“Año de la Diversificación Productiva y del Fortalecimiento de la Educación”

UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN MARCOS MAYOR

Integrante: CABRERA CHULLUNCUY BRYAN

Código: 12190085
Escuela: Ing. Electrónica
Profesor: Ing. Alarcón
Curso: Microelectrónica

2015 - II
 EJERCICIO 1:

 Realizar un Inversor CMOS:

 Diagrama del inversor CMOS realizado en microwind2

 Presentar en laboratorio el layout realizado del inversor, considerar para el layout el
esquema de la fig. A y la fig. B del diagrama de barras(STICK). Tratar de conseguir un
layout de dimensiones mínimas. Mostrar y describir las vistas de corte 2D y 3D.

- Vista de corte en 2D

- Vista de corte en 3D
 Hallar la frecuencia máxima de operación del inversor

 Frecuencia Máxima de Operación:

1 1
𝑓𝑚á𝑥 = 𝑇𝑝𝑚á𝑥 = 18𝑝𝑠
= 55.56 𝐺ℎ𝑧

 Frecuencia de simulación:

𝑓𝑚á𝑥 55.56𝐺ℎ𝑧
𝑓𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 < =
2 2

𝑓𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 < 27.78 𝐺ℎ𝑧

 El área ocupada del layout

El área del layout : 9.4um x 7.9um = 74.26(um)2

 Ondas de simulación

 Extraer la descripción .CIR(spice) y la descripción .CIF.

 Descripción CIR

CIRCUIT D:\BRYAN\microelectronica\LABORATORIO1\inversor.MSK
*
* IC Technology: ST 0.25µm - 6 Metal
*
VDD 1 0 DC 2.50
Vclock1 6 0 PULSE(0.00 2.50 1.00N 0.05N 0.05N 1.00N 2.10N)
*
* List of nodes
* "s1" corresponds to n°4
* "clock1" corresponds to n°6
*
* MOS devices
MN1 0 6 4 0 TN W= 0.75U L= 0.38U
MP1 4 6 1 1 TP W= 0.75U L= 0.38U
*
C2 1 0 5.909fF
C3 1 0 0.738fF
C4 4 0 1.068fF
C6 6 0 0.221fF
*
* n-MOS Model 3 :
*
.MODEL TN NMOS LEVEL=3 VTO=0.45 KP=300.000E-6
+LD =0.000U THETA=0.300 GAMMA=0.400
+PHI=0.200 KAPPA=0.010 VMAX=130.00K
+CGSO= 0.0p CGDO= 0.0p
*
* p-MOS Model 3:
*
.MODEL TP PMOS LEVEL=3 VTO=-0.45 KP=120.000E-6
+LD =0.000U THETA=0.300 GAMMA=0.400
+PHI=0.200 KAPPA=0.010 VMAX=100.00K
+CGSO= 0.0p CGDO= 0.0p
*
* Transient analysis
*
.TEMP 27.0
.TRAN 0.80PS 20.00N
.PROBE
.END
 Puntos donde se encuentran las capacitancias
 Descripción CIF

Los archivos CIF (Caltech Intermediate Form) proporcionan información sobre

loscomponentes del diseño que gráficamente se realizan en base a figuras
geométricas como polígonos y líneas de los cuales se definen las coordenadas
de cada uno de sus vértices.Las reglas establecen que:

 La línea que contiene DS muestra si hay una escala a tener en cuenta,

esto permite procesar dimensiones inferiores a las micras.
 Siempre que se haya especificado muestra el tpocell.
 Los polígonos (P) deben tener al menos tres puntos. Un polígono
cualquiera de más puntos es aceptado.
 Las líneas (L) deben tener al menos un punto.
 Pueden introducirse comentarios, pero son ignorados.
 La letra final E indica el final del archivo.
EJERCICIO2:

 IMPLEMENTAR EL SIGUIENTE CIRCUITO

 ESTABLECIENDO SU FUNCIÓN LOGICA

S In1 In2 F
0 0 0 1
0 0 1 0
0 1 0 1
0 1 1 0
1 0 0 1
1 0 1 1
1 1 0 0
1 1 1 0

𝑭=̅
𝑺. ̅̅̅̅̅
𝑰𝒏𝟐 + 𝑺. ̅̅̅̅̅
𝑰𝒏𝟏
 IMPLEMENTACION DEL CIRCUITO EN MICROWIND2

 SIMULACIÓN DE ONDAS
  ÁREA DEL LAYOUT

 FRECUENCIA MÁXIMA DE OPERACIÓN

 Frecuencia Máxima de Operación:

1 1
𝑓𝑚á𝑥 = = = 1.607 𝐺ℎ𝑧
𝑇𝑝𝑚á𝑥 622𝑝𝑠

 Frecuencia de simulación:

𝑓𝑚á𝑥 1.607𝐺ℎ𝑧
𝑓𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 < =
2 2

𝑓𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 < 0.8035𝐺ℎ𝑧

EJERCICIO3

 IMPLEMENTAR LOS SIGUIENTES CIRCUITOS

 IMPLEMENTAMOS LOS CIRCUITOS EN MICROWIND2

- ÁREA DEL LAYOUT

ÁREA: 16.6um X 10.8um = 179.28(um)2

 - FRECUENCIA MÁXIMA DE OPERACIÓN

 Frecuencia Máxima de Operación:

1 1
𝑓𝑚á𝑥 = 𝑇𝑝𝑚á𝑥 = 22𝑝𝑠
= 45.45 𝐺ℎ𝑧

 Frecuencia de simulación:

𝑓𝑚á𝑥 45.45𝐺ℎ𝑧
𝑓𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 < =
2 2

𝑓𝑠𝑖𝑚𝑢𝑙𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 < 22.725𝐺ℎ𝑧

 IMPLEMENTACIÓN DE LOS CIRCUITOS

 - ÁREA DEL LAYOUT

ÁREA : 17um x 12.5um = 212.5(um)2