
M
2 yx yy yz 6 u lmn - u lmn 1  u lmn -1  ...
 
dt  
 zx  zy  zz 
i(qrn  t)
un  A e
M ω2 A  - α(q) A
Diagonalizando
3 ramas acústicas
s (q)
ωj  , j  1,2,3
M
Vibraciones en cristales tridimensionales
diatómicas
 xx  xy  xz 
d 2 u1mn  
M1  -  yx  yy  yz 6u lmn - u lmn 1  u lmn -1  ....
dt 2
ω
 
 zx  zy  zz 
LO TO2
 xx  xy  xz 
M2
d 2 u pqr 

 -  yx  yy  yz  6 u pqr - upqr1  u pqr -1  TO1
dt 2  
 zx  zy  zz  LA
TA2
TA1
q
3 ramas acústicas y 3 ramas ópticas
Determinación Experimental de
Relaciones de Dispersión
• Dispersión de neutrones
• Dispersión inelástica de rayos X
• Espectroscopía Raman
Dispersión de Neutrones por un Cristal
n p´
p
n p´2
E' 
2M n
p2 cristal
E
2M n
• Un haz de neutrones de energía E y momentum p inciden sobre un cristal.

Los neutrones pueden ganar o perder energía y momentum.
• Los neutrones interactúan fuertemente con los núcleos y muy débilmente

con los electrones
• Las leyes de conservación de energía y de momentum cristalino permiten

obtener información sobre los modos de vibración del cristal
Conservación de energía y momentum
cristalino
E'E  h ω j (q) n q j
q, j
p' - p  h qΔn q j  h g
q, j
• En el proceso de dispersión de un neutrón por el cristal pueden involucrase

diferente número de fonones.
•El momentum cristalino de un fonón definido como  q no es

necesariamente la suma algebraica de las cantidades de movimiento de los
iones del cristal. Es simplemente un nombre. Juega un papel similar.
Dispersión de neutrones sin
participación de fonones
(ZERO PHONON SCATTERING)
• El estado vibracional final del cristal es igual al inicial

• La energía del neutrón no cambia
• La cantidad de movimiento del neutrón cambia en
p' - p   g
• (condición de Von Laue para difracción)

• La información que se obtiene es la misma que en difracción de rayos X
Dispersión de neutrones con la
participación de un fonón
(ONE PHONON SCATTERING)
• Los eventos en que un neutrón absorbe o emite sólo un fonón son los
que proporcionan mayor información sobre las relaciones de dispersión.
• Las leyes de conservación:
E'E  h ω j (q)
p' - p  h q  hg
Podemos escoger una dirección en la cual medir E’, y obtener así un punto
de la relación de dispersión.
La constante aditiva g puede ser ignorada porque podemos restringirnos a
la PZB
Dispersión de neutrones con
participación de dos fonones
(TWO PHONON SCATTERING)
E'E  ω j (q)  ω j' (q' )
p' - p  h q  h q' h g
p'p
E'  E  h ω j (q)  h ω j' (  q)
h
Si observamos la energía de los neutrones en una dirección dada es posible
obtener suma de energías de cualesquiera dos modos de vibración con q en la
PZB. Si hubiera sólo procesos con absorción de dos fonones el espectro de
E’-E vs número de cuentas sería un continuum
Determinación Experimental de la relación de dispersión
•En la figura, p´1 y p´2 son momenta de neutrones que se han dispersado sin
crear ni absorber fonones.
Al colocar el detector en la posición D ya se sabe cuál es el q del fonon absorbido
Se determina ω midiendo la energía de los neutrones que allí llegan.
Resultados Típicos
Número relativo de neutrones dispersados en una dirección dada en función

de la energía ganada por los neutrones. La curva continua es el ruido de
fondo debido a los procesos multifonónicos. Los picos se deben a los
procesos que involucran un solo fonón.
Espectrómetro de neutrones
Convención para relaciones de dispersión
q ω d q   dω
dω dω
dS d q   dS  dS
q ω vg
3
L dSω
g(ω(   
 2π 
 vg
resumen. Haga un esquema de las relaciones de dispersión w vs k
para los siguientes tipos de sólidos:
a) un sólido continuo
b) un cristal unidimensional monoatómico de parámetro de red a
c) un cristal unidimensional diatómico de parámetro de red a
d) un cristal tridimensional monoatómico de parámetro de red a
e) un cristal tridimensional diatómico de parámetro de red a
EL OSCILADOR ARMÓNICO CUÁNTICO
p2 C 2
h   x
2m 2
p C
P  Q  x
0
m0
0 2
h 
2

P  Q2 
C 1
Q, P  x, p 1
m 0
2 Q  i P , 2   Q  i P
2     P 2  Q2  1 2     P 2  Q2  1
P2  Q2  2    1    N
0 2
h 
2

P  Q2    1
 h  0    
2

0 2
h 
p2 C 2
 x , h
2m 2

2
 2
  1
P  Q , h  0  N  
2

      1
 N  N  
N  n
N     n 1 
0
  
función propia de N para el valor propio n - 1
      1
N     N  
N  n
   n  cte  n1
 n  n  1  n1
n 
1
n!
 
 n
 0
TEORÍA CUÁNTICA DEL CRISTAL ARMÓNICO
2 Q  i P , 2   Q  i P
C p
Q  x C  m 2
P 
0 0
m0
m0 1 m0 1
 x i p ,  

x i p
2 2m0 2 2m0
p2 C 2
h   x
2m 2
1 1
H   P( R)   u ( R) D ( R  R´)u ( R´)
2
R 2M 2 R, R´
1 1
H   P( R)   u ( R) D ( R  R´)u ( R´)
2
R 2M 2 R, R´
1  ms (k ) 1 
ks 
N
e i k . R
es (k )  
2
u( R)  i
2ms k 
P( R ) 
R  
1  ms (k ) 1 
 ks 

N
e i k .R
es (k )  
2
u( R)  i
2ms k 
P(R)
R  
  1
H   s k k s k s  
k ,s  2
u (R), P R´
   i   RR´
u (R), u R´  P (R), P R´

    0
0, k no es vector de la red recíproca

e i k .R
 
R  N , k es vector de la red crecíproca
 k ,s , k´s´   i kk´ ss´
 k ,s ,  k ´ s´    
k ,s
, k´s´   0
uR  
1


N k ,s 2ms (k )
 
k s  k ,s e s k ei k.R
i  m s k 
PR   
N k ,s 2
 
k s  k ,s e s k  ei k .R
 e k  e k 
s 1
s s   
e
k
i k .R
 0, R0
1
R 2M P ( R ) 2

1

4 k ,s
 s (k ) 
 ks   
k s 
 
ks
  k s 
1
 
U   s (k ) k s  k s k s   ks
4 k ,s

  1
H   s k k s k s  
k ,s  2



 ψ
U(r)  g
V
g
e i g.r
M k ´k   e  i k´.r
 g e dV
g
V e i g.r i k .r
M k ´k   g
V
g
e i k  g k´.r
dV
Vg , si k  g - k´ 0
M k ´k  
DIFRACCIÓN POR LAS VIBRACIONES CRISTALINAS 1
U(r)  V (r  R )

a 
M k´k   e i k .r
a
V r  R   e i k .r
dV

M k ´k   e i k k´.r
Va r  R  dV

M k´k   e i k k´.R 
 e i k k´.(r R )

1
M k ´k  Va (K)
N

e iK.R 
K  k´k
1

iK .r
Va (K )  Va (r ) e dV
Vc
Si la red está fija, es decir, si no hay vibraciones:
 1  eiK1L 1   1  eiK2 L 2   1  eiK3L 3 

e iK.R 
 
1  e

iK1  
1  e iK 2
 
1  e iK3

    

e iK .R 
 N  K ,g
M k ´k  Va (g)  k k´,g
Aquí mostramos los pasos para calcular el factor de red en un experimento
de difracción cuando sí consideramos las vibraciones de la red
R´ R  u  R   (Aq eiq.  Aq eiq. )
q
  
Fred
1
 e
N 
iK .R  ´ 1

  exp  i K  R    A q eiq.R  A q eiq.R
N 


  q 
1

N 
e iK.R  ´

1

N 
e iK.R 

q
exp  i K  A qe iq.R 

 A iq.R 
qe 
   
exp  i K  Aqeiq.R  Aqeiq.R  1  iK  Aqeiq.R  Aqeiq.R  ... 
iK .R   iq.R  
Fred
1
 e
N 

1   exp  i K  Aq e 
 q 
1 1
Fred   e iK .R 
  exp  i K  A q   ei qK .R 
N  N q 
1 1
Fred  e iK .R 
  exp  i K  A q   ei qK .R 
N  N q 
M k ´k  Va (g) k k´,g  i k´k   A q Va k´k 
Si hablamos de la difracción de electrones por las vibraciones de la red,

Tenemos que considerar sólo:
 1
 n q  
  i k´k   A q Va k´k 

M k ´k 2 Eq  2
Aq  
Nmq2 Nmq
TEORÍA DE BANDAS

FC-UNI
octubre 2013
ARTURO TALLEDO
DOCTOR EN FÍSICA
ESTADOS ELECTRÓNICOS EN UN
CRISTAL (TEORÍA DE BANDAS)
• MODELO DE DRUDE (Ashcroft)
• GAS DE FERMI DE ELECTRONES LIBRES (Kittel)
• TEOREMA DE BLOCH (Aschcroft)
• MODELO DE ELECTRONES CASI LIBRES (Ashcroft)
• MODELO DE ELECTRONES FUERTEMENTE
LIGADOS (Omar)
• MODELO KRONIG PENNEY (Mckelvey)
Modelo de Drude
Los electrones de valencia de un metal se mueven por todo el
volumen del metal no ocupado por los iones. Esto significa
aproximadamente el 80% del volumen de una muestra metálica.
El comportamiento de estos electrones es como el de un gas

monoatómico ideal U = 3/2 N KB T. Obedecen la estadística de
Boltzman.
Existe la probabilidad dt/ τ de que un electrón experimente un

choque en el intervalo de tiempo (t, t+dt). τ se llama tiempo de
relajación, tiempo de vida media del electrón, o tiempo de colisión.
Los choques son con los iones fijos.
Entre dos choques cada electrón obedece las leyes de Newton, es

decir, se mueve en línea recta con MRU si ningún campo es aplicado
a la muestra o con movimiento acelerado si algún campo eléctrico o
magnético es aplicado.
ELECTRONES LIBRES EN 1D
E
Ecuación de Schrodinger:
 2 d 2
  E
2m dx 2
EZE
Soluciones:
 ( x)  A e ikx
k 2 2 4π
- .. -
2π
.. 2π
2π
..
4π
.. k
E a a
L
.. a a
2m
Condiciones de frontera periódicas,  (x)   (x  L)
i kL 2π 2π
e 1 k  n n, n   1,  2, ....
L Na
Periodicidad en el espacio recíproco: E(k+g) = E(k). k+g es equivalente a k.
El vector k es indeterminado en un vector g de la red recíproca
π π k

a a
Esquema de Zona Reducida
E
π π

a a
kk
ELECTRONES LIBRES
Esquema de Zona Periódica.
E
Tercera banda
Segunda banda
Primera banda

π π k
a a
ELECTRONES LIBRES EN3D
Ecuación de Schrodinger:
2 2
    E
2m
Soluciones:
 (r)  A e i k  r
2 2
k
E
2m
Condiciones de frontera periódicas
2
 (x, y, z ) =  (x + L, y + L, z + L)
k2 L
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . 2 ei(k1 L)  ei(k2 L)  ei(k3 L)  1
L
. . . . . . . . . .
. . . . k
. q. . . . . k1 , k 2 , k 3   ( 2π m, 2π n, 2π p)
L L L
. . . . . . . . . . k1
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . Número de estados con
vector de onda entre 0 y k :
3
 L  4π 3 V 4π 3
  k  k
 2π  3 2π 3
3
ENERGÍA DE FERMI
(2) V 4π 3
N kF
2π  3
2
L 3
. . . . . . . . . .
. . .EF . . . . . . . 2
. . . . . . kF. . . . L
. . . . . . . . . . k F  (3  n)
2 1/ 3
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . .
. . . . . . . . . . 2
. . . . . . . . . . 
EF  (3  n)
2 2/3
2m
Densidad de Estados
Número de estados con vector de onda entre k y k + dk :
V 2 g(E)
g(k) dk  4π k dk
2  3
Número de estados con vector

de onda entre E y E + dE
E
(2)V
g (E) dE  4π k 2
dk
2  3
V  2m 
3/ 2
g (E)  2  2 
E1/ 2
1/2
 2m  2   
k   2  E1/2
 
3N
 2m 
2k dk   2  dE g(E F ) 
  2E F
Teorema de Bloch
• Las funciones de onda espaciales de un electrón en un
cristal (potencial periódico) son de la forma:
n k (r)  ei k r u nk (r)
donde:
u nk (r  R)  u nk (r)
PRUEBA:
2
En la ecuación de Schrodinger  
2  V(r)  E ...(1)
2m
V(r  R)  V(r)  V(r)   Vg e igR

...(2)
g
CFP  (r)   cqeiqr ...(3)

q
Teorema de Bloch
Obsérvese que el término V(r )  (r ) en la ecuación (1) será:
 ig . r  i q. r 
V(r)(r)    Vg e   cq e 
 g  q 
V(r)(r)   Vgcq ei(gq) . r   g q ' g
V c ei q '. r
  g ' q g '
V c ei q. r
gq g q' g 'q
Reemplazando (2) y (3) en (1) tendremos entonces la ecuación de

Schrodinger en la forma:
  2

q e   2m q  E  cq 
iq.r 2
V g' cq  g '  0
  g'
Puesto que las funciones ei q . r son linealmente independientes,

tendremos para cada q una ecuación así:  2 
 q 2
 E  cq  V g' cqg '  0
 2m  g'
Teorema de Bloch
Cualquier q siempre puede ser escrito como k - g donde k está en la PZB
y g es cualquier vector de la red recíproca. Luego:
 2 
 (k  g)  E ck g   Vg ' ck gg '  0
2
 2m  g'
Cambiando el nombre de los índices: g’ = g’ - g
 2 
 (k  g)  E ck g   Vg 'g ck g '  0
2
Ecuación A
 2m  g'
Enfatizamos que ésta es simplemente la ecuación de Schrodinger en el

espacio recíproco. Cada valor de energía esta asociado con c k
y todos los coeficientes ckg donde g es cualquier vector de la red
recíproca. Luego:
k (r)   ck g e i (k g )r
e ik.r
c k g e i gr i k.r
 e uk (r). Lqqd
g g
MODELO DE ELECTRONES CASI
LIBRES
 2  Ecuación A

2m
(k  g)  E  ck g 
2
V g 'g ck g '  0
  g'
Potencial periódico nulo, Vg = 0

 2 
 (k  g) 2  E  ck g  0
 2m 
2 2 2
EE ( 0)
k -g , E (k - g)2 , E q
2m 2m
ck -g  1, si q  k - g
q (r)  Aeiq.r
ck -g '  0, si q  k - g'
LIBRES
(0) (0)
Caso no degenerado: Ek-g - Ek-g 1
 V, g  g1
E  E  c (0)
k -g1 k g 1   Vgg 1 ck g Ecuación A1
g
E  E  c
(0)
k -g k g  Vg1 -g ck - g1  V g 'g ck g ' Ecuación A2
g ' g1
Vg1 -g ck - g1 Vg 'g ck g '

ck g  
 (0)
E  E k -g 
g 'g1 E  E (0)
k -g 
Puesto que V es pequeño, esperamos: ck -g1  1, y ck -g  0, si g  g1
Vg1 -g ck - g1 2 Ecuación B
ck g   0(V )
 (0)
E  E k -g 
LIBRES
Caso no degenerado:
(0)
Ek-g 1
- E (0)
k-g  V, g  g1
Reemplazo ecuación B en ecuación A:
Vg g 1 Vg1 g
E  E  c
(0)
k -g1 k g 1 
EE (0)
3
ck g1  0(V )
g k -g
Vg g 1 Vg1 g
EE (0)
k -g1   0(V3 )
g E  Ek(0)-g
Los niveles no degenerados no cambian apreciablemente
LIBRES
Caso Casi Degenerado:
(0) (0)
Ek-g i
- E k-g j  V, si i, j  1, m.
(0)
Ek-g i
- E (0)
k-g  V, si g  g1,g 2 ,...g m
E  E  c
m
(0)
k -g i k g i   Vg j g i ck g j  V g g i ck g , i  1, 2, ... m Ecuación A1
j1 g  g1 , g 2 ,..g m
E  E  c
m
(0)
k -g k g   Vg j g ck g j  V g 'g ck g ' , g  g1 , g 2 ,... g m Ecuación A2
j1 g ' g1 , g 2 ,..g m
1 m
ck g 

E  E k(0)-g   g1 -g k - g1
V
j 1
c  0(V 2
) Ecuación C
LIBRES
E  E  c
m
(0)
k -g i k g i   Vg j g i ck g j  V g g i ck g , i  1, 2, ... m Ecuación A1
j1 g  g1 , g 2 ,..g m
1 m
ck g 

E  E k(0)-g   V
j 1
c
g1 -g k - g1  0(V 2 )
Ecuación C
Reemplazo la ecuación C en A1:
Vgg i Vg j g
E  E  c
m m
  Vg j g i ck g j   (  E  E 
(0)
k -g i k g i (0)
)ck g j  0(V 3 ) , i  1, 2, ... m
j1 j1 g g1 , g 2 ,..g m k -g
LIBRES
En una aproximación de primer orden los desplazamientos respecto al potencial
cero se calculan a partir de:
E  E  c
m
(0)
k -g i k g i   Vg j g i ck g j , i  1, 2, ... m
j1
Matricialmente, por ejemplo, para m = 4:
E  E k(0)-g 1 - Vg 2 g 1 - Vg3 g 1 - Vg 4 g 1  ck -g 

 (0)
 1 
- Vg1 g 2 E  E k -g 2 - Vg3 g 2 - Vg 4 g 2  ck -g 2 
    0
- V
 g1 g 3 - Vg 2 g 3 E  E (0)
k -g 3 - Vg 4 g 3  ck -g3 
 (0)  c
- Vg1 g 4 - Vg 2 g 4 - Vg3 g 4 E  E k -g 4   k -g 4 
LIBRES
E
E  E (0) - V 
 k g  c k 
  c k - g   0
(0)
- Vg E  Ek -g   
 
E
(0)
E E
k
(0)
k g

E
0
k g E 0 2
k  4 V g
2

2 2
(0)
E  E k  Vg
(0)
Eg E  E k  V 2
( )
π π a

a a
kk E g  2 V 2
( )
a
LIBRES
E
E  E (0) 
 k  g - V2 g  c k  g 
    0
- V2 g (0)  c k  g 
E  Ek g
 
Gap 2
E  Ek(0)g  V2g
π π kk EE (0)
k g  V 4
 ( )
a a a
MODELO DE ELECTRONES CASI LIBRES
k
Interpretación de Bragg
Cerca de la frontera de zona de Brillouin: λ  2a

2dsenθ  n
La superposición de ondas incidentes y reflejadas produce ondas

estacionarias seno y coseno con diferentes valores de energía

 ( x)  B Cos x
a

 ( x)  BSen x
a
MODELO DE ELECTRONES
FUERTEMENTE LIGADOS
La molécula H 2 : -
+ Niveles de energía
+
1
1  2  1
 
2   1  2 
2
N núcleos y un solo electrón
-
+ + + + + + + + +
N funciones de onda para N

niveles de energía
N funciones de onda para

un solo nivel de energía
FUERTEMENTE LIGADOS
Cuando hay N iones y un solo electrón cada nivel atómico da
lugar a N niveles de energía, los cuales constituyen una banda
de energía.
FUERTEMENTE LIGADOS
a) Potencial periódico
b) Funciones de onda atómicas
c) Funciones de onda atómicas multiplicadas por onda plana
FUERTEMENTE LIGADOS
Escojamos una función de onda que satisfaga el teorema de Bloch y que
se reduzca a una función de onda atómica para valores de x cerca de cada ion
1 N i kXj
 k (x)  1/2  e ν (x  X j ) Ec (1)
N j1
Satisface el teorema de Bloch
1 ikx N -i k( x-X j )
 k (x)  1/2 e  e ν (x  X j ) Ec (1a)
N j1
Cerca del j-ésimo ion se comporta como un orbital atómico:

i kX j
 k (x)  e ν (x  X j )   ν (x  X j ) Ec (1b)
FUERTEMENTE LIGADOS
Cálculo de la energía
E(k)   Ψ*k H Ψ k dx
E(k)  Ψ k H Ψk Ec (2)
Reemplazando Ec (1) en Ec (2):

1
E (k)   e
i k(X j  X 'j )
ν (x  X j' ) H ν (x  X j )
N j, j'
N 1
j
2

i k Xj
E (k)  e ν (x) H ν (x  X j )
N
Ec (3)
j 
2
FUERTEMENTE LIGADOS
Cálculo de la energía
N 1
j
2

i k Xj
E (k)  e ν (x) H ν (x  X j )
j 
N Ec (3)
2
E (k)   ν (x) H ν (x)   e

' i kXj
ν (x) H ν (x  X j ) Ec (4)
j
2 d2
H -  V(x)
2 m0 dx 2
V(x)   v (x - X j )
j
V(x)  v(x)  V' (x)

FUERTEMENTE LIGADOS
Primer término de la ecuación (4)
 2 d 2 
ν (x) H ν (x)  ν (x)  2
 v( x) ν (x)  ν (x) V' ( x) ν (x)
 2m0 dx 
β  -   (x) V' ( x) ν (x)

*
ν (x) H ν (x)  E   Ec (4a)

FUERTEMENTE LIGADOS
Segundo término de la ecuación (4), considerando sólo vecinos más cercanos

' i k Xj
e ν (x) H ν (x  X j )  eika ν (x) H ν (x  a)  e-ika ν (x) H ν (x  a)
j
 2 d 2 
ν (x) H ν (x - a)  ν (x)  2
 v( x  a )  ν (x - a)  ν (x) V' ( x  a) ν (x)
 2m0 dx 
  -  * (x) V' ( x  a) ν (x - a) Integral de traslape
E(k )  E    2 Cos ka Ec (5)

FUERTEMENTE LIGADOS
ka
E (k )  E 0  4  sen ( )
2
E0  E    2 
Ek  E0  γ a 2k 2
FUERTEMENTE LIGADOS
Caso 3 dimensional: banda s de un sólido con estructura fcc monoatómica
e
ik R 0j
Es (k)  Es   - γ
j, vecinosmás cercanos
a
 2 (i  j)

a
k  (k x , k y , k z ) y R 0   (k  j)
2
a
 2 (i  k )
  k xa   k ya   k ya   k za   k za   k x a 
Es (k )  Es    4 Cos  Cos   Cos  Cos   Cos  Cos 
  2   2   2   2   2   2 
Es (k )  Es    12  γ k a 2 2
MODELO KRONIG PENNEY
0, si x  0, b v

V(x)  - V0 , si x  b, a 
V(x)  V(x  n a)

b
 2 d 2
-  V(x)   E 
2 m dx 2 x
-V0
c
aa
d 2 d 2
  2   0 , si x 0, b   2   0 , si x  b, a 
dx 2 dx 2
1/2 1/2
2mE  2 m (E  V0 ) 
α  β 
 2   
    2 
d 2 d 2
  2   0 , si x 0, b   2   0 , si x  b, a 
dx 2 dx 2
Ψ k (x)  e ikx u k (x)
Ψk (x)  eikx u1k (x) Ψ k (x)  e ikx u 2k (x)
d 2u 1 du 1
 2i k  (k 2  α 2 ) u 1  0 , si x 0, b
dx 2 dx
d 2u 2 du 2
 2i k  (k 2  β 2 ) u 2  0 , si x b, a 
dx 2 dx
d 2u 1 du 1
 2i k  (k 2  α 2 ) u 1  0 , si x 0, b
dx 2 dx
d 2u 2 du 2
 2i k  (k 2  β 2 ) u 2  0 , si x b, a 
dx 2 dx
Caso 1: Si E>0
u1 (x)  A e i(α - k)x  B e -i(α  k)x , si x 0, b
u 2 (x)  C e i(β-k)x
 De -i(β k)x
, si x  b,a 
Usando como condiciones de frontera la continuidad de la función y
su derivada en x = 0 y en x = b
A BCD  0
iα - k  A  i α  k B  iβ - k  C  iβ  k  D  0
A ei(α - k)b  B e -i(α  k)b  C e -i(β - k)c  De i(β  k)c  0
iα - k  A e i(α - k)b  i α  k B e -i(α  k)b  iβ - k  C e -i(β - k)c  iβ  k  De i(β  k)c  0
Los coeficientes A,B, C y D se encuentran resolviendo estas ecuaciones
simultáneas y la solución existe sólo si el determinante de sus
coeficientes es nulo, lo cual implica:
 α 2  β 2 
 
 Sen α b Sen β c  Cos  b Cos  c  Cos k (b  c) (Sol. 1)
2α β
Caso 2: -V0 < E < 0
El procedimiento es igual pero α es imaginario y podemos escribirlo así:
α  iγ
Y teniendo en cuenta que:
Cos (i x)  Cos h x y Sen (i x)  i Senh x

Puede deducirse que habrá solución no trivial para A,B,C y D sólo si:
 γ 2  β 2 
 
Senh γ b Sen β c  Cosh γ b Cos β c  Cos k a .... (Sol. 2)
2γ β
Ambas, Solución 1 y Solución 2 son de la forma:
f (E)  Cos k a
Esto significa que dado un valor de k podemos hallar el correspondiente E
Para ver cualitativamente la existencia de bandas prohibidas y permitidas

reescribimos ambas soluciones en las formas:
1/2
 (α  β )
2 2
2 
1  4α 2β 2 Sen α b Cos ( β c - δ1 )  Cos k a
 
1/2
 (β 2  γ 2 ) 
1  2
Senh γ b Cos ( β c - δ 2 )  Cos k a
 4β 2 γ2 
 
Donde:
α2  β2
Tan δ1  - Tan α b , si E  0
2α β
γ 2  β2
Tan δ2  - Tanh γ b , si - V0  E  0
2γβ
1/2
 (β  γ )
2 2

1  Senh 2
γ b  Cos ( β c - δ 2 )  Cos k a , si E  0
 4β 2 γ 2 
f(E) MODELO
f(E) = KRONIG
1/2
PENNEY
 (α 2  β 2 ) 
2
1  Sen α b Cos ( β c - δ1 )  Cos k a si - V0  E  0
 2
4α β 2 
 
2π 2π
k k
a a
E = - V0 E=0 E
π 3π
π k k
k a a
a
Para resolver exactamente E vs k puede procederse del siguiente modo:
1) Asegurarse de tener los datos V0 (en eV), a y c (en angstron) .
2) Tomar 2000 valores de energía E en el intervalo (- V0 , V0) y para cada
uno de ellos escribir los valores de β y (α ó γ ) .
3) Reemplazar β y ( α ó γ ), así como a, b y c en la solución (1) o
solución (2). De este modo se obtiene f (E).
4) Para los valores de f(E) en el intervalo (-1,1) tome arco cos f ( E ) y

así podrá obtener k. Con lo cual habrá obtenido un punto de la relación de
Dispersión E vs k).
Otros métodos de cálculo de bandas
El método celular
El método de ondas planas aumentadas
El método del seudo potencial

EL MÉTODO CELULAR
Resuelve la ecuación de schrodinger en una zona de Brillouin con

Condiciones de frontera:
(r)  e-ik.R (r  R)
nˆ (r )  (r)  -e -ik.R nˆ(r  R)  (r  R)
En la publicación original para calcular el estado de más

baja energía de la banda 3s del sodio se aproximó la celda
WS a una esfera y se resolvió el problema como si fuera un
problema atómico pero con condiciones de frontera :
 0, (r0 )  0
SUPERFICIES DE FERMI
La superficie de Fermi es definida como la superficie en el espacio k dentro de la
cual todos los estados están ocupados por electrones de valencia a 0K. Todos los
estados fuera de la esfera de Fermi están vacíos.
Método de Harrison: Una técnica para construir superficies de Fermi de metales.
En primera aproximación consideramos que los electrones son libres. Las superficies
De Fermi son esferas. Si salen de la PZB usamos dos o mas bandas.
3ZB
1ZB
2ZB
¿ Cómo puede pasarse de las superficies de Fermi para electrones libres a
las de electrones casi libres?
a) El potencial del cristal redondea las esquinas afiladas de las

superficies de Fermi.
(b) La mayor parte de las superficies de Fermi cortan perpendicularmente

a los límites de la zona.
(c) La interacción del electrón con el potencial periódico del cristal

origina la aparición de bandas prohibidas en los límites de la zona.
d) El volumen total encerrado por la superficie de Fermi depende

solamente de la concentración electrónica y es independiente de los
detalles de la interacción con la red.
CONDICIÓN DE LAUE
k
g/2 g
frontera de zona
de Brillouin
A diferencia de los experimentos de
DRX con un haz monocromático, k´  k  g  2 k . g
2 2 2
todos los electrones están expuestos a

experimentar una reflexión de Bragg, 2 k . g  g2
pero sólo la experimentarán aquellos
que satisfacen la condición de Laue.
Estos son los que están en las g 1
fronteras de las ZB. La difracción de k.  g
Bragg, a su vez, origina la aparición de g 2
bandas prohibidas
Problema 5.14 de Omar: Recordando que para un gas de electrones libres:
k F  (3  2n)1/ 3
a) Cuando la concentración de electrones aumenta, la esfera de Fermi se expande.
Demostrar que esta esfera empieza a tocar las caras de la PZB en una red fcc cuando
La relación entre concentración de electrones y de átomos es n/na = 1,36
b) Suponga que algunos de los átomos en un cristal de cobre que tiene estructura
fcc monoatómica son gradualmente reemplazados por átomos de zinc.
Considerando que el zinc es divalente y el cobre monovalente, calcular la
razón de
átomos de cobre a átomos de zinc en una aleación CuZn (bronce) a la cual la
esfera de Fermi toca las caras de la zona. ( El bronce experimenta un cambio
estructural a esta razón de concentraciones)
Problema 5.14 de Omar: Recordando que para un gas de electrones libres:
k F  (3  2n)1/ 3
a) Cuando la concentración de electrones aumenta, la esfera de Fermi se expande.
Demostrar que esta esfera empieza a tocar las caras de la PZB en una red fcc cuando
La relación entre concentración de electrones y de átomos es n/na = 1,36
b) Suponga que algunos de los átomos en un cristal de cobre que tiene estructura
fcc monoatómica son gradualmente reemplazados por átomos de zinc.
Considerando que el zinc es divalente y el cobre monovalente, calcular la
razón de
átomos de cobre a átomos de zinc en una aleación CuZn (bronce) a la cual la
esfera de Fermi toca las caras de la zona. ( El bronce experimenta un cambio
estructural a esta razón de concentraciones)
Solución: La esfera comienza a tocar a la PZB cuando kF 

a
3

Reemplazando este valor en la fórmula del enunciado se obtiene: n
a3
3
Mientras que na = 4/a3

SUPERFICIES DE FERMI DE ALGUNOS
METALES
Ver tabla de superficies de Fermi en archivo de internet

FUNCIONES DE DISTRIBUCIÓN
• En el estado fundamental, es decir a OK los

N electrones en un cristal ocupan los N
estados de energía más baja, pero ¿qué pasa
a una temperatura T ?
La Distribución Maxwell Boltzmann(*)
• Dado un sistema de N partículas como las moléculas de un gas en un
recipiente, el número de partículas en un nivel de energía Ei, con
degeneración gi es:
Ni  A g i e- Ei /KBT
donde A es una constante de normalización y KB es la constante de Boltzmann
Si la densidad de estados es g(E), entonces:
Número total de partículas N  A e-E/KBT g(E) dE
Etotal  A E e-E/KBT g(E) dE

Energía total del sistema de partículas
Es válida para N partículas distinguibles que no obedecen principio de exclusión de
Pauli
(*) Ver: Solid -State and Semiconductor Physics por J.P. McKelvey
Estadística Fermi Dirac
• La probabilidad de que un estado de energía E sea ocupado por un
electrón a una temperatura T es:
1
f (E) 
e(E-μ)/KBT  1
donde μ es el potencial químico (depende de cada material) y KB la constante
universal de Boltzmann.
Número total de partículas N   f(E) g(E) dE
Energía total del sistema de partículas Etotal   E f(E) g(E) dE
Es válida para N partículas indistinguibles que obedecen principio de exclusión de

Pauli
f (E)
INTEGRALES QUE INVOLUCRAN FERMI
 
f
0 f(E) h(E) dE  H(E) f(E)  0 H(E) E dE

0
E
H (E )   h(E)dE
0
1
H ( E )  H(  )  (E -  ) H´( )  ( E   ) 2 H ´´( )
2

 2 ( K BT )2  h 
 f(E) h(E) dE  H( ) 
0
6  E 
E 

f  2 ( K BT ) 2  2H 

0
H(E) (- )dE  H(  ) 
E 6  E 2 
  E 
Dinámica Semiclásica de los electrones
en un cristal
¿Cómo se comportan los electrones de un sólido
cristalino en presencia de campos externos?
1. Permanecen en su banda, n es constante
2. Un electrón con vector de onda k y energía En(k) tendrá

1
v  k E

2. Obedecen la segunda ley de Newton en la forma:
dk
F
dt
Límite de validez del modelo semiclásico
Los electrones obedecen la dinámica semiclásica con la condición

de que los campos E y B no sean muy intensos. En la práctica esto
significa:
2
 E gap (k) 
e  a <<
EF
2
 E gap (k) 
c <<
EF
eB
c 
m
a es el parámetro de red
en un cristal
mv k
1 dE
v
 dk
v (-k )  - v (k )
v se puede interpretar como la velocidad de grupo de un paquete de
funciones de onda con k en el intervalo k  k
en un cristal
mv k
1
v  k E

v (-k )  - v (k )
v también se puede interpretar

como el valor esperado del
operador i  para una función de
m
Bloch
en un cristal
Segunda ley de Newton y momentum cristalino
dE(k )
 e ε  v
dt
dE(k ) 1
 e ε  k E (k )
dt 
dE(k ) dk
 k E(k ) 
dt dt
dk
  eε
dt
en un cristal
Masa efectiva de un electrón en un
cristal
dv
a
dt
dv dk
a
dk dt
1 d2E
a 2 2 F
dk
2

m  2
dE
dk 2
en un cristal
Masa efectiva de un electrón en un
cristal
dv
a
dt
dv dk
a
dk dt
1 d2E
a 2
F
 dk
2

m  2

dE
dk 2
TENSOR MASA EFECTIVA
1
v  vg  k E
  v x v x v x   dk 
 dv x     x
 dt 
   k x k y k z 

dt

dv
 y  v y v y v y   dk y 
 dt   
dvx  v x dkx v x dky v x dkz  k x k y k z   dt 
        dk z 
dt  k x dt k y dt k z dt dv
 z 
 vz vz vz 
 dt   k x k y k z   dt 
  2E  2
E  2
E 
 2
 k X k x k y k x dk z 
 2 2 2

 
m  12 
1  E 
 k x k y k y
E
2
 E 
k z k y 
 
 E2
E E 
2 2
 2 
 k x k z k z k y k z 
CONCEPTO DE HUECO
Es una seudopartícula cuyas propiedades físicas son equivalentes a las de
todos los electrones de una banda con todos los estados ocupados
excepto uno.
El vector de onda del hueco es : kh   ke
La energía del hueco es: Eh (k h )   Ee (k e )
La velocidad del hueco es: vh (k h )  ve (k e )

* *
m (k
La masa efectiva del hueco es: h h )   m e (k e )
La carga eléctrica del hueco es: qh = e

CONCEPTO DE HUECO
Ee Eh
kh
Eh (kh)
Ee(ke) Ke Kh
ke
kh   ke Eh (k h )   Ee (k e ) vh (k h )  ve (ke ) m*h (k h )   m*e k e 

CONCEPTO DE HUECO
Ee Eh
ε kh
ke
dk h dk e
    eε  La carga eléctrica del hueco es positiva
dt dt
Conductores, semicondutores y aislantes
BC
BC gap
gap
BV BV
BV
Conductores semicondutores aislantes

Conductores semicondutores y aislantes
(a) aislantes, (b) metal o semimetal, (c) metal

Concentración de portadores en
semiconductores intrínsecos
 2k 2
E c (k )  E g 
E(electrones) 2m*e
 2k 2
E v (k ) 
2m*h
3/2
1  2m e 
g e (E)  2  2 
2π   
E  E  g
1/ 2
3/2
1  2m h 
g h (E)  2  2  E1/ 2
2π   
E(huecos)
E C2 EV 2
n  f (E) g(E) dE
E C1
p f h (E) g h (E) dE
EV 1
3/2 
1  2me  EF/K BT
 E  E 
1/ 2  E/K BT
n  2 2  e g e dE
2π    Eg

 1/2
 e dx 
1/ 2  x
x
0 2
3/2
 me k BT  E F /K BT Eg /K BT
n  2 2 
e e
 2π 

p   f h (E) g h (E) dE
0
1 1
f h  1  f (-E)  1 -   e E F /K BT e-E/KBT
e-E-E F /K BT  1 e(EF  E)/KBT  1
3/2
1  2m h 
g h (E)  2  2 
E1/ 2
2π   
3/2
m k T
p  2  e B 2  e-E F /K BT
 2π 
np
1 3  mh 
E F  Eg  K BT Ln 
2 4  me 
1/T
3/2
 k BT 
ni  2  2 
me mh 
3/4
e
 E g /2K BT
2π 
Estados de Impurezas
e2
V(r)  
4π ε r ε 0 r
1  me   - m0 e 4 
Ed  2   
me ε r  m0   2(4π ε 0) 2 
ε r  10 ,  0,2
m0
Ed  0,01eV
1  m h   - m0e 4 
E a  2   
ε r  m0   2(4π ε 0) 2 
Ordenes de magnitud:
Ea  0,01 eV
semiconductores extrínsecos
3
 k T 
n p  4  B 2  me m h  e g B
3/2  E /K T
2π 
2
np  n i
semiconductores extrínsecos tipo n
n i2
n  Nd  p
Nd
semiconductores extrínsecos tipo p

n i2
p  Na  n 
Na
CONDUCTIVIDAD
ELÉCTRICA DC

FC UNI
Octubre 2013
ARTURO TALLEDO
Doctor en Física
MODELO DE DRUDE
Si no hay campo eléctrico los electrones se mueven con velocidades del

orden de hasta 106 pero en direcciones al azar de modo que en promedio v = 0
ε vd
En presencia de un campo eléctrico constante los electrones adquieren

una velocidad constante, conocida como velocidad de arrastre, v d .
MODELO DE DRUDE
dv
m qε
dt
q
v  ε t, entre t  0 y t  τ
m

En t = τ los electrones chocan con “iones” y regresan a v = 0
Entonces, en promedio los electrones viajan con velocidad :
q drift velocity o
vd  ετ
2m velocidad de arrastre
MODELO DE DRUDE
dv mv
m qε-  qτ 
dt τ v  m ε  t
 
Ln -
dv q v qτ τ
 ε-  ε
dt m τ m
qτ
dv 1 qτ  v ε ( 1 - e - t/τ )
 - v  ε m
dt τ m 
Si t >> τ
dv 1
- d t
 qτ  τ
v  m ε qτ
  v ε , velocida d constante
m
MODELO DE DRUDE
J  nq v d
vd q 
t=0 J  nq  τ  ε
m 
vd Δt
v d Δt
vd
J  σε
t = Δt
n A v d t q n e2
I σ
m
τ
t
MODELO DE SOMMERFELD
Se basa en la descripción cuántica del movimiento de electrones libres
(gas de Fermi)
Si no hay campo eléctrico externo, los electrones con k < kF se distribuyen
simétricamente dentro de la esfera de Fermi. En presencia de un campo
eléctrico, la esfera de Fermi se desplaza.
δk
m vd
δk 

MODELO DE SOMMERFELD
Sólo contribuyen a la conductividad eléctrica los electrones llevados fuera
de la esfera de Fermi por el campo eléctrico.
J  n ef q v F
4π k 2 δk vd
1 F n ef  n
n ef  n
3 4π 3 vF J  nq v d
kF n e2
3 σ τ
m
Conductividad vs temperatura en metales
Si el cristal fuera perfecto no habrían choques de los electrones
con la red. Los choques se producen por las impurezas y por
losfonones.
Conductividad vs temperatura en metales
n e2 n e2
σ τ σ τ
m m
n e2 m 1 ρ
m 1
( 
1
) ρ  ρi  ρfon
σ τ ρ 2
m n e2 τ n e τi τ fon
Conductividad eléctrica en
semiconductores
n e2
σe  τe
m
n e2
σh  τh
m
σe  n e μ e
ve e τe
μe   μe 
ε me σh  n e μ h
vh eτ
μh   μh  h
ε mh σ  (n e μe  p e h )
Conductividad vs temperatura en
σ  n i e ( μ e  h )
ni depende de la temperatura exponencialmente

μe y h
( μe  h ) depende de la temperatura
polinomialmente
Prevalece el comportamiento exponencial
σ  f (T) e-Eg/ 2 KB T
Conductividad vs temperatura en
σe  n e μ e
En un amplio rango de temperatura n = Nd se

mantiene constante. Los cambios de σ con la
temperatura se deben a la movilidad.
- σe  n e μ e
e e
μe   e  T -1
me
e e
μe 
μ e  T -3/2
-
me v r
1 -2 3
me v r  K B T
2 2
e e
μe 
m1/2
e (3 K B T )1/2
EFECTO HALL
Si sobre una muestra por la que circula corriente eléctrica se aplica un campo
magnético perpendicular a la corriente, entonces, aparecerá una diferencia de
potencial en la dirección perpendicular a ambos. Sirve para determinar el tipo de
portadores en semiconductores.
εH εH
εH εH
q (vd  B  ε H )  0 ε H  vd B
Jx
1 vd 
ε H  vd B εH  - Jx B pe
ne 1
εH  Jx B
Jx pe
vd  -
ne 1 1
RH  - RH 
ne pe
EFECTO HALL
q (vd  B  ε H )  0
FLe  - e (ve  B)  e ve B
J y  n e μ e ε Le  p e μ h ε Lh  (n e μ e  p e μ h ) ε H
ε Le   ve B Je n e

Je B Jx n e  p h
ε Le 
ne
pμ 2h  nμ e2
ε Lh 
- Jh B R
pe e(nμ e  pμ h ) 2
RESONANCIA CICLOTRÓNICA
mω 2 r  - e v B
e
ωc  B
m *
ωc
υc   2,8B GHz
2π
B en kilogauss
La resonancia ciclotrónica es comúnmente

usada para medir la masa efectiva del electrón
en metales y semiconductores
RESONANCIA CICLOTRÓNICA
dk
La trayectoria no es necesariamente   - e v(k )  B
una circunferencia: dt
e
δk - v (k )  B δ t

:  δk

T  δt 
eB  v (k )
v( k) es la velocidad normal a la órbita
2πeB
ωc 
δk
 v (k )
Para electrones libres regresamos a:

e
ωc  B
m *
EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA
 d 1
m    v   e (E  v  B )
 dt τ 
 d 1
m    v x   e (E x  B vy )
 dt τ 
 d 1
m    v y   e (E y  B vx )
 dt τ 
 d 1
m    vz   e Ez
 dt τ 
EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA
eτ eτ eτ
vx  - E x  ωc τ v y vy  - E y  ωc τ v x vz  - Ez
m m m
 E x  1 ωc τ 0   vx 
eτ      
  E y    - ωc τ 1 0   vy 
m      
 Ez   0 0 1   vz 
EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA
 Jx   vx 
   
 Jy   n e  vy 
   
 Jz   vz 
-1
 Jx  1 ωc τ 0   Ex 
  ne 2 τ    
 Jy    - ωc τ 1 0   Ey 
  m 0   
J
 z  0 1   Ez 
EFECTO HALL Y
MAGNETORESISTENCIA
 Jx  1 - ωc τ 0   Ex 
  σ0   
J
 y  2  ωc τ 1 0   Ey 
  1  ( ω c τ )   
J
 z 0 0 1  ( ωc τ ) 2   E z 
σ0
Jy  0   c E x  -E y ; J x  (E x   c E y )  J x  σ 0 E x
1  ( ωc τ ) 2
La resistividad es independiente del campo magnético

Jx 1
E y  - ωc τ E x  - ωc τ 2
 - JxB
ne τ/m ne
ρ(B)  ρ 0 1
RH 
ne
MAGNETORESISTENCIA
PROPIEDADES TÉRMICAS
DE SÓLIDOS

FC – UNI JUNIO 2014
ARTURO TALLEDO
Doctor en Física
Calor Específico de sólidos
(definición)
El calor específico molar es definido como:
ΔQ
C
ΔT
donde Q es el calor requerido para elevar en  T la temperatura de una
mol del sólido.
Recordando la primera ley de la termodinámica: Q   E  P V

y puesto que en sólidos el proceso se realiza aproximadamente
a volumen constante, tendremos:
 E 
C 
 T  V
Calor Específico de sólidos
(Evidencia experimental)
El calor específico molar depende de la temperatura en la forma
mostrada en la figura:
A altas temperaturas el valor CV de cualquier sólido es aproximadamente

3R donde R es la constante universal de los gases (R  2 cal/K) (Ley de
Dulong y Petit). Al disminuir T, el calor específico también decrece hasta
hacerse cero a 0K.
Modelo clásico
• Cada átomo es un oscilador tridimensional

• En un sólido con N átomos tenemos 3N
osciladores unidimensionales.
• Los osciladores son independientes
• Pueden tener valores continuos de energía
• Obedecen la estadística de Boltzmann.
Calor Específico de la red
(modelo clásico)
Cada átomo está fijo a un punto de red oscilando
como un oscilador armónico simple
Recordamos de Física elemental que la energía promedio para un
oscilador unidimensional es
E prom  k B T
Entonces la energía por átomo, considerado como un oscilador 3D es
3 k B T y la energía por mol es:
E  3 N Av k B T
El calor específico molar a V constante

CV  3 N Av k B  3 R
es entonces:
Modelo de Einstein
• Cada átomo es un oscilador tridimensional
• Los osciladores son independientes
• Sólo Pueden tener valores discretos de
energía E n  n  ω
(modelo de Einstein)
Los átomos son tratados como
osciladores independientes pero
los valores de la energía están
dados por la MECÁNICA CUÁNTICA
En  n  ω

 E n e - E n / K BT
E prom  n  0

e - E n / K BT
n0
ω
E prom 
e ω/K B T  1
 
 En e - E n / K BT
 n  ω e - n  ω / K BT
E prom  n 0

 n 0

e
n0
- E n / K BT
 e
n 0
- n  ω / K BT

 ω  n xn
x  e- ω / K BT E prom  n 0

 x
n0
n

1

d x
 n
x 
1 x
n n x  x dx n x  1  x 2
n n
n 0
ω x ω
E prom   -1 ω
1 - x x -1 E prom 
e ω/K B T  1
ω E
E  3 N Av
e ω E /K B T  1
2
 ω E  e ω E /K B T
C V  3 R  
K
 B T 2
 e ω E /K B T  1
 
 
2
θ  e θ E /T
C V  3 R  E 
 T  2
 e θ E /T  1
 
 
2
θ  eθ E /T
CV  3 R E 
T e θ E /T
1 2
A bajas temperaturas, T << θ E , la expresión para CV se reduce a:
0
2
 θ E  -θ E /T
CV  3 R  e  B(T ) e-θ E /T
T
A altas temperaturas, T >> θ E , la expresión para CV se reduce a:
 3R
2
 θE  1
CV  3 R  2
T  θE 
1   1
 T 
Modelo de Debye
• Pero cada átomo no es un oscilador, sino cada
modo de vibración colectivo, cada fonón es un
oscilador.
• Cada oscilador sólo tener valores discretos de
energía
• Cada oscilador tiene frecuencia diferente.
(Modelo de Debye)
Cada modo de vibración de la red es considerado como
un oscilador cuántico con valores de energía n h ω
 ω
E
e ω/K B T  1
Se usa aproximación de vibraciones

en sólido continuo
3V ω 2
g (ω ) 
2 π 2 v3
s
ω  vs q
-

E  E(ω) g (ω ) d ω
(modelo de Debye)
ωD
3V ω
E ω2 dω
2 3
2 π vs 0 e ω/K T
B 1
La integral es de 0 a un valor ω D tal que:

ωD
 g (ω ) d ω 
 3 N Av  ωD  vs 6  n
2

1/ 3
0
(modelo de Debye)
ωD
3V ω
E  ω2 dω
2 π 2 v3
s 0 e ω/K B T  1
ωD ω/K BT
3V 2 4
ω e
CV 
2 π 2 v3 2  2
dω
s K BT 0  e ω/K B T  1
 
3 θD / T
 T  x4 ex
C V  9R 
 θD


  e x  1
2
dx
0
 
(modelo de Debye)
Para bajas temperaturas, T << θD :

x4 ex 4 π4
  x 
2
d x
15
0  e  1
 
3
12 π 4  T 
CV  R  
5  θD 
Para altas temperaturas, T >> θ D :

2 ωD
3V ω4
CV 
2 π 2 v3s K BT 2 
0   
2
dω 3R
 1   1 
 K B T 
(Teoría exacta)
-
E  E( ) g( ) d ω
E
C V   
  T V
3
L dSω
g( )   
 2π 
 vg
Calor Específico de los electrones
En metales:
C V  Ce  C red
Considerando la contribución electrónica como la de un gas ideal:

3
Ce  R  3 cal/mol K
2
Se esperaría entonces que la capacidad calorífica de los metales sea:
3
CV  3 R  R  4,5 R  9 cal/mol K
2
Sin embargo, el experimento contradice este razonamiento.

Experimentalmente se observa que la contribución de los electrones
al calor específico es sólo 0,01(3/2) R.
No todos los electrones del metal contribuyen al calor específico:
K BT
n ef  N Av
EF
K B T 2
E  N Av
EF
K BT
Ce  2 R
EF
Más exactamente:
 EF
E   E f(E) g(E) dE -  E g(E) dE

0 0
 EF
E   E f(E) g(E) dE -  E g(E) dE f (E) 

1
0 0
e(E -μ)/K BT  1

EF N  EF  f(E) g(E) dE
0
f

E - EF e(E - EF )/KBT
T K BT 2 (e(E - EF )/KBT  1) 2

 E f
Cel 
T
=  E g(E)
T
dE
E - EF
0 x=
K BT

N f
0  EF
T
=  EF g(E) T
dE 
ex

2 2
0
Cel  g(E F ) (K T) x dx
e  1
B 2
x
-

 E f π2 K T
Cel 
T
= 
0
(E - E F ) g(E)
T
dE Ce 
2
NK B B
EF N = n ó N = NAv
INTEGRALES QUE INVOLUCRAN FERMI
 
f
 f(E) h(E) dE  H(E) f(E)   H(E)

0 dE
0 0
E
E
H (E )   h(E)dE
0
1
H ( E )  H( )  (E -  ) H´( )  ( E   ) 2 H ´´( )
2

 2 ( K BT ) 2  h 
 f(E) h(E) dE  H( ) 
0
6  E 
E 

f  2 ( K BT ) 2 2H 

0
H(E) (- )dE  H( ) 
E 6  E 2 
  E 
Cálculo de Cel

 2 ( K BT ) 2  h 
 f(E) h(E) dE  H( ) 
0
6  E 
E 
 
 2 ( K BT ) 2
Etotal   f(E) E g(E)  dE   E g(E)  dE   g ( )  g ( )
0 0
6
 
 2 ( K BT ) 2
n   f(E) g(E)  dE   g(E)  dE   g ( )
0 0
6
 EF
 h(E) dE   h(E) dE   - E H ( E
0 0
F F )
Cálculo de Cel
EF
  2 ( K BT ) 2   2 ( K BT ) 2
Etotal   E g(E)  dE  E F   EF g EF    g ( EF )   g ( EF )
0  6  6
EF
  2 ( K BT ) 2 
n   g(E)  dE    EF g EF    g ( EF )
0  6 
  2 ( K BT ) 2 
0    EF g EF    g ( EF )
 6 
 2 ( K BT ) 2  g ( EF ) 
  EF -  
6  g ( EF ) 
Cálculo de Cel
 1  K BT 2 
  E F 1 - ( ) 
 3 2 EF 
2
Etotal  E total 0  K BT 2 g ( EF )
2
Etotal  2 2
CV   K B T g ( EF )
T 3
 2 KB T
CV  nK B
2 EF
Conductividad térmica de los electrones
H
1 Q
 K
dT H  n c ( T ) v
Δt ΔA dx
K  K e  K fonones
(asi como J  n q v)
1
K e  C Ve v 
3
dT dT
ΔT   vx τ
v, velocidad de los electrones, dx dx
 , trayectoria libre media
dT 1 dT
1π n K T
2 2 H  n v 2x cτ  n v 2 cτ
K e    v F  FB dx 3 dx
3  2 EF 
1
E m v2
F
2 1 dT
H  CVe v 
3 dx
π 2 n K 2B T τ F
K
3 m*
Conductividad térmica vs conductividad
eléctrica de metales
π 2 n K 2B T τ F
K
3 m*
n e2
σ τ
m
K
L Número de Lorentz
T
2
π2  K B 
L   = 2,45  10-8 watt-ohm/grad 2
3  e 
Valores experimentales del numero de Lorentz
L x 108 watt-ohm/grad2
Metal 00C 1000C

Ag 2,31 2,37
Au 2,35 2,40
Cd 2,42 2,43
Cu 2,23 2,33
Ir 2,49 2,49
Mo 2,61 2,79
Pb 2,47 2,56
Pt 2,51 2,60
Sn 2,52 2,49
W 3,04 3,20
Zn 2,31 2,33
Conductividad térmica de la red
dT
H  K
dx
K  K fonones
1
K e  CVfonones v 
3
A bajas temperaturas:
3
1 T
K fonones  234 NK B   vs 
3  D 
A altas temperaturas:
Kfonones  R vs
Resistividad eléctrica vs temperatura en metales
m 1 1
ρ 2
(  ) n A   1
n e τ i τ fon
m 1 A  x 2
ρi  = cte ,
n e 2 τi
1
(Ley de Mathiensen)  n  x2

m 1 1 ω
ρf   T k x2   KB T
n e2 τf 2 e ω/K BT
1
m vF m 2 N  KB
ρf   T ρf  v T
n e2 f ne 2 F
k
Resistividad eléctrica vs temperatura en metales
n e2 n e2
σ τ σ τ
m m
Movilidad vs temperatura en semiconductores
σe  n e μ e
En un amplio rango de temperatura n = Nd se

mantiene constante. Los cambios de σ con la
temperatura se deben a la movilidad.
- σe  n e μ e
e e
μe   e  T -1
me
e e
μe 
μ e  T -3/2
-
me vr
-2
1 3
m e v r  K BT
2 2
e e
μe 
m1/2 3 K T 1/2
e B
Los electrones en el fondo de la BC
obedecen la estadística clásica.
EXPANSIÓN TÉRMICA
Consideremos la anarmonicidad del potencial y supongamos:
U ( x)  c x 2 - g x 3 - f x 4
Calculamos el desplazamiento medio utilizando la distribución de Boltzmann

que da los valores posibles de x según su probabilidad termodinámica.

 U ( x)
dx x e
x  


 U ( x)
dx e

3g
x  k T
2 B
4c
Fenómenos termoeléctricos
Efecto Seebeck
Efecto Peltier
Efecto Thompson
EFECTO SEEBECK
En un circuito formado por dos metales distintos homogéneos, A y B,
con dos uniones a diferente temperatura, T y T+ T, aparece una corriente
eléctrica J, o bien, si se abre el circuito una fuerza termoelectromotriz
(f.t.e.m.) VAB que depende de los metales utilizados en la unión y de la
diferencia de temperatura entre las dos uniones.
material A
T
V T  T
T
material B
ε  Q T VA  QA T
VB - VA  QB - QA  T
V  Q T VB  QB T
V  QB - QA  T
Cálculo de la termopotencia
Velocidad de arrastre de los electrones debido al gradiente de temperatura
1
vQ  vx - v   vx  v   - v dv
2 dx
d  v2  d  v 2  dT 
v Q     v Q     
dx  2  dT  2  dx 
 d v2 e 
vQ   T vd  
6 dT m
k  2 k B  k BT 
 1  d mv 
2
cV Q B Q  
Q    
 
  2e
 3e  d T  2  3ne 6 e  EF 
Drude Sommerfeld
EFECTO PELTIER
El efecto Peltier consiste en el enfriamiento o calentamiento
de una unión entre dos conductores distintos al pasar una corriente
eléctrica por ella y que depende exclusivamente de la composición
y temperatura de la unión.La potencia calorífica intercambiada en la
unión entre A y B es [Biel J. G., 1997]:
Llega calor Sale calor
HA   A J,   QT
HB  B J
H  ( A   B ) J
EFECTO THOMPSON
El efecto Thomson consiste en la absorción o liberación de calor
por parte de un conductor eléctrico homogéneo, con una distribución
de temperaturas no homogénea, por el que circula una corriente
H Q
Coeficiente de Thomson      T
J  T T
Q= termopotencia
EFECTO TERMOIONICO
El efecto termoiónico consiste en la emisión de electrones de un filamento
metálico por efecto de calentamiento.
J T2  T1
amperímetro J S (T2 )
Alto
vacio T1 J S (T1 )
filamento
V
Alto voltaje
Fuente para calentar

filamento
Este efecto se explica calculando la corriente debido a los electrones que
pasan a través de la barrera de potencial 
Nivel de
vacío
 función
trabajo
EF
e  e  d
Jx 
V
 v x (k ) 
V  v x (k ) 2 3
 2 

k E  EF  
v x ( k ) 0  
 L 
d  dk x dk y dk z
Considerando la probabilidad de ocupación según Fermi Dirac.
2e  
Jx   dk y dk z  k x dk x f E k , T 
2  m 
3 k x min
  K B T  Boltzmann
e  
4 3 m  
 2k 2 / 2 mK B T
Jx  dk y e y dk z e  2 k 2 / 2 mK
z B
T


 k x dk x e  2k 2 / 2 mK B T
x
 E F  
 2
 2 m
 
4me
Js  3
K B T  e
2  / K B T
h
Formula de Richardson-Dushman para la corriente de saturación
Corrección por factor de transmitancia cuántica en un potencial escalón.
Js 
4me
h 3
K B T  e
2  / K B T
  K T/E B F  
4 E 1/2 ( E  U ) 1/2
T
E 
2
1/2  (E  U ) 1/2
Corrección a la función trabajo por efecto de un campo eléctrico.
e 3
   
4 0
TEORÍA SEMICLÁSICA DE
CONDUCCIÓN
CAPÍTULO 9

FACULTAD DE CIENCIAS UNI
Noviembre 2013
ARTURO TALLEDO
Dr. EN FÍSICA
FLUJOS DE CARGA ELÉCTRICA Y DE CALOR
Flujo de carga ( Densidad de corriente eléctrica):
d
J   e   3 vn k  f n Ec. (1)
n 4
Flujo de calor:
d
H n  4 3 En   vn k  f n Ec. (2)
fn Se llama función de distribución de no equilibrio

APROXIMACIÓN TIEMPO DE
RELAJACIÓN
En equilibrio:
f n (r, k , t )  f n0 (r, k )  f 0 ( En (k ))
1
f ( En (k ))   E   / K BT
0
e 1
Fuera de equilibrio :
dt 0
d f n (r, k , t )  f (r, k ) Ec. (3)
 n (r, k )
es la fracción de electrones que sufren una colisión y
dt /  también la fracción de electrones que emergen hacia r, k
Cálculo de la función de
distribución de no equilibrio
dV d
dN  f n (r , k , t )
4 3
dV d dt´ f n0 rn (t´), kn (t´) Pn (r , k , t; t´)

t
4 3 
dN 
 n rn (t´), kn (t´)
t
dt´ 0
fn   f (t´) P(t , t´)

 (t´)
P(t,t´) es la fracción de electrones que emerge en tý sobrevive hasta t

La fracción P(t,t´)
 dt´ 
P(t , t´)  P(t , t´ dt´) 1  
  (t´) 
 P(t , t´) P(t , t´)


t´  t´
P(t , t )  1
 
 t  
 dt 
P(t , t´)  exp   
 t´   
  t  
  
Cálculo de la función de distribución de
no equilibrio
t 
f (t )   dt´ f (t´) P(t , t´)
0
 t´
t
d 0
f (t )  f t    dt´ P(t , t´)
0
f (t´)

dt´
d f 0 (t´) f 0 En k n f 0 T rn f 0  rn

  
dt´ En k t´ T r t´  r t´
t   f 0
   E   
f (t )  f   dt´P(t , t´) 
0
 v   -eE-μ    T  
 E    T   

SIMPLIFICACIÓN DE LA FUNCIÓN DE NO
EQUILIBRIO PARA CASOS ESPECIALES
1) Campos eléctricos y gradientes de temperatura débiles
2) Campos electromagnéticos y gradientes de temperatura

espacialmente uniformes
3) Tiempo de relajación dependiente de la energía
t
 f 0  
f (k, t )  f 0   dtét t´/ E k     vk t´ 
  E  
 E  
 -eε-μ    T 
  T  
Ec. (4)
CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA DC
Si B = 0, T= constante, μ = constante, la ec. 4 se reduce a :
 f 0

f (k )  f (k )  e ε  vk  ( E(k )  
0
 Ec. (5)
 E 
d
J   e  vk  f
4 3
d  f 
 vk  vk  E k    ε
2
J  e
4 3
 E 
  n
 ( n)
d  f 
 (n)
 e 2
  En k  v n k  v n k   
3 n
4  E  E  En k 
CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA DC
d  f 
  e 2
  E k  vk  vk   
4 3
 E  E  En k 
 f  1 
vk      f ( E (k ))
 E  E  En k   k
d  1  f ( E (k )) 
  e 2
  E k  vk    
4 3
  k  E  E n k 
Teorema apéndice I  dV u v   dV v u
d  
  e  ( EF ) 
2
f ( E (k ))  ( v(k ) 
4 
3
 k 
EQUIVALENCA DE ELECTRONES Y
HUECOS
d  
  e  ( EF ) 
2
f ( E (k ))  ( v(k )  Ec. (6)
4 
3
 k 
d
  e  ( EF )  M 1 (k )
2
estados ocupados
4 3
d
  e  ( EF )  (M 1 (k ))
2
estados desocupados
4 3
Regreso al modelo de electrones libres
e 2
  n
m
e2 
  p
m 
CONDUCTIVIDAD TÉRMICA
t
 f 0    E  
f (k, t )  f   dté
0 t t ´ /  E k 
   vk t´   -eε-μ    T  Ec. (4)
  E     T  
Si B = 0, ε = 0, μ = constante, la ec. 4 se reduce a:
 E     f 0

f (k )  f (k )    T  vk  ( E(k ))   
0
Ec. (7)
 T   E 
d
H  4 3 E   vk  f Ec. (2)
Reemplazamos ec. (4) y ec. (7) en ec (2)
d E    vk  v(k) (E(k))( f 0 ) T

2
H  4 3 T E
CONDUCTIVIDAD TÉRMICA
d E   
2
f 0
K  4 3 T vk  v(k) (E(k))( E )
 k T
2 2
K B

3 e 2
COEFICIENTES GENERALES DE TRANSPORTE
t
 f 0    E  
f (k, t )  f 0   dtét t´/ E k     vk t´   -eε-μ    T  Ec. (4)
  E     T  
Si existen al mismo tiempo un campo eléctrico y un gradiente de temperatura
  E      f 0

f (k )  f (k )   eε  
0
  T   vk  ( E(k ))  
  Ec. (7)
  T    E 
d
J   e  vk  f Ec. (1)
4 3
d
H  4 3 E   vk  f Ec. (2)
COEFICIENTES GENERALES DE
TRANSPORTE
Reemplazando ec. (7) en ec. (1) y ec.(2)
J  L11 ε  L12  T 
H  L21 ε  L22  T 
1 d
L12    3
E    vk  v(k) (E(k))( f 0 )
e 4 T E
1 d f 0
L21    3 E   vk  v(k ) ( E(k ))( )
e 4 E
Q potencia termoeléctrica,  es el coeficiente de Peltier
COEFICIENTES GENERALES DE
TRANSPORTE
L11   L22  K L12  Q L11 L2 1   L11
Q es la potencia termoeléctrica y  es el coeficiente de Peltier
lega calor
Sale calor
H  ( A   B ) J
Otras Formas de Integrar
d  f 
 vk  vk  E k    ε
2
J  e
4 3
 E 
dS  f 
J  e   dE vk  vk  Ek     ε
2
vk  E 
 f 
J  e  g ( E )dE vk  vk   E k    ε
2
 E 
d E    2 vk  v(k) (E(k))( f 0 )

K  4 3 T E
PROPIEDADES DIELÉCTRICAS
Y ÓPTICAS DE SÓLIDOS

FC UNI
Noviembre 2013
ARTURO TALLEDO
Doctor en Física
Permitividad Eléctrica
 
    
E0  
E
  
 
E  E0 /  r
σ   0 E0
D  0 E  P
D  ( 0 +  ) E
D  0 r E
σ D σ D
Permeabilidad Magnética
 
B0 B
B
 
N N
B 0  0 I B  0 I  M
L L
B  0 H   H
B  r 0 H
B0  0 H B  0  r H
Ecuaciones de Maxwell
 ε E  da  Q ε E  ρ
 B  da  0 B  0
d B
 E  d  - dt  B  da E  -
t
E
 B  d  μ (I  Id ) B  μ J  ε μ
t
Ecuaciones de Maxwell en el vacío
B
  0 E  0 E  -
t
B  0   B  ε0 μ0
E
t
Identidad vectorial:
  (  A)  (  A) - 2 A
Aplicada a la tercera ecuación
 2E
 E  0
2
0 0
 t2
 2E  2E Onda plana que se propaga a lo largo del eje X

 0 0 2  0
x 2
t Con velocidad: 1
c
 0 0
Ecuaciones de Maxwell en medios
dieléctricos
B
  E  0 E  -
t
E
B  0  B   μ
t
Identidad vectorial aplicada a la tercera ecuación

 2E
 E  2 0
2
t
 2E  2E Onda plana que se propaga a lo largo del eje X
 0 0 r r 2  0
x2 t 1 c c c
con velocidad: v    
n
 r μ r  0μ 0  rμ r r
 r  n2
Nota: En general, r depende de la frecuencia y puede ser real positivo, real
negativo o complejo, por lo tanto, en general n es número complejo n + ik
Índice de refracción complejo y
coeficiente de absorción
ω c
i (q x  ω t) v 
E  E0 e q n
i q ( x  v t) ω
E  E0 e q 
c
n
Si el índice de refracción es complejo, entonces:

 ω
qñ  (n  ik)
c c
 ω  kω  ω 
i  (n ik)  x ω t  - i n x  ω t
c
E  E0e  
 E0e c
e  c 
kω
2 x
I  E 2  I  I0e c
 I0e x
α es el coeficiente de absorción. La
kω onda no sólo disminuye su
α2
c velocidad, sino que también se amortigua.
Reflectancia normal
y
ñ1 q1
B1   E1
c q1
E1i E1t
E2
ñ 2 q2
q1 q2 B2   E2
B1i B1r BB21t x c q2
E1r
E1i  E1i0 e i (q1 x  ω t)

B1i  B1i0 ei (q1 x  ω t)
E1r  E1r0 e i q1 ( x  v t) B1r  B1r0 ei q1 ( x  v t)
E 2  E t0 ei q 2 ( x  v t)
B2  Bt0 ei q 2 ( x  v t)
Reflectancia normal
Condiciones de frontera:
y
E 1i  E 1r  E 2
E1i E1t
E2
B 1i  B 1r  B 2
q1 q2 x
B1i B1r BB21t
E1r
ñ1 ( E 1i  E 1r )  ñ2 E 2
z
ñ 2  ñ1
E1r  E1i
ñ 2  ñ1  ñ ñ 
2
ñ1  1, vacío
R  2 1  (n  1) 2  k 2
2 ñ1  ñ 2  ñ1  ñ2  n  i k R
E1t  E1i (n  1) 2  k 2
ñ 2  ñ1
Permitividad eléctrica y polarizabilidad
en gases y líquidos
D  0 E  P
P  Np
donde N es el número de átomos (moléculas) por unidad de volumen y
p es el momento dipolar eléctrico de un átomo
p  E
D   0E  P
D  0 E  N α E  0 r E
 r  (1 
N
)  1
χ χ  N
0 0
en sólidos
D  0 E  P
P  Np
donde N es el número de átomos (moléculas) por unidad de volumen y p es el momento
dipolar eléctrico de un átomo
p   Elocal
E  E0  E1  E2  E3 Elocal  E  Em  E  E3
E0 es el campo externo
E1 es el campo debido a las cargas de
polarización en la superficie externa
de la muestra
E2 es el campo debido a las cargas de
polarización en la superficie de la esfera
E3 es el campo debido a las cargas
dentro de la esfera.
en sólidos
P
Elocal  E 
3 0 P  N  Elocal
E es el campo de Maxwell
   
 N   N 
P E D  0 E +   E = 0 r E
 1  N   1  N 
 3   3 
 0   0 
2  r  1 Nα
1 Nα 
3 0  r  2 3 0
r 
Nα
1
3 0
Ecuación Clausius Mosotti
Fuentes de polarizabilidad
Polarizabilidad dipolar
Polarizabilidad iónica
Polarizabilidad electrónica
Dispersión de la polarizabilidad
(experimental)
electrónica
d 2x
m 2  m02 x  eElocei t
dt
x  x 0eiω t
m(-ω2  ω02 ) x 0  eE loc
e2
p 0  ex 0  2 2
Eloc
m(ω0  ω )
e 2 /m
αω  2 2 ω0 usualmente en el ultravioleta
ω0 - ω
2
e /m Ne2
αω  2  r  (1  )  n 2  constante en el visible
m  0
2
ω0 0
a 3.91 1016; ancho de linea
b 7.5731 1016; frecuencia fundamental
Plot b b2 x2 , x, 0.11 1010, 16.5731 1016
6. 10 17
4. 10 17
2. 10 17
5. 10 16 1. 10 17 1.5 10 17
2. 10 17
4. 10 17
6. 10 17
electrónica considerando relajación
d2x dx e
d2x dx
m 2  kx  b  eE0eiω t 2
 ω2
0 x    - E 0 e i ω t
dt dt dt dt m
e2 1
x( ω) 
e 1
E e -i  t α ( ω) 
m ω02  ω2  iγ
0
m ω0  ω  iγ 
2 2
N e2 1
 ( ω)  1
m ω02  ω2  iγ   ( ω)   2
p
ω0  ω  iγ 
2 2
p2 (ω02  ω2 )
 ´( ω)  p2 (  )
(ω02  ω2 )2 + γ 2  2 ´´( ω) 
(ω02  ω2 )2 + γ 2  2
LORENTZIANAS
3. 10 34
p2 (ω02  ω2 )
2. 10 34
 ´( ω) 
1. 10 34
(ω02  ω2 )2 + γ 2  2
5. 10 16 1. 10 17 1.5 10 17
1. 10 34
2. 10 34
3. 10 34
6. 10 34
10 34
p2 (  )
5.
4. 10 34
´´( ω) 
3. 10 34 (ω02  ω2 )2 + γ 2  2
2. 10 34
1. 10 34
5. 10 16 1. 10 17 1.5 10 17
LORENTZIANAS
a 3.91 1016; ancho de linea
b 7.5731 1016; frecuencia fundamental
Plot a x x2 b2 x2 b2 a2 x2 , x, 0.11 1010, 16.5731 1016
Plot 1 b2 x2 x2 b2 x2 b2 a2 x2 , x, 0.0011 1010 , 16.5731 1016
3. 10 34
2. 10 34
1. 10 34
5. 10 16 1. 10 17 1.5 10 17
1. 10 34
2. 10 34
3. 10 34
6. 10 34
5. 10 34
4. 10 34
3. 10 34
2. 10 34
1. 10 34
5. 10 16 1. 10 17 1.5 10 17
Propiedades ópticas de sólidos iónicos
d 2 u 2n
M2 2
 α2u 2n  u 2n1  u 2n1   e*
E
dt
d 2 u 2n1
M1 2
 α2u 2n1  u 2n  u 2n 2   e*
E
dt
i ( q x  t )
E  E0e
e* e*
u 0  E0 u 0   E0
M 1 (   )
2
0
2
M 2 (02   2 )
 1
  2  
2
0
1 

 M1 M 2 
P  nme (u0  u0 )
*
Pe nme *2
1
 r ( )  1   
M 1M 2
 0 E  0 02 1   2 M1  M 2
02
 r (0)   r ()
 r ()   r () 
1  2
02
1/ 2
  r (0) 
1    0
  r () 
Frecuencia de modos longitudinales
Observar que entre ω0 y ω1 la

0 1 permitividad relativa es negativa
y por lo tanto la parte real del
Índice de refracción es cero
1/ 2
  r (0) 
1    0
  r () 
Frecuencia de modos longitudinales
  0  r E  0
E  E0 e i k . r
k  0 r E  0
Las ondas planas tienen que ser

0 1 transversales, pero si εr = 0,
pueden existir modos
longitudinales
Permitividad
Reflectancia
0 1
(n  1) 2  k 2
R
(n  1) 2  k 2
Resultados experimentales para el cloruro de sodio (b) y (c)
2
a( )  k
c
Coeficiente de absorción
t
Polarizabilidad dipolar en campo
constante
El momento dipolar de una molécula es cero en ausencia de campo y puede alcanzar el
valor p0 en presencia de éste. La forma cómo evoluciona el momento dipolar está dado
por:
dp p (t) - p 0

dt τ
donde τ se llama tiempo de relajación.
Si en el instante t = 0 el momento dipolar es p = 0:
p(t )  p0 (1  e t / )
Si en el instante t = 0 el momento dipolar es p = p0 y se
elimina el campo eléctrico, entonces:
p(t )  p0e t /
Dispersión de la polarizabilidad dipolar
Supongamos que sobre nuestra muestra actúa un campo
E(t)  A ei ω t
Se alcanzará una situación de “equilibrio dinámico” en la cual:
p(t)  α(0) E(t)  α(0) A e-it

La evolución hacia este “equilibrio estacionario” está dado por:
dp 1
 α(0)E  p(t)
dt τ
i ω t
Asumimos soluciones de la forma: p(t)  α(ω)e
α(0)
α(ω)  La polarizabidad no está en fase con el campo
1 i ω τ
Dispersión de la permitividad en sólidos
dipolares
Por simplicidad ignoramos las corrección del campo local y consideramos que la
contribución iónica es muy pequeña.
d e
 r ( )  1  
0 0
Debido a su pequeña masa los electrones siguen al campo instantáneamente
d N 0 1
 r ( )  n 
2
 r ( )  n 2
0 0 1  i
 r (0)  n 2
 r ω  n 2 
1- i ω τ
 r ( )   r' ( )  i  r'' ( ) Los campos E y D no están en fase
 r (0)  n 2  r (0)  n 2
 
 ω n 
' 2  ω 
''
r 2 2
ωτ
r
1 ω 
2 2 1 ω τ
Dispersión de la permitividad
Nótese que:
 r (0)  n 2 1
 ω  n  ω  , entonces  r ω
' 2 '
r Si es una
1  ω2 2 τ
constante igual a  r 0
1
Si 
 , entonces  r' ω disminuye y
Se aproxima a n2
 r (0)  n 2
 ω 
''
r ωτ
1  ω2 τ 2
1
 ω
''
r
alcanza un máximo cuando  

y la curva decrece a la mitad cuando   (1   2 2 ) / 4
Para materiales dipolares τ es aprox 10-11 s (microondas)

Absorción Óptica y Permitividad Compleja
La situación es que en los tres casos la permitividad es una función

compleja de la permitividad. Mostramos en las dos diapositivas
siguientes que la parte imaginaria de la permitividad eléctrica está
directamente relacionada con el calor disipado por efecto Joule de la
corriente de desplazamiento.
Calor disipado por efecto Joule por unidad de volumen:
dW
 Re J d   Re E
dt
dD
Jd 
dt
D(t)   0 (  ´r (ω )  i  ´´r (ω ) ) Es ei t
Jd (t)  - i ω  0 ( ´r (ω )  i ´´r (ω ) ) E(t)

E(t)  Es eit = (ER  i EI )  Cos  t - i Sen t 
ReE   ERCost  EI Sent 
ReJ d (t)   r´´  ERCost  EI Sent    r´  EI Cost  ER Sent 
Promediando en un período la potencia disipada:
dW
 Re J d   Re E
dt
dW 1 2
   0  r ( ) E
''
dt 2
Conclusión: la rapidez de absorción de energía por el medio es

proporcional a la parte imaginaria de la permitividad eléctrica :
ω  r'' ( )
NOTA: La perdida de energía por unidad de volumen y por unidad de

tiempo es igual a la variación del vector de Poynting por unidad
de espesor.
dW d S
 S (x+x)-S(x)  x
dt dx
Propiedades ópticas de metales
Análogamente a modelo de Drude, expresión para conductividad ac :
dv mv
m qE-
dt τ
i t
Ey  E0e
eτ 1
vy   * E
me 1  iω 
0
 ( ) 
1  i 
0  0
 '  ''
1   2 2 1   2 2
Permitividad eléctrica compleja en metales:
E
  H  0 J
t
E
  H  0  E
t
E
t
 - i E     E
  H  0  i 
   t
σ(ω)
 (ω )   0  i
ω
  0  0
 r   r  i r  1 
' ''
2 2 
 i
  0 (1    )   0 (1    )
2 2
ñ( )   r  1/ 2  n  ik
(n  1) 2  k 2
R Reflectancia
(n  1) 2  k 2
2 Coeficiente de absorción
a( )  k
c
n Îndice de refracción
Coeficiente de extinción
k
  0  0
 r    i  1 
'
r
''
r 2 2 
  i
  0 (1    )   0 (1    )
2 2
Región de bajas frecuencias   1   r ( )  i r''
1/ 2 1/ 2
  ''
 0 
n  k    r
  
2  2 0 
I  I 0e x 1


1/ 2
  0c 2
    Skin depth, profundidad de penetración
 2 0 
Región de altas frecuencias   1 :
  0  0
 r   r'  i r''  1    i
  0 (1   2 2 )   0 (1   2 2 )
Nq 2
 2
p  p2 
 r ( )  (1  )  0 me*
 2
donde q es la carga del electrón y N es la concentración de electrones

Algunos valores de frecuencia de plasma:
Li Na K Rb Ag
p 1,22 x 1016 Hz 0,89 0,593 0,55

p 155 nm 210 315 340
TRANSPARENCIA EN EL ULTRAVIOLETA
 p2
 r ( )  (1  2 )

ñ ( )   r  
1/ 2
 n  ik
Si ω < ωp entonces n(ω) = i k
(n  1) 2  k 2
R 2 2
1
(n  1)  k
Si ω > ωp entonces n(ω) = n real,

Entonces el metal transmite como
un dieléctrico “normal”.
Si ω = ωp entonces  r (ω ) = 0, la ecuación de maxwell:
  E  0
Será satisfecha para cualquier E, sin necesidad de que éste sea

perpendicular al vector K, es decir, tenemos la posibilidad de modos
longitudinales. A estos modos de oscilaciones longitudinales de los
electrones se les llama plasmones
PLASMONES
Al valor de frecuencia ω = ωp se tiene que εr = 0 y por lo tanto la
Ley de Gauss    E  0 permite la propagación de ondas
electromagnéticas longitudinales.
A
++++++++++++++++++++++ E(t)
u
--------------------------------------
NeAu
 = n e Au  N e u
σ A n e u
A
d2u N 2 e2 d2u
Nm 2 =-NeE= u +  2
p u = 0
dt 0 dt 2
Nq 2
Frecuencia de plasmón volúmico en un
 p2 
 0 me* sólido ideal (infinito)
PLASMONES
Espectro de pérdida de energía para electrones

que pasan a través de una película delgada de
magmesio.
Espectrómetro con analizador
electrostático para el estudio de
plasmones
Plasmones superficiales: Considere un plasma semiinfinito en el lado
positivo del plano z = 0. Una solución a la ecuación de Laplace en el
plasma es:
Ui ( x, z )  A Cos k x e- k z
Ezi ( x, z)  kA Cos k x e- k z Exi ( x, z)  kA Sen k x e- k z
a) Demostrar que U e ( x, z )  A Cos k x e k z , para z  0

Satisface la condición de frontera para la componente tangencial de E..
Encontrar E0x.
b) Demostrar que la condición de frontera par D requiere que εr = -1,

por lo tanto
1 2
 
2
s p
Prob 1 cap 10 Kittel 5ta edición
2
Modo de plasmón de una esfera: La frecuencia del modo de plasmón
uniforme está determinado por el campo despolarizante de una esfera, donde
P = - n e r, y r es el desplazamiento promedio de los electrones de concentración n.
Demostrar usando la segunda ley de Newton que la frecuencia de resonancia del
gas de electrones es:
Nq 2
 p2 
3 0 me*
Debido a que todos los electrones participan en la oscilación, tal excitación es llamada
Una excitación colectiva o un modo colectivo del gas de electrones.
Prob 5 cap 10 Kittel 5ta edición

SPR en un experimento de reflexión
interna total
En un experimento de reflexión interna total la intensidad reflejada es igual a la

Intensidad incidente. Sin embargo hay un campo evanescente que se propaga
a lo largo de la interface. Si la onda evanescente tiene la frecuencia del plasmón
superficial, entonces, la onda reflejada tendrá un mínimo. i

Sen  i
Modelo SPREETA Texas Instruments
Texas Instruments (35 dolares)
Transiciones interbandas en sólidos
d 2x
m 2  m02 x  eElocei t
dt
e 2 /m
αω  2 2
ω0 - ω
Modelo cuántico, teoría de perturbaciones dependientes del tiempo:
e2 f
α e ω   2 j0 2
m j0 ω j 0  ω
1
H p  eA 2  V(r)
2m
1 2 e
H0  p  V(r ) H1 (r, t)  Ap
2m m
A es el potencial vectorial magnético y se relaciona con E así:

A
E
t
A  A0 e expik  r   t   c.c.
De la teoría de perturbaciones dependientes del tiempo:
t 2
2
e
w ω, t, k v , k c   2 2  dt´  dr  (k , r, t ) A  p  (k
c c v v , r, t )
m 0 V
 
v (k v , r, t )  exp - i -1E v (k v ) t exp (ik v  r) u v (k v , r)
2
2 t
 
2
eE
w ω, t, k v , k c   0
 dt´ exp i  1
(E c  E v  ω)té  Mvc
m 2 2
0
e  M vc   d r exp i (k v  k )  r  u*c e  exp i (k v  r) u v

V
e E expiEc  E v   t /   1
2 2 2
w ω, t, k v , k c   0
e  M vc
m2 2
iEc  E v    / 
d w e2 E02 2
 2 2 e  Mvc 2   (Ec - E v -  )
dt m
dWVC  e2 E02 2
dt

2  2 m2 2  e  M vc  (E c - E v -  ) d
 2 e2 2
 ( )   e  M vc  (E c - E v -  ) d
´´
r
 0  2 m 2 2
 2 e2 2 dE
 0  2 m2 2  vc 
 ( ) 
´´
dS e  M  (E c - E v -  )
 k E c - E v 
r
2
 2 e2 dS e  M vc
 r ( )   (Ec - E v )
´´
 0  2 m2 2 E  E c v
2 2
k
Ec (k )  Ev (k )  Eg 
2
3/2
2
8 e 2
2m *

 r´´( )   2  e  M vc
2
 - E0 1/ 2
 0 m2 2   
Problema 24 capítulo 8 Omar
Relaciones Kramers-Kronig
TEOREMA 1:
f (z) = u(x,y) + i v(x,y) tiene singularidades sólo debajo del eje real
│f(z)│ → 0 uniformemente cuando │z│ → ∞
u(x) es par y v(x) es impar .
Entonces: 
2 x v(x) dx
u(x 0 )  P
π 0 x 2  x 02
2 x 0  u(x) dx
v(x 0 )   P
π 0 x 2  x 02
Fórmula integral de Cauchy:
1 f (ω ) dω
f(z) 
2π i  ωz
C z  (x 0 ,0)
A través de contorno superior:
f (ω ) dω

C1
ωz
0

1 v (x) dx


f (ω ) dω f (ω ) dω u ( x0 )  P

C1
ωz
 PP 

ωz
 iπ f (z)  
x  x0

1 f( ) d 1

u (x) dx
f (x 0 )  P P  v( x0 )   P 
πi 
 z   x  x 0

1 v (x) dx
u ( x0 ) 

P 

x  x0
1  
v (x) dx
0
v (p) dp 
u( x0 )  P   
  0 x  x 0  p  x 0 
0 0 
v (-x) (-dx) v (x) dx v (x) dx
p-x  

 -
- (x  x 0 )  x  x 0

0
x  x0

2 x v (x) dx
u( x0 )  P
 0
x 2  x 02

1 u (x) dx
v( x0 )   P P 
 
x  x0
1  u (x) dx 0 u (p) dp 
v(x 0 )   PP   
π  0 x  x 0  p  x 0 
0 
u (-x) (-dx) u (x) dx
p-x    

- (x  x 0 ) 0
x  x0

2x 0 u (x) dx
v(x 0 )   P P 2 2
π 0
x  x 0
Demostraremos ahora que la susceptibilidad eléctrica
χ (ω )  χ' (ω )  i χ' ' (ω )
Satisface las condiciones del teorema 1 y por lo tanto:

2 s  ' ' (s) ds
 ' ()  P

 0
s2   2
1 χ (s)
χ(ω)  PP 
πi 
sω

2ω χ' (s) ds
χ' ' ( )   P 2 2
π 0 s ω
Obsérvese que si extendemos la susceptibilidad como una función
compleja de variable compleja, entonces χ (ω) :
1
 ( ω)   2
p
ω02  ω2  iγ 
satisface las condiciones del teorema 1.
Efectivamente:
Los polos están en la parte inferior del plano complejo y son:
i  2
ω1,2  -  0 donde 02  02 
2 4
Consideremos ahora la transformada de Fourier de la susceptibilidad:

e-i t dω

2
G(t)  ω p 2 2
, … A

ω0  ω  iγ ω
que la interpretamos como la respuesta del material a un pulso de
campo eléctrico:

E(t)  E 0 

e-i  t d
Hay varias maneras de evaluar la integral A, pero sólo una conduce a

Resultados físicamente compatibles con principio de causalidad:
0, si t  0

G(t)   2 Sen 2 υ0 t - t/2
ωp υ e , si t  0
 0
Consideremos ahora la relación entre los campos E y P y sus
respectivas transformadas de Fourier:
P (t)  χ(t) E (t) P(ω )  χ (ω ) E (ω )


P(ω )  

P( t ) ei ω t d

P(t)  

P( ω ) e-i ω t d

P(t )  

χ( ω ) E (ω ) e-i ω t dω
Por teorema de convolución



P(t)  

G (t') E (t-t') dt' , donde.... G(t)   χ ( ω ) e-i  t d

En general, las relaciones Kramers Kronig se cumplen
independientemente del modelo, para cualquier

  par
 G(t) e d  
-i  t
χ (ω ) 
  ´ impar

χ (ω )  
0
G(t) e-i ω t dω
Efectivamente, puede verse que esta función considerada como una

función definida en el plano complejo satisface las condiciones para el
teorema 1. (La única condición que debe cumplir G(t) es que:
G(t)  0 cuando t  
Relaciones Kramers-Kronig para la
permitividad
En general, las relaciones Kramers Kronig se cumplen
independientemente del modelo, para cualquier

2 s  ' ' (s) ds
 ' ( )  P
 0
s2   2

2ω  ' (s) ds
 ''( )   P  2
π 0 s  ω2
Bibliografía sobre relaciones Kramers-Kronig
• Mathematics for Physicists P. Dennery

sección 23.
• Introduction to Solid State Physics 5ta
edición, capítulo 11
• Classical Electrodynamics second edition
J.D.Jackson
Polarizabilidad dipolar vs temperatura en gases
Energía potencial de un dipolo en un campo eléctrico:
.
V   p E  - p E Cos θ
-V/K BT pE Cos  / K BT
f  e  e
Promedio de la polarización en presencia de un campo E a lo largo del
eje X:
 p x f( ) d
px 
 f( ) d

  2 sen d
pECos / K BT
p Cos e
px  0

 2 Sen d
pECos / K BT
e
0
Polarizabilidad dipolar vs temperatura en gases
px  p Lu
1
L  u  = Coth(u) -
u
pE
u=
K BT
Si u << 1 ( campo pequeño) entonces:
p2
px  E
3K BT
 r 1 1  p2 
   e  i  
r 1 3 0  3K BT 
Polarizabilidad dipolar vs temperatura en sólidos
Dos orientaciones w
 e-2 p E / K B T
Posibles para p 1-w
e-2 p E / KB T
w 
1  e-2 p E / KB T
Si pE mucho menor que KBT
1 -2 p E / KB T
w e
2
px = p (1- w) - p w = p ( 1- 2w)
px = p 1 - e-2 p E / KB T 
2 p2
d 
K BT
CRISTALES FERROELÉCTRICOS
Son aquellos cristales en que puede existir una polarización aún en
ausencia de campo externo.
La ferroelectricidad ocurre sólo en algunos pocos materiales y por
debajo de una cierta temperatura TC llamada temperatura de Curie.
C
ε (r )  B  , T  TC
T  TC
Divergencia de
C
Típicamente: B  5,  r  1000  r  Catastrofe de la
T  TC polarización
Algunos materiales ferroeléctricos:
Material TC (K) Ps en esu cm-2 a T (K)
KH2PO4 123 16000 (96)
KD2PO4 213 13500 -
RbH2AsO4 147 16800 (90)
KH2AsO4 96 15000 (80)
BaTiO3 393 78000 (296)
SrTiO3 32 9000 (4)
WO3 223 -
KNbO3 712 90000 (523)
PbTiO3 763 150000 (300)
Sulfato de triglicina 322 8400 (293)
Seleniato de triglicina 295 9600 (273)
2
p2 1 
   r  3
3K BT 1
1 
3
TC
r 
T  TC
Asumiendo polarizabilidad dipolar:
2Np2 N p2
C  TC 
9 0 K B 9 0 K B
El modelo parece conducir naturalmente al fenómeno de ferroelectricidad, pero no

está de acuerdo con los rultados experimentales: Para el agua:
1 Sin embargo el agua
N  10 29 m 3 y p  0,62 debye  TC  1100 K
3 no es ferroeléctrica
El fenómeno de ferroelectricidad se asocia con polarizabilidad iónica
A
 r ( ω)  n2 
ω2t  ω2
A
 r ( 0)  n2 
ω2t
El fenómeno de ferroelectricidad se asocia con polarizabilidad iónica,

¿Por qué decrece ωt?
d2 u
 2 2 u 0
dt
2
ω2t 

P N e*u
E  
3 0 3 0
d2 u
 2  2  u  2e* E
dt
d2 u  2Ne*2 
 2  -  u  2e E
*
d t2  3 0 
*2 2  2Ne*
ω t  -
 3 0 
2Ne*
ω *2
t   -
t
2
3 0 
Cristales ferroelectricos
1 2 1 4 1
F   PE  g 0   g 2 P   g 4 P    g 6 P 6
2  2 2
F
 0  - E  g 2 P  g 4 P3  g 6 P 5
P
g 2  γ (T - T0 )
γ (T - T0 )Ps  g 4 Ps3  0
 γ 
P   T0  T 
s
2
 g4 
1/ 2
 γ
Ps    T0  T1/ 2
 g4 
PROPIEDADES MAGNÉTICAS
DE SÓLIDOS
Física del estado sólido

FC-UNI
Noviembre 2013
ARTURO TALLEDO
Doctor en Física
Revisión de fórmulas básicas
e
m  I A   r 2 Momento
2
magnético
L  m ω r2 Momento angular
orbital
 -e 
μm   L
 2m 
Razón giromagnética orbital: -e/2m
 -e
μm    S
m
Razón giromagnética de spin: -e/m μm
τ  μm  B
V  - μm  B
B
Revisión de fórmulas básicas
dL
τ Segunda ley de Newton
dt rotacional
d μ  -e 
 μB
dt  2m 
eB
ωL  Frecuencia de
2m Larmor
e B0
E   Lz B ml  1
2m B0
ml  0
 e  Magnetón de
E   B mL
 2m  Bohr  e   ml  -1
 2m 
Susceptibilidad Magnética
 
B0 B
BM
 
N
B  0 IM
L
N B  0 H  0 M
B 0  0 I
L
B  0 H  0  H
B0  0 H
  0 1   
Permeabilidad magnética del
material
r 1  
Clasificación de los materiales
magnéticos
Paramagnéticos   0 :
Al, Mn, W
Diamagnéticos   0 :
Cu, Au, Hg, agua, H
Ferromagnéticos   10  5
:
Fe, Ni, Co
Diamagnetismo de Langevin
F0  m ω02 r
Momento magnético del

electrón:
e
Paul Langevin  el  I A  ω0 r 2
(1872–1946) 2
F0 FL F0 - e B ω r  m ω2 r

m ω2 r - m ω02 r  - e ω B r
B
Aproximación válida
eB para campos
ω  0 -
v 2m pequeños
L

Electrón girando en sentido horario
B F0 FL
 μ

v L

v
F0
μ

Electrón girando en sentido FL 
antihorario B
En cualquier caso el momento magnético orbital se hace mas negativo

respecto al campo B
 e2 r 2 
   -   B Si la órbita fuera
 4m  plana
 e2 r 2 
   -   B Para una nube electrónica
 6m  esférica
M μ 0M
χ  
Η B
0 e 2
 -
6m
N Z r  2
prom
N  1029 m3 , Z  10, rprom

2
 10-20    10-5
La susceptibilidad diamagnética es más claramente observada
en aquellos sólidos en que las capas atómicas están
completamente llenas
Elemento Susceptibilidad (X 10 )
-6
He - 1,9
Ne - 7,6
Ar - 19,0
F- - 44,0
Cl - - 24,2
Br - - 34,5
Na+ - 6,1
K+ -14,6
Paramagnetismo: modelo clásico
Energía potencial de un dipolo en un campo magnético:
V  μ  B  -  B Cos 
-V/K BT  B Cos  / K BT
f  e  e
Promedio de la polarización en
presencia de un campo B a lo largo del
eje Z:
   2 sen d
 BCos / K T
Cos e B
z  0

 2 Sen d
 BCos / K BT
e
0
Paramagnetismo: modelo clásico
z   L  v
1
L  v  = Coth(v) -
v
María Sklodowska mB
1867-1934 v=
K BT
Si v << 1 ( campo pequeño) entonces:
2 M = N z =
N μ2
B
z  B
3K BT 3K BT
μ0 μ2 Susceptibilidad paramagnética de
χ =
3K BT Langevin o ley de Curie
Paramagnetismo: modelo cuántico
 e 
μ  g - J
 2m 
 e 
E  -μ  B  - μ z B  g   m j B  g B m j B
 2m 
1 1 1
mj   E1   -  g  B B E 2    g  B B
2  2  2
ΔE  g μ B B
e E1 / K BT e E2 / K BT
N1   E1 / K BT N 2   E1 / K BT
e  e E2 / K BT e  e E2 / K BT
Paramagnetismo: modelo cuántico
e  B B / K BT e  B B / K BT
N1   B B / K BT N 2   B B / K BT
e  e B B / K BT e  e B B / K BT
M  g μ B N1  N2 
ex  e-x
M  Ng μ B x -x  Ng μ B Tanh x
e e
g B B
x
K BT Fig. 9.9
0 Nefect
2
0 N g B 2 
 3K BT
K BT
Paramagnetismo
El origen atómico del magnetismo
L   Li
i
S   Si
i
J LS
 e 
μ prom  μ Cos θ  g  - J
 2m
j  j  1  s s  1 - l l  1 Figura 9.10
g 1
2j  j  1
Paramagnetismo
Reglas de Hund
1) El número de spin s toma su máximo valor permitido según
Pauli
2) El número l toma su máximo valor permitido según
Pauli consistente con 1.
3) Si la capa es menos llena que la mitad, j = | l – s |, y

si la capa es mas llena que la mitad, j = | l + s |,
EJEMPLOS:
1 5
Ce 3 Un electrón f s  , l  3, L - S 
2 2
Pr3 Dos s  1, ml  3, ml  2, L = 5, J = L - S  4
electrones f
Paramagnetismo en Metales
N 0  B2

K BT
En los metales, la susceptibilidad no
depende de la temperatura y sus
valores son menores
1
N ef  g (E F ) μ B B
2 Densidad de estados de electrones
libres (a) en ausencia y (b) en
presencia de un campo B
1
M  N ef 2 μ 
B

2
g (E F ) μ B B 2μ B  μ B2 g(E F )B
χ p  μ 0 μ 2B g(E F )
3 T
χp  
2 TF
Ferromagnetismo
Magnetización espontánea debajo de una cierta temperatura,
llamada temperatura de transición o temperatura de Curie.
Por encima de dicha temperatura la susceptibilidad magnética
obedece la ley de Curie - Weiss.
C

T - Tf
Figura 9.14 Figura 9.15

Ferromagnetismo de la red
La teoría del campo molecular
ΗW  λ M
 μ0 g μB λ M 
M  N g μ B Tanh  
 KB T 
KB T
M x ..(A)
μ0 g μB 
M  N g μ B Tanh x ... (B)
k B Tf

0 N g μ B 2
La teoría del campo molecular explica también ley de Curie
Ηtot  H  HW
M  Ng μ B Tanh x
μ0 g μB
M  M0 (H+λM)
x
g B B K BT
K BT
 T  1 Tf
M 1  f   H
k B Tf  T  T 

0 N g μ B 2 T  1
M   f H
   T- Tf
C
 
T- Tf
Tf
C

El origen físico del campo molecular
.
Vexch  - j' s1 s2
Vexch y j´ energía y consante de intercambio,
j´ positivo
z J' s 2  g s μ B  μ 0  W 
μ 0 N g μ B 
2
J'  
z
¿interacción dipolar?
μ 2B
V12  μ0 3  tres órdenes de magnitud menos que experimento
r
Criterio de Slater: cuando r/2ra >1,5
e2
Vexch  (r distancia interatómica y ra radio atómico) j´se hace
4 π ε0r positivo. Es la misma fuerza entre spines que explica
principio de Pauli pero favorece spines paralelos.
Antiferromagnetismo
Orden ferromagnético Orden antiferromagnético
C

T  Tn1
Fluoruro de Susceptibilidad paralela y perpendicular al

manganeso campo para el MnF2.
Antiferromagnetismo
¿Cómo se diferencia un antiferromagnético de un paramagnétco?
1. Por el comportamiento de la susceptibilidadad magnética
2. Por experimentos con difracción de neutrones

Antiferromagnetismo
Datos de materiales antiferromagnéticos
Substancia TN (K) TN1(K)
MnO 116 610

FeO 198 570
CoO 291 330
NiO 525 2000
Ferrimagnetismo
Orden ferromagnético
Orden ferromagnético
Ferritas: óxidos iónicos

Estructura espinel: Mg Al2O4
Prototipo: magnetita Fe3O4

(56 iones en total, 24 de fierrro, 16
Fe3+ (férricos), 8 Fe2+).
Total cancelación de los momentos

magnáticos de los férricos.
Son los más útiles, son aislantes
Ferromagnetismo en metales
De acuerdo a la teoría anterior, el momento magnético de un átomo debería
Ser s μ B donde s es entero o semientero, sin embargo toma valores 2.22,
1.72 y 0.54 respectivamente para Fe, Co y Ni respectivamente.
El modelo de electrones itinerantes: La figura muestra densidad

de estados para banda 3d. Si no hubiera campo B, la
magnetización sería cero. La interacción de intercambio produce
B = HW tiende a alinear los momentos en la dirección paralela.
Bandas 3d
El modelo de electrones itinerantes
Energía que pierde un electrón cuando su momento magnético rota 180 0
1 1 1 1
B M  μ Η W  M  μ 0  M 2  μ 0  2μ B 
2
2 2 2 2
¿Energía cinética que un electrón gana por encima del nivel de Fermi?
1
n  gE F E
2
2
E  respuesta
gE F 
Condición para que los electrones de la BC produzcan ferromagnetismo:

2
2 μ 0 λ μ 2B 
gE F 
g(EF) produce ferromagnetismo porque cuando g(EF) es

grande acomoda más electrones en un rango pequeño
de energía
Densidad de estados en las bandas 3d y 4s del níquel

Dominios Ferromagnéticos
En su estado natural los materiales ferromagnéticos
están usualmente desmagnetizados
Weiss postuló que el cristal está subdividido en un gran

número de dominios y cada dominio sí está magnetizado
Los dominios se pueden ver en un microscopio, puliendo

bien la muestra y colocando un polvo fino ferromagnético
sobre la superficie
Los dominios se forman para minimizar la energía total
constituida por cuatro contribuciones:
Energía magnetostática, energía de intercambio en las paredes de Bloch,

Energía magnética anisotrópica y energía de magnetostricción.
La energía magnetostática disminuye cuando

un dominio grande se divide en 2 porque hay un
factor de desmagnetización pequeño para
geometrías alargadas.
La interacción de intercambio hace que

cuando un spin rote 1800 para formar
una pared se consuma energía. Esto
limita el número de dominios.
Los cuatro tipos de energía

El efecto de la energía de anisotropía es

Pequeños dominios en
reducir el espesor de la pared porque cuando los bordes relacionados
más gruesa es la pared, más spines apuntan A la energía de
en la dirección díficil
Magnetostriccion.
Los cuatro tipos de energía

Figura 9.24: Observación de los dominios ferromagnéticos con

ayuda de un microscopio óptico
El Proceso de
magnetización
En cada ciclo se pierde energía igual

al área de la curva de histéresis:
Figura 9.29
Disposición experimental para observar la curva de

histéresis
SUPERCONDUCTIVIDAD
CAPÍTULO 12
FC UNI
Diciembre 2013
ARTURO TALLEDO
Doctor en Física
RESISTENCIA ELÉCTRICA CERO
En un material superconductor la resistencia eléctrica es nula.
Esto generalmente ocurre por debajo de una temperatura
crítica Tc . Por encima de esta temperatura el material es un
metal normal.
Heike Kamerlingh Onnes

Laboratorio Leiden, Holanda
[Estudió en Alemania, sus
profesores: Bunsen y
Kirchhoff]
Se han observado corrientes que persisten varios años. R = 0 , R = 10-25 ohm.

RESISTENCIA ELÉCTRICA CERO
En los metales existe una resistividad eléctrica residual atribuida a
los choques de los electrones con las impurezas
Los gráficos muestran la comparación del comportamiento de la

Resistividad eléctrica en un metal y en un superconductor.
La forma como se produce la transición de metal a superconductor
depende de la concentración de impurezas. En un metal puro la
transición es abrupta.
OCURRENCIA DE LA SUPERCONDUCTIVIDAD
DIAMAGNETISMO PERFECTO O
EFECTO MEISSNER
El campo B dentro de un cuerpo en estado superconductor es cero.
B  0 H  M
B  0 1   H
M  H
  1
En una serie de experimentos con cilindros superconductores,

demostraron que por debajo de Tc , el flujo magnético es súbita y
completamente expulsado.
Observación hecha en Berlín en 1933 por dos físicos alemanes
Walther Meissner y Robert Ochsenfeld.
DIAMAGNETISMO PERFECTO O
EFECTO MEISSNER
Diamagnetismo perfecto significa también que el superconductor repele
a cualquier imán.
El efecto Meissner-Ochsenfeld podría ser la base de un tren de levitación magnética.

CAMPO MAGNETICO EN UNA
ESFERA PARAMAGNÉTICA
Blindaje magnético
EFECTO ISOTÓPICO
Ha sido observado que la temperatura crítica de los superconductores

varía con la masa isotópica. Las primeras observaciones fueron hechas
por Maxwell y Reynolds (1950-51). En mercurio Tc varía de 4,185 a
4,146 K cuando la masa atómica media varía de 199,5 a 203,4.
M  Tc  constante
EFECTO ISOTÓPICO
CAMPO CRÌTICO
Poco después que Onnes descubrió la superconductividad, se descubrió
también que la superconductividad puede ser destruida por el efecto de un
campo magnético. Si un campo magnético suficientemente fuerte,
llamado campo crítico es aplicado a una muestra superconductora, ella
vuelve a ser normal y recobra su resistividad, aun a T menor que Tc.
  T 2 
H c (T )  H c (0)1    
  Tc  
CAMPO CRÌTICO
Tabla
Algunos valores de campo crítico para algunos superconductores
Superconductores tipo I y tipo II
TERMODINÁMICA DE LA TRANSICIÓN
SUPERCONDUCTORA
En esta sección tratamos de unificar las observaciones anteriores.
El pico de CV en T = Tc indica un apreciable incremento de la entropía
(desorden) cuando T aumenta hacia Tc y la transición hacia el estado
normal es inminente. El estado superconductor tiene un orden mayor que
el estado normal.
 b T / Tc 
C aeV
El comportamiento exponencial implica la
presencia de un gap de energía en el espectro
de los electrones. Este gap que está justo en el
Nivel de Fermi previene a los electrones de ser
Rápidamente excitados.
  k BTc  10 eV 4
SUPERCONDUCTORA
La densidad de estados g(E) vs E para un superconductor, ilustrando el gap
superconductor en el nivel de Fermi. Está magnificado.
 / EF  0,0001eV
SUPERCONDUCTORA
ΔE energía de condensación, equivalente a calor latente de cambio
de estado
ΔE  E N  EA
Hc Hc
ΔE    BdM  0  H (dH )

0 0
1
ΔE  0 H c2
2
A 0K: 1
ΔE  0 H c2 (0)
2 Si Hc(0) = 500 gauss,ΔE  103 J / m3
SUPERCONDUCTORA
Re lación entre HC , TC , E y 
k BTc
n ef  n
EF
n k BTc 
2
ΔE 
1 EF
ΔE  0 H c2 (0)
2 1/ 2
 2nk 2

H c (0)   B
 Tc 1
  0 EF  ΔE  0 H c2 (0)
2
Tc  50 K , EF  5 eV , n  10 29 m3 ,
Hc (0)  0,01 T  100 Gauss
EL MODELO DE DOS FLUIDOS
Los electrones de conducción en una sustancia superconductora son de
dos clases: superelectrones y electrones normales. Los superelectrones
tienen algunas propiedades especiales: no chocan, tienen entropía cero,
(orden perfecto) y una gran longitud de coherencia (104 Å). El número
de electrones depende de la temperatura. En 1934, Gorter y Casimir
encontraron que la concentración de los superelectrones debe estar
dada por:  4

T 
ns  n 1    
  Tc  
A 0K todos los electrones

son superelectrones pero
cuando T aumenta, los
superelectrones decrecen en
número y a T= Tc, todos son
electrones normales.
EL MODELO DE DOS FLUIDOS
El modelo de dos fluidos explica la resistencia cero del superconductor.
Para T menor que Tc, algunos superelectrones están presentes y puesto
que tienen resistencia cero, cortocircuitan a los electrones normales.
El modelo puede relacionarse al concepto de gap. Todos los

electrones debajo del gap están congelados en su estado de
movimiento. Aquellos encima del gap son electrones normales. El
gap decrece cuando la temperatura aumenta y desaparece a T = Tc.
Cuando T tiende a Tc y el gap desaparece, todos los electrones se
hacen normales.
ELECTRODINÁMICA DE SUPERCONDUCTORES
dv dJ s ns e2
J s  ns  evs m s  eε  ε ε0
dt dt m
En el estado estacionario, el campo eléctrico dentro de un superconductor

desaparece. La caída de voltaje a través de un superconductor es cero.
Entonces, de acuerdo con la ley de Faraday:
dB
ε  0  0
dt
En estado estacionario el campo magnético dentro del superconductor

es constante, en contradicción con el efecto Meissner. Este formalismo
requiere una modificación:
dB m dJ s m
 dJ s  ns e
2
  ε De   a B  J s
 dt  m dt ns e2 dt ns e2
ELECTRODINÁMICA DE
SUPERCONDUCTORES
m
B   J s Ecuación de London
ns e 2
 B  0 J s Ley de Ampere
F y H London
0 ns e 2
2B  B
m
ELECTRODINÁMICA DE
SUPERCONDUCTORES
0 ns e 2
2B  B B y  B y 0e x / 
m 1/ 2
 m 
 2B y 0 ns e 2
   
2 
 0 ns e 
 By
 x2 m Profundidad de penetración de London
Cálculos a mano alzada muestran que   500 A lo cual se
verifica experimentalmente
Otra confirmación impresionante es la variación de  con la temperatura.

1/ 2
  T 4   m  1/ 2 1/ 2
ns  n 1          T4   m 
y 2      01  4  con  0   
  Tc    0 ns e   Tc  
 0 n e 2 

Una tercera conclusión de la teoría de London es la existencia de una

corriente eléctrica fluyendo cerca de la superficie.
m
B y  B y 0 e x /  y B  J s Entonces:
ns e2
 2 1 / 2
n e 
J Z x    s  B y x  J s 0e x / 
  m 
 0 
El efecto Meissner está acompañado de una corriente superficial.

LA TEORÍA BCS
Dos electrones dentro de la esfera de Fermi se repelen entre sí por la
interacción coulombiana. Esta fuerza de Coulomb es reducida
sustancialmente por el apantallamiento debido al resto de electrones en
la esfera de Fermi. Es más, es posible una fuerza atractiva entre dos
Electrones, lo cual permite que dos electrones se atraigan entre sí y
formen una especie de molécula: el par de Cooper. La energía de enlace
es más fuerte cuando los electrones tienen k opuestos y spines opuestos
LA TEORÍA BCS
Suponer que dos electrones 1 y 2 pasan uno cerca del otro como se
muestra en la figura. Debido a su carga negativa el electrón 1 atrae iones
positivos de modo que el electrón 2 ve un electrón apantallado por los
iones. El apantallamiento reduce la carga efectiva del electrón. Si esto
sucede el electrón 2 será atraído hacia el 1.
LA TEORÍA BCS
Se dice que el electrón 1 es rodeado por una nube de fonones y que

entre los dos electrones hay una interacción atractiva por intercambio de
fonones. El electrón 1 emite un fonón que es rápidamente absorbido por
el electrón 2.
LA TEORÍA BCS
La teoría muestra que el gap de energía a temperatura cero está dado por:
0  4 D e

 2 / g  EF V ´
DondeD es la frecuencia de Debye, g(EF) es la densidad de estados para
el metal normal en el nivel de Fermi, y Vés la intensidad de la
interacción electrón-fonón.
Los estados en el rango de energía
 1 1 
 EF  0 , EF  0 
 2 2 
Son ahora prohibidos y la función

densidad de estados experimenta
deformaciones como se muestra en la
figura.
LA TEORÍA BCS
La teoría BCS muestra que la temperatura crítica está dada por:
0  3,52 kBTc
La tabla muestra algunos resultados experimentales:
TUNELAJE NORMAL
Al cero absoluto no puede fluir corriente hasta que se aplique un voltaje
Eg 
V  0
2e 2e
El gap  es la energía necesaria para que un par de Cooper se disocie en
0
dos electrones, o un electrón y un hueco en el estado normal.
EFECTO JOSEPHSON DC
 1  2
i   T 2 i   T 1
t t
1  n1ei1 y 2  n2ei2
J  J 0 Sen  J 0 Sen(2 1 )
superconductor superconductor
EFECTO JOSEPHSON AC
Cuando un voltaje dc es aplicado a través de la unión, se obtendrá una
corriente alterna.
 1  2
i   T 2  eV i   T 1  eV
t 1 t 2
 (t)   (0)  2eVt / .
J  J 0 Sen 0  2eVt / 
superconductor superconductor
2eV


SQUID: Superconducting quantum interference device
1) La producción de grandes campos magnéticos. Al decir grandes nos
referimos tanto a una gran intensidad del campo magnético como al
espacio en el cual se crea el campo.
2) La fabricación de cables de transmisión de energía. Aunque éstos ya
se manufacturan a partir de los superconductores convencionales (no de
los nuevos superconductores cerámicos), actualmente no son
competitivos comercialmente con respecto a los cables aéreos normales,
a menos de que cubran una gran distancia (de cientos de kilómetros). En
los casos en que las líneas de transmisión deben ser subterráneas, habría
cierta ventaja económica con la utilización de los cables
superconductores.
3) La fabricación de componentes circuitos electrónicos. Estos
dispositivos electrónicos fueron ideados originalmente con la intención
de utilizar la transición de estado normal a estado superconductor como
un interruptor, mas resultaron decepcionantes con respecto a los logros
alcanzados por los transistores de películas delgadas y se ha abandonado
su uso en este aspecto
EL ESTADO FUNDAMENTAL SUPERCONDUCTOR
Tenemos N electrones, cuya energía es principalmente cinética, en estados
indicados por el vector de onda k y el spin σ, y que interaccionan a través
del potencial U(K)
H    (k ) ak ak   U ( K ) a 
a 
a a
k 2  K , k1  K , k1 , k 2 ,
k , k1 , k 2 , K
El primer término representa la energía cinética de los electrones medida a

partir del nivel de Fermi.
El segundo término representa la interacción entre electrones a través de
Los fonones.
H    (k ) ak ak   U ( K ) a 
a 
a a
k 2  K , k1  K , k1 , k 2 ,
k , k1 , k 2 , K
Transformaciones de Bogoliubov: tienen en cuenta propiedades de
emparejamiento
bk  uk ak  v k ak , bk  uk ak  v k ak
bk  uk ak  v k ak , bk  uk ak  v k ak
uk2  v 2k  0 uk  Cosk , vk  Senk
H  2   (k ) v 2k  U ( K ) u k v k uk  K v k  K
k k ,K
   
  2  k  u v
k k  u 2
k  v 2
k   U (K ) u k K v k  K bk bk
k  k ,K 
H  2   (k ) v 2k   U (K ) u k v k uk  K v k  K
k k ,K
   
  2  k  u v
k k  u 2
k  
v 2
k   U (K ) u k K v k  K bk bk
k  k ,K 

2  k  uk v k  uk2  v 2k   U (K ) u k K vk  K  0
K
uk2  v 2k  0
w
0   U u
w
k K vk K
1  k  
2
u  1  2 
 0   k  
k
2  2
2 1  k  
v  1  2 
 0   k  
k
2  2
1
 
w
1  U  20   2 (k )
2 w
1 2w
g ( EF ) U n
2 0
EL ESTADO FUNDAMENTAL
SUPERCONDUCTOR
E0
1 2
2
2

 2  k    0   0   (k ) .
2 1/ 2

 0 k
El estado fundamental es un auto estado de H con una energía más baja

que la de una esfera de Fermi llena de electrones.
p2 C 2
h   x
2m 2
p C
P  Q  x
0
m0
0 2
h 
2

P  Q2 
C 1
Q, P  x, p 1
m 0
2 Q  i P , 2   Q  i P
2     P 2  Q2  1 2     P 2  Q2  1
P2  Q2  2    1    N
0 2
h 
2

P  Q2    1
 h  0    
2

0 2
h 
p2 C 2
 x , h
2m 2

2
 2
  1
P  Q , h  0  N  
2

      1
 N  N  
N  n
N     n 1 
0
  
función propia de N para el valor propio n - 1
      1
N     N  
N  n
   n  cte  n1
 n  n  1  n1
n 
1
n!
 
 n
 0
2 Q  i P , 2   Q  i P
C p
Q  x C  m 2
P 
0 0
m0
m0 1 m0 1
 x i p ,  

x i p
2 2m0 2 2m0
p2 C 2
h   x
2m 2
1 1
H   P( R)   u ( R) D ( R  R´)u ( R´)
2
R 2M 2 R, R´
1 1
H   P( R)   u ( R) D ( R  R´)u ( R´)
2
R 2M 2 R, R´
1  ms (k ) 1 
ks 
N
e i k . R
es (k )  
2
u( R)  i
2ms k 
P( R ) 
R  
1  ms (k ) 1 
 ks 

N
e i k .R
es (k )  
2
u( R)  i
2ms k 
P(R)
R  
  1
H   s k k s k s  
k ,s  2
u (R), P R´
   i   RR´
u (R), u R´  P (R), P R´

    0
0, k no es vector de la red recíproca

e i k .R
 
R  N , k es vector de la red crecíproca
 k ,s , k´s´   i kk´ ss´
 k ,s ,  k ´ s´    
k ,s
, k´s´   0
uR  
1


N k ,s 2ms (k )
 
k s  k ,s e s k ei k.R
i  m s k 
PR   
N k ,s 2
 
k s  k ,s e s k  ei k .R
 e k  e k 
s 1
s s   
e
k
i k .R
 0, R0
1
R 2M P ( R ) 2

1

4 k ,s
 s (k ) 
 ks   
k s 
 
ks
  k s 
1
 
U   s (k ) k s  k s k s   ks
4 k ,s

  1
H   s k k s k s  
k ,s  2



 ψ
U(r)  g
V
g
e i g.r
M k ´k   e  i k´.r
 g e dV
g
V e i g.r i k .r
M k ´k   g
V
g
e i k  g k´.r
dV
Vg , si k  g - k´ 0
M k ´k  
U(r)  V (r  R )

a 
M k´k   e i k .r
a
V r  R   e i k .r
dV

M k ´k   e i k k´.r

M k´k   e i k k´.R 
 e i k k´.(r R )

1
M k ´k  Va (K)
N

e iK.R 
K  k´k
1

iK .r
Va (K )  Va (r ) e dV
Vc
Si la red está fija, es decir, si no hay vibraciones:
 1  eiK1L 1   1  eiK2 L 2   1  eiK3L 3 

e iK.R 
 
1  e

iK1  
1  e iK 2
 
1  e iK3

    

e iK .R 
 N  K ,g
M k ´k  Va (g)  k k´,g
Aquí mostramos los pasos para calcular el factor de red en un experimento
de difracción cuando sí consideramos las vibraciones de la red
R´ R  u  R   (Aq eiq.  Aq eiq. )
q
  
Fred
1
 e
N 
iK .R  ´ 1

  exp  i K  R    A q eiq.R  A q eiq.R
N 


  q 
1

N 
e iK.R  ´

1

N 
e iK.R 

q
exp  i K  A qe iq.R 

 A iq.R 
qe 
   
exp  i K  Aqeiq.R  Aqeiq.R  1  iK  Aqeiq.R  Aqeiq.R  ... 
iK .R   iq.R  
Fred
1
 e
N 

1   exp  i K  Aq e 
 q 
1 1
Fred   e iK .R 
  exp  i K  A q   ei qK .R 
N  N q 
1 1
Fred  e iK .R 
  exp  i K  A q   ei qK .R 
N  N q 
M k ´k  Va (g) k k´,g  i k´k   A q Va k´k 
Si hablamos de la difracción de electrones por las vibraciones de la red,

Tenemos que considerar sólo:
 1
 n q  
  i k´k   A q Va k´k 

M k ´k 2 Eq  2
Aq  
Nmq2 Nmq
Interacción electrón – electrón via un fonón
Para el primer proceso
M k ,k K M k´,k´K
k  K, k´K U k, k´ 
E(k)  Ek  K   q
k-K k´+K
k-K k´+K
q
-q
k k´ k k´
Para ambos procesos:

2
M k ,k K 2q
U K  
E (k)  E k  K 2  q  2
Interacción electrón – electrón via un fonón
2
M k ,k K 2q
U K  
E (k)  E k  K   q 
2 2
Para el intervalo : E(k )  E(k  K)  q

2
2 M k ,k  K
U K   
 q
M k ´k   i k´k   A q Va k´k 
K 2
 Va K  K  Aq  Va K 
2 2 2 2
M k ,k  K
2 N m q
FÍSICA DE SEMICONDUCTORES

FC-UNI
Diciembre 2013
ARTURO TALLEDO
DOCTOR EN FÍSICA
La Distribución Maxwell Boltzmann(*)
• Dado un sistema de N partículas como las moléculas de un gas en un
recipiente, el número de partículas en un nivel de energía Ei, con
degeneración gi es:
Ni  A g i e- Ei /KBT
donde A es una constante de normalización y KB es la constante de Boltzmann
Número total de partículas N  A e-E/KBT g(E) dE
Etotal  A E e-E/KBT g(E) dE

Energía total del sistema de partículas
Es válida para N partículas distinguibles que no obedecen principio de exclusión de
Pauli
(*) Ver: Solid -State and Semiconductor Physics por J.P. McKelvey
• La probabilidad de que un estado de energía E sea ocupado por un
electrón a una temperatura T es:
1
f (E) 
e(E-μ)/KBT  1
donde μ es el potencial químico (depende de cada material) y KB la constante
universal de Boltzmann.
Número total de partículas N   f(E) g(E) dE
Energía total del sistema de partículas Etotal   E f(E) g(E) dE
Es válida para N partículas indistinguibles que obedecen principio de exclusión de

Pauli
f (E)
CONCEPTO DE HUECO
Ee Eh
kh
Eh (kh)
Ee(ke) Ke Kh
ke
kh   ke Eh (k h )   Ee (k e ) vh (k h )  ve (ke ) m*h (k h )   m*e k e 

CONCEPTO DE HUECO
Ee Eh
ε kh
ke
dk h dk e
    eε  La carga eléctrica del hueco es positiva
dt dt
Conductores, semicondutores y aislantes
BC
BC gap
gap
BV BV
BV
Conductores semicondutores aislantes

(a) aislantes, (b) metal o semimetal, (c) metal

 2k 2
E c (k )  E g 
2m*e
 2k 2
E v (k )  
2m*h
3/2
1  2m e 
g e (E)  2  2 
2π   
E  E g
1/ 2
3/2
1  2m e 
g h (E)  2  2   E 1/ 2
2π   
E C2
0
n  f (E) g(E) dE
E C1
p   f h (E) g h (E) dE
-
3/2 
1  2me  EF/K BT
 E  E 
1/ 2  E/K BT
n  2 2  e g e dE
2π    Eg

 1/2
 e dx 
1/ 2  x
x
0 2
3/2
n  2 2 
e e
 2π 
0
p   f h (E) g h (E) dE
-
1 1
f h  1  f (E)  1 -   e E F /K BT e E/KBT
eE-E F /K BT  1 e(EF E)/KBT  1
3/2
1  2m e 
g h (E)     E 1/ 2
2π 2   2 
3/2
m k T
p  2  e B 2  e-E F /K BT
 2π 
np
1 3  mh 
E F  Eg  K BT Ln 
2 4  me 
1/T
3/2
 k BT 
ni  2  2 
me mh 
3/4
e
 E g /2K BT
2π 
e2
V(r)  
4π ε r ε 0 r
1  me   - m0 e 4 
Ed  2   
me ε r  m0   2(4π ε 0) 2 
ε r  10 ,  0,2
m0
Ed  0,01eV
1  m h   - m0e 4 
E a  2   
ε r  m0   2(4π ε 0) 2 
Ordenes de magnitud:
Ea  0,01 eV
3
 k T 
n p  4  B 2  me m h  e g B
3/2  E /K T
2π 
2
np  n i
semiconductores extrínsecos tipo n
n i2
n  Nd  p
Nd
semiconductores extrínsecos tipo p

n i2
p  Na  n 
Na
DIFUSIÓN DE PORTADORES EN SEMICONDUCTORES
Difusión bajo diferentes circunstancias: (a) un pulso de concentración

n vs x en t = 0. Las flechas indican corrientes de partículas. (b) El
Ensanchamiento del pulso debido a la difusión en tres instantes sucesivos.
(c) Un pulso de electrones difundiéndose y trasladándose en un campo
eléctrico. (d) La desaparición del pulso debido a la recombinación.
DIFUSIÓN DE PORTADORES EN SEMICONDUCTORES
Ley de Fick: Para una concentración no uniforme , la corriente de
partículas J´(número de partículas por unidad de área y por unidad de
tiempo) está dado por:
n
J´   D
x
donde D es llamada la constante de difusión. Esta ley establece que la
corriente es proporcional al gradiente de concentración.
En el caso de semiconductores el flujo por difusión de electrones y huecos
implica corrientes eléctricas:
p
n J h   eDh
J e  eDe x
x
 k BT
Usando mecánica estadística se puede demostrar que: D 
e
La ecuación de difusión para un tipo de portador.
p 
J  e D  pe E
x
Por ecuación de continuidad:
 p 1 J 2 p   
    D 2   p E
  t  flujo e x x x 
No todos los portadores fluyen, algunos se recombinan:

 p p  p0
  
  t recombinación ´
 p  p  p
     
 t   t  flujo   t  recombinación
p 2 p     p  p0
 D 2   p E  Esta es la ecuación de difusión.
t x x  ´
Solución en dos casos
1) Solución estacionaria para campo igual acero.
 2 p p  p0
D 2 0
x ´
p1  p - p0  Ae  x / LD
, LD  D ´
1/ 2
2) Solución estacionaria para campo diferente de cero.


 p1  E p1 p1
2
  2 0
x 2
D x LD
 x / LD ELD
p1  p - p 0  Ae ,   1  s  s, s 
2
2D
Grafico de las dos soluciones
UNION p-n: Propiedad de rectificación

p n
p n
BC BC
Ed J nr0  J pr0 J nr0  J pr0
Ea
BV BV
J nr0  J ng0 J pr0  J pg0

Unión p-n
I n  e( J nr  J ng )  eJ ng0 (eeV0 / KBT )
I n  e( J nr  J ng )  eJ ng0 (eeV0 / KBT 1)
J ng  J ng0 I p  e( J pr  J pg )  eJ pg 0 (eeV0 / K BT 1)

I n  I n  I p  e ( J ng 0  J pg 0 ) (eeV0 / K BT 1)
eV0 / K BT
J nr0  J nr0e
I  I0 (eeV0 / K BT  1)
 eV0 / K BT
I  I0 (1 - e )
I  I0 (1 - eeV0 / K BT ) I  I0 (eeV0 / K BT  1)
I  I0 (1 - eeV0 / K BT )
 eV0 / K BT
I  I0 (1 - e ) I  I0 (e eV0 / K BT
 1)
Unión p-n: Cálculo de I0: corriente de saturación
I0   e J ng0  J pg0 
- El campo eléctrico está concentrado
en la unión misma.
- Discutimos primero la polarización positiva.

La barrera de potencial es reducida por eV0.
Huecos son inyectados desde región p donde
son mayoritarios a región n donde son
minoritarios.
- El exceso de concentración de huecos en
la región está dado por:
pn1(x)  pn (x) - pn0  pn1 x0 e

 x / Lp
, x0
pn0 es el valor de la concentración en equilibrio.

Unión p-n: Cálculo de I0
La corriente es debida a la inyección y subsecuente difusión de portadores minoritarios
La barrera de potencial es reducida por eV0:
 pn x0  pn 0 eeV0 / k BT
 pn1 x0  
pn 0 eeV0 / k BT  1 

pn1 x  pn0 eeV0 / kBT 1 e  x / Lp
, x0
 pn  pn1
J pn   Dp   Dp
x x
Unión p-n: Cálculo de I0
e Dp pn 0 eV0 / k BT
I 
pn x  0 
Lp
e  1 e
 x / Lp

 e Dp pn0 e Dn n p 0  eV0 / kBT

I 
pn x  0  e  
Ln 
 e   1 e 
 x / Lp
 Lp
 Dn n p 0 Dp pn0 
I0   e J ng0  J pg0   e   

 L n L p 
 Dn Dp 
I0  e n (T ) 
2
i  

 Ln p p 0 L p nn 0 
Unión p-n: Cálculo del potencial de contacto
3/2
n  2 2 
e e
 2π 
n n0  U c eEcn  E F /K BT
EF  
 E cp  E F /K BT
n p0  U c e
n n0
 ee 0 / K BT
n p0
k BT  n n0 p p 0  k BT  N d N a 
0  Ln 2
 0  Ln 2 
e  ni  e  ni 
0  0,3V Para germanio con Nd = Na = 1016 cm-3

EL ANCHO DE LA UNIÓN Y EL CAMPO ELÉCTRICO
d 2  ( x)
 
dx2 
 x  e  px  Nd x  nx  Na x
Aproximación: No hay portadores

d 2n eN d
  , 0  x  wn
dx 2

d 2 p eN a
 , - wp  x  0
dx 2

(1) El campo es cero fuera de la unión
(2) El campo es continuo en el punto x = 0 (el centro de la unión)
(3) El potencial es continuo en x = 0 y lo escogemos igual a cero.
(4) La deiferencia de potencial entre los bordes de la unión es 0
EL ANCHO DE LA UNIÓN Y EL CAMPO ELÉCTRICO
wn N d  wp N a
wn  2  0 Na / Nd Nd  Na  e
1/ 2
wp  2  0 N d / N a N d  N a  e
1/ 2
1/ 2
 2  0  1 1  
w  wn  wp      
 e  Na Nd  
El campo en x = 0
 20
E (0) 
w
El transistor
Primera edición digital
Noviembre, 2015
Lima - Perú
© Arturo Talledo
PROYECTO LIBRO DIGITAL
PLD 2918
Editor: Víctor López Guzmán
http://www.guzlop-editoras.com/
guzlopster@gmail.com
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Lima - Perú
PROYECTO LIBRO DIGITAL (PLD)
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ción de alta calidad en los contenidos, y, que su existencia no está circunscrita solo a las letras.
Algunos objetivos que esperamos alcanzar:

• Que el estudiante, como usuario final, tenga el curso que está llevando desarrollado como un libro (con
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• Que las profesoras y profesores actualicen la información dada a los estudiantes, mejorando sus
contenidos, aplicaciones y ejemplos; pudiendo evaluar sus aportes y coherencia en los cursos que dicta.
• Que las profesoras y profesores, y estudiantes logren una familiaridad con el uso de estas nuevas
tecnologías.
• El libro digital bien elaborado, permitirá dar un buen nivel de conocimientos a las alumnas y alumnos
de las universidades nacionales y, especialmente, a los del interior del país donde la calidad de la
educación actualmente es muy deficiente tanto por la infraestructura física como por el personal docente.
• E l p e r s o n a l d o c e n t e j u g a r á u n r o l d e t u t o r, f a c i l i t a d o r y c o n d u c t o r d e p r o y e c t o s
de investigación de las alumnas y alumnos tomando como base el libro digital y las direcciones electró-
nicas recomendadas.
• Que este proyecto ayude a las universidades nacionales en las acreditaciones internacionales y
mejorar la sustentación de sus presupuestos anuales en el Congreso.
En el aspecto legal:
• Las autoras o autores ceden sus derechos para esta edición digital, sin perder su autoría, permitiendo
que su obra sea puesta en internet como descarga gratuita.
• Las autoras o autores pueden hacer nuevas ediciones basadas o no en esta versión digital.
Lima - Perú, enero del 2011
“El conocimiento es útil solo si se difunde y aplica”
Víctor López Guzmán

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FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO

Conjunto de puntos descrito por tres vectores linealmente

donde a1 , a 2 , a3 son vectores

• Se clasifican por sus propiedades de

• Hay 5 tipos de redes bidimensionales

• Hay 14 tipos de redes 3D (redes de Bravais)

• Los tres vectores l.i. que definen la celda

• Tres puntos no colineales de una red

• Red: cúbico simple

• Cristal = Red + base

• Desde cualquier punto de la

• Otras operaciones de simetría son la inversión, reflexiones

• C2x, C2y, C2z

Sistema Celda unitaria Grupos Número de

Nótese que T`+ T`` es de

12 atomos por celda unitaria o celda primitiva

esfera negra altura c/2

FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO

El volumen (  ) de una celda primitiva de una red

El producto escalar de un vector R de la red directa

• La familia de planos paralelos {hkl} en la

g es vector más pequeño en esa dirección, o sea, vector primitivo de

g en términos de ejes cristalinos recíprocos g hA k BlC

Interceptos con ejes cristalinos: pa, qb , rc

 Los índices de Miller del plano R . g = 2  N son (hkl)

• Plano perpendicular a g que

porque dos vectores primitivos del plano Π0 y un vector R = a1

donde R es un vector de la red cristalina

donde V es el volumen de la celda primitiva

V0 , si x  -a/4, a/4

V0 , si x  -a/4, a/4 , y  -a/4, a/4

• De un punto de la red recíproca se trazan segmentos

Primera zona de Brillouin de una

La primera zona de Brillouin de una red FCC es la celda WS

La primera zona de Brillouin de una red BCC es la celda WS

FÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO

Un haz monocromático de rayos X al incidir sobre un

El haz es desviado un ángulo 2θ si encuentra en su

Cada familia de planos cristalinos produce un haz

Campos del rayo incidente: E inc  A e i (K i x - w t)

Para dos electrones:

donde n es el número de electrones en un átomo, pero para ser más precisos

donde n P , es el número de átomos por celda primitiva,

 N , si K  g , vector de red recíproca

N es el número de celdas primitivas en el cristal

La intensidad de la radiación re-emitida por un cristal es

Y se llaman condiciones de Laue para la difracción

donde g 0 es el vector de la red recíproca más pequeño en

Al factor F podemos llamarle factor de red primitiva.

S se llama factor de estructura y la suma es sobre todos

Shkl  f a (1 + ei(h Α + k  +l C)(1/2)(a + b + c) )

Shkl  f a (1 + ei(h Α + k  +l C)(1/2)(a + b ) + ei(h Α + k  +l C)(1/2)( b + c ) + ei(h Α + k  +l C)(1/2)(c + a ) )

a 4 f a , si h, k y l tienen la misma paridad 

Es una esfera en el espacio recíproco cuyo radio es igual al módulo del

• Laue, haz policromático

Se usa un haz polcromático con vectores de onda con módulos

Al moler el cristal se tienen partículas de algunos micrones, todavía cristales,

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