UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA FACULTAD DE

INGENIERIA MECANICA

DEPARTAMENTO DE CIENCIAS DE LA INGENIERIA

SYLLABUS

I.- INFORMACION GENERAL

NOMBRE DEL CURSO : ELECTRONICA

CODIGO DEL CURSO : ML 830 A/B

ESPECIALIDAD : M3-M5 CICLO: SEPTIMO

CONDICION : OBLIGATORIO

CREDITOS : 03

PRE-REQUISITO : ML140

EXTENSIÓN HORARIA : TEORIA : 02 horas / semana

PRACTICA : 02 horas /semana

SISTEMA DE EVALUACIÓN : TIPO F

PERIODO ACADEMICO : 2018-I-II

PROFESOR DEL CURSO : ING. HERNAN CORTEZ GALINDO

:ING. EDILBERTO HUAMANI HUAMANI

II.- DESCRIPCIÓN DE LA ASIGNATURA

Asignatura de carácter teórico y practico de formación profesional, cuyo

objetivo es familiarizar a los alumnos con los dispositivos electrónicos y
capacitar al estudiante en el análisis y diseño de las configuraciones
básicas con diodos y transistores, incidiendo en la operación de
dispositivos y polarización, análisis de pequeña señal.

III.- OBJETIVOS DE APRENDIZAJE

Al finalizar el curso los alumnos:

1.- Deberán familiarizarse con los dispositivos electrónicos tales como.

Diodos, transistores, Fet’s., Amplificadores operacionales, etc.

2.- Estará capacitado para describir, analizar y aplicar las técnicas de

diseño de circuitos electrónicos, verificando su funcionamiento mediante
modelos y/o simulaciones.
IV.- METODOLOGÍA

4.1. METODO : Inductivo, deductivo, experimental

4.2. PROCEDIMIENTO : Análisis, síntesis.

4.3. FORMAS : Exposición, dialogo, motivación, trabajo grupal.

V .- CONTENIDO PROGRAMATICO

Semana 1

Capítulo 1.- INTRODUCCION A LA ELECTRONICA

Introducción. Definición de la electrónica. Clasificación de la electrónica.

Sistemas electrónicos. Sensores y actuadores. Señales electrónicas.
Amplificadores. Clasificación de los sistemas electrónicos.
Especificaciones. Aplicaciones.

Semana 2

Capítulo 2.- SEMICONDUCTORES

Introducción. Conductores. Semiconductores. Semiconductores

intrínsecos. Portadores de carga: electrones y huecos. Semiconductores
extrínsecos. Semiconductores extrínsecos tipo n y tipo p. Densidad de
carga en un semiconductor. Propiedades eléctricas del Ge y del Si.
Aplicaciones.

Semana 3

Primera Práctica calificada

Capítulo 3.- DIODO DE UNION

Introducción. Diodo ideal. La unión p-n en condiciones de circuito abierto.

Potencial de contacto. La unión p-n polarizada: Polarización Inversa.
Polarización directa.

Semana 4

Estudio de la curva característica del diodo. Efectos capacitivos en la

unión. Tiempos de conmutación del diodo. Diodo Zener. Fotodiodos.
Diodos emisores de luz. Aplicaciones.

Semana 5

Segunda Práctica calificada

Capítulo 4.- CIRCUITOS CON DIODOS

Introducción. Circuitos equivalentes para diodos. Recta de carga. Análisis

en pequeña. Circuitos rectificadores: rectificador de media onda.
Rectificadores de onda completa.

Semana 6

Filtros con condensador en circuitos rectificadores. Circuitos recortadores:

De un nivel, de dos niveles.Reguladores con Zener y C.I. Aplicaciones.

Capítulo 5.- EL TRANSISTOR DE UNION BIPOLAR ( BJT)

Introducción. Funcionamiento. Corrientes en un transistor de unión bipolar:

Componentes de la corriente y ganancia de corriente.

Semana 7

Presentación de su Primer Proyecto

Configuración en base común, emisor común, colector común. Limites de

operación. Aplicaciones.

Semana 8

EXAMEN PARCIAL

Semana 9

Capítulo 6.- POLARIZACION EN CD DEL TRANSISTOR ( BJT)

Introducción. Punto de operación. Polarización fija. Polarización de emisor.

Polarización por divisor de voltaje. Polarización por retroalimentación de
voltaje. Aplicaciones.

Semana 10

Capítulo 7.- FUNCIONAMIENTO DEL BJT: AMPLIF. CONMUTACIÓN

Introducción. El amplificador con BJT. Definición. Modelaje del transistor

BJT. Parámetros característicos. Impedancias. Ganancias.

Semana 11

Tercera práctica calificada

Análisis a pequeña señal. Configuraciones básicas. Modelo equivalente

híbrido completo. El transistor BJT en conmutación. Aplicaciones.
 Semana 12

Capítulo 8.- TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

Introducción. Transistor de unión de efecto de campo (JFET). Estructura

básica. Funcionamiento. El Mosfet de enriquecimiento. Estructura básica.
Funcionamiento. Dispositivos CMOS. Análisis a pequeña señal y modelo
de pequeña señal del FET. Aplicaciones.

Semana 13

Capitulo 9.- AMPLIFIC. MULTIETAPA Y CONFIG. NOTABLES.

Introducción. Circuito Amplificador darlington y cascodo. Introducción al

amplificador diferencial.

Semana 14

Amplificador multietapas con transistores BJT y FET. Aplicaciones.

Capitulo 10.- AMPLIFICADORES OPERACIONALES

Introducción. Los terminales del op-amp. El op-amp ideal. Análisis de

circuitos con op-amps ideales; la configuración inversora.

Semana 15

Presentación de su segundo Proyecto

Otras aplicaciones de la configuración inversora. La configuración no

inversora. Ejemplos de circuitos con op-amp.

Semana 16

EXAMEN FINAL

VI.- TIEMPO: HORAS DE TRABAJO

6.1 TEORIA: 02 Horas

6.2 PRACTICA: 02 Horas

6.3 VISITA A EMPRESAS: Mínimo uno (01) Visita.

VII.- EVALUACIÓN

7.1 Sistemas de Evaluación “F” PESO

Practica Calificada 01 PC1 01

 Practica Calificada 02 PC1 01

Examen Parcial EP 01

Practica calificada 03 PC3 01

Examen Final EF 02

Examen sustitutorio ES 01 y/o02

Practica 04 (Promedio de Proyectos) P. Proy 01

Informes y trabajos adicionales IF

Nota del curso ( N.C.)= ( EP + 2EF+ PP ) / 4.

VIII.- REQUISITO DE APROBACION

8.1. Nota mínima de aprobación DIEZ (10)

IX.- REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS

1.- MILLMAN HALKIAS, "ELECTRONICA INTEGRADA".

2.- ROBERT BOYLESTAD, "ELECTRONICA, TEORIA DE CIRCUITOS".

3.- SHILLING BELOVE, "MICRO-ELECTRONICA".

4.- JOSEPH MALVINO, "FUNDAMENTOS DE ELECTRONICA".

5.- MUHAMMAD H. RASHID “CIRCUITOS MICROELECTRONICOS

ANALISIS Y DISEÑO.

6.- SEDRA/SMITH “CIRCUITOS MICROELECTRONICOS”.

7.- SAVANT. C.J. Y OTROS: DISEÑO ELECTRONICO, CIRCUITOS Y

SISTEMAS.