PREFACIO rxrz

!U oo*t.r DrsposrrvosycrRcurrosBÁsrcos 2
1 lntroducción a la elec'trónica 5
2 Amplificadores operacionales 63
3 Diodos t39
4 Transistores de efectode campo MOS (MOSFET) 235
5 Transistores bipolares de unión (ilT) 377

lU to*terr oRcurros TNTEGRADosANALócrcosy DrcrrALEs 542

6 Amplificadores con circuitos ¡ntégrados de una etapa 545
7 Amplificadores diférenciales y de varias etapas 687
8 Retroalimentación 791
9 Ampl¡f¡cador operacional y circu¡tos convertidores de datos 871
10 Circuitos lógicos CMOS dig¡tales 949

U "o*tenr
rEMAssELEcros roto
11 Circuitos digitales avanzados y memoria tol3
12 Filtros y amplificadores sintonizados 1083
13 Genéradores de señales y circuitos conformadores de formas de
onda t t65
14 Etapas de salida y amplificadores de potencia t229

APÉNDICES
A Tecnología de fabricación VLSI Á-l
B Parámetros de red de dos puertos 8-t
' C Algunds teoremas de red út¡les C-l
D Circuitos de una sola constante de tiempo D-l
E Análisis en el dominio s: polos, ceros y gráficas de Bode E-l
F Bibliografla F-l
G Valores de resistencia estándar y prefilos de unidades G-l
H Respuestas a los problemas seleccionados H-l

í¡¡orce lv-r
-l

PREFAGIO xxii

!$l "ortrr DrsposrrvosycrRcurrosBÁsrcos z

1 lntroducción a la electrónica 5

Introducción 5
1.1 Señales ó
1.2 Espectro en frdcuencia de señales 7
1.3 Señales analógicas y digitales I0
1.4 Amplificadores .13
1.4.1 Amplificación de señal tJ
1.4.2 Símbolo de circuito del amplificador 14
1.4.3 Ganancia de voltaje 14
1.4.4 Ganancia de potencia y ganancia de corriente f5
1.4.5 Expresión de la gaaancia en decibeles 15
1.4.6 Fuentes de alimentación del amplificador fó
1.4.7 Saturación del amplificador I8
1.4.8 Caracteísticas de hansferencia no lineal y punto de operación 19
1.4.9 Convenciones en el uso de símbolos 22
1.5 Modelos de circuitos para ampüficadores 23
1.5.1 Ampüficadores de voltaje 23
1.5.2 Amplificadores en cascada 25
1.5.3 Otros tipos de Nnplifrcador 27
1.5.4 Relaciones entre los cuatro modelos de amplificador 27
1.6 Respuesta de ftecuencia de amplific¿dores 31
1.6.1 Medición de la respuesta de frecuencia del amplificador 3f
1.ó.2 Ancho de banda del amplificador 32
1.6.3 Evaluación de la respuesta de frecuencia de los amplificadores
1.ó.4 Redes de una constante de tiempo 33
1.6.5 Clasificación de los amplificadores con base en la respuesta de
frecuencia 38
1.7 Inversores lógicos digitales 40
1.7.1 Funciones del inversor 40
1.7 .2 La caracteística de transferencia de yolloje 4I
1.7.3 Márgenes de ruido 42
1.7 .4 LaYTC ideal 43
1.7.5 Implantación del inversor 43
1.7.6 Disipación de potencia 45
1.7.7 Retardo de propagación 46
1.8 Simulación de ci¡cuitos mediante SPICE 49
Resumen 50
Problemas 5l
 coNrENrDo DETALLADo Q vii

2 Ampl¡ficadores operacionales 63

Infoducción ó3

2.1 Elampopideal ó4
2.1.1 Las terminales del amp op ó4
2.1.2 Función y características del amp op ideal ó5
2.1.3 Señales dife¡encial y de rnodo común ó7
2.2 La configuración inversota ó8
2.2.1 La gNtancia alazo cenado 69
2.2.2 Eferto de ganncia 6nita a lazo abiefo 7l
2.2.3 Resistencias de enÍaday salida 72
2.2.4 Una tplictción importante: el sumador ponderado 75
2.3 La confguración no inversora ZZ
2.3.1 La ganancia alazo cenado 77
2.3.2 Ceutactetisticas de la configuración no inversora 78
2.3.3 Efecto de ganancia finita a lazo abierto 78
2.3.4 El seguidor de volf^ie 79
2.4 Amplificadores y diferenciales 81
2.4.1 Un ampüficador de diferencia con un solo amp op 82
2.42 Un circuito superior: el amplificador de instrument¿ción 85
2.5 Efecto de la ganancia finita a lazo abiefo y del ancho de banda en el
desempeño del citcuito 89
. 2.5.1 Dependencia de la frecuencia de la ganancia a lazo abierto 89
2.5.2 Respuesta de frecuencia de amplificadores de lazo cerrado 9l
2.6 Operación a gran señal de amp ops 94
2.6.1 Saturación de voltaje de salida 94
2.6.2 Limi1.f,s &, corriente de salida 94
2.6.3 Velocidad de respuesta 95
2.6.4 Ancho de banda a plena potencia 97
2.7 Imperfecciones de DC 98
2.7.1 Voltaje de desnivel 98
2.7.2 Conientes de polarización de entrada y desntyel 102
2.8 Integradores y diferenciadores 105
2.8.1 La configuración inversora con impedancias generales 705
2.8.2 El integrador inve¡sot 707
2.8.3 El diferenciador con amp op r12
2.9 El modelo de am op SPICE y ejemplos de simulación Il4
2.9.1 El macromodelo lineal II5
2.9.2 El macromodelo no lineal 119
Resumen f22
Problemas 123

3 Diodos t39

Introducción 139
3.1 El diodo ideal 140
3.1.1 La caractefstica corriente-voltaje 140
3.1.2 Una aplicación sirnple: el rectificador 141
3.1.3 Otra aplicación: compuertas lógicas con diodos f44
vi¡i I coNrENrDo DETALLADo

3.2 Características de las terminales de los diodos de unión I47

3.2.1 La región de polaización diryecta 148
3 .2.2 La rcgión de polarización inversa 152

3.2.3 La región de rupura 152

3.3 Modelado de la característica dfuecta del diodo I53
3.3.1 El modelo exponencial 1.53
3.3.2 Análisis gráfico con el modelo exponencial 154
3.3.3 Anrilisis iterativo con el modelo exponencial 154
3.3.4 La necesidad de un anrálisis rápido 155
3.3.5 El modelo lineal por piezas 155
3.3.6 El modelo de caída de voltaje consta¡E 157
3.3.7 El modelo del diodo ideal ^158
3.3.8 El modelo a pequeña señal f59
3.3.9 Uso de la caída di¡ecta del diodo en la regulación del voltaje 163
3.3.10 Resumen fó5
3.4 Operación en la región de ruptura inversa-diodos Zener 1ó7
3.4.1 Especificación y modelado del diodo Zener 167
3.4.2 Uso del diodo Zener como regulador en paralelo 1ó8
3.4.3 Efectos de la femperat.Ía 170
3.4.4 Comentario final l7l
3.5 Circuitos ¡ectifrcadorcs 171
3.5.1 El rectificadot de media onda 172
3.5.2 Rectificador de onda completz 174
3.5.3 El rectificador enptents 176
3.5.4 El rectificador con un condensador de filtro: el rectificador de
pico 177
3.5.5 Rectificador de precisión de media onda: el superdiodo 183
3.6 Circuitos limitadores y fijadores f84
3.6.1 Circuitos li¡nitadores f84
3.6.2 El condensador fijador o restaurador de dc 187
3.6.3 El doblador de voltaje 189
3.7 Operación física de diodos I90
3.7.1 Conceptos básicos de semiconduclorcs 190
3.7 .2 Launrón pn en condiciones de circtrjta abierto 196
3.7.3 La unión pn en condiciones de polarización irersa 199
3.7.4 Launlón pn en la región de ruptura 203
.5 La unrón pn en condiciones de polaizaciín directa 204
3 .7

3.7.6 Resumen 208

3.8 Tipos especiales de diodos 209
3.8.1 El diodo de banera Schottky (SBD) 2/0
3.8.2 Yaractnes 210
3.8.3 Fotodiodos 2.10
3.8.4 Diodos emisores de luz (LED) 211
3.9 El modelo de diodo SPICE y ejemplos de simulación 212
3.9.1 Elmodelo de diodo 212
3.9.2 El modelo del diodoZnnet 213
Resumen 217
Problemas 2f8
 coNrEN rDo DETALLADo Ó ¡x

4 Transistores de efecto de campo MOS (MOSFET) 235

Introducción 2-?-5

4.1 Estructura del dispositivo y operaciónlísica 236

4.1:1 Estructura del dispositivo 23ó
4.1.2 Operación sin voltaje de compuerta 238
4.1.3 Creación de un canal para el flujo de corriente 238
4.1.4 Apücación de un u¿5 pequeño 239
4.1.5 Operación a medida que art atmenta 241
4.1.6 Obtención de larclación ip-ups. 24i
4. 1 .7 El MOSFET de cmal p 247
4.1.8 CMOS o MOS complementarios 247
4.1.9 Operación de un transistor MOS en la región del subumbral 248
4.2 Caracbrísticas corriente-voltaje 248
4.2.1 Símbolo del ctrcloito 248
4.2.2 Las caractelsticas i¡-a6 249
4.2.3 Resistencia de salida fnita en saturación 253
4.2.4 Caracteristicas del MOSFET de carral p 256
4.2.5 El papel del sustrato: el efecto del cuerpo 258
4.2ó Efectos de la temperuír¡¡a 259
4.2.7 Ruptura y protección de entrada 259
4.2.8 Resumen 2ó0
4.3 Circuitos MOSFET de CD 2ó2
4.4 El MOSFET como amplificador y como interuptor 270
4.4.1 Operación a gran señal: la caxacterística de transferencia 2Zf
4.4.2 Determinación gráfica de característica de transferencia 273
4.4.3 Operación como interruptor 274
4.4.4 Operación como arnplificador lirl.eal 274
4.4.5 Expresiones analíticas para la caracteística de transferencia 275
4.4.6 Comenta¡io final sobre polarización 280
4.5 Polarización en circuitos ampüficadores MOS 280
4.5.1 Polarización mediante la fijación de VGs 280
4.5.2 Polnizaciónmediante fijación de V6 y conexión de una resistencia
alafuente 281
4.5.3 Polarización mediante un resistor de retroalimentación de drenaje
a coÍryúeria 284
4.5.4 Polarización empleando una fr¡ente de corriente constante 285
4.5.5 Comentario fi¡al 287
4.6 Operación y modelos a pequeña señal 287
4.6.1 El punto de polaizaciún de cd 287
4.6.2 La coriente de señal en la terminal del drenaje 288
, 4.6.3 .La ganancia de voltaje 289
4.6.4 Separación de los análisis de cd y de la señal 290
4.6.5 Modelos de circuito equivalente a ptqttúa súal 290
4.6.6 La transconductancia g^ 292
4.6.7 El modelo T del circuito equivalente 295
4.6.8 Modelo del efeca del cuerpo 296
4.6.9 R.estmen 297
4.7 Amplificadores MOS de una etapa 299
4.7.1 La estructua básica 299
4.7.2 Cracteización de amplificadores 30f
- O coNrENrDo DETALLAD.

4.7.3 El amplificador de tuente comrín (CS) 30ó

4.7.4 El amplificador de fuente común con una resistencia en la
fuente 309
4.7.5 El amplificador de compuerta común (CG) 311
4.7.6 El amplificador de drenaje común o seguidor de fuente 315
4.7.7 Resumen y comparaciones 318
4.8 Capacitancias intemas de MOSFET y modelo de alta frecuencia 320
4.8.1 El efecto capacitivo de compuefa 32f
4.8.2 Las capacitancias de unión 322
4.8.3 El modelo de alta frecuencia MOSFE'I 322
4.8.4 La frecuencia de ganancia unitaria (/r) del MOSFET 324
4.8.5 Resumen 325
4.9 Respuesta de ftecuencia del amplificador CS 32ó
4.9.1 Las tres bandas de frecuencia 32ó
4.9.2 La respuesta de alta f¡ecuencia 328
4.9.3 La respuesta de baja frecuencia 332
4.9.4 Comentario final 33ó
4.10 El inversor lógico digital CMOS 33ó
4.10.1 Operación del circuito 332
4.10.2 La caructeústica de transferencia de voltaje 339
4.10.3 Operación dinfunica 342
4.10.4 Flujo de coniente y disipación de potencia 345
4.10.5 Resumen 34ó
4.11 El MOSFET del tipo de agotamierúo 346
4.12 El modelo de MOSFET de SPICE y ejemplo de simulación 351
4.12.1 Modelos de MOSFET 351
4.12.2 Parámetros del modelo MOSFET 352
Resumen 359
Problemas 3ó0

5 Transistores b¡polar€s dé un¡ón <iln 377

Introducción 377
5.1 Estructura del dispositivo y operaclínfísica 378
5.1.1 Estructua simplificada y modos de operación 328
5.1.2 Operación del transistor np¿ en el modo activo 380
5.1.3 Estructura de transistores reales 38ó
5.1.4 Modelo de Ebers-Moll (EM) 387
5.1.5 Operación en el modo de saturación 390
5.1.6 El transistor pzp 39I
5.2 Característicascorriente-voltaje 392
5.2.1 Slmbolos y convenciones de circuito 392
5.2.2 Representación gnáfica de las caracterlsticas del transistor 3rz
5.2.3 Dependencia de ic con respecto al voltaje del colectoq efecto de
Early 399
5.2.4 Caractelsticas del emisor comrin 401
5.2.5 Efecto de ruptura del transistor 406
5.2.6 Resumen 407
5.3 El BIT como amplificador y como interuptor 402
5.3.1 Operación a gran señal, la caracteística de transferencia 4I0
5.3.2 Ganancia del arnplifrcador 412
-

coNTENlDo DETALLADo A x¡

5.3.3 Análisis gráfico 415

5.3.4 Operación como interruptor 4I9
5.4 Circuitos de BJT deDC 421
5.5 Polarización en circuitos amplificadores con BJT 43ó
5.5.1 Configuración de polarización clásica de circuitos discretos 43ó
5.5.2 Una versión con dos suministros de energía de la configuración
de polaización clásica ,M0
5.5.3 Polarización mediante un resistor de retroalimentación colector a
base 441
5.5.4 Polarización con una fuente de coriente constante 442
5.6 Operación y modelos a pequeña señal 443
5.6.1 Corriente del colector y transconútclzncia 443
5.6.2 Corriente de la base y resistencia de entrada en la base 445
5.6.3 Corriente del emisor y resistencia de entrada en el emisor 44ó
5.6.4 Ganancia de volt^je zU7
5.6.5 Separación de la señal y las cantidades de dc ,148
zhíbrido
5.6-6 Modelo 448
5.6.7 ElmodeloT ,M9
5.6.8 Aplicación de los circuitos equivalentes a pequ€ña señal 450
5.6.9 Ejecución del análisis a pequeña señal directamente en el
diagrana. de crrcnito 457
' 5.6.10 Ampliación de los modelos a pequeña señal para incluir el efecto
de Etrly 457
5.6.11 Resumen 458
5.7 Amplificadores BJTde una etapa 4ó0
5.7.1 Estructura básica 460
5.7.2 Caracteización de amplificadoresBlT z161
5.7.3 Amplificador de emisor común (CE) 462
5.7.4 Amplificador de emisor común con una resistencia de emisor 470
5.7.5 Amplificador de base común (CB) 475
5.7.6 Arnplificador de colector común (CC) o seguidor de emisor 478
5.7.7 Resumen y comparaciones 483
5.8 Capacitancias intemas del BJT y modelo de alta frecuencia 485
5.8.1 Carga de base o capacitancia de dlfusión C¿" 486
5.8.2 Capacitancia de unión base-emisor Cj" 486
5.8.3 Capacitancia de unión colector-base Co 487
5.8.4 Modelo zhíbrido de alta frecuencia 487
5.8.5 Frecuencia de cor1'f, 487
5.8.6 Resumen 490
5.9 Respuesta de ftecuencia del amplificador de emisor común 491
5.9.1 Las tres bandas de frecuencia 491
5.9.2 Respuesta de altaftecuencia 492
' 5.9.3
'Respuesta
de baja frectrcncia 497
5.9.4 Una observación final 503
5.10 Inversor lógico digital BJT básico 503
5.10.1 Característica de transferencia de volfaje 5U
5.10.2 Chcuitos digitales BJTsaturados en comparación con los no
saturados 505
5.11 Modelo BJT de SPICE y ejemplos de simulación 502
5.11.1 Modelo Eben-Mollde SPICE delBn 507
5.11.2 Modelo Gummel-Poon de SPICE delBlT 509
5.11.3 Par¡ámetros del modelo SPICE BJT 5I0
x¡¡ $ ao"ta*,oo DETALLADo

5.11.4 Parámetros BF y BR del modelo BJT en SPICE 5I0

Resumen 5fó
Problemas 517

$ to*trr crRcurrosTNTEGRADosANALócrcosyDrcrrALEs s42

6 Amplificador€s con circuitos integrados de una etapa 545

Introducción 545
6.1 Filosofía del diseño deCI 546
6.2 Comparación enre el MOSFET y eIBXT 547
6.2.1 Valores típicos de los pan4metros del MOSFET 547
6.2.2 Valores típicos de los parámehos de CI de un BJT 548
6.2.3 Comparación de caractelsticas importantes 550
6.2.4 Cornbinación de transistores MOS y bipolares: circuitos
BicMos 5ó1
6.2.5 Validez del modelo MOSFET de la ley de los cuadrados 5ó2
6.3 Polarización de CI: fuentes de alimentación de coriente, espejos de
corriente y circuitos controladores de cornertte 562
6.3.1 La fuente de corriente del MOSFET bísico 562
6.3.2 Circuitos MOS controladores de corriente 5ó5
6.3.3 Circuitos BJT 5ó7
6.4 Respuesta de alta frecuencia: consideraciones generales 571
6.4.1 La función de ganancia de alta frecuercta 572
ó.4.2 Determinación de la ftecuencia¡f" de 3 dB 573
6.4.3 Uso de constantes de tiempo a circuito abierto para la
de¡erminación aproxnnda de f¡1 575
6.4.4'feorcmadeM Ter 578
6.5 l-os amplificadores de fuente comrín y de emisor común con cargas
activas 582
6.5.1 El circuito de ftiente común 582
6.5.2 Implementación CMOS del amplificador de fuente común 583
6.5.3 El ci¡cuito de emisor comrín 588
6.6 Respuesta de alta ftecuencia de los amplficadores CS y CE 588
6.6.1 Aúlisis mediante el teorema de Miller 589
6.6.2 AnáIisis mediante el uso de constantes de tiernpo a circuito
abierto 590
ó.ó.3 Análisis exacto 59f
6.6.4 Adaptación de las fórmulas para el caso del amplificador CE 595
6.ó.5 La situación cuando lt*ua es baja 597
6.7 Los amplificadores de compuerta común y de base comrln con cargas
rctivas 600
6.7.1 El amplificador de compuerta común ó00
ó.7.2 El ampüficador de base comrín ó10
6.7.3 Comentario a manera de conclusión ó13
6.8 El amplificador cascodo ó/3
6.8.1 El cascodo MOS ó14
6.8.2 Respuesta de ftecuencia del cascodo MOS ó18
6.8.3 El cascodo BJT ó23
6.8.4 Una fr¡ente de corriente cascodo ó25
-

coNrENrDo DETALLADo $ xlli

6.8.5 Cascododoble ó2ó

6.8.6 El cascodo plegado 627
6.8.7 Cascodos BiCMOS ó28
6.9 Los amplificadores CS y CE con degradación de fuente (emisor) 629
6.9.1 El amplificador CS con una resistencia de fiiente 629
6.9.2 El amplificador CE con una resistencia en el emisor ó33
6.10 Los seguidores de fuente y emisor ó35
6.10.1 El seguidor de fuente ó35
6.10.2 Respuesta en frecuencia del seguidor de fuente ó32
6.10.3 El seguidor de emisor ó39
6.11 Algunas interconexiones de transistores útiles ó4f
6.11.1 Las configuraciones CD-CS, CC-Cf, y CD-CE 641
6.11.2 La configuración Darlington ó45
6.11.3 Las configuraciones CC-CB y CD-CG 646
6.12 Ckcuitos de espejo de corriente con desempeño mejorado ó49
6.12.1 Espejos MOS cascodo ó49
6. I 2.2 Un espejo bipolar con compensación de corriente en la
base 650
6.12.3 El espejo de cor¡iente Wilson ó51
6.12.4 El espejo MOS Wilson ó52
6.12.5 La fuente de coriente Widlar ó53
6.13 Ejemplos de simulación en SPICE ó5ó
Resumen óó5
Problemas óóó

7 Amplif¡cadores diferenciales y de varias etapas 687

Introducción ó87
7.1 El par diferencial MOS ó88
7.1.1 Operación con un voltaje de entrada de modo eomrín ó89
7.1.2 Operación con un voltaje diferencial de entrada ó91
7.1.3 Operación a gran señal ó93
7.2 Operrción apequeña señal del par diferencial MOS ó9ó
7 .2.1 Gamcia dlferencial 697

7 .2.2 Ganancia de modo común y relación de rechazo a modo común

(CMRR) 200
7.3 El par diferencialBn 7(M
7.3.1 Operaciónbásica 704
7 .3.2 Opención a señal grande 707

7.3.3 Operación a señal pequeña 709

7.4 Otras ca¡acteísticas no ideales del amplificador diferencial 720
' 7.4.1 Voltaje de desnivel (offset) de entrada del par diferencial
ll{4OS 720
7.4.2 Yoltaje de desnivel de entrada del par diferencial bipolar 723
7.4.3 Corrientes de polarización y de desnivel de entrada del par
btpolñ 725
7.4.4 Intervalo de enfada de modo comrln 72ó
7.4.5 Un comentario a manera de conclusiótt 726
7.5 El amplificador diferencial con carga activa 727
7.5.1 Conversión de diferencial a un solo extemo (o teminal) 727
7.5.2 El par diferencial MOS cargado ac¡vunente 728
-

tir, {p coNrENrDo DETALLAD.

7.5.3 Ganancia diferencial del par MOS cargado a.tivalnenle 729

7.5.4 Ganancia de modo común y CMRR (relación de rechazo a modo
común) 732
7.5.5 El par diferencial bipolar con carga activa 733
7.6 di:ferencial 740
Respuesta en frecuencia del amplificadot
7.6.1 Anátisis del amplificador MOS cargado resistivamente 740
7.6.2 Análisis del amplificador MOS cargado activamente 744
7.7 Amplificadores de varias etapas (O MLJLIIETAPICOS) 249
7.7.1 Amplificador operacional CMOS de dos etapas 249
7.7.2 Un amplificador operacional bipolar 758
7.8 Ejemplo de sirnulación con SPICE ZóZ
Resumen 773
Problemas 275

8 Retroalimentación 791

Introducción 791

8.1 La esfuctura de retroalimentación generul 792

8.2 Algunas propiedades de la retroaliment^ciónnegafiva 795
8.2.1 Insensibilización de la ganancia 795
8.2.2 Extensión de ancho de banda 295
8.2.3 Reducción de ruido 796
8.2.4 Reducción de la distorsión no lineal 797
8.3 Las cuatro topologías básicas de retroalimentación 298
8.3.1 Amplificadores de voltaje 799
8.3.2 Amplificadores de coniente 799
8.3.3 Amplificadores de transconductancia 801
8.3.4 Amplificadores de transresistencia 802
8.4 El amplificador de retroalimentación serie-paralelo 802
,8.4.1 La situación ideal 802
8.4.2 La situación prác¡cz 804
8.4.3 Resumen 807
8.5 El amplificador de retroalimentación serie-serie 81f
8.5.1 El caso ideal 811
8.5.2 El caso pÉctico 8I2
8.5.3 Resumen 814
8.ó Los amplificadores de retroalimentación paralelo-paralelo y paralelo-
serie 818
8.6.1 La confguración paralelo-paralelo 819
8.6.2 Nota impofante 823
8.6.3 La configuración paralelo-serie 823
8.6.4 Resumen de resultados 831
8.7 Determinación de la ganancia de lazo 83f
8.7.1 Otro método para encontrar Ap 83/
8.7.2 Equivalencia de circuitos desde la perspectiva del lazo de
retroalimentación 833
8.8 El problema de la estabilidad 834
8.8.1 Función de hansferencia del amplificador de
retroalimentación 834
8.8.2 La gáfica de Nyquist 835
8.9 Efecto de la retroalimentación en los polos del amplificador 83ó
4

coNTENrDo DETALLADo I t"

8.9.1 Estabilidad y ubicación de polos 837

8.9.2 Polos del ampüficador de retroalimentación 838
8.9.3 Amplificador con respuesta de un polo 838
8.9.4 Amplificador con respuesta de dos polos 839
8.9.5 Amplificadores con tres o más polos 843
8.10 Estudio de estabilidad mediante gráficas de Bode 845
8.10.1 Ganancia y mrárgenes de fase 845
8.10.2 Efecto del margen de fase en la respuesta a lazo cerrado 84ó
8.10.3 Método altemativo aproximado para inyestigar la
establlidat 847
8.11 Compensación de frecuencia 849
8.11.1 Teoía 850
8.11.2 Implementación 851
8.11.3 Cornpensación de Miller y división de polos 852
8.12 Ejemplo de simulación en SPICE 855
Resumen 859
Problemas 8ó0

9 Amplificador operacional y circu¡tos convertidores de datos 87t

Introducción 871
9.1 El amplificador operacional CMOS de dos etapas 822
9.1.1 Elciruin 872
9.1.2 Intervalo de enhada en modo común y oscilación de salida 873
9.1.3 Ganancia de \oltaje 874
9.1.4 Respuesta en frecuencia 87ó
9.1.5 Velocidad de respuesta 879
9.2 El amplificador operacional CMOS de cascodo plegado 883
9.2.'l El circuito 88-t
9.2.2 Intervalo de entrada en modo comrln y la oscilación de voltaje de
salida 885
9.2.3 Ganancia de voltaje 88ó
9.2.4 Respuesta en frecuencia 888
9.2.5 Velocidad de respuestá 888
9.2.6 Aurnento en el intervalo de entrada en modo común: operación
de entrada de riel a riel (bana a barr¿) 890
9.2.7 Aumento del intervalo de voltaje de salida: el espejo de corriente
de oscilación amplia 892
9.3 El circuito amplificador operacional T4l 893
9.3.1 Cicuito de polffizrción 893
9.3.2 Circuitos de protección contra cortoci¡cuitos 895
' 9.3.3' La etapa de entrada 895
9.3.4 La segunda etapa 895
9.3.5 La etapa de salida 896
9.3.6 Parámetros del dispositivo 698
9.4 Análisis de DC óe1741 899
9.4.1 Coriente de polarización de referencia 899
9.4,2 Polaizasión de la etapa de entrada 899
9.4.3 Corrientes de polarización de entrada y de desnivel (offset) 902
9.4.4 Voltaje de desnivel (offset) de entrada 902
9.4.5 Intervalo de entrada en modo común 902
xvi 3 coNrENrDo DETALLADo

9.4.6 Polarización de la segunda etapa 902

9.4.7 Polarización de etapa de saüda 903
9.4.8 Resumen 904
9.5 Análisis a pequeña señal del741 905
9.5.1 La etapa de entrada 905
9.5.2 La segffLd^ etapa 910
9.5.3 La etapa de sahda 912
9.6 Ganancia, respuesta en frecuencia y velocidad de respuesta del 7 41 917
9.6.1 Ganancia a pequeña señal 912
9.6.2 Respuesta en ftecuencia 917
9.6.3 Un modelo simplificado 9I8
9.6.4 Velocidad de respuesta 919
9.6.5 Relación entre f,y SR 920
9.7 Convertidores de datos: introducción 922
9.7.1 Procesamiento digital de señales 922
9.7.2 Muestreo de señales analógicas 922
9.7.3 Cuantificación de la señal 924
9.7.4 Los convertidores A,/D y D/A corno bloques funcionales 924
9.8 Circuitos convertidorcs DIA 925
9.8.1 Circuito brásico con resistores de ponderación binaria 925
9.8.2 Escaleras R-2R 926
9.8.3 Una implementáción prácüca del circroito 927
9.8.4 Interruptores de corriente 928
9.9 Circuitos convertidotes ND 929
9.9.1 El conve¡idor del tipo de retroaliment¿ción 929
9.9.2 El convertidor A,/D de pendiente doble 930
9.9.3 El convertidor en paralelo o tipo flash 932
9.9.4 El convertidor de redistribución de ceaga 932
9.10 Ejemplo de simulación con SPICE 934
Resumen 940
Problemas 94f

10 C¡rcuitos lógicos CMOS digitales 949

Introducción 949
10.1 Diseño de circuitos digitales: un repaso general 950
10.1.1 Tecnologías de cicuitos integrados digitales y familias de
circuitos lógicos 950
10.1.2 Caracterización de un circuito lógico 952
10.1.3 Estilos de diseño de sistemas digitales 954
10.1.4 Abstracción en el diseño y ayudas de computadora 955
10.2 Anáüsis de diseño y desempeño del inversor 955
10.2.1 Estructura del ctcuito 955
10.2.2 Operución estÁtica 956
10.2.3 Operación dinrámica 958
10.2.4 Disipación de potencia dinámica 9ól
10.3 Circuitos CMOS de compuerta lógica 9ó3
10.3.1 Estructura bísica 963
10.3.2 Compuerta NOR de dos enhadas 9óó
10.3.3 Compuerta NAND de dos entradas 9óó
10.3.4 Una compuerta corryleja 967
 coNTENlDo DETALLADo J xvli

10.3.5 Obtención de la PUN a partir de la PDN y vicevena 9ó8

10.3.6 Función OR exclusiva 9ó9
10.3.7 Resumen del método de sfritesis 920
10.3.8 Determinación de las dirnensiones de los transistores 970
10.3.9 Efectos de los abanicos de entrada y de salida (fan-in y fan-out)
en el retardo de propagaciÍn 973
10.4 Chcuitos lógicos pseudo-NMOS 974
10.4.1 El inversor pseudo-NMOS 924
10.4.2 Caracteísticasestáticas 975
10.4.3 Obtención de laVTC 976
10.4.4 Operación dnámica 979
1O.4.5 Diseño 979
10.4.6 Circuitos de compuefa 980
10.4.7 Observacionesconcluyentes 980
10.5 Circuitos lógicos de tansistor de paso 982
10.5.1 Un requerirniento esencial de diseño 983
10.5.2 Operación con transistores NMOS como conmutadores 984
10.5.3 Uso de compuertas de transmisión CMOS como
conmutadores 988
10.5.4 Ejemplos de cfucuitos lógicos de transistor de paso 990
10.5.5 Una observaciÓn final 991
10.ó Circuitos lógicos dinámicos 99f
10.6.1 Principio básico 992
. 10.6.2 Efectos no ideales 993
10.6.3 Lógica CMOS dominó 99ó
10.6.4 Observaciones de conclusión 998
10.7 Ejemplo de simulación SPICE 998
Resumen 1002
Problemas 1002

tt ,o*rr,,, ,."o""rr."ro" ,rro

11 Circuitos digitales avanzados y memor¡a lol3
Introducción 1013
11.1 Candados y flip-flops 1014
11.1.1 El candado I0l4
11.1.2 El flip-flop SR I0l5
11.1.3 Implementación en CMOS de flip-flops SR 1úló
1 I . 1 .4 Una implementación CMOS más simple del flip-flop SR

sincronizado por reloj 1019

11.1.5 Circuitos flip-flop ttpoD 1019
11.2 Circuitosmultivibradores 102.1
11.2.1 Un circuito CMOS monoestable 1022
11.2.2 Un circuito astable 1026
11.2.3 El oscilador anular (o de anillo) 1027
11.3 Memorias de semiconductor: tipos y arquitectüas lr28
11.3.1 Organización del chip de memoria 1028
11.3.2 Temporización del chip de rnemoia 1030
1 1 .4 Celdas de memoria de acceso aleatorio (RAM) 1031
xviii S coNrENrDo DETALLADo

11.4.1 Celda de memoria es¡ática 1031

11.4.2 Celda de memoria dlnírnica 1036
11 .5 Amplificadores de salida y decodificadores de dirección f038
11.5.1 El amplificador de salida 1038
11.5.2 Decodificador de direcciones en filas 1043
11.5.3 Decodificador de direcciones en columnas 1045
11 .6 Memoria de sólo lectüa (ROM) 104ó
11.6.1 Una ROM MOS 1047
11.6.2 ROM programables con máscans 1049
11.6.3 ROM programables (PROM y EPROM) 1049
11.7 Lógica acoplada a emisor (ECL) 1052
11.7.1 El principio básico 1052
11.7.2 Famiüas ECL 1053
11.7.3 Circuito de compuerta básico 1053
11.7.4 Curvas caracteísticas de t¡ansferencia de voltzje 1057
11.7.5 Factor de carga de salida (fan out) -10óI
11.7.6 Velocidad de operación y transmisión de señal 10ó2
11.7.7 Disipación de puencia (energía\ 1063
11.7.8 Efectos térmicos 1063
11.7.9 Capacidad del cableado OR 10óó
11.7.10 Comentarios finales 10óó
11.8 Circuitos digitales BiCMOS 10ó7
11.8.1 El inversor BiCMOS 1067
11.8.2 Operación dinfunica 1069
11.8.3 Compuertas lógicas BiCMOS .1070
11.9 Ejemplo de simulación con SPICE 10ZI
Resumen 107ó
Ptoblemas 1077

12 Filtros y amplificadores s¡ntonizados tO83

Introducción 1083
12.1 Filtro de transmisión, tipos y especificaciones -1084
12.1.1 Filtro de üansmisión 1084
12.1.2 Tipos de filtros 1085
12.1.3 Especificación de filtros 1085
12.2 La función de Íansferencia de un filtro 1088
12.3 Filtros But¡erworth y Chebyshev l09I
12.3.1 El filtro Butterworth 1091
12.3.2 El filtro Chebyshev 1095
12.4 Funciones de filtro de primero y segundo órdenes 1098
12.4.1 Filtros de primer orden 1098
12.4.2 Funciones de filtro de segundo orden f10l
12.5 Resonador LCR de segundo orden ffOó
12.5.1 Modos naturales del resonador -ll0ó
12.5.2 F.ealización de los ceros de fansmisión 1107
12.5.3 Realización de la función pasabajas 1108
12.5.4 F.ealización de la función pasaalt^s 1108
12.5.5 Realización de la función pasabandas lI08
12.5.6 Realización de las funciones muesca 1110
12.5.7 Realización de la función pasatodas 1111
 coNTENrDo DETALLAD. ! trt

12.6 Filtros activos de segundo orden basados en el reemplazo del

indtcn¡ 1112
12.6.1 Circuito Antoniou simulador de nductatcia 1112
12.6.2 El resonador de amplificador operacional RC 1114
12.6.3 Realización de varios tipos de filtros 1114
12.6.4 Cfucuito pasatodas 1118
12.7 Filtros activos de segundo orden basados en la topología de lazo de dos
tr.rrgradores 1120
12.7.1 Obtención del circuito bicua&ático con lazo de dos
rntegadotes 1120
12.7.2 Implementaciún de cilrctttto 1122
12.7.3 Otro circuito bicuadrático con lazo de dos integndores 1123
12.7.4 Comentarios finales Í25
12.8 Filtros activos bicuadráticos de amplificador rínico 1/25
12.8.1 Síntesis del lazo de retroalimentaclón 1126
12.8.2 Inyección de la señal de entrada 1128
12.8.3 Generación de lazos de retroalimentación equivalentes 1f30
12.9 Sensibilidad 1133
12.9.1 Un comentario flnal Il35
12.10 Filfos de capacitor conmutado 1f3ó
12.10.1 El principio báLsico 1136
. 12.10.2 Circuitos prácticos 1137
12.10.3 Un comentario final 1141
12.11 Amplificadoressintonizados 1f4l
12.11.1 El principiobásico 1141
12.11.2 Pérdidas en el inductor 1143
12.11.3 Uso de transformadores 1144
12.11.4 Amplificadores con circuitos sintonizados múltiples 1145
12.11.5 El cascodo y la cascada CC-CB (colector común y base
comú.n) 1146
12.11.6 Sinmnización sinqónica 1147
12.11.7 Sintonización escalonada 1148
12.12 Ejernplos de simulación con SPICE 1152
Resumen 1f58
Problemas 1159

1 3 Generadores de señales y circuitos conformadores de formas

de onda t t65
Introducción üó5
13.1 Principios básicos de los osciladores senoidales lfóó
13.1.1 El lazo de retroalimentación de osclador 1166
13.1.2 Criterio de oscllación 1167
13.1.3 Control de amplitud no lineal Iló8
13.1.4 Un circuito limitador popular para controlar la amplitud Lló9
13.2 Circuitos osciladores de ampEficador operacional y redRc 1171
13.2.1 Oscilador de puente Wien t171
13.2.2 Oscilador de desplazamiento de fase 1174
13-2.3 Oscilador de c]oaüafrota 1176
13.2.4 Oscilador sintonizado de filtro activo 1177
13.2.5 Una observaciín frnal 1179
xx Q ao*r.",oo DETALLAD.

13.3 Osciladores de cnstaly LC1179

13.3.1 Osciladores sintonizados LC 1179
13.3.2 Oscilado¡es de cistal 1182
13.4 Multivibradoresbiestables 1185
13.4.1 El lazo de retroalimentación lf85
13.4.2 Caracteísticas de tansfercncia del circuito biestable ll8ó
13.4.3 Disparo o activación del circuito biestable 1187
13.4.4 Ci¡cuito biestable como elemento de memoria 1188
13.4.5 Circuito biestable con caractelsticas de transferencia no
inversoras ff88
13.4.6 Apücación del circuito biestable como comparador 1189
13.4.7 Cómo hacer más precisos los niveles de salida 1191
13.5 Generación de formaas de onda cuaclrada y aiangular por medio de
mulüvibradores astables 1192
13.5.1 Operación del multivibrador astable 1192
13.5.2 Generación de formas de onda triangulues 1194
13.6 Generación de un pulso estandarizado: el multivibrador
monoestable 119ó
13.7 Temporizadores de circuito integrado t198
13.7.1 El circuito 555 1198
13.7.2 Implementacion de un multivibrador monoestable mediante el
circuito integrado 555 1199
13.7.3 Multivibrador astable que utiliza el circuito integrado 555 1201
13.8 Circuitos conformadores de forma de onda no lineal f203
13.8.1 Método de punto de ruptura 1203
13.8.2 Método de amplificación no lineal 1205
13.9 Circuitos recüficadores de precisión 1206
13.9.1 Rectificador de precisión de media onda: el "superdiodo" 1207
13.9.2 Un circuito altematlo 1208
13.9.3 Una aplicación: medición de voltajes de AC 1209
13.9.4 Rectificador de precisión de onda completa 1210
13.9.5 Rectificador de puente de precisión para aplicaciones de
implementación I2I2
13.9.6 Rectificadores de pico de precisión 1213
13.9.7 Detector de pico de precisión con blúfer I2l3
13.9,8 Circuito de sujeción de precisión f2f4
13.10 Ejernplos de simulación con SPICE -1214
Resumen f2f9
Problemas 1220

14 Etapas de salida y amplificadores de potencia 1229

Tntxoúrcnió'l 1229
14.1 Clasificación de etapas de salida 1230
14.2 Etapa de salidaclase A I23I
14.2.1 Caracterlstlca de transferencia 1231
14.2.2 Formas de onda de súal 1233
14.2.3 Disipación de potencb 1233
14.2.4 Eficiencia de conversión de potencia 1235
14.3 Etapa de salida clase B
1235
14.3.1 Operación del circttit¡t 1236
-t

coNrENlDo DETALLADo $ rrl

14.3.2 Caracterfstica de transferencia 123ó

14.3.3 Eficiencia de conversión de poterrcia 1236
14.3.4 Disipación de potencia 1238
14.3.5 Reducción de la distorsión de cruce 1240
14.3.6 Operación confuente írica 1240
14.4 Etapa de salida clase AB 1241
14.4.1 Operación del citr.clu'ito 1242
14.4.2 Resistencia de salida 1243
14.5 AB
Polarización del circuito clase f244
14.5.1 Polarización por medio de diodos ¡244
14.5.2 Polaizrción con el multiplicador VBE 1246
14.6 BJTdepotencia 1249
14.6.1 Temperatura enlanniór 1249
14.ó.2 Resistencia térmica 1249
14.6.3 Disipación de potencia frente a ternperat.ua 1250
14.6.4 Cubierta de transistor y disipador de calor 1251
14.ó.5 Á,rea de operación segura de un BJT f254
14.6.6 Valores de los parámetros de transistores de potencia 1255
14.7 Variaciones en la configuración claseAB 1256
14.21 Uso de seguidores de emisor de efira¡dl 1256
. 14.7 .2 Uso de dispositivos compuestos 1252
14.7.3 hotección contra cortocircuitos -1259
14.7.4 Corte Émico 1260
i4.8 Amplificadores de potencia de circuito mtegrado 1261
14.8.1 Amplificador de potencia de circuito integrado y ganancia
fija 126l
14.8.2 Amplificadores operacionales de potencia 1265
14.8.3 Amplificador puente 1265
14.9 Transistores de potencia MOS 12óó
14.9.1 Estructura del MOSFET de potencia 12óó
14.9.2 Curvas características de los MOSFET de potencia 12ó8
14.9.3 Efectos de latemperawa 1269
14.9.4 Comparación con los BJT f2ó9
14.9.5 Etapa de salida clase AB que utilizaMOSFET 1270
14.10 Ejemplo de simulación con SPICE 1271
Resumen 127ó
P¡oblemas 1277

APÉNDICES
A Tecnología de fabricación VLSI A-1
B Par{metros de red de dos puefos B-f
C Algunos teoremas de red útiles C-f
D Ci¡cuitos de una sola constante de tiempo D-f
E Análisis en el dominio s: polos, ceros y gráficas de Bode E-I
F Bibliografía F-l
G Valores de resistencia esti4ndar y prefijos de unidades G--l
H Respuestas a los problemas seleccionados .úl-1

íHorce rru-r