Coursd'Electroniques (YAP)

Cours d’électronique analogique 1
RÉPUBLIQUE DE CÔTE D'IVOIRE

UNION - DISCIPLINE - TRAVAIL UNITÉ DE FORMATION ET DE RECHERCHE
_______
SCIENCES DES STRUCTURES DE LA MATIÈRE
MINISTÈRE DE L'ENSEIGNEMENT SUPÉRIEUR ET DE TECHNOLOGIE
ET DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE
UNIVERSITÉ DE COCODY
LABORATOIRE DE PHYSIQUE DE LA MATIÈRE

CONDENSÉE ET DE TECHNOLOGIE
LPMCT)
(
ÉCOLE NORMALE SUPÉRIEURE (E.N.S.)

CENTRE DE FORMATION CONTINUE (C.F.C)
UNIVERSITÉ DE VACANCES
LICENCE DE SCIENCES PHYSIQUES (L.S.P.)
ELECTRONIQUE ANALOGIQUE
(Notes de cours et exercices d’application)
Dr. Claude YAPO

Maître assistant
2009 -2010
Dr YAPO Claude – Enseignant Chercheur – UFR SSMT- LPMCT

CHAPITRE I : COMPOSANTS ELEMENTAIRES ET CONDUCTION DANS LES SOLIDES ................ 8
INTRODUCTION .................................................................................................................................................. 8
I- LA STRUCTURE (ATOMIQUE) DE LA MATIERE .................................................................................... 8
1) L'ATOME ..............................................................................................................................................8
2) LES ELECTRONS ...................................................................................................................................8
3) LA STRUCTURE CRISTALLINE .............................................................................................................9
4) L'AGITATION THERMIQUE ..................................................................................................................9
5) LA BANDE DE VALENCE .....................................................................................................................10
6) LA BANDE DE CONDUCTION ..............................................................................................................10
II- LES CONDUCTEURS ................................................................................................................................... 10
1) LE MECANISME DE LA CONDUCTION ................................................................................................11

2) MOBILITE-RESISTIVITE ....................................................................................................................11
4) CONDUCTION PAR TROU. ...................................................................................................................12
III- LES ISOLANTS ............................................................................................................................................ 13
IV- LES SEMI CONDUCTEURS ....................................................................................................................... 13
1) SEMI-CONDUCTEURS INTRINSEQUES ................................................................................................14

2) RESISTIVITE .......................................................................................................................................14
3) VARIATION DE LA RESISTIVITE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE. ...........................................15
4) LES SEMI-CONDUCTEURS EXTRINSEQUES ........................................................................................15
A) LES SEMI-CONDUCTEURS EXTRINSEQUES DE TYPE N .........................................................................16
B) SEMI-CONDUCTEUR EXTRINSEQUE DE TYPE P ....................................................................................16
C) LA RESISTIVITE ...................................................................................................................................17
) SC de type N ......................................................................................................................................17
) SC de type P .......................................................................................................................................17
CHAPITRE II : LA JONCTION PN - DIODE A JONCTION...................................................................... 19
I- INTRODUCTION ............................................................................................................................................ 19
II- POLARISATION D’UNE JONCTION PN .................................................................................................. 20
1) POLARISATION DANS LE SENS DIRECT..............................................................................................20

2) POLARISATION DANS LE SENS INVERSE ............................................................................................20
3) CARACTERISTIQUE COURANT-TENSION ...........................................................................................21
III- DESCRIPTION ET COMPORTEMENT DU COMPOSANT ................................................................. 22
IV- MODELISATIONS ....................................................................................................................................... 22
1) MODELISATION PAR UNE LOI MATHEMATIQUE : LA LOI DE SHOCKLEY .......................................22

2- MODELISATION PAR UNE COURBE CARACTERISTIQUE ...................................................................23
3- MODELISATION PAR SCHEMAS ELECTRIQUES EQUIVALENTS ........................................................24
3-1- DIODE POLARISEE EN DIRECT (I > 0, V > 0) ......................................................................................24
a) VS négligeable  VS  0 ....................................................................................................................24
b) VS non négligeable ..............................................................................................................................25
3-2- DIODE POLARISEE EN INVERSE – DIODE BLOQUEE (V < 0) ...............................................................26
a) IS négligeable IS  0.............................................................................................................................26
b) IS non négligeable ...............................................................................................................................27
4- RESUME ..............................................................................................................................................27
V- SPECIFICATIONS PRINCIPALES ............................................................................................................. 28
1) LES LIMITES D’UTILISATION .............................................................................................................28

2) LES PARAMETRES DU MODELE .........................................................................................................29
3) LE COMPORTEMENT FREQUENTIEL .................................................................................................29
4) L’INFLUENCE DE LA TEMPERATURE.................................................................................................30
VI- APPLICATION DE LA DIODE A JONCTION ........................................................................................ 30
1- NOTION DE DROITE DE CHARGE ET POINT DE FONCTIONNEMENT .................................................30

2- REDRESSEMENT (D’UN SIGNAL BIDIRECTIONNEL, SINUSOÏDAL) ....................................................31
3- REDRESSEMENT BI ALTERNANCE .....................................................................................................32
A) AVEC DEUX SOURCES EN OPPOSITION DE PHASE .................................................................................32
B) AVEC UNE SEULE SOURCE (PONT DE DIODES) .....................................................................................32
VII- EXEMPLE D’AUTRES TYPES DE DIODES .......................................................................................... 33
1- LA DIODE ELECTROLUMINESCENTE .................................................................................................33

2- LA DIODE ZENER................................................................................................................................34
A)- DESCRIPTION - COURBE CARACTERISTIQUE – SYMBOLE - MODELISATION ..............................34
B) - UTILISATION DE LA DIODE ZENER (OU DIODE REGULATRICE DE TENSION) ...............................35
Α- STABILISATION DE TENSION ...............................................................................................................35
Β) PROTECTION CONTRE LES SURTENSIONS ............................................................................................40
VIII- LE FILTRAGE ........................................................................................................................................... 40
1) PRINCIPE DE FILTRAGE PAR CONDENSATEUR .................................................................................40

A) R = ∞ ( R DECONNECTEE) ...............................................................................................................41
B) CAS GENERAL ( R  ∞) ........................................................................................................................41
2- SCHEMAS USUELS D’ALIMENTATIONS AVEC REDRESSEURS – DOUBLE ALTERNANCE ..................41
3- ONDULATION......................................................................................................................................42
A) DEFINITION .........................................................................................................................................42
B) IMPORTANCE DU TAUX D’ONDULATION .............................................................................................43
C) FACTEURS DONT DEPEND L’ONDULATION ..........................................................................................43
CHAPITRE III : TRANSISTORS A JONCTIONS BIPOLAIRES ................................................................ 44
I- TRANSISTORS BIPOLAIRES NPN ET PNP ................................................................................44

1) TECHNOLOGIE ET CONVENTION .......................................................................................................44
A) DESCRIPTION ......................................................................................................................................44
B) IDENTIFICATION : REPERAGE DES CONNEXIONS .................................................................................45
C) CONVENTIONS .....................................................................................................................................46
A) SENS DES POLARISATIONS ..................................................................................................................46
B) RESEAU DE CARACTERISTIQUES .........................................................................................................47
b-1) Caractéristique à VCE constante .......................................................................................................47
b-2) Caractéristique à IB constant ............................................................................................................48
CHAPITRE IV : TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (TEC) .................................................................... 50
A JONCTIONS ..................................................................................................................................................... 50
I- INTRODUCTION : .......................................................................................................................................... 50
II- DESCRIPTION ............................................................................................................................................... 50
III- ÉTUDE DU FONCTIONNEMENT (SUR T.E.C. CANAL N) .................................................................. 52
1) CARACTERISTIQUE ID (VDS) A VGS = 0 ..............................................................................................52

2) EXPLICATION PHYSIQUE DES OBSERVATIONS .................................................................................53
3) CARACTERISTIQUE ID (VDS) POUR VGS < 0 .......................................................................................54
4) CONCLUSION SUR LE FONCTIONNEMENT .........................................................................................54
IV- RÉSEAUX DE CARACTÉRISTIQUES ..................................................................................................... 55
V- EXPLOITATION DES T.E.C. A JONCTION ............................................................................................. 57
1) REGIME RESISTIF (CARACTERISTIQUE DE SORTIE) ........................................................................57

3) REGIME DE COMMUTATION ..............................................................................................................58
4) REGIME D’AMPLIFICATION ...............................................................................................................59
VI- AUTRES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP .................................................................................... 61
T.E.C. A CANAL P ...................................................................................................................................61
VII- TRANSISTORS M.O.S. .............................................................................................................................. 61
1) LES T.E.C. A PORTE ISOLEE A CANAL N DIFFUSE (CONDUCTION EN VOLUME) .............................61

2) T.E.C. A PORTE ISOLEE A CANAL INDUIT .........................................................................................63
VIII- APPLICATIONS DES TRANSISTORS M.O.S. ..................................................................................... 64
1) AVANTAGE ET INCONVENIENT .............................................................................................................. 64
2) LE TRANSISTOR M.O.S. EN CIRCUIT INTEGRE .................................................................................64
CHAPITRE V : AMPLIFICATION ÉTUDE GÉNÉRALE............................................................................ 65
I- GÉNÉRALITÉS ET CONVENTIONS .......................................................................................................... 65
II- RAPPEL SUR LES QUADRIPOLES ........................................................................................................... 65
1) MATRICE IMPEDANCE .......................................................................................................................66

2) MATRICE ADMITTANCE .....................................................................................................................67
3) MATRICE DE TRANSFERT ..................................................................................................................69
4) MATRICE HYBRIDE............................................................................................................................69
III- AMPLIFICATION ........................................................................................................................................ 70
1) DEFINITION : UN AMPLIFICATEUR EST UN DISPOSITIF ACTIF ASSIMILABLE A UN QUADRIPOLE ..70

2) AMPLIFICATION .................................................................................................................................70
3) APPLICATION .....................................................................................................................................70
A) AMPLIFICATION EN COURANT.............................................................................................................71
B) AMPLIFICATION EN TENSION...............................................................................................................71
C) AMPLIFICATION EN PUISSANCE ...........................................................................................................72
IV- IMPEDANCE D’ENTREE D’UN AMPLIFICATEUR ............................................................................. 72
V- IMPÉDANCE DE SORTIE ZS ...................................................................................................................... 72
VI- GAIN D’UN AMPLIFICATEUR ................................................................................................................. 74
1) DEFINITION : ......................................................................................................................................74
2) GAIN EN COURANT – GAIN EN TENSION ...........................................................................................75
VII – COURBE DE REPONSE D’UN AMPLIFICATEUR – BANDE PASSANTE ..................................... 75
VIII- ADAPTATION D’IMPEDANCE.............................................................................................................. 76
1) EXEMPLE :..........................................................................................................................................76
2) APPLICATION A UN AMPLIFICATEUR ................................................................................................77
IX- CLASSIFICATION DES AMPLIFICATEURS ......................................................................................... 77
CHAPITRE VI : AMPLIFICATION PAR TRANSISTOR ............................................................................. 80
I- ETUDE GRAPHIQUE ..................................................................................................................................... 80
1) RESEAU DE CARACTERISTIQUES (CF CHAPITRE III) .......................................................................80

2) PARAMETRES DU TRANSISTOR ..........................................................................................................80
3) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES...................................................................................................80
II- ETUDE MATHEMATIQUE ......................................................................................................................... 83
1) STABILITE DU POINT DE REPOS AVEC LA TEMPERATURE ...............................................................83

A) DEFINITIONS .......................................................................................................................................83
) LE COURANT DE FUITE DE LA JONCTION COLLECTEUR BASE, POLARISEE EN INVERSE, (EMETTEUR EN
L’AIR) EST NOTE ICBO. ..............................................................................................................................83
) LE COURANT DE FUITE COLLECTEUR EMETTEUR, BASE EN L’AIR EST NOTEE ICEO..............................83
) LE COEFFICIENT  ...............................................................................................................................83
) RELATION ENTRE  ET  .....................................................................................................................84
) RELATION ENTRE ICBO ET ICEO .............................................................................................................84
) RELATION ENTRE IC, IB ET ICBO LORSQUE LA TEMPERATURE VARIE ............................................85
B) QUELQUES ORDRES DE GRANDEURS ...................................................................................................85
2) LES COEFFICIENTS DE STABILITE EN TEMPERATURE .....................................................................85
A) MONTAGE DE POLARISATION AVEC PONT DE BASE ............................................................................86
B) MONTAGE AVEC RB A PARTIR DE VAL ................................................................................................87
C) MONTAGE AVEC R’B SUR COLLECTEUR ..............................................................................................88

III - AMPLIFICATEURS A TRANSISTORS BIPOLAIRES ......................................................................... 88
A) MONTAGE AMPLIFICATEUR EMETTEUR COMMUN ...................................................................... 88
1) LE TRANSISTOR EST UN QUADRIPOLE ..............................................................................................88

2) PARAMETRES HYBRIDES ...................................................................................................................89
3) EQUATIONS DU TRANSISTOR .............................................................................................................89
4) SCHEMA EQUIVALENT D’UN TRANSISTOR EN PETITS SIGNAUX ......................................................89
4) SCHEMA EQUIVALENT DU MONTAGE COMPLET. .............................................................................90
5) CARACTERISTIQUES DE L'AMPLIFICATEUR EC ..............................................................................90
6) SIMPLIFICATION DES EQUATIONS DU TRANSISTOR .........................................................................93
B) MONTAGE AMPLIFICATEUR BASE COMMUNE (B.C)....................................................................... 95
1) MONTAGE COMPLET : ................................................................................................................95

B) CALCUL DES HIJB EN FONCTION DES HIJE SUPPOSES CONNUS ...............................................................96
C) SCHEMA EQUIVALENT DU TRANSISTOR EN B.C. .................................................................................98
D) CARACTERISTIQUES DU MONTAGE B.C. .............................................................................................98
C- MONTAGE AMPLIFICATEUR COLLECTEUR COMMUN................................................................ 102
1) MONTAGE COMPLET ....................................................................................................................102

2) EQUATIONS DU TRANSISTOR AVEC LES HIJC ...................................................................................102
3) SCHEMA EQUIVALENT DU TRANSISTOR EN FONCTION DES HIJ......................................................103
4) CARACTERISTIQUES DU MONTAGE CC ..........................................................................................103
III- AMPLIFICATION A L’AIDE D’UN TEC ............................................................................................... 108
1) MONTAGE : REGIME DES PETITS SIGNAUX.....................................................................................108

2) CARACTERISTIQUE DU TEC EN PETITS SIGNAUX ..........................................................................109
3) SCHEMA EQUIVALENT AU TEC EN REGIME DE PETITS SIGNAUX .................................................109
4) MONTAGE SOURCE COMMUNE........................................................................................................110
VOIR 1, MONTAGE ................................................................................................................................110
5) MONTAGE AVEC RESISTANCE DE SOURCE NON DECOUPLEE ........................................................111
L'AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL ....................................................................................................... 117
INTRODUCTION: ............................................................................................................................................. 119
AMPLIFICATEUR DE DIFFERENCE PARFAIT : ..................................................................................... 120
AD EST LE GAIN DIFFERENTIEL DU MONTAGE ...................................................................................120

1) MONTAGE DE BASE DE L’AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL : ..........................................................120
2) ETUDE DU GAIN DU MONTAGE : .......................................................................................................120
3) MONTAGE A SORTIE FLOTTANTE : ..................................................................................................121
4) MONTAGE A REFERENCE COMMUNE : ............................................................................................122
5) IMPEDANCE D’ENTREE DIFFERENTIELLE : .....................................................................................122
6) AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL REEL :..........................................................................................123
7) TAUX DE REJECTION EN MODE COMMUN : .....................................................................................123
8) EXEMPLE D’AMPLIFICATEUR DIFFERENTIEL INTEGRE : ...............................................................125

AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS ..................................................................................................... 126
1) PRESENTATION DES A.O : ................................................................................................................126

2) BRANCHEMENT DES ALIMENTATIONS DES A.O : ............................................................................126
3) SYMBOLE DES AMPLI.OP : ...............................................................................................................127
4) CARACTERISTIQUES ESSENTIELLES ET APPLICATIONS : ..............................................................127
5) FONCTIONNEMENT EN REGIME STATIQUE : ...................................................................................128
6) AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL PARFAIT : .................................................................................129
7) FONCTIONNEMENT EN REGIME DYNAMIQUE : ...............................................................................129
8) ÉTUDE DE L’EVOLUTION DE VS ET U EN FONCTION DU TEMPS : ...................................................131
9) PROPRIETE ESSENTIELLES D’UN A.O. PARFAIT :...........................................................................133
10) GAIN DE L’A.O. EN FONCTION DE LA FREQUENCE : .....................................................................133
11) VITESSE LIMITE DE BALAYAGE EN TENSION A LA SORTIE D’UN A.O. : ......................................133
12) CONCLUSION : ................................................................................................................................134
EXERCICES....................................................................................................................................................... 136
TRAVAUX DIRIGÉS : DIODE A JONCTION 1 ........................................................................................... 159
TRAVAUX DIRIGÉS : LA DIODE A JONCTION 2 .................................................................................... 160
TRAVAUX DIRIGÉS : LA DIODE ZENER ................................................................................................... 161
TRAVAUX DIRIGÉS : AMPLIFICATEUR EC ............................................................................................ 164
TRAVAUX DIRIGÉS : AMPLIFICATEUR CC ET BC ............................................................................... 165
TRAVAUX DIRIGÉS : L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL 1 ........................................................... 167
TRAVAUX DIRIGÉS : L’AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL 2 ........................................................... 168

CHAPITRE I : COMPOSANTS ELEMENTAIRES ET
CONDUCTION DANS LES SOLIDES
INTRODUCTION
Nous aborderons l'étude des conducteurs, isolants et semi-conducteurs de façon

élémentaire mais suffisante pour l'objectif de ce cours.
En effet, notre but est de présenter les composants électroniques de base tels les diodes,
transistors amplificateurs opérationnels dans leur comportement macroscopique. Nous
étudierons plus en détail les applications usuelles dans lesquelles entrent ces composants de
base.
L'étudiant, à l'issue de ce cours, devrait pouvoir reconnaître et analyser les montages
électroniques fondamentaux et rendre l'acquis reçu sous forme de cours théoriques et pratiques
à de jeunes élèves de classe secondaires des lycées et collèges.
I- LA STRUCTURE (ATOMIQUE) DE LA MATIERE
1) L'atome
Un atome est composé d'un noyau autour duquel gravitent des électrons.
Le noyau est composé de protons de charge positive et de neutrons de charge nulle.
Les électrons ont la même charge que les protons en valeur absolue. Ils sont chargés
négativement.
La charge de l'électron ou du proton est la plus petite charge existante et vaut e = 1,6 10-19 C.
Un atome possède autant de protons que d'électrons. Donc, il est électriquement neutre.
Un atome devient un ion lorsqu'on lui arrache un ou plusieurs électrons(ion positif =
cation) ou si au contraire on lui apporte un ou plusieurs électrons (ion négatif = anion).
Les divers composants diffèrent par leur nombre de protons ou électrons.
2) Les électrons
Les électrons tournent autour du noyau atomique sur des orbites autorisées (permises)
correspondant à des niveaux d'énergie(niveaux permis).
Tout niveau intermédiaire entre deux niveaux permis est un niveau interdit.
Les électrons peuvent occuper les niveaux permis en respectant les règles suivantes :
- Il ne peut exister plus d’un électron par niveau,

- Les niveaux les plus bas, correspondant aux orbites les plus proches du noyau,
ils sont occupés en priorité.
Un électron qui quitte son orbite pour un niveau plus bas restitue la différence d'énergie
entre les deux niveaux sous forme d'un rayonnement qui peut être visible ou thermique.
Un électron recevant une énergie insuffisante pour le hisser à un niveau supérieur refuse
cette énergie et reste sur son orbite.
Les électrons des niveaux bas sont très fortement liés au noyau de leur atome. Les
électrons des niveaux élevés sont faiblement liés à leur atome.
3) La structure cristalline
Dans certaines conditions, les atomes peuvent s'assembler dans les trois dimensions de
l'espace et former des édifices rigides nommés cristaux.
Le cristal est un assemblage d'atomes formant un édifice rigide.
La cohésion de la structure est due au fait que deux atomes voisins mettent en commun
un électron chacun. Ce sont les électrons des orbites périphériques qui participent à cette
cohésion(les électrons sur l’orbite de valence).
Les forces qui maintiennent les atomes ensemble sont appelées liaisons covalentes (ou
de covalence).
Exemple : cristal de silicium

Chaque atome se retrouve avec 8 électrons sur sa
●
couche externe. Ces 8 électrons ne lui appartiennent
● ●
● ●● ●● ● pas en propre. Il les partage avec ses 4 plus
● ● ● proches voisins.
● ● ●● ●
● ●
●
4) L'agitation thermique
Les particules qui constituent la matière sont en perpétuel mouvement ce qui est vrai
pour les électrons comme les noyaux. Ces mouvements constituent l'agitation thermique.
En effet, il existe une corrélation entre le degré d'agitation et la température d'un corps
(dilatation, fusion, vaporisation).
L'absence totale d'agitation thermique survient à -273°C correspondant au zéro (0) degré
absolu.
5) La bande de valence
C'est l'ensemble des niveaux d'énergie permis pour les électrons de valence.
La bande de valence de certains corps comporte plus de niveaux d'énergie que
d'électrons. Elle est dite alors incomplète.
6) La bande de conduction
Il existe des niveaux d'énergie pour lesquels l'électron est libéré de l'obligation de
demeurer sur orbite autour de deux noyaux voisin(électrons libres).
L'ensemble de ces niveaux d'énergie très voisines constituent la bande de conduction.
La bande de conduction n'est pas toujours occupée.
II- LES CONDUCTEURS

Sous entendus conducteurs d'électrons. Les conducteurs, sont des matériaux qui ont la
propriété de permettre le passage facile des électrons c'est-à-dire du courant électrique. Cette
propriété vient du fait que les électrons périphériques se libèrent très facilement de la couche
externe pour circuler de façon désordonnée à travers le cristal.
Pour le cuivre (Cu) par exemple, on a un électron libre par atome soit 1029 électrons
libres par mètre cube de métal.
En fait, dans les conducteurs, la bande de valence et la bande de conduction sont très
proches ou se recouvrent.
BC Un électron n'a aucun mal à passer de la bande

de valence(BV) à la bande de conduction,
BV l'agitation thermique à la température
ambiante est suffisante. L'électron devient
alors électron libre.

1) Le mécanisme de la conduction

On crée à l'intérieur du conducteur un champ électrique ( E ) par l'application d'une
différence de potentiel ( ddp). Les électrons (e-) libres sont soumis à la force F = - eE. Ils
acquièrent ainsi un mouvement d'ensemble vers l'extrémité de potentiel le plus élevé.
e-
F
+ _
E
Ce déplacement des e- libres dans le même sens constitue le courant électrique.
2) Mobilité-Résistivité
Les électrons libres dans leur déplacement heurtent les ions de la structure cristalline
donc leur mouvement n'est pas uniformément accéléré. Ces chocs provoquent un
ralentissement. Et très vite, les électrons acquièrent une vitesse limite proportionnelle au
champ électrique.
 S
v = E e- v e-

v E
 = mobilité vdt
   = m /V.s
2
La quantité de charge dQ qui traverse une section droite du conducteur pendant le temps
dt infiniment petit est :
dQ = neSvdt
e = charge de l’électron
n = concentration en électrons par unité de volume
S = la section du conducteur
v = la vitesse d'écoulement
dQ
Or I = = neSv
dt
= nesE
I
On définit la densité de courant j = = enE on pose
S
j = E  = en

 est la conductivité. Elle varie selon le matériau. En effet, la conductivité dépend de n et .
 en -1m-1 .
1
= est la résistivité en .m

3) Variation de la résistivité avec l'agitation thermique.

L'agitation des électrons et des ions du réseau (cristallin) augmente avec la température.
La conséquence est la multiplication des chocs des électrons libres donc une diminution de la
mobilité .
 étant inversement proportionnelle à , la résistivité est donc fonction croissante de la
température. En première approximation, cet accroissement peut être considéré comme
linéaire de la forme  = o ( 1 + t)
o = résistivité à 0°C
 = coefficient de température ( 1/273 pour les métaux)
t = Température en degré C.
4) Conduction par trou.

Si par apport d'énergie quelconque un électron d'une liaison covalente est arraché à son
atome, il apparaît dans la structure un trou, une place libre. L'orbite peut capter un électron
d'un atome voisin laissant sur celui-ci un trou. De proche en proche, le trou se déplace. C'est le
trou qui se déplace et non l'ion positif : il est trop lourd pour le faire.
La conduction par trous est moins rapide que la conduction par électrons libres. (p <<
n).
Il y a une double conduction : celle des électrons libérés et celle des électrons liés des
liaisons covalentes. En l'absence de champ électrique, ces déplacements sont aléatoires
(désordonnés).
Il est à noter qu'un trou peut être non seulement comblé par un électron de liaison
covalente mais aussi par un électron libre passant à proximité. Il y a alors recombinaison.

III- LES ISOLANTS
Ce sont des matériaux caractérisés par :

- une bande de conduction (BC) vide
- une bande de valence (BV) complète
- une bande interdite (BI) entre BC et BV dont la largeur représente plusieurs eV (eV
énergie acquise par un électron accéléré sous une tension de 1 Volt).
Les isolants offrent donc une ,très grande
Niveaux d’énergie
résistivité au passage du courant.
BC vide
Dans les isolants, il n'existe pas d'électron
BI libre. Seule une tension élevée (c-à-d un

Plusieurs eV
champ E intense) peut libérer des électrons. Il
y a alors claquage de l'isolant. On a atteint
BV complète
alors la tension disruptive.
IV- LES SEMI CONDUCTEURS
Un semi-conducteur est un matériau qui a une conductibilité intermédiaire entre le

conducteur et l'isolant. A la T° ambiante (25°C), le semi-conducteur n'est ni un bon
conducteur ni un bon isolant. A très basse température, le semi-conducteur est presque isolant
parfait.
Exemple de semi-conducteur : le silicium (Si), le Germanium (Ge), le carbone graphite

(C), le Sélénium (Se) parmi les corps simples. Le carbure de Silicium ou la galène(sulfure de
plomb) parmi les corps composés.
Exemples de résistivité (en m)
Conducteurs Semi-conducteurs Isolants
Argent 1,6 10-8
Cuivre 1,7 10-8 Germanium 0,5 Diamant 1012
Aluminium 2,8 10-8 Silicium 2 400 Rica 1010, à 1015

1) Semi-conducteurs intrinsèques
Ce sont des semi-conducteurs purs ne contenant que des atomes du semi-conducteur (par
exemple que des atomes de Si pour le Silicium) c’est-à-dire sans impureté. Ils sont caractérisés
par une bande interdite de largeur faible de l'ordre de 1eV.
BC
BI 1 eV
BV
Une faible énergie est suffisante pour libérer un électron de liaison covalente et le faire
franchir la bande interdite et rejoindre la bande de conduction. L'énergie de libération est
appelée énergie de conduction. Elle vaut Wo = 1,12 eV pour Si; Wo = 0,72 eV pour le Ge et
Wo = 7 eV carbone diamant (isolant).
Le nombre d'électrons libérés augmente avec la température donc le nombre de trous
également. La concentration n d’électrons libres est égale à la concentration p de trous dans la
bande de valence (n = p).
A T = 27°C pour le Silicium n = p = 1,5 1016 m-3
pour le Germanium n = p = 2,5 1019 m-3
2) Résistivité
Comme dans un conducteur, si on applique un champ E à l'intérieur d'un semi-
conducteur, les porteurs libres prennent un mouvement d'ensemble. :
les trous dans le sens du champ E (porteur > 0)
les électrons dans le sens inverse (porteur < 0)
Ce double déplacement constitue le courant électrique.
 
+e v p E vn -e
○
 +e
v n -e ○
vp
Remarque : un déplacement de trou n'est qu'un déplacement d'électrons en sens inverse.

La même analyse que pour les conducteurs montre que les deux types de
porteurs ont des mobilités différentes : n pour les électrons et p pour les trous.
A 27°C pour le Ge n = 39 106 m2/V.s et p = 19 106 m2/V.s
pour le Si n = 12 106 m2/V.s et p = 5 106 m2/V.s

D’où Vn = nE et Vp = pE sont les vitesses limites des deux types de porteurs. Il vient
toujours par analogie avec les conducteurs que :
- la conductivité due aux électrons libres est n = enn
- la conductivité due aux trous est p = enp
et la conductivité du semi-conducteur est  = n + p = e(nn + pp)
1 1
et la résistivité est 1 = e(nn + pp) = en(n + p) avec n = p

3) Variation de la résistivité en fonction de la température.
Toute élévation de température s'accompagne d'un accroissement de l'agitation

thermique et d'une multiplication des ruptures de liaisons covalentes.
Donc une production d'électrons libres plus grande et une augmentation des chocs avec
les ions du réseau cristallin (diminution de la mobilité). Cette augmentation des chocs est
négligeable devant la grande production d'électrons libres. La loi mathématique traduisant la
concentration de porteurs libres en fonction de la température s'écrit comme suit :
n = p = AT3/2exp(-Wi/2kT)
T = température absolue (K)
Wi = énergie de libération ou de conduction (J)
k = constante de Boltzmann (1,38 10-23J/K)
A = coefficient dépendant du semi-conducteur
La résistivité  : elle varie à l'inverse de n et est une fonction décroissante de la
température.
 = a exp(Wi/2kT)
4) Les semi-conducteurs extrinsèques
Il s'agit de semi-conducteurs dans lesquels sont introduites des impuretés voulues pour
améliorer la conductibilité. On parle de dopage du semi-conducteur (SC).
En fait, la production des porteurs libres des SC intrinsèques à T° ambiante est
insuffisante pour les besoins des applications.
Par dopage on remplace dans la structure cristalline un certain nombre d'atomes du SC
par des atomes de dopeurs.
Les dopeurs sont de deux types: soit ils ont 3 électrons sur leur couche externe soit 5

électrons.
a) Les semi-conducteurs extrinsèques de type N
●
●● ● Le 5ème électron apparaît comme excédentaire
●
dans la structure cristalline qui demeure
●● ●●
cependant électriquement neutre.
Le dopeur a 5 électrons sur sa couche externe (Azote, Phosphore, Arsenic, Antimoine)

La libération de cet électron excédentaire se fait par un apport d'énergie très faible (0,01
eV pour le Ge et 0,05 eV pour le Si) puisque ne rentrant pas dans une liaison covalente. Il est
très faiblement lié à son atome.
Il arrive que tous les électrons excédentaires du dopeur soient libérés avant d'atteindre la
température ambiante d'où un accroissement considérable des porteurs négatifs par rapport au
SC intrinsèque.
La conductivité intrinsèque due aux ruptures de liaisons covalentes subsiste toujours
mais reste négligeable devant la conductivité due aux impuretés (dopeurs).
Il y a production d'électrons ou de porteurs de type N. Le dopeur est un donneur
d'électrons. Les électrons sont les porteurs majoritaires et les trous minoritaires.
NB : l'atome qui a donné son électron reste sous forme d'ion positif (cation) fixe dans le
réseau cristallin.
b) Semi-conducteur extrinsèque de type P
Le dopeur a 3 électrons sur sa couche externe (Bore, Aluminium, Gallium, Indium).

L'atome de dopeur ne peut réaliser que 3 liaisons
Trou covalentes avec les atomes voisins du SC. Donc
○
● ●
●
apparition d'un trou. Et une très faible énergie sera
nécessaire pour combler ce déficit par un électron
●● ●●
d'une liaison covalente voisine avec déplacement
du trou.
La production de trous s'en trouvera considérablement augmentée avant d'atteindre la
température ambiante, comparativement à celle du SC intrinsèque : d'où l'accroissement
important de la concentration en porteurs positifs.
Les trous sont les porteurs majoritaires et les électrons les porteurs minoritaires.
Le dopeur est un accepteur d'électron. Le semi-conducteur extrinsèque est dit de type P

ou la conductivité est de type P.
c) La résistivité
) SC de type N
Nd = concentration en atomes donneur
nn = concentration en porteurs négatifs
pn = concentration en porteurs positifs
Le cristal restant électriquement neutre, on a
nn = Nd + pn avec nn >>pn les porteurs majoritaires (les électrons ) sont plus
nombreux que les porteurs minoritaires (les trous)
Il vient : nn  Nd
On montre que dans tous les cas, on a :
nnpn = nipi
avec ni = concentration en porteurs négatifs dans le SC intrinsèque
pi concentration en porteurs positifs dans le SC intrinsèque
pn = nipi/nn = nipi/Nd  = 1/enin

n = nipi/nn = nipi/Nd résistivité du SC de type N.
) SC de type P
Na = concentration en atomes accepteurs
np = concentration en porteurs négatifs
pp = concentration en porteurs positifs
La neutralité électrique du cristal entraîne :

pp = Na + np les porteurs >0 sont majoritaires et
les porteurs < 0 sont minoritaires;
donc pp >>np pp  Na
on arrive à  = 1/epNa
Conclusion : la résistivité d'un semi-conducteur extrinsèque est approximativement

inversement proportionnelle à la concentration en impuretés.
La résistivité reste quasiment constante jusqu'à des températures voisines de la
température ambiante.

40 373 Ge T(K)
473 Si
Aux températures plus élevées, la conductivité intrinsèque devient importante et masque

la conductivité extrinsèque.
La conductibilité extrinsèque se manifeste dès 40°K. avec une croissance considérable
pour se stabiliser jusqu'à 373°K pour le Ge et 473°K pour le Si et au delà de ces
températures, se superpose à la conductibilité extrinsèque la conductibilité intrinsèque.

CHAPITRE II : LA JONCTION PN - DIODE A JONCTION
I- INTRODUCTION
Dans un même barreau de SC on réalise une zone de conductibilité de type P et une zone
de conductibilité de type N qui se touchent.
+ + + + - - - -
P - - - - + + + + N
+ + + + - - -
- - - - - + + + +
+ + + + - - -
- - - - - + + + +
+ + + + - - -
- - - - - + + + +
Dans la zone P, les trous sont les Dans la zone N, les électrons sont les
porteurs libres (porteurs majoritaires porteurs libres (porteurs majoritaires
symbolisés par le signe (+). Dans les symbolisés par le signe (-). Dans les
carrés avec le signe - ( - ) ce sont carrés avec le signe + ( + ) ce sont
les anions (ions négatifs) qui sont figés. les cations (ions positifs) qui sont figés.
On réalise la jonction des deux zones (symboliquement). A la jonction, des électrons

diffusent vers la zone P et se recombinent avec les trous en laissant derrière eux des ions
positifs du donneur. Dans le même temps, des trous de la zone P diffusent vers la zone N et se
recombinent avec des électrons de celle-ci et laissent derrière eux des ions négatifs de
l'accepteur. On obtient la configuration suivante étant entendu que le phénomène de diffusion
recombinaison des porteurs majoritaires se réalise sur une certaine largeur. Il y a apparition
d'une charge spatiale positive du côté N et réciproquement négative du côté P.
Zone de transition
- - - - - + + + + +
P - - - - - + + + + + N
- - - - - + + + + +
- +

De part et d’autre de la jonction, il y a apparition d’une zone débarrassée de porteurs

libres. Il y a apparition d’une barrière de potentiel que ne peuvent plus franchir les porteurs
majoritaires à la température ambiante. Par contre, le champ interne créé par cette barrière de
potentiel accélère le déplacement des porteurs minoritaires.
   
F  eE F  eE  électron minoritaire de la zone P
P
N trou minoritaire de la zone N

E
Trous et électrons minoritaires sont soumis à des forces les conduisant dans le sens de la
traversée de la zone de transition (zone de déplétion). Le déplacement de ces porteurs
minoritaires constituent le courant de saturation, en sens inverse du courant de diffusion
(courant des porteurs majoritaires).
Lorsque la jonction est en circuit ouvert, un équilibre s’établit.
On a alors Idiffusion = Isaturation.
II- POLARISATION D’UNE JONCTION PN
1) Polarisation dans le sens direct

Une jonction PN est dite polarisée en direct si le potentiel de l’extrémité P est supérieur
à celui de l’extrémité N.
P N Une telle ddp aux bornes de la jonction crée un
champs électrique inverse à celui de la barrière
de potentiel. La barrière de potentiel est alors
+ - abaissée de la valeur U.
U
Les porteurs majoritaires de la zone P sont repoussés vers la jonction, de même que les
porteurs majoritaires de la zone N. La conséquence est que la zone de transition se rétrécie et
le nombre de porteurs majoritaires qui peuvent franchir la barrière augmente
considérablement.
Il apparaît un courant de P vers N qui circule continuellement. Le courant de diffusion
devient prépondérant. On l’appelle le courant direct.
2) Polarisation dans le sens inverse

Une jonction PN est dite polarisée en inverse si le potentiel de l’extrémité P est inférieur
à celui de l’extrémité N.
Une telle ddp aux bornes de la jonction

P - + N
- + crée un champ électrique dans le même
+ +
+ + sens que celui de la barrière de potentiel.
+ +
+ + Celle-ci s’en trouve donc augmentée de
- +
la valeur U.
U
Les porteurs majoritaires de la zone P sont repoussées vers l’intérieur de la zone P de

même que les porteurs majoritaires de la zones N sont repoussées vers l’intérieur de la zone N.
Ce qui a pour conséquence d’élargir la zone de transition-zone de déplétion).
Les porteurs majoritaires ne peuvent pas franchir la barrière de potentiel. Du moins le
nombre de porteurs majoritaires franchissant la barrière de potentiel est réduit.
Le courant des porteurs minoritaires (courant de saturation) devient prépondérant. On
l’appelle courant inverse ou courant de fuite. Il garde une valeur très faible.
3) Caractéristique courant-tension
Le courant Id croît rapidement avec la tension U (U > 0) alors que le courant de fuite IS
ne dépend pratiquement pas de la hauteur de la barrière de potentiel. IS garde une valeur très
faible et pratiquement constante quand U est négatif (U < 0).
T2>T1
T1
U
-IS1
-IS2

III- DESCRIPTION ET COMPORTEMENT DU COMPOSANT
La diode à jonction est un dipôle passif dont le symbole représentatif est le suivant :
K
A
L’une des bornes appelée Anode (notée A) correspond à la zone P. L’autre borne
appelée cathode et notée K correspond à la zone N.
La dissymétrie de la représentation symbolique traduit quelque peu le fonctionnement
asymétrique du composant.
Lorsque le courant circule de A vers K, la diode est polarisée en direct.
Polarisation en direct (i > 0 et v > 0)
A K
i (diode passante)
Polarisation en inverse (i < 0 et v < 0)

A K
i
(diode bloquée )
NB : Dans la polarisation en direct, la diode est conductrice (du courant) ou passante

avec i> 0 au delà d’une valeur (Vd ou Vs) seuil de la tension à ses bornes.
IV- MODELISATIONS
On distingue plusieurs méthodes pour traduire le fonctionnement d’un composant
quelconque et la diode à jonction ne failli pas à cette règle. Suivant le domaine d’utilisation on
appliquera tel ou tel autre modèle. De manière générale, il existe trois(3) types de
modélisation :
- par une loi mathématique
- par une courbe caractéristique
- par des schémas électriques équivalents.
1) Modélisation par une loi mathématique : la loi de Shockley
L’étude théorique de la physique du solide appliquée à la jonction PN permet de déduire

l’équation du courant i traversant la jonction sous la forme :
 v 
i = IS [exp   – 1]
 U T 
i = courant traversant la diode ( en Ampère)
v = ddp aux bornes de la diode ( en Volt)
 = coefficient compris entre 1 et 2 dépendant de la densité de courant (sans dimension)
kT
UT = tension thermodynamique UT = ( en Volt)
e
e = charge de l’électron ( 1,6 10-19 C)
k = constante de Boltzmann ( 1,38 10-23J/K)
T = température absolue ( en Kelvin)
à 300 K, UT  26mV
IS = courant de saturation inverse ( en Ampère) avec
Ui
IS = ATxexp ( )
UT
A = constante dépendant du matériau et des caractéristiques géométriques
x = paramètre valant 2 à 3
eUi = énergie d’activation ou de " conduction " eUi = 0,72 eV pour le Ge
= 1,2 eV pour le Si
T = température absolue.
En polarisation inverse, ii = IS (v et ii sont négatifs)
ii = IS (1 – exp(v/UT)) (v< 0)
2- Modélisation par une courbe caractéristique
Cette modélisation est déduite de mesures expérimentales. On obtient alors i = f(v)
courant traversant la diode en fonction de la ddp à ses bornes dont l’allure est la suivante :
i(mA)
IFM
VRM
VS v (V)
IS
IRM
 En polarisation directe (v > 0 et i > 0) la tension v aux bornes de la diode est quasi

constante et égale à la tension de seuil (appelée aussi tension de déchet) :
vs = 0,6 V pour une diode au Si
vs = 0,3 V pour une diode au Ge
Il y a destruction de la diode pour i  IFM courant direct max
 En polarisation inverse (v < 0 et i < 0) il existe un courant inverse très faible (-IS)
pour v < VRM, lorsque v > VRM, i augmente brusquement et très rapidement. Deux
phénomènes peuvent en être la cause : l’effet Zener et l’effet d’avalanche.
IFM et IRM définissent les limites de validité de ce modèle et celles du fonctionnement
normal de la diode.
3- Modélisation par schémas électriques équivalents

Notons que de la caractéristique de la diode on peut tirer une loi mathématique et un
modèle sous forme de schéma électrique équivalent.
Rappelons que la diode n’est pas utilisée seule, elle fait partie d’un réseau. C’est donc
par rapport aux valeurs des courants et tensions dans ce réseau que l’on pourra élaborer un
modèle traduisant le comportement de la diode dans le réseau.
3-1- Diode polarisée en direct (i > 0, v > 0)

diode passante.
Il existe deux cas de figures extrêmes : ou bien la tension de seuil VS est négligeable
devant les autres tensions ou bien elle ne l’est pas.
a) VS négligeable  VS  0
La diode se comporte comme un interrupteur fermé. Le schéma électrique équivalent
sera donc un interrupteur fermé.
i
IFM
A A
K K
i
i
v v=0 0 v
i0i>0
Symbole 0 < i  IFM
Schéma électrique équivalent Caractéristique
correspondante

b) VS non négligeable
La diode se comporte alors comme une force contre électromotrice (fcem) de valeur VS (
VS = 0,6 V pour le Si et 0,3 V pour le Ge)
i
IFM
A i -
i + K
v = VS VS v
v
0 < i  IFM
Symbole Caractéristique
Schéma électrique
correspondante
Ce modèle est le plus utilisé en pratique. Notons que VS n’existe que si la diode est
incluse dans un réseau. La diode est un composant passif qui tout seul ne peut produire la
tension VS.
Ce modèle très utilisé a besoin quelquefois d’être affiné. En effet, autour de VS (v > VS )
mais très peu différent de VS. La caractéristique n’est pas tout à fait verticale. Il existe deux
façons d’approximer la celle-ci :
) Caractéristique linéaire de pente di/dv = 1/Rd
La caractéristique a l’allure suivante :
i = av + b
a est la pente de la droite, on pose a = 1/Rd
IFM
à i = 0 v= VS
d’où 0 = aVS + b
soit b = -aVS
il vient donc i = av - aVS
i = 1/Rd.v – 1/Rd.VS
0 VS v
Rd est homogène à une résistance
Soit v = Rdi + VS. De cette équation, on tire le schéma électrique équivalent suivant :
i Rd
A i K
+ -
v
VS
Symbole v
Schéma électrique équivalent

) Caractéristique non linéaire
On détermine pour chaque valeur de i et v la résistance dynamique rd = dv/di(i0) tangente
à la caractéristique en i0.
i Le schéma électrique équivalent est le
suivant :
rd
i0 A i + - K
i
v VS
v
Dans ce cas, le domaine de validité du modèle est restreint autour de la valeur i0 qui
permet de calculer rd =v / i
1/rd est la tangente à la caractéristique en i = i0
Remarque : à partir de la loi mathématique simplifiée i = IS exp(v/UT).

On a rd(i) = UT/i
En effet, di/dv = 1/rd = (IS/UT)exp(v/UT) = i/UT
3-2- Diode polarisée en inverse – diode bloquée (v < 0)
Deux cas extrêmes également ou bien IS est négligeable ou bien non.
a) IS négligeable IS  0
La diode se comporte comme un interrupteur ouvert.
i
A
A
i K i=0 K
VRM
0 v
v V<0
VRM < v < 0
Symbole
Schéma électrique
Caractéristique
Interrupteur ouvert
correspondante

b) IS non négligeable
) IS constant (pente nulle)
La diode se comporte comme un courant contre électromoteur (ccem).
IS
i
A A i K
i K
VRM 0
v v
- IS v
Symbole VRM < v < 0
Schéma électrique Caractéristique
correspondante
) Variation linéaire du courant inverse (pente non nulle)

Ce modèle est exceptionnel
i
IS
A K VRM
A i K
0 v
i - IS
v
Ri
Symbole De pente 1/Ri
v
VRM < v < 0 Caractéristique
Schéma électrique correspondante
4- Résumé
En résumé et de façon générale, la diode à jonction sera considérée en première
approximation (diode idéale) comme un interrupteur : diode passante = interrupteur fermé (v=0, i
> 0)
diode bloquée = interrupteur ouvert ( i = 0, v < 0).
i
IFM
VRM
0 v
i = 0, v  0, v< 0 diode bloquée i  0, v = 0, i > 0 diode passante

= diode polarisée en inverse = diode polarisée en direct
= interrupteur ouvert = interrupteur fermé

En deuxième approximation, la diode est bloquée dès que la tension à ses bornes est
inférieure à VS on a alors la caractéristique suivante :
i
IFM
VRM
0 VS v
Diode bloquée : Diode passante :

v < VS, i = 0 K (trait plein)
= interrupteur ouvert A
v = VS, i0 A i + - K
= fcem
VS
Trait en pointillé
= fcem + résistance interne Rd
i Rd
A K
VS
V- SPECIFICATIONS PRINCIPALES
Ces spécifications, le plus souvent précisées par les constructeurs sont indispensables
pour l’utilisateur. Elles l’aident pour un fonctionnement optimal du composant dans
l’environnement d’utilisation. Elles sont regroupées sous quatre (4) rubriques :
- les limites d’utilisation
- les paramètres du modèle
- le comportement fréquentiel
- l’influence de la température.
1) Les limites d’utilisation

Les limites sont liées principalement :
- à la technologie (destruction du composant au delà de certaines valeurs du courant ou
de la tension)
- aux types de signaux (régime permanent ou impulsionnel)
- à l’environnement, en particulier la température ambiante ; les dispositifs à semi-

conducteurs sont très sensibles aux variations de température comme le montre
l’expression de I : I = IS(T) exp(eV/kT) - 1
Ces limitations sont généralement précisées par le constructeur qui indique :
- IFM : courant direct maximal en régime permanent (de quelques mA à plus de 1000 A
parfois).
- IRM courant inverse maximal en régime impulsionnel (la durée de l’impulsion est
précisée)
- VRM tension inverse maximale en régime permanent (parfois 1000 V)
- tension inverse maximale en régime impulsionnel ou transitoire
- température maximale ambiante du boîtier ou de la jonction interne
Tjonction max = 90°C pour le Ge
= 170°C pour le Si
2) Les paramètres du modèle

Ce sont les valeurs numériques que l’on affecte aux éléments portés sur ce modèle. Ces
valeurs doivent être fournies par le constructeur (elles n’ont de signification que si les
conditions de mesure sont précisées : point de fonctionnement, température etc.). A défaut de
valeurs fournies par le constructeur, il est recommandé de connaître les ordres de grandeurs de
ces paramètres pour les semi-conducteurs les plus classiques Ge et Si.
Tension de seuil : VS = 0,6V pour le Si
VS = 0,3 V pour le Ge
Courant de saturation inverse IS de 10-8A à 10-14A pour le Si et de 10-5A pour le Ge
La résistance en direct Rd qui varie de quelques dixièmes d’Ohms à une dizaine d’Ohms
pour le Si et le Ge.
La résistance inverse Ri de quelques dizaines de M ou plus pour le Si et le Ge.
3) Le comportement fréquentiel
Les modèles proposés sont faux ou plutôt ne sont pas satisfaisants pour traduire le
comportement de la diode lorsqu’elle est soumise à des fréquences élevées ou à des
impulsions.
Notons simplement que la prise en compte de ces phénomènes se traduit par la mise en
parallèle de condensateur sur les résistances Rd et Ri.
En direct 1nF < Cd < 103nF
En inverse 1pF < Ci < 100pF

4) L’influence de la température
IS et VS varient avec la température interne de la jonction dans des proportions
relativement importantes
Pour le Si, (dIS/IS/dt)vcte = 16%/°C c’est à dire que IS double environ tous les 10°C.
(dVS/dT)icte  -2mV/°C.
VI- APPLICATION DE LA DIODE A JONCTION
1- Notion de droite de charge et point de fonctionnement
Soit le montage suivant où le générateur fem variable eg(t) ayant une résistance interne Rg est
monté en série avec une diode D.
La diode D est définie par la courbe caractéristique i =
f(v).
i Rg Dans le circuit on a vAK = eg - Rgi . Cette équation dans un
A

1
repère (v,i) est celle d’une droite de pente  . On
Rg
eg(i) VAK D
l’appelle la droite de charge. En effet, notre diode D est le
 dipôle de charge de notre alimentation.
K
e g  v AK
Dans le plan (v,i), la droite de charge a pour équation i 
Rg
i
eg
Rg M1
D2 M D1
0 M2
E-em E E+em vAK
La diode étant définie par sa caractéristique dans le plan (v,i), il existe un point
d’intersection entre la caractéristique i = f(vAK) et la droite de charge. Ce point d’intersection
est appelé le point de fonctionnement. Il traduit l’état de fonctionnement du montage. Les
coordonnés du point M donnent la valeur i du courant dans le circuit et la tension vAK aux
bornes de la diode pour une valeur eg et Rg bien définie (eg =E)..
Remarque : l’ensemble des points de fonctionnement décrit la caractéristique i = f(vAK).
Supposons que eg(t) = E + emsinωt

 3
Donc eg(t) varie entre les limites e1 = E + em (ωt = ) et e2 = E – em (ωt = )
2 2
conséquence, la droite de charge se déplace parallèlement à elle-même entre les droites
extrêmes D1 et D2. Le point de fonctionnement décrit le point caractéristique M1M2.
Deux cas se présentent :
 régime de petits signaux c’est-à-dire em faible lorsque t varie, les projections sur
chacun des axes des différentes positions du point de fonctionnement permettant de trouver i(t)
et vAK(t).
Si M1M2 est un segment de droite alors i(t) et vAK(t) sont sinusoïdaux (régime linéaire).
 régime de grands signaux c’est-à-dire em grand. La portion de caractéristique M1M2 ne
peut plus être assimilée à une droite. Cela implique que i(t) et vAK(t) ne sont pas sinusoïdaux :
il y a distorsion.
2- Redressement (d’un signal bidirectionnel, sinusoïdal)

a) Définition
Le signal de sortie s d’un opérateur de redressement idéal, attaqué par un signal d’entrée
e est tel que : s=e si e > 0
Pour le redressement mono alternance
s=0 si e < 0
s=e si e> 0
Pour le redressement bi alternance
s=-e si e < 0
b) Redressement mono alternance
Signal bi alterné (ici signal sinusoïdal)
Montage de principe
e
D Rg = 0
Rg vD 0
Ru t
s
e 
s Redressement mono alternance
Profil de la tension s aux bornes

du récepteur Ru
0
t
VD
Profil de la tension vD aux 0

bornes du redresseur (diode D)

3- Redressement bi alternance
a) avec deux sources en opposition de phase
D1 e
Em

e t
R
-e
VR

-e
t
D2 vR
Tension redressée double alternance
vD2
NB : La tension inverse maximale supportée t

par chaque diode est égale à -2Em
-2Em
b) avec une seule source (pont de diodes)
D1 e
D2
A Em
C R
VR
℮
t
~ D4
D
D3

vD profil de vD1 et vD3

D1 D2
A VR
C R 0
t
D4 - Em
D3
+
D
comportement du circuit pendant les

alternances positives
D2 vD Profil de vD2 et vD4

D1
A R VR
C
0
t
- D4 D3 - Em
comportement du circuit pendant les

alternances négatives
VII- EXEMPLE D’AUTRES TYPES DE DIODES

Il existe plusieurs types de diodes dont le fonctionnement de base est identique à celui de
la diode classique vue plus haut, cependant avec aspérités différentes. Nous n’en citerons que
deux dans le cadre de notre cours. Il s’agit de la diode électroluminescente (DEL ou LED en
anglais).
1- La diode électroluminescente
C’est un composant de caractéristiques électriques semblables à celle d’une diode à
jonction mais qui émet un rayonnement lumineux visible ou non lorsqu’elle est polarisée en
direct. On la trouve le plus souvent sur la face avant d’appareils électriques pour indiquer la
mise sous tension.
A i K
Symbole
v

2- La diode Zener
a)- Description - Courbe caractéristique – Symbole - Modèlisation
La Diode Zener est une diode dont on exploite en polarisation inverse la partie quasi
verticale de la caractéristique.
Elle se comporte comme une diode classique : i
si elle est polarisée en direct (v >0) et si elle est polarisée en
inverse dans la plage VZ < v < 0
Par contre, lorsque v atteint la valeur VZ

VZ négative (la valeur VZ est stable v
et maîtrisée) il commence à apparaître un
courant inverse qui croît rapidement. IZmin
i0
. Caractéristique de
la Zener
IZmax
- Symbole :
A K
- Schéma électrique équivalent en polarisation inverse et profil de la caractéristique :
 modèle idéal
i
VZ
A - + i K
0
v
 modèle linéaire
i
VZ
A RZ K VZ
- + i
0 v
uZ

 modèle non linéaire
VZ(i0) i
A RZ(i0) K
- + VZ(i0) 0 v
i0
Une diode Zener est spécifiée par :

VZ tension de Zener (2 à 1000 v) VZ
RZ résistance de Zener (1 à 100 )

IZmax courant maximal inverse avant destruction
Imin courant au "coude" de la caractéristique
IS courant de saturation inverse avant l’effet Zener.
La diode Zener est une diode à jonction pour laquelle la tension de claquage est connue avec
précision.
b) - Utilisation de la diode Zener (ou diode régulatrice de tension)

α- Stabilisation de tension
 montage complet
i1 R1 A
E R2 E : source de tension continue > 0

vAB
ou unidirectionnelle > 0
Circuit stabilisateur
 Stabilisateur à vide
vAB = E – R1i1
R1 A i
i1
iZ E  v AB
i1   iZ
R1
E vAB
Droite de pente < 0 dans le plan (v,i)

vAB tension aux bornes de la diode Zener et iZ, le courant dans la Zener. On peut
considérer la carctéristique i= f(v).
Notons que si nous choisissons le sens d’orientation classique de i de l’anode vers la
cathode on a la caractéristique suivante :
A K VZ
v
v
Si nous choisissons d’orienter le courant i de K vers A, la caractéristique devient
i
i
A K
v v
VZ
:
E  v AB
Si nous traçons iZ = f(v) et i1 = sur le même graphe, on a :
R1
E/R1
E v
VZ vAB
On a iZ = i1 (stabilisateur à vide).
Le point de fonctionnement de l’ensemble est le point d’intersection des deux
caractéristiques.
Il implique la condition VZ < vAB < E
La position du point P peut varier suivant que E ou R1 varient.
 Lorsque E est constant et R1 variable, cela implique une variation de la pente de la

E  v AB
droite i1  et nous avons deux (2) positions limites pour P en M’ ou en M.
R1
i
M
M’
E v
 Lorsque la résistance R1 est fixe et E est variable, on a la droite qui se déplace

parallèlement à elle-même (car sa pente ne change pas quand E seul varie) dans la limite de
MM’.
i
M
M’
E v
V ΔE
Nous constatons que pour une grande variation de E (E), on observe une faible variation de v
(v).
 Stabilisateur chargé par R2
i1 R1 i2
A
iZ
E vAB R2

En prenant R1 fixe, les causes pouvant entraîner une variation de vAB sont :
- variation de E
- variation de la charge R2
v AB
Le montage stabilisateur a pour but de réduire les variations relatives
v AB
comparativement aux variations relatives des causes en amont (variation de E) ou en aval
(variation de la charge ; on considèrera plutôt la variation du courant dans la charge en effet,
si R2 varie le courant i2 également varie ).
Exprimons alors la variation vAB en fonction de E et de i2 dans ces conditions la
Zener doit êre remplacée par son schéma électrique équivalent dans le montage on obtient
alors :
R1 i1 i2 A
iZ
RZ R2
E
VZ
Trouvons le générateur équivalant de Thevenin vu des bornes A et B.(càd R2 déconnecté)
R1 i1 i2 A
iZ RZ R1
E Th  E VZ
R1  R Z R1  R Z
E RZ
ETh R 1R Z
R Th  R 1 //R Z 
R1  R Z
VZ
B
Le montage devient :
RTh i2 A
vAB = ETh – RThi2
R Z E  R1VZ RR
v AB   1 Z i2 vAB
R1  R Z R1  R Z ETh R2
cette relation n' est valable que si E  VZ

et VZ  R Zi Zmin  vAB  VZ  R Zi Zmax B

E Th  v AB
v AB  E Th  R Th i 2  i 2  droite de pente -1 / RTh dans le plan (v,i).
R Th
Le dipôle entre A et B peut être représenté par la caractéristique i=f(v).
Si cette caractéristique et la droite précédente sont représentées dans le même plan (v,i),
les deux courbes présenteront alors un point d’intersection P qui traduit le fonctionnement du
système (point de fonctionnement).
i
(c) (c) (c’)
E Th Q
R Th P
P’
P’
i’2
P
D1
vAB ETh ETh v
v
ΔvAB ΔETh ΔvAB
Pour une variation ΔE de E, la droite D1 se déplace parallèlement à elle-même (car pente

inchangée). Cela donne le nouveau point de fonctionnement P’ ((c) inchangé si R2 ne varie
pas).
RZ
E Th  E
R1  R Z
v AB  E Th  R Th i 2  E Th
RZ R 1R Z
 E  i 2
R1  R Z R1  R Z
 Régulation amont
Elle caractérise l’influence de la source E sur la tension vAB aux bornes de la charge (R2).
RZ
En général, ΔvAB < ΔETh et on pose kam  (coefficient de régulation amont).
R1  RZ
Dans ces conditions, pour une variation ΔE de la source, la variation aux bornes de
l’utilisation ( R2) est ΔvAB  ΔETh = kamΔE.
kam est calculé en supposant la charge fixe (R2 ne varie pas).
 Régulation aval
Elle caractéristique l’influence du stabilisateur sur la tension vAB aux bornes du dipôle
d’utilisation R2, lorsque E est fixe et que R2 varie.

ΔvAB
Cela implique que ΔvAB = -RThΔi2 R0    R Th facteur de stabilisation aval.
Δi2
β) Protection contre les surtensions
Lorsqu’on veut limiter la tension entre deux points d’un circuit à une valeur V0, il suffit
de placer entre ces deux points une diode Zener de tension VZ = V0.
i
R
Circuit à
↑ protéger
E DZ
X VZ v
On se trouve ici quand

Dz est bloqué
Si E < VZ, la diode DZ est bloquée. Tout se passe comme si elle n’existait pas.
Si E > VZ, la diode conduit le courant et la tension à ses bornes reste pratiquement
constante et égale à VZ.
VIII- LE FILTRAGE
Dans les montages redresseurs vus plus haut, les tensions redressées sont des tensions
continues (puisqu’elles ne changent pas de signe) mais non constantes.
Le but du filtrage est de transformer ces tensions redressées en une tension aussi
constante que possible.
1) Principe de filtrage par condensateur

Le dispositif de filtrage le plus simple consiste à brancher un condensateur en parallèle
sur la résistance R de charge.
 R

a) R = ∞ ( R déconnectée)
uC
um-vS
u 
C
T T
4
u = Umsint = Ue 2 sint
Le temps de charge de C est très court du
fait de la valeur faible des résistances
résuduelles (secondaire du transformateur,
résistance interne des diodes)
uC  Um (en toute rigueur uC = Um - VS)
b) Cas général ( R  ∞)
VS
 C R
VR en
l’absence
de C
2- Schémas usuels d’alimentations avec redresseurs – double alternance
-
Tension redressée < 0
C

+
C
- R
Pont de Graëtz donnant une tension redressée double alternance positive
U C max  U C min
U C 
2
Remarque : Dans le cas du pont de Graëtz, il faut compter deux VS car il y a toujours
deux diodes en série.
Pour um supérieur à une dizaine de volt, on néglige VS.
3- Ondulation
a) Définition
UC 2ΔU
2ΔUC u
VS
UC min UC max UC moyen
On observe que la tension filtrée évolue entre un maximum (UCmax) et un minimum

(UCmin) traversant la valeur moyenne UCmoyen. Avec une bonne approximation on peut admettre
U C max  U C min
que UCmax – UCmoyen # UCmoy – UCmin # .
2
U C max  U C min
On appelle ondulation la quantité U 
2
U
On appelle taux d’ondulation le rapport il est évalué en pourcentage.
U C moy

b) Importance du taux d’ondulation
Une ondulation importante peut perturber le montage alimenté :

- apparition de ronflements permanents dans les hauts parleurs dans un système
de restitution sonore.
- bandes sombres et images déformées sur l’écran d’un téléviseur
Il est donc important de prévoir qualitativement d’abord et numériquement ensuite les
facteurs susceptibles soit d’améliorer soit d’agraver l’ondulation.
c) Facteurs dont dépend l’ondulation

De façon générale, le taux d’ondulation sera important si le temps de décharge du
condensateur est assez faible(ou n’est pas suffisament long) entre deux crêtes du signal
redressé.
Cela dépend à la fois :
- du type de redressement utilisé : le redressement double alternance donne moins
d’ondulation car les crêtes sont deux fois plus rapprochées que dans le redressement
monoalternance,
- de la fréquence : un signal de fréquence donne moins d’ondulation car les crêtes des
sunusoïdes sont plus rapprochées,
- de la constante de temps RC, plus elle est grande moins le condensateur se décharge
rapidement.
Note : - on diminue l’ondulation en augmentant la capacité de filtrage
- plus l’intensité absorbée par la charge est élevée (R faible) plus l’ondulation est importante.

CHAPITRE III : TRANSISTORS A JONCTIONS BIPOLAIRES
I- TRANSISTORS BIPOLAIRES NPN ET PNP

Bipolaires car il intervient les deux types de porteurs les majoritaires et les minoritaires.
1) Technologie et convention
a) Description
Zones de transition
Zones de transition
E B
P
N P N
E B C
C
N P N
Zone sous E plus dopée que zone C mais la surface de contact est plus petite.
Zone en contact avec C a une plus grande surface commune avec la zone en relation
avec le contact B.
Un transistor est un semi-conducteur dopé de façon à avoir 3 régions dont deux sont de
même conductibilité et qui donne deux types de transistors : PNP et NPN. (figure NPN ci-
dessus).
P N P
Emetteur plus
dopé que Base faible Collecteur
collecteur épaisseur
3 électrodes métalliques.
Au niveau des jonctions, il apparaît une agitation thermique à la température ambiante
responsable de l’existence des zones de transition.

Symbole
c
c
b
b
NPN
e
PNP
e
La flèche indique le sens passant de la jonction eb (base-émetteur).
b) Identification : repérage des connexions
1) Les connexions sont placées suivant un triangle isocèle dont le sommet est la base et
un ergot repère l’émetteur.
E C
2) Le collecteur est repéré par un point de couleur sur le boîtier (bleu  NPN rouge  PNP)
la base est au milieu.
E
B
C
3) Cylindre tronqué
E B C
  

c) Conventions
NPN
Tension
IC VCE = VCB + VBE
VCB
C IE = IB + IC
VCE
B
En petits signaux variables alternatifs
IB
E ou non, on utilisera des lettres
VBE
IE
minuscules : vBE, vCE, vCB, iB, iC, iE
2) Fonctionnement du transistor (bipolaire)

a) Sens des polarisations
Le transistor fonctionne si
NPN PNP
- La base est polarisée négativement par rapport
- la base est polarisée
à l’émetteur (VBE < 0)
positivement par rapport à l’émetteur
- et si VBE est en module suffisante
(VBE > 0)
Exemple :
- et si VBE est suffisante
Le transistor au Si VBE doit être inférieur à –0,6V
Exemple : transistor au Si VBE doit supérieur
Le transistor au Ge VBE doit être inférieure à –0,2V
à 0,6V
La jonction collecteur-base également
T au Ge VBE doit être supérieur à 0,2V
polarisée dans le sens non passant (VC < VB) il
La jonction collecteur-base est polarisée
apparaît un courant de collecteur
en inverse (VC > VB) malgré cela, il apparaît un
IC est proportionnel à IB . C’est ce qu’on
courant collecteur et
appelle l’effet transistor : IC et IB sortent du
IC est proportionnel à IB. C’est ce qu’on
transistor.
appelle l’effet transistor. IC et IB sont entrants dans
IC
le transistor
IC R2
+
R1 E2
IB + E2 - VCE
E1 -
VCE
- + VBE
E1 IE
VBE
IE

Dans tous les cas, la jonction EB est passante et la jonction BC non passante.
Trois montages fondamentaux possibles :
- Emetteur commun (E. C.)
- Base commune (B. C.)
- Collecteur commun (C. C.)
(Commun pour dire que l’électrode considéré est la borne commune aux circuits
d’entrée et de sortie. Dans ce cas, le transistor est considéré comme un quadripôle.)
VCE
sortie VEC
VEB VCB VBC
Entrée VBE
E. C. B. C. C. C.
E. C. est le montage le plus utilisé.
b) Réseau de caractéristiques
Montage expérimental
RC
mA
IC
VCC
mA VCE V
RB
V
VBE
VBB
Circuit d’entrée Circuit de sortie

b-1) Caractéristique à VCE constante
Trois familles de courbes possibles IB = f(VBE) ; IC = f(IB) ; IC = f(VBE) (pas souvent utilisé).
) Caractéristique d’entrée IB = f(VBE)VCE
Il s’agit de la caractéristique classique d’une diode à jonction polarisée en direct.
Tension de seuil VS  0,6 à 1 V (pour le Si) et VS = 0,2 à 0,4 V (pour le Ge)
On donne ci-dessous l’aspect d’un réseau de caractéristiques d’un transistor bipolaire tel
que donné par les constructeurs.

IC(mA) (S) IB constante
Caractéristiques de
VCE constante sortie
transfert
IB(A)
VCE(V)
0,6V(Si)
VCE constante
Caractéristiques d’entrée
VBE(V)
Si VBE < VS IB = 0  le transistor est bloqué
(S) courbe commune à toutes caractéristiques IC(VCE) c’est la courbe de saturation.

I
) Caractéristique de transfert de courant B
IC = f(IB)V donne une courbe pratiquement rectiligne et le rapport 0 = IC/IB est

CE
pratiquement constant.
0 = amplification statique en courant.
b-2) Caractéristique à IB constant

Les différentes caractéristiques possibles sont : IC = f(VCE) ; VBE = f(VCE) et IC = f(VBE)
La plus utilisée est la caractéristique de sortie IC = f(VCE) IB
 Caractéristique de sortie IC = f(VCE)

On observe une forte croissance de IC pour 0 < VCE < 1 V et au delà de 1 V, IC varie très peu.
I C
On peut retrouver avec cette caractéristique l’amplification en courant 0 (0 = )
I B

Remarque : pour VCE très grand (> 40 V), il y a risque de destruction du transistor (effet
d’avalanche). Par conséquent, il existe une valeur maximale pour VCE à ne pas dépasser (VCEmax,
valeur fournie par le constructeur).
Sens de P
parcours
des
électrons N
Conclusion : Effet de transistor

C’est un phénomène anormal vu la polarisation en inverse de la jonction BC qui ne
devrait pas être traversée par un courant IC aussi important.
Causes :
- la base est très peu épaisse. Ce qui fait que les deux zones de même type sont très proches
- la base est très peu dopée afin que la plupart des porteurs la traversent sans être piégés.

CHAPITRE IV : TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (TEC)
A JONCTIONS
En anglais FET : Field Effet Transistor (Champ pour champ électrique)
I- INTRODUCTION :
Nous avons vu précédemment les transistors bipolaires (il intervient les deux types de
porteurs majoritaires et minoritaires.
- majoritaire dans l’émetteur et dans le collecteur
- minoritaire dans la base)
Mais il existe d’autres types de transistors dits unipolaires (il intervient un seul type de
porteurs : les majoritaires).
Par rapport aux transistors bipolaires, ils présentent certaines particularités :
1) leur courant d’entrée est extrêmement faible et le plus souvent négligeable
2) leur courant de sortie est commandé par la tension appliquée à l’entrée
3) leur fabrication est plus simple et ils occupent une surface plus réduite sur le substrat
(intégration plus grande).
Il existe deux types de transistpors unipolaires :
- TEC à jonctions
- TEC MOS (Métal Oxyde, Semi-conducteur)
II- DESCRIPTION
S G D
SiO2
N+ P N+ N+ = zone N très dopée

+ = concentration en porteurs
négatifs (électrons)
supérieur à celle du canal
N
Canal
P
Le transistor est réalisé selon la méthode dite PLANAR, le TEC repose sur un substrat

que nous supposerons pour notre description de type P.
Sur le substrat repose une couche de semi-conducteur de type N (relativement peu
dopée), dans cette couche est créée une zone P reliée à une électrode métallique : la porte ou la
grille (G = Gate).
La zone N est en contact avec deux électrodes situées au dessus de deux zones fortement
dopées (N+)
- l’une de ces électrodes est le drain (D)
- l’autre la source (S)
La zone de Semi-conducteur entre le substrat et la porte est très mince (de l’ordre du
m). On l’appelle canal.
Remarque : les zones fortement dopés (N+) au dessous des contacts métalliques S et D
le sont pour assurer un bon contact entre le Semi-conducteur et les électrodes S et D.
Conclusion :
 Le T.E.C. à jonctions comporte deux jonctions PN entre lesquelles est situé le canal
qui peut être de type N ou P.
 Le T.E.C. a trois électrodes : la source, la porte et le drain (la porte et le contact
métallique sur le substrat sont reliés).
Symbole :
Canal N.
La flèche indique le sens direct

G (sens passant) de la jonction
porte-canal
S

Canal P
D
P+ N P+
P
G
N
S
Choix des orientations des courants et tensions
ID
VDG
D
IG IS = IG + ID avec IG = 0
VDS
VDS = VDG + VGS
G
VGS IS
S
III- ÉTUDE DU FONCTIONNEMENT (sur T.E.C. canal N)
1) Caractéristique ID (VDS) à VGS = 0

(La porte et la source sont liées)
ID
A
D
VDD
G VD V
S
VGS = 0
S
Observations :
 Pour les faibles valeurs de VDS (0 à 2V) ID reste proportionnel à VDS. Ce qui entraîne
un comportement résistif du transistor : le T.E.C. est équivalent à une résistance.
 Pour des valeurs intermédiaires de VDS (2 à 5 ou 6V) ID ne croît plus
proportionnellement à VDS.
 Pour VDS > 5V, ID reste pratiquement constant
 Et enfin, au delà d’une trentaine de volts, ID recommence à croître considérablement
(effet d’avalanche), il y a risque de destruction du transistor (claquage).
La caractéristique ID = f(VDS) a l’allure suivante :
ID(mA)
VDS(v)
Régime
résistif Régime
Régime de d’avalanche
Régime pincement
d’étranglement
2) Explication physique des observations
Zone de transition
Pincement du canal
ID
D
N
+ G P
P Zone de transition
-
S - E3
E2
e- E1
Trajet des électrons

) VDS faible (quelques volts)
Les électrons libres majoritaires du canal se déplacent de S vers D c’est-à-dire vers les

potentiels croissants (iD > 0).
Tant que VDS reste faible, la résistance entre D et S demeure constante.
On a donc un comportement ohmique du composant et l’expression du courant ID est donné par
VDS  V V 
la loi : I D  I DSS  2 1  DS  GS 
VP  2VP VP 
Le canal conserve ses dimensions données à la fabrication.
) Rétrécissement du canal
Lorsque la tension VDS croît (entre 2 et 5 volts) dans le canal, le potentiel croît de S vers
D et les zones de transition des jonctions sont de plus en plus larges de S vers D du fait du
champ électrostatique qui est de plus en plus important de S vers D (effet de champ).
L’élargissement des zones de transition entraîne un rétrécissement du canal et le courant
ID ne croît plus proportionnellement à VDS.
Le pincement a lieu lorsque les zones de transition occupent totalement le canal et la
tension correspondante à cet état est notée VP. A VP, ID reste pratiquement constant.
3) Caractéristique ID (VDS) pour VGS < 0

On observe le même comportement que pour VGS = 0 mais en régime de pincement, le
courant ID est plus faible pour un même VDS donné.
De façon général, pour une même tension, VDS, ID est d’autant plus petit que VGS est < 0.
ID(mA)
IDSS VGS = 0
-1
-3
VDS(V)
4) Conclusion sur le fonctionnement

Le fonctionnement est différent de celui du transistor bipolaire :
- Les porteurs qui assurent le courant de sorti ID sont les majoritaires du canal. Aucune

jonction n'est franchie.
- Le courant d’entrée, entre G et S est toujours très faible car les jonctions porte-canal
et substrat-canal sont polarisées en inverse (IG  quelques A).
- Le courant de sortie ID est commandé par la largeur de la section utile du canal c’est-
à-dire par la tension d’entrée VGS et non par IG.
- Le fonctionnement du T.E.C. à jonction est peu influencé par la température.
IV- RÉSEAUX DE CARACTÉRISTIQUES

Le courant d’entrée IG est négligeable. Par conséquent, la caractéristique d’entrée IG
(VGS) est inexistante. Cependant, pour qu’il en soit ainsi effectivement, il faut polariser les
deux jonctions en inverse c’est-à-dire dans la pratique,VGS < 0.
Les seules caractéristiques sont donc celles de sortie. Soit : ID = f(VDS) à VGS constant.
Montage de principe :
ID
A
D
IS
VDD
VDS V
V S
VGS IS
IG  0 IS = ID + IG
VDD = VDS + VGS

ID(mA)
Réseau de sortie
VGS constant
IDSS VGS = 0
-1
Réseau de transfert à
VDS constant
-3
- VGS -4
VB VDS(V)
Remarque : comme pour un transistor bipolaire. Les caractéristique de sortie sont

limités :
- ID doit être inférieur ID max et VDS  VDS max
- la puissance dissipée dans le T.E.C.
P = VDSID doit rester inférieur à une limite Pmax.
Les valeurs IDmax, VDS max et Pmax sont fournies par le constructeur.
On déduit du réseau de sortie celui de transfert. Les caractéristiques de transfert sont des
2
 V 
arcs de paraboles qui ont pour équation I D  I DSS 1  GS  .
 VB 
Des deux réseaux on déduit les paramètres dynamiques du T.E.C.
 VDS 
    impédance dynamique de sortie
 I D  VGScte
 I D 
s    pente du T.E.C. (en mA/V).
 VGS  VDScte

V- EXPLOITATION DES T.E.C. A JONCTION
1) Régime résistif (caractéristique de sortie)

ID
VDS = quelques volts. Le T.E.C. a un

comportement résistif . La valeur R de
cette résistance est VDS/ID. Elle varie
avec VGS tension d’entrée : plus VGS
devient inférieur à zéro plus R croît.
2 VDS (v)
Entre D et S, le T.E.C. fonctionne comme résistance R commandée par V GS tension

d’entrée.
Exemple de montage :
ID R
VDS = V
R + RD
RD
VDS R
V D
=
G V R + RS
VDS Rapport commandé par VGS car R

S
dépend de VGS.
Ce dispositif fonctionne donc comme un véritable montage potentiométrique dont le

rapport peut être commandé par VGS (aucun organe mécanique n’est nécessaire).
2) Droite de charge statique : polarisation du T.E.C. (caractéristique de soutien)
- Montage de polarisation du T.E.C.

ID
RD
D ED
Rg
iG G
VDS
S
Eg
Ig
E/RD
VGS constante
P’ IDO P
Droite d’attaque
Droite de
charge
Eg 0 VDSO ED VDS
VDS + RDID = ED
ED-VDS
ID =  droite de charge.
RD
P point de repos ou point de fonctionnement.

Remarque : la droite d’attaque est par le circuit d’entrée et puisque iG  0 on tire vgs  Eg
qui représente l’équation de la droite d’attaque. Soit une parallèle à l’axe ID. (P’ point de
rencontre avec la caractéristique de transfert).
3) Régime de commutation
Utilisation du transistor en régime tout ou rien c’est-à-dire à la limite de saturation (ID =

IDSS) et à l’état bloqué (ID = 0).

ID
 VGS < VB T.E.C. bloqué

ID = 0 vDS = ED
VGS = 0
 VGS = 0 T.E.C. saturé ,

iDmax, vDS faible.
4) Régime d’amplification
Montage de principe :
ID + iD
RD
Rg
ig  0
VDD
Eg
vs
vgs
vg 

Etude graphique
Vgs  Eg + Vg sint
iD
ID = I sint en phase avec vys
P’ IDO P
VS = - RDiD
Vs = -VDS sint
Eg VDSO
VDS = RDI
VDS
Vgs
Amplification obtenue
 en tension t
Av = vS/vgS = - VDS/VG en général, Av ne dépasse pas quelques unités.
 en courant
Ai = iD/ig = I/0 =  en pratique, ig  100mA = 10-7A.
Si ID = 1 mA alors Ai = 10-3/10-7 = 104 qui est considérable.
 en puissance
Ap = Ai x Av dépasse couramment 105

Remarque : pour la polarisation d’un T.E.C. on utilise le plus souvent le montage
suivant dans lequel Rg est très élevé pour que ig soit nul .
RD
VDD
Rg
RS
La source est potée à un potentiel > 0 par rapport à la porte qui est à la masse : la
jonction GS est donc polarisée en inverse don on a bien ig = 0, alors on a vgs  - RSiD.

Questionnaire : avec un tel montage comment obtenir le point de fonctionnement ? (on
pensera à écrire l’équation de la droite charge, à se servir du réseau de caractéristiques et de
l’équation VGS = -RSiD).
VI- AUTRES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP
T.E.C. à canal P
Nous en avons parlé au début de ce cours. Nous y revenons tout simplement pour
comment est réalisé le montage de polarisation dans lequel par rapport à la source le drain est
polarisé négativement et la porte l’est positivement. Les orientations des tensions et courant
restant les mêmes que pour le TEC à canal N, donc les grandeurs de la polarisation (V GS, VDS,
ID) ont changé de signe. Soit donc le montage de polarisation d’un T.E.C. à canal P.
IDD
Les propriétés du TEC

Canal P sont analogues à
D VD celles du TEC canal N
D
VGS S
VGS
VII- TRANSISTORS M.O.S.
On les appelle aussi transistors à grille (ou porte) isolée. En effet grâce à une couche
isolante d’oxygène de silicium (O), la grille (porte) métallique (M) est isolée du reste du
transistor (M.O.S. = Métal Oxyde Semi-conducteur).
Il existe deux types, de transistors M.O.S.
- les M.O.S. à conduction en volume
- les M.O.S. à conduction en surface
1) Les T.E.C. à porte isolée à canal N diffusé (conduction en volume)
Canal diffusé, c’est-à-dire que le canal est créé à la fabrication.

Symbole :
ID
B VDS
B = substrat.
G D
SiO2
S
Le courant de drain ID est engendré par
+ N +
les porteurs majoritaires (e-) qui
N N
circulent de S vers D
Substrat P
M.O.S. à canal N diffusé.
Remarque : l’oxyde de silicium constitue un diélectrique et l’ensemble Porte SiO2 et

semi-conducteur est assimilable à un condensateur dont les armatures sont la porte métallique
et le semi-conducteur.
Deux types de fonctionnement :

Si vGS < 0, le canal N voit ses porteurs libres (e-) se réduire. Il apparaît une zone neutre
dans le canal. Cela fait que le transistor fonctionne en régime d’appauvrissement (en porteurs).
Si VGS > 0, la porte est chargée positivement et il y a afflux d’électrons dans le canal ; le
transistor fonctionne en régime d’enrichissement.
Remarque : M.O.S. à porte isolée à canal P diffusé. Tout ce qui était N précédemment
devient P et tout ce qui était P devient N.
Symbole :
ID
G
B VDS
S
VGS
2) T.E.C. à porte isolée à canal induit

(conduction en surface)
Ce T.E.C. est toujours de nature M.O.S. car la porte métallique est isolée du semi-
conducteur par une couche d’oxyde de silicium.
Ici, le substrat s’étend jusqu’à l’oxyde isolant ; donc à la fabrication aucun canal n’est
prévu. C’est la polarisation convenable de la porte qui va créer un canal appelé canal induit.
N+ N+
Si vGS = 0, la région entre S et D reste occupée par les porteurs majoritaires P du substrat
s’accumulent sous l’oxyde isolant et la jonction PN substrat drain reste toujours bloquée.
Si vGS > 0, juste sous la couche d’oxyde en contact avec le substrat (P) les porteurs
majoritaires positifs sont repoussés et les minoritaires négatifs sont attirés. Il y a toujours
blocage si vGS est faible (vGS  2V). Mais pour une plus grande tension VGS (8 V) les porteurs
minoritaires deviennent plus nombreux dans la zone sous-jacente à la couche d’oxyde et la
conduction entre le drain et la source est assurée (couche d’inversion).

+ -
D D
+ B B
-
S
S
M.O.S à canal N induit avec M.O.S. à canal P induit avec les

Les polarisations des électrodes polarisations des électrodes.
VIII- APPLICATIONS DES TRANSISTORS M.O.S.
1) Avantage et inconvénient
- Le T.E.C. MOS nécessite une puissance de commande très faible. En effet, le courant
d’entrée entre G et S est encore plus faible que pour un T.E.C à jonctions surtout en régime de
commutation.
- Les transistors M.O.S. sont très fragiles du faite de la très faible épaisseur de la couche
de silice (0,1 m) qui peut claquer pour des tensions VGS de quelques volts. (d’où la nécessité
de la protection de la porte des tensions parasites par diode Zener).
2) Le transistor M.O.S. en circuit intégré

Ces transistor sont très peu utilisés en éléments discrets mais sont très répandus dans les
circuits intégrés car :
- ils ont un taux d’intégration très élevé (un maximum de composants sur un substrat de
quelques millimètre carrés.)
- ils sont faciles à réaliser.
Notons que ces avantages par rapport au transistor bipolaire ne permettent cependant pas
au T.E.C. de supplanter les bipolaires dans tous les domaines.
Question : représenter sur une même figure le 4 sortes de transistor M.O.S. et préciser le
signe des grandeurs vDS, iD, vGS correspondante.

CHAPITRE V : AMPLIFICATION ÉTUDE GÉNÉRALE
I- GÉNÉRALITÉS ET CONVENTIONS
Schéma de principe
Signal à
amplifier Amplificateur Charge R
Signal amplifié recueilli

Courant ou tension (continu ou alternatif) aux bornes d’une charge
 Convention de signe des électroniciens
i1 i2
V1 Amplificateur V2
2 bornes
d’entrée 2 bornes
de sortie
Le dispositif actif (Amplificateur) est dans une boîte ne laissant apparaître que 2 bornes
d’entrée et 2 bornes de sortie.
L’amplificateur est un quadruple (4 bornes).
II- RAPPEL SUR LES QUADRIPOLES
i1 i2
V1 Q V2
Il existe plusieurs choix d’écriture des relations entre courants et tension en prenant 2 de
ces grandeurs comme variables.

1) Matrice impédance
On exprime les deux tensions v1 et v2 en fonction des courants i1 et i2.
Soit v1 = Z11i1 + Z12i2

Les zij sont homogènes à une résistance.
v2 = Z21i1 +Z22i2
Z11 Z12 i1
il vient donc : V1
=
V2 Z21 Z22 i2
Matrice impédance ou
matrice [Z]
En condensé on écrit V = Zi
Exemple :
Z1 Z3
i1 i2
v1
v2
Z2
Trouver la matrice Z.
v1 = Z1i1 + Z2(i1 +i2)

v2 = Z3i2 + Z2(i1 +i2)
Z1 +Z2 Z2
v1 = (Z1 + Z2)i1 + Z2i2
 Z=
v2 = Z2i1 = Z2 + Z3)i2
Z2 Z2 + Z3
Remarque :
Z11 = (v1/i1) i2 =0 Z12 = (v1/i2) i1 = 0
Z21 = (v2/i1) i2 = 0 Z22 = (v2/i2) i1 = 0
Question : retrouver la matrice Z de l’exemple précédent en utilisant les formules de la
remarque.

2) Matrice admittance
Cette fois-ci, les deux courants sont exprimés en fonction des 2 tensions
i1 = Y11v1 + Y12v2 Les Yij sont homogènes à une

i2 = Y21v1 + Y22v2 admittance (-1)
i1 Y11 Y12 v1
=
i2 Y21 Y22 v2
Matrice admittance
ou matrice [Y]
En condensé [i] = [Y][v]
Exemple :
Y1 Y3
i1 i2
V1 VB v2
Y2
On tire i1  ( v 1  v B ) y 1 Or i 1  i 2  Y 2 v B
i1 i 2
i 2  (v 2  v B ) y 3  vB 
Y2
i1 i 2
d ' où i1  v 1 Y 1  Y1 (1)
Y2
i1 i 2
i 2  v 2 Y3  Y3 ( 2)
Y2
Y3 Y3
de (2) on tire i 2 (1  )  v 2 Y3  i 1
Y2 Y2
Y2 Y3 Y2 Y3
i2  v2  i1
Y2  Y3 Y 2 (Y 2  Y 3 )
On remplace i 2 dans (1)
Y2 Y 3 i1 Y1 Y2 Y3 Y1 Y3
i 1  v 1 Y1   Y1  v2  i1
Y2  Y3 Y2 Y2 Y2  Y3 Y2 Y2  Y3

 Y Y1 Y3  YY
i1 1  1    v1 Y1  1 3 v 2
 Y2 Y2 (Y2  Y3 )  Y2  Y3
 (Y  Y3 )Y2  Y1 (Y2  Y3 )  Y1 Y3 )  YY
i1  2   v1 Y1  1 3
 Y2 (Y2  Y3 )  Y2  Y3
 (Y  Y2 Y3  Y1 Y2  Y1 Y3  Y1 Y3 )  YY
i1  2   v1 Y1  1 3 v 2
 Y2 (Y2  Y3 )  Y2  Y3
 Y  Y 2  Y3  YY
i1  1   v1 Y1  1 3 v 2
 Y2  Y3  Y2  Y3
Y (Y  Y3 ) Y1 Y3
i1  1 2 v1  v2
Y1  Y2  Y3 Y1  Y2  Y3
Même procédure pour trouver i2

 Y1Y3 Y3(Y 2  Y1) 3
i2  v1  en posant  Yi  Y1  Y2  Y3
Y1  Y 2  Y3 Y1  Y 2  Y3 i 1
 Y (Y  Y3 )  Y1 Y3 
 i1   1 3 2   v1 
   3  
    Yi  Yi 
  
  I 1 i 1
  
    Y1 Y3 Y3 (Y2  Y3 )   
   3 3   
    Yi  
 i 2   i 1  Yi 
  v2 
 i 1
Matrice Y
Remarque :
 i1  i 
Y11    Y12   1 
 v1  v 2 0  v2  v1 0
i  i 
Y21   2  Y22   2 
 v1  v 2 0  v 2  v1 0
Question : retrouver la matrice Y précédente à l’aide des formules de la remarque.

3) Matrice de transfert
Dans ce cas, les deux grandeurs d’entrée (v1, i1) sont exprimées en fonction des deux
grandeurs de sortie (v2, -i2).
v1 t11 t12 v2
=
i1 t21 t22 -i2
Matrice [T] ou matrice de transfert

Remarque : on utilise –i2 pour faciliter l’étude des groupements en cascade (T = Ti).
4) Matrice Hybride
La tension d’entrée v1 et le courant de sortie i2 sont exprimés en fonction du courant

d’entrée i1 et de la tension de sortie v2.
Soit v1 = h11i1 + h12v2

i2 = h21i1 + h22v2
v1 h11 h12 i1
=
i2 h21 h22 v2
Matrice [H], Matrice hybride

hij = paramètres hybrides
En amplification par transistors bipolaires, les paramètres hybrides sont ceux qui sont
utilisés :
h11 : homogène à une résistance
h12, h21 : constante sans dimension
h22 : homogène à une conductance.

III- AMPLIFICATION
1) Définition : un amplificateur est un dispositif actif assimilable à un quadripôle
 Le signal d’entrée est appliquée entre les bordures d’entrée

 Le signal amplifié est recueilli entre les deux bornes de sortie.
2) Amplification
Les caractéristiques d’un amplificateur sont :
- Son amplification
i2
 amplification en courant A i 
i1
v2
 amplification en tension A v 
v1
P2
 amplification en puissance A p   A v Ai
P1
- Son impédance d’entrée
v1
Ze 
i1
- Son impédance de sortie
v2
Zs 
i2
Pour le signal d’attaque annulé et la charge retirée. Zs est l’impédance interne du
générateur équivalent de Theverin vu par la charge.
- La bande passante : c’est la bande de fréquence dans laquelle l’amplificateur
fonctionne.
3) Application
Les grandeurs v1, i1, v2, i2 ne sont pas indépendantes ; elles sont liées par des relations où
interviennent des éléments constitutifs du quadripôle (voir les matrices Z, Y, T et H qui sont
effectivement composées des éléments du quadripôle).
Pour les applications nous n’utiliserons que les paramètres hybrides.
Considérons donc le montage suivant et écrivons les différentes équations.

Rg i1 i2
B V1 Amplificateur v2 RC
v1 = h11i1 + h12v2 (1) v1 = Eg – Rgi1 (3)

i2 = h21i1 +h22v2 (2) v2 = -Rci2 (4)
Déterminons alors les expressions donnant Ai, Av, Ap.
a) Amplification en courant
i2 = h21i1 + h22v2
= h21i1 +h22(-RCi2)
i2(1 + h22RC) = h21i1
i2 h21
Ai = =
i1 1 + h22RC
b) Amplification en tension
v2 - R C i2
Av = =
v1 h11i1 + h12v2
En divisant le numérateur et le dénominateur par i1, on obtient :
- RC i2/i1
Av = avec i2/i1 = Ai
h11i1/i1 + h12 Rc i2/i1
- RC Ai
Av =
h11 + h12 AiRc
- RC h21
Av = avec h = h11h22 – h12h21
h11 + Rch

c) Amplification en puissance
 R c (h 21 ) 2
Ap  A v Ai 
(1  h 22 R c )(h 11  R c h )
IV- IMPEDANCE D’ENTREE D’UN AMPLIFICATEUR
Définition :
L’impédance d’entrée, Ze d’un amplificateur est égale au rapport de la tension d’entrée
v1 sur le courant d’entrée i1.
Autrement dit, c’est l’impédance vue des bornes d’entrée de l’amplificateur.
v1
Ze =
i1
h11i1 + h12v2
Ze = avec v2 = -RCi2
i1
= h11 – h12RCAi
h11 + RCh
Ze =
1 + h22RC
V- IMPÉDANCE DE SORTIE ZS
Par rapport à la charge RC, le montage amplificateur est assimilable à un générateur de

fem ES et d’impédance interne ZS, lorsqu’il est alimenté par un générateur de fem Eg et de
résistance interne Rg.
ZS est appelée l’impédance de sortie de l’amplificateur vue des bornes de sortie ; c’est
l’impédance interne du générateur de Thévenin équivalent à l’amplificateur.
Elle s’exprime par l’égalité ES + v2 – ZSi2 = 0

Schéma
i2
Rg i1 i2
ZS
RC
Eg v1 RC v2
v2 
ES
Amplificateur de charge RC et alimenté

Pour la charge, l’amplificateur
par (Eg, Rg)  est un générateur (ES, ZS)
Calcul de ZS et ES
v2 + ES
ZS =
i2
v1 = Eg – Rgi1 = h11i1 + h12v2
Eg – h12v2
i1 =
h11 + Rg
On remplace i1 dans l’expression de i2, i2 = h21i1 + h22v2
Eg – h12v2
Soit i2 = h21 + h22v2
h11 + Rg
h21Eg h12h21
i2 = + v2 h22 -
h11 + Rg h11 + Rg
L’autre expression de i2 tiré de la maille de sortie donne
ES v2
i2 = +
ZS ZS

Par identification des deux expressions de i2, nous déduisons :
1 h12h21
= h22 -
ZS h11 + Rg
h11 + Rg
soit ZS = h = h11h22 – h12h21
h + h22Rg
Nous tirons également l’expression de ES
h 21  h  h 22Rg 
Eg    ES 
h11  Rg  h11  Rg 
h 21
Es  Eg
h  h 2 2Rg
Remarque : Calcul de ZS par le théorème de Thevenin. ZS est l’impédance vue des

bornes de sortie lorsque Eg = 0 (dans ce cas, la résistance de charge Rc est débranchée) et ZS =
v2/i2. Les équations s’écrivent :
i1 i2
v1 = - Rgi1
v1 = h11i1 + h12v2
Rg v2 RC
i2 = h21i1 + h22v2
Des trois équations, on tire v2/i2 = ZS et on obtient le même résultat que précédemment.
VI- GAIN D’UN AMPLIFICATEUR
1) Définition :
L’amplification en puissance AP pouvant être importante (elle dépasse 104 et même 105),
on préfère souvent considérer le gain G’P qui est égal au logarithme décimal de AP : G’P = logAP.
G’P est exprimé en bels (symbole B). Afin de réduire l’emploi de nombre décimaux (ex :
si AP = 2 104 G’P = 4,3 bels) le gain en puissance est exprimé le plus souvent en décibels
(symbole dB).
Soit donc GP = 10logAP.
Remarque : l’efficacité d’un amplificateur est d’avantage mise en évidence grâce au

logarithme de AP que grâce à AP lui-même car l’oreille et l’œil humain perçoivent les
sensations proportionnelles au logarithme.
2) Gain en courant – Gain en tension
Gi = 20logAi, Gv 20logAv
En effet si l’amplificateur débite dans une charge R égale à sa résistance d’entrée R e,
On a AP = P2/P1 = Ri22/Rei12 R = Re
2
= v2 /R x Re/ve2
GP = 10logAP = 20logi2/i1 = 20logv2/v1
Ce qui justifie les définitions des Gains en tension et en courant.
VII – COURBE DE REPONSE D’UN AMPLIFICATEUR – BANDE

PASSANTE
Définition :
L’amplification fournie par un amplificateur est fonction de la fréquence du signal
amplifié. La courbe de réponse de l’amplificateur est le tracé du gain en tension Gv en
fonction de la fréquence f. On adapte une échelle logarithmique pour les fréquences en
abscisse et des décibels (dB) en ordonnées.
Max
3 dB
fb fh f(log)
En général, la courbe de réponse présente un palier entre 2 fréquences limites ; sur ce

palier le gain est maximum et décroît de part et d’autre. Pratiquement on admet que

l’amplificateur est utilisable dans le domaine limité par les fréquences fb et fh pour lesquelles
l’affaiblissement de Gv est 3dB par rapport au palier.
L’intervalle fh – fb est appelé bande passante à –3 dB.
Remarque : Soit G0 = 20 logA0 le gain maximal en tension (sur le palier)

A0 Amplification maximal en tension
G = 20 logA le gain pour les fréquences fb et fh
A amplification à fb ou fh
Par hypothèse, G0 – G = 3 dB
C’est-à-dire 20(logA0 – logA) = 3 dB
20 logA0/A = 3 dB
log(A0/A)2 = 0,3dB = log2
Soit (A0/A) 2  2 alors A  A0/ 2
Par conséquent, lorsque le gain en tension décroît de 3 dB (ΔG = G – G0 = -3 dB) alors

l’amplification maximale est divisée par 2.
VIII- ADAPTATION D’IMPEDANCE
1) Exemple :
Soit le montage suivant :
Rg
Pour quelle valeur de R la puissance P
fournie par eg est maximale?
eg  R P = Ri2 i = eg/(R + Rg)
e2 g eg N
PR  
( R  Rg ) 2
( R
Rg 2 D
)
R
Rg Résistance interne de eg
Pour que P soit maximal, il faut que D, le dénominateur, soit minimum.

D est la somme de 2 termes dont le produit est constant. Donc il passe par un minimum
lorsque

Rg
R
R
Soit R = Rg
Lorsque cette condition est réalisée, on dit que le récepteur (ici R) est adapté au
générateur.
2) Application à un amplificateur
Dans le cas d’un amplificateur, on cherche à adapter :
- d’une part l’entrée au dispositif qui l’alimente (générateur ou autre amplificateur)
- d’autre part la sortie à la charge.
L’adaptation des impédances a une grande importance en électronique surtout lorsque
les puissances transportées par les signaux sont faibles.
IX- CLASSIFICATION DES AMPLIFICATEURS

Il y a quatre façons de les classer :
- selon leur destination : amplification de courant, de tension, de puissance.
- selon leur bande passante : amplification large bande (plusieurs centaines de kilohertz)
ou apériodique ou vidéofréquence, ampli sélectif ou accordé ( bande passante très étroite de
quelques Hz à quelques KHz).
- selon leur domaine d’utilisation
 amplificateur à courant continu (0 Hz à 1 Hz)
 amplificateur basse fréquence (BF) (20 Hz à 20 kHz)
 amplificateur haute fréquence (HF) > 100 kHz
Désignation BANDE DE FREQUENCES
Française Anglo-saxon Fréquence inférieure Fréquence supérieure
T.B.F. V.L.F. 3 KHz 30 KHz
Très Basse Fréquence Very Low Frequency
B.F. L.F. 30 KHz 300 KHz
Basse Fréquence Low Frequency
M..F. M..F. 300 KHz 3MHz
Moyenne Fréquence Midium Frequency
H.F. H.F. 3MHz 30MHz
Haute Fréquence Hight Frequency
T.H.F. V.H.F. 30 MHz 300 MHz
Très Haute Fréquence Very Hight Frequency
U.H.F. U.H.F. 300 MHz 3 000 MHz
Ultra Haute Fréquence Ultra Hight Frequency
Hyperfréquences 3 000 MHz
- selon le mode de liaison entre étages

 amplificateur à liaison R-C

 amplificateur à circuits accordés
Exercice d’application :
1) Les équations de fonctionnement d’un quadripôle sont les suivantes :
v1 = 1 000 i1
i2 = 200 i1 + 5 10-5v2
LA résistance de charge est égale à 1000 . Ce quadripôle est alimenté au moyen d’un
générateur de résistance interne égale à 15 k.
- Calculer Ai, Av, Ap, Ze et ZS
- Pour que l’entrée et la sortie du quadripôle soient adaptées déterminer :
 la résistance du générateur à utiliser
 la résistance de charge à placer entre les bornes de sorties.
2) Déterminer les paramètres hij du 2N2218 à partir de ses caractéristiques.
- On tracera d’abord IC = f(IB) pour VCE = 5V et pour constater que IC = f(IB)
varie très peu avec VCE.
Corrigé exercice :
i1 i2
v1 = 1000 i1
v1
v2 RC = 1000 
i2 = 200 i1 + 5 10-5v2
Ai = i2/i1 avec i2 = 200 i1 - 5 10-5.103i2

i2(1 + 5 10-2) = 200 i1
Ai = i2/i1 = 200/(1 + 5 10-2) = 190,5
Av = v2/v1 v2 = -103i2
Av = -103i2/103i1 = - Ai
Av = - 190,5
AP Av Ai  36,3 103
Ze = v1/i1 Ze = 103 
ZS = v2/i2
Montage à considérer :

i1 i2
Rg v2 RC
v1 = Rgi1 = 103i1
15.103i1 = 103i1  i1 = 0
i2 = 200 i1 + 5 10-5v2  ZS = v2/i2 = 1/5 10-5 = 2 104 
ZS = 2 104 

CHAPITRE VI : AMPLIFICATION PAR TRANSISTOR
I- ETUDE GRAPHIQUE
1) Réseau de caractéristiques (cf chapitre III)
2) Paramètres du transistor
 dV 
Résistance de sortie r   CE 
 dI C  IB
S
 dIC 
Gain statique en courant β   
 dIB  VCE
 dV 
Résistance statique d' entrée re   BE 
 dI B  VCE
 dVBE 
Rap p ort de réaction h12  
 dV 

 CE IB
3) Caractéristiques dynamiques
Montage de principe complet : En plus des générateurs continus on a une source variable
qui produit le signal à amplifier. Les grandeurs continues de courant et tension constituent les
valeurs moyennes de signaux variables. L’amplification s’effectue donc autour des valeurs de
polarisation VCE0 et IC0 du point de repos. RC
RB
VCC
VCE
EBB
e 
Rq : Ci-dessous le schéma à considérer en statique ou en continu ( le générateur de fem

variable est supprimé). Il est à noter qu’avant toute amplification il faut polariser le transistor

RC
IC
c’est-à-dire définir le point de repos autour duquel se fera l’amplification. Le point de repos
est obtenu une fois que les valeurs de EBB ; RB ; RC et VCC sont fixées.
La droite d’attaque : pour en déterminer son équation on s’intéresse au circuit d’entrée il

E BB  V BE
vient alors I  équation d’une droite de pente -1/RB dans le réseau d’entrée
B
RB
(VBE , IB).
La droite de charge : son équation se détermine à partir du circuit de sortie
VCC  VCE
IC  de pente  1
RC RC
IC(mA) (S) IB constante
VCC/RC Caractéristiques de
VCE constante sortie
transfert Droite de charge
IB(A) VBB / RB
VCC VCE(V)
0,6V(Si)
Droite d’attaque
VCE constante VBB
Caractéristiques d’entrée
VBE(V)
Autre montage (stabilité thermique)
RC
R2
Rg
VCC
IP
Rappel : Le fonctionnement du transistor est fortement influencé par une variation de sa

température. Ce qui provoque une translation vers le haut des caractéristiques de sortie (IC =
f(VCE) ). En effet, il y a augmentation du courant dû aux porteurs minoritaires. Ce qui a pour
conséquence d’augmenter la puissance dissipée dans le transistor.
Le montage donné ci-dessus remédie à cet inconvénient. En effet si IC croît, IE croît
également de même que REIE par conséquent.
VCE = VCC – RCIC – REIE décroît de même que VBE = RiIP – REIE.
Il en résulte alors une diminution de IB donc de IC soit une variation en sens contraire à
celle provoquée par la variation de température. Ceci est la caractéristique même d’un
équilibre stable. Et la puissance totale dissipée par le transistor reste sensiblement constante :
P = VBEIB + VCEIC.
En dynamique, la résistance RE n’intervient plus car la capacité de CE est très forte (
ZCE faible).
En statique, la droite de charge est de pente –1/(RC +RE) et en dynamique, la pente de la
droite de charge (dynamique) est –1/RC (elle passe par le point de repos).
IC
VCC
RC + RE Pente –1/RC (droite de charge dynamique)

P
1
Pente  (statique)
RC  RE
VCE
VCC

II- ETUDE MATHEMATIQUE
1) Stabilité du point de repos avec la température

a) Définitions
) Le courant de fuite de la jonction collecteur base, polarisée en inverse,

(émetteur en l’air) est noté ICBO.
ICBO
C
B
NPN
) Le courant de fuite collecteur émetteur, base en l’air est notée ICEO
C
B ICBO
E
) Le coefficient 
Le courant de collecteur IC s’écrit en fonction du courant d’émetteur IE sous la forme

suivante : IC = IE + IS
IS courant de fuite de la jonction.
- Emetteur en l’air  IE = 0
Donc IC = IS = ICB
Il vient alors IC = IE + ICBO

) Relation entre  et 
A température constante c’est-à-dire à ICBO constante, on a :
 ΔIC   ΔIC 
α T  et β   T
 ΔIE   ΔIB 
Et on sait que IE = IC + IB
Soit en variation IE = IC + IB et on tire
 ΔIE   ΔIB 
 T  1   T
 ΔIC   ΔIC 
Soit 1/ = 1 + 1/. Il vient alors :
     
     
   1  1  
) Relation entre ICBO et ICEO
Base en l’air (IB = 0)  IC = IE = ICEO
IC = ICEO + ICBO
 1 
ICEO   ICBO
 β  1
ICEO(1-) = ICBO
ICEO = ( + 1)ICBO
Remarque : Le courant de fuite ICBO est difficile à mesurer alors on le détermine

indirectement en mesurant ICEO et avec la connaissance de  on déduit ICBO.

) Relation entre IC, IB et ICBO lorsque la température varie
IE = IC + IB (1)
IC = IE + ICBO  IE = IC/ - ICBO/ (2)
(1) et (2) nous donnent
IC/ - IC = IB + ICBO/
1  α  ICBO
IC   IB
 α  α
Alors on a IC = IB + (+1)ICBO
S’il y a variation de température alors on a les variations suivantes de ICBO,  et IB.

ICBO ICBO + ICBO quand la température croît, ICBO croît
  +  quand la température croît,  croît également
IB IB + IB quand la température croît, IB croît également
Il vient alors
IC = IB + ( + 1)ICBO + (IB + ICBO) (i)
b) Quelques ordres de grandeurs
Transistor au germanium, ICBO double tous les 10°C

Transistor au silicium, ICBO double tous les 8°C
A température ambiante, ICBO est de l’ordre de 1A pour Ge
A température ambiante, ICBO est de l’ordre de 1nA pour le Si
ICBO est prédominant dans le cas d’un transistor au Ge, pour le Si , c’est  qui est
prédominant.
2) Les coefficients de stabilité en température
En réalité
IC = S1ICBO + S2VBE + S3
S1, S2, S3 sont les coefficients de stabilité.
 Plus ces coefficients sont petits, plus les variations sont faibles
 Ces coefficients dépendent du mode de polarisation utilisé pour le transistor.

a) Montage de polarisation avec pont de base

RP + IB
RC
IC
R1
+
= Val
R2 RE
IP
Trouver la relation entre IB et VBE
Val = R1(IP + IB) + R2IP

en continu.
R2IP = VBE + RE(IC +IB)
Pour les variations on a :

(1) 0 = R1(IP + IB) + R2IP
(2) R2IP = VBE + RE(IC +IB)
(1) nous donne :
 R1
ΔIP  ΔIB
R1  R2
qu’on remplace dans (2)
(2) devient alors :
ΔIB  ΔVBE REΔIC  ΔIB; on pose RP 

R1R 2 R1R 2
 c' est la résistance de pon t
R1  R 2 R1  R 2
- (RP + RE) IB = VBE + REIC

d’autre part IC = IB + (+1)ICBO + (IB + ICBO)
d’où on tire une expression de IB
ΔVBE RE(β 1)
ΔIB    Δβ
RP  RE β 1 RP  RE(β 1)
Nous pouvons par suite tirer l’expression de IC en identifiant à l’expression de IC (i)
βΔVBE RE(β 1) RE(IB ICBO) Δβ

ΔIC    ΔICBO  (β 1) ΔICBO (IB ICBO) Δβ
RP  RE(β 1) RP  RE(β 1) RP  RE(β 1)
il vient alors :
(β 1)(RP  RE) β (IB ICBO)(RP  RE)

ΔIC  ΔICBO ΔVBE Δβ
RP  (β 1) RE RP  RE(β 1) RP  (β 1) RE
S1 S2 S3
b) Montage avec RB à partir de Val
RC
RB
+
=
RE
R2 dans ce cas R2 =  ; R1 = RB ; RP = RB et
(  1)(R B  R E )  I  I (R  R E )
S1  ; S2   ; S3  B CBO B
R B  (  1)R E R B  (  1)R E R B  (  1)R E

c) Montage avec R’B sur collecteur
RC
R’B
IB
IC
+
= Val
RE
Ici, RP = R’B et on remplace dans l’expression de IC, RE par RC + RE car IC traverse RE.
(   1)( R' B  RE  RC )
S1 
R' B  (   1)( RE  RC )
III - AMPLIFICATEURS A TRANSISTORS BIPOLAIRES

A) MONTAGE AMPLIFICATEUR EMETTEUR COMMUN
LE MONTAGE COMPLET :
RC
R2
Rg
VCC
IP
Ru
v2
CE
v1 R1
eg  RE
1) Le transistor est un quadripôle

Le transistor est un quadripôle dans lequel i1 = iB ; i2 = iC ; v1 = vBE ; v2 = vCE

IC C
I1 I2
IB
V1 V2 B
VCE
VBE
E E
Le transistor en émetteur commun
2) Paramètres hybrides
On déduit :
dV dI dV 1 dI C
h  BE  r h  β  C h  BE h  
11 dI e 21 dI 12 dV 22 r dV
B B CE s CE
3) Equations du transistor
Le transistor est un quadripôle et on sait que les équations d’un quadripôle en utilisant
les paramètres hybrides sont :
v1 = h11i1 + h12v2
i2 = h21i1 + h22v2
Appliqué au transistor on a :
vBE = h11iB +h12vCE
ic = h21iB + h22viE
iB = dIB vB = dVBE
4) Schéma équivalent d’un transistor en petits signaux

vBE = h11iB +h12vCE circuit d’entrée
h11
iB
B
+
vBE h12vCE

ic = h21ib + h22vCE circuit de sortie
ic est la somme de deux courants
iC
C
vCE h22 h21ib
D’où le schéma équivalent en régime des petits signaux du transistor monté en émetteur
commun
iC
ib
B
h11 +
vBE h12vCE h21iB h22
vCE
E E
4) Schéma équivalent du montage complet.

Les capacités sont des courts-circuits à la fréquence du signal eg et la source continue est
supprimée (elle est remplacée par un fil)
Z'e Ze ZS Z'S
Rg iB h11 iC
B C
ig
vBE = v1 h22 RC Ru
R1 R2 h21iB vCE
eg  h12VCE v2
E RP E RL
(1) v BE  h 11i B  h 12 v CE
(2) i C  h 21i B  h 22 v CE
On a les équations suivantes :
(3) v CE  v 2  R L i C acec R L  R C //R U
(4) v BE  v1  e g  R g i g
5) Caractéristiques de l'amplificateur EC
 Amplifications
Calcul de Ai = iC / iB
i C  h 21i B  h 12 R L i C
(2) et (3) permettent d'écrire :
i C (1  h 22 R L )  h 21i B
h 21
On déduit A i 
1  h 22 R L
Calcul de Av = v2 / v1
A partir de (1) et (3)
v2  R Li C
 en divisant le numérateur et le dénominateur par iB on obtient
v1 h 11i B  h 22 R L i C
v2  R LAi
 en remplaçant Ai par son expression on obtient :
v1 h 11  h 22 R L A i
v2  R L h 21
Av   ; h = h11h22-h12h21 le déterminant de la matrice H.
v1 h 11  R L Δh
Calcul de AP
R L h 221
AP  Ai * A v 
(1  h 22 R L )(h11  R L Δh)
 Impédance d'entrée :
v1 v1
Ze  et Z'e 
iB ig
v1 h 11i B  h 12 R L i C
(1) et (3) premettent d'écrire Z e    h 11  h 12 R L A i soit en
iB iB
h 11  R L Δh
remplaçant Ai par sa valeur Z e 
1  h 22 R L
v1 v1
Z 'e  ; i g  i RP  i B 
ig RP
1 ig 1 i 1 1
'
   B  
Z e v1 R P v1 R P Z e
Ze R P
donc Z 'e  Z e //R P 
Ze  R P
 Impédance de sortie :

v 
ZS   s  et la charge retirée ici notre charge sera RL = RC // RU
 s  eg0
i
v 
Z S'   's  et la charge retirée ici notre charge sera RU
 s  eg0
i
Attention : lors du calcul de l'impédance de sortie par cette méthode nous travaillons avec
un nouveau circuit aussi toutes les caractéristiques calculées plus haut ne sont pas à
utiliser. Le schéma à considérer alors est le suivant :
Les quatre (4) équations deviennent :
eg=0 ZS
B
iB h11 is
(1' ) v1  h 11i B  h 12 v CE
ig (2' ) i C  i s  h 21i B  h 22 v CE
Rg R1 R2
h21iB h22
vCE = vs (3' ) v1  R 'g i B car eg  0
vBE = v1 h12vCE
(4' ) v CE  v s
RP E E
R'g
i C  i s  h 21i B  h 22 v CE
h 12 v s
(1') et (3’)  -R’gig = h11iB + h12vs et on tire i B   qu’on introduit dans (2’)
R 'g  h 11
h 21h12
is   vs  h 22 v s
R 'g  h11
is 1 h12 h 21 R 'g h 22  Δh R 'g  h11

  h 22  '   ZS 
v s ZS R g  h11 R 'g  h11 R 'g h 22  Δh
Pour déterminer Z’S= vs / i’s il faut ajouter sur le schéma précédent la résistance RC on
obtient alors :
ZS
eg=0 iB h11 is i’s
B
vs i s' 1 1 i
ig i s'   is   '   s
h21iB h22 RC RC v s Zs R C v s
Rg R1 R2
vBE = v1 h12vCE vCE = vs
1 1 1
'
   Zs'  ZS //R C
RP E E Z s R C ZS
R'g
Remarque :

Nous retrouvons les mêmes expressions obtenues lors de l’étude des quadripôles (paramètres
hij).
6) Simplification des équations du transistor
a) h12 négligé
En général, le coefficient de réaction h12 = dVBE/dVCE est très petit et peut être considéré
comme nul. Cela revient à considérer que la caractéristique IB(VBE) est indépendante de VCE
(caractéristique unique dans le 3ème quadrant) et que les caractéristiques du 4ème quadrant sont
parallèles à l’axe des VCE.
Le schéma équivalent devient :
ZS Z'S
Rg Z'e Ze
iB iC
B C
ig
vBE = v1 h11 h22 RC Ru
R1 R2 h21iB vCE
eg  v2
E RP E RL
Et il vient : vBE = h11iB

iC = h21iB + h22vCE
h 21  h 21R L
Ai  inchangé A v  
1  h 22 R L h11 (1  h 22 R L )
Z e  h 11 ; Z 'e  R P //h11
1 1 RC
ZS  ; ZS'  //R C 
h 22 h 22 1  h 22 R C
b) h12 et h22 négligés
L’admittance h22 dans un montage amplificateur pourra être négligée à chaque fois que
la résistance de la charge est très petite devant l’inverse de h22 (RC <<1/h22). Il vient alors :
vBE = h11iB
et on obtient le schéma équivalent suivant :
iC = h21iB
iB iC C
B
Rg
RP h11 h21iB RC vC RU v
v1 vBE 2
eg E
E E

Ai = h21 = 
Av = -h21RC / h11 = -RC / re en posant re =h11
AP = h212RC / h11
Ze = h11 ; Z’e = h11 // RP
ZS =  ; Z’S = RC
Conclusion : le montage qui a été utilisé comme support de ce cours est le montage dit
émetteur commun E.C. Il présente l’intérêt d’amplifier à la fois en courant et en tension. Des
divers montages possibles, il fournit la plus grande amplification en puissance. C’est le plus
utilisé.

B) MONTAGE AMPLIFICATEUR BASE COMMUNE (B.C)
1) MONTAGE COMPLET :
Le même montage que E.C.pour la polarisation mais :
- un condensateur de découplage CB ramène la base à la masse en dynamique
- le système est attaqué par un générateur au niveau de la connexion d’émetteur.
+ Val
RC C2
R2
i1 C2
Ru
v2
CB R1 RE  (eg, Rg)
v1
Remarque : Pour la stabilité en fonction de la température on retrouve les mêmes

facteurs que pour le montage E.C.
 la tension v1 est appliquée aux bornes de RE
 en alternatif, la base est à la masse (potentiel de référence) et nous avons les relations
suivantes :
vEM = vEB en entrée
BM
vCM = vCB en sortie
Le transistor étant un quadripôle il est vu comme suit
i1 i2
E
v1 v2
Le transistor en base commune
B
i1 = iE i2 = iC
v1 = vEB v2 = vCB

Nous pouvons tirer les équations du montage BC en tant que quadripôle en utilisant les
paramètres hybrides base commune ( hijB ) soit :
vEB = h11BiE + h12vCB

iC = h21BiE + h22vCB
En respectant les conventions des orientations des courants et tension des quadripôles, le
transistor se présente comme un nœud où : (1) iE + iC + iB = 0
et il est également une maille où : (2) vBE + vEC + vCB = 0
b) Calcul des hijB en fonction des hijE supposés connus
Pourquoi ? Car dans les caractéristiques que le constructeur donne, ce sont toujours les
paramètres hijE qui sont précisés où qui peuvent s’en déduire.
vBE = h11iB + h12vCE
iC = h21iB + h22vCE
Note : Nous omettrons l'indice E pour les paramètres hybrides EC. Par conséquent
quand les indices lettres ne seront pas précisées sur les paramètres hij, il s’agira de paramètres
hybrides E.C.
(1)  iC = -(iB +iE)
= h21iB + h22vCE
iE h 22
 iB    v CE
1  h 21 1  h 21
 (Δ h  h 21) h 22
Soit  h 21 B   ; h 22 B 
1  h 21  h 12  Δh 1  h 21  h 12  Δh
On remplace iB par cette expression dans vBE, il vient alors :
h11 h12  h
v BE   iE  v CB
1  h 21  h12  h 1  h 21  h12  h
Dans le montage vEB = -vBE = h11BiE +h12vCB
h 11 Δh h 12
D’où : h 11 B  ; h 12 B 
1  h 21  h 12  Δh 1  h 21  h 12  Δh
Rappel : h = h11h22 – h12h21 déterminant de la matrice H
Même type de manipulation pour trouver les deux autres paramètres.
iC = h21iB + h22vCE
-iE - iC VCB + vBE
Remplacé par sa valeur en
fonction de iE et vCB
h21D  h22h11 h22D  h22(h12  Δh)vCB

iC   iE 
(1  h21)D (1  h21)D
(h  h21) h22

iC   iE  vCB
1  h21  h12  Δh 1  h21  h12  Δh
D= 1 + h21 – h12 +h
Simplifications
Si h12 =0 coefficient de réaction négligeable
h11 h11h 22
h11B  ; h12 B 
1  h 21  h 22 h11 1  h 21  h 22 h11
 (h 21  h 22 h11 ) h 22
h 21B  ; h 22 B 
1  h 21  h 22 h11 1  h 21  h 22 h11
Valeurs approchées
En général h11h22 << h21
h11h22 << 1
h11 h11h22
Soit h11B  ; h12B 
1  h21 1  h21
h21 h22
h21B  ; h22B 
1  h21 1  h21

c) Schéma équivalent du transistor en B.C.
- Avec les hijB paramètres hybrides base commune
h11B
E C
IE
+
h21BiE 1/h22B
h21BvCB
VEB VCB
B B
- Avec les hij EC (h12  0)
h21iB
iE E iC
C
vEB h11 h22

vCB
B B
Question : retrouvez les expressions de vEB et iC à partir de ce schéma. Vous vérifierez

ainsi que le schéma est correct.
C’est ce schéma qui sera utilisé dans les applications ce qui donne pour le schéma
équivalent du montage complet la figure ci-dessous :
Z'e Ze h21iB
iE E ZiCS ZS Z'S
C
Rg
v1 vEB h11
RE h22 v2
vvCBC RC RU
eg
~ B
B B
RL =RU // RC
d) Caractéristiques du montage B.C.

d-1) À partir des hijB
Remarque : on reprend les mêmes formules que pour E.C. avec RE qui joue le rôle de
RP et on remplace les hijB par leurs expressions en fonction des hij.

) Amplification en courant
h 21 B
Ai 
1  h 22 B R L
h 21
Ai   1 Avec les expressions simplifiées des hijB
1  h 21  R L h 22
Ai  0
L’amplification est faible et les courants sont en opposition de phase.
) Amplification en tension
h21BR L h 21 R L
Av    Av   0 peut être très élevé
h11B  ΔhBR L h 11(1  h 22 R L )
) Amplification en puissance
APB  AiAv APB  AP
) L'impédance d'entrée Ze
h11B  Δh BR L v1 h 11
Ze   Ze   Ze est faible
1  h 22BR L iE h 21
1
1  h 22 R L
) Impédance de sortie
h11B  R L h11  R L (1  h 21 ) 1
ZS   ZS   ZS peut être très
Δh B  h 22BR L h 22 (h11  R L ) h 22
élevé.
d-2) À partir du schéma équivalent avec les hij

) L'amplification
 Calcul de Ai =iC / iE

i C  h 21i B  h 22 v CE  h 21i B  h 22 (v 2  v1 ) car v CE  v 2  v1
i C  h 21i B  h 22 R L i C  h 11 h 22 i B car v 2  R L i C et v1  h 11i B
i C (1  h 22 R L )  (h 21  h 11 h 22 )i B
h 21  h 11 h 22
iC  iB
1  h 22 R L
h 21  h 11 h 22
i E  i B  i C  i B (1  )
1  h 22 R L
iC h 21  h11h 22
Ai   or h11h22 <<1 donc très petit devant h21 et
iE 1  h 21  h 22R L  h11h 22
iC h 21
alors A i   0
iE 1  h 21  h 22 R L
 Calcul de Av = v2 / v1
 R Li C R L i C
Av  
 h 11i B h 11 i B
R L h 21  h11h 22
Av 
h11 1  h 22R L
 Calcul de AP
A P  Ai A v
RL (h 21  h 11 h 22 ) 2
AP   A PEC
h 11 (1  h 22 R L )(1  h 21  h 22 R L  h 11 h 22 )
RL
AP  h 21
h 11
) L'impéance d'entrée
v1 v1
Ze  ; Z 'e 
iE ig
v1  h 11i B
h 21  h 11 h 22 d'après les calculs précédents
i E  i B (1  )
1  h 22 R L
h 11 h 11 (1  h 22 R L )
Ze  Ze 
h  h 11 h 22 1  h 22 R L  h 21  h 11 h 22
1  21
1  h 22 R L

1 ig i RE  i E i RE i E 1 1 1
    ;    Z'e  R E //Z e
Z 'e v1 v1 v1 v1 Z'e R E Ze
) L'impédance de sortie
v 
ZS   s  et la charge retirée ici la charge est RL
 s  eg0
i
 v' 
ZS   ' s  et la charge retirée ici la charge est RU
 s  eg0
i
Attention : lors du calcul de l'impédance de sortie par cette méthode nous travaillons avec un
nouveau circuit aussi toutes les caractéristiques calculées plus haut ne sont pas à utiliser. Le
schéma à considérer alors est le suivant :
vCE
v1  Ri s ; R  R g //R E //h11
h21iB ZS
E iE is C
i s  h 21i B  h 22 (vs  Ri s )
R 'g
Rg v1 RE h22 iB   is
vEB
h11 vCB vs R 'g  h 11
B h 21 R 'g
B is   i s  h 22 vs  Rh 22 i s
R'g R 'g  h 11
R
h 21 R 'g
is  h 21i B  h 22 vCE avec vCE  vs  v1 i s (1  Rh 22  )  h 22 v s
R 'g  h 11
1 i h 22 1
(R 'g  h11 )h 22
 s   Z 
(R 'g  h11 )(1  Rh 22 )  h 21R 'g
S
ZS v s h 21R 'g
1  Rh 22 
R 'g  h11
Pour le calcul de Z'S il faut ajouter au schéma précédent la résistance RC qui se retrouve être
montée en parallèle sur l'impédance ZS soit Z'S = ZS // RC
Intérêt :
- le montage BC permet d’adapter un étage de résistance de sortie faible à un étage de
résistance d’entrée élevée
- le gain en puissance est faible mais la distorsion des signaux amplifiés est réduite au
minimum.

C- MONTAGE AMPLIFICATEUR COLLECTEUR COMMUN
1) Montage complet
En entrée : iB , vBM
R1
C1 C En sortie : iE , vEM avec M  C

B en dynamique
C2 +
Rg E Val
v1 R2 -
eg  RE RU v2
2) Equations du transistor avec les hijc
vBC = h11CiB + h12CvEC (1)

iE = h21CiB + h22CvEC (2)
Trouvons les hijc en fonction des hij
vBE = h11iB + h12vCE (3)

iE = h21iB + h22vCE (4)
(3)  vBE = vBC + vCE = h11ib + h12vCE

 vBC = h11ib + (1 – h12)vEC identification avec (1).
On tire h11C = h11

h12C = 1-h12
(4)  iC = -iB – iE = h21ib + h22vCE

iE = -(1+h21)ib + h22vEC identification avec (2).
h21C = - (1+h21)
h22C = h22

Simplification :
h12  0 h21 >> 1
Soit : h11C = h11
h12C  1
h21C  - h21
h22C = h22
3) Schéma équivalent du transistor en fonction des hij
h11
B ib iE E
vBC h21ib 1/h22 vEC
C C
Question : retrouver les équations du transistor à partir du schéma ci-dessus.
Schéma équivalent du montage complet.
Z’e Ze h11 iE ZS Z’S

ig B E
iB
Rg
RP h21ib 1/h22 RE
v2 RU
vEC
eg 
C C
RL
4) Caractéristiques du montage CC
4-1) À partir des hijC
Remarque : on reprend les mêmes formules que pour E.C. avec RE qui joue le rôle de
RC et on remplace les hijC par leurs expressions en fonction des hij.
) L'amplification
 Calcul de Ai
h 21C  h 21
Ai  
1  h 22CR E 1  h 22R E
Les courants sont en opposition de phase et Ai peut être très élevé.

 Calcul de Av
h 21C R E h 21R E
Av   ; Av  1
h11C  Δh C R E h 21R E  h11 (1  R E h 22 )
Pas d’amplification en tension et les deux tensions sont en phase.
 Calcul de AP
AP = Ai x Av < AP en E.C.
) L'impédance d'entrée Ze
h11C  Δh C R U h11  (h11h 22  h 21 )R U
Ze  en négligeant h12 Ze   h 21R U
1  h 22C R U 1  h 22 R U
L'impédance d’entrée est très élevée.
) L'impédance de sortie ZS
h11C  R 'g
ZS  et en négligeant h12 on a
R 'g h 22C  Δh C
h11  R 'g 1
ZS  
h 22 h11  h 21  h 22 R '
g h 22 
h 21
h11  R 'g
h 21 h11  R 'g
h 22  soit ZS 
h11  R 'g h 21
ZS dépend de RG et est en général faible.
4-2) À partir du schéma équivalent avec les hij

v BE  h 11i B  h 12 v CE
i C  h 21i B  h 22 v CE
On tire les équations suivantes : v CE   v 2   R L i E que nous exploiterons pour la
v BC  v1  v BE  v 2
i E  -iB - i C
détermination des caractéristiques de l'amplificateur CC.
a) L'amplification

Calcul de Ai = iE /iB

i E  h 22 v 2  h 21i B  i B
iE 1  h 21
 h 22 R Li E  (1  h 21 )iB d’où A i  
iB 1  h 22 R L
i E (1  h 22 R L )  (1  h 21 )iB
 Calcul de Av
v1  h11i B  h12 v CE  v 2
 h11i B  (1  h12 )v2
h11
 i E  R L (1  h12 )iE
Ai
avec
v 2   R Li E
v2  RL RL
 
v1 h11  R (1  h ) h11 (1  h 22 R L )  R (1  h )
1  h 21
L 12 L 12
Ai
v2 R L (1  h 21 )

v1 h11 (1  h 22 R L )  R L (1  h12 )(1  h 21 )
R L (1  h 21 )
Av  1
h11  R L (1  h 21  h12  Δh)
R L (1  h 21 )
Av  en négligeant h12 ( h12  0)
h11  R L (1  h 21 )
1 1 h11
Av  soit Av  avec ε 
1
h11 1 ε R L (1  h 21 )
R L (1  h 21 )
 est très petit ( << 1), en effet, h11 << RL(1+h21)
On peut alors donner une valeur approchée de Av en effectuant un développement limité
h11
au premier ordre. Soit Av = 1 -  = 1 
R L (1  h 21 )
L’amplification en tension d’un amplificateur CC est inférieure à un ( Av < 1) mais très
proche de un (0,95  Av  0,99). Les deux tensions sont en phase.
 Calcul de AP
AP = |Ai|*|Av|
v1 v
b) L’impédance d’entrée Ze  et Ze  1
'
iB ig

v1  h11i B  h12 v2  h11i B  v2 (1  h12 )
v1  h11i B  R L (1  h12 )iE  [h11  R L (1  h12 )Ai ]iB et on tire
(1  h12 )(1  h 21 )
Ze  h11  R L (1  h12 )Ai soit Ze  h11  R L
1  h 22 RL
(1  h 22 R L )h11  R LΔh  R L (1  h12  h 21 )
Ze 
1  h 22 R L
(1  h 22 R L )h11  R L h11h 22  R L (1  h 21 )
h12  0 Ze 
1  h 22 R L
v1 ig 1 iB 1 1 1
ig  iB  iR P  iB  ;  '
     Z'e  R P //Ze
RP v1 Ze v1 R P Ze R P
c) L’impédance de sortie
v 
ZS   s  avec la charge retirée ici RL est la charge
 i s  eg 0
Le schéma équivalent à considérer est alors le suivant :
ig B
h11 h12vCE E is ZS is  h 22 vs  h 21i B  i B car vCE  vs
iB
v s  h12 v s  h11i B  R 'g i B
Rg
RP h21iB h22 vs i B (h11  R 'g )  v s (1  h12 )
1  h12
R’g C C  iB   vs
h11  R 'g
(1  h 21 )(1  h 1 2 )
i s  h 22 v s  vs
h 11  R 'g
1 i (1  h 21 )(1  h 1 2 ) 1  h 11  R 'g 
 s  h 22   ZS  //  
ZS v s h 11  R 'g h 22  (1  h 21 )(1  h 1 2 ) 
h 11  R 'g
ZS 
(1  h 21 )(1  h 1 2 )  h 22 (h11  R 'g )
h 11  R 'g
h12  0  ZS  ZS a une valeur très faible
h 21
v 
ZS'   's  avec la charge retirée ici Ru est la charge. On peut tout de suite dire ou écrire
 s  eg 0
i

vs
que Z’S = RE // ZS . En effet, is  is 
'
RE
is' 1 1 1
 '    ZS  ZS // R E
'
vs ZS ZS R E
En conclusion, ce montage est intéressant pour adapter un étage dont la résistance de
sortie est grande à un étage dont la résistance d’entrée est faible.
Conclusion sur les trois montages EC, BC, CC

Le montage E.C. offre les plus grands gains et des résistances d’entrée et de sortie de
valeurs intermédiaires.
Le montage BC est surtout intéressant pour la faible réaction de la sortie sur entrée. Il
peut servir de montage adaptateur entre deux étages.
Le montage CC est très pratique pour les adaptateurs d’autant plus que ses gains sont
assez faibles.
Exercices :
1) Donner le schéma équivalent du montage ci-dessous.
On négligéra le paramètre h12E et le condensateur C est un court circuit à la fréquence de
travail.
Calculer Ai, Av, Ze, ZS.
A.N. : h11E = 5k ; h21E= 200 ; h22E = 10-5-1 ; R = 1/h22E ; R1 = 56k ;
R2 = 22k ; RE = 1k.
2) Reprendre le montage EC dans lequel on supprime le condensateur de découplage aux

bornes de RE et la tension de sortie sera prise aux bornes de cette résistance d’émetteur.
Donner le schéma équivalent et calculer les différentes amplifications et ainsi que les
impédances Ze et ZS du montage complet (on pourra considérer RP = R1//R2 ; très grand devant
l’impédance d’entrée de l’étage).

III- AMPLIFICATION A L’AIDE D’UN TEC
1) Montage : régime des petits signaux
RD
C’2
+
C2 D
G
= Val
S
v2
eg  RG RS CS
Rappel : réseau de caractéristiques
ID (mA)
Val droite de charge dynamique
RS +RD VGS = 0
iD
IDO P
E
droite de charge statique
VGSO VDSO VDS(V)

-VGS 0
VDS
-vGS
Droite de charge Val = VDS + (RD +RS)ID

Le point de repos est choisi à peu près au milieu de la droite de charge. (où les
caractéristiques sont linéaires).
On applique une tension eg sinusoïdale.
Il vient : VGS = VGS0 + eg
 ID = ID0 + iD
VDS = VDS0 + vDS
L’amplification sera linéaire si lorsque eg est sinusoïdal ,alors vDS l’est également. En
général, ce n’est pas réalisé car la caractéristique ID = f(vGS) n’est pas linéaire. Ce qui entraîne
de légères distorsions au niveau du signal de sortie. La distorsion peut être réduite si on
assimile la caractéristique ID = f(vGS) à sa tangente au point de repos. Cette approximation est
d’autant plus valable que l’amplitude des variations est faible(amplitude de eg faible) : ce qui
entraîne un fonctionnement en régime des petits signaux.
2) Caractéristique du TEC en petits signaux

On utilise les paramètres admittances
 I   IG 
i G  f(vGS , v DS )   G  v GS    v DS
 VGS  V
DS
 VDS  V GS
 I   I 
i D  f(vGS , v DS )   D  v GS   D  v DS
 VGS  V
DS
 VDS  V GS
Or IG = 0 et iG = 0 pour TEC et en posant :
 ID   ΔI   I D   ΔI  1
    D   s et     D  
 VGS VDS  ΔVGS VDS  VDS VGS  ΔVDS VGS ρ
En amplification linéaire, s et  sont constants (vrai donc pour de faibles variations
1
autour du point de repos). Soit : i D  svGS  v DS
ρ
3) Schéma équivalent au TEC en régime de petits signaux
Ce sont les équations qui décrivent le

iG = f(vGS, vDS) = 0
quadripôle qui est le TEC et ce, à l’aide des
1
iD = f(vGS, vDS) = i D  svGS  v DS paramètres admittances.
ρ
iD
iG
D
svgs  vDS
vGS
S S

Remarque :
 iG = 0  résistance infinie  circuit ouvert
 Schéma purement mathématique permettant de faire les calculs et valable pour les
petits signaux.
4) Montage source commune

voir 1, montage
s et  sont supposés connus au point de repos considéré.

Un condensateur CS court circuite RS en variation. On cherche à déterminer Ze
l’impédance d’entrée, ZS celle de sortie et gv le gain en tension.
On appuiera notre exposé sur le 2N3819.
Avec Va1 = 15 V ; RD = 2k , RS = 500 
Exercice : Mesurer sur les caractéristiques s pour vGS = -0,5V ; -1V ; -1,5 V
(Rep s-0,5  4,5 mA/V ; s-1 = 4,5 mA/V ; s-1,5  3,2 mA/V)
s dépend de VGS car la caractéristique ID (vGS) n’est pas linéaire. Pour VDS > 4V s est
indépendant de VDS.
Tracer les droites de charge statique et dynamique.
Statique :
Val  (R S  R g )I D  VDS
15  VDS
ID  mA  6  0,4VDS
2,5
Dynamique :
0  R Di D  v DS
1
iD   v DS  0,5vDS
Rg
 On choisira le point de repos au milieu de la droite de charge statique soit à VDSO =
7,5V (vDSO = Val/2)
 On déterminera s au point de repos et on vérifiera que s est indépendant de VDS comme
annoncé plus haut. Déterminer également .

Schéma équivalent en régime des petits signaux :
i1 iG iD i2
svgs
vgs RG ρ RD v2
VDS
 Calcul du gain en tension

Cas simple  = 
v2 = -RDiD
gv = v2/v1 = - sRD
= - RDsvGS
v1 = vGS
déphasage de π entre v1 et v2
Dans notre exemple gv = - 8
Cas où   
v2 = - RDiD = -RD(svGS + v2/)
v2(1+RD/) = - sRDvGS
v1 = vgs
v2  R ρ 
gv   s D 
v1  RD  ρ 
A.N. : gv = 7,84
 Calcul de Ze
Ze = v1/i1 = RG = 1M
 Ze est pratiquement toujours égale à RG forte impédance d’entrée ( courant faible)
 Calcul de Zs
v  R Dρ
Zs   2    RD
 2  v1 0
i R D  ρ
5) Montage avec résistance de source non découplée
Même montage qu’au 1), mais ici le condensateur CS est supprimé.

On cherche à exprimer les nouvelles valeurs de gv, Ze et Zs.
 Schéma équivalent
G D iD
iG = 0

svgs
RD
v1 v2
S S
R’G
RS
Cas  = 
v2 = - sRDvgs
vgs = v1 - sRSvgs
vgs (1+sRS) = v1
d’où v2 = - sRD v1/(1+sRS)
sR D
et gv  
1  sR S
Cas   
v 2  - R Di D
 v 
 - R D  svGS  DS   v DS  v R S
 ρ 
v1  vGS  R Si D
v DS
v DS  v 2  v R S  v 2  R S (svGS  )
ρ
RS
v DS (1  )  v 2  sRS vGS
ρ
ρ
v DS  (v2  sRS vGS )
ρ  RS
R Dρ
v 2  -sRD vGS - (v2 - sRS vGS )
(ρ  R S )ρ
sR R RD
v 2  (-sRD  D S ) vGS  v2
  RS ρ  RS

ρR D
s
RD ρR D ρ  RS
v 2  (1  )  s vGS  v 2  vGS
ρ  RS ρ  RS 1
RD
ρ  RS
 sR D 
v2  v GS
ρ  RS  RD
RS v
v1  v GS  R Si D  v GS  v2 car i D   2
RD RD
sR D R Sρ R  R S   (1  sRS )
v1  vGS (1  )  vGS D
R D (ρ  R D  R S )   R D  RS
v2 sR Dρ
gv  
v1 ρ(1  sRS )  R S  R D
Si on fait  tendre vers l'infini on retrouve l'expression de gv dans le cas où  est négligé.
 Impédance d’entrée
Ze = R’G
 Impédance de sortie
Le schéma à considérer est celui qui suit ( la charge est retirée et la tension d'attaque est
nulle) :
iG = 0 G D iS
vGS 
svgs
v1 vS
S S
R’G
RS
-vGS
v DS
On tire : i S   svGS et v DS  vS  v GS et svGSR S  vGS ce qui donne vGS = 0 donc
ρ
v
vDS = vS et alors Z S  S  ρ
iS
6) Montage amplificateur grille commune
Le schéma de l'amplificateur est donné ci-dessous avec à côté son schéma équivalent en
régime des petits signaux :

Montage complet +VDD Schéma équivalent
vDS
Ze svGS ZS
RD
S iD D
ρ
v1 R v2 RS
S
v1 v2 RD
-VSS G
 Calcul de Av
v2
: Av  avec
v1
v1  vGS
v DS
v 2  R Di D  R D (svGS  )
ρ
vDS  v2  v1  v2  vGS
 1 
v 2  R D svGS  (v2  vGS )
 ρ 
R R
v 2 (1  D )   vGS (sRD  D )
ρ ρ
v2 (ρ  R D )  vGSR D (sρ  1)
R (sρ  1)
v2   D vGS
ρ  RD
v 2 R D (sρ  1)
Av   si ρ A v  sR D
v1 ρ  RD
 Calcul de Ze
v e  v GS
Ze   en effet ie =iS = -iD et ve = - vGS
ie  iD
 v2 sρ  1
iD   v GS
RD ρ  RD
ρ  RD
Ze  si ρ =  Ze = 1 /s Ze est très petit
sρ  1
 Calcul de Zs

v 
Z s   s 
 i s  eG0
e g   v GS  0 donc v s  v DS
vs
et i s 
ρ
On en déduit Zs = ρ l’impédance de sortie est très élevée
7) Montage amplificateur drain commun

Il ressemble à l’amplificateur émetteur suiveur ( collecteur commun)
Montage : Le signal alternatif d’attaque de la grille
VDD produit un courant alternatif de drain. Ce
courant traverse la résistance RS et produit
R1
une tension alternative de sortie pratiquement
égale à la tension d’entrée et en phase avec
elle. D’où le nom de source suiveuse donné
eg R2 v1 au montage. L’impédance d’entrée est très
RS v2 grande, c’est pourquoi cet amplificateur est
utilisé à l’entrée des appareils de mesure tels
les voltmètres électroniques et les
oscilloscopes. Vérifions tout cela.
Schéma équvalent :
Ze ZS v1  v 2  v GS
iS RS
G S v 2 (1  )  sR S v GS
ρ
RS sR S ρ
v2 
RP svGS ρ v2
v1 v GS
ρ  RS
D sR S ρ
v1  v 2  v GS  v GS (  1)
 Calcul de Av ρ  RS
v v2 sR Sρ
avec A v  2 Av  
v1 v1 sR Sρ  ρ  R S
v2
v 2  R Si S  R S (sv GS  )
ρ
1
Av 
ρ  RS
1
sR Sρ
sR S
Si ρ =  alors A v   1 si sRS>>1
1  sR S
v1 et v2 sont en phase
 Calcul de Ze
v e v1
Ze     car iG = 0.
ie iG
NB : Si on tient compte de la résistance RP alors Z’e = RP
 Calcul de ZS
v 
ZS   s 
 i s  eg 0
vs
i S  svGS  or v GS   v s
ρ
1
soit v s (s  )  i S
ρ
v 1
ZS  s  si ρ =  ZS = 1/s ZS est petit.
iS 1
s
ρ

L'AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL
30/09/2004

Ce cours sur l’amplificateur opérationnel (A.O.) a été « piqué » sur le Net. Il me parait assez
complet et devrait être très profitable aux étudiants qui voudraient poursuivre leur formation
en électronique. Cependant je dispose d’un tiré à part sur l’A.O. plus succinct (une bonne
dizaine de pages) disponible pour les étudiants qui le souhaitent.

Introduction:
L’amplificateur opérationnel est un circuit intégré, c’est-à-dire un ensemble de transistors

groupés par fonction : par exemple le circuit d’entrée, son alimentation, le circuit de sortie, son
alimentation etc. Tous ces transistors sont gravés sur un petit morceau de silicium de quelques
millimètre carrés; du fait que l’on ne peut pas les séparer les uns des autres, les utiliser
indépendamment les uns des autres, on dit que c’est un circuit monolithique. L’amplificateur
opérationnel, c’est 15 transistors dans moins que le volume d’un seul.
L’amplificateur opérationnel sert à fabriquer des amplificateurs. Le mot opérationnel fait
référence aux opérations, au calcul. Avant la généralisation des calculateurs digitaux
(ordinateurs, PC) on se servait de calculateurs analogiques dont la brique de base était
l’amplificateur analogique. Avec lui, on peut additionner, soustraire, multiplier, intégrer,
dériver…
L’ancêtre des ampli-op, le 709, est né en 1965. Au début de 1969, on introduisit le 741,
modèle protégé, stabilisé, plus simple à utiliser et d’usage universel.
Depuis, les ampli-op possèdent des caractéristiques qui s’approchent de celles du modèle idéal
de ce composant.

Amplificateur de différence parfait :
Son étude constitue le prélude à celle de l’amplificateur opérationnel. En effet, dans ce dernier
les premiers « étages » sont constitués d’amplificateurs de différence. L’amplificateur de
différence, appelé aussi amplificateur différentiel ,comporte deux entrées recevant deux
tensions V1 et V2; il délivre un signal de sortie Vs qui ne dépend que de leur différence:
Vs=Ad.(V1-V2) Ad est le gain différentiel du montage

En pratique Vs n’est jamais absolument indépendante de la valeur individuelle de V1 et de V2
Vs = Ad.(V1 - V2) + Amc.(V1 + V2 )
et l’on peut écrire: Amc est le gain en mode commun.
2
Le gain en mode commun correspond à un effet indésirable (la sortie n’est plus
proportionnelle à la seule différence des entrées),par conséquent il doit être le plus petit
possible. La tension Vs est en phase avec V1 et en opposition de phase avec V2. L’entrée V1
est appelée entrée non-inverseuse ou +, l’entrée V2 entrée inverseuse ou -,on utilise souvent la
notation:
V1=V+, V2=V-, alors Vs=Ad.(V+ - V-)
1) montage de base de l’amplificateur différentiel :
Le montage de base est constitué de deux transistors

(bipolaires ou à effet de champ) de caractéristiques identiques et
R1 R2
montés symétriquement. Les signaux d’entrée sont appliqués
+E
c1 c2 entre la masse et chacune des deux bases (ou grilles). Le signal
T1 T2 de sortie est prélevé soit entre un seul collecteur et la masse
(sortie asymétrique ou montage à référence commune), alors,
Vs=Ads.(V+-V-) avec Ads amplification différentielle simple;
V1 V2 soit entre les deux collecteurs (sortie symétrique ou montage à
sortie flottante), alors Vs=Ad.(V+-V-) avec Ad amplification
différentielle.
fig.1
2) étude du gain du montage :
Afin d’éviter un calcul relativement pénible,effectuons la constatation suivante:

 Vd
 V1 + V2  V1 = Vc +
Vc = 2
posons  2 alors 
Vd = V1 - V2 V 2  Vc    Vd 
  2 
Le théorème de superposition des états électriques nous permet d’écrire:

Vc Vc Vs=Am c.Vc
+ Vd/2 -Vd/2 Vs=Ad.Vd
=
V1 V2 Vs=Ad.(V1-V2)+Am c.(V1+V2)/2
V1+ V2
Le comportement du système lorsque V1=V2= est appelé comportement en mode
2
commun, alors Vd=V1-V2=0.
Le comportement du système lorsque V1=-V2=Vd/2 est appelé comportement en mode
V1+ V2
différentiel car alors =0.
2
Si nous considérons le modèle simplifié du transistor en petits signaux ci-dessous:
ib
h11 h21.ib
alors, le schéma équivalent du montage de la figure n°1 en régime dynamique est le suivant:
Vc1
Rc Rc
Vc1c2
h21.ib1 h21.ib2
ib1 ib2
V1 V2
fig.2
3) montage a sortie flottante :
La tension de sortie est prélevée entre les deux collecteurs. Il vient immédiatement la relation:
VC1C2  h 21 R C i b1  i b2 
En régime de mode commun, V1=V2, on en déduit: ib1  ib 2 , il en résulte : VC1C2  0

En régime de mode différentiel, V1 = - V2 = Vd/2, la loi des mailles appliquée aux circuits
d’entrées conduit à la relation:
V1  h11 i b1  V2  h11 i b2
Soit V1  V2  h11  i b1  i b2 
Ou Vd  h11  i b1  i b2 
On en déduit

βR C
VC1C2   Vd
h 11
Il en résulte l’expression du gain différentielle:
VC1C2  RC
Ad  
V1  V2 h11
4) montage a référence commune :

Dans le montage précédent la tension de sortie est prise entre les deux collecteurs. Nous allons
maintenant étudier la tension de sortie prise entre un des collecteurs et la masse (voir VC1 sur
la figure n°2).Calculons l’amplification en mode différentiel, le montage est régi par le
système:
Vs = VC1 = -h 21.R C .i b1


Vd = h 11.(i b1 - i b2 )
La loi des noeuds appliquée aux émetteurs conduit à la relation:
(h 21+1).i b1 +(h 21 +1).i b2 = 0 ,

soit i b1 = - i b2 .
Il vient alors
Vd  2 h11 i b1
Et
h R
VS   21 C Vd
2h11
Il en résulte l’expression du gain différentiel simple:
h 21 R C βR C
A ds  
2h 11 2h 11
5) impédance d’entrée différentielle :

On vient de voir qu’en mode différentiel, les courants d’entrée sont égaux en valeur absolue et
de signes opposés ( i b1  i b2 ).
On peut représenter, dans ce cas-là, l’amplificateur différentiel, vu de l’entrée, comme indiqué
par la figure ci-dessous:
AMPLI
Ied
+
Vd Zed
On définit alors une impédance d’entrée différentielle comme le quotient de la tension

V
différentielle par le courant d’entrée : Zed  d
I ed

Vd
Dans le cas de l’amplificateur idéal qui vient d’être étudié, on obtient : Zed   2h11
I ed
6) amplificateur différentiel réel :

Problème du générateur de courant
La réalisation d’un générateur de courant idéal n’est pas physiquement possible. Une première
méthode consiste à placer en série avec un générateur de tension Eo une résistance Ro la plus
Eo
grande possible (fig n°3).L’ensemble est alors équivalent à un générateur de courant Io =
Ro
et de résistance interne Ro.
Ro Eo
Eo
+
fig n°3.a
Ro
Io R
fig n°3.b
Io
On voit que le courant Io sera d’autant plus faible que la résistance Ro sera plus grande. Pour
un générateur de courant de très bonne qualité, ce dispositif nécessiterait donc une tension Eo
très élevée, difficilement compatible avec les tensions couramment utilisées.
Ce type de générateur de courant sera tout de même utilisé lorsque la valeur de la résistance
interne n’est pas primordiale. Il en sera ainsi dans les étages intégrés autres que l’étage
d’entrée (à l’intérieur des amplificateurs opérationnels).
Une deuxième méthode consiste à utiliser un montage à transistor (fig n°3.b).Dans ce cas-là, la
tension aux bornes de R est égale à Eo- vbe Eo .
Il en résulte
Eo
Io  Ir   Cte .
R
Le générateur de courant réalisé présente alors une impédance interne de l’ordre du mégohm,
tout à fait convenable pour cette utilisation.
7) taux de rejection en mode commun :
Quel que soit le type de générateur de courant utilisé, celui-ci présentera toujours une
résistance interne que nous désignerons par Ro .
Le schéma équivalent du montage pour le régime dynamique devient alors celui de la figure
ci-dessous :
Rc Rc
Vc1c2
h11 h21.ib1 h21.ib2 h11

ib1 ib2
V1 Ro V2
fig n°4

Vd
a) Mode différentiel : V1  V2 
2
Le montage vérifie les relations suivantes :
 Vd
 2  h 11.i b1 = Ro.(h 21 + 1).(i b1 + i b2 ) (1)

- Vd - h .i = Ro.(h + 1).(i + i ) (2)
 2 11 b2 21 b1 b2
En faisant la somme membre à membre, on déduit

 h 11 .(i b1 +i b2 ) = (h 21 +1).Ro.(i b1 +i b2 ) ,
soit i b1 +i b2 = 0
On a, par ailleurs,
 VC1C2 = - h 21 .Rc.(i b1 - i b2 )

 VC1 = - h 21 .Rc.i b1
Par soustraction membre à membre des relations (1) et (2), il vient

Vd  h11(i b1  i b2 )  2h11i b1
Il en résulte
VC1C2 h
Ad =   21 . Rc
Vd h 11
VC1 h 21 .Rc
Ads = =-
Vd 2.h 11
Conclusion : La qualité du générateur de courant n’intervient pas en mode différentiel.
b) Mode commun : V1 = V2 = Vc
Par raison de symétrie, il vient : i b1 =i b2 =i bc .
Il en résulte donc les relations :
 VC1C2 = 0

 VC1 = - h 21 .Rc.i bc
 Vc = h .i + 2.Ro.(h + 1).i
 11 bc 21 bc
On constate qu’en mode commun, la qualité du générateur de courant n’influe pas sur le
montage à sortie flottante mais, par contre, une tension non nulle apparaît dans le montage à
référence commune.
V
On définit alors une amplification Ac de mode commun telle que Ac = C1
Vc
h 21.Rc
soit dans le cas étudié : Ac = -
h 11 + 2.Ro.(h 21 + 1)
Par application du théorème de superposition, on en déduit :
Vs=Ads.Vd+Ad.Vc

Or pour l’amplificateur différentiel parfait, on a : Vc = Ads.(V1-V2)

Le terme Ad.Vc correspond donc à un défaut du montage.
Pour caractériser ce défaut, on définit le taux de réjection en mode commun (T.R.M.C.) de la
manière suivante :
Ads
T.R.M.C. = 20 log exprimé en décibel .
Ac
Un taux de réjection en mode commun élevé signifie que la valeur de Ac est faible par rapport
à Ads, donc que le défaut est de faible importance.
Le taux de réjection d’un amplificateur différentiel idéal est infini.
Pour l’amplificateur réel étudié, le T.R.M.C. s’écrit :
h + 2.(h 21 + 1).Ro
T.R.M.C. = 20 log 11
2.h 11
Remarques :
1) On retrouve bien que le T.R.M.C. est infini dans le cas où l’amplificateur est idéal (Ro=)
2) Cette notion de défaut est très importante, illustrons la par un exemple :

Soit un amplificateur tel que Ads=103 et T.R.M.C.=60dB. Ces deux données entraînent Ac=1.
Si V1=1,05mV et V2=0,95mV, on déduit : Vd=0,1mV et Vc=1mV.
Il en résulte Vs=100mV+1mV.
L’erreur commise sur l’amplification de la différence est à peu prés de 1%. Le résultat est
acceptable.
Si V1=1,00005V et V2=0,99995V, on en déduit :
Vd=0,1mV et Vc=1V.
Il en résulte Vs=100mV+1V.
Le terme différentiel est noyé dans le terme de mode commun. Il n’y a plus amplification de
la différence.
Afin d’améliorer le T.R.M.C. d’un étage différentiel, il faut réaliser un générateur de courant
aussi idéal que possible, apparier les éléments de manière aussi parfaite que possible; ceci est à
peu prés réalisé dans les circuits intégrés amplificateurs opérationnels.
Une autre manière de procéder consiste à augmenter le gain différentiel, pour cela, on met
deux étages en cascade.
8) exemple d’amplificateur différentiel intègré :
+Valim
(1)
(3)
V-
V+
Vs
(2)
-Valim fig.5

Ce schéma d’amplificateur différentiel est celui d’un « vieux » A 702. Dans le cadre en
pointillés n°1, on reconnaît un amplificateur de différence à deux étages. Le cadre n°2 contient
un générateur de courant à transistors pour le premier étage, plus performant que celui du
deuxième étage qui ne comprend qu’une résistance et une source de tension. Le cadre n°3
contient un adaptateur d’impédance ainsi qu’un circuit de décalage des potentiels .
Cet amplificateur différentiel intégré est appelé amplificateur opérationnel.
Les amplificateurs opérationnels actuels sont beaucoup plus complexes que le schéma
précédent constituant de «véritables usines à gaz».
AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS
1) Présentation des a.o :
Un amplificateur opérationnel est constitué d’un circuit intégré analogique (comportant de
nombreux composants, voir ci-dessus) :
* enfermé dans un boîtier;
* relié à l’extérieur par l’intermédiaire de plusieurs broches (8 pour un 741);
* polarisé par 1 ou 2 générateurs de tension ;
2) Branchement des alimentations des a.o :
Il ne faut pas croire, comme on l’entend trop souvent, que la seule manière d’alimenter un
«ampli op» est d’utiliser deux tensions égales et opposées, comme par exemple +15V,-15V.
Afin de bien le montrer, examinons la constitution interne très simplifiée d’un A.O
Fig. 6
Fig. 7
Étage d'entrée Étage de sortie

de l'A.O. de l'A.O.
Les générateurs +Vcc, -Vcc de l’ampli de différence et de l’étage de sortie sont les mêmes, on
a un seul +Vcc et un seul -Vcc commun aux deux étages.
Ainsi si +Vcc=+15V et -Vcc=-15V, Vs pourra varier entre -15V et +15V; en fait, réellement
entre -13V et +13V, tension de déchet oblige, mais les A.O récents sont beaucoup plus
performants !

Si -Vcc=0V ( 0V = ) et +Vcc=+30V, l’ampli de différence fonctionnera correctement.

Il lui faut une d.d.p. d’à peu prés 30V, et la sortie variera entre +2V et +28V.
Si -Vcc=-30V et +Vcc=0V, l’ampli de différence fonctionne toujours de manière satisfaisante,
d.d.p.=30V, et Vs peut varier entre -28V et -2V.
Si -Vcc=-10V et +Vcc=20V -8VVs18V.
3) Symbole des ampli.op :
Voici le symbole à employer, c’est le symbole AFNOR, IEEE :
- 
fig.8
4) Caractéristiques essentielles et applications :
a) Un A.O. possède les propriétés suivantes :
1° Son amplification aux fréquences basses est considérable (par exemple de 10 3 à 10 9 )
cela est dû aux nombreux étages amplificateurs qu’il comporte.
2° Le module de I’amplification décroît lorsque la fréquence augmente depuis zéro (par
suite des «capacités parasites» des transistors) mais sa bande passante est souvent
considérable (par exemple plusieurs dizaines de mégahertz).
3° Son impédance d’entrée est très élevée (de 10 k à 10 6 M) ainsi que son
T. R. M. C.
4° Son impédance de sortie est très faible (au maximum quelques kilo-ohms); ce résultat
est obtenu, par exemple, en adoptant pour le ou les transistors de sortie, le montage C.C.
b) Les A. O., très compacts et de plus en plus performants, présentent de grandes
facilités d’emploi; en particulier :
1° ils possèdent à I’entrée deux bornes actives sur lesquelles on peut appliquer des
tensions issues d’une ou de deux sources;
2° ils sont munis de broches spéciales dites de compensation destinées au branchement
d’éléments extérieurs (résistances et condensateurs) dont le rôle est en particulier de
modifier à volonté la courbe de réponse.
En conséquence les A.O., conçus initialement pour réaliser des opérations
mathématiques, sont désormais utilisés dans de nombreux domaines; citons :
* les asservissements;
* le contrôle;
* la métrologie;
* les calculateurs analogiques...

5) Fonctionnement en régime statique :

a) Caractéristique entré/sortie :
La borne (-) étant reliée à la masse;
la borne(+)est portée à un potentiel U que l’on fait croître lentement fig.9
On obtient alors pour la tension de sortie Vs, le graphe de la figure 9:
sa forme générale est due à la structure différentielle de l’étage l’entrée (voir fig. 9);
les paliers correspondent à la saturation et au blocage de certains transistors.
VV
s
E
VVs
U Vsr U(mV)
Udéc
E-E
Figure 9
b) Tension de sortie résiduelle Vsr et tension de décalage Udéc :

Par suite des imperfections de l’amplificateur, la caractéristique entrée/sortie ne passe pas
par l’origine.
1° Vsr est la tension parasite qui apparaît en sortie lorsque u = 0.
Udéc (encore appelée «tension d’offset») est la tension qu’il faut appliquer à l’entrée pour que
Vs= 0.
2° L’origine de ces deux tensions se situe au niveau de 1’A. D. d’entrée.
La dissymétrie des transistors entraîne, lorsque u = 0, des courants de collecteurs et par
suite des tensions de collecteurs légèrement différents : en sortie flottante Vs0 De plus
Udéc, de l’ordre du millivolt, varie avec la température (on parle de «dérive thermique»).
Pour annuler la tension Udéc, souvent très gênante, les fabricants prévoient un dispositif
«compensateur» dont le but est d’appliquer à l’entrée la tension - Udéc: par exemple, avec
un certain type d’A. O., il suffit de disposer un potentiomètre de 10 k entre les broches 3
et 9.
Grâce à cette compensation, la caractéristique U  Vs(U) passe pratiquement par
l’origine: on l’idéalise comme celle d’un A.D.; le segment oblique a pour pente
l’amplification A 0 en régime statique:
Vs
A 0=
u
fig.10

E
Dés que u dépasse = ,Vs cesse d’être proportionnel à U : l’A.O. sature. Par exemple si
A0
12
E=12 V et A 0  106    6  12.106  12 V .
10
c) courant de décalage :
Si Ip1 et Ip2 sont les courants de polarisation correspondant aux bornes (+) et (-), on a par
définition : Idéc= ip1-ip2.
Idéc, appelé aussi « courant d’offset », est également une conséquence de la dissymétrie de
l’A.D. d’entrée. De l’ordre du microampère pour les vieux A.O., Idéc est de l’ordre du
picoampère pour les A.O. récents.
Les courants Ip1 et Ip2 doivent passer par les circuits extérieurs à l’A.O.. Si l’ensemble de
ces circuits présente une résistance : R+ entre la borne (+) et la masse, R- entre la borne (-) et
la masse, il apparaît à l’entrée de l’A.O., en régime de polarisation, la tension parasite Up :
Up = -R+.Ip1 + R-.Ip2
Un dispositif d’équilibrage est indispensable pour annuler Up puisque l’A.O. se sature pour
une trés faible valeur de U.
fig.11
6) Amplificateur opérationnel parfait :

Par définition, un amplificateur opérationnel parfait possède les caractéristiques suivantes :
* quelle que soit la fréquence de fonctionnement, le gain de l’A.O. est infini,
* son impédance d’entrée est infinie,
* son impédance de sortie est nulle.
Il faut ajouter qu’un A.O. parfait présente une amplification en mode commun nulle
(T.R.M.C.= ), un courant et une tension de décalage nulle.
7) fonctionnement en régime dynamique :

Un A.O. ne peut être utilisé, seul, en amplificateur :
* d’une même chaîne de fabrication sortent des A.O. dont le gain diffère de l’un à l’autre,
on ne peut donc pas garantir la précision du gain d’un A.O.;
* pour une tension d’entrée constante, la tension de sortie risque de fluctuer à cause d’un
certains nombre de dérives thermiques (dans l’A.O. lui-même, dérives des tensions
d’alimentation ...)
* et surtout, l’amplification étant très élevée, la tension de seuil  est très faible et la
moindre f.é.m. présente à l’entrée provoque la saturation de l’A.O.
Aussi, pour imposer une valeur précise au gain, utilise-t-on la contre-réaction ou réaction
négative. Cette technique, étudiée de manière exhaustive en automatique, consiste à reboucler
la sortie du montage sur l’entrée. Comme, par exemple, dans le schéma ci-dessous :

fig.12
* La résistance d’entrée de l’A.O. est considérable, aussi suppose-t-on qu’aucun courant ne

circule entre les bornes (+) et (-), (A.O. parfait).
* La résistance de sortie de l’A.O. étant très faible, on admet qu’entre la masse et la sortie,
le générateur de Thévenin de l’amplificateur se réduit à une f.é.m. - A.U (le signe - est dû
au fait que la tension est appliquée sur la borne (-) ).
Le même courant i circule dans R1 et R2 :
Ve  U U+Vs  R2 R1 
  U= -  Ve  VS 
R1 R2  R1  R 2 R1  R 2 
R2 R1 R
En général, on choisit : R2  R1   1 et  1
R1  R 2 R1  R 2 R 2
 R 
D’où U = -  Ve  1 Vs 
 R2 
D’autre part Vs  A.U

Ce qui ce traduit par le schéma fonctionnel suivant :
Ve - U Vs
A
(R1/R2).Vs -
R1/R2
fig.13
Tout se passe comme si :
* la sortie Vs était prélevée à la sortie,
* puis multipliée par le coefficient R1/R2,
* enfin réinjecté à l’entrée soustraite à -Ve.
 R 
U = -  Ve  1 Vs 
 R2 
Vs  AU

Lorsque, par la suite d’un phénomène parasite, le gain A augmente, la tension Vs augmente
simultanément : mais alors la tension U diminue; ce qui réduit l’augmentation de Vs; même
chose si A diminue.
D’une façon générale, les fluctuations de Vs sont considérablement atténuées par la présence
de R1 et R2.
R
La tension 1 Ve ramenée à l’entrée est en opposition avec Ve; cela est dû au fait que le pont
R2
R1, R2 est connecté à la borne (-) : il s’agit d’une réaction négative.
L’amplification est désormais bien déterminée :
 R  V R 1 V R2
U = -  Ve  1 Vs   s  Ve   Vs  1    s  
 R2  A  R2 A  Ve R1  R 2 / A
R2
Comme A  1   R1
A
R 2 100.103
Par exemple, si A = 106    0,1  R1  10k 
A 106
Vs R
D’où  2
Ve R1
Cette amplification ne dépend plus de l’A.O. : elle est donc indépendante
* des différentes dérives,
* du vieillissement de l’A.O.,
* du gain propre de l’A.O.
En régime de polarisation, la borne (+) est directement reliée à la masse : R+ =0; la borne (-)
est reliée à la masse par l’intermédiaire de R1 et R2 en parallèle. Pour réduire la tension
parasite Up qui apparaît à l’entrée de l’A.O., la solution la plus simple consiste à insérer une
résistance de valeur
R1//R2 entre la masse et la borne (+).
Up 
R1 . R 2
 
I  I p1 , siI p1  I p2  U p  0
R 1  R 2 p2
8) Étude de l’évolution de vs et u en fonction du temps :

L’étude de l’évolution de Vs et U en fonction du temps permet de mieux appréhender le
fonctionnement de l’A.O. contre-réactionné.
Pour cette étude, nous nous référerons à la figure n°13 et supposerons que :
R1 1
 ,etVe  cte  1mV
R 2 1000
L’A.O. est supposé tel que sa sortie augmente de 100xU par unité de temps, (afin d’être
réaliste, cette unité est la nanoseconde).
Ces paramètres fixés, traçons les courbes : Vs= f(t) et U= g(t).
Pour t=0, Ve= 1mV, U= 1mV (transmission instantanée à travers le sommateur que nous
R1 V
admettrons par souci de simplification), Vs= 0 et donc Vs .  s  0.
R 2 1000

R 1 100mV
Pour t=1ns, Ve= 1mV, Vs= 100mV (Vs= 100x U t=0 ), Vs .   0,1mV (transmission
R2 1000
instantanée à travers R1/R2), U= 1-0,1= 0,9mV.
Pour t=2ns, Ve=1mV, Vs= 100+
100x0,9= 190mV, Vsx(R1/R2)= 0,19mV, U= 1-0,19=0,81mV
On voit que U diminue au cours du temps et que Vs « augmente de moins en moins
rapidement ». On peut visualiser les courbes Vs=f(t) et U=g(t) à l’aide d’une calculatrice ou
d’un PC en programmant : X=X+1; Vs=Vs+100.(1-Vs/1000); PLOT X,Vs.
Ces courbes sont en tous point identiques aux courbes de charge et décharge d’un
condensateur ou d’une self; courbes en exponentiel, réponse d’un système du premier ordre à
un échelon.
Il est très important de remarquer que U tend vers 0, théoriquement au bout de t  ,
pratiquement de manière instantanée, en effet l’axe des temps est gradué en ns et on obtient 99
% de Vs au bout de 5 constantes de temps !
 R  R
Donc U  0 , par conséquent V+ = V- (fig n°12 et 13) et -  Vs . 1   Ve ouVs   2 Ve .
 R2  R1
Ceci explique pourquoi le potentiel des deux entrées d’un A.O. contre-réactionné est le même,
et pourquoi on a une masse virtuelle si l’entrée + est à la masse (V+ = V- = Vmasse).
Une écriture plus mathématique permet d’écrire :
 R
 U  Ve  Vs 1 dVs  R  R
 R 2  100. dt   ln Ve  Vs . 1   100. t. 2
 R  R2  R1
100. U. dt  dVs Ve  Vs 1
R2
R1 100.t .
R2
R2  100.t .
R2

 Ve  Vs .  k. e R1
 Vs  . Ve .1  e R1
,
R2 R1  
En effet si t=0, Vs = 0 = Ve-k  k = Ve
Avons nous tout élucidé ??? Il reste un point important à traiter :
nous avons admis que U  0, Vs  (R2/R1).Ve, si l’on pousse le raisonnement sans y prendre
garde, on ne comprend plus rien. En effet, si on considère qu’à la limite U=0, alors Vs= - A.U
= 0, puis U = Ve - (R1/R2).Vs = Ve, nouveau cycle d’amplification (instantané), donc
R1  R 2  R R
U  Ve   Ve   0  Vs  0  U  Ve  1 .0  Ve  Vs   2 . Ve ...
R 2  R1  R2 R1
Il semble qu’il y ait oscillation de la sortie.
Il n’en est rien!
Au fur et à mesure que Vs croît, U décroît ; supposons que A  106 et reprenons les valeurs
utilisées précédemment. Vs tend vers 1V, U tend vers 0 mais plus précisément vers
Vs 1
 6  1V , dés lors le système n’évolue plus.
A 10
Plus A est grand, plus U sera petit, mais sans toutefois atteindre la valeur 0. L’état final du
système est stable, A amplifie énormément la toute petite tension résiduelle U.

Vs
U
A
Vs
si A   alors U   0 mais  0
A
9) Propriété essentielles d’un A.O. parfait :

La tension de sortie Vs reste finie puisqu’elle est limitée par les tensions d’alimentation
(cf: fig n°6et7), dans le cas d’un montage avec réaction positive ou en comparateur, il est
dés lors facile de déterminer quelle est la tension en sortie en appliquant la formule :
Vs  A d  V  V 
A d  , donc Vs est égale à la tension d’alimentation la plus positive ou à la tension

d’alimentation la plus négative.
En cas de contre-réaction, U  0 , on dit qu’il existe un court-circuit virtuel entre les
bornes d’entrées (+) et (-); ces deux bornes sont au même potentiel. Le court-circuit est
qualifié de « virtuel » car aucun courant ne peut s’écouler d’une borne à l’autre. Si la
borne (+) est reliée à la masse, on dit que la borne (-) est une masse virtuelle.
10) Gain de l’a.o. en fonction de la frequence :

La bande passante de l’A.O. seul est trés étroite : quelques Hz seulement. Comme le produit
GAINxBANDE-PASSANTE = CTE, lorsque l’A.O. est contre-réactionné et que le gain
global est réduit, la bande-passante est élargie d’autant!
Comme le montre la figure n°14 ci-dessous, un A.O. posséde une réponse en fréquence du
même type que les systèmes du premier ordre, la correction de l’A.O. qui permet d’arriver à
un tel résultat est effectuée en usine.
fig n°14
11) Vitesse limite de balayage en tension a la sortie d’un a.o. :
Réalisons à l’aide d’un A.O. ancien (un 741 par exemple) le montage suiveur ci-dessous:

fig n°15
Appliquons un signal d’entrée Ve(t), rectangulaire, d’amplitude 10V.
Pour une fréquence f=100 Hz, Vs est un signal carré, identique à Ve. Pour f= 10 kHz, VS a
une forme trapézoîdale. Le passage de Vs=+10 V à Vs=-10 V, ou l’inverse, dure 40 s . Pour
f  16 kHz, le signal de sortie est carrément triangulaire!
Vs
Pour tout A.O., la vitesse d’évolution de la tension de sortie, , est limitée, à la montée,
t
comme à la descente:
Vs
-à la montée,  S v ,
t
Vs
-à la descente,   S v .
t
Cette limitation ne dépend pas du montage réalisé (intégrateur, ampli, ...). La plus faible des
deux valeurs Sv ou S -v est notée S v , c’est la vitesse limite de balayage (slew-rate en anglais).
Donc, le signal de sortie d’un A.O. est déformé si le signal d’entrée possède une fréquence
trop importante et une amplitude trop grande.
12) Conclusion :
L’A.O.est une brique trés importante du grand « lego électronique » ,utilisé à l’origine dans
les calculateurs analogiques comme sommateur, intégrateur, différentiateur, multiplicateur,...il
est aujourd’hui présent dans les P.I.D. analogiques, dans les amplificateurs, dans
l’électronique logique...
Donc à connaître! Pour vous aider à vous familiariser avec lui, voici quelques exercices tirés
des annales hydro.

POUR EVITER ÇA :
Fourbi de sacré cours, je

n’y pige rien!

EXERCICES
1) Exprimez Vs en fonction de Ve dans le montage suivant :
Solution : Le potentiel de l’entrée - est égal à Vs. Or (réflexes!) il y a un rebouclage de la

sortie sur l’entrée -, donc le fonctionnement est linéaire, donc les potentiels des deux entrées +
et - sont identiques. Ainsi Ve=Vs, ce montage est appelé montage suiveur; sa principale
utilisation est le découplage entre un dispositif ne pouvant fournir beaucoup de puissance et
une utilisation en nécessitant. Par exemple entre le convertisseur numérique-analogique
branché à la sortie d’un ordinateur et le moteur électrique d’une vanne d’un asservissement de
niveau, il est indispensable d’utiliser un tel montage. Le CNA serait incapable de faire
fonctionner le moteur.
2) Soit le montage suivant:
Exprimez
Vs en fonction de V1 , V2 , V3 et R.
Solution : Il faut acquérir des réflexes concernant les A.O: rebouclage de la sortie sur l’entrée
-, pas de rebouclage sur l’entrée +, donc fonctionnement en régime linéaire Si régime linéaire
et si on impose le potentiel de l’entrée + , alors l’entrée - est au même potentiel; ici le potentiel
de la masse.
L’entrée - est une masse virtuelle dans le cas présent.
Il suffit, pour résoudre le problème, d’appliquer la loi d’Ohm en ayant présent à l’esprit
qu’aucun courant ne peut entrer ou sortir par l’entrée - (pas plus par l’entrée + d’ailleurs à
cause de l’impédance différentielle d’entrée infinie).
V1
Loi d’Ohm entre V1 et l’entrée - : V1  0  RI 1 , donc I 1  .
R
V2
R
V3
R
Loi des noeuds au point - : I  I 1  I 2  I 3 .

Loi d’Ohm entre l’entrée - et la sortie: 0  Vs  RI  R I 1  I 2  I 3  .

Attention: dans la loi d’Ohm, le point de potentiel le plus élevé est le point d’entrée du
courant dans la résistance.
On en tire: Vs   V1  V2  V3  , d’où le nom donné à ce montage: sommateur.
Exprimez
Vs en fonction de Ve , V' e , R1 , R'1 , R 0 , R 2 .
Solution : Soient i 1 le courant traversant R 1 et i'1 le courant traversant R'1 .
Alors, i1  i'1  0 (impédance différentielle d’entrée infinie)
R0
Le même courant parcourant R 0 et R 2 , on a : V0  V.
R0  R2 s
Ve  V0
Ve  R 1i 1  V0 , d'où i 1  .
R1
V' e  V0
V' e  R'1 i'1  V0 , d'où i'1  .
R '1
Ve  V0 V'e  V0
 0 Ve V' e R0  1 1 
R1 R'1   Vs   
R 1 R '1 R 0  R 2  R 1 R '1 
d’où:
R 0  R 2 R 1 R'1  Ve V' e 
Vs    
R0 R 1  R '1  R 1 R '1 
R0  R2
Si R1  R'1 , Vs  Ve  V 'e 
2 R0
L’A.O réalise donc la somme des deux tensions Ve et V' e , ici la tension à la sortie est en phase
avec la tension d’entrée, c’est un sommateur non inverseur. Si de plus,
R 2  R 0 , Vs  Ve  V' e .

Exprimez Vs en fonction de R, C et Ve .
Solution : Le courant qui traverse C et R a pour intensité:

dq dV
i C c
dt dt
Attention : Ve n’est pas forcément sinusoïdale, donc ne pas employer les impédances
complexes !
La borne - est une masse virtuelle donc :
 Vc  Ve

 dV dV
 Vs   Ri   RC c   RC e
 dt dt
Donc, en définitive :
dV
Vs   RC e Le circuit est donc un dérivateur
dt
5) Soit le montage ci-dessous:
Exprimez Vs en fonction de R, C et Ve :
Solution : La borne - constitue encore une masse virtuelle. Le même courant traverse R et C.
Ve  Ri
1
C
Vs  Vc et Vc  i dt

 V dt + constante
1

1 Ve
Vs   dt donc Vs  
C R RC e
Le montage est un intégrateur.
6) Etudier la stabilité du système suivant:
Solution :
Il y a rebouclage de la sortie vers l’entrée
- et rebouclage sur l’entrée + ! Lequel l’emporte?
  VB  VA
R2 R1 R2 R1
VA  Ve  Vs  Ve  k 1 Vs (k 1  )
R1  R 2 R1  R 2 R1  R 2 R1  R 2
Ceci est obtenu par le théorème de superposition.
R3 R3
VB  V  k 2 Vs (k 2  )
R3  R4 s R3  R4
V   k 1  k 2  Vs
R2
Donc   
R1  R 2 e
R2
Posons: Ve '   V et k = k 1  k 2    Ve ' kVs
R1  R 2 e
En faisant varier R 2 et R 4 , nous modifions k 1 et k 2 , le système est stable si k  0 , c’est à dire
si le taux de contre-réaction k1  k2 . Vous reverrez de semblabes calculs en cours
d’automatique !

7) Soit le montage ci-dessous. On suppose que l’A.O est parfait et fonctionne dans le domaine
linéaire. Les résistances ont toutes la même valeur.
Exprimer Vs en fonction de V1 et V2 . Justifier votre réponse.
Que réalise ce montage?
V2
Solution : Le point B est au potentiel , par conséquent le point A aussi. Il suffit ensuite
2
d’appliquer la loi d’Ohm en se laissant guider par le texte pour le sens du courant. On écrit
ainsi les relations:
V2
R 3 I  Vs 
2
V2
R 1I   V1
2
 R3  V2 V2 R 1 
On en tire: Vs    V1   
 R1  2 2 R 3 
Le montage réalise une différence pondérée, d’ailleurs si R1  R 2  R 3  R 4 , alors
Vs  V2  V1
8) Soit le circuit ci-dessous:
Les tensions de saturation de l’A.O sont +Vsat et -Vsat. Tracez la courbe Vs= f(Ve) pour Ve
variant de moins l’infini à plus l’infini (évidemment dans la réalité l’intervalle de variation est
plus réduit!!!), puis de plus l’infini à moins l’infini.
Solution : Rebouclage sur l’entrée +, donc fonctionnement en régime saturé. Supposons que la
R2
sortie soit au potentiel +Vsat, le potentiel V+ de l’entrée + est V  Vsat .
R1  R 2

R2
Tant que V  V  0, c’est à dire V  V , Vs reste inchangée.
R 1  R 2 sat
R2 R2
Quand V devient supérieure à Vsat , V  V  0  Vs   Vsat et V+   V
R1  R 2 R 1  R 2 sat
.
R2
Tant que V reste supérieure à  V , Vs reste inchangée. Quand V devient
R 1  R 2 sat
R2 R2
supérieure à  Vsat , V+  V  0  Vs   Vsat et V+   V . D’où la courbe:
R1  R 2 R 1  R 2 sat
Vs
Vsat
R2
 V
R 1  R 2 sat
R2 Ve  V
 V
R 1  R 2 sat
Vsat
9) Soit le circuit représenté ci-dessous:
Les résistances ont pour valeurs: R1  11 k, R 2  99 k, R 3  10 k .

a) Tracer la caractéristique V2  f  V1  de ce montage, en indiquant les valeurs numériques de
la tension V1 provoquant le basculement ainsi que le sens des variations des tensions V1 et V2 .
b) La tension d’entrée a pour expression: V1  3.sin 2t  .
Représentez les graphes de V1 et V2 en fonction du temps.
Prendre: 10 cm pour 1 seconde, 1 cm par volt pour V1 et 1 mm par volt pour V2 .
Solution : Ayons des reflexes ! Pas de rebouclage sur l’entrée - mais uniquement sur l’entrée
+.
Par conséquent l’A.O fonctionne en régime de saturation, la sortie ne peut prendre que deux
valeurs: +Valim et -Valim; ici +15V et -15V. La valeur de la tension qui fait chavirer le coeur
R1
de l’A.O est : V  V2 , soit +1.5V et -1.5V.
R1  R 2

R 3 ne sert pas à grand chose, sinon à empêcher l’existence d’une tension d’off-set. En effet,
vous aurez remarqué que R 3  R1 / / R 2 .
Le montage transforme la sinusoïde en crénaux.
10) Soit le montage ci-dessous
L’A.O est supposé parfait; les tensions de saturation sont de + ou - 12V. On applique à l’entrée
une tension e. On donne: R a  10 k, R b  90 k, R c  18 k.
a) Montrez que, quand e=0, ce système possède deux états stables. Quelles sont les valeurs de
Vs et de V + correspondant à ces deux états?
b) Déterminez la relation entre e, V+, Vs , R a , R b et R c .
c) L’entrée e est une tension périodique formée d’impulsions d’amplitude Ve et - Ve .
e
+Ve
-Ve
Déterminez la valeur minimale de Ve pour commander le système.

Ve ayant 1,5 fois cette valeur, représentez e(t), Vs  t  , et v+(t) dans le même repère. Précisez
les valeurs prises par V+(t).
Solution : Si e=0, alors l’extrémité de R c est à la masse, on est ramené à l’exercice précédent
avec au lieu de R 1 , R a // R c .
Le mieux est ensuite d’utiliser le théorème de Millman pour la détermination de V+.
On trouve e2,4 V si Vs  12 V et e  2,4 V si Vs = -12 V.
11) Soit le multivibrateur à A.O dont le schèma figure ci-dessous:

a) Quelles sont les valeurs de Vs et de e+ lorsque e-<e+?

b) Que fait la tension e- dans ces conditions?
c) Qu’arrive-t-il si e- devient > e+? Que deviennent alors les tensions Vs et e+? Comment
varie à nouveau e- ?
d) Représentez en fonction du temps Vs et e-.
e) Calculez la période de la tension de sortie Vs en fonction de R1 , R 2 , R, et C.
f) Quelle est cette période si R1  15 k, R 2  100 k, R  120 k et C = 0,1 F. Quel est le
facteur de forme?
Solution : a) Vs  A d  V  V   si e+e - , Vs   Vsat , e+ = +

R1
V .
R 1  R 2 sat
b) e- croît exponentiellement (charge de C à travers R).
R1
c)Si e->e+, alors Vs   Vsat , e+ = - V , e- décroît (décharge de C à travers R).
R 1  R 2 sat
d) Supposons qu’à l’instant initial Ve  0

(condensateur déchargé) et Vs   Vsat (saturation
positive). Le condensateur se charge alors à
travers R et sa tension tend vers Vsat . En fait dés
 R1 
que Ve  kVsat + ,    0  ,  k=  ,la
 R1  R2 
tension différentielle d’entrée devient négative et
la tension de sortie bascule de Vsat à - Vsat . Le
condensateur se décharge maintenant à travers R
et sa tension tend vers Vsat . Mais dés que
R1
Ve   kVsat     V   ,   0 , la
R 1  R 2 sat
tension différentielle change de signe et la tension
de sortie bascule à nouveau de Vsat à + Vsat .
On observe alors une nouvelle charge du condensateur à travers R, et le cycle recommence.
R1
e) Supposons Vs   Vsat et initialement e  ( t  0)   V . La variation de e- avec t
R 1  R 2 sat
est de la forme: e  Ae  t / RC  B .
R1
A t=0: e  A  B   V
R 1  R 2 sat

Quand t   , e- = B = Vsat
2R  R 2
D’où : A   1 V
R 1  R 2 sat
Donc : e  Vsat   2R1  R 2  Vsat e  t / RC
R1 T R1 2 R 1  R 2  T/ RC
Quand e-= Vsat , t = :  1 e d’où :
R1  R 2 2 R1  R 2 R1  R 2
2R  R 2
T  2 RC ln 1 soit ici 6,3 mS.
R2
Le rapport de forme est égal au rapport de la valeur efficace sur la valeur moyenne, afin
d’éviter de trouver une quantité infini, il faut faire le calcul sur une demi période.
12) Le montage précédent est modifié de la manière suivante:
Les diodes possèdent une tension de seuil V0 , une résistance dynamique rd en direct et une
résistance infinie en inverse.
Montrer qu’en déplaçant le curseur du potentiomètre de résistance totale R, on contrôle la
valeur du rapport cyclique  , sans modifier la période T du signal de sortie. Entre quelles
valeurs extrêmes peut varier  ?
Quel est le rôle des résistances  ?
A.N.: on donne V0 =0,6 V, rd  10 ,   200 .
Pour r=1 k  , calculez la durée t1 de l’état de saturation positive, celle t2 de l’état de saturation
négative, et le rapport cyclique  .
Solution : Pendant la saturation positive, le condensateur C se charge à travers la diode D1

(polarisée en direct) et la résistance R'1    rd   R  r  sous la tension Vsat  V0 .
Comme précédemment: e  Ae  t / R'1 C  B , en utilisant les conditions aux limites, en
supposant:
R1 R1
Vs   Vsat , e-(t=0)=  Vsat , et e-( t 1 )=  V
R1  R 2 R 1  R 2 sat
on trouve:
  2R  R  V   R  R  V 
t 1  R'1 C . ln 
1 2 sat 1 2 0
 R 2 Vsat   R 1  R 2  V0 

Durant la période de saturation négative, le condensateur se décharge à travers la diode D2 et

la résistance R' 2    rd  r sous la tension extérieure  Vsat  V0  . Par un procédé identique à
celui utilisé ci-dessus, on trouve:
  2R  R  V   R  R  V 
t 2  R' 2 C.ln 
1 2 sat 1 2 0
 R 2 Vsat   R 1  R 2  V0 
La période T’ des oscillations de relaxation est:

  2R  R  V   R  R  V 
T’= t 1  t 2   R'1  R' 2  C.ln 
1 2 sat 1 2 0
 R V
2 sat   R 1  R 2  V0 
soit encore:
  2R  R  V   R  R  V 
 
T'  R  2   rd  . C.ln
1 2 sat 1
R 2 Vsat   R 1  R 2  V0
2 0

 
Il apparaît ainsi que T’ est indépendant de r, c’est à dire de la position du curseur du

potentiométre.
Le rapport cyclique:
t1 R '1 C   rd  R  r
   ,
T' R'1 C  R' 2 C 2   rd   R
est dépendant de r, donc contrôlé par le potentiométre.
  rd   rd  R
 min   max 
2   rd   R 2   rd   R
Les résistances  sont des résistances de protection pour les diodes.

R'1 C  1,92 ms t 1  2,27 ms
A.N.:
R' 2 C  0,12 ms t 2  0,14 ms T'= 2,41 ms
d’où
 min  0,01 et  max  0,99 , pour r=1 k  =0,94.
13) Soit le montage ci-dessous:

Montrez que ce dispositif est un amplificateur différentiel qui délivre en sortie la tension:
Vs  A Ve1  Ve2  . Exprimez le gain différentiel A en fonction de k coefficient sans
dimension.
Solution : Lorsque plusieurs A.O. sont branchés en série, il faut déterminer la tension de sortie
du premier A.O., l’utiliser comme tension d’entrée du deuxième A.O. et calculer la tension de
sortie du second A.O., utiliser cette tension comme tension d’entrée du troisième A.O.…
Appelant V la tension de sortie du premier A.O., et i 1 le courant traversant R et R/k, nous
avons:
Ve1  0 V  Ve1 1 k
i1    V  Ve1 .
R R/k k
De même pour le second A.O., nous avons en appelant i 2 l’intensité traversant les éléments R
et k.R du deuxième A.O. :
Ve2  V Vs  Ve2
i2    Vs  1  k. Ve2  kV ou Vs  1  k Ve1  Ve2 
R kR
Le gain différentiel est donc : A=1+ k .

14) On donne ci-dessous le schéma d’une alimentation stabilisée :
E=30 V; R1  1 k; R 2  1,2 k; R 3  3,3 k.

L’ A.O. est supposé idéal. La diode Zener D z a pour tension de Zener VZ  3,9 V.
Le transistor T2 est bloqué lorsque sa tension base-émetteur est inférieure à 0,6 V.
a) Calculez la valeur de la résistance R pour que la tension de sortie U soit de 10 V.
b) Expliquez le fonctionnement du montage dans le cas où une variation de la résistance de
charge R c a tendance à faire diminuer la tension de sortie U.
c) Précisez le rôle du transistor T2 et calculez la valeur maximale de l’intensité du courant que
peut débiter l’alimentation en fonctionnement normal.
Solution : L’A.O. est en fonctionnement linéaire, ainsi la tension aux bornes de R 3 est égal à
VZ . Le courant traversant R 3 est le même que celui traversant R, il provoque dans R une chute
de potentiel égal à U- VZ . On a donc:
V U 
VZ  R 3 i  i  Z , U - VZ  U  R 3 i  Ri  R  R 3   1 , R  5,161 k.
R3  VZ 
Si R c tend à faire chuter U, le courant traversant R et R 3 tend à diminuer entraînant une baisse
de la tension aux bornes de R 3. L’A.O. est momentanément dans la situation où Ve Ve cela

entraîne une augmentation de Vs car l’A.O. « essaie » de maintenir ces deux potentiels égaux.
Dés lors, T1 est plus saturé, sa résistance collecteur-émetteur diminue, ceci entraîne un
accroissement de U.
En fait, T1 sert de résistance variable piloté par l’A.O..Ceci montre pourquoi le rendement de
ces alimentations est si faible, une bonne partie de l’énergie est dissipée dans le transistor-
résistance.
T2 sert à protéger l’alimentation contre les surintensités. En effet, dés que le courant dans R 2
atteint un certain seuil, la d.d.p. aux bornes de R 2 dépasse 0,6 V et T2 conduit, court-circuitant
la jonction base-émetteur de T1 qui se bloque, mettant ainsi fin à la surintensité.
0,6
L’alimentation peut donc débiter ici: R 2 i  0,6 V  i =  0,5 mA au maximum.
1,2.103
15) On donne ci-après le schéma d’un régulateur analogique de type P.I.D. tel qu’il est
couramment réalisé.
Exprimez Ve en fonction des tensions Vconsigne et Vmesure (revoir le cours d’automatique pour la
signification de ces tensions).
Exprimez Vi , Vp , Vd en fonction de Ve .
Exprimez Vordre en fonction de Vi , Vp , Vd puis de Vconsigne et Vmesure .
On prendra toutes les résistances égales à R, sauf les résistances variables que l’on notera r;
tous les condensateurs ont pour valeur C
Le montage réalise-t-il bien la fonction prévue?
Solution : Ve  Vconsigne  Vmesure
Vi    Ve dt , Vp   Ve , Vd   rC e
1 r dV
rC R dt

d Vconsigne  Vmesure 
Vordre 
r
R
 
Vconsigne  Vmesure 
1
rC
  
Vconsigne  Vmesure dt  rC
dt

16) Soit l’oscillateur sinusoïdal à pont de Wien dont le schéma figure ci-dessous:
Déterminez la condition d’oscillation ainsi que la fréquence des oscillations produites.
Solution : Nous allons d’abord étudier deux montages simples, chacun composés de deux
fonctions de transfert complexes: A et B , et déterminer leur conditions d’oscillation.
+
E A S +
+ E A S
-
S= A.
B B
  E  B.S S= A.
d’où S  A. E  A. B.S   E  B.S
d’où S= A. E  A. B.S
A
S E
1  A. B S
A
E
[montage à réaction positive] 1  A. B
A [montage à réaction négative]
si A. B  1 alors  A
1 A. B si A. B  1 alors 
dés lors S existe même si E  0 1 A. B
dés lors S existe même si E  0
E=0, S  0, les montages sont des oscillateurs.

L’énergie nécessaire à la création d’oscillations provient de sources continues alimentant un
étage amplificateur ( A par exemple).
 A. B  1  A. B  1
A. B  1   A. B  1 
arg A. B  0 arg A. B  
- une condition de pulsation

- une condition d’entretien

Fonction A de l’oscillateur:
Soit le circuit:
Ve  R 2 i  V R  R2
 s  1
Vs   R 1  R 2  i  Ve R2
C’est un montage amplificateur.
Fonction B de l’oscillateur:
 
jC  
 1 R
Ve   R I  R  1 jC  jR 2 C  2 R
 jC 1  
R 3R  jR 2 C  1 jC
 jC   Ve jRC  1 1
   
   Vs R R Vs
 R
jC   jRC  1 V
Vs   I 
R  1  
 jC  
L’oscillateur:
Vs
A B
Ici le montage est à réaction positive (rebouclage sur la borne +). Ainsi la condition
d’oscillation est A. B  1. Soit:

1
R 1  R 2 3R  jR C  jC
2
j
  3  R 2 C 22  1
R2 R RC
R1 j
1 3  R 2 C 22  1
R2 RC
La partie imaginaire du menbre de droite doit s’annuler étant donné que l’on a un réel pur dans
le menbre de gauche, d’où:
1
R 2 C22  1 si R et C sont donnés: f  condition de pulsation.
2RC
R
Il reste 1  1  3  R1  2R 2 condition d’entretient.
R2
17) Soit le montage dont le schéma est donné ci-dessous et pour lequel la diode et les
amplificateurs opérationnels sont considérés comme parfait :
V= -5 V; R1  30 k; R 2  12 k; R 3  1 k; R 4  20 k; C = 1 F .

a) Expliquez le fonctionnement du montage en admettant qu’à l’instant t=0 le condensateur C
est déchargé et que Vs1 =10 V.
b) Calculez :
• la valeur maximale et la valeur minimale de la tension de sortie Vs ,
• le temps de montée et le temps de descente de la tension de sortie Vs .
c) Tracez le graphe, en fonction du temps , du signal de sortie Vs .
Quel est le type de ce signal? Calculez sa fréquence et sa valeur moyenne.

18) Régulateur de niveau à « action logique »à amplificateur opérationnel:

On considére le schéma suivant destiné à maintenir le niveau dans une caisse à eau entre deux
valeurs limites. L’A.O. est parfait. VA est proportionnel à H: hauteur de liquide dans la caisse.
Relais de mise en service de

la pompe de transfert
pompe de transfert
figure n°1
a) Expliquez le fonctionnement du montage en précisant le rôle de chaque élément.

On fixe: R 2  R 3  20 k.
b) Calculez la valeur de VA : - pour laquelle la pompe se met en marche;
• pour laquelle la pompe s’arrête.
c) Déterminez la valeur minimale de R 1 compte tenu des caractéristiques de la diode Zener
(on admettra que R 1 est trés inférieure à R 2 et R 3 ).
d) Dans la réalité, l’A.O. n’étant pas parfait , on ajoute Z 2 comme indiqué sur la figure n°2.
Justifiez cette modification en précisant le défaut de l’A.O. ainsi pris en compte.
Solution :
1 et 2 L’ampli-op fonctionne en comparateur.
Lorsque V+ > V- , la tension de sortie de l’ampli-op devient égale à 24 V. Le transistor T1 est
saturé, le relais met en service la pompe. Lorsque V- > V+, la tension de sortie de l’ampli-op
est au potentiel de la masse, T1 est bloqué, la pompe est arrêtée.
Le potentiel de V+ dépend du potentiel de sortie de l’ampli-op. Lorsque la sortie de l’aop est à
24 V, le potentiel du point C par rapport à la masse est à :
 24  VZ 1  3  24  6 
VZ 1  R2     6  20.10   3 
 6  9  15 V
 R2  R3   20.10  20.10 
3
Lorsque la sortie de l’aop est au potentiel de la masse, le potentiel du point C par rapport à la
masse est à :
 V 0  6  20.103
R3   Z 1   3V
 2
R  R 3  20.10 3
 20.103

La pompe étant arrêtée (sortie de l’aop à la masse), si le niveau dans la cuve descend
suffisamment de telle sorte que VA = V- chute en dessous de 3 V, alors :
V+ > V- et la sortie de l’aop passe à 24 V entraînant le démarrage de la pompe.
Le potentiel de C devient 15 V et on a toujours : V+ > V- .
Pour que la pompe s’arrête, la cuve devra se remplir suffisamment pour que VA devienne
supérieur à 15 V.
On aura à nouveau V- > V+ et la sortie de l’aop reviendra au potentiel de la masse entraînant
l’arrêt de la pompe.
Donc si VA<3V, la pompe démarre, si VA>15V, la pompe s’arrête.
3 R1 limite le courant dans la Zener et donc la puissance dissipée par effet Joule dans celle-ci.
P 0, 6
Le courant dans la Zener doit être inférieur à : P  UI  I    0,1 A  100 mA
U 6
24  6
Cela sera assuré si R1   180 
0,1
4 La sortie d’un ampli-op réel, lorsque V- > V+ , ne descend pas à 0. Pour des aop ordinaires et
bon marché (741), la tension ne descend guère en dessous de 2 à 3 V. Le transistor T1 ne se
bloquerait donc jamais. Afin d’éviter cela, on remonte le potentiel de la base de T1 à l’aide
d’une diode Zener de tension VZ > 3 V. Ainsi, même si la tension de l’aop ne descend qu’à 3
V, le transistor se bloque.
19) Le montage représenté ci-dessous assure automatiquement la mise en service d’un

ventilateur lorsque la température à l’intérieur d’un coffret d’appareillage électrique atteint un
seuil haut et son arrêt pour un seuil bas.
coffret
R1  8 k; R 2  2 k; R 3  8 k; R 4  2 k; R 5  2 k; V0  4 V .

L’A.O. est parfait, la tension d’amorçage des LED est négligeable.
Etudiez le fonctionnement de ce montage:
a) Calculez les deux valeurs possibles de la tension en B.
b) Calculez les deux valeurs de la résistance de la thermistance Rth qui correspondent
respectivement à la « mise en service » et à l’« arrêt » du ventilateur.
En déduire le type de thermistance utilisée (CTP ouCTN).
c) La LED rouge indique l’état de « marche » et la LED verte celui d’« arrêt »; précisez la
couleur de la LED 1 et de la LED 2.
d) Récapitulez le fonctionnement du montage en précisant le rôle des différents composants.
Sur quels éléments agiriez-vous pour modifier les températures de consigne?

20) On considère le montage suivant réalisant un générateur de signaux synchronisés avec

l’alimentation alternative.
On suppose : que l’amplificateur opérationnel est parfait; que R2 est réglée pour que e2 puisse
devenir supérieure à e1 .
l) Expliquer le fonctionnement des montages élémentaires 1 , 2 , 3 , en indiquant de manière
précise le rôle des différents composants.
2) Calculer la valeur minimale à donner à R1 sachant que la puissance maximale
admissible pour DZ1 et DZ2 est de 500 mW.
3) Tracer en synchronisme les chronogrammes des tensions aux points A, B, C et D.
4) Résumer le fonctionnement du montage en précisant les différentes possibilités de
réglage.
21) Gyrateur ou comment simuler des inductances :
La réalisation de filtres divers nécessite l’utilisation d’inductance. La réalisation d’une

inductance n’est pas très compliquée, il suffit d’enrouler du fil de cuivre sur un mandrin.
Cependant, les performances obtenues sont loin d’être satisfaisantes et les inductances
artisanales ne se rapprochent pas des inductances idéales, loin s’en faut.
Le diamètre du fil de cuivre utilisé est faible afin de limiter l’encombrement lorsque le nombre
de spires nécessaires est important. Cela entraîne l’apparition d’une résistance série parasite
qui dégrade le coefficient de qualité de la bobine (Q = 2L/R). De plus, des capacités parasites
apparaissent entre les spires, cela nuit au comportement de la bobine à haute fréquence.
Notons enfin qu’il peut être quasiment impossible de réaliser des inductances de valeur
considérable (1000 Henry par exemple).
Pour contrer tous ces inconvénients, il est souvent souhaitable de réaliser les inductances au
moyen des « gyrateurs ».
Un gyrateur est un montage électronique comprenant 2 « Négative Impedance Converter »

(NIC) ou Convertisseur à Impédance Négative (CIN)
Un CIN transforme une impédance en son opposé. Un gyrateur transforme une impédance en
son inverse.

La Figure 1 représente un CIN
Figure 1
Montrer que le circuit de la Figure 1est un convertisseur d’impédance négative, c’est-à-dire
que Zentrée = -Z. Pour ce faire, il peut être judicieux d’appliquer une tension V à l’entrée et de
calculer le courant d’entrée I. Le rapport V/I donne alors Zentrée.
Un gyrateur est formé de 2 CIN comme indiqué Figure 2.
R2
Montrer que le circuit de la Figure 2 vérifie Z entrée  . Il est judicieux de considérer le
Z
circuit comme un ensemble de diviseur de tension et de commencer le calcul par la droite.
Le gyrateur transforme un condensateur en une inductance :
ZC  1  Zentrée  jCR 2
jC
Ainsi, avec R = 10 k et C = 10 F, on obtient L = CR2 = 1000 H !!!
Ce résultat remarquable explique le succès des gyrateurs dans la confection des filtres.
Figure 2

Solution : Le CIN
Ve Vs
Ve  Vs  Ri  i  
R R
Ve
Ve  V  iRZ 
Z
Ve
Vs  RiRZ  ZiRZ  R 
 Ve
Z
Ve
Ve Vs Ve R  Z  Ve V
Donc i      e
R R R R Z
Ve
Ze   Z
i
Le gyrateur :
En considérant la partie droite du circuit, c’est-à-dire (R et Z en série) en parallèle avec (le
CIN en série avec R) :
1 1 1 R  Z   R R 2  RZ
    Z eq  
Z eq R RZ R R  Z  Z
Cette impédance est en série avec R, la résistance placée juste derrière le premier CIN à
R 2  RZ R2
gauche, aussi, la nouvelle impédance équivalente est : R   
Z Z
R2
Enfin, le CIN de gauche inverse le signe de cette impédance, tant et si bien que Z entrée 
Z

ANNEXES

UNIVERSITÉ DE COCODY - ABIDJAN

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TRAVAUX DIRIGÉS : Diode à jonction 1
Fiche 1 D2 D1
E1 - Deux diodes identiques sont montées selon le schéma ci-contre V

On suppose valable l’équation théorique donnant le courant I dans la jonction.
E
1) Calculer en fonction de E la tension V aux bornes de la diode D1 polarisée en direct
2) Montrer que, dès que E est suffisant la tension V devient proportionnelle à la température absolue
3) Qu’obtient-on si le courant de saturation des deux diodes est différent ? (on posera Is2 = Is1).
E2 – On étudie l'influence de la température sur les caractéristiques courant-tension d'une diode à jonction
PN ID(VD). On a ID = IS( exp (VD/UT) – 1) avec UT =kT/q (q charge de l'électron) et IS = I0 exp ( -qE / kT) ( E
= 1,12 V pour le silicium).
1) Déterminer, en polarisation directe, l'expression ΔVD / ΔT pour une diode au silicium ; comment
se déplace la caractéristique directe quand T augmente (on garde le courant constant) ?
2) Calculer en polarisation inverse, la variation de température nécessaire pour doubler ID au
voisinage de 300 K pour une diode au silicium. (On rappelle qu'en polarisation inverse ID ≈ IS et
2  1 
figure on
1 pourra faire l'approximation  2 ; T = 300 K)
12 
E3 - La caractéristique courant-tension d’une diode D est donnée figure 1. Déterminer analytiquement et

graphiquement la caractéristique courant-tension du dipôle de la figure 2.
i
0 V0 v
E4 - Pour simplifier on admettra que la diode est idéale (fig. 3). Tracer, après analyse:
a) la caractéristique de transfert us = f(ue)
b) le graphe de us(t) lorsque ue(t) =Um sin t, avec Um = 15 V et E = 5 V
R i
fig. 3 i R
fig. 4 D1 D2
D e
ue 2R us u
E E1 E2
E5 - On considère le montage (fig. 4) ci-dessus dans lequel R = 5 , E1 = 10 V et E2 = E = 5 V.

a) Construire les variations de u en fonction de e lorsque cette tension varie de – 15 V à +15 V.
b) On applique à l’entrée la tension e = 15 sin 2t / T. Construire le graphe de u en fonction du
temps.
c) Construire le graphe en fonction du temps, du courant i..
Note : Pour chaque construction on fera une analyse du fonctionnement du circuit justifiant le graphe tracé.


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TRAVAUX DIRIGÉS : La diode à jonction 2
Fiche 2
REDRESSEMENT
E1 - On réalise le pont de diodes ci-contre. Les diodes sont supposées idéales.

1°) Indiquer le sens des courants quand on applique une tension u1 = VA – VB
positive.
2°) Même question pour une tension u1 = VA – VB négative. A
3°) Que peut-on dire de la tension u2 = VC – VD dans chaque cas
4°) La tension d’entrée, exprimée en unité SI est u1 = VA – VB = 10t – 10.Elle
est appliquée à l’instant t = 0 et supprimée à l’instant t = 2 s. La résistance entre R
C et D est R = 100 . Exprimer l’intensité i(t) qui circule entre C et D ? u1 C D
5°) Représenter sur papier millimètré les fonctions u1(t) et i(t). Échelles u2
imposées :en abscisses : 1 Cm pour 0,5 s ; en ordonnées 1 Cm pour 5 V ou 0,1 A
6°) A présent u1(t) est un signal sinusoïdal. En vous inspirant des résultats des B
questions 1°) et 7°) tracer sur un même graphique les courbes u1(t) et u2(t) .
8°) Quel type de signaux périodiques faudrait-il choisir pour u1(t) si l’on désirait
obtenir, pour u2(t), une tension constante ?
E2 - On considère la figure ci-contre :

1- On demande de la reprendre en plaçant la diode u1
D2 manquante. Donner l'allure des courbes
représentatives D1
de v2, vR et u1 à partir de celle de v1. v1 vR
2- Exprimer en fonction de Vm la valeur moyenne
de la R
v2
tension redressée vR et la tension inverse
maximale aux
D2
bornes de chaque diode.
v1= Vm sin ωt de période T
E3 – Tracer le montage de redressement à pont de diodes. La tension du signal à redresser est v = 20 sin
5000t.
Calculer la fréquence de la tension redressée et sa valeur moyenne.
Que se passe-t-il si, pour les 4 diodes, on permute anode et cathode ? Donner le schéma.
DIODE ZENER
E4 – La diode Zener DZ est donnée par sa i
caractéristique
ci-contre (trait plein). Tracer la caractéristique de R
transfert
US = f(Ue) et le graphe US (t) lorsque Ue (t) = sin VZ v Ue DZ US
ωt avec
VS
Um = 15 V et VZ = 5 V et VS = 0,6 V.


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TRAVAUX DIRIGÉS : La diode Zener
Fiche 3
R
E1 - On se propose d’utiliser une diode Zener présentant les caractéristiques suivantes :
- VDZ = 6 V pour IZ = 10 mA.
Fig. 1
- Résistance dynamique de la caractéristique Zener : 10 Ω pour IZ ≥ 10 mA. Ue DZ US
- Le courant de Zener ne doit pas dépasser 50 mA.
1) Le circuit de stabilisation à réaliser est donné par le schéma de la figure 1.
Le courant absorbé par l’utilisation est nul (IS = 0). La valeur minimum de la tension d’entrée Vemin
est égale à 12 V. Comment choisir R pour obtenir IZ ≥ 10 mA ?
2) Avec la valeur de R choisie, quelle est la valeur maximum Vemax de la tension d’entrée qui ne doit pas
être dépassée ?
3) On prend R = 470 Ω et Vemin = 12 V.
Quelle est la valeur maximale du courant de sortie ISmax que le circuit peut débiter sur une charge, la
tension de sortie restant stabilisée ?
4) La tension d’entrée varie entre 12 V et 15 V. Quelle est la variation de la tension de sortie VS sachant
que le courant de sortie reste constant ?
5) Le courant IS varie de 0 à 2 mA, la tension d’entrée reste fixe. Quelle est la variation de VS ?
E2 : Une diode Zener de tension VZ = 45 V est utilisée pour réguler une tension sinusoïdale redressée et
filtrée, susceptible de varier entre les limites 40 V ≤ e ≤ 60 V. (figure 2)
On considère pour les quatre (4) premières questions que la
I2 résistance dynamique de la diode est nulle RZ =0.
I1
1) Lorsque e = 40 V on mesure I2 = 20 mA. En déduire la valeur
R1 IZ de R1 (R2 = 1,8 kΩ).
e DZ s R 2 2) À partir de quelle valeur de e, la tension de sortie est-elle
régulée ?
3) Tracer le graphe de transfert s = f(e). (40 V≤ e ≤ 60 V)
Figure 2 4) Calculer le courant dans la diode quand e = 60 V.
5) RZ vaut à présent 50 Ω, calculer la résistance ri et le coefficient de régulation amont kam. On utilisera pour
s s
la résistance interne ri  et k am  .
I 2 e e I 2
E3 - Dans le montage stabilisateur de tension ci-contre la tension E est

constante et égale à 60 V. La diode Zener est idéale sa tension Zener I1 I2
est Uz = 40 V. Le courant maximal admissible dans la diode est +
R1
Izmax = 150 mA et la résistance R1 vaut 100 . IZ
1) Exprimer puis calculer les trois (3) courants I 1, IZ et I2, et préciser
la valeur de la tension U2 quand R2 prend les valeurs successives : E U2 R2
Dz
100 , 300  500 et 1000 . Quelles sont les particularités de
fonctionnement dans les deux cas extrêmes ?
2) Entre quelles valeurs R2min et R2max la résistance R2 peut-elle varier -
pour que U2 reste égale à 40 V sans risque de détérioration de la diode ?


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TRAVAUX DIRIGÉS : Transistors bipolaires (caractéristiques et polarisation)

Fiche 4
UTILISATION DES RÉSEAUX DE CARACTÉRISTIQUES
E1 – a) Tracer les caractéristiques statiques IC = f(IB) correspondant à VCE = 1 V et VCE = 10 V.

b) Tracer la droite de charge du réseau de sortie pour les valeurs VCC= 10 V et RC = 1250Ω . En déduire les
coordonnées du point de repos pour IB0 = 30 µA.
c) Le transistor est commandé en courant ( RB = ∞), on donne IB0 = 40 µA, iBm = 20 µA. Déterminer les coordonnées
des points extrêmes P1 et P2 sur le réseau de sortie.
SANS RÉSEAU
E2 - a) Quelle est l’équation d’une droite de charge passant par les points R1 RC
A(8V ; 0) et B(0 ; 14 mA) ? VCC
b) Quelle est l’équation d’une droite de charge si le point de repos IP
est P(5V ; 50 mA) et la résistance de charge RC = 100  R2
c) Calculer les résistances de pont R1 et R2 (Figure 1) pour IP = 2 mA et
VBE = 0,2 V sachant que VCC = 10 V (on négligera IB devant IP) Figure 1
POLARISATION
E3 - I – Soit le montage de la figure 2, avec U0 = 9 V ; RC = 2,7 kΩ ; RB = 470 kΩ ; β= 100 ; le transistor est au silicium
(VBE = 0,6 V). Calculer IB, IC et VCE.
II – Soit le montage de la figure 2, avec : U0 = 6 V ; IC = 1 mA ; VBE = 0,6 V ; VCE = 2,5 V et β = 50.

Calculer RC et RB.
III – Soit le montage de la figure 3, avec :VBE =0,6 V β = 80 ; RC = 1,5 kΩ ; RB = 100 kΩ ; U0 = 6 V.

Calculer IB, IC et VCE.
IV – Soit le montage de la figure 4, avec : RC = 3,9 kΩ ; RE = 1 kΩ ; R1 = 82 kΩ ; R2 = 18 kΩ ; U0 = 12 V et β = 49.

a) Calculer IB et IC. b) Calculer VEM, VCM et VCE. c) Calculer I2 et I1.
IC I1
RB RC RC
RC R1 IC
RB IC U0
U0 U0 IB
IB IB
VCE VCE R2 RE
I2
M
Figure 2 Figure 3 Figure 4



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TRAVAUX DIRIGÉS : Amplificateur EC

Fiche 5
E1 : - On considère le montage amplificateur ci-dessous

(figure 1) : RC I1
figure 1 R1 C2 RC= 4 RE
R1= 10 kΩ R1 IC
R2 = 2,7 kΩ C1 i2
IB
U0
RC = 1,5 kΩ RG
VCC R2
RE
 = 80 i1 IP Ru IP
VBE0 = 0,6 V v2
eG IP = 10 IB
IP = 9IB0 v1 R2
Figure 2
Régime statique :
De quel type de polarisation s’agit-il ?
Exprimer et calculer VCC VCE0, IB0. ( on ne négligera aucune valeur, la résistance RC n’est pas parcourue par
IC0)
Régime dynamique :
On donne RG = 600 Ω ; RU = 1 k ; h11 = 1250  ; h12 = 0 ;
h21 = 80 ; h22 = 1,25 10-4 -1.
1- Tracer le schéma équivalent. (Tous les condensateurs sont des courts circuits à la fréquence de eG.
On fera attention à la position de la résistance R1).
2- Exprimer et calculer dans l’ordre : Av = v2 / v1 ; Ze = v1 / i1 ; Ai = i2 /i1.
3- Et enfin l’impédance de sortie ZS vue par la résistance Ru.
4- Donner les équations des droites de charge statique et dynamique.
E2 : Un transistor bipolaire NPN au silicium est utilisé pour amplifier des signaux de basses fréquences et de
faibles amplitudes.
On a pour la polarisation la figure 2 pour laquelle on fixe les valeurs suivantes : U0 = 10 V ; β = 100 ; VBE0 =
0,6 V ; VCE0 = 5 V ; IC0 = 1 mA.
1) Calculer les valeurs des résistances. On précisera le type de polarisation dont il s'agit.
2) Pour le montage de la figure 2 :
-a) donner le schéma équivalent de Thévenin du circuit d'entrée et en calculer les éléments.
-b) Déterminer les équations des droites d'attaque et de charge statiques du transistor. Les tracer dans
le réseau de caractéristiques joint.
3) Le transistor est utilisé en amplificateur (voir figure 3). On admet que tous les condensateurs ont des
impédances nulles aux fréquences de travail et RU = RC.
figure 3 a) Donner le schéma équivalent du circuit de sortie pour les variations.
+ U0
On rappelle que dans ce cas on a iC = ΔIC = IC – IC0 et vCE = ΔVCE = VCE
RC C2
Ze R1 Zs –VCE0.
ie C1 b) Écrire l'équation de la droite charge dynamique iC = f(vCE) et calculer
T son équation dans le réseau de sortie (VCE, IC) en remplaçant iC et vCE
Rg RU par leurs expressions rappelées plus haut. Tracer la dans le réseau de
R2 Vs
Ve RE CE sortie et donner la valeur de VCEB au point de blocage (IC = 0) et la
eg valeur de ICS au point de saturation (VCE =0).
c) On note VCE+ = VCEB-VCE0 et VCE- = VCE0, on appelle dynamique du
signal alternatif de sortie VPP = inf(2VCE+ , 2VCE-). Déterminer VPP dans
le cas de notre amplificateur.
4) Établir le schéma équivalent du montage complet et calculer les caractéristiques de l'amplificateur
(amplification (Ai = iC / iB et Av = VS / Ve) impédances d'entrée (Ze) et de sortie (Zs)). On Donne Rg = 600 Ω
; h11 = 1000 Ω ; h12 = 0 ; h21 = 100 ; h22= 10-4 S.


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TRAVAUX DIRIGÉS : Amplificateur CC et BC

Fiche 6
E1 : On considère le montage de la figure 2 dans lequel le transistor utilisé est défini par ses
paramètres hybrides en émetteur commun :
h11 = 100 Ω ; h21 = 150 ; h12 = 0 ; h22 = 0.
figure 2 R1
A – Etude statique C1 V0
Le point de repos est défini par VCE0 = 7 ,5 V ; B
C2
IC0 = 75 mA ; VBE0 = 700 mV ; IC0 = 150 IB0. i1 IP
On donne V0 = 15 V et IP = 10 IB0. eG
ve R2
Calculer RE, R2 et R1. RE RL vs
M
B – Etude dynamique
a) De quel type d’amplificateur s’agit-il ?
vs
b) Calculer l’amplification en tension du montage AV  . On donne RL = 100 Ω.
ve
c) Calculer la résistance d’entrée : - vue des bornes B et M.
- vue des bornes du générateur.
E2 - Montage base commune (BC) :

On donne le montage de la figure 1 dans lequel le transistor est polarisé par un pont de base.
1) Calculer les éléments nécessaires à la polarisation.
2) Les paramètres hybrides en émetteur commun sont : h11 = 0,8 k ; h21 = 80 ; h12 = 0 ; 1/h22 =  =
20 k.
Donner le schéma équivalent en basse fréquence lorsque tous les condensateurs sont des courts-
circuits.
3) Transformer le générateur de Norton ( h21iB ; ) en son générateur de Thévenin équivalent
dépendant de vBE, on notera s= h21/h11 et µ = s.
4) Calculer : - l’amplification en tension Av= v2 / v1 ; +E
Figure 1
- l’amplification en courant Ai = iE /iC ; RC
C2 RU
- l’impédance d’entrée Ze= v1 / i1 R1
- l’impédance de sortie Zs vue par la résistance RU.
C1 V2
E = 12V ; RU = RC ; Rg = 50 RC = 5RE ; i1
R2
IP = 8IB0 ;  = 80 ; VCE0 = 6 V ; IC0 = 1,5 mA ; CB RE Rg
VBE0 = 0,6 V V1
eg


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TRAVAUX DIRIGÉS : Transistors a effet de champ

Fiche 7
E1 - Dans le circuit de la figure 1 le transistor est tel que s 0= 8000 µS = 8 mA/V (s0 est la valeur de la pente s lorsque VGS =
0). Déterminer la valeur approchée de R S donnant une polarisation à VGS= VGSOFF /4 (VGSOFF =VB). Soit IDSS = 8 mA
déterminer VGS pour la valeur de RS trouvée ci-dessus et calculer la valeur correspondante de VDS.
E2 - Pour VDS compris entre 4 V et 20 V, on trouve pour un TEC à jonction la valeur expérimentale ID= IDSS(1-
VGS/VGSOFF)².
1) Tracer la caractéristique de transfert sachant que IDSS = 20 mA et VGSOFF = -8 V. La tangente à la courbe en ID=
IDSS coupe l’axe des tensions en un point P. Calculer ses coordonnées.
2) On veut que le point de repos du transistor monté dans le circuit de la figure 2 soit : VDS0 = 10 V et VGS0 = - 3 V.
Calculer RD et RS.
3) On donne EDD = 30 V, RD = 2,7 k, RS = 820 . Calculer ID, VGS et VDS.
4) Tracer la droite de charge statique du transistor mis dans le circuit de la figure 3 et placer le point de repos M0
5) Les condensateurs sont tous des courts circuits à la fréquence de travail. Tracer la droite de charge dynamique.
6) ve est un signal variant entre +2 V et -2 V à la fréquence f0 = 1 kHz. Tracer en fonction du temps les
chronogrammes ve(t), vs(t) et iD(t).
24 V EDD= 30 V ED= 30 V
Figure 3
4,7 k RD RD =2,7 k
C0
C1
Vs
10 M RS RG= 10 M RS RG = 1 M RS =
Ve
820  CS
E3 : Étant donné le montage drain commun de la figure 2 le FET est caractérisé par +U0
ses paramètres admittances en drain commun y11D = 0 ; y12D = 0 ; y21D = - s ; y22D = 1/D ie
1) Établir le schéma électrique équivalent en régime des petits signaux. iS
2) En déduire l’amplification en tension Av = us / ue , la résistance d’entrée
Re = ue/ ie et la résistance de sortie Rs = us / is. RG
Ue
3) A. N. : s = 4 mA /V ; D = 250  ; R = 750  ; RG = 1 M. R Us
Figure 2
E4 - Le JFET est caractérisé par une pente s et une résistance de sortie

à entrée en court circuit . i1
- Tracer le schéma équivalent du montage.
- Calculer l’amplification en tension AV et V1 RG RS
L’impédance d’entrée Ze = V1 / i1. V2
A.N : s = 5 mA/V ;  = 10 k RG = 1 M ; RS = 1 k.
Figure 2


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TRAVAUX DIRIGÉS : L’amplificateur opérationnel 1
Fiche 8
E1 : – Calculer la tension de sortie pour le montagefig 1 à suivant :

fig. 1 C fig. 2
Y3 Y5
R
Y1 A Y4 B
+ +
V1 +
R
V2 C VS V1 Y2
V2
E2 : Soit le montage à A.O.P fig. 2, en appliquant le théorème de Millmann aux nœuds A et B calculer le
rapport V2 / V1 en fonction des admittances Yi.
R’ R’
E 3 : On considère le circuit de la figure ci-contre où l’AOP est idéal. ie
Calculer l’impédance d’entrée du montage. +
Qu’a t-on ainsi réalisé ? VS
Ve R
E 4 : Soit le circuit à AOP ci-contre : A B C D

1) Calculer la tension de sortie pour tous les interrupteurs ouverts.
2) Même question pour tous les interrupteurs fermés.
3) Dresser une table de combinaisons d’interrupteurs 80 k 40 k 20 k 10 k
ouverts (1) ou fermés (0) et donner la tension de 100 k
sortie correspondante. -
Ve = 10 V Ve
+
10 V Vs
E 5 : 1- rappeler les propriétés d’un amplificateur opérationnel(A.O.) idéal

2- calculer Vs en fonction de Ve. En déduire l’impédance d’entrée Ze = Ve / Ie.
3- Par identification avec le circuit R0C0 parallèle donner les expressions de C0 et de R0 en fonction
des éléments du circuit actif (A.O.).
Le circuit à A.O. ainsi réalisé est un simulateur de capacité. Cependant il apparaît un défaut car le
condensateur simulé est réel c-à-d constitué d’un condensateur idéal shunté par une résistance.
4- Exprimer l’erreur relative sur C0. Préciser sa valeur numérique. R’ /R’ = R / R = 2% ; C / C =
5%.
R’ R Ie
Ie C Ve R0
C0
Ve +
Vs


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TRAVAUX DIRIGÉS : L’amplificateur opérationnel 2
Fiche 9
~ R
~ U'S C
E1 : Soit la cellule RC série On note A'  ~ R R
U' e U'e C U'S
.On considère le circuit de la figure 3 : ~ ~
U C U
~ e s
~ U ~
1) Montrer que A  ~ S se met sous la forme (A' ) 2 . Ue
Figure 3
Ue
2) Montrer que la fréquence la fréquence de coupure à –3 dB du filtre actif ci-contre est égale à
ff 0  2 1 , f 0 étant la fréquence de coupure à –3dB du filtre RC.
A max
Note : On rappelle que la fréquence de coupure est solution de l’équation A  .
2
E2 :Dans ce qui suit, les AO sont supposés parfaits.
1) On considère le montage de la figure 2 : Exprimer le courant IS en fonction de Ve, VS et des résistances R1,
R2, R3, R4.
En supposant connues les autres résistances, exprimer R1 pour que le montage se comporte comme un
générateur de courant commandé par Ve, c’est-à-dire IS indépendant de VS.
2) On désire réaliser un filtre passe-bande. Pour cela, on utilise un convertisseur à impédance négative qui se
présente comme un quadripôle dont les propriétés peuvent être obtenues à partir des dispositifs ci- dessous :
R2 R
R1 R
2 2
- I 2 -
1 -
+ +
V + Zg
3
R3 V V0
IS V0 4
kR
Ve R44 4 IS
kR
Vs RL ZL
Vs Vs
Figure 2 Figure 4
Figure 3
a) Exprimer, à partir de la figure 3, l’impédance d’entrée Ze = V/I du convertisseur en fonction de la charge

ZL et du coefficient k (k est un entier positif).
b) Exprimer, à partir de la figure 4, l’impédance de sortie Zs = Vs/Is en fonction de l’impédance interne Zg et
du coefficient k.
E3: On donne le montage ci-dessous

(fig. 5). Calculer le rapport VS /VE.
Les A. O. sont parfaits. (On pourra fig. 5 RF R2 R5
calculer VA, VB et VC=VS pour arriver
R1
au résultat demandé).
A R4
B R3
VE C
V’ ZL
V’’ VS

BIBLIOGRAPHIE

BIBLIOGRAPHIE
 Série Schaum
Théorie et application des circuits électriques
Joseph A. Edminister
 Masson et Cie
Cours d'électronique : Dipôles et Quadripôles
Enseignement technique supérieur
R. Touchet
 Educalivre
Collection A. Capliez
Électronique analogique : Cours avec problèmes résolus
Stéphane Valkov
 Ellipes
Cours et problèmes d'électronique analogique
142 exercices avec solution
Alain Lebègue, Alain pelat, Jean-Paul Vabre
 Dunod
Électronique
1. Les composants discrets non linéaires
Serge Coeurdacier
 Dunod
Électronique
2. Amplification basses fréquences. Commutation
Serge Coeurdacier
 Dunod Université
Électronique linéaire : Cours avec exercices et travaux pratiques
Joseph Blot
QUELQUES SITES INTERNET

www.positron-libre.com
www.librecours.org
lsiwww.epfl.ch/LSI2001/teaching/physiciens/
http://rouxphi3.perso.cegetel.net/
http://pagesperso-orange.fr/fabrice.sincere/electronique1.htm

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Cours d’électronique analogique 1

RÉPUBLIQUE DE CÔTE D'IVOIRE

LABORATOIRE DE PHYSIQUE DE LA MATIÈRE

ÉCOLE NORMALE SUPÉRIEURE (E.N.S.)

LICENCE DE SCIENCES PHYSIQUES (L.S.P.)

Dr. Claude YAPO

Dr YAPO Claude – Enseignant Chercheur – UFR SSMT- LPMCT

CHAPITRE I : COMPOSANTS ELEMENTAIRES ET CONDUCTION DANS LES SOLIDES ................ 8

I- LA STRUCTURE (ATOMIQUE) DE LA MATIERE .................................................................................... 8

II- LES CONDUCTEURS ................................................................................................................................... 10

1) LE MECANISME DE LA CONDUCTION ................................................................................................11

III- LES ISOLANTS ............................................................................................................................................ 13

IV- LES SEMI CONDUCTEURS ....................................................................................................................... 13

1) SEMI-CONDUCTEURS INTRINSEQUES ................................................................................................14

CHAPITRE II : LA JONCTION PN - DIODE A JONCTION...................................................................... 19

II- POLARISATION D’UNE JONCTION PN .................................................................................................. 20

1) POLARISATION DANS LE SENS DIRECT..............................................................................................20

III- DESCRIPTION ET COMPORTEMENT DU COMPOSANT ................................................................. 22

IV- MODELISATIONS ....................................................................................................................................... 22

1) MODELISATION PAR UNE LOI MATHEMATIQUE : LA LOI DE SHOCKLEY .......................................22

V- SPECIFICATIONS PRINCIPALES ............................................................................................................. 28

1) LES LIMITES D’UTILISATION .............................................................................................................28

VI- APPLICATION DE LA DIODE A JONCTION ........................................................................................ 30

1- NOTION DE DROITE DE CHARGE ET POINT DE FONCTIONNEMENT .................................................30

VII- EXEMPLE D’AUTRES TYPES DE DIODES .......................................................................................... 33

1- LA DIODE ELECTROLUMINESCENTE .................................................................................................33

VIII- LE FILTRAGE ........................................................................................................................................... 40

1) PRINCIPE DE FILTRAGE PAR CONDENSATEUR .................................................................................40

CHAPITRE III : TRANSISTORS A JONCTIONS BIPOLAIRES ................................................................ 44

I- TRANSISTORS BIPOLAIRES NPN ET PNP ................................................................................44

CHAPITRE IV : TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP (TEC) .................................................................... 50

II- DESCRIPTION ............................................................................................................................................... 50

III- ÉTUDE DU FONCTIONNEMENT (SUR T.E.C. CANAL N) .................................................................. 52

1) CARACTERISTIQUE ID (VDS) A VGS = 0 ..............................................................................................52

IV- RÉSEAUX DE CARACTÉRISTIQUES ..................................................................................................... 55

V- EXPLOITATION DES T.E.C. A JONCTION ............................................................................................. 57

1) REGIME RESISTIF (CARACTERISTIQUE DE SORTIE) ........................................................................57

VI- AUTRES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP .................................................................................... 61

T.E.C. A CANAL P ...................................................................................................................................61

VII- TRANSISTORS M.O.S. .............................................................................................................................. 61

1) LES T.E.C. A PORTE ISOLEE A CANAL N DIFFUSE (CONDUCTION EN VOLUME) .............................61

VIII- APPLICATIONS DES TRANSISTORS M.O.S. ..................................................................................... 64

1) AVANTAGE ET INCONVENIENT .............................................................................................................. 64

2) LE TRANSISTOR M.O.S. EN CIRCUIT INTEGRE .................................................................................64

CHAPITRE V : AMPLIFICATION ÉTUDE GÉNÉRALE............................................................................ 65

I- GÉNÉRALITÉS ET CONVENTIONS .......................................................................................................... 65

II- RAPPEL SUR LES QUADRIPOLES ........................................................................................................... 65

1) MATRICE IMPEDANCE .......................................................................................................................66

1) DEFINITION : UN AMPLIFICATEUR EST UN DISPOSITIF ACTIF ASSIMILABLE A UN QUADRIPOLE ..70

IV- IMPEDANCE D’ENTREE D’UN AMPLIFICATEUR ............................................................................. 72

V- IMPÉDANCE DE SORTIE ZS ...................................................................................................................... 72

VI- GAIN D’UN AMPLIFICATEUR ................................................................................................................. 74

VII – COURBE DE REPONSE D’UN AMPLIFICATEUR – BANDE PASSANTE ..................................... 75

VIII- ADAPTATION D’IMPEDANCE.............................................................................................................. 76

IX- CLASSIFICATION DES AMPLIFICATEURS ......................................................................................... 77

CHAPITRE VI : AMPLIFICATION PAR TRANSISTOR ............................................................................. 80

I- ETUDE GRAPHIQUE ..................................................................................................................................... 80

1) RESEAU DE CARACTERISTIQUES (CF CHAPITRE III) .......................................................................80

II- ETUDE MATHEMATIQUE ......................................................................................................................... 83

1) STABILITE DU POINT DE REPOS AVEC LA TEMPERATURE ...............................................................83

Dr YAPO Claude – Enseignant Chercheur – UFR SSMT- LPMCT

A) MONTAGE AMPLIFICATEUR EMETTEUR COMMUN ...................................................................... 88

1) LE TRANSISTOR EST UN QUADRIPOLE ..............................................................................................88

B) MONTAGE AMPLIFICATEUR BASE COMMUNE (B.C)....................................................................... 95

Coursd'Electroniques (YAP)

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