7

Transistores de efecto
de campo MOS (MOSFET)

lNrRoouccróH
Una vez que se estudió el diodo de unión, el dispositivo semiconductor de dos terminales más
básico, ahora se centlará la atención en los dispositivos semiconductores de tres terminales,
que son mucho más útiles que los de dos porque pueden emplearse en gran cantidad de aplica-
ciones, desde amplificación de señales hasta lógica digital y memoria. El principio básico con
el que funcionan es el uso de voltaje entre dos terminales para conholar el flujo de corriente
en la tercera. De esta manera, puede utilizarse un dispositivo de tres terminales para obtener
una fuente controlada que, como aprendió en el capítulo 1, es ta base del diseño de amplifica-
dores. Además, en el extremo, la señal de confol puede emplearse para cambiar la co¡riente
en la tercera terminal de cero a un valor grande, lo que permite que el dispositivo actúe como

235
236 & cAPfTUto 4 TRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

interruptor. Como aprendió en el capítulo I , el interuptor es el fundamento del inversor lógico,

el elemento básico de los circuitos digitales.
Hay dos tipos de dispositivo semiconductor de tres terminales principales: el transistor de
efecto de campo de semiconductor de óxido de metal (MOSFET, Metal-Oxide Semiconductor
Field-Effect Transistor), que es el tema de este capítulo, y el transistor de unión bipolar (BJT,
Bipolar Junction Transistor), que se estudiará en el capítulo 5. Aünque cada uno de los dos tipos
de transistor ofrece características y áreas de aplicación únicas, el MOSFET se ha vuelto, por
mucho, el dispositivo electrónico de más uso, sobre todo en el diseño de circuitos integrados
(CI), que son aquellos fabricados en un solo chip de silicio.
Comparados con los BJT, los MOSFET pueden ser muy pequeños (es decir, requieren un
área pequeña del chip de CI de silicio), y su proceso de manufactura es relativamente simple
(consulte el apéndice A). Además, su operación requiere poca potencia. Más aún, los diseñadores
de ci¡cuitos han encontado maneras ingeniosas de instaurar las funciones digitales y analógi-
cas empleando casi exclusivamente MOSFET (es decir, con muy pocos resistores o sin ellos).
Todas estas propiedades han hecho posible la inclusión de grandes cantidades de MOSFET
(¡más de 200 millonesl) en un solo chip de CI para crear complejos circuitos integrados a muy
grande escala, como los usados en memoria y microprocesadores. Circuitos analógicos como
amplificadores y filÍos también se crean con tecnología MOS, aunque en chips más pequeños,
rnenos densos. Además, cada vez se aplican más funciones analógicas y digitales en el mismo
chip de CI, en lo que se conoce como diseño de señal combinada.
. El objetivo de este capítulo es desarrollar en el lector un alto grado de familiaridad con el
MOSFET: su estructura física y operación, las características de sus terrninales, los rnodelos
de circuito y las aplicaciones básicas en circuitos, como amplificador y también como inversor
lógico digital. A pesar de que existen transistores MOS discretos y de que el material estudiado
en este capítulo permitirá al lector diseñar circuitos MOS discretos, el estudio del MOSFET
estr4 influido por el hecho de que la mayor parte de sus aplicaciones se encuentran en el campo
del diseño de circuitos integrados. El diseño de circuitos integrados MOS analógicos y digitales
ocupará una gran pafe del resto de este libro.

4.1 ESTRUCTURA DEL DISPOSITIVO

Y OPERACIÓN FíSICA

El MOSFET de en¡iquecimiento es el transislor de efecto de campo que se usa más ampliamente.

En esta sección se estudia su estructura y su operación flsica, que llevará a las curvas caracte-
lsticas de coriente contra voltaje del dispositivo que se estudiarán en la siguiente sección.

4.1.1 Estructura del disposit¡vo

En la figura 4. 1 se muesÍa la estructura ffsica del MOSFET de canal r del tipo de enriquecimien-

to. Los significados de "enriquecimiento" y "canal n" se harán evidentes en breve. El transistor
está fabricado en un susüato tipo p, que es una oblea de un solo cristal de silicio que brinda
soporte flsico al dispositivo (y a todo el circuito, en el caso de ser integado). En el sustrato
se crean dos regiones tipo z con gran cantidad de impurezas, indicadas en la figura como las
regiones de fuentel z* y de drenaje n*. En la superficie del sustrato crece una delgada capa
de dióxido de silicio (SiOr) de espesor /o, (por lo general de 2 a 50 mm),2 que es un excelente
aislante eléctrico, abarcando el área entre las regiones de fuente y drenaje. El metal se deposita
en la parte superior de la capa de óxido para fo¡mar el electrodo de compuerta del dispositivo.

1
La notación ¡?+ indica silicio tipo r? con gran cantidad de impu¡ezas. Por el contrario, ¿- se usa para
denotar silicio tipo a con pocas impurezas. Se aplíca una notación similar para el silicio tipo p.
2 9
Un nanómetro (nm) equivale a l0 m o 0.001 tm. Un micrómefio (!m), o micrón, es l0{ m. En oca-
l 10
siones el grosor dei ó*ido ." Un angsrom tAl .r io nm o'10 m.
"^p.".u "n -gsh;ms.
 \

4.',| ESTRUCTURA DEL DlSPOSlrlvo Y oPERACIÓN Ff SICA & 237

óxido (SiO)

Sushato tipo p
(cuerpo)

Región
del drenaje

tt)

Fuente (S) Compuerta (G) Drenaje (D)

(sior)

Cuerpo
(B)

b)

FTGURA 4,1 Estrucfüa física del lransistor NMOS de tiPo de enriquecimienÍo: ¿r) vista en perspectiva; á)
corte fta¡rsveffal. Por lo general, ¿ = 0.1 a3 l¡¡, Í=0.2a 100llm y el espesor de la capa de óxido (¡,,) se
encuentra en el i¡tervalo de 2 a 50 nm.

Asimismo se hacen contactos metálicos para la región de la fuente, el drenaje y el sustrato,

también conocido como crJerpo.3 Por tanto, aparecen cuatro terminales: 1a de compuerta (G),
la de fuente (S) y la de drenaje (D), y la terminal del sustrato en el cuerpo (B).
Ahora debe quedar claro que el nombre det dispositivo (FET semiconductor de óxido de
metal) proviene de su estructu¡a física. Sin embargo, el nombre se ha vuelto general y tambíén
se aplica a los FET que no usan metal para el electrodo de compuerta. En ¡ealidad, casi todos
los MOSFET modernos están fabricados medianle un proceso denominado tecnología de com-

3
En la figura 4.1 el contacto con el cuerpo se muest¡a en la parte inferior del dispositivo. Esto resultará
útil más adelante para explicar un fenómeno conocido como "efecto del cue¡po". Sin embarSo, es im-
portante notar que en el CI ¡eal, el contacto con el cuerpo se prcsenta en algún lugar de la parte superior
del dispositivo.
7

238 e cApfTULo 4 rRANstsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

puefa de silicio, en el cual se emplea cierto tipo de silicio, llamado polisilicio, para formar el
electrodo de compuerta (consulte el apéndice A). La descripción de la operación del MOSFET
y sus características se aplica independientemente del tipo de elecüodo de compuerta.
Otro nombre para el MOSFET es FET d€ compuerta aislarla o IGFET (Insulated-Gate
FET). Este nombre también surge de la estructula flsica del dispositivo, destacando el hecho
de que el electrodo de compuefa está aislado eléctricamente del cuerpo del dispositivo (por la
capa de óxido). Este aislamiento es la causa de que la corriente en la terminal de la compuerta
rJ
sea extremadamente pequeña (del orden de l0 A¡.
Observe que el sustrato forma uniones pz con las regiones de fuente y drenaje. En opeta-
ción normal, estas uniones pn se mantienen todo el tiempo en polarización inversa. Debido a
que el drenaje estará con voltaje positivo en relación con la fuente, es posible poner en corte
las dos uniones pz con sólo conectar la terminal del sustrato a la de la fuente. Se supondrá que
éste será el caso en la siguiente descripción de la operación del MOSFET. Por tanto, aquí se
considerará que el sustrato no tiene efecto en la operación del dispositivo, y que el MOSFET
será tratado como un dispositivo con tres terminales: la compuefa (G), la fuente (S) y el drenaje
(D). Se demostrará que un voltaje aplicado a la compuerta controla el flujo de coÍiente entle
la fuente y el drenaje. Esta coniente fluirá en dirección longitudinal del drenaje a la fuente en
la región rotulada "región de canal". Tome nota de que esta región tiene longitud Z y ancho W,
dos parámetros irnportantes para el MOSFET. Por lo general, Z es de 0.1 a 3 ¡tn, y W de 0.2
a 100 /m. Por último, tome en cuenta que el MOSFET es un dispositivo simétrico; por tanto,
.pueden intercambiarse su fuente y su drenaje sin modificar sus caracteísticas.

4.1.2 Operación sin voltaje de compuerta

Sin aplicar voltaje poiarizado a la compuerta, hay dos diodos conectados en serie enhe el
drenaje y la fuente. Uno de ellos está fomado por la unióipn entre la región n+ del drenaje y
el sustrato tipo p; el otro diodo estrí formado por la unión pn entre el sustrato tipo p y la región
¿+ de la fuente. Estos diodos conectados juntos evitan la conducción de corriente del drenaje a
la fuenle cuando se aplica un voltaje u¿5. En re-alidad, la ruta entre el drenaje y la fi¡ente tiene
una resistencia muy elevada (del orden de l0r' Q).

4.1.3 Creación de un canal para el flu¡o de corriente

En seguida, revise la situación descrita en la figura 4.2. Aquí se ha conectado la fuente y el
drenaje a tierra y se ha aplicado un voltaje positivo a la compuefa. Debido a que la fuente está
a tierra, el voltaje de la compuerta apatece realnente enüe la compuerta y la fuente; por tanto,
se denota con uor. El voltaje positivo en la compuerta ocasiona, en primer lugar, que se repelan
los huecos libres (que están cargados positivamente) de la región del sustrato bajo la compuerta
(la región de canal). Dichos huecos son empujados hacia abajo, al sustrato, dejando atrás una
región con carencia de portadores. Dicha región está poblada por la carga negativa de enlace
asociada con los átomos aceptantes. Estas cargas aparecen "descubiefas" porque los huecos
neutralizadores han sido empujados hacia el sustrato, que se encuenÍa abajo.
Además, el voltaje positivo de la compuefa atrae elecfones de las regiones ¿+ de la fuente y
eldrenaje (donde abundan) hacia la región del canal. Cuando se acumula una cantidad suficiente
de electrones cerca de la superñcie del sushato, debajo de la compuelta, se crea realmente una
región ¿ que conecta las regiones de fuente y drenaje, como se indica en la figura 4.2. Ahora
bien, si se aplica un voltaje entre drenaje y fuente, la coriente pasa por esta región ¿ inducida,
llevada por los electrones móviles. Por tarto,la reg¡ón n inducida fo/lx,a ür canal para el flujo
de cofriente del drenaje alafuente, recibíendo apropiadamente este nombre.De igual manera,
al MOSFET de la figura 4.2 se le denomina MOSFET de canal n o, como opción, transistor
NMOS. Tome nota de que un MOSFET de canal ¿ se forma en un susfato tipo p: el canal se
crea al invertir \a superficie del sustrato de tipo p a z. Por el1o, al ca¡ral inducido también se le
denornina capa de inversión.
a

4.1 E5TRUCTURA DEL DTSPOSTTTVO y OpERACtóN FfstCA

s 239

FIGURA 4,4 Transistor NMOS del tipo de enriquecimierto con un volt¿je positivo aplicado a la compuerta.
Un canal r¡ se induce en la pafe superior del sustrato debajo de la compuena.

Al valorde vcs, en el que una cantidad suflciente de electrones móviles se acumula en la

región del canal para formar un canal conductor, se le denomina voltaje de umbral y se denota
V,.- Es obvio que el y, para un FET de canal n es positivo. Al fabricar el dispositivo, se controla
el valor de y¡ y suele ser de 0.5 a 1.0 V
La compuerta y la región del canal del MOSFET forman un condensador de placas paralelas
en el que la capa de óxido acfiía como dieléctrico del condensador. El voltaje positivo de la
compuerta causa que se acumule una carga positiva en la placa superior del condensador (el
electrodo de compuerta). En la placa inferior, los electrones del canal inducido forman una carga
negativa correspondiente. Por tanto, se desarrolla un campo eléctrico en la dirección vertical.
Este campo es el que controla la cantidad de carga del calal, determina la conductividad de
éste y, a su vez, la corriente que pasará por el mismo cuando se aplique un volhje uDs.

4.1.4 Aplicación de un uDs pequeño

Una vez inducido un canal, ahora se aplica un voltaje positivo uDs entre el drenaje y la fuente,
como se muestra en la figura 4.3. Primero considere el caso en que z6 es pequeño (es deci¡
50 mV, más o menos). El voltaje z¿s hace que circule una corriente iD por el canal n inducido.
La corriente es transpofada por elechones libres que se desplazan de la fuente al dtenaje (por
eso se les denomina fuente y drenaje). Por convención, la dirccción del flujo de la coriente es
opuesta a la de la carga negativa. Por tanto, la corriente en el canal, jo, será de drenaje a fuente,
como se indica en la figura4.3. La magnitud de l¡ depende de la densidad de electrones en
e1 canal, que a su vez depende de la magniiud de ucj. De manera específica, para a65 = V,, el
canal sólo es inducido y la corriente conducida sigue siendo insignificante. A medida que u6,
empieza a exceder V,, más electrones son atraídos hacia el canal; se puede visualizar el aumento
de pofadores de carga del canal como un aumento en la ptofundidad del canal. El resultado es
un canal de conductancia aumentada o, lo que es equivalente, de resistencia reducida. En rea-
lidad, la conductancia del canal es proporcional al exceso de volt¿je de compuerta (acs - V ,) ,

4 yr
En algunos libros se utiliza para denota¡ el voltaje de umbral. Aquí se utiliza V, para evitar confusión
con el voltaje térmico Yr.
7

24o Ó cAPfTUto 4 rRANstsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

(pequeño)

FIGURA 4,3 Un transistor NMOS con ¿cs > y, y con un pequeño uDs aplicado. El dispositivo ac¡la como
¡esistencia cuyo valor está determirado por,cs. De manera especíñca, la coúductancia del canal es proporcional
a rrcJ = y¡ y, por ta¡to, ,; es p¡opo¡cional a (2/cs - y)¿br. Tome eD cuenta que la región de agotamiento no se
muestra (para r¡ayor simplicid¿d).

también conocido como voltaje efectivo o voltaje de sobrecarga. Se deduce que la coriente
l¿ será proporcional a u65 - V, y, por supuesto, al voltaje uo5 que hace que r, fluya.
En la figura 4,4 se muestra una gnáfica de dp ftente a uDs para varios valores de zo". Se observa
que el MOSFET opera como resistencia lineal con valor controlado por ?cs. La resistencia es
infinita para u6" S V,, y su valor disminuye a medida que rcs excedeV,.

¡;(rnA)

0.4 l.tcs=Y+2Y

t,as=y.+1.5V

t,c,s=\+ lV

265: V, * 0.5V

úcs s V,

FIGUIA 4./l Las caracteísticas iD-¿br del MOSFET de la figu¡a 4.3 cualdo el voltáje aplicado ent¡e el
drcnaje y la fuente, ,Dr, se conserva p€qüeño. El dispositivo opera como resistor li¡eal y sus valores están
controlados por ¿'cr.
a-

4.',| ESTRUCTURA DEL DtspostTtVO y OpERACtóN FfStCA 241

@

La descripción anterior indica que para que el MOSFET conduzca, tiene que inducirse un
canal. Entonces, al sobrepasar rrcJ el voltaje de umbral V, enriquece el canal, lo quejustifica los
nombres de operación en modo de enriquecimiento y MOSFET del tipo de enriquecimiento.
Po¡ último, se obsewa que la corriente que sale de la terminal de la fuente (is) es igual a la que
entra en la terminal del drenaje (t¿), y que la corriente de compuerta es iG = 0.

4.1.5 Operación a medida que uDs aumenta

Ahora se considera la situación a medida que lDJ aumenta. Con este propósito, zoJ se manten-
drá constante a un valoi mayor que y,. Tome como referencia la figura 4.5 y observe que uo,
aparece como caída de voltaje a 10 laryo del canal. Es decir, a medida que se recorre el canal de
la fuente al drenaje, el voltaje (medido en relación con la fuente) aumenta de 0 a ¿/Ds. Por tanto,
el voltaje entre la compuerta y los puntos a 1o largo del canal disminuye de uo, en el extremo de
la fuente a r/cs zrr en el del drenaje. Debido a que la profundidad del canal depende de este
voltaje, encontrará que el canal ya no tiene profundidad uniforme; en cambio, tomará la forma
de huso que se muesba en la figura 4.5, que es más profunda en la fuente y más superficial
en el extremo del drenaje. A medida que uDJ aumenta, el canal se alarga más y su resistencia
aumenta de mangta correspondiente. Por tanto, la característica iD-rDs no continúa como recta
sino que se curya, como se muestua en la figu¡a 4.6. En algún momento, cuando ur5 llega al

FIGURA 4.5 Operación del rra¡sistor NMOS de effiquecimienro a medida que uDs aumenta. El canal in-
ducido toma forma de huso y su resistencia aumenta a medida que zDs crece. Aquí, zo, se mantiene constante
a un valor > Y¡.
242 Ó cAPfTUto 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

T*. -.1<- saruración ----------------

La línea se curva porque

La coÍiente se safura porque
la ¡esistencia del canal
el canal se comprime en el
arunenla con ¿bs.
ext¡emo del drcnaje, y ¿Ds ya
no afecta al canal.
Ca,si una línea rccta con
pendiente p¡opo¡cional
a (a6s - V) lcs ) V,

v,

FIGURA 4.6La coriente del drenaje iD frente al voltaje de drenaje a fuente x,Dr para un transistor NMOS
del tipo de enriquecimiento operado con ¿cs > y¡.

lalor V, que reduce el voltaje entre compuerta y canal en el extremo del drenaje (es decir,
a6p = V, o a65 - aps
= V¡ o aos= aes - V,),la profundidad del canal en el extremo del drenaje
disminuye casi a cero, y se dice que el caaal está estrangulado. El aumento de zp5 más allá
de este valor tiene poco efecto (en teoía, ninguno) en la forma del canal, y la corriente que lo
atraviesa permanece constante al valor alcanzado para u¡r = lrcs - y¡. Por tanto, la corriente de
drenaje se satura a este valor, y se dice que el MOSFET ha entrado en la región de saturación
de operación. El voltaje zo" en el que se presenta la saturación se denota uDssa,,

a¡s"n = a6s- V, (4.1)

Resulta obvio que, para cada valor de 265 2 V,, hay un correspondiente valor de u¿5.",. El dis-
positivo opera en la región de saturación si uDs > uDs.n. A la región de la característica iD-¿,Ds
obtenida para u¿5 < v¿s.", se le denomina región del triodo, como recuerdo de los días de los
dispositivos de bulbos cuya operación se parece a la del FET.
Como ayuda para conocer más a fondo el efecto de vos, enlafigva 4.7 se muestran dibu-
jos del canal a medida que uo, aumenta mienhas rcs se mantiene constante. En teoría, ningrín

r.t¡g>- a65 - V,

Drenaje

/¿s=0

FIGURA 4.7
El ai¡mento en rDs provoca que el canal adquiera fo¡ma de huso. A la larga, a medida que ¿,Ds
yr el canal se comprime en el exttemo del drenaje. El incremento en rrs por aÍiba de rros
llega a ucs - - 4 tie¡e
poco efecto (en teoda ninguno) en la forma del canal.
 4.1 ESTRUCTURA DEL DrSPOSrrrvo y OpERACTóN FISTCA
c 243

aumento en uDs por arriba de u¿5* (que es igual a 265 - V) tiene efecto en la forma del canal
y simplemente aparece a lo largo de la región de agotamiento que rodea al canal y la región
nt del drenaje.

4.1,6 Obtención de la relación ri-z¿5

La descripción de la operación flsica ya presentada se puede utilizar con el fin de obtener una
expresión para la relación ir-urr descrita en la figura 4.6. Para ello, suponga que se aplica un
voltaje ?6J entre la compuerta y la fuente, y que u65 > V, para inducir un canal. Además, suponga
que se aplica un voltaje uDs entre el drenaje y la fuente. himero se considera la operación en
la región del triodo, para 1o cual el canal debe ser continuo y, por tanto, u65 debe ser mayor
que V, o, lo que es equivalente, ups < a6 - V ,. En este caso, el canal tendrá la forma de huso
que se muestra en la figura 4.8.
El lector recordará que en el MOSFET la compuerta y la región del canal forman un conden-
sador de placas paralelas y que la capa de óxido sirve como dielectrico. Si la capacitancia por
unidad de área de compuefa se denota C,, y el grosor de la capa de óxido es t ,, entonces

n _ €o,
._ (4.2)
,*
donde eo, es la permisividad del óxido de silicio,

eo,'= 3.g€o= 3.9 x 8.854 x l0-r2 =3.45 x l0-rr F/m

El espesor del óxido ,o* está determinado por la tecnología del proceso empleado para fabricar
el MOSFET. Como ejemplo, parato.'= 10Írr", Cot=3.45 x. 1[3 F/m2, o 3.45 fF/pm2 como
suele expresarse,
Ahora revise la figura 4.8 y considere la franja infinitesimal de la compuerta a la distancia x
apartb de la fuente. La capacitancia de lafnnla es C *W dx. Para encontrar la carga almacenada
en esta franja infinitesirnal de la capacitancia de la compuerta, se multiplica la capacitancia

Oxido

Capacitor de valor
C"JV dt

_ dzt(x)

trt

FIGURA 4¡ Determinación de la ca¡actelstica iD-rDs del transistor NMOS.

-

244 3 cApfruto 4 TRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

por el wlnje ef<icüyo entre la compuerta y el canal en el punto ¿ donde el voltaje efectivo
es el responsable de inducir el canal en el punto J es, por tanto [ao, a(x) VJ, donde v(x) - -
representa el voltaje en el canal en el punto r. Se deduce que la carga del elect'n dq eÍ la
porción infinitesirnal del canal en el punto -r es

. dq = -c.,(w dx)lvcs - u(¡) - 4l (4.3)

donde el signo negativo indica el hecho de que d4 es una carga negaüva.

El voltaje uDs produce un campo eléctrico a lo largo del canal en la dirección negativa,r.
En el punto.r este campo puede expresarse como

E(x\ = -du(xl
dt
El campo eléctrico E(t) hace que la carga del el*tr6n dq se desplace hacia el drenaje con una
velocidad dxldt,

dx da( xl
p,ii (4.4)
¿¡ = -piE(x') =
donde ¡zn es la moviüdad de los electrones en el canal (denominada movilidad superficial). Es
un parámetro ffsico cuyo valor depende de la tecnología del proceso de fabricación. La corriente
.de desplazamiento resultante i se obtiene de la siguiente manera:

.do
t= dt
dq4!
= d:c d.t

Al sustinrir la carga por unidad de longi trtd. dq/ dx enla eatación (4.3), y la velocidad de des-
plazamiento del electrón drc/ dt enla e{uación (4.4), se obtiene

i = - p,C.,W[u6s - a(x.) - V,]d1r9)

Aunque está evaluada en un punto determinado del canal, la coniente i debe ser constante
en todos los demás puntos a lo latgo del mismo. Por tanto, i debe ser igual a la corriente de
la fuente al drenaje. Debido a que lo que inferesa es la coriente del drenaje a la fuente ir, es
posible encontrarla como

i D = - i = pgoxvlv6s - a(x,¡ - V,1!!

que puede reorganizarse en la forma

iodx = p,C.,W[vqr-V,- a(x)l da(x)

Iritegrando ambos miembros de la ecuación desde ¡ = 0 hasta ¡ = I y, de manera correspon-

diente, de a(0) =O a {l) = pN

.L :DS
l¡od"= | p.C^Wlaos- Vt- a(x)ldalx)
Jo Jn

se obtiene

t"= (p,c*)Hl@^-v,),^-t3.s] (4.5)

7 -\

4.I EsTRUcTURA DEL D¡sPosITIVo Y oPERAcIÓN ,,,,.o $ ,n,

Esta es la expresión de la caracteistica iD-u¡5 en la región del triodo. El valor de la cordente

en el extremo de la región del triodo o, de manera equivalente, al principio de la región de
saturación, se obtiene al sustituir zrr = uor - V' que da como resultado

i, = f,<
a"c.,t(S <oo, - v,)' (4.6)

Esta es la expresión para la caractefstic a ir-uo, en la región de saturaciónl simplemente da

el valor de satunción de iD corespondiente al ur5 dado. (Recuerde que en la saturación l¿
permanece constante para cierto ?cs mienfas ¿,Ds vaía.)
En las expresiones de las ecuaciones (4.5) y (4.6), p,C,, es una constante determinada por
la tecnología de proceso utilizada para fabricar el MOSFET de canal ¿. Se le conoce como pa-
rámetro de transconductancia del proceso; la raz ón es que, como se verá en breve, determina
el valor de la transconductancia del MOSFET; se denota con ti y tiene unidades de A/V2,

k:= p"c., (4.7)

Por supuesto, la expresión ir-uo, de las ecuaciones (4.5) y (4.6) puede escribirse en términos
de fr, como sigue:

(Región del triodo)

i, = 4Y"l<" o - v,¡
" ",
- Lú | (4.5a)

io=lr;!1,^-v,¡' (Región de saturación) (4.6a)

En este libro se usarán las formas con (p,C,,) y con tj de manera indistinta.
En las ecuaciones (4.5) y (4.6) se ve que la corriente del drenaje es proporcional al cociente
entre el ancho del canal W y su longitud I,, conocido como relación de aspecto del MOSFET.
El diseñador puede seleccionar los valores de I4l y L para obtener las curvas caracteísticas i-u.
Sin embargo, para un proceso de fabricación dete¡rninado, hay una longitud de canal mínima,
2.t". En realidad, la longitud mínima posible con un proceso de fabricación dado se usa para
caracterizar el proceso y se reduce de maneta consistente a medida que la tecnología avanza.
Por ejemplo, en el momento de escribir este libro (2003), lo rlltimo en la tecnología MOS es un
proceso de 0. 13 ¡.rn, lo que significa que para este proceso la longinrd de canal mÍnima posible es
0.13 pm. También hay un yalor mínimo para el ancho de canal W. Por ejemplo, para el proceso
de 0.13 pm recién mencionado, W.¡, es 0.16 ¡rrn. Por último, se debe tomar en cuenta que el
grosor del óxido t^ se reduce junto con ¿.rn. Por tanto, para una tecnologla de 1.5 ¡tm, t", es
de 25 nm, pero para la modema tecnología de 0.13 ¡zm mencionada antes tiene un tox= 2 nm.

Conside¡e una lecnología de proceso pa¡a la que ¿,,,,, = 0.4 ¡¡n , t", = 8 t:lir', p, = 450 cm2lV. s y
V' =O.7 v.

a) Encuentre C", y ,ti.

ó) Para un MOSFET conW / L = 8 ltm/O.81a4 calcule los valores de ycs y yDsúú, necesarios para
operar el transistor en la región de saturación con una corriente de dc de 1D = 100 p{,
c) Para el dispositivo en b), encuentre el valor de yc, requerido para hacer que opere como r¡n
resistor de 1000 Cl para un uDr muy pequeño.
246 O cApfTuto,f rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

Solución
r- 3.45x l0_1r
a) c"" - to,- = 4-32x lo.l Flm2
8x10-
= 4.32 fFl pmz
k: = p,Q * = 4JQ 1qm') lv 's) x 4-32 (fF I ¡tmz )

= 450 \ 1o8 (prr] tv.s) x 4.32 x 10-15(F&m2)

= 194 x 10-6 (F/V.s)
= 194 pAlYz

á) Para la operación en la región de s¿tuación,

io=!r;Y¡ao,-v,¡r
Por tanto,

roo = 1e4 x¡ft(vcs,o.7)'?

lx
' lo cual da como resultado

V6"-O.7 = 0.32Y
o

vcs = l.o2 v
v
VDS'ft = Vcs-Y = O.32 V
c) Para el MOSFET en la región del triodo con uDr muy pequeño

ir= k,Yr@o, _ v,)ao,

a partir de la cual puede encontrane la resistencia de drenaje a fuente rDs como

,¡s
/os = -:-
I

|
¡D I pecueño
"¡s

= tf luY"<r^-r,¡1

Por tanto,

1000 =
194x 10{x l0(Ycs - 0.7)

que afoJa

V6s-0.7 =0.52Y

Por tanto,

Vcs= l'22Y
 -\

,a-
4.1 ESTRUCTURA DEL DlSPOslrlvo Y oPERACIÓN FlslcA lw 247

¡' r:

4.1.7 El MOSFET de canal P

Un MOSFET de canalp del úpo de enriquecimiento (transistor PMOS), fabricado en un sushato
tipo ¿ con regiones p+ para el drenaje y la fuente, tiene huecos como portadores de carga. El
dispositiyo opera de la misma manera que el de canal ¿, con la excepción de que u6s y úDs son
negativos, al igual que el voltaje de umbral V,. Además, la corriente lp entra por la terminal de
la fuente y sale por la del drenaje.
La tecnología PMOS dominó originalmente la manufactura de MOS. Sin embargo, como
los dispositivos NMOS pueden ser más pequeños y, por lo mismo, operan más rápido, y como
también históricamente el NMOS requeía menos voltaje de alimentación que el PMOS, la tec-
nología NMOS ha sustituido prácticamente a la PMOS. No obstante, es impoÍante familiadzarse
con el transistor PMOS por dos razones: aún se fabrican dispositivos PMOS para diseño de
circuitos discretos y, lo que resulta más importante, los transistores PMOS y NMOS se utilizan
en circuitos MOS comptementarios o CMOS, que es la tecnología MOS dominante.

4.1.8 CMOS o MOS complementar¡os

Como su nombre lo indica, la tecnología de los MOS complementarios emplea transistores
MOS de ambas polaridades. Aunque los circuitos CMOS son un poco más difíciles de fabricar
que los NMOS, la disponibilidad de dispositivos complementarios permite muchas opciones
para el diseño de circuitos. Por cierto, en la actualidad la del CMOS es la más útil de todas
las tecnologías MOS de circuitos integrados. Esta afirmación se aplica a circuitos analógicos
y digitales. La tecnología CMOS casi ha reemplazado a los diseños basados únicamente en
tansisbrés NMOS. Más aún, al momento de escribir este libro (2003), la tecnología CMOS se
usaba en muchas aplicaciones que hace pocos años sólo eran posibles con dispositivos bipolares.
En todo este libro se estudian muchas técnicas con ci¡cuitos CMOS.
En la figura 4.9 se muesfta el corte transversal de un chip CMOS que ilusfta cómo se fabrican
los transistores PMOS y NMOS. Observe que mientras el NMOS se implanta directamente en
el sustrato tipo p, el transistor PMOS se fabrica en una región ,? especialrnente creada a la que
se le conoce como pozo ,t. Los dos dispositivos están aislados entre sí por una región gruesa
de óxido que funciona como aisla¡te. No se muestran en el diagrama las conexiones hechas
en el cuerpo tipo p y el pozo z, La última conexión sirve como terminal del cuerpo para el
transistor PMOS.
7 \

248 I cApfTULo 4 rRANstsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

NMOS

óxido de
compuerta Polisilicio

FIGU¡A1.9 Corte transversal de un circuito integ¡ado CMOS, Observe que el transistor PMOS está formado
en una región titrr ,, sepa¡ada, conocida como po?,o ,. También es posible otro diseño en el que se emplea rm
cue¡po tipo r¡ y el dispositivo ¿ se forma en un pozo p. No se muestran las conexiones hechas en el cuerpo tipo
p ni en el pozo n; este último funciona como la terminal del cuerpo para el dispositivo del canal p.

4.1.9 Operación de un transistor MOS en la región del subumbral

ta descripción anterior de 1a operación del MOSFET de canal z indica que para u6s <V,, no
pasa cor:riente y el dispositivo está en corte. Esto no es completamente cierto, porque se ha
visto que en el caso de valores de u65 inferiores, pero cercanos a Vr, fluye una coriente de
drenaje pequeña. En esta región de suburnbral de la operación, la corriente de drenaje está
relacionada exponencialmente con u65, de manera muy parecida a la relación l.-u6¿ de un BJT,
como se verá en el siguiente capltulo.
Aunque el transistor MOS opera en casi todas las aplicaciones con u65 > V,, hay una cantidad
especial pero creciente de aplicaciones que usan la operación de subumbral. En este libro no
se analizará más la operación de subumbral y se remite al lector a la lista de ¡eferencias que
se encuentra en el apéndice F.

4,2 CARACTERíSTICAS CORRI ENTE-VOLTAJE

A partir de las bases físicas establecidas en la sección anterior para la operación del transistor
MOS de enriquecimiento, en esta sección se presentan sus caracterlsticas coriente-voltaje. Estas
características pueden medirse en dc o a bajas frecuencias, por lo que se les llama caracteísticas
estáticas. I-os efectos dinámicos que limitan la operación del MOSFET a altas frecuencias y
velocidades altas de conmutación se analizarán en la sección 4.8.

4.2.1 Símbolo del circuito

En la figura 4.10a) se muestra el símbolo de circuito de un MOSFET de canal n del tipo de
efflquecimiento. Observe que el espacio entre las dos liEas verticales que representan la com-
puerta y el canal indica que el electrodo de la compuerta está aislado del cuerpo del dispositivo.
La polaridad del sustrato de tipo p (cuerpo) y el canal n está indicada por la punta de flecha en
la línea que representa el cuerpo (B). Esta punta de flecha indica la polaridad del transistor (es
decir, se trata de un dispositivo de canal n).
Aunque el MOSFET es un dispositivo simétrico, suele resultar útil al diseñar circuitos para
designar rma de las terminales como la fuente y la otra como el drenaje (sin tener que escribir S
y D junto a ellas). Esto se loga en el slmbolo de circuito modificado que se muest¡a en la figura
4.10á). Aquí se coloca una punta de flecha en la terminal de la fuente, con lo que se distingue
de la terminal del drenaje. La flecha apunta en la dirccción normal del flujo de corriente y por
 4.2 cARAcrERfsrrcAs coRRrENrE-voLrAJE $ ,n"

,-_l -J
D

-l '1
"*--ll*---., .*-l[--", "*-J[
-_J
-l
a) b') c)

¡lGUnA 4.1O ¿) Símbolo de ci¡cuito de un MOSFBT de effiquecimiento de canal ¡r. á) Símbolo de circuito
modificado con una p¡mta de flecha en la terminal de la fuente para distinguida de la del drenaje y para indicar
la polaridad del dispositivo (es decir, caaal z). c) Slmbolo de circuito simplificado que habrá de usarse cuando
la fuente esá conectada con el cuerpo o cuando es poco impofante el efecto del cue¡po en la operación del
dispositivo.

tanto indica la polaridad del dispositivo (es decir, caaal z). Observe que en el símbolo modi-
ficado no es necesa¡io mostrar la punta de flecha en la línea del cuerpo. Aunque el símbolo
del circuito de la figula 4.10b) distingue claramente la fuente y el drenaje, en la práctica es la
polaridad del voltaje iripreso a través del dispositivo la que determina la fuente y el drenaje;
el drenaje siempre es posítiyo con respecto a la fuente en un FET de canal n.
En aplicaciones donde la fuente está conectada al cuerpo del dispositivo, es posible una
mayor simplificación del símbolo del circuito, como se indica en la figura 4.10c). Este símbolo
también se usa en aplicaciones donde no es importante el efecto del cuerpo en la operación del
circuito, como se verá más adelante.

4,2.2 Las características ,;-uDs

En la figura 4.11a) se muestra un MOSFET de canal n del tipo de enriquecimiento, con voltajes
u65 y u¿5 aplicados y con las di¡ecciones normales de flujo de corriente indicadas. Es posible
emplear este circuito conceptual para medir las caracterísücas ,;-¿,Ds, que son una familia
de curvas, cada una medida a un ¡/cs constante. A partir del estudio de la operación física
hecho en la sección anterior, se espera que cada una de las curvas l¿-v¿5 tenga la forma que
se muesha en la figura 4.6. Éste es el caso, como se hace evidente a partir de la figura 4.11b),
la cual muestra un conjunto fpico de características ip-"Ds. Resulta esencial que el lector que
pretenda diseñax circuitos MOS adquiera una comprensión completa de las características de
las terminales del MOSFET.
Las curvas características de la figura 4.11b) indican que hay tres regiones de operación
diferentes: la región de corte, la ¡egión del triodo y la rtgión de saturación. La última se
usa si el FET habrá de oprar como amplificador. En el caso de que opere como interruptor,
se utilizan las regiones de cofe y del triodo. El dispositivo está en corte cuando ucs <V,.Para
operar un MOSFET en la región del triodo, primero se debe inducir un canal

a6s ) V, (canal inducido) (4.8)

y luego mantener uDs lo suficientemente pequeño para que el canal siga siendo continuo. Esto
se logra al asegurar que el voltaje de compuefa a drenaje sea

zr, > V, (canal continuo) (4.e)

Esta condición se puede enunciar explícitament€ en términos de uo3 si se escribe u6p= a¡;51
¿¡sD = ¿,cs - i/Ds; por tarto,
aG<-:d¡t.>Vl
-

25o é cAPfTUto 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

tD (mA)

+
TrDs

r,/cs
= % (corte)
a) b)
flct RA ¡l.t I a) MOSFET de canal del ¡ipo de en¡iquecimiento con ¿'cs y ,Ds aplicados y con las di¡ec-
',
ciones normales de flujo de coniente indicadas. á) Las ca¡actefsticas iD-rr¿s de un dispositivo ccrt k:(W / L) =
1.0 fnAJV'.

que puede reorganizarse para obtener

úos 1úcs - V, (canal continuo) (4.10)

Es posible usar las ecuaciones (4.9) o (4.10) para evaluar la operación en la región del triodo.
En otras palabras, el MOSFET de can¿l n del tipo de enriquecimiento opera en la región del
triodo cuando acs es ntttyor que V,y el voltaje del drenaje es menor que el d.e la compuertd
en V,volts, cuando menos.
En la región del triodo, las caracteísticas ip-up5 se pueden describir con la relación de la
ecuación (4.5), que se repite aquí,

i r = fiY"l {a 6 5 - v,)
",
r - t }r 4 (4.11)

donde k',= p,C.,es el parámetro de transconductancia del proceso; su valor esá determinado
por la tecnología de fabricación. Si u¡5 es lo suficientemente pequeño como para omitir el
término uir en la ecuación (4.1I ), se obtiene, para las características ,;-"Ds cercanas al origen,
la relación

io - kiY"@.r- v,)vo, (4.t2)

Esa relación lineal representa la operación del transistor MOS como una resistencia lineal
/Ds, con valor controlado por u65. De manera específica, si se asigna a u65 un valor V65, t"p5
está dado por

= - v,t] (4.13)
',, ff lr,,*,,", l,: !<v ",
=

En la sección anterior se analizó esta región de operación (revise la ñgura 4.4). También es
útil para expresar rDs en términos del volt4¡e de sobr€carga de cornpuerta a fuente,

Vov =Ve s- V, (4.14)

 4.2 cARAcrERfsrrcAs coRRrENrE-voLTAJE | ,ut

,,, = tf lt;ff)r",] (4.r5)

Por último, se recomienda al lector que demueste que la aproximación incluida en la

escritura de la ecuación (4.12) se basa en la suposición de que ur, 4 2 Vor.
Para operar el MOSFET en la región de saturación debe inducirse un canal,

za. ) V, (canal inducido) (4.16)

y comprimirlo en el extremo del drenaje al aumentar úDs a un valor que dé como resultado la
caída del yoltaje de compuefa a drenaje por abajo de V,,

u6p I V, (canal comprimido) (4.11)

Esta condición se puede expresar explícitamente en términos de uDs como

u¿s ) ucs - V, (canal comprimido) (4.18)

En otras palabras, el MOSFET de canal n dcl tipo de enriquecimiento opera en la región de

saturación cuando u6s zs mnyor que V, y el voltaje del dreneje no cae por abajo del de la
compuerta más de Vtvolts.
La frontera entre la región del triodo y la de saturación se caracteriza por

ae5 = a65-V, (frontera) (4.19)

La sustitución de este valor de uDs en la ecuación (4.11) da el valor de saturación de la corriente

l¿ como

i,= l+Yr{ocs-v,\' (4.20)

Por tanto, en saturación, el MOSFET proporciona una coniente de drenaje cuyo valo¡ es in-
dependiente del voltaje de drenaje 1,Ds y estií deteminada por el voltaje de la compuefa 265,
de acuerdo con la relación de la ley de los cuadrados aplicada en la ecuación (4.20), de la que
se muestra una gráfica en la figura 4.12. Como la coniente del drenaje es independiente de
su voltaje, el MOSFET saturado se comporta como una fuente ideal de coniente cuyo valor
está controlado por uq5 de acuerdo con la relación no lineal de la ecuación (4.20). En la figura
4.13 se muestra una representáción de circuito de este aspecto de la operación del MOSFET
en la región de satuación. Tome nota de que se tratá de un modelo de circuito equivalente
a gran señal.
Si se revisan las ca¡acteísücas lp-u¿5 de la figura 4.11b), se observa que la frontera entre
las regiones del triodo y de saturación se muestra como una cutva de guiones. Debido a que
dicha curva estiá caracterizada por ars = v65 - V', su ecuación se encuentra al sustihrir ucs - %
con u¿5 ei la ecuación de lia región del triodo (4.11) o en la de la región de satumción (ecuación
4.20). El resultado es
.
tD=
1,,W z
(4.2t)
tKnll)Ds
Debe observarse que las caracteísticas descritas en las figuras 4.4. 4.ll y 4.12 son para un
MOSFET con ki(W / L) = 1.0 mtw" y V, = | V.
Por último, en la gn4fica de la figura 4.14 se muestran los niveles relativos de los voltaies
de las terminales del transistor NMOS del tipo de enriquecimiento para operar en las regiones
del triodo y de saturación.
 \
-

,t, J cApfTuto 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

iD (mA)

2.O

1.5

1.0

0.5

.FIGURA 4.12 La característica iD-?rcs de un transisto¡ NMOS del tipo de e¡riquecimie¡to en s¿tur¿ción
lV,= IY, k¡"\W /L)= l.O rñlw¿).

ltcs >- Vt
aoszücs-V¡
t¡os2ttcs-V,
FIGUFA¡l'.13 Modelo de circüto equivatrente a gran señal d€ un MOSFET de canal z que opera e¡Lla región
de sa¡uraciór.

Volt¿je il
il

Voltaje de il

Il(ll
sobrecarga Saturaciótr

T ¿14
Umbral I trioao FIGURA L,gs niveles relativos de los
voltajes etr las termi¡ales del *¿nsistor NMOS
s de enriquecimiento pam operación en las regio-
nes del triodo y de s¿turación.
 4.2 cARAcrERlsrrcAs coRRTENTE-voLTAJE @ ,se

4.2.3 Resistencia be salida finita en saturación

La ecuación (4. 1 2) y su correspondiente circuito equivalente a gran señal de la figura 4. I 3 indican
que en saturación, iD es independiente de uDs. Por tanto, un cambio en el voltaje de drenaje
a fuente lleva a un cambio de cero en rr, lo cual indica que la resistencia
^vDs incremental que se
busca en el drenaje de un MOSFET saturado es infinita. Sin embargo, esto es una idealización
basada en la premisa de que una vez que el canal está comprimido en el extremo del drenaje,
un mayo¡ aumento en Ds no tiene efecto en la forma del canal. En la práctica, el aumento de
u¿5 más allá de z¿5,o, afecta de algín modo al canal. De manera específica, a medida que z¿5
aumenta, el punto de compresión del canal se alEa ligeramente del drenaje hacia la fuente.
Esto se ilustra en la figura 4.15, en la que se observa que el voltaje a través del canal permanece
constante en ucs - y/ = ?/Ds.d y el voltaje adicional aplicado al drenaje aparece como una caída
de voltaje a ftavés de una región de agotamiento estrecha entre el extremo del canal y la región
del drenaje. Este voltaje acelera los electrones que alcanzan el extremo del drenaje del canal
y los bare de la región de agotamiento hacia el drenaje. Sin embargo, tome en cuenta que (al
ensancharse la capa de agotamiento) la longitud del canal se reduce, de Z a Z fenómeno
conocido como modulación de la longitud del canal. Ahora, debido a que t, es^¿, inversamente
proporcional a la longitud del canal (ecuación 4.20), i, aumenta con ?Ds.

i
tl
F<- ¿
I

FIGURA 4,15 El aumento de zo5 más allá de ¿Drsar hace que el punto de compresión del canal se aleje lige-
ramente del drenaje, lo que reduce la longitud real del canal (en
^¿).
-

254 Ü cAPfTUt-o 4 TRANstsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

Para explicar la dependencia de i, con respecto a lbs en saturación, se reemplaza Z en la

e¡uación (4.20) con L - AZ para obtener

i,=l*;r\r{'^-v,)"
=!rr;Y=árm(oes-v')'

= \r;YJr +^])<oo,-v,t'
donde parrirnos de la suposición de que ( L/L) < 1. Ahora, si se supone que AZ es propor-
cional a u¿5,
A,L = Iaos
donde ,t' es un parámetro de la tecnologfu del proceso con unidades de ¡.rn/V, se obtiene para ir,
i, = luYr(r *!,o)s6s-v,¡'
Por lo genenl, 1' / L se denota .1,

. "t
o= T.
De lo que se desprende que ,i,es un panámefo de la tecnología del proceso con unidades de \fl
y que, paftr un proceso determinado, ,1, es inversamente proporcional a la longitud seleccionada
para el canal. En términos de ,1, la expresión para I se vuelve

io = f,r ;!1o - v,¡2 1t + ).v,,¡ (4.22)

^
Un conjunto lpico de la caracteísüca ¿;-uos que muesfa el efecto de la modulación de la lon-
gitud del canal se presenta en la figura 4. 16. La depndencia lineal observada de r; con respecto
a zrr en la región de satu¡ación se representa en la eanción (4.22) con el factor (l + ,l,ur")-
En la figura 4.16 se observa que cuando las rectas de las características iD-uDs se extrapolan

lcs-V=2Ov
Saturación

v,: l.5v

./} '/ Pendiente =

t/
ucs-Vr:1.0V
-'..--.-
-:-_--'------- _ ¿cs - V':0,5V
-V¡ : -ll)¡ !Ds

z)6 - Vr4O

FIGURA /l.l6 Efecto de ¿Ds sobre iD en la rcgión de saru¡¿ción. El parámeho y¡ del MOSFET depetrde de
la tecnologla del proceso fpa¡a un prcceso detemi¡¡ado, es proporcional a la longitud del canal ¿.
 4.2 cARACTERfsTrcAs coRR rENrE-voLrAJ E| ,tt

ic=0

FIGURA 4.1t Modelo de circuito

equivalente MOSFET
a gran señal del
de canal ¿ en satuación; inco4rora la
resist€ncia de salida r,, que modela
la dependencia lineal de iD respecto
de uDr y está dada por la ecuación
(4.22).

intersecan el eje uDs en el prmto ups = -V¿, donde V,a es un voltaje positivo. Sin embargo, la
ecuación (4.22) indica que ip = 0 en up5 = -1lL Se deduce que

v^=;
y, por tanto, yÁ es un parámetro de la tecnología del proceso con unidades de V. Para un proceso
determinado, yá es proporcional a la longitud del canal.L que el diseñador selecciona para un
MOSFET. Al igual que en el caso de 2, es posible aislar la dependencia de y,4 con respecto a
Z al expresarla como
V¡ = VÁL
donde V,i es dependientapor completo de la tecnología del proceso y sus unidades son V//rn. Por
lo general, V,i cae en el intervalo de 5 a 50 V/lim. El voltaje y,{ suele considerarse el voltaje de
Ear1y, en honor de J. M. Early, quien descubrió un fenómeno similar para el BJT (capítulo 5).
Enlaecuación (4.22) se indica que cuando se toma en cuenta la modulación de longitud del
canal, los valores de saturación de iD dependen de ?Ds. Por tanto, para un ucs dado, un cambio
Au¿s produce un cambio A¿; correspondiente en la coriente del drcnaje lo. De esto se desprende
que la resistencia de salida de la fuente de corriente que representa iD en la satuación ya no es
infinita. Al definir la resistencia de salida ro como)

f ái¡Tl
', - Lrrrrl,"" (4.23)
-**,"
y usando la ecuación (4.22) se obtiene

," =lt\Y"<v.,-v¡l-' (4.24)

que puede escribirse como

=n; 1
(4.2s)

o, lo que es lo rnismo,
_v^ (4.26)
ID
donde 1, es la corriente del drenaje sin tornaf en cuenta la modulación de longitud del canal,
es decir,

6=lt;{s^-v,1'
Por tanto, la resistencia de salida es inversamente proporcional a la corriente del drenaje. Por
rlltimo, en la figura 4.17 se muestra el modelo de circuito equivalente a pequeña señal incor-
porando rr.

5
En este lib¡o usamos r, pata denotar la ¡esistencia de salida en saturación y /Ds para la resistencia de
drenaje a fueote en la región del triodo para un ?D( p€queño.
-

256 lry cAPÍruLo 4 rRANstsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

4.2.4 Características del MOSFET de canal p

En la figura 4.18a) se muestra el símbolo de ctcuito para el MOSFET de canal p del tipo de
enriquecimiento. En la figura 4.18á) se muestra un símbolo de circuito modificado en el que
se incluye una punta de flecha en la terminal de la fuente que señala en la dirección normal
del flujo de corriente. Para el caso en que la fuente está conectada a un sustrato, suele usa¡se
el símbolo simplificado de la figura 4.18c). Las polaridades de voltaje y corriente para la ope-
ración normal aparecen indicadas en la figura 4.18d). Recuerde que en el caso del dispositivo
de canal p el voltaje de umbral V, es negativo. Para inducir un ca¡al se aplica un voltaje de
compuerta más negativo que Y¡,

u65 I V, (canal inducido) (4.27)

a) b)

úGs
+

a
FIGURA 4.f 8 a) Símbolo de circuito para el MOSFET de canal p del tipo de enriquecimiento. á) Símbolo
modificado con una punta de flecha en la conexión de la fuente. c) Símbolo de circuito simpliñcado para el caso
en que la fuente estí conectada al cuerpo. d) El MOSFET con volraje aplicado y las di¡ecciones del flujo de la
y
cor ente indicadas. Obsewe que ,cs Ds son negativos e ¡D sale de la terminal del drenaje.
-

4.2 cARAcrERlsrrcAs coR Rt E NrE-voLTAJ EQ ,tt

o, de manera equivalente,

> lv,l
"to
y se aplica un voltaje de drenaje que es nás negativo que el de la fuente (es decir, u¿5 es negativo,
o de manera equivalente, u5¿ es positivo). La corriente iD fluye fuera de la terminal del drenaje,
como se indica en la figura. Para operar en la región del triodo, u¿s debe satisfacer

aot2 aot - V, (canal continuo) (4.28)

es decir, el voltaje del drenaje debe ser rnás alto que el de la compuefa por lo menos en
ly,l.
La corriente ¿; está dada por la misma ecuación que para el NMOS (la 4.11), con la excepción
de que se reemplaza k;con k;,

io = kíYrl@ o, - v,)' r, - t& r] (4.29)

donde u65, V, y urr son negativos y el panámetro de transconductancia tj estri dado por

ki, = ttoc", (4.30)

donde y'b es la movilidaá de los huecos en el canal p inducido. Por lo general, ¡ro = 0.25
y depende de la tecnologla del proceso. ^O,sttn
Para operar en saturación, u¿5 debe satisfacer la relación

urt 3 u"t - V, (canal comprimido) (4.31)

es decir, el voltaje del drenaje debe ser menor que (voltaje de la compuerta + l%l). La coniente
r¿ está dada por la misma ecuación empleada para el NMOS ,la(4.22), rcemplaz¿mdo de nuevo
kicon k'0,

(t (4.32)
lt;Yr{o ^ -
i o= v,)2 + ),1) D s)

donde a6s,V,, ),y ur5 son negaüvos. Sin embargo, se debe tomar en cuenta que al evaluar r,
empleando las ecuaciorrcs (4.'2A\ a (4-26) debe usarse 1a magnittJd de ).y VA.
A manera dé resumen, para que el transistor PMOS conduzca, el voltaje de la compuerta
debe ser rnenor que el de la fuente al menos en
lV,l. Para operar en la región del triodo, el
voltaje del drenaje tiene que exceder al de la compuefa por lo menos en V, | ; de otra manera, I

el PMOS operará en saturación.

Por último, la gnáfica de la figura 4.19 proporciona una representación gráfica de estas
condiciones de operación.

Voltaje
*
[rJ--------T-

Voltaje de Saturación FIGURÁ 4.19 Los niveles relativos de los

sobrecarga il voltajes de las te¡minales del transistor PMOS
tl del tipo de eruiquecimiento para operac¡ón en
il las ¡egiones del Aiodo y de satu¡ación.
258 lW cAPfTuto 4 TRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

4.2.5 El papel del sustrato: el efecto del cuerpo

En muchas aplicaciones, la terminal de la fuente está conectada a la del sustrato (o cuerpo) B,
lo que produce la unión plr entre el sustrato y el canal inducido (véase la figura 4.5) con una
polarización constante de cero (en corte). En ese caso el sustrato no desempeña papel alguno
en la operación del circuito y puede ignora$e por completo.
Sin embargo, en circuitos integrados el sustrato suele ser común a muchos transistores MOS.
Para mantene¡ la condición de corte para todas las uniones de sustrato a canal, el primero suele
conectarse a la fuente de alimentación más negativa de un circuito NMOS (la más positiva en
un ci¡cuito PMOS). El voltaje resultante de polarización inversa entre la fuente y el cuerpo
(V5¿ en un dispositivo de canal n) afectará la operación del dispositivo. Para apreciar esto,
considere un ftansistor NMOS y haga que su susftato sea negativo en relación con la fuente.
El voltaje de polarización inversa ensanchará la región de agotamiento (revise la figura 4.2).
Esto, a su vez, reducirá la profundidad del canal. Para regresar el canal a su estado ante¡io¡,
tiene que inc¡ementarse ucs.
El efecto de V5¡ en el canal se representa de la manera más conveniente como un cambio
en el voltaje de umbral V,. Específicamente, se ha demostrado que el aumento en el voltaje de
polarización inversa del sustrato ysB produce un aumento en V,, de acuerdo con la relación

v, = v,o+ rlallpr+ v* - "[-zprl

(4.3 3)

donde V,¡ es el voltaje de umbral para V5¡ = 0; d/ es un par¡ámetro físico y (2/¡) suele ser 0.6
V; 7 es un parámetro del proceso de fabricación dado por

JrqN^t,
' c", (4.34)
 4.2 cARAcrERfsrrcAs coRRIENTE-voLTAJE S tt,

donde 4 es la carga del electón (1.6 x 10-19 C), No es la concentración de impurezas del sus-
trato lipop. y q es la permisividad del siliciolll.Trn= I1.7 x 8.854 x l0-la= 1.04 x 10-12
F/cm). El parámetro 7 tiene unidades de y suele ser 0.4 Vt2. Por último, tome nota de que
"Ñ
la ecuación (4.33) se aplica también a dispositivos de canal p con Vs, reemplazado con la
polarización inversa del sustrato, Vr, (como opción, reemplace V5¿ con lVsa l) y observe que
/ es negativo. Al evaluar ¡ debe reemplazarse No con Nr, la concentración de impurezas del
pozo a en que^se forma el PMOS. En el caso del dispositivo de canal p, 2S suele ser 0.75 V,
Y f= -0-5 Y1/2'
La ecuación (4.33) indica que un cambio incremental en yss da lugar a un cambio incre-
mental en y¡, lo que a su vez produce uno en l, aunque u65 se llegue a mantener constante. Se
deduce que el voltaje del cuerpo controla ip; por tanto, el cuerpo actúa como otla compuerta
para el MOSFEI fenómeno conocido como efecto de cuerpo. Aquí se observa que el par¡ámetro
7es conocido comg larámetro del efecto del cuerpo y puede causar mucha degradación en
la operación de un circuito, como se demostrará en el capítulo 6,

4,2,6 Efectos de la temperatura

Tanto V, como ft' son sensibles a la temperatura. La magnitud de V, disminuye casi 2 mV por
cada 1 oC de aumento. Esta disminución en V, I da lugar a un aumento correspondiente en la
I

corriente de drenaje a medida que la temperatura aumenta. Sin embargo, debido a que t' dismi-
nuye con la temperatura y su efecto es dominante, el efecto general observado de un aumento
en la temperatura es una reducción en la corriente del drenaje. Este interesante resultado se
aprovecha al aplicar el MOSFET en circuitos de potencia (capítulo 14).

4,2.7 Ruptura y protección de entrada

A medida que aumenta el voltaje en el drenaje, se alcanza un valor en el que la uni ót pn entre
la región del drenaje y el sustrato sufre la ruptura de avalancha (consulte la sección 3.7.4).
Esta ruptura suele ocurrir a voltajes de 20 a 150 V y produce un aumento más bien rápido en
la corriente (conocido como avalancha débil).
Otlo efecto de ruptura que ocurre a voltajes menores (unos 20 V) en dispositivos modemos
se deno4ina perforación Ocurre en dispositivos con canales relativariente cortos cuando se
aumenta el voltaje del drenaje al punto en que la región de agotaniento que rodea a la del drenaje
se extiende por el canal hasta la fuente. Entonces la corriente del drenaje aumenta rápidamente.
Por lo general, la perforación no causa un daño permanente al dispositivo.
Una clase de ruptura más ocurre cuando el voltaje de compuerta a fuente excede 30 V Se
trata de la ruptura del óxido de la compuerta y produce un daño permanente en el dispositivo.
Aunque 30 V parece elevado, debe recordarse que el MOSFET tiene una impedancia de enÍada
muy alta y una capacitancia de entrada muy pequeña, y que esas pequeñas cantidades de carga
estática que se acumulan en el condensadot de la compuerta pueden ocasionar que se exceda
su Yoltaje de ruptura.
a

260 O cAPfTUto 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

Para poder evitar la acumulación de carga estática en el condensador de compuerta de

un MOSFET suelen incluirse dispositivos de protección de la compuefa en las terminales de
entrada de los circuitos integados MOS . El mecanismo de protección emplea invariablemente
diodos de fijación de voltaje.

4,2.8 Resumen
A manera de referencia fácil se presenta en la tabla 4.1 un resumen de las relaciones corriente-
voltaje para los MOSFET del tipo de enriquecimiento.

Transistor NMOS
Símbolo:

,-+""-rd
,¡¡:0

Volt4ie d€ sobrrcarga:
V6v=tt65-V,
tot = Vr+ Vgy
Operación en I¡ región del ,nbdo
I Condiciones:
1) úo52V, é Vov>O
2)osp2V, e r¡s1a6s-V, é tosllov
I Caracterlsticas i-r,

gc r,r,, - Lúl
o=
^Yrlt,^ -
i

a Paraaor42Q45-V) a qs42Vsy

= y'lr.,,c",Yro.,-v)]
.,^= ,ou

Operación en la rcgiún & satarución3

I Condiciones:

l) v632V, a lov>O
2) 4p 3V, é lbs>I)es-Vt € uDS> vov

I Ca¡acterl$ticas i-r,

,' = la,c.,Yr<o^ - v,)2 (t + x.l)DS)

 4.2 cARAcrERfsrrcAs coRRTENTE-voLTAJ E| ,ut

Mod€lo €quivalente a gran señal:

-s,

," =
ltla^c.,1<v."-w'f-' =t
donde

6 = lp,c."Yrg^-v,¡'
Volteje de umbral:

v, = v,o+ y(Jlp¡p,l- J-2Or)

Parámehoc de pnceso:
c., = eo,/to" G/m')
kl= pic", (A/V'z)
vi = gA/L) (V/m)
1= (l/VA) (V{)
y = pqup,t c", 1vt/2¡
Const¡nt€s¡

6= 8.854 x 10-12 F/m

á",= 3-9to = 3.45 x 10-11 FÁa
s,= 11.7á{ = l.o4 x l0 io F/m
q = 1.602 x l0.re C

Tlansistor PMOS
Slrnbolo

""-t+""-r{
D D
ts¡=0
Volta$ de sobrtorga:

ttgy = rlgr- V,
os. = lvtl + lúrl (coüintut't
262 O cAPfruto 4 rRANstsroREs DE EFEcro DE cAMPo Mos (MosFET)

Características i-z
ñgunas relaciones iguales que para los transistores NMOS, excepto que:
I Se reemplaza 1,, t<',y N o con ¡t , k'o y No, respectivamente'

a V,,V,o,VA, T son negativos.

^ypara la operación en la región del triodo:
I Condiciones

l) Ú6s3V, e o6y30 e zsc > ly'l

2) aoo>lV,l e oDs> acs- Vt e aro3luot)
I Condiciones para la operación en la región de saturación:

l) Y, é uov<O <¡ ,ro > l%l

uc. <
2) z.oo<lv) e aorltto5-Y, e t'sp2la,)
I Modelo de circuito equivalente a gÉn señal
s

lyrl
, = lltl!a,c.,Y"rv - l4)']' = ID
" ",
donde

t, = lp,c",l1v*-1vS\

4.3 CIRCUITOS MOSFET DE DC

Una vez que se han estudiado las caracteísticas de coriente contra voltaje de los MOSFET'
ahora se an¿lizarán circuitos en los que sólo son impofantes los voltajes y las corrientes de dc.
Especlficamente, se presentará una serie de ejemplos de diseño y anáüsis de circuito MOSFET
de dc. El objetivo es animar al lector a que se familiarice con el dispositivo y adquiera la ca-
pacidad de realizar análisis de circuitos MOSFET de manera rápida y efectiva'
En los siguientes ejemplos, para simplificar el análisis y, por tanto, concentrar la atención
en la esencia de la operación del circuito MosFET, se pasará por alto la modulación de lon-
gitud de canal; es decir, se supondrá que 2 = 0. Tarnbién se encontrará conveniente trabajar en
términos del voltaje de sobrecarga; vev = Y65 - v, Recuerde que para el NMos' vt y v¿u son
positivos mientras que, para el PMOS, ambos son negativos. Para el PMOS, el lector preferirá
escribir V5o = IVGSI = lVtl + lvovl.
-

4.3 crRcurros MosFEr DE oa $ ,",

Diseñe el circuito de la figura 4.20 para que el kansistor operc a ID = 0.4 mA y V¿ = +0.5 V El
transistor NMOS tierrc.V¡=O] V, pnco,= IOO pNV2, L= I ttrf- y W =32 Lrn. Omita el efecto de
modulación de longinrd de canal (es decir, suponga que 2= 0).

V¡¡: t2.5Y

vss = -2'5 v FIGURA f.2O Circuito del ejemplo 4.2.

Solución
Como yD = 0.5 V es mayor que yc, el transistor NMOS opera en la región de saturación; se usa la
expresión de satu¡ación de iD para determinar el valor requerido de Vor,

t, = l¡t,c.,l<v^-v,¡'
At sustituir Vo, - V, =Vov, ID = O.4 Í11\= 4OO pA, p,C.,= lñ pAN2 y Wt L= 32l I se obtiene

4oo =:x@x3:úv
lo que da como resultado
Vov = OSY
Por tanto,

V6s = V,+Vsy = 0.7+0.5 = 1.2V

Tomando como referencia la figura 4.20 se observa que la compuefa está conectada a üerra. por
tanto, la fuente debe estar a -1.2 Y y el valor requerido de R5 se determina a part de

v"-v-"
n, = _rr*

-1,.2 - (-2.5\
= 3.25 kO

Pa¡a establecer un voltaje de dc de +0.5 V en el drenaje, se debe seleccionar Ro como sigue:

-
Voo
^ = -------;-
ñD
Vo
tD

=ff=src
264 S cApfTUto 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

Diseñe el circuito de la figura 4.21 para obtener una corriente 1¡ de 80 pA. Encuentre el valor requerido
para R y el voltaje de dc yr. El ransistor NMOS tiene y,= 0.6 Y &Cof 2OO pN\2,L=0.8 t1r\ y
W = 4 pm. Omita el efecto de la modulación de longitud del canal (es deci¡ suponga .l = 0).

VDD = +3V

fIGURA 4.2: Circuito del ejemplo 4.3.

Solución
Debido a que Vp6= 0, Vr= l/oy sl FET opera en la rcgión de saturación. Por tanto,

4 = !rp"c",Yrg^- v,¡'
I ^ W-l
= 2lJ^L.,7v ov

de la que se obtiene Vpu como

.. I 2t"
4p"c.,tw/ L)

= ¡liE=n.,,
200 x (4,/0.8)

Por tanto,

Vcs= Vt+Vov = 0.6+0.4 = 1V

Y el voltaje del drenaje será

VD = VG = +1V
El valor requerido para R puede encontrarse como sigue:

*- vpn- v,
ID
3 1=25ko
= o o,{o
 4.3 crRcutros MosFEr DE Dc @ 265

Diseñe el circuito de la frgva 4.22 para establecer un voltaje de drenaje de 0.1 V ¿Cuál es la re-
sistencia efectiva entre el drenaje y la fuente en su punto de operación? Sean V, = I V y k',(W / L)

VDD: +5V

FIGURA {.22 Circuito del ejemplo 4.4.

Solucirárr
Debido aque el voltaje del drenaje es menor que el de lacompueÍa por4.9 V y y¡ - 1 V eI MOSFET
opera en la región del triodo. Por tanto, la corriente está dada por

r, = 4Yrllv
",
- v¡v,, - tf, I
ro = t,,
[{s
- r)xo.r - j xo.or]
= 0.395 mA
-

266 I cAPfTULo 4 TRANstsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

El valor requerido para i¡ puede calcularse de la siguiente mariera:

vop - vp
R¡= ID
5-0.1
_03%_.,."..
En un problema de diseño práctico de un circuito discreto se selecciona el valor estándar más cer-
cano disponible para, por ejemplo, resistores de 57o (en este caso, 12 kQ); consulte el apéndice G.
Debido a que el transistor opera en la región del triodo con un V¿5 pequeño, la resistencia efectiva
de drenaje a fuente puede determinarse como sigue:

vos
,rt = j;

= ffi=zs:o

Analice el circuito mosaado en la figura 4.23a) para determinar el voltaje en todos los nodos y las
coüientes en todas las ramificaciones. Se a¡ Zt - lV y ki(W / L) = 1 mA/V2. Pase por alto el efecto
de la modulación de longitud del canal,

10v
I
t
Ror = l0 MO l RD:6kO 10 Mo

F -
+ to 6 tD

c +5V
6Io
Rcz = l0 MO

i
=
a)
l
l_
=
Rs=6kO 10 MO

b)
6ko

FIGURA 4.23 a) Circuito del ejemplo 4.5. ¿) El circuito con algunos detalles del análisis.
 4.3 crRcurros MosFEr DE Dc & 267

Solución
Debido a que la corriente de la compuerta es cero, el voltaje en ésta se dete¡mina simplemente por
el divisor de voltaje formado por los dos resistores de l0 MC),

vu=vooffi,. roz,f-.=.sv
Con este voltaje positivo en la compuerta, el t¡ansistor NMOS conducirá. Sin embargo, no se sabe
si el transistor estará ope¡ando en la rcgión de saturación o en la del triodo. Suponga la operación
en la región de saturación, resuelva el problema y luego revise Ia validez de su suposición. Obvia-
mente, si no resulta válida, tendrá que resolver el problema de nuevo para la opemción en la región
del triodo.
Revise la frgura 4.23b). Debido a que et voltaje en la compuena es 5 V y en la fuente es /, (mA)
x 6 (kQ) = f1o (\D, 5s ¡is¡g

Vcs = 5 6lo
Por tanto,lD está dada por

r, = )t ;Y,,1vo-v,f
I
2
lx(.5-6Io-1)2

que da como resultado la siguiente ecuación cuadrática en 1¿:

tstl-2stD+ 8 =o
Esta ecuación produce dos valorcs pa¡a 1D: 0.89 mA y 0.5 rtA. El primero se produce en un voltaje
de fuente de 6 x 0.89 = 5.34, que es mayor que el voltat'e de compuerta y no tiene sentido físico
porque implicaría que el transistor NMOS está en corte. Por tanto,

0.5 mA
0.5x6=+3V
Va;t=J-J=)\
YD=10-6x0.5=+7V
Debido que Vo > Vo y¡, el Íansistor opera en saturación, como se supuso al principio.
a -

. : . '. 4J4 P¿ii.:

,r'. . _,.,....tte.X

. Re6P' Rc1 = 1.6 I\tK!; l?62 =

26s {[ cAPfruto 4 TRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

Diseñe el circuito de la figttra 4.24 para qu,e el transistor opere en saturación con ID = 0.5 mA y V¿
= +3 V Si el ftansistor PMOS del tipo de eriquecirniento tiene V, = -1Y y k|,(W / L) = 1 mANz.
Suponga 2 = 0. ¿Cuál es el mayor valor que puede tener R, mienftas se mantiene la operación en
la región de saturación?

vDD = +5v

vD: +3v

/¡ : 0.5 mA
FIGURA /f.2/f Circuito del eiemplo 4.6.

Solución
Debido a que el MOSFET habrá de estar en saturación, es posible escribir

6=Lr4Yr{vor-v,t'

=)o;Y,""
Si se sustituye ID = 0.5 mAy k'ow / L = I mA/V2 y se recuerda que para un transistor PMOS yov
es negalivo, se obtiene

Vov = -lY

Vcs = Vt+Vov = -1-l = -2Y

Debido a que la fuente está en +5 V, el volraje de la compuerta debe estable{erse en +3 V Esto se
logra mediante la selección apropiada de los valores de Ro, y lRor. Una selección posible es Ro, =
2MOyRcr=3MQ.
El valor de R¡ puede encontlarse con

' RD=f=*a=u*t'
La operación en el modo de saturación se mantendrá hasta el punto en que yD exceda V6 en lV,l;
es dec4 hasta que

Vo.*=3+ 1= 4V
Este valor del voltaje del drenaje se obtiene con RD dado por

no=fi=s¡e
 4.3 crRcurros MosFET DE Dc ü 26,9

Los transistores NMOS y PMOS del circuito de la figura 4.25a) son coincidentes corr k',(W,/ L,) =
k'r(Wo/ L) = 1 mAN2 y V,,= -vr= 1 V. Suponiendo ,t = 0 para ambos dispositivos, encuentre las
corrientes del drenaje i¡¡e i¡¡, además delvoltaje v6para u¡= 0 Y +2.5 V y -2.5 V
+25V +2.5V

Qp Qr

¡,,"
{ I,^

-2.s y -2.5V
a) b)
+2.5 V

Qp

+2.5 y -2.5v
*t* I,^

-2.5 v
c) a
FIGURA 4.25 Circuitos del ejemplo 4.7.

Solución
En la figura 4.25b) se muestra el circuito para el caso en que v¡ = 0 V. Se observa que debido a que
Q¡ y @¿ coinciden perfectamente y operan a igual l76sl (2.5 V), el circuiro es simétrico, lo que
define que u¿ = 0 V Por tanto, Q¡ y @" operan con lVrol = 0 y, por tanto, en saturación. Ahora
pueden encontrarse las corrientes del drenaje a partir de

Ior = IoN = lxlx(2.5 D2

= 1.125 mA
A continuación, considere el circuito con ?, = +2.5 V El transistor 0p tendrá un ycs de cero y,
por tan¡o, estará en corte, reduciendo el circuito al mostrado en la flgura 4.25c), Tome nota de que
7-

27o W CAPÍTUL0 4 rRANsrsroRES DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

¿'o será negativo y, por ello, ¿cD se¡á mayor que y¡, haciendo que 0^, opere en la región del hiodo.
Por razones de simplicidad se supone que 1,Ds es pequeño y, por tanto, se usa

IDN
= k:(W ,/ L,) (V cs - V,)V os
= 112.s - (-2.5) - lllto- G2.s)l
Para el diagrama del ci¡cuito most¡ado en la figura 4.25c), también se puede escribir

O-¡r^
1ol tmA ) = *nfr
Estas dos ecuaciones pueden resolverse simultáneamente para arrojar

Ion = O.244 mt\ ao = 2.44 Y

Tome nota de que yD s = -2.44 ( 2.5.) = 6.66 y, Oo. pequeño, como se supuso.
Por último, la situación para el caso en que ! = "t-2.5 Y ffrgwa 4.25fi1será el complemento
exacto del caso r\ = +2.5 v: el transistor 0¡l estará en corte. Por tanto, 1D^/ = 0, Q¡ operará en la
región del triodo con loe=0.244mAy ut¡=+2.44V.

4.16 Los traisistores NMOS y PMOS delcircuito de lafigura E4.16 coirciden con ii Q7, /Lú)=k;(We/L)=f .rr.lfl2
y V,.=-V,p= I V. Supodendo 2=0paraamtros üspositivos, encuenfte las córrieítes del drenaje iDN e iDpy e7
voltaje uo para ¿,r = 0 V. +2.5 V y -2.5 V.
Resp. r,i =OV 0 rtr A- 0 mA. 0 V: u,: +2.5 V: 0.104 mr{ 0 mA. 1.04V;,/=-2.5V:0mA.0.104mA.-1.04V
+2,5 V
A
i

--!n'
I

Itt O_

4,4 EL MOSFET COMO AMPLIFICADOR

Y COMO INTERRUPTOR

En esta sección empieza el estudio del uso del MOSFET en el diseño de circuitos amplificado-
,"r.6 Lu bur" para esta importante aplicación del MOSFETes que cuando opera en la región de

6
En el capítulo I se presentó una introducciól a los amplificadores desde el punto de visna de las ter-
minales extemas (secciones 1.4 y 1.5), y seía útii que los lecto¡es que no está¡l familiarizados cofl
los conceptos básicos del amplificador revisaran parte del mate¡ial antes de seguir adelante con los
amplifrcadores MOS.
 4.4 EL MosFET coMo AMpL¡FrcADoR y coMo INTERRUeToR $ ,tt

saturación, actrla como fuente de corriente controlada por voltaje: los cambios en el voltaje de
compuerta a fuente ?cs producen cambios en la coniente del drenaje ir. Por tanto, el MOSFET
saturado puede usarse p¿tra crear \n amplificador de transconductanciq (consulte la sección
1.5). Sin embargo, debido a que el punto de intetés en la amplificación lineal ----es deci¡ en
amplificadores cuya señal de salida (en este caso, la corriente del drenaje i¿) está relacionada
linealmente con su señal de entrada (en este caso, el voltaje de compuerta a fuente ¿csF se
tendrá que evitar la rclación altamente no lineal (ley de los cuadrados) de iD y ucs.
La técnica que se utilizará para obtener la amplificación lineal a partir de un dispositivo
fundamentalmente no lineal es la polarización de dc del MOSFET para operar en cierto V65
apropiado y en una ID correspondiente, y luego superponer la señal de voltaje que habrá de
amplificarse rs, al voltaje de polarización de dc V65. Al mantener la señal v", "pequeña", el
cambio resultante en la cor¡iente del drenaje, i, puede ser casi proporcional a zrr". Esta técnica
se introdujo de manera general en la sección 1.4 y se aplicó en el caso del diodo de la sección
3.3.8. Sin embargo, antes de considerar la operación a pequeña señal del ampüficador MOSFEI
se revisará el "cuadro general", Se estudiará la operación total o a gran señal de un amplifica-
dor MOSFET mediant€ la determinación de la caücterística de transferencia de yoltaje de un
circuito con amplificador MOSFET de uso comrín. A partir de la caractefstica de transferencia
de voltaje se podrá ver claramente la región sobre la que es posible polarizar el transistot pata
que opere como amplificador a pequeña señal, además de las regiones en las que puede operar
como interuptor (es decir, que está activado o desactivado por completo). Los interruptores
MOS tienen aplicación en circuitos analógicos y digitales.

4.4.1 Operación a gran señal: la característica de transferencia

Enla figura 4.26a)se muestra la estructura básica (esqueleto) del ampüficador MOSFET de
uso más común, el circuito d€ fuente cornún (CS). Este nombre o el de fuente a tierra tiene

tD

!es) Vn

uos = Vp

ltcs 1 Vn

ztcs = Vte
Línea de carga
Pendiente : - l/RD

O Voc VoB: Vn - V, Voa: Vosa

a) b)

FIGUnA 4.26 d) Estructura básica del amplificador de fuente común. á) Construcción gráfica pam deteminar
la caractefstica de tuansferencia del amplificado¡ en ¿).
272 tr cAPfTUto 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

Q¡+-Qt ent-+-Or ont

región del dodo

Pendiente en Q = ganancia de voltaje

Voo: Vosa

VrR=VoB+V,

Tiempo

c)

F|GURA4.26 (conrtnüación) c) C^tacterlstica de transferencia que mue,stra su operación como ampliñcador

polarizado en el punto Q.

su origen en que si el circuito se considera una red de dos puertos, la terminal de la fi¡ente
conect¿da a tiera es común al puefo de entrada, entre la compuerta y la fuente, y al de salida,
entre el drenaje y la firente. Observe que a pesar de que la acción básica de control del MOSFET
es que los cambios en u65 (aqul, los cambios en u¡ a medida que u6s = u) dan lugat a carnbios
en b, se estii usando un resistor R¡ para obtener el voltaje de salida ro,

vo = aDs = Voo-Roip (4.35)

De est¿ manera el amplificador de transconductancia se convierte en uno de voltaje. Por ríltirno,

tome nota de que se necesita, por supuesto, una fuente de alimentación de dc para activar el
MOSFET y para proporcionar la potencia suficiente para su operación.
Se desea a¡raliza¡ el circuito de la figrxa 4.26a) para determinar la salida de voltaje ro
para diversos valores de su voltaje de entrada ü/ (es decir, para determinar la csracterística
 4.4 EL MosFEr coMo AMpLrFrcADoR y coMo rNrERRUproR l$ ,tr

de transferencia de voltaje del amplificador CS). Con este fin se supondrá que q está en el
intervalo de 0 a V¿p. Para conocer más a fondo la operación del cÍcuito, se determinará su
ca¡acteística de transferencia de dos maneras: gri4fica y analíticamente,

4.4.2 Determinación gráfica de la característica

de transferencia
La operación del circuito de fuente común esti4 regida por la caracteística i¡-ur¡ del MOSFET
y por la relación entre ¡; y rDr impuesta al conectar el drenaje a la fuente de alimentaciónVDD
mediante el resislor R¿. a saber

ap5 = Voo* Roi, (4.r6)

o, de manera equivalente,

.Voo1
'" = T;-r;oot
(4.37)

En la figura 4.26á) se muestra un dibujo de las características l¡-u¿5 del MOSFET superpuestas
a una lirca recta que representa la relación l¿-z¿5 de la ecuación (4.37). Observe que la línea
recta interseca el eje u¿3 en I/¿¿ [debido a que, de la ecuación (4.36), ups=Vpp a iD = 0] y
tiene una pendiente de -l / Rp. Ya que Rp suele considerarse como el r€sistor de carga del
amplificador (es decit, el resistor a Íavés del cual el amplificador proporciona su voltaje de
salida), la línea rect a de la frgva 4.26a) es conocida como la línea de carga.
Ahora se usa la construcción gri4fica de la figura 4.26b) pan determinar u¿ (igual a u¡.)
para cada valor dado de q(u6, = u). 19 ¡anera específica, para cualquier valor dado de ur, se
localiza la orv a io-rlDs corespondiente y se encuentra uo a partir del punto de intersección de
esta curva con la llnea de carga.
En el aspecto cualitativo, el circuito funciona de la siguiente manera: debido a que zo" = vr,
se ve que para u, < Vfi el transistor estará en corte, iD será cero y u6 = ups = V ¡¡- La operación
estará en el punto rotulado como A, Conforme u, excede aV,, eltratsistor entra en conducción,
íp aumenta y u¿ disminuye. Debido a que ¿o será alto inicialrnente, el transistor operará en la
región de satutación. Esto coÍesponde a puntos a lo largo del segmento d€ la línea de carga de
A a B. Se ha identificado un punto en particula¡ en esta región de operación y se le ha etiquetado
Q. Se obtiene para V55 = Vrn y tiene las coordenadas V6g= Vpsg e lpp.
La operación en la región de saturación sigue hasta que u¿ disminuye al punto en que que-
da debajo de ul por y, volts. En este punto, uos = a6s - V,y eIMOSFET entra en la región de
operación del triodo. Esto se indica en la figtra 4.26b) cor' el punto B, que se encuentra en la
intersección de la línea de carga y la cuwa de guiones que define la frontera entre las regiones
de saturación y del triodo. El punto B está definido por

Vos = Vn-V,
Para a¡ > V6, el transistor entra más a fondo en la región del triodo. Observe que debido a
que las curvas características en la región del triodo se encuentran juntas, el voltaje de salida
disminuye lentamente hacia cero. Aquí se ha identificado un punto de operación C obtenido
para u, = Vpp. El voltaje de salida correspondiete Ve¿ suele ser muy pequeño. Esta deter-
minación punto por punto de la característica de transferencia da como resultado la curva de
transferencia mostrada en la figwa 4.26c). Obsewe que se han delineado sus tres segmentos
distintivos, cada uno corespondiente a una de las tres regiones de operación del MOSFET Or.
También se han ¡otulado los puntos crlticos de la curva de transferencia en corespondencia
con los puntos de la fig.rtra 4.'2Áb).
7 -\

274 & cAPfruto 4 TRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

4.4.3 Operación como interruptor

Cuando el MOSFET se usa como interruptor, es operado en los puntos extremos de la curva
de transferencia. Especlficamente, el dispositivo se pone en corte al mantener u¡ < V,, lo que
da como resullado la operación en algún lugar del segmento XA con ao = Voo. El interrup-
tor conduce al aplicar un voltaje similar a Vpp, lo que da como resultado la operación cerca
del punto C con vo muy pequeño (en C, vo = llor¡. En esta unión se observa que la cuwa de
transferencia de la figura 4.26c) tiene la forma presentada en la sección 1.7 para el inversor de
lógica digital. Por supuesto, el circuito MOS de fuente común puede emplearse como inversor
lógico con el nivel de voltaje "bajo" cercano a 0 V y el "alto" a V¿¿. Inversores lógicos MOS
más elaborados se estudiarán en la sección 4.10.

4.4.4 Operación como amplificador lineal

Para operar el MOSFET como amplificador se usa el segmenlo de modo de saturación de la
curva de fansferencia. El dispositivo se polariza en el punto localizado en algún lugar cerca
de la parte media de la curva; Q es un buen ejemplo de un punto de polarización apropiado.
Al punto de polarización de dc también se le denomina punto de reposo. Luego se superpone
la señal de voltaje que habrá de amplificarse, z¡, al voltaje de dc V¡g, como se muestra en la
figura 4.26c). Al mantener u¡ lo suflcientemente pequeño como para restringir la operación a
lrn segmento casi lineal de la curva de transferencia, la señal de voltaje de salida resultante ?,
tendrá la misma forma de onda que ur, excepto que será mayor por un factor igual a la ganancia
de voltaie del amplificador en Q, 4,, donde

dool
A,= (4.38)
dql,=,,
Por tanto, la ganancia de voltaje es igual a la pendiente de la curva de kansferencia en el punto
de polarización Q. Observe que la pendiente es negativa y, por tanto, el amplificador básico
CS está invertido. Esto también debe ser evidente en las formas de onda de r.,¡ y 1,,o mostradas
en la fi.gva 4.26c). Debe resultar obvio que si la amplitud de la señal de entrada ur aumenta,
la señal de salida se distorsionará porque la operación ya no estará restringida a un segmento
casi lineal de la curva de transferencia.
Se regresar:.á a la operación a pequeña señal del MOSFET en la sección 4.6. Sin embargo,
mientras llega ese momento es necesario hacer una observación importante acerca de la se-
lección de un lugar apropiado para el punto de polarización Q. Debido a que la señal de salida
estaxá superpuesta al voltaje de dc en el drenaje Veq o Vp5g, es importante que yDso tenga un
valor que permita la oscilación requerida de la señal de salida. Es decú, V¡sp debe ser menor
que V¿¡ y mayor que V¿, en una cantidad suficiente paxa permith la oscilación positiva o ne-
gativa, respectivamente, requerida de la señal de salida. Si V¿5p esti4 demasiado cerca de Vpp,
los picos positivos de las señales de salida podrían "saltar" hacia Vp¿ y recortarse, porque el
MOSFET dejaría de conducir durante una parte del ciclo. En esta situación se dice que el cir-
cuito no tiene suficiente "espacio para la cabeza". De manera similar, si yDss está demasiado
cerca de la frontera de la región del triodo, el MOSFET entraía en ésta por la pa¡te del ciclo
cercala a los picos negativos, lo que daría corno resultado una señal de salida distorsionada.
En este caso se dice que el circuito no tiene suficiente "espacio para los pies". Por último, es
importante observar que, armque se hacen estos comentarios sobre la selección del lugar del
punto de polarización en el contexto de una curva de transferencia determinada, el diseñador
del circuito también tiene que decidir un valor para Rp que determinará la curva de transferen-
cia. Por tanto, es más apropiado cuando se considera la ubicación del punto de polarización Q
tomardo como referencia el plano ip-up¡. Este punto se ilustra con mayor detalle en la gráfica
de la frgna 4.27 .
 4.4 EL MOSFET COMO AMPL|F|CADOR y COMo |NTERRUPTOR
)
""

Voo úDs

FIGUnA 4.27 Dos lfreas de ca¡ga y los puntos de polarizáción cor¡Espondientes. El punto de polariz¡ción
Q1 no deja suficiente espacio paia la oscilació¡ posiriva de la señal en el &enaje (demasiado cerca de yDD).
El punto de polarización Q2 está demasiado cerca d€ la fto¡tera de la región del triodo y tal vez no permita
suRciente oscilación de señal negativa.

4.4.5 Expres¡ones analíticas para la característica de transferencia

Las relaciones i-u que describen la operación del MOSFET en las tres regiones (cofe, satu-
ración y triodo) pueden usarse fácilmente pam deteminar expresiones analíticas para los tres
segmentos de la caracterlstica de transferencia de la figura 4.26a).

El segmento de la reg¡ón de corte, XA Aqul u¡ I V, y uo =Vpo.

El s€gmento de la región de safuración, AOB Aqui, a,2V,y vo2 u¡ - V,. Al despreciar
la modulación de longitud del canal y sustituir por r¿ a partir de

i, = lqp,c",¡ffi@,-v,)'

as = Vpp- R¡io
da

a o = v oo - ott,c.,Yrp, - v,¡2 (4.39)

LR

Se puede usar esta relación para obtener una expresión de la ganancia de voliaje incremental
.4, en el punto de polarización Q en el que u¡ = Y¡9, como sigue:

¡,=*l
dq lar = v@
276 3 cAPfTut-o 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

Por tanto,

w
A" = -RDtt^C.,;(ve- V,\ (4.40)

Observe que la ganancia de voltaje es proporcional a los valores de Ro, el pan4metro de trans-
conductancia ti = p,C,,, la proporción dimensional del transistor ly /¿ y el voltaje de sobrecarga
en el punto de polarizaciÓ¡ Vov = Ve - Vt.
Otra expresión simple y muy útil para la ganancia de voltaje se obtendrá al sustituir
a¡=V¡Ty as= VoT en la ecuación (4.39), si se utiliza la ecuación (4.49) y se sustituye y/o - y,
= tr/ov. El resultado es

, z(VDD-Vod 2V*o
(4.4r)
Vo, vo,
donde V¡p es el voltaje de dc a través del resistor del drenaje Ro:' es decitr,V¡p = Vpp - Veg.
El punto final del segmento de la región de saturación está caracterizado por

V6¿ = V¡¿-V, (4.42)

Por tanto, sus coordenadas se determinan al sustituir uo = Vr¿ y a¡ = V ¡6 en la eotación (4.39)

y resolviendo la ecuación resultante de manera simultánea con la eatación (4.42).

El segmento de la región del üiodo, BC Aquí u¡ 2 V,, y u¿ 3 u¡ - V,. Sustituyendo ip por

la expresión de la región del triodo

i D = p,c.,YLlr,r - r,l - LJd

",

as = Vop- Roio

da

tto = Vre- Rop,C",Ylr",- v,lt"-!"Ll

La pafe de este segmento para la cual uo es pequeño está dada aproximadamente por

ao
= vDD* RDp,C.,Yr(r, - v,¡ro
que se reduce a

, = v,y' lr + nop,c.,Y"@, - v,)] (4.43)

"
Se puede usar la expresión para rps, la resistencia de drenaje a fuente cercana al origen del
plano i¡-up¡ [ecuación (4.13)].

tf
la"c.,Yro,-v,>f
 4.4 EL MOSFET COMO AMPL|F|CADOR y COMO TNTERRUPTOR ttt
$

junto con la ecuación (4.43) para oblener

oo = vor#R, (4.44)

que tiene ciefo sentido: para o¿ pequeño, el MOSFET opera como un resistor rDs (cuyo valor
está determinado por zr), que forma con Rp un divisor de voltaje a través de yDD. Por lo general,
ror ( R , y la ecuación (4.,14) se reduce a

uo= v po (4.45)
Rn

Para que el,análisis anterio¡ sea más concrcto, considere un ejemplo numérico. Especíñcamente, se
I
verá el caso del circuito de CS de la frgura 4.26o) para ki(W /L) = ml,.tf , V, = I Y R¿ = l8 K) y
Voo= 10Y.

Solución
Primero determine las cdotdenadas de los puntos importantes en la curva de transferencia.
¿) Punto X:

z¡=0V zo= l0V

á) Punto A:

4=lY, ,o=10V
c) Punto B: sustituyendo

q=V¡e=Vou+V,
=VoB+l
y a6 = Ve6 enla ec,.tación (4.39) da como resultado

9fo"+Vou- tO = O

que tiene dos raíces, sólo una con sentido físico, a saber

Vo¡= I Y

Lo que corresponde a

V,u= I ¡ 1=2Y
¿) Punto C: con base en la ecuación (4.43) se encuenta

vr. = 1+ 18t* (1d- 1) = 0.061 V

que es muy pequeña, lo que justifica el uso de la expresión aproximada en la ecuación (4.43).
A continuación se polariza el arnplificador para que opere en el punto apropiado del segmento
de la región de satu¡ación. Debido a que este segmento se extiende desde zo = Masta l0 V
se elige que opere en Voa = 4 V. Este punto pemite una oscilación razonable de señal en ambas
direcciones y proporciona una ganancia de voltaje más elevada que la disponible a la mitad del
a-

278 Ó cAPfTULo 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

intervalo (es decir, en yog = 5.5 V). Para operar en un voltaje de dc de salida de 4 V [a corriente
del drenaje de dc debe ser

, = vor_voo l0_4
,o -- R;- = lg = U.JJJ InA
Se calcula el voltaje de sobrecarga requerido yov a partir de

r, = )t;Yrv'o,

,o,=.W=o.816v
^ii
Por ¡anto, se debe operar el MOSFET a un voltaje de compuerta a fuente de dc

Vesa = Y + Vov= 1.816 V

La ganancia de voltaje del amplificador en este punto de polarización se encuenFa a pafir de la

ecuación (4.40) como
A, = -18 x 1x (1.816- l)
= -14.7 YIY
Para conocer mejor la operación del amplificador se aplica una señal de entrada ,¡ de, por ejemplo,
150 mV de amplitud de pico a pico, de fonna de onda triangular, por decir algo. En la frgrna 4.28a)
se muesffa este tipo de señal superpuesta al voltaje de polarización Vo"n = 1.316 y go-o se mues-
tra, rlcs varía lircalrnente entre 1.741 y 1.891 V alrededor del valor de polarización de 1.816 V. De
manera corespondiente, iD será

En ro, = 1.741 Y, io = )x I x (1.741 - l)2 = 0.275 mA

En zo, = 1.316y, io = \xlx(1.816- l)'?=0.¡¡:*t
En ?cs = 1.891 V, ;o = jx 1x (1.891- 1)2 = 0.397 mA

Observe que el incremento negativo en iD es (0.333 - 0.275) = 0.058 mA mientras que el positivo es
(0.397 - 0.333) = 0.064 mA, ligeramente diferente, lo que indica que el segmento de la curva iD-r,cj
(o, lo que es equivalente, de la curva 1/o-rt) no es perfectamente lineal, como se esperafa. El voltaje
de salida variará alrededor del valor de pola¡izaciór¡Voo= 4V y tendtá los siguientes ext¡emos:

Envo, = 1.741Y, io = g-215

^¡, t =
uo 1O-0.275x18 = 5.05 V
En uor = 1.391 V, i, = 6.397-¡,t uo= 10-0.397 x18 = 2.85V

Por tanto, mientras el incremento positivo es de 1 ,05 V, la excursión negativa es ligeramente mayor
a 1.15 V,lo que es resultado nuevamente de la caracteística de transferencia no lineal. La disto¡sión
no lineal de uo podría ¡educi¡se al disminuir la amplitud de la señal de entrada.
Se conocerá mejor la op€rcción de este amplificador si se loma en cuenta su análisis gráfico,
mostrado en la figum 4.28á). Obsewe que a rnedida que 265 varía, debido a ¿,¡, el punto de operación
instantánea se mueye a lo largo de la lfuea de carga, encontn4ndose en la intersección de la línea
de carga y la curva /r-rDs correspondiente al valor instantáneo de ,cs.
Observe que al polarizar el transistor en un punto de reposo a la mitad de la región de saÍuación,
se asegura que el punto de operación instanl'ánea siempre permanezca en esta región, con lo que se
reduce al máximo la distorsión no lineal. Por último, tome oota de que en este ejemplo se calculó
hasta tres cifras decimales tan sólo para ilustrar los conceptos pertinentes. En la práctica este grado
de precisión no se justifica para un análisis manual aproximado.
 4,4 EL MosFET coMo AMpLrFrcADoR y coMo rNrERRUproR | ,t,

V
l-
1.891

m
V6s9 = 1.816 V

t;141v l
Tlempo

= 1.891 V
265 : 1,816 V
a65 : l.74lY

I
I
üGs = 1.5 V

b)

FIGURA r[.2a Ejemplo 4.8.

28o W CAPÍTULo 4 TRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

4.4.6 Comentario final sobre polar¡zación

En el ejemplo anterior se supuso que el MOSFET estaba polarizado a un rcs constante de 1.816
V Aunque es posible generar un voltaje de polarización constante empleando una red de divisor
de voltaje apropiada a t¡avés de la fuente de alimentación yDD o de otro voltaje de referencia
que esfé disponible en el sistema, no es una buena técnica fijar el valor de ¿,cJ. En la siguiente
sección se explicará por qué esto es así y se presentarán esquemas superiores de polarización.

'$X poLARrzAcróN EN crRcurros AMplrFrcADoREs Mos

o.u
Como se mencionó en la sección anterior, un paso esencial en el diseño de un circuito amplifica-
dor MOSFET es el establecimiento de un punto de operación de dc apropiado parael t¡ansistor
A este paso se le conoce como polarización o diseño de polarización. Un punto de operación
apropiado o punto de polarización se caracteriza por una corriente de d¡enaje de dc estable y
predecible,l¿, y por un voltaje de drenaje a fuente de dc, V¿5, que asegura la operación en la
región de saturación para todos los niveles de señal de entrada esperados.

4.5.1 Polarización mediante la fijación de l/65

El método más dirccto para la polarización de un MOSFET consiste en fijar su voltaje de compuerta
a fuente, yc', en el valor requerido para proporcionar el1¿ que se desea. Este valor de voltaje se
detemina a parti¡ del voltaje de alimentación yDD mediante el uso de un divisor de voltaje apro-
piado. Como opción, puede determinarse a pafir de otro voltaje de referencia adecuado disponible
en el sistema. Independientemente de la manera en que se genere el voltaje ycs, éste no es un
buen método para polarizar un MOSFET. Para comprender esta afirmación, recuerde que

= \tt"c''Yrtvcs v'i
"
y tome nota de que los valores del voltaje de umbral V,, la capacitancia de óxido C,, y (en
menor medida) la proporción dimensional del transistor I4l/L varían ampliamente entre dis-
positivos que supuestamente tienen el mismo tamaño y tipo. Éste es, por supuesto, el caso de
los dispositivos discretos, en los que se presentan grandes variaciones en los valores de dichos
parámetros entre dispositivos a los que el fabricante les asigna el mismo número de pieza. La
variación también es grande en circuitos integrados, sobre todo entre dispositivos fabricados en
diferentes obleas y, por supuesto, entre diferentes lotes de obleas. Más aún, V, y p, dependen
de la temperatura, con el rcsultado de que la fijación del valor de V65 hace que la coriente del
drenaje 1, se vuelva mucho más dependiente de la temperatura.
 4.5 POLARTZACTóN EN CtRCUtfOS AMpltF|CADORE5 MOS I 281

0 Vo" ocs
FIGURA 4.29 El uso de la polarización fija (¿,cs constante) da como resultado una amplia variación en el
valor de ID. Los dispositivos I y 2 representan exÍemos entre unidades del mismo tipo.

Para destacar que la polarización mediante la fijación de rcs no es una buena técnica, en
la figwa 4.29 se muestran dos curvas características ip-u65 que representan valores extremos
de un lote de MOSFET del misrno tipo. Observe que para el valor fijo de V65, la variación
¡esultante en los valores de la corriente del drenaje llega a ser impor¡ante,

4.5,2 Pola¡izac¡ón mediante fijación de l/6 y conexión

de una resistenc¡a a la fuente
Una excelente técnica de polarización para los circuitos MOSFET discretos es la fijación del
voltaje de dc en la compuefa yG, y la conexión de una resistencia en el alambte de la fuente,
como se muestra en la figura 4.30a). Para este circuito se puede escribir

V¡1 = Vor+ Rd6 (4.46)

Ahora, si Vo es mucho mayor que V65, 1D estará determinada principatnente por los valores
de V6 y Rs. Sin embargo, aunque V6 no sea mucho mayor que V65, el resistor Rs proporciona
retroalímentación negotiva,lo quLe actlúa para estabilizar el valor de la corriente de polarización
1r. Para ver la manera en que se produce esto considere el caso en que 1D aumenta por alguna
razón. En la ecuación (4.46) se indica que debido a que V6 es constante, ycs no disminuirá. A
su vez, esto produce una disrninución en 1r, un cambio opuesto al que se supuso inicialmente.
Por tanto, la acción de R, funciona para mantener 1, lo más constante posible. Esta acción de
retroalimentación negativa de R3le da el nombre de resistencia de degeneración, mismo que
se apreciará mucho mejormás adelante.
En la figura 4.30á) se proporciona una ilustración gáfica de la efectividad de este esque-
ma de polarización. Aquí se muestran las caracteísticas i¡-26, para los dos dispositivos que
representan los extremos de un lote de MOSFET. Una línea recta aparece superpuesta a las
características del dispositivo; representa la resricción impuesta por el circuito de polarización
saber, la ecuación (4.46Y-. La ntersección de esta línea recta con la curva caractefstica
-a
i¿-u65 proporciona las coordenadas (1¿ y ucs) del punto de polarización. Observe que aqui en
comparación con el caso del Vo" fijo, la variación obtenida en 1D es mucho menor. Además, tome
nota de que la variación disminuye a medida que yc y Rs se hacen mayores (proporcionando
una línea de polarización menos inclinada).
282 C cAPfTUto 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

I
I

lr¡^
, lY"
_L
* u^_ l+,,
vaf^, Im
Iot
I

vosz vest
=:
a)

o",l 1t voo

fn, I'o

""|-iJ*'
I u^ lt"
--+ -+^' u*¡¡

l_
:: l_ YsJ

c) a e)

FIGUnA a,3O Pola¡ización empleando un voltaje fijo en la compue¡ta, yc, y una tesist€ncia en la tefminal
de la fuente, Rs; ¿) diseño básico; á) variabilidad reducida en ID; c) aplicación práctica eñpleando una sola
fuente de alimentación; d) acoplamiento de una fue¡te de señal a la compuerta mediante un conde¡sadol Cct;
¿) aplicación práctica emplea¡do dos fuentes de alimentación.

En las figwas 4.30c) y e) se muestran dos posibles aplicaciones pn4cticas discretas de este
esquema de polarización. El cicuito de la figura 4.30c) utiliza una fuente de alimentación Vpp y
deriva V6 mediante un divisor de voltaje (R6,, R6). Debido a que 16 = 0, puede decidirse que R61
y R62 sean muy grandes (en el intervalo de M,f¡), permitiendo que el MOSFET presente una gran
resistencia de ent¡ada a rma fuente de señal que se conecte a la compuert¿ medianúe un condensador
de acoplamiento, como 8e muestra en la figura 4.30d¡. Aquí el condensador C¿1 bloquea la dc
y, por tanto, permite acoplar la señal u*¡ a la ennada del ampüficador sin perturbar el punto de
polarización de dc del MOSFET. Debe selecciona¡se un valor de Ccr lo suficientemente grande
como para aproximar un cortocircuito en todas las frecuencias de señal que merezcan inleÉs. En
lasección 4.7 se estudiarán los ampüficadores MOSFET acoplados capacitivamente, que sólo son
adecuados para el diseño de circuitos discretos. Por último, observe que en el circuito de la figura
4.30c) se ha seleccionado un resistor R, lo suficientemente grande como para permitir que se ob-
tenga una ganancia alta pero lo suficientemente pequeño como para permitir la oscilación deseada
de la señal en el drenaje mientras se mantiene al MOSFET en saturación todo el tiempo.
Cuando están disponibles dos fuentes de alimentación, como suele sucede¡ puede utilizarse
el diseño de polarización algo más simple que se muestra en la figura 4.30e). Este citcuito es
una aplicación de la ecuación (4.46), en el que Y6 se reemplaza con yrs. El resistor Rc establece
una tierra de dc en la compuerta y presentá una resistencia de entrada elevad¿ a una fuente de
señal que podría conectarse a la compuerta mediante un condensador de acoplamiento.
 4.5 polARrzAcróN EN CTRCUTTOS AMpLtFtcADoREs MOs
Ó 283

Es necesario diseñar el circuito de la figura 4.30c) para establece¡ una corrienie de drenaje de dc
1¿ = 0.5 mA. El MOSFET está especificado pam tener y¡= 1V y k,W/L= 1 mA/V2. Pam mayor
simplicidad, omita el efecto de modulación de longitud de canal (es decir, suponga 2= 0). Use una
fuente de alimeotación V¿o = I 5 V. Calcule el cambio de porcentaje en el valor de 1o obtenido cuando
el MOSFET se reemplaza con otla unidad que tiene la misma k',W/LperoV,=1.5Y.

Solución
Como regla general para el diseño de este circuito clásico de polarización, se eligen R¿ y Rs para
proporcionar un tercio del voltaje de fuente de alimentación yDD como una caída a havés de cadaRD,
el tmnsistor (es decir, Vp) y Rs.PtaV¡¡= 1.5 V, esta opción hace yD = +10 V y yr = +5 V. Ahora,
como se necesita que ID sea de 0.5 mA, se pueden enconftar los valores de R¡ y Rs como sigue:

RD- -
v2!::' 15:10
ID = = rO t.O
'v u.J

lRs=Ri =osa=ror.o

El valor requerido de V65 se determina al calcular en primer lugar el voltaje de sobrecarga Vey a
Paftirde
rD = lt:wrDiL,
o.s =ixrxfo,
que arroja V¿y = I V y, por tanto,

Vot=V,+Vor=1+1=2V
Ahom, como Yj = +5 V, Yc debe ser

Vc = Vs + VGS = 5+2 ='1V

Para establecer este voltaje en la compuerta, se puede seleccionar R6r = 8 MQ y Rcz = 7 MQ. El
circuito final se muesha en la figula 4.31. Observe que el voltaje de dc en el drenaje (+10 V) permite
una oscilación de señal positiva de +5 V (es decü, hasta yDD) y una negativa de -4 V [es decA, hasta
un límite inferior de (Vc-V)1.

YDD = +15V

10 ko

V¿=+l0V

Rs= a5V

l0 ko

ÍIGURA 4.31 Circuito del ejemplo 4.9.

284 W cAPÍTUto 4 TRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

Si el transistor NMOS se reemplaza con oÍo que tiene y¡ - 1.5 V, el nuevo valor de 1D puede
encont¡arse de la manera siguiente:

to = )xlx(Vor-1.5)2 (4.4',7)

Vc = Vcs+ IDRS
'7 = vcs + lolD (4.48)

Al resolverjuntas las ecuaciones (4.47) y (4.48) se tiene

1¿ = 0'455 mA

Por tanto, el cambio en 1D es

A1o = 0.455 - 0.5 - -0.045 mA

oue es
-0 015- too - -97, de cambio.
' 05

4.5.3 Polarízación mediante un resistor de retroalimentación

de drenaje a compuerta
En la figura 4.32 se muestra un diseño de polarización de circuito discreto simple y efeqtivo
que utiliza un resistor de retroalimentación conectado entle el drenaje y la compuerta. Aquí la
¡esistencia de retroalimentación Á6 es grande (por lo general en el intervalo de MQ) y obliga
a que el voltaje de dc en la compuefa sea igual que en el drenaje (porque /" = 0). Por tanto,
se puede escribir

Ves = Vos = Vro- Rolo

qúe puede reescribirse en la forma

Voo = Vo"+ RrIn (4.49)

que es idéntica en forma a la ecuación (4.46), que describe la operación del esquema de polari-
zación analizado antes [el de la figura 4.30a)]. Por tanto, aquí también, si 1o cambia por alguna
razón, por ejemplo aumenta, entonces la ecuación (4.49) indica que V65 debe disminuir La
reducción en Vor a su vez causa una disminución en1¿, un cambio que tiene dirección opuesta
a la que se supuso originalmente. Por tanto, la retroalimentación negativa, o degeneración,
propo¡cionada por Ro funciona para mantener el valor de 1p lo más constante posible.
a \

4.5 poLAR|zAcróN EN CrRCUrros AMpLTFTCADORES MOS @ 2S5

FIGURA 4.32 Pola¡ización del MOSFET empleando una resistencia de retroali-

mentación gfande de drenaje a compuefa, Rc.

El circuito de la figura 4.32 puede utilizarse como amplificador CS al aplicar la señal de

voltaje de entrada a la compuerta mediante un condensador de acoplamiento, de modo que no
perturbe las condiciones de polarización ya establecidas. La señal de salida ampliflcada en el
drenaje puede acoplarse a otra parte del circuito, nuevamente mediante un condensador Se
analizará este tipo de amplificador CS en la sección 4.6. Aquí aprenderá que este circuito tiene
la desventaja de una oscilación más bien limitada de la señal de voltaje de salida.

4.5.4 Polarización empleando una fuente de corriente constante

El esquema más efectivo para la polarización de un amplificador MOSFET es el que usa una
fuente de coriente constante. En la figura 4.33a) se muestra este tipo de diseño aplicado a un
MOSFET discreto. AquíRo (por lo genetal en el intervalo de MO) establece una tieÍa de dc
en la compuefa y presenta una resistencia grande a una fuente de señal de enhada que puede
acoplarse capacitivamente a la compuerta. El resistor RD establece un voltaje de dc apropiado
en el drenaje para permitir la oscilación de señal de enÍada necesaria mientras asegura que el
transistor permanezca siempre en la región de saturación.
Un circuito para la aplicación de la fuente de corriente constante 1 se muest¡a en la figura
4.3 3b). La esencia del circuito es el transistor 0 r , cuyo drenaje está recortado hasta su compuerta
y, por tantó, opera en la región de saturación, de manera que

1..(W\ (Vo, (4.s0)

,*, \T) ,
- V,)2

donde se ha despreciado la modulación de longitud de canal (es decir, se supuso ,1, = 0). La
corriente del drenaje de p, es proporcionada por yDD a través del ¡esistor lQ. Debido a que las
corrientes de la compuefa son cero,
VDD+ Vss -Vcs (4.51)
7-

2s6 lg cApfTuto 4 TRANstsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

A la fuente del
n transistor 0 en
la ñg'.l'r^ 4.33a)
Ih:, ,*ü
to'{ v-
""-f- Qt

Yss

ít) b)

FIGURA 4.33 a) Polarización del MOSFET empleando una fuente de corienre constante, /. ó) Aplicación
de la fuente de coÍienle constante / empleando un espejo de corriente.

donde la corriente que pasa por R se con siderala corriente de referencia de lañrcrrte de corriente
y se denota IREr.. Dados los valores de los parámetros de 0r y un valor deseado para 1¡¡" se
pueden emplear las ecuaciones (4.50) y (4.51) para determinar el valor de R. Ahora considere el
t¡ansistor 02: tiene el mismo V65 que Q,; por tanto, si se supone que está operando en saturación,
su corriente de drenaje, que es la corriente deseada 1 de la fuente de corriente, será

r = roz =
l4ffi;vo, -v,t' (4.s2)

donde se despreció lamodulación de longitudde canal. Las ecuaciones (4.51) y (4.52) permiten
relacionar la coriente 1 con la de referencia 1^",.,

(w/
Lt"
t = ru"ú7i, (4.s3)

Por tanto, 1 está relacionada con 1"", por el cociente de las proporciones dimensionales de
Q¡ y @2. Este circuito, conocido como espejo de corriente, es muy popular en el diseño de
amplificadores MOS de CI y se estudiará con gran detalle en el capítulo 6.
- \

4.6 opERAqóN y MoDELos A pEeuEñA SEñAL 3 2S7

4.5.5 Gomentario final

Los circuitos polarizados que se estudiaron en esta sección estaban destinados a aplicaciones
de circuito discretos. La única excepción es el circuito de espejo de coriente de la figura
4.33á) que, como se mencionó antes, se usa ampliamente en el diseño de CI. [.os diseños de
polarización para ampüficadores MOS de CI se €studianín en el capltulo 6.

U 0.. opERAcróN y MoDELos A pEouEñA SEñAL

En el estudio de la operación a gran señal del amplificador MOSFET de fuente común de la
sección 4.4 aprendió que puede lograrse amplificación lineal al polarizar el MOSFET para
que opere en la región de satuación y al mantener pequeña la señal de entrada. Una vez estu-
diados los métodos para la polarización del transistor MOS en la sección anterior, ahora debe
volver su atención a explorar con cierto detalle la operación a pequeña señal. Para este fin se
utiliza el circuito amplificador de fi¡ente comrín mostrado en h ngura 4.34. Aquí el transistor
MOS se polariza al aplicar un voltaje de dc V6s, un arreglo que evidentemente resulta poco
pnáctico pero que es sirnple y útil para los fines del curso. La señal de entrada que habrá de
amplificarse, ?s,, se muestra superpuesta en el voltaje de polarización de dc V6¡. El voltaje de
salida se toma en el drenaje.

4.6.1 El punto de'polarización de dc

La corriente de polarización de dc Ip se encuentra al establecer la señal ?s" en cero; por tanto,

rD=lr;l<v,, -v,t' g.s4)

donde se ha despreciado la modulación de longitud del canal (es decir, se ha supuesto que 2 = 0).
Vp5 o simplemente yD (debido a que S está a tiera), se¡rá
El voltaje de dc en el drenaje,

V¡t=Vro-Rrlp (4.s5)

Para asegurar la operación en la región de satuación se debe tener

vD > vGS -vt

Más aún, debido a que el voltaje total en el drenaje tendn4 superpuesto un componente de señal
en yD, és¡e tiene que ser lo suficientemente mayor que (V6s Vr) para permitir la oscilación
-
de señal requerida.

Voo
l
I

;ll^,.
.t t-
I

*9; r--=-{l_->

--t-l
I

v":J- - I FIGUnA 43/fCircuito conc€ptual empleado para estudiar la operación

del MOSFET como amplificador a pequeña señal.
==
-

28s S cAPftuto 4 TRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

4,6.2 La corriente de señal en la terminal del drenaje

A continuación considere la situación con la señal de entrada u$ apticada. El voltaje instanü4neo
totál de compuefa a fuente sení

u65 = V65+ vr" (4.5ó)

lo que resulta en una coriente instantánea total de drenaje io,

.iD= l..w.__
vB,- v,t2
;k;;\vcs+
=lt;!g,,-v,1"+4Y"1v^-v;¡v,,*lo;Yrú, @.s7\

Se reconocerá que el primer término de la ecuación (4.57) es la coriente de polarización /¿

[ecuación (4.54)]. El segundo témino representa un componente de coriente que es dfuecta-
mente propofcional a la señal de entrada us,, El tercer término es un componente de la corriente
que es proporcional al cuadrado de la señal de entráda. Este último componente es indeseable
porque representa distorsión no lineal. Para reducir la distorsión no lineal introducida por el
MOSFET, la señal de entrada debe mantenerse pequeña para que

Lo;Y"4," 4!1v^ -v,¡u,,

lo que resulta en

u*42(V.t*V,) (4.58)

o, de manera equivalente,

an 4 2Vo, (4.59)

donde V¿u es el voltaje de sobrecarga en el cual opera el transistor

Si esta condición a pequeña señal se satisface, se puede despreciar el último término de
la ecuación (4.57) y expresat ,; como

iD: ID+ id (4.60)

donde

io= k;Yrlvor-v,)v,,

El par¡ámetro que relaciona id con ¡.,s, es la transconductancia del MOSFET g.,

s^= ,2,=k;Ylvo, v,¡ (4.61)

o, en términos del voltaje de sobrecarga Vou,

.,w-.
kílvo,
e.= @'62)

En la figura 4.35 se presenta una interpretación de la operación a pequeña señal del amplificador
MOSFET de enriquecimiento. Observe que g. es igual a la pendiente de la curva caracteística
íp-u65 en el punto de polarización,

di, I
8,= EÁ1,",=,^ (4.63)
 4.6 opERACtON y MODELOS A PEQUENA SEñAL o 289

FIGUnA f.35 Opemció¡ a pequeña señal del ampüñcador MOSFET de en¡iquecimiento.

La anterio¡ es la definición formal de g., la cual puede demostrarse que lleva a la expresión
dada en las ecuaciones (4.61) y (4.62).

4.6.3 La ganancia de voltaie

De yuelta al circuito de la figura 4.34, es posible expresar el voltaje instánt¡íneo total del drenaje
r,¿ como sigue:

up= Vpp-Roio
Dada la condición a pequeña señal, se tiene

vD = VDD- RD(ID+ id)

que puede reescribirse como

ap = Vp- Roi¿
Por tanto, el componente de señal del voltaje del drenaje es

u¿ = -i¿Ryr= -g^u*Rp (4.64)

que indica que la ganancía de voltaje estrá dada por

A,= !! = -s^R, (4.65)

El signo menos en la ecuación (4.65) indica que la señal de salida u¿ está I 80. fuera de fas€
en relación con la señal de entrada ?sr. Esto se ilustra en la figura 4.36, que muestra y i.,D.
Se supone que la señal de entrada tiene una forma de onda triangular con una amplitud"cs mucho
menor que 2(Vor - V), la condición a pequeña señal de la ecuación (4.58), para asegurar la
operación lineal- Para operación permanente en la región de satüación, el valor mínimo de
r,5 debe caer debajo del valor correspondiente de u, en una cantidad mayor que V,. Además,
29o O cAPfTUto 4 TRANstsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

- v,)

-i
I
k^Ro) v

I
íD"tt">tcnat-U.

0,
F¡GURA t.36 Voltajes instangneos totales rlcs y ¿D pam el ci¡cuito de la figura 4.34.

el valor miiximo de uo debe ser menor que yDD; de otra manera el FET entraná en la región de
corle y se recortarán los picos de la forma de onda de la señal de salida.
Por riltimo, observe que al sustituir por gñ de la ecuación (4.61) la expresión de ganancia
de voltaje en la ecuación (4.65) se vuelve idéntica a la que se obtuvo en la sección 4.4 [es
decir, la ecuación (4.¿10)1.

4.6.4 Separación de los análisis de dc y de la señal

Mediante el análisis anterior se ve que dada la aproxirnación a pequeña señal, cantidades de
señal se superponen a cantidades de dc. Por ejemplo, la corriente total del drenaje l¿ es igual
a la corriente de dc 1¿ más la coriente de señal i",, el voltaje total del üenaje a¡=Vo + u* s¡s.
De esto se desprende que es posible simplificar en gran medida el análisis y el diseño si se
separan los cálculos de dc o polarización de los de pequeña señal. Es decir, una vez que se ha
establecido un punto de o¡rración de dc estable y se han calculado todas las cantidades de dc,
se puede realizar el análisis de la señal ignorando las cantidades de dc.

4.6.5 Modelos de circuito equ¡valente a pequeña señal

Desde el punto de vista de la señal, el FET se comporta como una fuente de corriente confolada
por voltaje. Acepta una señal usr entre la compuert¿ y la fuente y proporciona una cor¡ienúe
g,¿,s" en la teminal del drenaje. La resistencia de entrada de esta fuente controlada es muy alta
(idealmente infinita). La resistencia de salida (es decir, la resistencia que va hacia el drenaje)
 4.6 opERAcróN y MoDELos A pEeuEñA sEñAr I 291

a) b)

FIGURA 4.37 Modelos a pequeña señal para el MOSFET: d) desp¡eciando la dependencia de iD iespecto
de saturación (el efecto de modulación de longitud del ca¡al); y ,) incluyendo el efecto de modulación,
¿Ds en
modelado por la resisteÍcia de salida ¡, = lyA l/1D.

también es elevada y hasta ahora se ha supuesto que habrá de ser infinita. Si se pone junto
todo lo anterior, se llega al circuito de la figura 4.37a), que representa la operación a pequeña
señal del MOSFET y es, por tanto, un modelo a pequeña señal o un circuito equivalente a
pequeña señal.
En el ani4lisis de un circuito amplificador MOSFET, el transistor puede reemplazarse con
el modelo de circuito equivalente mostrado en la figura 4.37a). El resto del circuito pemanece
sin cambio, excepto qu,e las fuentes ideales de yoltaje constante de dc son reemplazadas por
corfocircuitos. Esto es resultado del hecho de que el voltaje no cambia en una fuente ideal
de voltaje constante de dc. Por tanto, siempre habrá una señal de voltaje cero a través de una
fuente de voltaje constante de dc. Una afirmación dual se apüca a fuentes de corriente de dc
constante; es decir, la corriente de señal de una fuente de voltaje constante de dc siempre será
cero y, por tanto, unafuente ideal de corriente constante de dc puede reemplazarse con un cir-
cuito abiefto en el circuito equivalente a pequeña señal del amplificador. El circuito resultante
puede usarse entonces pala realizar cualquier anrálisis de señal requerido, como el cálculo de
la ganancia de voltaje.
La desvenaja más seria del modelo a pequeña señal de la figura 4.37a) es que supone
que la coriente del üenaje en saturación es independiente del voltaje del drenaje. A partir del
estudio de las caracteísticas del MOSFET en saturación, se sabe que la corriente del drenaje
en realidad depende linealmente de uor. Esta dependencia fue modelada por una resistencia
finita r, entre el drenaje y la fuente, cuyo valor fue dado por la ecuaciín (4.26) de la sección
4.2.3, que se repite aquí como

,=a (4.66)

donde V, = l/1, es ¡¡ paxámetro de MOSFET que se ha especificado o que puede medirse. Debe
recordarse que, para una tecnología de proceso dada, V, es proporcional a la longitud del canal
del MOSFET. La corriente ID es el valor de la corriente de dc del drenaje sin tomar en cuenta
la modulación de longitud del canal; es decir,

,"=lo:Yt", (4.67)

Por 1o general, r, esti en el intervalo de 10 a 1 000 kl). De esto se desprende que la exactitud
del modelo a pequeña señal se mejora al incluir r, en paralelo con la fuente controlada, como
se muestra en la figura 4.37b).
Es impofante observar que los parámetros del modelo a pequeña señal g_ y ro dependen
del punto de polarización de dc del MOSFET.
292 & cAPfTUto 4 rRANstsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

Regresando al arnplificador de la figura 4.34 se encuentra que el reemplazo del MOSFET

con el modelo a pequeña señal de la figura 4.37b) da como resultado la expresión de ganancia
de voltaje

A,=:a = _s_(R, r") (4.68)

Por tanto, la resistencia de salida finita r, produce una reducción en la magnitud de la ganancia
de voltaje.
Aunque el análisis alterior se realiza sobre un transistor NMOS, los resultados, y los mo-
delos de circuito equivalente de la figura4.37, se aplican igualnente bien a dispositivos PMOS,
excepto por el uso de lVcsl, lV,l , lV*l V lVol y reemplazutdo k'^ con k'r.

4,6,6 La transconduc,tancia g,,,

Ahora se echará un vistazo de cetca a la transconductancia del MOSFET dada por la ecuación
(4.61), que se repite aquí como

8^= k;(w/L)(vcs-v,) = ki(w/L)vov (4.69)

Esta relación indica que g,es proporcional al panámetro de transconductancia del proceso
b', = p,C alarelación W/¿ del transistor MOS; de altí que, para obtener una t¡ansconductan-
",y
cia relativamente grande, el dispositivo debe set corto y ancho. También se observa que para un
' dispositivo dado la transconductancia es proporcional al voltaje de sobrecarga, Vo y V
= 65 V,,la -
cantidad por la cual el voltaje de polarización Vo, excede al voltaje de urnbral Y,. Sin embargo,
tome nota de que al aumento de g. al polarizar el dispositivo en un V65 más grande tiene la
desventaja de reducir la oscilación de señal de voltaje permisible en el drenaje.
Ona expresión útil para g, se obtiene al sustituir (Vcs - V) en la ecuación (4.69) con
JurTttltwtU ¿e riecuaiión 14.53¡:

e,= Jrk; J-wtrJh (4.70)

Esta expresión demuestra que

1. Para un MOSFET determinado, g. es proporcional a la raíz cuadrada de la corriente

de polarización de dc.
2. En una coriente de polarización determinada, g. es proporc ionat a JW / L .
En contraste, la transconductancia del transistor bipolar de unión (BJT) que se estudia en el
capítulo 5 es proporcional a la corriente de polarización e independiente del tamaño y la geo-
metría del dispositivo.
Para conocer mejor los valores de g, obtenidos en los MOSFEI considere un dispositivo
de circuito integado que opera a ID = 0.5 mA y tiene ¿; = 120 /A/V2. En la ecuaciOn @.ZO¡ se
muestraqueparaW/L=l,g^=0.35mNY,mientrasqueündispositivoparaelqueW/L=100
tiene ga = 3.5 mA,/V. En contraste, un BJT que opera a una corriente de colector de 0.5 mA
tiene g. = 29 ¡¡,¡4¿.
' Otra expresión úül p-ara g. del MOSFET se obtiene al sustituir ti(\vlZ) en la ecuación
(4.69) con2I¡/(V6" - V)2:
2Io _ 21, (4.71)
vcs - V, vo,
En resumen, hay tres relaciones diferentes paü determinar g. ecuaciones (4.69),
(4.70) y (4.7 t)-
y hay tres patámetros de diseño / L'¡,Vo, e rr, -las
lW y pueden elegirse dos de
manera independiente-. Es decir, el diseñador tiene la opción de elegir si opera el MOSFET
con ciefo voltaje de sobrecarga V¿y y una corriente particulax ID; entonces puede encontfarse
larelaciín W / L reqteida y determinarse el g. resultante.
 4.6 oPERACIÓN Y MoDELos A PEQUEÑA,.*o, S ,,,

En la figura 4.38a) se muesfta un amplifrcador MOSFET disqeto de fuente común que utiliza el
diseño de polarización de retroalimentación del drenaje a la compuerta. La señal de entada ¿,, €stá
acoplada a la compuerta por medio de un condensador grande, y la señal de salida en el drenaje
está acoplada a la resistencia de carga R" por medio de otro condensador ga¡de. Se desea analiza¡
este circuito amplifrcador para determinar su ganancia de voltaje a pequeña señal, su resistencia
de enhada y la máxima señal de enúada p€misible. El Íansistor tíerc Vi = 1.5 y, kt (W / L) = O.25
mA,/V2 y yÁ = 50 V. Suponga que los condensadores de acoplamiento son lo suficientemente gÍlndes
como para actuar como cortocfucuitos a las ftecuencias de señal que resultan de interés.

+15 V

Rc=

a)

ús" 8^ve"

b)

FIGURA4.38 Ejemplo 4.10: a) circuito amplifrcadoq ,) modelo de circuiro equivalenre.

Solución
En primer lugar, evalúese el punto de operación de dc como sigue:

ID = )x0.25(Vcs- 1.5)2 (4;72)

donde, para simpliñcar, se ha despreciado el efecto de modulación de la longitud del canal. Debido
a que la corriente de dc de la compuetta es cero, no habrá caída de voltaje de dc en RG; por tanto,
V6s = V¡, la cual cuando se sustituye en la ecuación (4.72) produce,

Io = O.125(Vo- 1.5)2 (4.',?3)

a

294 Ó cApfTUto 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

Además,

Vo = 15 - Rolo = 15 - 101D (4'74)

Al resolver juntas las ecuaciones (4.73) y (4.74) se obtiene

1o = 1.06 mA ! Vo= 4.4!

(Observe que la otra solución de la ecuación cuadrática no tiene significado físico.)
El valor de g, está dado por

s.= k;Yu",-v,)
= 0.25(4.4 - 1.5) = 0.725 nAlv
La resistencia de salida i'o está dada por

r"=3=*-otua
ID 1.06

En la ñgura 4.38b) se muestra el ci¡cuito equivalente a pequeña señal del ampüficador, donde se
observa que los condensadores de acoplamiento se han reemplazado con un cortocicuito a tierra.
Debido a que Jt6 es muy grande (10 MO), la corriente que pasa por ella puede despreciarse en com-
paración con la de la fuente controlada g.¿s,, lo que permite escdbir para el voltaje de salida

t. - -g-v*(Rpll R¡l lr.)

Debido a que ¿sr = r./i, la ganancia de voltaje es

¡,_ ! _g^lR,'ttR¿ttr".t
"v¡ =
= -o.725(10llr0ll47) = -3.3 VN
Para evaluar la resistencia de entrada R.,, se observa que la corriente de entrada ii está dada por

i,= Qt,, o)/R6

",(t -!:\
= lRc' u1

= !¿,_t_r.tt=ff
Por tanto,
u, R- tn
*-=i=43=T3=2'33M4
, La máxima señal de ennada permisible, úi, está deteminado po¡ la necesidad de mantener todo
el tiempo el MOSFET en satuacióq es decir,

rp5 2 a65- V,

Refor¿ando esta condición con la igualdad, en ese punto rlcs es mi4ximo y, de manera corespondiente,
,Ds es mírimo, por tanlo, puede escribirse

?oS.¡ =
"CS.¡*-Vr
VDs -lA,lt'i =Ves+ ii-Vt
4'4-3'3ttt=4'4+ i - 1'5
-

4,6 OPERAC|óN y MoDELos A PEQUEñA SEñAL 295

I

lo que da como resultado

i¡=O34v
Observe que en la dirección negativa esta amplitud de señal de entrada da como resultado
a6^i"= {.( - Q.J/¡ = 4,06 V, que es mayor que y,; por tanto, el transistor sigue conduciendo. De
esta manera, como se ha supuesto, la limitación en la amplitud de la señal de entrada se detemina
mediante las conside¡aciones en el extremo superior, y el pico de la máxima señal de entrada per-
misible es 0.34 V

4.6.7 El modelo T del circuito equivalente

Por medio de una simple transformación del circuito es posible desarrollar un modelo alterno
de circuito equivalente para el MOSFET. En la figura 4.39 se ilustra el desarrollo de éste, co-
nocido como modelo T. En la figura 4.39a) se encuentra el circuito equivalente ya estudiado
sin r,. En la ñgura 4.39b) se ha agregado una segunda fuente de corriente gnuss en serie con la
fuente controlada original. Obviamente esta adición no cambia las corientes de las terminales
y, por tanto, es permitida. El nodo de circuito recién creado, marcado como X, está unido a
la terminal de la compuerta G en la figura 4.39c)- Observe que la corriente de compuefa no
cambia (es decil, sigue siendo igual a cero) y, por tanto, esta conexión no modifica las curvas
caracteísticas de la terminal. Ahora se observa que se tiene una fuente controlada de corriente

ie=0

a'¡ b\

d) c)
FIGüRA il39 DesaÍollo del modelo T de ci¡cuito equivalente paÉ el MOSFET. Por razones de simplicidad,
se ha omitido r, pero puede ag¡ega¡se entre D y S en el modelo T de d).
7

296 ü cAPfTUt-o 4 rRANstsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

d) b)

FIGURA 4.4O ¿) El modelo T del MOSFET al que se ha aumentado la resistencia de dr€naje a fuente r,,
á) Representación altema del modelo T,

gñus, conectada en paralelo con su voltáje de control ,s". Se puede reemplazar esta fi¡ente
controlada con una resistencia, siempre y cuando esta última tome una corriente igual que la
fuente. (Consulte el teorema de absorción de fuente en el apéndice C.) Por tanto, el valor de
fa resistencia es asr/ g^as,=l/ g^. Este reemplazo se muestra en la figura 4.39d), que describe
el modelo altemo. Observe que i, sigue siendo cero, r¿ = g-ur, ¿ ¡"= 1t*/ (l / g^) = g.a*, igtal
que en el modelo original de la figura 4.39c).
El modelo de la figura 4.39d) muesta que la resistencia entre compuerta y fuen¡e viendo hacia
la fuente es l/9.. Esta observación y el modelo T han probado su utilidad en algunas apücaciones.
Tome nota de que la resistencia entre compuerta y fuente, viendo hacia la compuerta, es infinita.
Al desarrollar el modelo T, no se incluye /o. Si se desea, esto puede hacerse al incorporar
en el circuito de la figura 4,39d) una resistencia r, entre el drenaje y la fuente, como se muesfia
en la figura 4.40d). En la figura 4.40á) se muestra una representación altema del modelo T en
el que la fuente de coriente conholada por voltaje es reernplazada con una fuente de corriente
conholada por corriente.
Por último, debe notar que paxa distinguir el modelo de la figura 4.37á) del modelo T equi-
valente, al primero suele denominarse modelo bibrido z, en recuerdo de la literatura relacionada
con el transistor bipolar. El origen de este nombre se explicafá en el siguiente capítulo.

4.6.8 Modelo del efecto del cuerpo

Como se mencionó en la sección 4.2, el efecto del cuerpo ocurre en un MOSFET cuando la
fuente no está unida al susÍato (el cual siempre está conectado a la fuente de alimentación
más negativa en el circüto integrado para los dispositivos de canal n y a la más positiva para
los de canal p). Por tanto, el sustrato (cuer?o) estará a tierra en la señal, pero como la fuente
no lo está, se presenta un voltaje de señal u¿" entle el cuerpo (B) y la fuente (S). En la sección
4.Q se mencionó que el sustrato actúa como una "segunda compuerta" o compuerta trasera
para el MOSFET. Por tanto, la señal u¿, da lugar a una compuerta de drenaje a coÍiente, que
se etiqueta como g-ru6,, donde g,, es la transconduct¿ncia del cuerpo, definida como

_ üol (4.75)
a{'ssl¿;s= rcm'a¡'e

Recuerde que i¿ es una función de úsJ a través de la dependencia de y¡ respecto de y¿s, por
tanto, pueden emplearse las ecuaciones (4.20), (4.33) y (4.61) para obtener

8^b = 18^ (4.76)

 4.6 opERACtóN y MoDELos A PEQUEñA SEñAL é 297

.J
"_rT
SS
a) b)

FrcUnA 1.41 Modelo de ci¡cuito equivalente a pequeña señal de un MOSFET en el que la fuente no está
conectada al cuefpo.

donde
dV, y
nv= Ntt
------: =
2JrOr+W
(4.77)

Por lo general, el valor de Z cae entre 0.1 y 0.3.

En la figura 4.41 sé muestra el modelo MOSFET aumentado para incluir la fuente contro-
lada g,¿u¿, que representa el efecto del cuerpo. Éste es el modelo que debe usarse siempre que
la fuente no esté conectada al sustrato.
Por último, aunque el análisis anterior se desarrolló en un transistor NMOS, los resultados
y el circuito equivalente de la figura 4.41 se aplican igualmente bien a los transistores PMOS,
excepto por el uso de lV"sl,lV,l,lV*|,lvol, lV*1,lylV l/.1 y el reemplazo de k', con k'0.

4.6.9 Resumen
Se concluye esta sección al presentar en la tabla 4.2 un resumen de las fórmulas para calcular
los valores de los parámetros del MOSFET a pequeña señal. Observe que para gn existen tres
fórmulas, y cada una proporciona al diseñador del circuito información acerca de las elecciones
para el diseño. Se harán comentarios frecuentes sobre todo lo anterior en secciones y capítulos
posteriores.

Parámetros a pequeña señal

Tha¡uistorcs NMOS:
I T¡ansconductancia:
-
w__
g^ = P"L..Zvov =
2Io
= vo,
I Resi¡tencia de salida:
ro = VA/ID = l/ lID
I Tra¡sconductancia del cuerpo:

2J2Or+ vsB"'
Tiansicto¡es PMOS:
Las mismas fó¡mulas que para NMOS, coz lo excepción de quLe se usa I Vou | , I
V¡ | , V). Vt,lv*lv lzl
y se reemplaza p, con lt. (con¡inúa)
-

298 W (APITULo 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMPo Mos (MosFEf)

Modelos de circuito equ¡valente a pequeña señalcuando lVs¡l = 0 (es decir, no hay efecto del
cuerpo)

Modelo híb¡ido z Modelos T

Modelo de circuito a pequeña señal cuando lyss L * 0 (es decir, hay efecto del cuerpo)

Modelo híbrido 2r
 4.7 AMpLrFrcADoREs Mos DE uNA ETA'A @ ,",

4.24Untrarrsisto¡NMOStiene/¡C¿.=60p\l'ri/'¿,W/L=40,V,=lVyVA: 15 V. Encuentre g. y r, cuando a) el

,) 1.55 mA/V,

g.r"= 2Y o/V,

4.7 AMPLIFICADORES MOS DE UNA ETAPA

Una vez que se ha estudiado la polarización de amplificadores MOS (sección 4.5) y la opera-
ción a pequeña señal y los modelos del amplificador MOSFET (sección 4.6), está listo para
analizar las diversas configuraciones utilizadas en el diseño de los amplificadores MOS. En
esta sección se hará esto para el caso de los amplificadores MOS discretos, dejando el estudio
de los amplificadores MOS de circuito integrado (CI) para el capítulo 6. Además de su propia
utilidad, es un poco más fácil comprender los amplificadores MOS discretos que sus con-
tlapartes de CI, por dos razones principales: la separación entre las cantidades de dc y señal
es más obvia en los circuitos discretos, que utilizan ¡esistores como cargas de amplificador.
En contraste, como se verá en el capítulo 6, los amplificadores MOS de CI emplean fuentes
de coriente constante como cargas det amplificador, y deben aplicarse utilizando MOSFET
adicionales, lo que da como resultado circuitos más complejos. Por tanto, los circuitos estu-
diados en esta sección deben proporcionarle una intoducción al tema de las configuraciones
de amplificador MOS y una base sólida para el estudio de los amplificadores MOS de CI en
el capítulo 6.
Debido a que las fuentes del MOSFET en circuitos discretos suelen unirse al sustrato, el
efecto del cuerpo esta¡á ausente. Por tanto, en esta sección no se tomará en cuenta este efec¡o.
Además, en algunos circuitos se despreciará 4 para que el análisis siga siendo simple, y en
esta etapa inicial enfocarse en las carac¡eísticas sobresalientes de las configuraciones del
amplificador que se estudian.

4.7.1 La estructura básica

Enla.ñgva 4.42 se muestra el ci¡cuito básico que se utilizará para aplicar las diversas confi-
guraciones de los amplificadores MOS de circuito discreto. Entre los diversos esquemas piua
3oo W cAPfTULo 4 rRANstsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

voo

V¡: V¡o- RoIo

V65 : V,4 V6y

FIGURA 4.42 Estructua básica del circuito em-

pleado pala aplicar configu¡aciones de un amplificador
MOS de circuito disc¡eto de una etapa.

la polarización de éstos (sección 4.5) se ha seleccionado, por su efectividad y simplicidad, el

. que emplea polarización de corriente constante, Enla frgwa 4.42 se indica la corriente de dc
y el voltaje de dc resultantes en va¡ios nodos.
 4.7 AMplrFrcADoREs Mos DE uNA ETApA S to't

4.7.2 Caracterizació n de amplificadores

Al empezar el estudio de los circuitos amplificadores MOS, es importante conocer la manera de
caracterizar el desempeño de los amplificadores como bloques de construcción de circuitos. En
la sección 1.5 se presentó este tema. Sin embargo, el material de dicha sección estaba limitado
a los amplificadores unilaterales. Varios de los circuitos amplificadores que se estudiar¡ín en
este libro (aunque no en este capítulo) no son unilaterales; es deci.r, tienen reftoalimentación
intema que puede causar que su resistencia de entrada dependa de la resistencia de carga. De
manera similar, la retroalimentación intema puede causar que la resistencia de salida dependa
del valor de la resistencia de la fuente de señal que alimenta al amplificador). Para acomodar
los amplifcadores no unilaterales, en la tabla 4.3 se presenta un conjunto general de pará-
metros y circuitos equivalentes que se emplealán en la caracterización y comparación de los
amplificadores de hansistores. Son pertinentes varios comentarios:

1. El amplificador se muestraalimentado con una fuente de señal que tiene un voltaje de

circuito abierto4eñu, y una resistencia intemaRseñal. Éstos pueden ser los parámetros de
una fuente de señal real o el equivalente de Thévenin del ci¡cuito de salida de una etapa
de amplificador que precede a la que se está estudiando en un amplificador en cascada.
De igual manera, R¿ puede se¡ una ¡esistencia de carga real o la resistencia de entrada
de una etapa subsiguiente en un amplifrcador en cascada,

2. Los parámetros Ri, R", A*, Ai, y Gu pertenecen al propío ampürtcador (es decir, no
dependen de los valores de R..ñur y R¿. En contraste, R"n, R.d, A- 4,, G_ y G, pueden
depender de R."on, R. o de ambas. Además, observe la relación de los pares relacionados
de estos parámetos, por ejemplo, Ri = R* ln y R, = R-rln*0",=0.
=_
3. Como ya se mencionó, para el caso de los amplificadores no unilaterales, R"n puede
depender de R. y R., de R,"0". Aunque ninguno de los amplificadores que se es¡udian
en este capítulo son de este tipo, encontrará ampüficadores MOSFET no unilaterales en
el capítulo 6 y más adelante. Dichas dependencias no existen para los amplificadores
unilaterales, para los que Ren = R, y Rsal = R,.
4. La carga del amplificador en la fuente de seña1 está determinada por la resistencia de
entrada Ren. El valor de ésta determina la corriente i¡ que el amplificador toma de la
fuente de señal y la proporción de la señal z,"ou, que aparece en la entrada del propio
amplificador (es deci¡ u,).
3o2 3 cAPffuto 4 rRANs¡sroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

Circu¡to

Definic¡ones

I Resistencia de entrad¿ sirl carga: I Resistencia de salida:

R,=ll *.., = 1l
¡ l-.
t i IRL=^ -^

I Resistencia de effada: Rs¿¡¡

**'=
i +
úi
I Ganancia de voltaje a circuito abierto:

e,," = ":l
ti la,=-

I Ganancia de voltaje: I Ganancia general de volt¿je a ci¡cuito abiefo:

A,, =
vo
G,-= u' I
u""5¡ ln =-
Ganancia de cor¡iente en cortocircuito: I Ganancia genenl de voltaje:

o,,=:l
'¡ lR,=0

I Ganancia de corriente:

i-
A. =:
Transconductancia de coit ocircuito:
it
o¡
l¡, =o

I Resistencia de salida del propio amplificador:

R"=?l
¡,1,,=o

+
a¡= 0

:
 4.7 AMpLrFrcADoREs Mos DE uNA ETA'A Q tot

cif cu¡tos equivalentes

!A:

IB:

Relac¡ones

. j!*"=#h*, ^ R..' ,
.R-,+ R*ñ;'" R¿
RL
+ R,

R.
a A,= A**fu; G" =
R,*RA-
R,
a A*= G^R" G'= c- R, **--;

5. Cuando se evalúa la ganancia A, a partir del valor del circuito abierto A-, Ro es la resis-
trencia de salida que se habró de usar. Esto se debe a que A, se basa en la alimentación
del ampüficador con una señal de voltaje ideal ur. Esto debe resultar evidente a partir
del circuito equivalente A de la tabla 4.3. Por otra parte, si se está evaluando la ganancia
general de voltaje G, a partir de su valor a circuito abierto G*, la resistencia de salida
que se usará es R.". Esto es así porque G, esti basado en la alimentación del amplifica-
dor con z*0.¡, que tiene una resistencia intema R*6d. Esto debe resultar evidente en el
circuito equivalente C de la tabla 4.3.
6. Se irvita al lector a que exarnine con cuidado las definiciones y las seis relaciones que
se presentan en la tabla 4.3 y reflexione sobre ellas. El ejemplo 4.11 debe servirle de
ayuda en este caso.
-

-&.
3o4 lg CApfTULo 4 rRANstsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

Un amplificador de transistores es alimenlado con una fuente de señal que tiene un voltaje de cir-
cuito abierto ?.,*ñd de 10 mV y una resistencia intema nÉial de 100 kC). El voltaje rli en la entada del
amplificador y el voltaje de salida a, se miden sin y con resistencia de carga R¿ = 10 kC¿ conectada
a la salida del ampliñcador Los rcsultados medidos son los siguientes:

SinR¿ 9 90
conectada 8
Con R¿ 70

Encuenhe todos los pariámetos del amplificador.

Solución
Primero se usan los datos obtenidos para lRr = * para deúerrninar

A".=T = 10v/v
v
c," =efo= vvrv
Ahora, debido a que

"-=#-^A-
n=ffi''.
lo cual da
R¡ = 9@ kf,¿

A continuación se emplean los datos obtenidos cuando R" = 10 kQ está conectada a la salida del
ampliñcador para determinar

A"=+ = 8.75 V/V

c,=ft=tvtv
Los valores de A, y A- pueden usarse para determinar R¿ como sigue:

A"=A".#R.
8.75 = rolo*;
lo cual da

& = 1.43 ko
De manera similar, se empleaa los valores de G, y G- para determinar R*, a partir de

R,
G,= G"'n;ft;
o lo
- 10 + R.,l
 I

4.7 AMpL,FrcADoREs Mos DE uNA ErApA

$ tot

que produce

R.a = 286kO
El valor de R.n puede determinarse a parti¡ de

R"n¡
"¡ -
¿,"ñd R€oi+R*ñ.1
Por tanto,

8 R"o,
10- Rem+100
que produce

R*, = ,!00 kO
La transconductancia G. a cortochcuito se calcula así:

' G^=fuo= ft=t-eru

y la ganancia de corrienle Ai se determina de la manera siguiente:

, uo/R, lo R"nt
u,/ R"n !¡ Rt

= A,F=
"RL 8.7s xfll0 = 350 A/A

Por último, ie determina la ganancia de corriente a cofocircuito Á," como sigue. Del cücuito equi
valente A, en la tabla 4.3, la co¡riente de salida de codocircuito es

i"* = A,ot¡/R"
Sin embargo, para determinar v, es necesario conocer el valor de lR_,, obtenido con R¿ 0. Con
=
ese fin, obsewe que a partfu del circuito equivalente C, la corriente de cortocircuito de salida puede
enconÍatse como,

iu = G,¡t"^¡/R,¡
Ahora, reuniendo en una igualdad las dos expresiones para i* y sustituyendo G,, con

R.
o- = *,-**_ri-
Y ut con
/{cx'-r-
l'(¿--u-
ui - "- "*h"dFi--^
* R*"
se obtiene

ft*,t^,=o = n-,"/(r.f;)({ef -r]

= 81.8 kf)
Ahora se puede usar
i.," = A,.i,R"^1""_o/ R.
para obtener,
i"".
^=
A¡. -::- = 10x81.8,/1.43=572AlA
 &t
306, !g¡ CAPlrULo4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

4,7,3 El amplificador de fuente común (SC)

El amplificador de fuente común (SC) o configuración de fuente a tiera es el de uso más amplio
entre los circuitos amplificadores MOSFET. En la figura 4.43d) se muestra un amplificador de
fuente común creado con el circuito de la figura 4.42. Observe que, para establecer en la fuente
una tierra de señal o una üerra de ac, como se le llama en ocasiones, se ha conectado un con-
densador grande, Cs, entre la fuente y tierra. Este condensador, normalrnente con un valor de
pF, es necesario para proporcionar una impedancia muy pequeña (idealmente, cero; es dec4 un
cortocircuito) a todas las frecuencias pequeñas que tienen interés. De esta manera, la corriente
de señal pasa por Cr a tierra y, por tanto, es4aiva la resistencia de salida de la fuente de coriente
1(y cualquier otro componente del circuito que esté conectado a la fuente del MOSFET); por
tanto, a Cs se le denomina condensador de derivación. Obviamente, cuanto menor sea la fre-
cuencia de la señal, menos efectivo será el condensador de derivación. Este tema se estudiará
. en la sección 4.9. Para nuestos fines del discurso se supondrá que Cs actúa como un perfecto
cortocircuito y, po¡ tanto, establece un voltaje de señal cero en la fuente del MOSFET.
Para no alterar la corriente y los voltajes de polarización de dc, la señal que habrá de am-
plificarse (mostrada como fuente de voltaje z,"ur con resistencia intema R,"ñ,r), se encuentra
conectada a la compuerta mediante un condensador grande Cs1. Es necesario que este con-
densador C6¡, conocido como condensador de acoplamiento, acfúe como un cortocircuito
perfecto en todas las frecuencias de señal que interesan mientras bloquea dc. Aquí, una vez
más, se observa que a medida que disminuye la frecuencia de 1a señal la impedancia de Cs,
(es decir, I /jalC¿t) aumenta¡á y su efectividad como condensador de acoplamiento se reducirá
de manera correspondiente, Este problema también se tomará en consideración en la sección
4.9, cuando se estudie la dependencia que tiene la operación del amplificador respecto de
la frecuencia. Para los fines actuales, aquí se supondrá que C61 achia como un cortocircuito
perfecto en relación con la señal. Antes de dejar C6,, se debe señalar que en situaciones en las
que la fuente de señal puede proporcionar una vía de dc apropiada a tierra, la compuefa puede
conectarse dircctamente a la fuente de señal y prescindir de R" y C.r.
La señal de voltaje resultante en el drenaje eslá acoplada a la resistencia de carga R¿ mediante
oÍo condensador de acoplamiento Cc2. Se supondrá que éste ac¡ia como un cofocircuito perfecto
en todas las frecuencias de señal que tienen interés y, po¡ tanto, que el voltaje de salida ao= q.
Observe que R, puede ser un resistor de carga real, al que el amplificador debe proporcionar su
señal de voltaje de salida, o la resistencia de entrada de otra etapa de amplificador en casos donde
se requiere más de una etapa. (Estudiaú los ampüficadores de varias etapas en el capítulo 7.)
Para determinar 1as caracteísticas de la terminal del amplificador CS (es deci, su resis-
tencia de entrada, ganancia de voltaje y resistencia de salida) se reemplaza el MOSFET con el
modelo a pequeña señal. El cücuito resultante se muestra en la ñgura 4,43b), Para empezar,
se observa que este amplificador es unilateral. Pot tanto, R"n, no depende de R¿ y, por tanto,
R"nt = R¡ Además, R.¡ no dependerá de R*¡¡ y, por ello, R,u¡ = R,. El an¡álisis de este circuito
es simple y se realiza paso a paso, desde la fuente de señal hasta la carga del amplificador. En
la entrada
ir=0
R"'' = Rc (4.78)

R.,, Ro
-' -*nu'R.",+
R"..,'
=,,..
-"nu'R"
+ R".0,,
(4.7e)
 4.7 AMpLrFrcADoREs Mos DE uNA ErApA I tot

o" = - g^0,,(r,ll Rrll R¡)

c)

HGUnAa.¡13 a) Ampliñcado rie firente comú¡ basado e¡ el ci¡cuito de b Agura 4.42. á) Circuito equivalente
del amplifcador para análisis a ¡tequeña señal. c)Anáfisis a pequeiá señal ¡eafizado dire.tament€ en il ci¡cr¡iro
amplific¡dor con el modelo MOSFET utilizad¡o ir¡p[citamente.
3os lW CAPITUL0 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

Por 1o general, R,t se selecciona muy grande (por ejemplo, en el intervalo de MC)) con el re-
sultado de que Rc ) R,"oo¡ en muchas aplicaciones y

¿¡ us€ñat
=
Ahora
ags = Ui

Roll Rr)
". = -g.ar,(r.ll
Por tanto, la ganancia de voltaje 4. es

t, = -g^1r"ll n,ll n.¡ (4.80)

y la ganancia de voltaje a circuito abierto A- es

A,', = g,,(r'll Rr) (4.81)

La ganancia general de voltaje de la fuente de señal a la carga será

"'= E##'
= -¿*;f'(tllR'llR') (.4.82)

Por último, para determinar la resistencia de salida del amplificador R,u¡ se establece ,,"ñ"r en
0 cs deci, se reemplaza el generador de la señal, 4"04, con un cortoci¡cuito y se mira hacia
la terminal de salida, como se indicó en la figura 4.43-. El resultado se encuenÍa mediante
inspección como
R,"¡ - r, ll R¿ (4.83)

Como se ha visto, la inclusión de la resistencia de salida 4 en el análisis del amplificador CS

es muy sencilla: debido a que /; aparece entre el drenaje y la fuente, se encuenfta realmente en
paralelo con RD. Debido a que suele suceder que r, ) Rr, el efecto de /., será un ligero decrcmento
en la ganancia de voltaje y una disminución en R,o, (¡este último es un efecto benéfico!).
Aunque los modelos de circuito equivalente a pequeña señal proporcionan un proceso
sistemático para el análisis de cualquier circuito de amplificador, el esfuerzo que se requiere
para dibujarlo no siempre se justifica. Es deciq en situaciones simples y después de una gran
cantidad de práctica, puede realizarse el análisis a pequeña señal directamente sobre el circuito
original. En esta situación, el modelo de MOSFET a pequeña señal se emplea de manera im-
plícita. Para que el lector empiece en esta dirección, en la figura 4.43c) se muestra el aniilisis a
pequeña señal del amplificador CS realizado en una versión algo simplificada del circuito. Se
invita al lector a que examine este análisis y lo relacione con el análisis que emplea el circuito
equivalente de la figura 4.43b).
 4.7 AM'LTFTCADORE' MOS DE uNA ErApA I tO'

Se concluye el estudio del amplificador CS indicando que tiene una resistencia de entrada rnuy
alta, una ganancia de voltaje moderadanente alta y una resistencia de salida relativ¿mente alta.

4.7A El amplificador de fuente común con una resistencia

en la fuente
A menudo es benéfico insertár una resistencia R5 en la terminal de la fuente del amplificador
de fr¡ente comrln, como se muestra en la figura 4.,14a). El circuito equivalente a pequeña señal

voo

l,/(t. -)

I"/(f * n¡

0v

- Yss

a)

,,= i="J({+ n)
<-

0
__> G

+ R""r : R¡
Rc ae!

y: 'l(f + a)
ft*, : Rc

b)
FIGURA4.{4 a) Amplficador de fuente común co¡r u¡ta ¡esistenci¿ Rs en el alambre de la fuenre. á) Circuifo
eqüivalente a pequeña señal enel que se ha despreciado r,,
-

3lo O cApfTuto 4 rRANstsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

conespondiente se muestra en la figura 4..14á), donde se observa que el fiansistor ha sido reempla-
zado con su modelo T de circuito equivalente. Se prefiere el modelo T sobre el modelo zporque
en esÍe caso simplifica un poco el anáIsis, En general, siempre que una resistencia esté conectada
a la terminal de la fuente, como en el citcuito seguidor de fuente que se analiza brevemente, el
modelo T es el preferido: entonces la resistencia en la fuente aparece en serie con la resistencia
1/9., que representa la resistencia entre la fuente y la compuerta, viendo hacia la fuente.
Debe observarse que no se ha incluido ro en el modelo de circuito equivalente. Su inclusión
compücaía de manera import¿nte el análisis; r, conectarfa el nodo de salida del amplificador a la
entrada y, por tanto, haría que el amplificador fuera no unilateral. Por fortuna, no es impofante
el efecto de ro en la operación de este ampüficador de citcuito discreto. Esto se comprueba
empleando simulación de SPICE (sección 4. I 2). Sin embargo, éste Í, es el caso para la versión
de circuito integrado en el que ro desempeña un papel importante y debe tomarse en cuenta en
el análisis y el diseño del circuito, que es lo que se hará en el capítulo 6.
De la figura 4.44á) se ve que, como en el caso del amplificador CS,

R*, = t, = ¡o (4.84)

y, por tanto,

o, = q"-n;*" (4.8s)

Sin embargo, a diferencia del cicuito CS, aquí u$ sólo es una fracción de u¡. Puede determinarse
a panir del divisor de voltaje compuesto de 1/g. y R5 que aparece a través de la entrada del
amplificador de la siguiente manera:

I
-8s 'f 8-
u¡
(4.86)
+n. I +g.Rs

Por tanto, se puede usar el va¡or de lRs para confolat la magnitud de la señal ¿,sr y, por tanto,
asegufar que ésfa no se vuelva demasiado grande y cause una distorsión lineal inaceptablemente
alta. (Recuerde la restricción sobre z$ impuesta por la ecuación 4.59). Éste es el primer beneficio
de incluir el resisto¡ Rs. Ohos beneficios se encontuarán en secciones y capítulos posteriores.
Por ejemplo, en la sección 4.12 se demostrará con simulación SPICE que R5 provoca que se
extienda el ancho de banda rltil del amplificador. El mecanismo por el que sucede esta mejora en
el desempeño del amplificador es la retroalirnentación negativa. Por desgracia, el precio pagado
por estas mejoras es una reducción en la gafiancia de volt¿je, como se demostrará ahora,
La corriente l¿ es igual a la i que fluye en la segunda terminal; por tanto,

(4.87)

Por ello la inclusión de R, reduce l¿ en un factor (1 + g.Rs), cosa que apenas sorprende por-
que es el factor que relaciona us" con u, y el MOSFET prodace i¿= g.ur,.La ecuación (4.87)
indica también que puede considerarse que el efecto de Rs reduce la g. efectiva en un factor
(1 + s.Rs).
El voltaje de salida puede encontrarse ahora a partir de

v. = -id(RDll RL)

8-(RD R¿)
= -rJ3;F;'' II
 4.7 AMpLrFrcADoREs Mos DE uNA ErApA
@ tt t

Por tanto, la ganancia de voltaje es

.
A=-
e.(R" Il R, ) (4.88)
" 1+g_R{
y estableciendo R. = - d¿

,
A - = --
8-R n
(4.89)
"' I + 8_R¡
La ganancia general de voltaje G, es

Gx=
Rc g.(R, ll R.)
(4.e0)
Rc+R."ñd 1+g,,Rs

La comparación de las ecuaciones (4.88), (4.89) y (4.90) con sus contrapartes sin Rs indica
que la inclusión de Rs produce una reducción de la ganancia igual a un factor (l + g.Rr). En
el capítulo 8 se estudiará con cierto detalle la ¡etroalimentación negativa. Allí aprenderá que
a este factor se le denomina cantidad de retroalirnentación y que determina la magnitud de
las mejoras en el desempeño y, como contraparte, la reducción en la ganancia. En este punto
debe recordar que en lq sección 4.5 se vio que una resistencia Rs en la terminal de la fuente
aumenta la estabilidad de polarización de dc (es decir, R5 reduce la va¡iabilidad en I). La
acción de Rr que reduce la variabilidad de 1D es exactamente la misma que se está observando
aquí: Rr en el circuito de la figura 4.44 está reduciendo ir, lo cual es, después de todo, sólo
una variación de 1D. Debido a su acción de reducir la ganancia, a R, se le llama resistencia de
degen€ración de fuent€.
Otra in¡erpretación útil de la expresión de ganancia en la ecuac ión (4.88) es qle la ganancía
de la.compuerta al drenaje es símplemente el cocíente de la resistencia total en el dr.enaje,
(Ro ll R), a la res¡stencía total en la fuente.l1 / g,,) + Rrl.
Por último, se desea llamar la atención del lecto¡ al análisis a pequeña señal que se realiza
y que está directamente indicado en el circuito de la fr,grra 4.44a). Una vez más, con cierta
práctica, el lector debe tener la capacidad de prescindir, en situaciones simples, del trabajo
adicional de dibujar un modelo de circuito equivalente completo y usar de manera implícita
el modelo MOSFET. Esto también tiene la ventaja adicional de proporcionar mayor conoci-
miento sobre la operación del circuito y, más aún, reduce la probabilidad de cometer er¡ores
de manipulación en el análisis del circuito.

4.33 En el ejercicio 4.32 se aplicó una señal de entrada de 0.4 V de pico a pico. Io que dio como resultado una señal
de salida del ampüficador CS de 2.8 V de pico a pico. Suponga que por alguna razón ahora qe riene una señal de
.entrada que es ües veces mayor que antes (es deait 1.2 V dl pico a picoj y que se desea modificar el circuito
para que manlenga sin cambio la señal de salida. ¿Qué valor debe usarse para R ?
Resp. 2.t 5 kO

4.7.5 El amplificador de compuerta común (CG)

Al establecer una tierra de señal en la terminal de la compuerta del MOSFE! se obtiene una
configuración de circuito llamada adecuadamente amplificador de compuerta común (CG,
Common-Gate) o de compuerta a tierra. La señal de entrada se aplica a la fuente, la salida
- \

3r2 O cApfTUr-o 4 TRANsrsronEs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

se toma en el drenaje y la compuerta forma una t€rminal comrín entre los puer¡os de entada
y salida. En la figura 4.45a) se muestra un amplificador CG obtenido del circuito de la figura
4.42. Observe que debido a que los voltajes de dc y ac en la compuert¿ habnán de ser cero, se ha
conectádo diectamente la compuefi¿ a tiera, eliminando así al resistor R6, Los condensadores
de acoplamiento C.1 y C¿2 realizan funciones simila¡es a las del ctcuito CS.
En la figura 4.45b\ se muestra el modelo de circuito equivalente a pequeña señal del
amplificador CG. Debido a que el resistor Rs¿ñd aparece directamente en serie con la terminal
de la fuente del MOSFET, se ha seleccionado el modelo T paxa el transistor. Por supuesto,

b')

F¡GUnA 4,¡[5 a) Amplificador de cornpuerta comlún basado en el circuito de la figür¿ 4.42. b) ChcJ.ño
equivaleÍe a pequeña señal del amplificador en ¿).
 4.7 AMpLrFrcADoREs Mos DE uNA ETApA I ttt

- Yss

c)

FrcUnA 4.45 lcontináíón¡ c¡El unplificado¡ de compuerta común alimetrtado con una entrada de señal
de co¡¡ierte.

cualquier modelo puede usarse y producirá result¿dos idénticos; sin embargo, el modelo T es
más conveniente en este caso. Observe también que no se ha incluido ro. De hacedo aquí, se
complicaría el análisis de manera considerable, porque apareceía enÍe la salida y la entrada
del amplificador, En el capítulo 6 se consideraní el efecto de r¿ cuando se estudie la forma de
circuito integrado del amplificador CG.
Al inspeccionar el modelo de circuito equivalente en la figura 4.45á), se ve que la resis-
tencia de entrada es

R-, =
I
(4.91)

Esto se hubiera esperado porque se está mifando hacia la terminal de la fuente del MOSFET
y la compuerta esúí a tierra.? Más aún, debido a que el circuito es unilateral, R"o es indepen-
diente de R¿ y i".t = Rt. Debido a que g. es del orden de 1 mA/V, la resistencia de entrada del
amplificador CG puede ser relativamente baja (del orden de 1 kf,l) y, por supuesto, mucho
más baja que en el caso del amplificador CS. De esto se desprende que puede ocurrir una
importante pérdida de fuerza de la señal al acoplat la señal con la entrada del amplificador
CG, porque

n"*
4=",ar"rR;E;al (4.92)

Por tanto,
I
u¡ =
8^l = u*o,r¡;l-,fi*n"r
ü*ñ"!-l---:- (4.e3)

8^

7
Como se verá en el caplflrlo ó, cuando se toma en cuenta r¿, R*t depende de R, y R¿, y puede ser muy
diferenúe de 1/9..
314 Ü cAPfruto 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

apartir de lo cual se ve que para mantener baja la pérdida en la fuerza de la señal, la rcsistencia
de la fuente R*u¡ debe ser pequeña

R*u¡( I
c-
La corriente i¡ esü4 dada por

'';.=aiR-,= l/ 'ts^ =o,,

y la corriente del drenaje i, es

io=i=-i,=-g-u,
Por tanto, el voltaje de salida puede encontrarse con

úo = a¿ = -rd(RD ll R¿) = g.(RD llR¿)"r

que produce la ganancia de voltaje

A, = s^(RDll RL) (4.e4)

g panir de la cual puede encontrarse la ganancia de voltaje a circuito abierto como

4,. = s^Ro (4.95)

La ganancia general de voltaje se obtiene como sigue:

I
^ R"o, 8^ A,,
"" = R.,+R-#' = = +s'n*,, (4.96a)

FJ
que da como rcsultado
-r
ll R¿)
6" = 8'(Ro
I + g-R*ñ,|
(4.96b)

por último, la resistencia de salida se encuentra que es, mediante inspección,

R,¡ = R, = ft, (4.97)

Al comparar estas expresiones con las del amplificador de fuente comrln se hacen las
siguientes observaciones:

I . A diferencia
del amplificador CS. que es inverso¡ el amplificador CG es no inversor.
Sin embargo, esto apenas resulta import¿nte.
' 2. Mientras que el amplificador CS tiene una resistencia de entrada muy elevada, la del
. amplificador CG es baja.
3. Mientras que los valores de A, de los amplificadores CS y CG son casi idénticos, la
ganancia general de voltaje del primero es menor por e1 factor 1 + g-R."n" [ecuación
(4.96b)1, lo que se debe a la baja resistencia de entrada del circuito CG.

Las observaciones anteriores no mueshan ninguna ventaja particular para el circuito CG;
para explorar este circuito más a fondo se dará un vistazo a su operación. En la figura 4.45c)
se muestra el amplficador CG con una fuente de corriente de señal i*"l que tiene una resis-
tencia intema R*ñar. Por supuesto, esto puede ser el equivalente de Norton de la fuente de señal
- \

4.7 AMPLIFICADORES MOS DE UNA ETAPA 315

usada en la figura 4.45a). Ahora, empleando Ren = 1/g., y la regla del divisor de frecuencia,
se encuenha la fracción de /,"0¡ que fluye en la fuente del MOSFET, t¡,

;- ; R*¡ot R*¡¡
-; (4.e8)
&.0, + l
c-
Por lo general, R."o l/g^,e
^) (4.98a)

Por tanto, se ve que el chcuito presenta una resistencia de entrada relativamente baja 1/ g^ala
fuente de corriente de la señal de entrada, lo que da como resultado muy poca atenuación de
corriente de señal. Entonces el MOSFET reproduce esta corriente en la terminal del drenaje
a una resistencia de salida mucho más elevada. Por tanto, el ci¡cuito achia realmente como
amplificador de corr¡ente de ganancia unitaria o seguidor de corriente. Esle concepto de
la operación del amplificador de compuerta común ha llevado a su aplicación más popular, una
configuración conocida como circuito €n cascada, que se estudiará en el capítulo 6.
Otra rárea de aplicación del ampliflcador CG usa su desempeño superior a alta frecuencia,
en comparación con el de la etapa de CS (sección 4.9). En el capítulo 6 se estudiarán los circui-
tos amplificadores de banda ancha. Aquí se debe indicar que la baja resistencia de entrada del
amptificador CG puede ser una ventaja en algunas aplicaciones de muy alta frecuencia, en las
que se consideraría la conexión de la señal de entrada como una línea cle transmiJióa y puede
hacerse que la resistencia de entrada 1/g, del amplificador CG funcione comola res¡stenc¡a
de transmísión de la línea de t¡ansmisión (revise el problema 4.86).

4.7.6 El amplificador de drenaje común o seguidor de fuente

La última configuración del amplificador MOSFET de una etapa que se estudiará es la que se
obtiene al establecer una tiena de señal en el drenaje a la que se utiliza como terminal común
para el puerto de entrada (enhe la compuerta y el drenaje) y el puerto de salida (entre la fuente
y el drenaje). Por analogía con las configuraciones de amplificadores CS y CG, aeste circuifo se
le denomina amplificador de drenaje común o de drenaje a tierra. Sin embargo, se le conoce
más popularmente como seguidor de fuente, por una razón que se hará evidente en breve.
En la figura 4.46a) se muestra un amplificador de drenaje común basado en el circuito de
la figura 4.42. Debido a que el drenaje habrá de funcionar como una tierra de señal, no es ne-
cesario el resistor RD y, por tanto, se ha eliminado. La señal de enhada está acoplada mediante
el condensador C.r a la compuerta del MOSFET, y la señal de salida en la fuente del MOSFET
está acoplada mediante el condensador Cc2 al resistor de carga R¿.
Debido a que R, realmente está conectada en serie con la terminal de la fuente del t¡ansistor
(la fuente de corriente l actúa como cfucuito abierto en telación con las señales), es más con-
veniente usar el modelo T del MOSFET. En la figura 4.46ú) se muestra el circuito equivalente
316 O cAPlTUt-o /t TRANstsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

-l
lR."r
-Yss

c) d)

FrcUnA {./16 a) Amplificad<ir de dreriaje comrln o seguidor de fi¡enté. á) Modelo de cicuito equivalente a
pe-queña seña!. c) Análi¡h aFqueña leñal realizado direcl4mente sobre el ci¡cüito. d) Circuito pa¡a detemi¡a¡
la r€sistenaia de sdid¿ nd del s€guidor de iieite.
 4.7 AMPLIFICADOREs MOS DE UNA ETAPA (I ,"

a pequeña señal resultante del amplificador de drenaje común. El análisis de este circuito es
sencillo y se hace de la siguien¡e manera. La resistencia de entrada Ren¡ está dada por

R"o, = ftc (4.99)

Pof tanto,
R-. :,,-'-" RC
-' "**R"n + R*"i,r R6 + R*¡"r
(4.100)

Por lo general se selecciona R6 mucho mayor que R.6,a, con el resultado de que

Ai Aeñ
=

Para seguir con el análisis, es importante observar que ro aparece realmente en paralelo con
R¿, y como resultado entre la compuerta y la tierra se tiene una resistencia (1/g.) en serie con
(& ll r,). La se¡al u, aparece a través de esta resistencia total. Por tanto, es posible usar la regla
del divisor de voltaje para detemina¡ ,, como

-un
R'll" (4.101)
= u i------------""
(R¿ ll r,) + a
. 8ñ
a pafir de la cual se obtiene la ganaacia de voltaje A, como

R"ll'. (4.r02)
tnr ll',) +
*
y la ganancia de voltaje a circuito abiefo Auo como

A*= "i (4.103)

ro+ ;
Por lo general, ro ) 1/9., causando que la ganancia de voltaje a circuito abierto de la com-
puerta a la fi¡ente, 4,, en la ecuación (4. 103), se vuelva casi unitaria. Por tanto, el voltaje en la
fuente sigue al de l¿ compuerta, dando al circuito su nombre popular de seguidor de fuente.
Además, en muchas aplicaciones de circuito discreto, /o > R¿, lo que permite que la ecuación
(4.102) sea aproximada por
R,
(4.103a)
R,+f
t^
La ganancia general de voltaje G, puede encontrarse al combinar las ecuaciones (4.100) y
(4.102), con el siguiente resultado

t'=
^ Rc Rtllr. (4.1o+)
*o*^; Ail;;
lo que se aproxima alaunidad para R6 )
R*¿, ro 1/ g*y ro> R¡. )
Para destacar el hecho de que suele ser más r.ipido realizar el análisis a pequeña señal di-
rectamente sobre el diagrama del circuito, empleando sólo impllcitamente el modelo a pequeña
señal del MOSFET, se muestra ese análisis en la figura 4.46c). Una vez rnás, observe que pam
separar la acción intrfiseca del MOSFET del efecto Early, se ha exfaldo la resistencia de salida
/o y se le muesüa por separado,
3lg l[p cAPfTULo 4 TRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

El circuito para determi¡ar la resistencia de salida R," se muestra en la figura 4.46¿l). Debido
a que ahora el voltaje de salida es cero, al miraf hacia atrás a la fuente se ve, entre la fuente y
tierra, una resistencia 1/g- en paralelo con r¿; por tanto

n' = ll'" (4.10s)

*
Normalmente, r, > 1/g., reduciendo R"", a

R., =: (4.106)

que indica que R," será moderadamente baja.

Se observa que, a pesar de que el circuito seguidor de fuente tiene una gran cantidad de
retroalimentación intema (como lo verá en el capítulo 8), su R"n, es independiente de R. (y,
por tanto, Ri = RenJ y su R., es independiente de R."ñd 0, por tanto, R¿ = Rsar). Sin embargo, la
razón de esto es la coriente de compuerta de cero.
Como conclusión, el seguidor de fuente presenta una resistencia de entrada muy elevada, una
resistencia de salida relativamente baja y una ganancia de voltaje que es menor que la unidad,
pero cercana a ésta. Tiene aplicación en situaciones en las que se necesita conectar una fuente
de señal de voltaje que proporciona una señal de magnitud razonable, pero tiene una muy alta
resistencia intema a una ¡esistencia de carga mucho más pequeña (es decir, como ampliflcador
' de búfer de voltaje de ganancia unitaria). La necesidad de estos amplificadores se analizó en la
sección 1.5. El seguidor de fuente también se usa como etapa de salida en un amplificador de
varias etapas, en el que su función consiste en proveer al ampliflcador general con una resis-
tencia de salida baja, 1o que le permite suministrar corrientes de carga relativamente grandes
sin pérdida de ganancia (es decit con poca reducción del nivel de señal de salida). El diseño
de las etapas de salida se estudia en el capítulo 14.

4.7.7 Resumen y comparaciones

A manera de referencia fácil en Ia tabla 4.4 se presenta un resumen de las características de
laS diversas configuraciones de amplificado¡es MOSFET discretos de una sola etapa. Además
de los comentarios ya hechos en toda esta sección sobre los méritos relativos de las diversas
coniiguraciones, el resultado desplegado en la tabla 4.4 permite concluir lo siguiente:

I . La conflguración CS es la más adecuada para obtener toda la ganancia requerida en un

amplificador Dependiendo de la magnitud de la ganancia requerida, puede usarse un
CS de una etapa o uno de dos o tres etapas en cascada.
2. La inclusión de un resistor Rs en la terminal de la fuente de la etapa CS proporciona
varias mejoras en su desempeño, como se verá en capítulos posteriores, a costa de una
ganancia reducida.
a

4,7 AMpLlFrcADoREs Mos DE uNA ETA'A I tt"

R-, = ic
A" = -s^(r.llR¡llR)
R""1 = ro lli¿

c" = -aft;e,(r,llRollR")

-YJJ

Fuente <omún con resistencia en la fuénte yDD

Despreciando r,:
X*= Rc

. RD ll-R¿ g^(RDllR L)
tr_*-r= I +81"
R'a = R¿

^ Re g_P.Dll RL)
RG +R*6d I + g--R.

'r" = 1
r, l+gls
-YJs

Compuerta común

DesEectardo r,:
I
R*=;
A" = g.(R¡llR¿)
R"¡ = R¡
G' =
1+;:;8'(RDrlR'

- YJs
(corrti4úa)
-

32o & cAPfTuto 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

Drenaje (omún o sequidor de fuente

R-, = ftc
r..llR,
" -
A,= ;
{r,llR¿)+:

R"d = ¡,ll 1 = I
r.ll n"
q= Rc Rc
* R."¡ur
tr"llR,l+l
8-
vss

La resistencia de enhada baja del amplificador CG sólo es útil en aplicaciones específi-

cas. Esto incluye amplificadores de voltaje que no requieren una resistencia de entrada
alta y que aprovechan el excelente desempeño a alta frecuencia de la configuración CG
(consulte el capítulo 6) y amplificadores de coriente de ganancia unitaria o seguidores
de corriente. Este último da lugar a la aplicación más popular de la configuración de
compuerta común, el amplificador de cascada (consulte el capÍtulo 6).
4. El seguidor de fuente tiene aplicación como amortiguador (hífer) de voltaje para conectar
una fuente de alta resistencia a una carga de baja resistencia como etapa de salida en un
amplificador de varias etapas.

4,8 CAPACITANCIAS INTERNAS DE MOSFET Y MODELO

DE ALTA FRECUENCIA
Gracias al estudio de la operación física del MOSFET en la sección 4.1, se sabe que el disposi-
tivo tiene capacitancias intemas. En realidad, seusó una de éstas,la de compuerta a canal, en la
determinación de las características i-rdel MOSFET. Sin embargo, se supuso implícitamente
que las cargas de estado estable en esas capacitaricias se adquieren de manera instantánea.
En otras palabras, no se tomó en consideración el tiempo finito requerido para cargar y des-
cargar las diversas capacitancias intemas. Como resultado, los modelos de dispositivos que
se obtuvieron, como el modelo a pequeña señal, no incluyen capacitancias. El uso de estos
modelos anticiparía ganancias constantes del amplificador independientes de la frecuencia. Sin
embargo, se sabe que éste no es el caso (nr desgracia); en realidad, la ganancia de todos los
amplificadores MOSFET cae fuera de algunas altas frecuencias. De igual mane¡a, el inversor
légico digital MOSFET muesÍa una demo¡a de propagación diferente de cero. Para predecir
estos resultados, el modelo MOSFET debe mejorarse con la inclusión de capacitancias intemas.
Éste es el tema de la presente sección.
Para visualizar el origen físico de varias capacitancias intemas, tome como referencia la
figura 4.1. Hay básicamente dos tipos de capacitancias inlemas en el MOSFET.

1 . El efecto capacitivo de la compuefa: el electrodo de la compuerta (polisilicio) forma un

condensador de placas en paralelo con el canal . y la capa de óxido sirve como dieléctrico
del condensador. Ya se estudió la capacitancia de compuerta (u óxido) en la sección 4.1
y se simbolizó su valor por área unitaria como Co,.
 4.8 cApAcrrANcrAs TNTERNAs DE MosFET y MoDELo DE ALTA FREcuENcTA $ trt

2. Las capacitancias de capa de agotamiento de fuente-cuerpo y de drenaje-cuerpo son

las de las uniones pn con polarización inversa formadas por la región .e la fuente n+
(también llamada difusión de fuentr) y el sustrato tipo p, y por la región del drenaje
¿+ (la difusión de drenaje) y el sustrato. La evaluación de dichas capacitancias utiliza
el material estudiado en el capítulo 3.

Estos dos efectos capaciüvos podri4n modelarse si se incluyen capacitancias en el modelo

de MOSFET entre sus cuatro terminales, G, D, S y B. Habrá cinco capacitancias en total: Cr",
C ga, C s6, C ,¡ y C db, donde los subíndices indican el lugar de las capacitancias en el modelo. A
continuación se mueslra la forma en que se determinan los valores de las cinco capacitancias
del modelo. Pa¡a ello se considerará por separado cada uno de los dos efectos capacitivos.

4.8,1 El efecto capacitivo de compuerta

El efecto capacitivo de compuerta puede modelarse mediante las tres capacitancias C ,, C sa y
Cr6, Los valores de estas capacitancias se determinan de la siguiente manera:

1. Cuando el MOSFET estr4 operando en la región del triodo a un pequeño zp5 el canal
tendrá profundidad uniforme. La capacitancia entre la compuert ay el canal será14 / LC o"
y se puede modelar al dividirla equitativamente entre los extremos de Ia fuente y la
compuerta; por tanto,

C* = Cra = )WtC., (región del triodo) (4.107)

Esto es, obviamente, una aproximación (al igual que todos los modelos), pero funciona
bien para la operación en la región del triodo, aunque ?Ds no sea pequeño.
2. Cuando el MOSFET opera en saturación, el canal tiene forma de huso y se comprirne
en el extremo del drenaje o cerca de é1. Se puede demostrar que la capacitancia de com-
puerta a canal en este caso es aproximadamente IWLC y se puede modelar al asignar
",
toda esta cantidad a Cs, y una cantidad cero a Cr¿ (porque el canal esti4 comprimido en
el drenaje); por tanto,
(4.108)
c-.=lwtc^-
-cr r"--* )| (región de saturación)
Ce¿=O (4.109)
)

3. Cuando el MOSFET estlá en corte, el canal desaparece y, por tanto, Cr, = Cr¿ = 0. Sin
embargo, se puede modelar (después de un razonamiento más o menos complejo) el
efecto capacitivo de la compuerta al asignar una capacitancia WLC,, ala capaciturcia
del modelo de compuerla y cuerpo: por tanto,

C,,=C,a=O (4.110)
] ,"o*",
Cet = WLC^ ) (4.111)

4. Hay un pequeño componente capacitivo adicional que debe sumarse a Cr" y C"¿ en todas
las fórmulas anteriores. Es la capacitancia que se obtiene debido a que las difusiones
de fuente y drenaje se extienden ligeramente bajo el óxido de la compuena (revise la
figura 4.1 ). Si la longitud de superposiciór? se denota ¿",p, se ve que el componente de
capacitancia de superposición es

C,,r= WL",.C", (4.[.2)

Por lo general, 2'@ = 0.05 a 0.11.

322 lW cAPfruLo 4 TRANstsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

4.8.2 Las capacitancias de unión

Se pueden determinar las capacitancias de capa de agotamiento de las dos uniones pr con
polarización inversa, formadas entre las difusiones de la fuente y el drenaje y el cuerpo, si se
usa la fórmula desar¡ollada en la sección 3.7.3 (ecuación 3.56). Por tanto, para la difusión de
la fuente se tiene la capacitancia de fuente y cuerpo, Cr¿,

C,,N
(4.113)
Vst
v0

donde C"¡¡ es el valorde C, en unapolarización de cuerpo y fuente cero, ys, es la magnitud del
voltaje de polarización inverso y Vo es el voltaje de unión integrado (0.6 V a 0.8 V). De igual
manera, para la difusión del drenaje se tiene la capacitancia de drenaje y cuerpo C¿¿,

C a',0
C¿t = (4.1t4)
1 +Y:!!
vo

donde C¿¿¡ es el valor de capacitancia a un voltaje de polarización inve¡sa cero y VDB es la

'magnitud de este voltaje de polarización inverso, Observe que se ha supuesto que para ambas
uniones el coeflciente de graduación es rn = j.
También debe toma¡se nota de que cada una de estas capacitancias de unión incluye un
componente que surge de la parte inferior de la difusión y uno que lo hace delas paredes la-
terales de la dif\rsi6n. En este sentido, observe que cada difusión tiene tres paredes laterales
que estiín en contacto con el sustrato y, por tanto, contribuyen a la capacitancia de unión (la
cuarta pared está en contacto con el canal). En un modelado de MOSFET más avanzado los
dos componentes de cada capacitancia de unión se calculan por sepa.rado.
Las fórmulas para las capacitancias de unión en las ecuaciones (4.113) y (4.114) suponen
operación a pequeña señal. Sin embargo, ambas pueden modificarse para obtener valores pro-
medio aproximados para las capacitancias cuando e1 transistor opera en condiciones a gran
señal, como en los circuitos lógicos. Po¡ último, en el siguiente ejercicio se dan los valores
típicos de las diversas capacitancias mostradas po¡ un MOSFET de canal n en un proceso
CMOS relativamente modemo (0.5 /mi).

4.8.3 El modelo de alta frecuencia MOSFET

En la figura 4.47a) se muestra el modelo a pequeña señal del MOSFET, incluidas las cuatro
capacitancias C r,, C sa, C,by Cah. Este modelo puede emplearse para predecir la respuesta de
alta frecuencia de los amplificadores MOSFET. Sin embargo, es muy complejo para el análisis
manual y su uso se limita a la simulación por computadora recurriendo, por ejemplo, a SPICE.
 4.8 CAPACTTANCTAS TNTERNAS DE MOSFET y MODELO DE ALTA FRECUENCTA o 323

b)

c)

fIGURA 4.¡[7 a) Modelo d9 circuito equivalente a alrá ftecuencia para el MOSFET. á) El circuito eqüiva-
lerte pa¡a el caso en que la fuente esté conectada al sustrato (cuerpo). c) El modelo de circuito equivalente de
á) desp¡eciando Cdó (para simplifca¡ el análisis).

Por fortuna, para el caso en que la fuente está conectada al cuerpo, el modelo se simplifica
considerablemente, como se muestra en la figura 4.47b'). En este modelo, Csd, aunque pe-
queña, desempeña un papel importante para determinar la respuesta de alta frecuencia de los
¡
amplifcadores (sección 4.9) por tanto, debe mantenetse en el modelo. Por otra parte, suele
despreciarse la c pacttmrcta Cdb, lo que lleva a una simplificación considerable del análisis
manual. El circuito resultante se muestra en la figura 4.47c).
324 I cAPfTuLo 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

FrcUnA il.f8 Determinación de la ga¡ancia de cor¡iente en cortoci¡cuito /o/I¡.

4.8.4 La frecuencia de ganancia unitaria (f/ del MOSFET

Una cifra importante para la operación a alta frecuencia del MOSFET como amplificador es
la frecuencia de ganancia unitaria,;É¡. Ésta se define como la frecuencia a la cual la ga¡ancia
de corriente en cortocircuito de la configuración de fuente común se vuelve la unidad. En la
figura 4.48 se muestra el modelo MOSFET híbrido zcon la fuente como terminal común entre
los puefos de entrada y de salida. Para determinar la ganancia de corriente en cortocitcuito, la
entrada se alimenta con una señal de fuente de corriente 1¡ y las terminales de salida se ponen
en cortocircuito.8 Es fácil ver que la corriente en el cortocircuito está dada por

Io = g^Vr,-sCr¿Vr"

Si recuerda que C8d es pequeña a las frecuencias de inteÉs, puede despreciarse el segundo
término de la ecuación,

I": g^ve, (4.115)

De acuerdo con la figura 4.48, se puede expresar y8, en términos de la cofiente de entrada.¡r
como

Vr, = I¡/s(Cr,+Cr¿) (4.116)

Las ecuaciones (4.115) y (a.116) se combinan para obtener la ganancia de coriente en cor-
tocircuito
I:= e^ (4.1,17)
Ii s(Cs"+ C sd)

En el caso de frecuencias físicas s =jo, se verá que la magrritud de la ganancia de corriente se

convierte en unitaria a la frecuencia

6t, = g^/(Cr,+ C"¿)

Por tanto, la frecuencia de ganancia unitari¿-fr = 0h/2Í es

c^
tr - 24g8,+cEd) (4.118)

Como /t es proporcional a g. e inversamente proporcional a las capacitancias intemas del

FEI cuanto más alto sea el valor de$ más eficaz sen4. el FET como amplificador. Al sustituit
g. por la expresión de la ecuación (4.70), es posible expresatJÉr en términos de la cor¡iente de
8
Obsewe que debido a que ahora se trata con cantidades (corrientes, en este caso) que son ñmción de
la frecuencia o, de manera equivalente, la variable s de l,aplace, se usan letras mayísculas con subfti-
dices en minúsculas para los símbolos. Esto cumple con la notación de símbolos que se presentó en el
capítulo 1.
-

4.0 cApAcrrANcrAs TNTERNAs DE MosFEr y MoDELo DE ALTA FREcuENcTA

$ trt

polaizaciín I o Qéase el problema 4.92). Como otra opción se puede sustituir g, por la expre-
sión de la ecuación (4.69) para expresar f7 a partir del voltaje de sobrecarga Vou (consulte el
problema 4.93). Ambas expresiones proporcionan información adicional sobre la operación a
alta frecuencia del MOSFET.
Por lo general,;f, va de unos 100 MHz para las tecnologías más antiguas (por ejemplo, un
proceso CMOS de 5 ¡rm) a muchos GHz para las tecnologías más recientes de alta velocidad
(como un proceso CMOS de 0.13 pm).

4.8.5 Resumen
Se concluye esta sección presentando un resumen en la tabla 4.5.

Modelo

Parámetros del modelo

_ 21, C"uo
e^.= p,c*Yvou C"¡ =
vo, v.-
I + ---
vo
'
2 J20r+ vsB C oun
C¿¡ =
r" V¡/Ip
t *Ypp
vo
cr, = lwtc",+wt,*c",
C
r¿ = WL",.C",
JT -
,^c;ie ,,)
326 S cAPfTUto 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

4,9 RESPUESTA DE FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR CSg

En esta sección se estudia la dependencia de la ganancia del amplificador MOSFET de fuente

común de la figura 4.49a) sobre la frecuencia de la señal de entrada. Sin embargo, antes de
empezar conviene hacer un comenta¡io sobre la tecnología: debido a que se tratará con voltajes
y corrientes que son funciones de la frecuencia o, de maneta más general, con la variable de
frecuencia compleja s se usarán mayúsculas con subíndices en minúsculas para representarlos
(por ejemplo, V",, V¿, %).

4.9.1 Las tres bandas de frecuencia

Cua¡rdo se estudió el circuito de la figura 4.49a) en la sección 4.7.3, se supuso que los conden-
sadores de acoplamiento Cc,1 y Ccz y el condensador de paso C5 actuaban como un perfecto
cortocircuito en todas las frecuencias de señal dignas de interés. También se despreciaron las
capacitancias intemas del MOSFET ----es decir, se supuso que Cr" y Cr¿ del modelo de MOS-
FET de alta frecuencia mostrado en la fi.gJ'ra 4.47 c) eran lo suficientemente pequeñas para
actuar como circuitos abiertos en todas las frecuencias de señal que merecen interés-. Como
resultado de ignorar todos los efectos capacitivos, la expresión de ganancia determinada en
la sección 4.7.3 era independiente de la ftecuencia. Sin embargo, en realidad esta situación se
aplica a una banda de frecuencias limitada, aunque normalmente amplia. Esto se ilust¡a en la
'figtra 4.49b), enla que se muestra un dibujo de la magnitud de la ganancia general de voltaje,
lG"l, del amplificador CS contra la frecuencia. Se observa que la ganancia es casi constante
en una banda ancha de frecuencia, llamada banda meüa. El valor de la ganancia de banda
meüa Ay corresponde a la ganancia general de voltaje G, que se determinó en la sección
4.7 .2, a saber,

A, (,, Ro R" (4.119)

=
h= - ^*g e, ll I I

En la figura 4.49ó) se muestra que la ganancia

cae fi¡era de las frecuencias de señal que se
encuentran abajo y arriba de la banda media. La caída de ganancia en la banda de baja fre-
cuencia se debe a que, a pesar de que Cc,¡, C¿2 y C5 son condensadores grandes (en el intervalo
de pF), a medida que se reduce la frecuencia de la señal, su impedancia aumenta y ya no se
comportan como cortochcuitos. Por otr¿ parte, la ganancia cae en la banda de alta frtcuencia
como resultado de C' y Cs¿, eue a pesar de ser muy pequeñas (en valores de pF o fracciones
de pF para dispositivos discretos y mucho menor para dispositivos de CI), sus impedancias
a altas frecuencias disminuyen y, por tanto, ya no pueden considerarse circuitos abiefos. En
esta sección el objetivo es estudiar los mecanismos mediante los cuales estos dos conjuntos de
capacitancias afectan la ganaacia del amplificador en las bandas de baja y alta frecuencia. De
esta manera, se podrán determinar las frecuencias/¡7 y/¿, que definen la extensión de la banda
media, como se muestra en la figura 4.49á).
La banda media es, obviamente, la banda de frecuencia útil del amplificador. Por lo gene-
ral,/¿ y/¡¡ son las frecuencias a las que la ganancia cae 3 dB por debajo de su valor de banda
media. El ancho de banda (BW) del amplificador, o ancho de banda de 3 ilB, se define como
la diferencia entre las frecuencias de 3 dB más baja (f¿) y la superior o más alta (/r),

BW =fu-ft (4.120)

y debido a que, por lo general, f¿ 4 f",

BW=f¡t (4.121)

Se invit¿ insistentemente al lector para que revise la sección 1.6 antes de seguir con el estudio de esta
sección.
 4.9 REspuEsrA DE FREcuEN.TA DEL AMpLrFrcADoR cs I 327

-Yss

lv" (dB)
lv ,
e -l--- Banda
-BTe media --------------+É Banda de alta frecueocia
baJa
DaJa t¡ecuencra
uEcuencla I| _ |I
i . Pueden desnreciarse tfil,es les ceñácitanci¿s i
La ga¡ancÍr cae | ¿ | . La ganancia cae
fi¡era debido | Í ¡ t:: |
- _-+-3+----X
fuera debido al
arefectode
F: --- "i""ta"c",yc,,
JCa

20 los h¡41 (dB)

Í (Hz)
b)

FrcUnA a.¡19 a) A¡nplificador de fue¡te común acoplado capacitivametrte. ú) c¡áfca de la rcspue$ta de

ftecuencia del arnpüficado¡ en ¿) delineando la$ hes batrdas de ftecuencia que inteF-san.

Una cifra de inteÉs para el amplficador es el prrducto de g¡n¡ncia de ¡ncho de banda,

que se define como

aB=lAylBw (4.t22)

Más adelante se demostrani que en el diseño del arnpüficador suele compensarse ganancia con
ancho de band¿. Una manera de lograrlo es, por ejemplo, mediante la adición de una resistencia
de degeneración de fuente Rr, como se hizo en la sección 4.7.4.
a

32s C cAPlTut-o 4 TRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

4,9.2 La respuesta de alta frecuencia

Para determinar la ganancia, o la función de transferencia, del amplificador de la figura 4.49a)
a altas frecuencias, y sobre todo a la frecuencia de 3 dB superio¡.¡f", se reemplaza el MOSFET
con su modelo de alta ftecuencia de la figtta 4.47c). A estas frecuencias, C¿¡, C¡2y C5 se
comportariín como cortocircuitos perfectos. El resultado es el circuito equivalente de modelo
de alta ftecuencia mostrado en la figura 4.50a).
El circuito equivalente de la figura 4.50a) puede simplificarse al utilizar el teorema de
Thévenin en el lado de la entrada y al combinar las tres resistencias en paralelo en el lado de
la salida. El circuito simplificado resultante se muestra en la figura 4.50ó). Este circuito puede
sirnplificarse aún más si se encuentra una manera de tfatar con el condensador de puente Cad que
conecta al nodo de salida con el lado de la entrada. Hacia el final, analice primero el nodo de
salida. Se verá que la corriente de carga es (g.Vr, - 1r), donde (g,Vr,) es la coriente de salida
de1 transistor e 18,, es la coriente proporcionada a través de la capacitancia más pequeña Cra.
A ftecuencias cercanas a/H, que definen la frontera de la banda media, es razonable suponer
que 1r¿ aún es mucho más pequeño que (g,Vr,), con el resultado de que V, puede calcularse
aproximadamente con

v. = -(g-V,")Ri = -s^Rívc, (4.r23)

/Rc\
\i;T-R-J
R'¿ = rJ/Ro//R"

b)

FIGURA 4.50 Determinación de la rcspuesta de alta frecuencia del amplificador CS; ¿) circuito equivalente;
á) el circuito de a) simpliflcado en la entrada y la salida"
-

4.9 RESpuEsrA DE FRECUENCTA DEL AMpLtFtcADOR CS o 329

RLt
V.= -g-RtV*
+

(9"*")u*" -r
I
Ve' C,, C"q 8^Vs"

-L
= C"o=Cr¿(t+e#!)
c"ú
c)

frlt*r

(escal¿ logarltmica)
d)
FIGURA 4.5O (contiruación) c) el citctti¡n €quivalente con Csr r€enplazado en el lado de la enhad¿ con
la c¡pacitancia equivalente C,4: A g¡áfica & l¿ rcspuesta d€ ftecue¡cia, qüe €s la de un ci¡cuito de tiempo
const¡nrE pasabajas.

donde

RL= r,ll R"ll RL

,
Debido a que V, = V^, la ecuación (4.123) indica que la ganancia de la compuerta al drenaje
es -g#L, el mismo valor que en la banda media. La corriente Isd puede encontrarse ahora
como sigue

Ir¿ = sC"¿(V*-V.)
= sC r¿IV - (s V
^Rí *)1
""
= scsd\ + g^RL)is"
33o I cApfruto 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

Ahor4 la parte izquierda delcircuito de la figura 4.50b), en )O(' , sólo sabe de la existencia de Cr¿
a través de la corriente 18ó Por t¿nto, se puede reemplazar Cr¿ por una capacitancia equivalente
C"{ entre la compuef¿ y tierra, siempre y cuando C"q tome una.coriente igual a I"¿. Es decir,

sC.oV r" = sCr¿(1+ s^R'¡)V *

lo que da como resultado

C"n = C"¿(l+ s^Rí) (4.124)

El uso de C"q pemite simplifcar el circuito equivalente en el lado de la entrada, como se muesÍa
en la figura 4.50c). Se reconoce que el circuito de la figum4.5Oc) es de una constante de tiempo
(Src, Single-Time Constant) del tipo pasabajas (véase sección 1 .6 y apéndice D). La referencia
a la tabla 1.2 permite expresar el voltaje de salida V", del circuito STC en la forma

u,, = (a*;*),. .,!

(4.125)

oo

donde a¡ es la frecuencia de esquina o frecuencia de ruptura del circüto STC,

¡4 = l/ C."Ri*,a (4.126)

C,^= Cr+C"o = Ce,+Cca(l + g^RL) (4.127)

lRl-=ft*" llRo (4.r28)

Al combinar las ecuaciones (4. 123) y (4.125) se obtiene la siguiente expresión Para la ganancia
de alta frecuencia del amplificador CS,

vo R^ \
-[¡"fr;Jte'n;l r
(4.t29)
=-,
v*" ,-a'
lo que puede expresarse en la forma

VO= A, (4.130)
V*n 1+¿
oH

donde la ganancia de banda media Ay está dada por la ecuación (4.119) y arr es la ftecuencia
superior de 3 dB,

I
a,= @o=
c.*N*
(4.131)

^ (Dn
L=
1
(4.r32)
2o= ,EC;ú
 4.9 RESPUESTA DE FRECUENCTA DEL AMpltFtCADOR CS I 331

Por tanto, se ve que la respuesta a alta frecuencia será la de una red STC pasabajas con una
frecuencia/," de 3 dB determinada por la constante de tiempo C*rR!,.1. En la figura 4.50d) se
muestra una gráfica de la magnihtd de la ganancia de alfa frecuencia.
Antes de dejar €sta sección es necesa¡io hacer varias observaciones:

1. La frecuencia superior de 3 dB estiá determinada por la interacción de Rl"ñd =R."ñd llRc

y C. r= C r, + C rÁL + g,R).
Debido a que la resistencia de polarización R6 suele ser
muy grande, es posible despreciarla, lo que da como resultado Ri"o" R*", la resis-
=
tencia de la fuente de señal. De esto se desprende que un valor gfande de Rseñd causará
la reducción de/¡.
2. A la capacitancia de entrada total C"o, suele denominírsele C*, que a su vez se hace
gmnde por el efecto de multiplicación que experimenta Cr¿. Por tanto, a pesar de que
Csd suele ser una capacitancia muy pequeña, su efecto en la respuesta de frecuencia
del amplificador puede ser muy imporlante como resultado de su multiplicación por
el factor (1 + LR¿) que es aptoximadamente igual a la ganancia de banda media del
amplifrcador.
3 . El efecto de multiplicación que experimenta Csr se produce debido a que está conectada
entre los dos nodos cuyos voltajes están rclacionados por una gran ganancia negativa
(-g.Rt. A este efecto se le conoce como efecto Miller y a (1 + g,,R¿) se le conoce
como el rnultiplicador de Miüer. El efecto Miller es el que hace que el amplificador
CS tenga una cdpacitancia total de enhada grande C",, ¡
por tanto, una/r baja.
4. Para extender la respuesta de alta ftecuencia de un amplificador MOSFET, se tienen
que encontrar configuraciones en las que el efecto Miller esté ausente o por 10 menos
redücido. Se tratará este tema con mayor profundidad en el capítrfo 6.
5. El análisis anterior, que da como resultado un STC o una respuesta de un polo, apa-
rece sirnplificado. Especíncamente, estií basado en la omisión de 1ra con respecto a
g.ys,, suposición que se cumple bien a frecuencias que no son mucho mayores que
/¡. En el capítulo 6 se realizará un análisis más exacto del citcuito de la figura 4.50d).
Sin embargo, los resultados anteriores son más que suficientes para las necesidades
actuales.

Encucntre la gana¡cia de banda mediaA" y la frecuencia superior de 3 dB,/¡, de un amplificador CS

alimentado con una fuente de señal que tiene una resistencia intema R,.¡¡ = 100 kf). El amplificador
tieneRc= 4.7 MO, RD =¡¿ = 15 K), g, = 1mA/V, r, = 150kO, C, = 1pF y Crr= Q.d p¡.

Solución
o, =-#**;r^*¡
Rí=r"llRpllRt = 15011 15 ll t5 = 7.Mka.
c^R; = I x7.14 = 7.14 \ lY
Por tanto,
o"=-#k 7.r4=-iytw
-

332 lg cAPhuLo 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

La capacitancia equivalente, C"o, se encuentra mediante

" =',llr;;li'"';'^= 3 26 pF

La capacitancia total de ent¡ada C".i puede obtenerse aho¡a como

C"n = Cr"+ C", = 1+3.26 = 4.26 PF

La frecuencia superior/n de 3 dB se encuenha a pafir de

1
= 2zc"'.G*- il R6)
I
2Í x4.26x t0-''10.t ll +.7¡ x t0u
= 382 kHz

4.9.3 La respuesta de baia frecuencia

Para determinar la ganancia de baja frecuencia o la función de Íansferencia del amplificador
de fuente común, en la figura 4.51a) se muestra el circuito con las fuentes de dc eliminadas
(fuente de coniente 1 en circuito abiefo y fuente de voltaje yDD en cortocircuito) . S e realizat|
el anrálisis a pequeña señal directamente sobre este circuito. Sin embargo, se ignorará r,. Esto
se hace para mantener la simplicidad del análisis y concentrar la atención en temas imponan-
tes. El efecto de r¿ en la operación a baja frecuencia de este amplificador es menor, como se
comprobará en una simulación de SPICE (sección 4.12).
El análisis empieza en el generador de señal al enconhar la fracción de V."ou, que aparece
en la compuerta del transistor,

RG
'¡ - v
enol
R"+j-+n,*'
JL cr

que puede escribirse en la forma altema

Y, = Y*.",n--;**- (4.133)
s+
Ccr (Rc + R,"ñ"r)

Por tanto, se ve que la expresión para la transmisión de la señal desde el generador de la señal
hasta la enhada del amplificador ha adquirido un factor dependiente de la ftecuencia. A panir
 4.9 RESpUESTA DE FRECUENCTA DEL AMpltF|CADOR CS Ü 333

I
,_l
FIGUnA ¡L51 Análisis del ampliñcador CS pa¡a determina¡ su función de transferencia de baja ftecuencia.
Pa¡a simplificar, se desp¡e¿ia /,.

del estudio de la respuesta de frecuencia en la sección 1.6 (consulte también el apéndice D), se
reconoce est€ factor como la función de transferencia de una red STC del tipo pasaaltas con una
frecuencia de ruptura o esquina a¡ = l/C.r(R.,, + R*""r). Por tanto, el efecto del condensador
de acoplamiento Cc.t consiste en introducir una resiruesta STC pasaaltás con una frecuenci¿
de ruptura que se denotará opt,

an = o4 =
d;clr&"ri @.134)

Siguiendo con el aniáüsis. a continuación se dercrmina la corriente de drenaje /¿ al dividir

V, entre la impedancia total del circuito de la fuente, que es [(1/g.) + (1/rcs)], para obtener,

,V"
,o_T7
*
g,
"c,
que se puede escribi¡ en la forma altema

to = g^vr:; (4.135)

"*ñ
Se observa que C3 int¡oduce un factor dependiente de la frecuencia, que es también del tipo
STC pasaaltas. Por tanto, el amplificador adquiere otra frecuencia de ruptuia,

8^
= c,
(4' 136)
'n
Para completar el anifisis, se calcula primero V,, al usar la regla del divisor de corriente
para determinar la fracción de 1¿ que fluye a través de R¿,

I. = -ld ----!P
RD+ -:-
JLc2
+ Rt.
334 O cAPfTULo 4 TRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

y luego se multiplica 1¡ por R¿ para obtener

RoRt
Vo= I¡RL=-Id (4.t37)
RD+R¿ -, I
" - c;rn,r+R,

de lo cual vemos que Ccz introduce un tercer factor STC pasaaltas, dando al arnplificador una
tercera frecuencia de ruptua en

a"'= e"l{o+R,) 1
(4.138)

La función de transferencia general de baja frecuencia del amplificador se encuentra al com-

binar las ecuaciones (4.133), (4.135) y (4.137) y reemplazar las frecuencias de ruptura por sus
símbolos de las ecuaciones (4.134), (4.136) y (4.138),

= (^;*t) t''(R' ll R") I (--LX-'X s+ aP3

(4.139)

"*"L
La respuesta de magnitud de baja frecuencia puede obtenerse de la ecuación (4.139) al reempla-
zar r con joy encontr. I 4zv*r I . Sin en muchos casos una de las tres frecuencias
"mbargo,
. de ruptura puede ser mucho más elevada que las otras dos, por ejemplo por un factor mayor
que 4. En tal caso, es este punto de ruptura de frecuencia más alta el que determinará la menor
frecuencia de 3 dB,/¿, y no se tiene que hacer el anáüsis adicional a mano. Por ejemplo, debido
a que la expresión para ap2incluye g^ [ecuación (4.136)], suele ser mayor que oh y arz. Si
ar¡2 está 1o suficientemente sepando de ¿dpl y ¿¿8, entonces

fL = fpz

lo que significa que, en ese caso, el condensador de derivación determina el extremo bajo de
la banda media. En la figura 4.52 se muestra una gr4fica de la ganancia de baja frecuencia del
amplificador CS en el que las tres frecuencias de ruptura están lo suficientemente separadas
como pala que sus efectos parezcan distintos. Observe que en cada frecuencia de ruptura la
pendiente de las asíntotas de la fi¡nción de ganancia aumenta en 20 dB./década. Los lectores
familiarizados con polos y ceros reconoceránfn,fp2y fpctmro las frecuencias de los tres polos
de baja frrccuencia reales del amplificador Se usarán los conceptos de polos, ceros y plano s
relacionado en el capítulo 6 y posteriores.
Antes de dejar esta sección, es esencial que el lector pueda encontrar rápidamente la cons-
tante de tiempo y, en consecuencia, la frecuencia de ruptua asociada con cada uno de los tres
condensadores. El procedimiento es simple:

1, Se reduce V."o¡ a cero.

2. Se trata cada condensador por separado (es decir, se supone que cada uno de los otros
- dos condensadores acfiían como cofocitcuitos perfectos).
3. Para cada condensador se encuentra la resistencia total vista entre sus terminales. Ésta
es la resistencia que determina la constante de tiempo asociada con su condensador.

Se recomienda al lector que aplique este procedimiento a Ccl, Cs y Cc2 y, por tanto, que v€a
que las ecuaciones (4.134\, (4.136) y (4.138) pueden escribirse rnediante inspección.

Selección de valores para los condensadores de acoplam¡ento y derivación Ahora se

atenderá el tema, relacionado con el diseño, de la selección de los valores apropiados para C¿1,
Cs y Ccz. El objetivo es colocar la menor frecuencia de 3 dB,/¿, en un valor específico mientras
se minimizan los valores del condensador.
 4.9 RESPUESTA DE FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOA cs I
"'

l#1.'

fpt f (rtz)
(escala logarítmica)

FIGUnA 4.52 Gráfica de las respuestas de magnitud de baja f.ecuencia de un amplifrcado¡ CS en el que las
tl€s frecuencias de ruptura están lo suficientemente sepamdas como para que su efecto paaezca distintivo.

Como se mencionó antes, Cs da como resultado la más alta d€ las tres ftecuencias de ruptura, la
capacitancia total se minimiza al seleccionar C5 de manera que su frecuencia de ruptura./", =.¡fr.
Entonces se decide la ubicación de las otras dos frecuencias de ruptura (por ejemplo, de 5 a 10
veces miás abajo que la ftecuencia de la dominante,/¡). Sin embargo, los valores seleccionados
para/pt y/", no deben ser demasiado bajos, porque se requerirían valores mayores para Cq y
C.r de lo que serfa necesario. El procedimiento de diseño se ilustrará con un ejemplo.

Se desea seleccionar valores apropiados para los condensadores de acoplamiento C", y Cny el
condensador de paso C" para et ampliñcador CS cuya respuesta de alta frecuencia se analüa en el
ejemplo4.l2.ElampüflcadortieneRo=4.7MO,RD=R¿=15kO,R,"ñd=l0OkOyC^=1mNV.
Se requiere tener/¿ a 100 Hz y que la frecuencia de ruptum sea por lo menos una década menor.

Solución
Se selecciona Cr de modo que

1"
rP2-r;@;G:j-lL
Por tanto,

,,= #,= #H= raar

-

336 & cApfTUto 4 TRANstsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

Parafpl=fB= l0 Hz, se obtiene

I
10=
2ttc.JO.I+4.7)/10'
que produce

Ccr = 33nF
v
I
10=
que da como resultado
;rcrr6;lr"G
C cz = o.53 ltF

4.9,4 Comentario final

La ¡espuesta de frecuencia de las otras configuraciones de ampüficador se estudiará en el
capítulo ó.

4.10 EL INVERSOR LÓGICO DIGITAL CMOS

Desde principios de la década de los setenta se cuenta con circuitos lógicos MOS o CMOS
complementarios como paquetes estándar para usarlos en el diseño de sistemas digitales con-
vencionales. Estos paquetes contienen compuertas lógicas y otros bloques de construcción de
sistemas digitales con varias compuertas po¡ paquete, que van desde unas cuantas (citcuitos
integrados a pequeña escala o SSI, Small-Scale Integated) hasta varios miles (circuitos inte-
grados a escala media, o MSI, Medium-Scale Integrated).
A finales de la década de los setenta, cuando empezó la era de la integración a grande y
muy grande escala (LSI y VSLI, Large Scale Integation y Very-Large Scale Integration, de
cientos a cientos de miles de compuertas por chip), los circuitos que sólo usaban transistotes
MOS de canal ¿, conocidos como NMOS, se volvieron la tecnoiogía de fabricación preferida.
Por supuesto, los primeros circuitos VSLI, como los de los microprocesadores primitivos,
empleaban tecnología NMOS. Aunque en esa época la flexibiüdad del diseño y oüas ventajas
qt¡e ofrecían los CMOS fueran conocidas, la tecnología CMOS disponible entonces resultaba
muy compleja para producir económicamente chips VLSI de alta densidad. Sin embargo, a
medida que se dieron los avarces en la tecnología de procesamiento, este estado de casos
cambió radicalmente. En realidad, la tecnología CMOS ha reemplazado ahora por completo a
la NMOS en todos los niveles de integración, en aplicaciones analógicas y digitales.
Para cualquier tecnología de circuitos integrados^usada en el diseño de circuitos digitales,
el elemento básico del circuito es el inversor lógico.10 Una vez que la operación y las caracte-

Un estudio del inversor lógico digital como bloque de construcción de u¡ circuito se presentó en la
sección 1.7. Será rítil que revise ese mate¡ial arites de segui adelante con la sección actual.
 4,r0 EL TNVERsoR LóGrco D'crrAL cMos $ ttt

FIGURA ¡1.53
= Et inverso¡ CMOS.

ísticas del circuito inversor

sean comprendidas a cabalidad, los resultados podr.án extenderse al
diseño de compuefas lógicas y otros circuitos más complEos. En esta sección se proporciona
este tipo de estudio para el inversor CMOS. El estudio del inversor y los circuitos lógicos
CMOS continuará en el capítulo 10.
El inversor CMOS básico se muestra en la figura 4.53. Utiliza dos MOSFET del tipo de
enriquecimiento acopháos: uno, Q", con un canal z y el otro, e", con uno p. El cuerpo de cada
dispositivo está conectado a su fuente y, por tanto, no hay efecto del cuerpo, Como se verá en
breve' el circuito cMoS realiza la aplicación del inversor conceptual estudiado en el capítulo
1 (figura 1.32), en el que el voltaje de entrada q opera un par de interruptores de manem com-
plementaria.

4.10.1 Operación del circuito

Primero considérense los dos casos extremos: cuando q está en el nivel de lógica 0, que es
aproximadamente de 0 V; y cuando u¡ esti4 en el nivel de lógica l, que es aproximadamente
v¿, volts' Para facilitar la exposición en ambos casos se considera que el dispositivo de canal
n, ON, es el transistor de control y que el dispositivo de canal p,
e",habrá de ser la carga. Sin
embargo, debido a que el circuito es completamente simétrico, es obvio que esta suposición
es arbitraria y lo inverso lleva¡á a resultados idénticos.
En la figura 4.54 se ilustra el caso en que q = yDD, mostrando la curva caracteís tica ip-vpg
pata Q, con v¡;5, =Vpp. (Observe que i, = j y tpsy vo)La cuwa {e carga estr{ superpuesta aia
=
caractedstica ON, que es la curva r;-?sD de Op para el caso uscp 0 V. Debido a que usce <
= lV,l,
la curva de carga será una línea recta horizontal en un nivel de corriente cercano a cero. El
punto de opetación estaxá en la intersección de las dos curvas, donde se nota que el voltaje
de salida es cercano a cero (por to general menos de 10 mv) y la corriente a través de los dos
dispositivos también es casi cero. Esto significa que la disipación de potencia en el circuito
es muy pequeña (por lo general, una fracción de un microwatt). Sin embargo, observe que,
aunque Q¡, esü4 operando e¡ una corriente casi de cero y voltaje de dtenaje a fuente de cero (es
decir, cerca del origen del plano ip-u¿5), el punto de operación es un segmento muy inclinado
de la curva catactefstica iD-trs. Por tanto, Q¡ proporciona una vía de baja resisterrcia entre la
terminal de salida y tiera, y la resistencia obtenida utiliza la ecuación (4.13) como

,,,, = tf (4.140)
lt;V),rr,,-r*r]
En la figura 4.54c) se muesha el circuito equivalente del inversor cuando la entrada es elevada.
Este ci¡cuito confirma qve ao VoL= O V y que la disipación de
= trntencia en el inversor es
cero.
-

33s C cApfTULo 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

voo

1
I
Curva de carga
(¿sop : 0)
L_ vo=o

l-'-
:
a) b) c)

FIGURA /t.5/t Operación del inversor CMOS cuando ,¡ es alto: ¿) citcuito con q = yDD (nivel de lógica I o
Vor); á/ construcción gláfica paÉ detemina¡ el punto de operaciór¡; c,) circuito equivalente.

+ Curva de carga voo

(user = Voo)

oo : vDD

Punto de ope¡ación

b) c)

FIGUnA ¿55 Ope¡ación del inversor CMOS cuando r/ es bajo: ¿) ci¡cuito con rrl = 0 V (nivel de lógica 0 o
yor; ,) construcción $áfica paü deteminar el punto de operación; c) ci¡cuito equivalente.

El otro caso exfemo, cuando r/ = 0 Y se ilustra en la figura 4.55. En éste, QN oFP-ra a

u6ey = 0; de allí que su curva caracteística l¿-?¿5 Soa casi una recta horizontal en el nivel
de corriente cero. La curva de carga es la característica ,;-u5¡ del dispositivo de canal p con
265¿ = Vpp. Como se muestra, en el punto de operación el voltaje de salida es casi igual a V¿¿
(por lo general, menos de l0 mV debajo de Vro) y la corriente en los dos dispositivos todavía
es casi cero. Por tanto, la disipación de potencia del circuito es muy pequeña en ambos estados
extremos-
En la figura 4.55c) se muestra el circuito equivalente del inversor cuando la entrada es baja.
Aquí se ve que p" proporciona una trayectoria de baja resistencia entre la terminal de salida y
la fuente de dc Y¿¿; la resistencia está dada por

,^, = rl V; E),(,, - tv,,D] (4.141)

El circuito equivalente confrma que en este c so ao=VoH=VDDy que la disipación de potencia

en el inversor es cero.
 4.10 EL TNVERsoR LóGrco DrGrrAL cMos $ at"

Sin embargo, debe observarse que a pesar de que la coriente en reposo es cero, la capacidad
de control de carga del inversor CMOS es alta. Por ejemplo, con la entrada alta, como en el
circuito de la figura 4.54, el transistor 0x puede disipar una corriente de catga relátivamente
alta. Esta corriente llega a descargar n'4pidamente la capacitancia de carga, como se verá en
breve. Debido a su acción para disipar corriente de carga y, por tanto, reduci¡ el voltaje de
salida hacia tierra, al transistor ON se le conoce como dispositivo "de desconexión". De igual
manera, con la entrada baja, como en el circuito de la figura 4.55, el transistor pp puede gene-
rar una corriente de carga relativamente gnnde. Esta corriente puede cargar con rapidez una
capacilaricia de carga, elevando en consecuencia el voltaje de salida hacia Vpp. Por Larúo, a 8p
se le conoce como dispositivo "de conexión". El lector recordará que se uüüzó este término
en relación con el circuito conceptual inversor de la figura 1.32.
Con base en lo anterior se concluye que el inversor lógico CMOS b¡ásico se compofa
como un inversor ideal:

1 . Los niveles de voltaje de salida son 0 y yDD; por tanto, la oscilación de señal es la máxi-
ma posible. Esto, junto con el hecho de que puede diseñarse el inversor para obtener
una curva caracteística simétrica de fansferencia de voltaje, arroja amplios márgenes
de ruido.

2. La disipación de potencia estática en el inversor es cero en sus dos estados, si se desprecia

la disipación debida a corrientes de filhación. (Recuerde que la disipación de potencia
esl4üca recibe ésta denominación para distinguirla de la disipación de potencia dinámica
que surge de la repetida conmutación del inversor, como se verá pronto.)

3. Existe una vía de baja resistencia entre la terminal de salida y tierra (en el estado de salida
baja) o yDD (en el estado de salida alta). Estas dos vías de baja resistencia aseguran que el
voltaje de salida sea 0 o yDD, independientemente de los valores exactos de las relaciones
(t7,/¿) o los oiros panimetros del dispositivo. Más arín, la baja resistencia de salida hace
que el inversor sea menos sensible a los efectos del ruido y otras perturbaciones.

4. Los dispositivos activos de conexión y desconexión dan al inversor una elevada capa-
cidad de control de salida en ambas direcciones. Como se verá, esto acelera conside-
rablemente la operación.

5. La resistencia de entrada del invetsot es infinita (porque 16 = 0). Por tanto, el inversor
puede controlar una cantidad arbitra¡iamente grande de inversores similares sin pérdida
en el nivel de señal. Por supuesto, cada inversor adicional aumenta la capacitancia de
carga del inversor de excitación y retarda la operación. En breve se considerarán los
tiempos de conmutación del inversor.

4,10,2 La característica de transferencia de voltaie

Se obtendná la característica de transferencia de voltaje (VTC, Voltage-Transfer Characteristic)
completa si se repite el procedimiento gráfico usado en los dos casos extremos, para bdos los
valores lntermedios de ui. En el siguiente análisis se calculariín los puntos críticos de la curva
de transfe¡encia de voltaje que se obtiene. Para ello, se necesit¿n las relaciones i-u de Q¡ y
Qr.PalaQ¡¡,

* ; (r) - v,"t u - l;"1t pata v¡3 a¡- V,^ (4.142)

^l<',

,^ = )o:ff), (r,- V,.)t para ao> ur-Vh (4.143)

a-

too Q cApfruto 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

En el caso de @",

ir, = k;H a,-lv,ol)(voo- ,rl -rrfv-- ,¿'f

,l(v,o-
para ao2vt+lV,ol (4.144)
tu;ff), (vDD- vt-lv,el)2 pan uo 3 v,+ (4.t45)
lV,ol

El inversor CMOS suele diseñarse para tener V.= lvryl = V,, y ki(W / L)"= k'ep / L)0. DeIn
tomarse en cuenta que" debido a que po es de 0.3 a 0.5 veces el valor de p", para que k'(W / L)
de los dos dispositivos sea igual, el ancho del dispositivo de canal p debe ser el doble o el
triple del de canal z. De manera más especÍfica, los dos disposifivos estiin diseñados para tener
longitudes iguales, con anchos relacionados por

w, tt"
w,- t4
Esto dará como result^do ki(W/L),= k;(I{/-L)o y el inversor tendrá una curva caracteística
simétrica e igual capacidad de control de corriente en ambas direcciones (conexión y desco-
nexión).
. Con Qy y Q, cuncidentes, el inversor CMOS tiene la curva camcterística de transfercncia de
voltaje que se muestra en la figura 4.56. Como se indicó, la caracteística de transferencia
tiene cinco segmentos distintos que corresponden a diferentes combinaciones de modos de
operación de Q, y Qp. El segmento vettical BC se obtiene cuando ambos operan en la región

CIv en satuación
Op en ta región del triodo

Pendiente = -1

?p en sanuación
(? -") ---F---i Venaiente = -[ Q¡ en ta región del triodo

Vo¡, = o
('i.r*, j

v, vtL I vB (voo - v) voo

I

,, : Y-22.
"h2
FIGUIA 4.56 La caracterlstica de transfe¡encia de voltaje del inversor CMOS.
 4.r0 EL TNVERsoR LóGrco DrGrrAL cMos $ tot

de saturación. Debido a que se está despreciando la resistencia finita de salida en saturación,

la ganancia del inversor en esta región es infinita. A partir de la simefiía, este segmento verti
cal o(iüre en ar = VDD/2 y está limitado por ao(B) = VDD/z + Uy ao(C) = VDD/2 - Vt
El lector recordará de la sección 1.7 que además de VoLy VoH, otros dos puntos de la curva
de tansferencia determinan los márgenes de ruido del inversor: el máximo permitido de lógica
0 o nivel "bajo" en la entrada, V¡¿, y el rnínimo permitido de lógica 1 o nivel "alto", V¡¡¡. Éstos
se definen formalrnente como los dos puntos en la curva de transferencia en los que la ganancia
incremental es unitaria (es decir, la pendiente es V/V). -l
Para determinar yr¡., observamos que p¡ está en la región del triodo y, por lanto, su coriente
esh4 dada por la ecuación (4.142), mientras que O¿ está en saturación y su corriente está dada
por la ecuación (4.145). Al igualar iDN e i¿¿ y suponer dispositivos acoplados, se tiene

(v¡- V,)u6 - trlo = ,gr, - at - V,)2 (4.146)

Al diferenciar ambos lados con repecto a z¡ resulta

(at-
da^ uo- ,oVi
da^
Vtl = -(Voo - v, - V,l
d;+
en la cual se sustituye u¡ =V¡¡¡y das/dtl = -1 para obtener

ao= ,,
vro
vtLi- -T (4.147)

Al sustituii 1r¡ = yr¡ y uo de la ecuación (4.147) en la ecuación (4.146) se obtiene

vrH = ¿6vDD-2v,) (4.148)

yr¿ puede determinarse de manera similar a la usada para encontrar y/¡,,. Como opción, se
puede usar la relación simétrica

vrE
vro
=? ,,"
junto con I/r" de la ecuación (4.148) para obtener

vrL = ¿(3vDD+ 2v,) (4.149)

Ahora pueden determinarse los márgenes de ruido de la manera siguiente:

NM¡¡=VoH-V¡H
= vDD - ¿(svDD-zv,)
= ¿evDD + zv,) (4.150)

NM¿=Vt"-Vs¡
= llzvro+zv,) -o
= ¿GVDD + 2V,) (4.151)

Como se esperaba, la simetría de la cuwa cafacterística de transferencia de volt¿je da como

resultado márgenes de ruido iguales. Por supuesto que si Q¡ y Q¡ no están acoplados, la cuwa
caracteística de transferencia de voltaje ya no será simétrica y los rnrírgenes de ruido no serán
iguales (véase el problema 4.107).
342 W CAPÍTULo 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

4.1 0.3 Operación dinámica

Como se explicó enla sección 1.7,lavelocidad de operación de un sistema digital (porejemplo,
una computadora) está determinada por la demora de propagación de las compuertas lógicas
usadas para construir el sistema. Como el inve¡sor es la compuerta lógica básica de cualquier
tecnología digital de CI, la demora de propagación del inversor es un parámeho fundamental
para caracterizar la tecnología. A continuación se analizará la operación de conmutación del
inversor CMOS para determinar la demora de propagación . Enla fi.gura 4.51a) se muesfa el
inversor con un condensador C entre el nodo de salida y tierra. Aquí, C representa la suma de
las capacitancias intemas apropiadas de los MOSFET Q, y Qo, la capacttancia del alambre
que conecta el nodo de salida del inversor y la(s) entrada(s) de las otras compuertas lógicas
que el inversor controla, y la capacitancia total de eúada de estas compuertas de carga (o de
divergencia de salida). Se supone que el pulso ideal controla al inversor (tiempos de elevación
y caída de cero) que se muestra en la figura4.57b). Como el circuito es simétrico (si se suponen
MOSFET acoplados), los tiempos de elevación y caída de la onda de salida deben ser iguales.
Por tanto, basta con considerarel proceso de conducción o el de no conducción. Acontinuación
se estudiará el primero.
En la figura 4.57c) se muestra la trayectoria del punto de operación obtenido cuando el
pulso de entrada pasa de V6¿= 0 aVeo = Vo, en el tiempo / - 0. Justo antes de que el extremo
inicial de entrada pulse (es decir, en t = 0-) el voltaje de salida es igual a Vpp y el condensador
C se carga a este voltaje. En t = 0, u¡ se eleva a V¿¿, haciendo que de inmediato Q¡ deje de
conducir. A partir de allí, el circuito será equivalente al que se muesta en la figwa4.51d), con
el valor inicial de as = Vee. Por talj'to, el punto de operación en f = 0+ es el punto E, en el
que se ve que Q" estará en Ia región de saturación y conduciendo una corriente considerable.
A medida que C se descarga, 1a corriente de Q¡ permanece constante hasta lo = VDD - Vl
-

4.r0 EL TNVERsoR Lócrco DrGrrAL cMos I tot

Q,

üt'n
Voo
vpo
2

b)

Punto de
op€ración en
,=O+
F

Puntode , i
Punto de
opefacron oespues operación e¡r
decompletafse
I
I ,=0- üt"
la conmutación I

Voo

(Voo - Y,)

c) d)

FrcUnA ¡1.57 operación dinámica de un inversor CMOS cargado capacitivamente: a) ci¡cuito; á) ordas de
entrada y salida; c) trayectoria del punto d€ operació¡ a medida que la entoada se hace alta y C se descá¡ga a
través de Crv; d) circuiro equivalente dunÍte la desca¡ga del condensador.

(punto D. Si se denota esta parte del intervalo de descarga como r""¿1 (donde el sublndice lll
indica transición de alto a bajo), se puede escribir

c[vDD- (vDD-v)l

\4ffi,<v',-v,t"
(4.tsz)
CV,

)*;ffi,<v",-v,t'
Más allá del punto F, el transistor @iy opera en la región del triodo y, por tanto, su coriente eslá
dada por la ecuación (4.142). Est¿ parte del in¡ervalo de descarga puede ser descrita por

iDNdt = -C dao
344 lW CAPiTULo4 rRANstsroRES DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

Al sustituir ir" de la ecuación (4.142) y reordenar la ecuación diferencial se obtiene

k; (w/ L), . i doo

c -' (v
"" -
v,) 1z
"o
(4.1s3)

2\VDn- V)"o
Para encontrar e1 compon€nte del tiempo de demora /¡¡¿ durante el cual ze disminuye de (V¿¿
- V,) al punto de 507o, ao= yo¡2, integran ambos lados de la ecuación (4.153). Si se denota
""
este componente del tiempo de demora lp¡l¿2, se encuenha que

k;lw/Lt".
___7:_tPHr 2 _ I ¡,o voo' doo
(4.154)
u""_ v) _ r,,_,,
J,o 1z
t(t;;:tj o-ao
Si se toma en cuenta el hecho de que

!#.= '('-)
permite evaluar la integral de la ecuación (4.154) y obtener

C. ¡3Vro 4V; (4.1ss)

k:(w/L)"(vDD-v,) \ v""
Los dos componentes de tpHL en las ecuaciones (4.152) y (4.155) pueden sumarse para
obtener

. = 2C ¡ v, . I ,-¡3v6¿-
t
4v,11
(4.156)
'"t k',J,w, L\(v oo- v)lvrra,* 1'n von /l
Para el caso usual de V,=0.2Vor, esta ecuación se reduce a

1.6C
'"r, - kIwTl;l; (4.157)

Un an¡fisis similar del proceso de corte aÍoja una expresión pafa tpú rdér,tica a la de la
ecuación (4.157), excepto para k'"(W / L), reemplazada con k'r(W / L)r. La demora de propaga-
ción /¡ es el promedio de tp¡1¡y /¡¡e. De la ecuación (4.157) se observa que para obtener las
menores demoras de propagación y, por tanto, la operación más rápida, C debe minimizarse,
debe utilizarse un paxámetro de transconductancia del proceso k' más alto, debe aumentarse
la relaciórr W / L del hansistor y debe aumentarse el voltaje V¿¿ de la fuente de alimentación.
Por supuesto, deben hacerse compensaciones en el diseño e incluir límites físicos en la toma
de decisiones para esos valores de parámetros. Sin embargo, este tema es demasiado avanzado
para las necesidades actuales.

4.45 Un inversor CMOS en un cúcuito \4-Sl que opera con una fuente de 5 V tiene (W/¿),
= 20 ltrnl 5 $n, v,, = lV el = 1 v, p,c., = 2 tt,c,, = 20 pAN' si la óapá¿iláirci¿ dd cargá
enc\Jenffe I PHL, I PUr y lP.
Resp. 0.8 ns; 0.8 ns: 0.8 ns
4.46 Paia el invé;sór CMOSI d€l;jercicid
del ejercicio 4.42¡ usa en girc¡¡itqs
4.42. que se u64,én cúcuitos S.SI y M-SI,¡nqueÉte,. si l¿ capáoitaflcja de
carga es 15 pF.
Resp. ó ns
 4.10 EL TNVERsoR LoGrco DrGrrAL cMos I tot

voo - lv'ol

ñlGUnA 4.58 La coriente en el inversot CMOS en comparación con el voltaje de ent¡ada.

4.10.4 Flujo de corriente y disipación de potencia

A medida que el inversor CMOS se conmuta, fluye coriente po¡ la conexión en serie de Q7y y
Qp. Enlafigtna 4.58 s€ muestra la corriente del inversor como una función de u¡. Se observa
que los picos de corriente en el umbml de conmutación, y¡¿ = a,= a6=Vopl2-Esta corriente
da lugar a disipación de potencia dinámica en el inversor CMOS. Sin embargo, se produce un
componente más impofante de disipación de potencia dini4mica de la coriente que fluye por
Q¡¡ y Qp cuando vn condensador C cafga el inversor.
Es posible obtener una expresión para este rlltimo componente de la siguiente manera:
vuelva a revisar el circuito de la figura 4.57 a). En t = V, u6 = Vep y la energía almacenada
en el condensador e s \CVf,o. An t = O, a,llega hasta Vpp, Qp no conduce y Q¡ sí. Entonces, el
transistor 0N descarga el condensador y, en el extremo del intervalo de descarga, el voltaje del
condensador se reduce a cero. Asi durante el intervalo de descarg a,la eneryía de lCVf,, se reti,ra
de C y se disipa en Q¡. A continuación considere la otra mitad del ciclo cualdo z¡ baja a cero.
El transistor 0x no conduce y Q¡ sl lo hace y carga al condensador, Denote con / la corriente
instantánea proporcionada por Q¡ a C. Esta corriente, por supuesto, proviene de la fuente de
alimenración yDD. Por tanto, la energía tomada durante el periodo de carga será JV, Di dt = VDD
li dt = V DDQ, donde 0 es la carga proporcionada al condensad or:, es decil, Q= CVDD. Por tanto,
la energla obtenida de 1a fuente de alimentación dura¡te el intewalo de carga es Cfoo. Al final
del intervalo de carga, el voltaje del condensador será VDD y, por tanto, la energía almacenada
en él será jCVr¿¿. De esto se desprende que- durante el intervalo de carga la mitad de la energía
tomada de la fuente de alimentación. jCVzp¿. se disipa en Q".
Tras lo anterior, se ve que en cada ciclo , lcVtoo de la energía se disipa en Q" y otro tanto
en Q¿, para una disipación total de energía en el inversor de CVio. Ahora bien, si el inversor se
conmuta a la velocidad de/ciclos por segundo, la disipación de potencia dinámica en él será

PD = fcvf,D (4.158)

Observe que la frecuencia de operación está relacionada con la demora de propagación: cuanto
menor sea ésta, mayor será la frecuencia a la que puede operarse el circuito y, de acuerdo con
la ecuación (4.158), mayor sená la disipación de potencia en el circuito. Una cifra importante
o una medida de la calidad de la tecnologla particular del circuito es el producto demora-
pot€ncia (DP),

DP = Potp (4.159)
346 !ry cAPÍTUto 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

El produclo demora-potencia tiende a ser una constante para una determinada tecnología de
circuito digital y se usa para compara.r diferentes tecnologías. Obviamente, cuanto menor sea
el valor de DP, más efectiva será la tecnología. El producto demora-potencia tiene unidades
de joules y es, en efecto, una medida de la energía disipada por ciclo de operación. Por tanto,
para CMOS, donde casi toda la disipación de potencia es diniámica, se puede tomar DP sim-
plemente como Cfro.

4.1 0.5 Resumen

En esta sección se presentó una inhoducción a los circuitos digitales CMOS. A manera de
una conveniente referencia, en la tabla 4.6 se proporciona un resumen de las caracteísticas
impofantes del inversor Se regresará a este tema en el capítulo 10, en el que se estudiarán
dive¡sos circuitos lógicos CMOS.

$$ +.rr EL MOSFET DEL TIPO DE AGOTAMIENTO

En esta sección se analizará brevemente otro tipo de MOSFET, el del tipo de agotamiento. Su
estructura es similar a la del tipo de enriquecimiento con una diferencia importante: el MOS-
FET de agotamiento tiene un canal implantado físicamente. Por tanto, un MOSFET del tipo
de agotamiento tiene una región de silicio tipo Í que conecta las regiones de la fuente n+ y del
drenaje z+a la parte superior del sustrato de tipop, Por ello, si se aplica un volfaj€ u¿5 €ntro €l
drenaje y la fuente, una coniente iD fluye porucs = 0. En otras palabras, no es necesario inducir
un canal, a diferencia de Io que pasa en el MOSFET del tipo de enriquecimiento.
La profundidad del canal y, po¡ tanto, su conductiyidad, pueden controlarse mediante u6s
exactamente de la misma manera que en el dispositivo del tipo de enriquecimiento. La aplicación
de un u65 positivo mejora el canal al atraer más elec¡rones a é1, Sin embargo, aquí también se
puede aplicar un rlcs negativo, 10 que causa que los elechones sean repelidos del canal ¡ por
tanto, ésle se vuelva más superficial y su conductividad se ¡eduzca. Se dice que el ¿cs negativo
agota los portadores de carga del canal; a este modo de operación (zo, negativo) se le denomina
rnodo de agotamiento. A medida que la magnitud de ucs aumenta en la dirección negativa, se
alcanza un valor en el cual el canal está completamente desprovisto de sus portadores de carga
-

4.rl EL MosFET DELTrpo DE AGorAMrENro Q tnt

Resistencia de salida de compuena

I Cuando u¿ es bajo (disipación de corriente) (figura 4.54):

, = tl lo:ff) oo - v,,))
^, "rv
t Cuando 1r¿ es alto (suministro de corrie¡te) (frgu¡a 4.55):

, = tl luí (9 - tv,"D]
^" ;v,,
Voltaje de umbral de compuerta

Punto en VTC en que uo = v.r:

r(Vep-lV,ol\ + V,,
1+r
donde

' t(v/L)"
4k:(w/Lt^

Corr¡ent€ de conmutac¡ón y d¡s¡pac¡ón de potencia (ñgura 4.58)

4,* =!¡c|l,(?-,)'
r, = ¡cfoo

Márgenes de ruido (ñgura 4.5ó)

Para dispositivos acoplados, es decir pnlT-) /w\

po\l)0,
tL) =
^
Vr¡ = V¡¡/2
vrL = l(3vDD+ zv,)

vrH = i6vDD-2v,)
MRu = yp"= áQVDD+LV,)

Demora de propagac¡ón (figura 4.57)

Para \ = O.2VDD\

t"r" = l.6c
876--/
L¡,V_,
1.6C
trtn=
¡;71472;¡;,
-

348 I CAPÍTUTO 4 TRANSIsToREs DE EFEcTo DE cAMPo Mos (MosFET)

"*+"'*{
a) b)

FIGURA 4.59 ¿) Slmbolo de circuito para el MOSFET del tipo de agotamiento de canal ¿. ,) Símbolo de
circuito simpliñcado, aplicable al caso en que el sustrato (B) esi4 cone¿tado con la fuente (S).

e l¡ se reduce a cero aunque aún puede aplicarse uos. Este valor negaüvo de u65 es el voltaje
de umbral del MOSFET del tipo de agotamiento de canal n.
La descripción anterior sugiere (correctamente) que un MOSFET del tipo de agotarniento
.puede operarse en el modo de enriquecimiento al aplicar un ucs positivo y en el de agotamiento al
aplicar uno negativo. Las caracteísticas ip-zp5 son similares a las del dispositivo de erniqueci-
miento, con la excepción de que el V, del dispositivo de agotamiento de canal ,r es negativo.
La figura 4.59a) muestra el símbolo del circuito para el MOSFET del tipo de agotamiento
de n. Este slmbolo es diferente del dispositivo del tipo de effiquecimiento en un solo
cal:Lal
aspecto: hay un área sombreadajunto a la llnea vertical que representa el canal y significa que
existe un canal físico. Cuando el cuerpo (B) está conectado a la fuente (S), se puede usar el
símbolo simplificado que se muestra en la figura 4.59b).
Las características ip-z¿s de un MOSFET del tipo de agotamiento de canal ¡1 para el que
Vt = -4 Y y ki\W / L) = 2 mAlV' se presenta en la figura 4.60á). (Estas cifras son lpicas en
dispositivos discretos.) Aunque estas caücterísticas no muestran la dependencia de l¿ respecto
de v4 en saturación, ésta existe y es idéntica al caso del dispositivo del tipo de mejoramiento.
Observe que debido a que el voltaje de umbral 7, es negativo e t NMOS de agotamiento operará
en la región del triodo, siempre y cuando el voltaje del drenaje no exceda al de la compaerta
en más de lV). Para que opere en saturación, el voltaje del drenaje debe ser mayor que el de
la compuerta al menos en lV,l ttolts.La gráfica de la figura 4.61 muestra los niveles relativos
de los voltajes de la terminal del transistor NMOS de agotamiento para las dos regiones de
operación,
En la figura 4.60c) se muesfan las curvas características iD-¿¡cs en saturación, lo que indica
los modos de operación de agotamiento y de enriquecimiento.
Las ca¡acterísticas de corriente contra voltaje del MOSFET del tipo de agotamiento se
describen mediante ecuaciones idénticas a las del dispositivo de enriquecimiento, excepto que
en el dispositivo de agotamiento de canal z, V, es negaüvo.
Un parámetro especial para el MOSFET de agotamiento es el valor de la corriente del
drenaje obtenida en saturación con u65 = 0. Esto se denota 1r* y se indica en la figura 4.60á)
y c). Puede demostrarse que

I,rr=;k',yLt (4.160)

Los MOSFET del tipo de agotamiento pueden fabricarse en el mismo chip de CI que los
dispositivos del tipo de eriquecimiento, lo que da como resultado circuitos con ca¡acteísticas
mejoradas, como se mostrará en un capítulo posterior.
 4.11 EL MOSFET DEL rrpO DE AGOTAMTENTO $ tO'

iD (mA)

üos2ttas-Vt

io=0
.-
ltcs
-4 -3 -2 -l
I
zcs (V)
vl
a) c)

t" (mA)

36

32

28

20

i¿ss 16

12

a6=-4Y(V)
b)

FIGUnA f.6O Las caüctedsticas de corien¡e cont¡¿ volt¿je de lm MOSFET del tipo de agotamiento de canal
4 para el que 4= -4 V y ki(W /L) =2 nlV\P: ¿) transistor con polaridades de coniente y volt¿je indicadas;
á) las caracte¡lsticas iD-rrDs: c) las camcteríshcas ¡r-1.,cs en saturación.
35o lg (APÍTULo 4 TRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

Voltaje
tl
Saturación

F|GURA4.6l Los niveles relativos de voltajes

de l¿s teminales de un transistor NMOS del tipo
de agoramienlo para la operac¡ón en las regiones
Ilmhrrl del t¡iodo y de satuÉción. El caso mostrado es
para operación en el modo de enriquecimiento
(¿cs es positivo).

E¡¡iquecimiento Agotamiento Agotamiento Enriquecimiento

de canal p de canal p de canal r¡ de canal p

FIGURA 4.ó2 cláflcas de las caÉcterísricas iD-¿,Ds para MOSFET de tos tipos de enriquecimienro y a8o,
tamiento, de ambas poiaridades (operación en saturación). Observe que las curvas camcterística¡ ifersecan
el eje zor en V,. Además, obse¡ve que suelen mostra$e valores un poco diferentes de iyr] paÉ dispositivos de
canal n y canalp.

En lo anterior sólo se han estudiado los dispositivos de agotamiento de canal ¿. Existen

transistores PMOS de agotamiento en formas diferentes y operan de manera similar a sus con-
trapartes de canal r¡, con la excepción de que las polaridades de todos los voltajes (incluido y,)
eslán invefidas. Además, en un dispositivo de canal p, r, fluye de la fuente al drenaje, ingresando
por la terminal de la fuente y saliendo por la terminal del &enaje. Como resumen, en la figura
4.62 se muestran gáfrcas de las características ir-u65 de los MOSFET de effiquecimiento y
agotamiento de ambas polaridades (operando en saturación).
 4.12 EL MoDELo DE MosFET DE sprcE y EJEMPLo DE srMULAcróN ttt
$

lermi¡al de h ñEnte.

. +5V
t
+I
I

___-{c
-l /i/ñ.
(U t*o
-l T
I

Req. 8 mA; +l V
. .,.,
:
,.t¡r d"*¡tt¿i¿Á"¡."i¿n ¿ulu p*¿iún ¡o¿",rn fu,tao e+si. oopr"ri" de vr6 en ü en la reglón
de sat¡¡¡ación. "t "fecJo.

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4.12 EL MODELO DE MOSFET DE SPICE Y E'EM PLO

DE SIMULACIÓN
Se concluye este capítulo con un aniílisis de los modelos que SPICE usa para sirnula¡ el MOS-
FET. También se ilustrará el uso de SPICE en la simulación del circuito amplificador CS.

4.12.1 Modelos de MOSFET

Para emular la operación dé un circuito MOSFET, un sirnulador necesita un modelo matemático
para representar las características de aquéI. El modelo que se ha obtenido en este capítulo para
representar el MOSFET es uno simplificado o de primer orden llamado modelo de la ley de
los cuadrados debido a la relación cuadrática i-¿ en saturación que funciona bien con han-
sistores con canales relativamente /argos. Sin embargo, para dispositivos con canales cortos,
especialmente transistores cuyas dimensiones se miden en submicras, enftan enjuego muchos
efectos físicos que se han pasado por alto, como consecuencia el modelo de primer orden que
se obtiene ya no representa con exactitud la operación real del MOSFET.
El modelo simple de la ley de los cuadrados es útil para comprender la operación básica
del MOSFET como elemento de un circuito y, por supuesto, se emplea para obtener diseños
-

352 & cAPfTUto 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

de circuitos aproximados logrados con pluma y papel. Sin embargo, modelos más elaborados,
que son responsables de efectos de canal corto, se requieren para predecir con cierto grado
de precisión el desempeño de los circuitos integrados antes de fabricarlos. Estos modelos se
han desarrollado y siguen afinándose pata representar con más exactitud los efectos de orden
superior en transistores de canal corto mediante una mezcla de relaciones físicas y datos em-
píricos. Entre los ejemplos se incluyen el modelo IGFET de canal corto de Berkeley (BSIM)
y el EKV, popular en Europa. En la actualidad los fabricantes de serniconductores dependen
de estos complicados modelos para representar con exactitud el proceso de fabricación. Estos
fabricantes seleccionan un modelo MOSFET y luego extraen los valores de los parámefos del
modelo correspondiente empleando su conocimiento de los detalles del proceso de fabricación
y múltiples mediciones de diversos MOSFET fabricados. Se dedica gran cantidad de esfuerzo
paxa exhaer los valores de los pari4metros del modelo. Este esfuerzo arroja como beneficio la
creación de circuitos fabricados que mueshan un desempeño muy paxecido al Fonosticado por
la simulación, reduciendo así la necesidad de volver a diseñar a un alto costo.
Aunque está fuera de los propósitos de este libro ahondar en el tema del modelado de
MOSFET y los efectos del canal corto, es importante que el lector esté consciente de las limi-
taciones del modelo de la ley de los cuadrados y de la disponibilidad de modelos MOSFET
más exactos, pero desgraciad¿rmente más complejos. En reatidad, las ventajas de la simulación
por computadora son más evidentes cuando se tienen que usar estos complejos modelos de
dispositivos en el anrílisis y diseño de circuitos integrados.
' [-os simuladores basados en SPICE, como Pspice, proporcionan al usuario una opción
de modelos MOSFET. Entre los parámetros co¡respondientes del modelo de SPICE (cuyos
valores son proporcionados por el fabricante del semiconductor) se incluye uno llamado LE-
YEL (nivel), que selecciona el modelo de MOSFET que habrá de usar el simulador Aunque el
valor de este parámetro no siempre es indicativo de exactitud, ni de la complejidad del modelo
MOSFET conespondiente, LEVEL = 1 corresponde al modelo más simple de primer orden
(denominado modelo Shichman-Hodges) que está basado en las ecuaciones MOSFET de la ley
de los cuadrados presentada en este capítulo. Para simplificar el análisis se usará este modelo
para ilustrar la descripción de los parámetros del modelo MOSFET en SPICE y para sirnular
el circuito de ejemplo en PSpice. Sin embargo, se recuerda de nuevo al lector la necesidad de
usar un modelo más sofisticado que el de nivel I para predecir con exactitud el desempeño del
circuito, sobre todo para fansistores cuyas dimensiones se mide¡ en micras.

4.12.2 Parámetros del modelo MOSFET

En la tabla 4.7 se proporciona una lista de algunos de los parámetros del modelo MOSFET
usados en el modelo de nivel 1 de SPICE. El lector ya debe estar familiarizado con esos pará-
metros, salvo con unos cuantos que se describen en seguida.

Parámetros deldiodo MOSFET En el caso de los dos diodos de polarización inversa formados
entre cada una de las regiones de difusión de la fuente, el drenaje y el cuerpo (véase la figura
4.1), la densidad de la coniente de saturación es1á representada en SPICE por el panámetro
JS. Más aún, con base en los parámetros especificados enla tabla 4.7, SPICE calculaní las
cápacitancias de la capa de agotamiento (unión) analizadas en la sección 4.8.2 como

c¿¿ = ., a¡a---!fl- p¡ (4.161)

('.tff) -.--_!J-

(,.?rJ

.,, = r- S+ ot * -- {is\, es (4.162)

(t.:lnJ (,.!.J
 4.r2 EL MoDELo DE MosFET DE sprcE y EJEMpLo DE srMULAcróN Q ttt

Parámetro símbolo
dé SPICE del libro Descripción Unidades

Panámetros del modelo básico

LEVEL Selecto¡ del modelo MOSFET
TOX Espesor del óxido de la compuerta m
cox c., Capacirancia del óxido de la compuerta, por unidad de área F/ÍJ
UO p Movilidad del portador cm2lv .s

KP k' Parámetro de transconductancia del proceso

LAMBDA ), Coeficiente de modulación de longitud del canal

Parámetros del voltaje de umbral

vTo v,o Voltaje de umb¡al de poladzación cerc
GAMMA v Parámetro de efecto del cue¡po ytn
NSUB Contaminación del sustrato cm'
PHI 2@¡ Porencial de inversjón de la superficie

Paránetros del diodo MOSFET

JS Densidad de la saturación de coriente de la unión del cuerpo A/m2
CJ Capacitaücia de unión del cuerpo con polarización cero, Fl^2
po¡ unidad de área sobre la región drenaje/fuente
MJ Coenciente de graduación, por componente de ¡írea
cJsw Capacitancia de unión del cue¡po con polarización cero, F/m
por unidad de longitud a lo largo de la pa.ed lateral (periferia)
de la región drcnaje/fuente
MJSW Coenciente de graduación, para componente de pared lateral
PB vo Potencial integrado de unión de cuerpo
Parámetros de dim€nsión del MOSFET
LD Lw Difusión lateral en el canal a pafir de las ¡egiones m
de difu sión fuente/drenaje
WD Difusión lateral en el canal a partir del cuerpo por m
todo el ancho
Parám€tros d€ la c¿pacitancia de compuerta MOS
CGBO Capacitancia de superposición de compuerta y cuerpo, F/m
por unidad de longitud de canal
CGDO C*oM Capacitancia de superposición de compuerta y drenaje, F/m
por unidad de ancho de canal
ccso c*M Capacitancia de superposición de compuerta y fi¡ente, F/m
por unidad de ancho de canal

donde AD y AS son las iíreas, mientras que PD y PS son los perímetros de las regiones del
drenaje y de la fuente del MOSFEI respectivamente. El prime¡ término de capacitancia en
las ecuaciones (4.161) y C4.162) repesenta la capacitancia de la capa de agotamiento (unión)
sobre la placa inferior de las regiones del drenaje y la fuente. El segundo término de capaci-
tancia involucra la de la capa de agotamiento a lo largo de la pared lateral (periférica) de esas
regiones. Ambos términos se expresan mediante la fórmula desanollada en la sección 3.7.3
(ecuación 3.56). El usuario debe especificar los valores de AD, AS, PD y PS con base en las
dimensiones del dispositivo que se está usando.

Parámetros de dimensión y capac¡tancia de compuerta del MOSFET En un MOSFET

I
fabricado la longitud efectiva del canal Z"¡ es menor que la norninal (o dibujada) (de acuerdo
con lo especificado por el diseñador), porque las regiones de difusión de la fuente y el drenaje
354 I cAPfTULo 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

se extienden ligefamente abajo del óxido de la compuerta durante la fabricación. Más aún, el
ancho efectivo del canal W"r del MOSFET es menor que el ancho nominal o dibujado del canal
I4l debido a la difusión lateral en el canal a partir del cuerpo y por todo el ancho. Con base en
los parámetros especificados en la tabla 4.7,

L.t= L - 2LD (4.163)

W*=W-ZWD (4.164)

De manera análoga al uso de L",¿ para denotar LD, se usa el símbolo I4l,¿ para denotar WD.
Por tánto, como se inücó en Ia sección 4.8.1, la capacitancia de compuerta y fuente Cs, y la
de compuefa y drenaje Cso' debe incrementarse mediante un componente de superposición de,
respectivamente,

Ce', *, = W CGSO (4.165)

Csa.*p=W CGDO (4.16ó)

De igual manera, la capacitancia de compuerta y cuerpo Cs¿ debe aumentarse en un componente

de superposición de

C$.,'p = LCGBO (4.167)

Tal vez el lector haya observado que existe una redundancia incorporada al especificar los
panámetros del modelo MOSFET en SPICE. Por ejemplo, el usuario puede especificar el valor
de KP para el MOSFET o, como opción, especificar TOX y UO y dejar que SPICE calcule
KP como UO TOX. De igual manera, GAMMA puede especificarse directamente, o pueden
proporcionarse los parámetros físicos que permiten que SPICE lo determine (es decn, NSUB).
En cualquier caso, /as ttalores especificados por el usuario siempre tendrán preferencia sobre
Ios valores calculados por SPICE. Como otro ejemplo, observe que el usuario tiene la opción
de especificar dhectanente las capacitancias de superposición CGBO, CGDO y CGSO o dejar
que SPICE los calcule como CGDO = CGSO = LD COX y CGBO = WD COX.
En la tabla 4.8 se proporcionan valores fpicos para los parámetros del modelo MOSFET de
nivel 1 de una tecnología CMOS modema de 0.5 ¡an y, en comparación, la de una antigua (incluso
obsoleta) de 5 ¡an. l,os valores correspondientes para la longitud mínima de canal I-n, ancho
mínimo del canal, Iry.ín y yoltaje de alimentación n4rimo (V¿¿ + lV¡¡ l).6,. son los siguientes:

CMOS de 5 ¡m 5 pÍr 12.5 pn 10 V

CMOS de 0.5¡rn 0.5 pn 1.25 t-trn 3.3 V

Debido al óxido de compuerta más delgado en las tecnologías CMOS, el voltaje máximo de
alimentación debe reducfuse para asegurar que los voltajes de las terminales no causen una
ruptura del dieléctrico de óxido bajo la compuerta. El voltaje de alimentación que se reduce
es uno de los aspectos de diseño más desafiantes de los circuitos integrados análogos en las
tecnologías CMOS avanzadas. En la tabla 4.8 tal vez el lector haya observado algunas otlas
tendencias en los procesos CMOS. Por ejemplo, a medida que se reduce ¿mú¡, el efecto de mo-
dulación de longitud del canal se vuelve rnás pronunciado y, por tanto, aumenta el valor de ¿.
Esto da como resultado que los MOSFET tengan una resistencia de salida r, más pequeña y,
por ello, "ganancias intínsecas" más pequeñas (capítulo 6). Otro ejemplo es la disminución en
la moviüdad de superficie p en las tecnologías CMOS modemas y el aumento corespondiente
-

4.12 EL MoDELo DE MosFET DE sprcE y EJEMpLo DE stMULActóN att

$

Proceso CMOS de 5 ¡¡m Proceso CMOS de 0.5¡rm

NMOS PMOS NMOS PMOS

LEVEL I I I I
TOX 85e-9 85e-9 9.5e-9 9.5e-9
UO 750 250 460 115
LAMBDA 0.01 0.03 0.1 0.2
GAMMA 1.4 0.65 0.45
vTo I -l 0.7 -0.8
PHI o.7 0.65 0.8 o.'15
LD O.7e-6 0.6e-6 0.08e-6 0.09e-6
JS le-6 le-6 10e-9 5e-9
CI O.4e-3 0.18e-3 O.57e-3 0.93e-3
MJ 0.5 0.5 0.5 0.5
crsw 0.8e-9 0.6e-9 O.12e-9 O.17e-9
MISW n5 0.5 0.4 0.35
PB o-7 o.7 0.9 0.9
CGBO O.2e-9 O-28-9 0.38e-9 0.38e-9
CGDO 0.4€-9 O.4e-9 O.4e-9 0.35e-9
ccso 0.4e-9 0-¿le-9 0.4e-9 0.35e-9
I
BIr Pspice se han creado pa¡tes MOSFET conespondientes a los modelos anterioies. Los lectores e¡¡contla¡án estas
partes en la biblioteca SEDRA.olb, que está disponible en el CD que acoripaña a este libro y también en el sitio www.
sedmsmith.org. Iás pafes NMOS y PMOS de la tecnología CMOS de 0.5 l{n están rotütadas NMOS0P5 BODY y
PMOS0P5 BODY rcspectivamente. Las partes rcspectivas de la de 5 lan están rot¡¡ladas NMOS5P0_BODY y PMO
S5Po_BODY Más aún, estas ¡ll¡imas partes se crearon pam conesponder, rcspectivanente, a la pate NMOS0Ps_BODY
con su cue4)o cone€tado a la red 0 y la parte PMOS0Ps-BODY coD su cuepo conectado a la red yDD.

en la relación Ntt" de 2 a cerca de 5. El impacto de ésta y otras tendencias en el diseño de

circuitos integrados en tecnologías CMOS avanzadas se analizará en el capítulo 6 (consulte,
en particular, la sección ó.2).
Cuando se simula un cicuito MOSFET, el usuario debe especificar ambos valores de los
panámetros del modelo y las dimensiones de cada MOSFET en el circuito que se está sirnulando.
Al final, deben especificarse la longitud del canal L y el ancho 17. También deben especificarse
las áreas AD y AS y los perímetros PD y PS para qúe SPICE rnodele las capacitancias de unión
del cuerpo (de otra manera, se supondrían capacitancias cero). Los valores exactos de estos
pari4metros de geometrla dependen del diseño real del dispositivo (apéndice A). Sin embargo,
para estimar estas dimensiones, se su¡rondrá que se habn4 de hacer un contacto de metal para cada
una de las regiones de fuente y drenaje del MOSFET. Con este fin, estas regiones de difusión
deben extenderse por lo genenl más a//d del extremo del canal (es decir, eq la di¡ección I en
la figura 4.1) al menos en 2.75 ¿.ú,. Por tanto, el área y el perinetro mínimos de una región de
diftsión drenaje/fuente con un contacto son, respectivamente,

AD = AS = 2.75 Z.¡,I7 (4.168)

PD=PS=2 x2.75 L",h+W (4.169)

A rnenos que se especifique lo cont¡ario, se usarán las ecuaciones (4.168) y (4.169) para estirnar
las dimensiones de las regiones drenaje/fuente en los ejemplos.
Por últirno, observe que SPICE calcula los valores de los parómetros d.el madelo MOSFET
a pequeña señtl con base en el punto de operación (punto de polarización).Entonces SPICE
los emplea para realizar el análisis a pequeña señal (análisis de ac).
356 & cAPíTULo 4 rRANstsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

EL AMPLIFICADOR CS
En este ejemplo se usará PSpice para calcular la respuesta de frecuencia del ampliflcador CS cuyo
esquema de Capture se muestra en la ñgura 4.63.11 Observe que el MOSFET tiene su fuente y
cuerpo conectados pa¡a cancelar el efecto del cuerpo. Se supondrá una tecnología CMOS de 0.5
pm para el MOSFET y se usarán los paúmeftos de modelo SPICE de nivel 1 que aparecen en la
tabla 4.8. Se supondrá también una resistencia de fuente de señal Rseñal = 10 kQ, una resistencia
de carga R¿ = 50 kC) y condensadores de paso y acoplamiento de 10 pF. Las especificaciones de
destino para este amplificador CS son una ganancia de banda media A" - l0 V/V y un consumo
máximo de potencia P = 1.5 mW. Como siempre sucede en las simulaciones de computadora, se
empezará con un diseño aproximado con lápiz y papel. Luego se usará PSpice para aflnar el diseño
y para investigar el desempeño del diseño final. De esta manem, se obtendri4n las mayores ventajas
y el mayor conocimiento de la simulación.
Con una fuente de alimentación de 3,3 V, la corriente del drenaje del MOSFET debe estar limi-
fada a ID = P /VDD = 1.5 mW/3.3 V = 0.45 rlA para cumpli con la especificación de consumo de
potencia. Al elegir yoy = 0.3 V (un valo¡ común en los diseños de bajo voltaje) y V¿ s=Vop/3 (para
alcanzar una oscilación a gran señal en la salida) ahora al MOSFET pueden asignársele dimensiones
de acuerdo con lo siguiente
3
0.45 x l0
L"f -lp- (4.170)
Ir;t$,1t * tv rr¡ )lt o.t rl0{)(0.3)'?t 1 + 0 l (r.1 )l
doÍde k', = pnc., = l7O-1 pAl\P (de la tabla 4.8). Aquí se usa ¿.r en lugar de L para obrener un
cálculo más exacto de 1r. El efecto de usa¡ W"¡ en lugar de W es mucho menos importante, porque
generalmente Iry > W",¿, Por tanto, si se elige ¿ = 0.6 lJm da como re sultado'L.r= L - 2L,,0=O-44 ltm
y W =23.3 pm. Observe que se eligió t ligeramenre mayor que ¿.ín. Ésta es una práctica común
en el diseño de CI anrálogos para reducir los efec¡os de los elementos de fábricación no ideal.es en
el valor ¡eal de l. Como se estudiará en capítulos postedores, esto es paficularmente importante
cuando el desempeño del circuito depende de la coincidencia entre las dimensiones de dos q más
MOSFET (por ejemplo, en los circuitos de espejo !e corriente que se estudiarián en el capítulo 6).
A continuación, se calcula R, con base en la ganancia de voltaje deseada:

lÁ,l = s.(R¿ llR. ll rJ = tO vN + RD 4.2 kA (4.171)

donde g, = 3.0 mA,'\,r y r. = 22-2 kS¿. Por tanto, el voltaje de polarización de salida es Vo = VDD
- Iño = 1.39 Y. Se necesita iR" = (üo - vDD/3)/ID= 630 d¿ para polarizar el MoSFET a Vr, =
yDDl3. Por último, se eligen resistores Rc¡ 2 MQ y Rc: 1.3 MC¿ pa¡a establecer el voltaje de
= =
polarización de compuerta en yc = lDrRr + Vov + Vñ = 1.29 V, Mediante el empleo de valores miás
grandes para estos resistores de compugrta, se asegura que su consumo de potencia y su efecto de
carga en la fuente de señal de entrada serán desprcciables. Tome nota de que se desprecia el efecto
del cuerpo en la expresión para V6 para simplificar los cifculos manuales.
- Ahora se usaráPSpice para comprobar el diseño e investigar el desempeño del amplificador CS.
Se empieza por realizar una simulación de punto de polarización para verificar que el MOSFET esté
polarizado apropi4damente en la región de satu¡ación y que los voltajes y corrientes de dc estén dentro

lr Se recuerda al lecto¡ que el esquema de Captu¡e y los correspondientes archivos de simulación de

Pspice de todos los ejemplos de SPICE de este lib¡o se enconÍarán en el CD que acompaña a este
libro, además de en el sitio Web (www.sedrasmith.org). En estos esquemas (como se muestra en la
frgura 4.63) se usan panámet¡os variables para introduci¡ los valores de los diversos componentes de
circuito, incluidas las dimensiones del MOSFET. Esto permiti¡á al lectu investiga¡ el efecto de canbia¡
los valores de los componentes con sólo variar los valores de pafámet¡os coÍespondientes.
 4.r2 EL MoDELo DE MosFET DE splcE y EJEMeLo DE srMULAcróN p ttt

VDD

PARAMETERS:
CCI : 10u
cco : lOu
CS: IOU

RD : 4.2K VDD
{ccll
RG1 :
RG2 =
2E6
1.3E6 i w: {w}
RL = 50K
L={L}
RS : 630 .L
_ IJL = {\DD}
Rsig = 16¡
W:22|
L : 0.6u
VDD : 3.3 t,
FIGURA 4.ó3 Esquema de Capture del amplificador CS del ejemplo 4.14.

de las especificaciones deseadas, Con base en esta simulación se ha ¡educido el valor deW a22 pm
para limitar 1D a cerca de 0.45 mA. A continuación, para medir la ganancia de banda media A¡ y las
frecuencias de 3 dB[ y/r, se aplica un voltaje de ac de I V a la entrada. Se realiza una simulación
de análisis de ac y se graf,ca la magnitud del voltaje de satida (en dB) contra la frecuencia, como se
muestra en la figura 4.64. Esto corresponde a la respuesta en magnitud del amplificador CS porque
se eligió una señal de entuada de I V.l2 De acuerdo con esto, la ganancia de banda media á" = 9.55
V/V y el ancho de banda de3 dB es BW =fn-fL= 122.1MHz.En la figura 4.64 se muestra con más
detalle que la ganancia empieza a caer alrededor de 300 Hz, pero vuelve a ser plana alrededor de 10
Hz. Este aplanamiento en la ganancia a bajas frecuencias se debe a una transmisión rcal de ceroll
inhoducida en la función de transferencia del amplificador por Rs junto con CJ. Este ce¡o ocurre a
una frecuencia./, = I / (ztdlsc i = 25.3 Hz, que suele estar ent¡e las frecuencias de rupt]urafn y fp3
deteminadas en la sección 4.9.3 (figura 4.52). De este modo, se verificará ahora esfe fenómeno al
volver a simular el ampliñcador CS con una Cs = 0 (es deci¡, eliminando C5) para mover/2 a inñnito
y eliminar su efecto. La respuesta en frecuencia correspondiente se $afica también en la ñgura 4.64.
Como se esperaba, con C5 = Q nq s9 r6rqva aplanamiento alguno en la respuesta de baja frecuencia
del amplificador, que ahora tiene un aspecto similat al de la figura 4.52. Sin embargo, debido a que el
amplificador CS ahora incluye un resistor de fuente lRs, AM ha caído en un factor de 2.6. Este factor
es aproximadamente igual a (l + gls), como se esperaba tras el estudio del amplificado¡ CS con
una resistencia de degeneración de fuente en la sección 4.7.4. Observe que el ancho de banda BIl
ha aumentado aproximadamente en el mismo factor que la caída en la ganancia AM. Como apren-
derá en e[ capítulo 8, cuando estudie la retroalimentación negativa, el resistor de degeneración de
fuente Rr'proporciona reÍoalimentación negativa que permite compensar la ganancia para obtener
un aocho de banda mayor,

12
El lecto¡ no debe alarmarse por el uso de una amplitud de señal taí grande. Recue¡de (sección 2.9. l ) que
en una simulación a pequeña señal (ac), SPICE encuentra prime¡o el circr¡ito equivalente a pequeña señal
en el punto de pola¡ización y luego anatiza su circuito lineal. Este anáüsis de ac puede, por supuesto,
haceñe con cualquier amplitud de señal de ac. Sin embargo, es conveniente üsar úna enaada de CS de
1 V a medida que la salida de ac rcsultante corresponde a la ganancia de voltaje del circuito.
13
Los lectores que aún no hayan estudiado los polos o ceros pueden consulta¡ el apéndice E o pasar por
alto estas pocas frases.
358 S cAPfTULo 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

l0 uF
l,l
l.2Hz
;
l9 .6dB
\
i\il
rt r fE =12 2.t MI Iz:
] .
:
.l
i
:]
l
:

:
( .. ..

I cs: 0 A¡r : 1l_3dB

:

..

{ ,(
t
.:
ft :0 3H .fa 76 .5t ÍHz ^
.

0
10n 100n 1.0 l.oK 10K 100K
E o dB (V(SALIDA))
Frecuencia (Hz)

FIGUnA 4.64 Respuesta de ftecüencia del amplificador CS del ejemplo 4.14 con Cs = l0 llF y con Cs = 0
(es decir, Cs eliminada).

Pam concluir este ejemplo, se mostrará la mejora en la estabilidad de polarización alcanzada

cuando se usa el resistor de fuente nr (consulte el análisis de la sección 4.5.2). De manera es¡rcí-
fica, se cambiará (en el modelo MOSFET de nivel 1 de la pieza NMOSoP5) el valor del parúneffo
de voltaje de umbral de polarización cero VTO en 115% y se realiza una simulación de pünto de
polarización en PSpice. En la tabla 4.9 se muestan las vadaciones correspondientes en 1D y yo
para el caso en que Rs = 630 S). Pa¡a el caso sin degeneración de fuente se usa una Rs = 0 en el
esquema de la figura 4.63. Más aún, para obtener el mismo 1¿ y V¿ en ambos casos (pa¡a el voltaje
de umbral nominal V,q = 0.7 V), se usa un Rcz = 0.88 MQ pa¡a reducir V6 a alrededor de Vsy +V,,
= 1 V. l¿s variaciones corespondientes en el punto de polarización se muestan en la tabla 4.9, De
acuerdo con esto, se ve que el resistor de degeneración de la fuente hace que el punto de polariza-
ción del amplificador CS sea menos sensible a los cambios en el voltaje de umbral. En tealidad, el
lector puede demostrar para los valores mostrados en la tabla 4.9 que la variación en la corriente de
polarización (41lI) ha disminuido en casi el mismo factor (1 + gls). Sin embargo, a menos que se
use un condensador de paso graride Cs, esta sensibiüdad ¡educida se logra a costa de una reducción
en la ganancia de banda media (como se observó en este ejemplo cuando se simuló la ¡espuesta de
ftecuencia del amplificador CS con Cr = 0).

Rs=630O Rs=o
Vnú ,D (mA) Vo (V) ,D (mA) vo u)
0.60 0.56 o.962 o.7 t 0.33
o;1 o.46 1.39 0.45 1.,10
0.81 0.36 1.81 o.2t z.4a

Rrsuu¡lrr
El MOSFET del tipo de enriquecimiento es actualmenle
el dispositivo semiconductu más usado. Es la base de la
tecnología CMOS de fabricación de CI m¡ís popular en esta
época. CMOS proporciona transisto¡es de canal ¿ (NMOS) y
de canal p (PMOS), lo que aumenta la flexibitidad del diseño.
Para caracterizar el proceso se emplea la longitud mínima del
canal de un MOSFET que se puede obtener con un deteminado
proceso de CMOS. Esta cif¡a se ha reducido continuamente y
en la actualidad es de ahededo¡ de 0. I pm,
Las curvas ca¡acleísticas de corriente conÍa voltaje del
MOSFET se presentaron en la sección 4.2 y se resumen en
la tabla 4.1.
Las técnicas para el análisis de circuitos MOSFET en dc se
ilustraron en la sección 4.3 con varios ejemplos.
I En la sección 4.4 se estudió la operación a gran señal del
MOSFET de fuente común (CS) cargado resistivamente. La
curva caracteística de fansferencia se determina gánca y
analíticamente, y se hsa para mostrar las tres regiones de
operación: corte y riodo (que son útiles para la aplicación del
MOSFET corno intem¡pto¡ e inveNor de tógica digital) y satu-
ración (la cual es la región para ia operación del amplificador).
Para obtener amplificación lineal, el trarisistor se polariza para
operar en algrin lugar cercano a la parte media de la región
de saturación, y la señal se superpone al yas de polarización
de dc y se mantiene pequeña. La ganancia a pequeña señal es
igual a la pendiente de la cancte¡ística de transfercncia en el
punto de poladzación (véase la figula 4.26).
Un paso clave en el diseño de ampüficadores de trarisistores
consiste en pola¡izar el tra¡sisto¡ para que opqe en un punto
apropiado de la región de saturación. Un buen diseño de
polarización asegura que los panámetros del punto de pota-
Ip, V¿y y V¡5 sean Fedecibles y estables, y que no
'ización,
varíen mucho cuando el transistor se reemplace con otro del
mismo tipo. En la sección 4.5 se presentarcn varios de los
métodos de pola¡ización adecuados para el diseño de circuitos
diferentes.
La operación a pequeña señat del MOSFET' además de los
modelos de circuito que lo representan, se estudian en la
sección 4.6. Un resumen de las relaciones para determinar los
valores de los panÁmetros ilel modelo MOSFET se proporciota
er l^ ¡abla 4.2-
Al conectar a tiena res terminales det MOSFET
una de las
se obtiene una ¡ed de dos puertos; la teminal a tieÍa sirve
como punto común entre los puertos de entrada y de salida.
De acuerdo con esto, hay tres cotfiguraciones básicas de
amplificador MOSFET. la cotfiguración CS, que es la m¡ís
usada; la co[figuración de compuefia común (CG, Common
Gate), que tiene apücaciones especiales y es particularmente
RE',MEN $ au,
útil a frecuefrcias altas, y la configuración de drenaje común
o seguidor de fuente, que se emplea como amortiguado¡ (bú-
fe¡) de voltaje o como etapa de salida de un amplificador de
va¡i¿s etapas. Consülte el ¡esumen al final de la sección 4.7 y,
en particular, la tabla 4.4, que proporciona un resumen y una
comparación de los atributos de las dive$as configu¡aciones
de ariplificadores MOSFET de una etapa,
I Pa¡a conoce¡ más del modelo de alta f¡ecuencia de MOSFET
y las fórmulas para determinar sus pdámet¡os consulte la
tabla 4.5.
I Las capacitaricias intemas del MOSFET hacen que la ganancia
de los ampüficadores MOS caigan a altas ftecuencias. Además,
los condensadores de acoplamiento y de paso que se usari en
difercntes amplificadores MOS causa¡ que la gariancia caiga
a bajas frecuencias. A la banda de ftecuencia sobre la que
pueden desprecia$e ambos conjuntos de condensadores y,
por tanto, sobre la que la ganancia es constante, se le conoce
como banda media, La respuesta de fiecuencia del ampliñcador
está caracterizada por la ganancia de banda media A¡ y las
fiecueÍcias inferior y superior de 3 dB,/¿ y/¿, respectivamente,
y el ancho de banda es !r], -[).
El anáüsis de la respuesta de frecuencia det amplificador de
fuente común (sección 4.9) muestra que su rcspuesta de alta
f¡ecuencia esá dete¡minada por la ifferacción de la capaci-
tancia de entrada total Cd y la resistencia efectiva de la fuente
de señal, Ri.o¡:/o = l/2t{."R',^ .l acapacitatcia de ent¡ada
C^=Cc"+ 0 - 9,,8L)C d, que puede ser dominada por el
segundo término. Por tanto, mientras que Cr¿ sea pequeña,
su efecto puede ser muy importante porque se multiplica por
un factor casi igual a la ganaricia de la banda media. Éste es
e1 efecto Miller.
El inversor de lógica digital CMOS proporciona una aplicación
casi ideal de la función de inversión lógica. Sus caracteísticas
se estudian en la sección 4.10 y se resumen en ta tabla 4.6.
T El MOSFET del tipo de agotamiento tiene un canal implarÍado
¡ por tanto, puede opera¡se en los modos de agotaniento o
de emiqüecimiento. Estiá caracterizado por las mismas ecua-
ciones empleadas para el dispositivo de e¡¡iquecimiento, con
la excepción de que tiene un V, negativo (V, positivo pa¡a el
tra¡sistor PMOS de agotamiento).
I Aunque no hay sustituto para el diseño de circuito a lápiz y
papel empleando modelos simpüñcados de dispositivos, la
simulación por computadora empleando SPICE con modelos
rnás elaborados y, por tanto, más prccisos resulfa esencial para
confimar y annar el diseño antes de la fabricación.
El estudio de los amplificadorcs MOSFET continuará en el
capínrlo 6; el de los circuitos CMOS digitales, en el 10.
36,0 lp cAPÍTUto 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)
PROBTEMAS
sECfló[ 4.1: tSInU(TURA DEt Dt5p05tTtvo
Y 0PERA(Ióil f íSr(A
4.1 La tecnología MOS se emplea para fabricar un condensador
que utiliza la metalización de la compuerta y el sust¡ato como
elecaodos del condensador. Encuent¡e el ¡Área requerida po¡ una
capacitancia de 1 pF para un espesor de óxido que va de 5 a 40
nm. En el caso de un condensador de placa cuadrada de l0 pF,
¿cuáles son las dimensiones miáximas necesa¡ias?
4,2 Un MOSFET determinado qüe emplea la misma esÍuctura
de compuerta y la misma longitud de canal que el Íansistor cuyas
caracte¡ísticas iD-rDs se muestrari en la figura 4.4, tienen un ancho
de canal que es l0 veces mayor. ¿Cómo volvela a rotula¡ el eje
vertical pa¡a representar este cambio? Encuentre la nueva constante
de proporcionalidad relacionando iD y (ur5 - V,)up5. ¿Cuál es el
intervalo de ¡esistencia de drenaje a fuente, /Ds, que corresponde
a un voltaje de sobrecarga (ras - yr) que va de 0.5 a 2 V?
4,3 Con el conocimient o de q\e lh= 0,4pn, Lcr.¡¡íl debe se¡ el ancho
relativo de los dispositivos de canal r y canalp, si tienen cor¡ientes
de drenaje iguales cuando operan en el modo de satwación con
voltajes de sobrecarga de la misma magnitud?
4.4 Un dispositivo de canal /, tiene ¿; = 5O pANz,V,= O.8V y
W / L = 2O. El dispositivo habrá de operar como inteÍuptor para
un rDs pequeño empleando un voltaje de contlol ¿,cJ en el i¡ter-
valo de 0 a 5 V. Encuentre la resistencia de ciere del inteÍuptor,
rDs, y el voltaje de cie¡¡e, yDs, obtenidos cuando ¿,cJ = 5 V e iD =
1 mA. Recordando que pp = 0.4 p,, Laú¡ debe ser W/¿ para un
dispositivo de canal p que proporciona el mismo desempeño que
el dispositivo de canal r en esta aplicación?
4.5 Un dispositivo MOS de canal r en una tecnología para la cual
el espesor de óxido es de 20 nm, longitud mínima de compuerta de
I ¡t¡r, k',= lN pANz y V,= 0.8 V ope¡a en 1a región del triodo, con
uDs pequeño y con el voltaje de compuerta a fuente en el intewalo
V ¿Cuál es el ancho que necesita tener el disposi¡ivo para
de 0 a +5
asegua¡ que la resistencia mÍnima disponible sea de I kf,)?
4.ó Considere un proceso CMOS para el cual ¿.í, = 0.8 An, r,,
= l5 nm. /, = 550 cm2 N .s y V, = 0.7 ',J.
a) Encuert¡e C,, y ¿',.
á) Para el transistor NMOS co¡W / L = 16 pri/0.8 /¿m, calcule los
valores de yov, ycs y yD5.¡, necesmios para operar el tmnsistor en
la región de saturación con una co¡dente de dc ID = l00lA.
c) Para el dispositivo en ó), encuent¡e los valores de V¿y y V65
requeridos para que el dispositivo opere como resistor de I 000 Q
pa¡a un ¿'D5 muy pequeño,
4.7 Conside¡e un MOSFET de canal n con to. =2O nm, p,= 65O
cm2,/V s, y¡ = 0.8 V y W/¿ = 10. Encuentre ta corriente del drcnaje
e¡ los siguientes casos:
¿)1las=5Vy¿D{=lV
b) a6=2Y y z,p5- l.2Y
c)zcr=5Vyz,Ds=0.2V
d) u6s = ap5= 5 Y
5E(CI úil 4.2: (ARA(TE N ISTICA5
(O NI I EI{TE.YOI.IAJ E
4.8 Considere un transistor NMOS idéntico al que tiene la carac-
teística 1D-u¿s que se muestra en la figura 4.11b), excepto porque
tiene la mitad de su ancho, ¿Cómo debe volverse a rotular el eje
vefical para que las características corespondan al dispositivo más
angosto? Si el dispositivo más angosto se opera en saturación con
un voltaje de sob¡ecarga de 1.5 V, ¿cuál valor de i¿ se obtiene?
4.9 Explique por qué las gr¡íficas de la figura 4.11ó) no cambian
a medida que lo hace y¡. ¿Puede idea¡ una rep¡esentación más
general (es decir, y, independiente) de las caracteísticas presen-
tadas en la figura 4.12?
¡1.10 Pa¡a el transisto¡ cuyas caÉcte¡ísticas iD-¿,os se rcprcsentan
en la figura 4,12, $afique iD conha el voltaje de sobrecarga ¿ov =
-
ros V¡ pafa aDs > ao¡ ¿Cuál es la ventaja de esta gráfica sobre
la de la figura 4.12? En el mismo diag¡ama, dibuje la gráfica para
un dispositivo idéntico pero con la mitad del ancho.
{.11 Un üansisto¡ NMOS que tiene y¡ = 1 V es ope¡ado en la
¡egión del triodo con uDs pequeño. Con ycr = 1,5 V tiene una re-
sistencia,"DJ de 1 kO. ¿Cuál valor de V65 se requiere para obtener
ros = 200 C)? Encuenne los valores de resistencia conespondientes
obtenidos con un dispositivo que tiene el doble del valo¡ de W.
4.12 Un MOSFET de enriquecimiento pa¡a el que y¡ = 1 V y
k'.(W / L) = 0.t ml/t¡2 habrá de operar en la región de saturación.
Si i¡ habrá de ser 0.2 mA, encuente el ¿cs requerido y el ¿,DJ
mínimo requerido. Repita para ¡D = 0.8 m/\.
4.13 Un MOSFET de enriquecimien¡o de canal r tiene una
coriente de drenaje de 4 mAa ycs= yDs= 5 V y de 1 nLAa ycj
= Vos = 3 Y. ¿Cuáles son los valores de k',(W / L) y y¡ para este
dispositivo?
D4.14 En un proceso de fabricación de CI el pa¡ámetro de Íans-
conductancia ¿; = 50 pAN2 y V, = 1 V. En una aplicación en la
que zor = zr, = V4¡. = 5 V, se requiere una cor¡iente de d¡enaje
de 0.8 nA de un dispositivo de longitud mínima de 2 ¡rrn. ¿Cuál
valor de ancho de canal debe usar el diseño?
4.15 Un tra$istor NMOS que opera en la ¡egión de rcsistencia
lineal con ¿Dr = 0. I V, conduce 60 lA con acs = 2 V y \60 ltA
con rrcs = 4 V ¿Cuál es el valor aparente del voltaje de umbral
v¡?Si k', = 50 pNyz, ¿cu¡íl es la relación l//t
del dispositivo?
¿Qué cor¡iente esperaría que fluyera con úcs = 3 V y rrDs = 0.15
V? Si el dispositivo se opera a
cs = 3 V ¿'en cuál valor de uDs se
 PRoBLEMAS $ r"t

comprimila el exÍemo del drenaje del canal del MOSFET y cuál
es la co¡¡iente correspondiente del d¡enaje?
4.1ó En el caso de un transisto¡ NMOS, con y, = 0.8 V, y que
opera con ¿6s en el interyalo de 1.5 V a 4 V ¿cu¡íl es el valor más
grande de uDs pa¡a el cual el canal sigue siendo continuo?
alrededor de ] de lo necesario. ¿Cuál cambio puede hace$e en
las dimensiones para resolver el problema? ¿Cuál es la nueva
longitud del dispositivo? ¿El nuevo ancho? ¿La nueva relación
W/L'l ¿Cúl es eI V¿paru el dispositivo estárda¡ en este CI? ¿El
nuevo dispositivo?

D4.22 Pa¡a una tecnología MOS de canal ll, en la que la longitud

4.17 Un t¡ansistor NMOS, fab¡icado con I7 = lM ttmy L= 5
lm en una tecnologla para la cual ft; = 50 pAi^ilz y V,= lY,habrá
de operarse como rcsistor lineal a valo¡es muy bajos de r,¿3. En el
caso de que ¿'cs varle de l.l V a 11 V, ¿cur4l rango de valores de
rcsistor se obtend¡án? ¿Cuál es el intervalo disponible si
a) el ancho del dispositivo se reduce a la mitad?
ó) la longitud del dispositivo se reduce a la mitad?
c) tanto el ancho como el largo se reducen a la mitad?
4.18 Cuando el drenaje y la compuefia de un MOSFET están
conectados entre sí se obtiene un dispositivo de dos úerminales,
conocido como "transistor conectado a diodo". En ta f,gura P4. I 8
se muestran estos dispositivos obtenidos de los trarsistores MOS
de ambas polaridades. Demuest¡e que
¿) la relación i-¿, está dada por
mfnima del canal es I ¡rm, el valor asociado de es 0.02 Si \fl.
un dispositivo con I = 3 /¿m opera a rrDs = I V con^una coriente de
drcnaje de 80 pA, ¿cuál será la corriente de d¡enaje si u¿s se eleva
a 5 V? ¿Qué cambio porcentual reprcsenta? ¿Qué puede hace¡se
para rcducir el porcentaje en ufl facto¡ de 2?
4.21 Un ¡ra[sisto¡ NMOS se fabrica en un proceso de 0,8 /m que
rene ki = 13o ttlwz y v'¡= 2iv/pm delalongitud de canal. si
L = 1.6 l¿.n y W = 16 pm, encuentre y,{ y ¿ Encuentre el valor de /D
que se obtiene cuando el dispositivo se opera cofl un voltaje de
sobrecarga de 0.5 V y V¿s = 2 V Además, encuentre el valor de ¡¿
en este punto de operación. Si yDJ aumenta €n 1 V, ¿cuál es el
cambio correspondiente en ID?
4.24 Complete las entradas faltantes en la siguiente tabla, que
desc¡ibe las caracterlsticas de fansisto¡es NMOS polarizados
adecr¡adamente:

i. 1 ..W.
=;k'itil-lv,l)'z
á) la resistencia incremental r para un dispositivo polarizado para
opemr a i, = lV, | + V¿y está dada por ¿0r1)
(v) 50
o.or
vo 200
ID (mA) 5 0.1
,." (kO) 30 100
'='ll*l='l@Yt") 1 000

,rT . .
-:"
¡[.25 Un transistor NMOS con2=0.01\fi opera a una coÍiente
'úT

E"
de dc 1¡ = 1 mA. Si se duplica la longitud del canal, encuent¡e
los nuevos valores de ),, Vn,l oy r.para cadauno de los dos casos
siguientes:

ót ¿)
,)
Ycs
1D y
y YDs son
YDs son
fijos.
fijos.
a) b)
4.26 transistor PMOS de enriquecimiento riene t;(W /L) = 80
-Un
FIGURA P4.18 pAN'.v,=-l.5v y 1= -{.02 \ar. La compuena eslá conecrada
a tie¡¡a y la fuente a +5 V Encuent¡e la coriente de drenaje para
4,19 En el caso de un MOSFET que opera en la región de ,D=+4Y+l.5V,0Vy-5V
saturación a ucs constante, se encuentra que i, es de 2 mA para
z,os=4\y2.2nApara ¡=8V. ¿Cuáles valores de ro, V, y l, 4.27 Un transisto¡ de canal p para el que ly,l = 1Vy ly¡l = 50
le corresponden? V opera en saturación co¡ ]rarl=3 V lrDsl=4Ve b=3mA.
Encuentre los valores con signo correspondientes para u6s! ,sc,
4.20 Un MOSFET tiene yn = 50 V. PaÉ la operación a 0.1 mA oot, ltp, V,, V¡, ),y k'o(W / L).
y I rnA, ¿cuáles son las ¡esistencias de salida esperadas? En cada
caso, para un cambio de ¿DJ de I V 4.28 En una tecnologla para la cual el espesor del óxido de la
¿cuál cambio de po¡centaje
en cor¡iente de drenaje esperaría? compuerta es 20 nm, encuentle el valo¡ de N,a para el cual f= 0.5
Vl2. Si el nivel de contaminación se mantiene pero el espesor del
D4.21 En un diseño de CI en el que la longitud de canal est¡áúdar óxido de la compuerta aumenta a 100 nm, ¿cuál será el valor de 24
es 2 llm, se encuenfta que un dispositivo NMOS con W/¿ de 5 Si 7 se mantiene constante a 0.5 V12, ¿a qué valor debe cambia¡se
que opera a 10014 tiene una resistencia de salida de 0.5 MO, el nivel de impurezas?
362 é cAPfTULo 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

t1.29 En una aplicación, un MOSFET ys, en

de canal ¿ opera con +10 v
el intervalo de 0 a 4 V Si %0 es nominalrnente 1 .0 V eúcuentre el
intervalo de V, que se obtiene si /= 0.5 V|¿ ] 2d¡= 0.6 V. Si el
espesor del óxido de la compuerta se aumenta por un factor de 4,
¿curál será el voltaje de umbral?

¡1.30 Un t¡ansisto¡ de canal p opera en saturación con su voltaje

de fuente 3 V menor qüe su sustrato. Para / = O .5 V12 , Zpr= ¡]5
V Y Vro = -{.7 V encuentre Vr.
*'f.31 a) Empleando la exprcsión pam iD en satu¡ación y des-
preciando el efecto de modulación de longitud de canal (es decir,
,1, = 0), encuentre la expresión para el cambio por unidad en I -9V
pot "C lQiD/i)/)I'l en términos del cambio por unidad en &i
a) b)
pot "C Pk'"/k) /47'l el coeficiente de t€mperatura de V, en V/"C
(dV,/07) y Vosy V,.
¿) Si % dismiruye en 2 mV ¡ror cada oC de aumento en temperatura, +10 v +5V
encuentre el coeficiente de tempentua de f; que da como ¡esultado
que r, disminuya e10.27¿l'C cuando el transistor NMOS con y,
=lVseope¡aaVcs=5V.
*4.32 Va¡ios tra¡sistores NMOS y PMOS se miden en operacióÍ,
óomo se muestra en la tabla corespondiente. Para cada hansisto¡
encuentre el valor de qC.JV /L y V, q\e se aplica y complete la
tabla con y en volts, 1 en pAy pC""W / L en pAlf .
*¡f.tl Todos tos liansistores de los circuitos mostrados en la figura
P4.33 tienen los mismos valo¡es de lv,l, k' ,W / L y ).. l,tr'.ás ñn,
z1 es despreciable. Todos opemn en saturación a ID = 1 y ycr
I I -5V
= lyDr | = 3 V Encuenüe los voltajes VbV2,%y Va. Si lvtl =
I V e 1= 2 mA, ¿cuál es el valor que deb€ tener un resisto¡ que c) o
puede inseda$e en serie con cada conexión de drenaje mientras
FIGURA P4.33
se mantiene en satumción? ¿Cuál es el resistor más grande qüe
puede coloca$e en serie con cada compuerta? Si l¿ fuente de
coriente 1 requie¡e por lo menos 2 V entre sus terminales para sE((ló[ 4.¡: (ln(utlos osr¡I Dr D(
opera. apropiadamente, ¿cuál es el ¡esistor más gande que puede
colocarse en serie con cada ñ¡ente de MOSFET mientras se asegu:a D4.34 Diseñe el circuito de la ñgura 4.20 para establecer una
la operación en el modo de satunción de cada transisto¡ en ID = ,l? corriente de drenaje de 1 mA y un voltaje de drenaje de 0 V. El
En la última situación límite, ¿cuáles son los valores ¡esultantes MOSFET tiene V, = I V, p^C = 60 p.f\r^¡2, L = 3 pm y l4 = 1O0
de VyV2,V3 y Va?
^
If'r.

I 0 2 5 100
I '0 3 5 400
2 5 3 4.5 50
2 5 2 -{.5 450
3 5 3 42co
3 5 2 0 800
4 0 072
4 4 0 -3 270
 KM
ffi
ffi
PRoBLEMAS Q t"t ffi
i"-@!¡

ffi
04.35 Conside¡e el circuito de la figura F.4.12.l-,et Q1y Q2 cuentre los valores necesa¡ios de a¡cho de corÍV\er¡.apara Q t, Q2 ffiffi
tieÍer V t= 0.6 V, p,Cú = 2.@ pAN2, Lt = 12 = 0.8 prr.,Wt= y 03 paxa obtene¡ los valores de voltaje y cordente indicados.
8 pn.y ,"=0- ffi
a) Encuentre el valol de R que se requie¡e pa¡a establecer u¡a +5V -tlGGg
cor¡iente dep,2 mA en 0r. qffi
:S:!¡m
á) Encuentte Iy2 y un nuevo valor paraR2 de modo que Q2 opere
{oo pe ffi
en la ¡egión de saturación con una cor¡iente de 0.5 mA y un voltaje
de drenaje de I V. Qz ffi
¡tñüi€
+3.5 V l@€rg
114.16 El transistor PMOS del circuiro de la ñgura P4.36 tiene
&;ñ€!
vt=4jl Y, prco,= 60 pNv2,L=0.8 $t\y i.=0. Encuentre los
valores requeridos para W y R con el fin de est¿blecer una corriente +1.5v
de d¡enaje de 115 lA y un voltaje yD de 3.5 V. ffi
g@:¡eil
i:@ru
Vpp = 5Y
ffi
Fffi
E-E.tg]
FIGURA P/r38

ffi
ffiÉ
í16g&
4,19 Conside¡e el circuito de la frgnfa 4.23a). En el ejemplo
4.5 se encontró que cuando y, = 1 V y ki(W / L) = 1 nA./V2, la
co¡dente de drenaje es 0,5 mA y el voltaje de drenaje es +7 V Si
el transistor se reemplaza con otro que tiene V,=2V y ki(W / L)
ffi
¡ffi
E -qi
= 2 mA/Vz, encuentre los nuevos valores de ID y yD. Come[te si
F¡GURA P4.36 el circuito es tolerante (o no) a los cambios en los paúmetros del
dispositivo. ffi
D¡1.37 Los transistores NMOS del circüito de la figura P4.37 D4.tf0 Empleando un transistor PMOS del tipo de en¡iquecimiento ,, .:tÉ6
tienen 7, = 1y, p,C,,= l2O ttAN2, ),=O y Lt= Lr= I pm. conÍt= -1.5 V, k' (W /L) = 1 mANz y A= 0, diseñe un circuito ñ-@ry
Encuenüe los valores requeridos de ancho de compüeÍa para que se parezca al de la fiEura 4.230)- Empleando una fuente de

Qt y Qz, ! el valo¡ de R para obtener los valores de voltaje y alimentación de 10 V diseñe para un voltaje de compuerta de +6 ffiffi
&:@:¡r1
corriente indicados. V, una corriente de drcnaje de 0.5 mA y un voltaje de drenaje de
+5 V. Encuentre los valores de R5 y lRr. nffiü

+5V
4.¡ll El MOSFET de ta flgu¡a P4.41 tiene % = tV, kl,= tOO lAÑ
y ¿ = 0. Encuentre los valores requeddos de W/¿ y de n de modo
ffi
ffi
que cuando ur = Vr, = +5 Y /Dr = 50 C) y ?ó = 50 mV.
ffi
ffi
:gr&¡E!

+3.5 V qs-q6!!*

ffi
+1.5V- ffi
ffi
ffi
ffi
*Effi
FIGURA P/t.3' ffi
ffi
m
D4.18 Los transistores NMOS del circuito de la figura P4.38
4= i Y p,Co,= l2I pNV2,^=Oy Lt=L2=ln=1 ¡a¡.F,o- FIGURA P{./rt
tienen ffi
Gro
¡:tr
ffi€
;@
¡re
*ffi
ffi
t@
ffi
364 3 cAPfTULo 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE CAMPO MOS (MOSFET)

4.¡12 En el circuito mostrado en la frgura P4.42, los transistores

están cancterizados pot lvl=2V,ktW/L= I mAtr{2 y X,=O. rl
+5V +5V

a) EncuenÍe los voltajes rotulados % a y7,

J-r
-_.1-l
r---{L J-
r--JL
D) En cada uno dé los circuitos reemplace la fuente de cordente
- vt -
con un resistor. Seleccione el valor del resistor para qüe produzca
una corriente lo más cercana a la fuente de coriente empleando tt
l----------o |-------. v,

resistores esp€cif,cados en la tabl¿ de 1% proporcionada en el

Oro^
apéndice G. EDcuentre nuevos valores de yt a yz.

+l0v tt
a)
O'oo^

b\

+5V
+10v
.J
+-'{___=". $,,^
I rj-%
-10v
O',o !l
+1
c) d)

a) b)
+5V
+10v
+l0v t
O'* vs

Hl_
---J--------o

=
tr e)

+5V
f)

+5V
2.5 kO
t l
r--LHYs
I

frto
-10 v l" V7 *
c)

FIGURA P4.42
a
Hl_ |,,*n
+
= -5V
4.43 Pa¡a cada uno de los circuitos de la figura P4.43, encuen-
h)
c)
he los voltajes de nodo ro¡¡lados. Para todos los fansistorcs,
k'^(W / L) = O.4 mA'i2, V,= 1Y y 1=6. FIGURA P¡T¡3
 PRoBLEMAS Q r"t

¡1.¡14 Para cada uno de los circuitos mostrados en la figura P4.44, +3V +3V
encüeütre los voltajes de nodo rotulados. l¡s transistorcs NMOS
tieíenL = lV y ktV/L=2t¡,A¡r'2. Supo¡ga 1=O.

+l0v

5V
+l0v
t
L
a) b)

tr +3V

W :75 pm

-5V
a) b)

FIGURA PI¡¡I
*¡f.¡15 Para el ransistor PMOS del circuitó mostrado en la figura
P4.45,k;=S 4AÑ,W/L=25y ly¡el= I V. pa¡a1= l0O p{, c)
encuentre los voltajes V3¿ y V36 para R = 0, l0 kO, 30 kA y 100
k(1. ¿Para cuáles valor€s de R es V5¿ = V¡6? ¿Vsp = V36/22 ¿Vso =
vsc/lo'l FIGURA P4.4ó

+l0v *4.47
+ Para los dispositivos de los circuitos de la figu¡a P4.47,
Vsc lvtl = I V, A = O, y = O, p,C,, = sO p"\Nz, L = I pn y W = l0
pm. Er¡cuentle % e 12. ¿Cómo cambian estos valores si Q3 y Qa
están hechos pa¡a tener W = 100 pm?

+5V

FIGUNA P/T.45

4,¡16 Par¿ los cücuitos de la f,gura P4.46, ¡r,C., = 2.5 hC^ =

m pl,/\P, lv,l = t v, )"=o, y= o, L = ro t]'¡¡ y w = 30 pm, a
menos qu€ se especifique lo contrario. Encuenfe las conientes y
los voltajes rotulados. FIGUnA P¿.¡[7
366 I cAPfTUt-o 4 rRANstsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

{.48 En el circuito de la figura P4.48 los transistores Or y 02 hansfe¡encia). Prepare una tabla que dé los valores de ID(I¡A),
tienen y, = I V y el parámeÍo de transconductancia del proceso Vsv(Y),V6s=V¡e(Y), A,(v/v), la magnitud de la señal de salida
k',= lO0 pAN2. Suponiendo 2= 0, encuent¡e yr, V2y V3 para positiva más grande posible trj(V) y la magnitud de la señal de
cada uno de los siguientes casos: salida negativa más grande posible ?r; Ol para valores de yDs = yoq
en el intervalo de I a 10 V, en incrementos de I V (es decir, debe
a) (W/L)t=(w/L)2-2O haber hleras de t¿bla p?úa VDs= | V,2V,3 Y..., l0 V). Observe
b) (w / L)t = 1.5(w / L)2= 20 que zj estrí determinado por el MOSFET que ent¡a en corte y r;
po¡ el MOSFET que entra en la ¡egión del triodo.
+5V
4.5f Se toman varias rnedidas en un amplif,cador NMOS para
el cual el resistor RD es 20 kf,). En primer lugar, las medidas de
dc muestran que el voltaje en el resisto¡ del drenaje, V¡¿, es de 2
V y el volt¿je de polarización de compuefa a fuente es de 1.2 V.
Luego, las mediciones de ac con pequeñas señales muest¡an que
la ganancia de volraje es de -10 V,^y'. ¿Cuál es el valor de y, para
este transistor? Si el parárnet¡o de t¡ansconductancia del proceso
l-----o-----r
4
'__-4
I
I
I k', es 50 pNY2 , ¿cráJ es la ¡elación I7lZ del MOSFET?
: = *D4.52 Revise la expresión para la ganancia de voltaje incre-
mental de la ecuación (4.41). Varias consideraciones de diseño
imponen un límite hferior al valor del voltaje de sob¡ecarga yoy.
Para los propósitos del problema este llmite será 0.2 V. Además,
suponga que YDD = 5 V.

a) Si no se deja espacio para ninguna oscilación del voltaje

de salida, ¿cuál es la ganancia máxima de voltaje que se puede
FIGIJRA P'.'A obtener?
á) Si es necesario que se permit¿ una oscilación de voltaje de salida
de 10.5 V, ¿cuál voltaje de polarización de dc debe establecerse
srcflÓil 4.4: flOSfEr (0üO A puf|(AD0R
en el drenaje para obtener una ganancia máxima? ¿Cuál vator de
Y (0 0 r 1{rr nnu PIo n ganancia se puede obtener? ¿Cuál señal de ent¡ada se obtiene en
una oscilación de salida de 10.5 V?
'1.49 Considere el amplificador CS de la figura 4.26a) para el caso
c) Par¿ la situación en b), e¡cluerJ:flew / L del¡¡ansistor para esta-
en que V¡p = 5 V, R¡ = 24 k{t, ki(W / L\ = | ff'A¡Vz y V, = t V.
blecer una cor¡iente de drenaje de dc de 100 pA. Para l¿ tecriología
a) Encuentre las coordenadas de los dos extremos del segmento de la de proceso dada, ¿; = lú
pAN2.
región de saturación de la caücte¡ística de rransferencia del ariplifi- ¿) EncuenÍe el valor rcquerido de R¡.
cador [es decir, los punms A y B de la gnÁfica de la Rgum 4.26c)].
á) Si el amplificador está polarizado para ope¡ar con un voltaje
tl.5l I-a expresión para una ganancia de voltaje incremental A,
de sobrecarga V¿u de 0.5 Y encuentre las coordenadas del punto dada en la ecuación t4.41) puede escribirse como

de polarización Q, en la característica de trarisferencia, Además, , 2(VDD_ V Ds\

encuenfe el valor de 1, y de la ganancia incrementa.l A, en el ""= V_

punto de polarización.
c) Para la situación en á), y omitiendo ta dísto$ión causada por
la caracteística de la ley de los cuadrados del MOSFET, ¿curál
es la amplitud más gande de un voltaje de onda senoidal que
puede aplicarqe a la ef¡Íada mientras el tTansistor permanece en
saturación? ¿Cuál es la amplitud de la señal de voltaje de salida
que se obtiene? ¿Cuál valor de ganancia implica la combinación
de estas dos anplitudes? ¿En qué porceftaje difiere el valor de
ganancia del valor de ganancia incremental calculado a¡tes? ¿Por
qué hay una diferencia?
*¡1.50 Se desea investigar la operación del clcuito amplificador
CS estudiado en el ejemplo 4.8 para varias condiciones de pol¿-
rización (es decir, para pola¡ización en varios puntos a lo largo
del segmento de la región de saturación de la ca¡acte¡ística de
donde Vr" es el voltaje de polarización en el drenaje (llamado Vep
en el te¡to). Esta expresión indica que para valores dados de yDD
y yov, la magnitud de ganancia puede aumenta$e al polarizar el
transistor a un yDs menor. Sin embargo, esto rcduce la oscilación de
señal de salida que se obtiene en la dirección negativa. Suponiendo
operación lineal alrcdedor del punto de polarización, demuestre
qüe el pico de señal de salida negativa más grande posible á,, que
se puede obtene¡ mientras el t¡arisistor pemanece saturado es
n.- (vDs-voif\t// + l\ ) A--
Parc Vpp = 5 Y y V6v = 0.5 Y proporcione una tabla de valores
para A@ i,
y la coÍespondiente A ¡ p?tr.a V ps = I, 1.5, 2 y 2.5 V.
Si k',W /L= I mAN2, ercuentre ID y l?D para el diseño en el que
V¿s=1V.
 PRoBLEMAS $ r6t

4.54 En la ñgura P4.54 se muesfa un amplificador CS en el que el
resistor de carga R¿ se ha ¡eemplaz ado con otlo transistor NMOS
02 conectado como dispositivo de dos terminales. Observe que
debido a que el zro de 02 es cero, estará operando en la región de
saturación todo el tiempo, incluso cualdo q = O e iD2 = i
= 0.
Tome nota tambié¡ de que los dos transistor€s conducen corientes
de drenaje iguales. Empleando ir7 = i¿2, demuestre que para el
intervalo de r,¡ para el que 01 opera en saturación, es decir, para
V,r3a,3t6*V,,
El voltaje de salida estará dado por
voo v,+ [-twttl, -._ FwtU,
"o = lú/L)_-rv, 1ffi",
donde se ha supuesto y¡ 1 = V a= V ,. Por lafÍo, el circuito ñ¡nciona
como amplificadot lineal, aun para señales de entrad¿ grandes. En
el caso de (14//l), = (5O ¡rn1j.5 ¡tn) y (W /L)x= 6 pn/0.5 ¡rn),
eÍcuenhe la ganancia de voltaje,
*D¡1.57 En un instrumento electrónico que emplea el esquema de
polarización mostrado en la figura 4.30c) un error de fabricación
reduce l?s a cefo. Sean Vr, = 12 Y, R61 = J.g l¡ld) y fto, = ).)
Mfl, ¿Cuál es el valor creado de
yc?
¿Si las especificaciones del
p¡oveedor pemiten qu e k',(W / L) vat'.e de 22O a 38O p,A,Nz y V ,
vaíe de 1.3 a2.4V, ¿cu¡iles son los valores extremos de ID que
pod¡ían obtenerse? ¿Cuál valor de Rs debió instala¡se para limitar
el valo¡ máximo de lD a 0.15 mA? Elija un resistor esL4ndar apro-
piado de 57¿ (consulte el apéndice G). ¿Cuáles valores ext¡emos
de cor¡iente resultan ahora?
¡1.58 Un transisto¡ NMOS de enriquecimiento está conectado al
circuito de polarización de la figura 4.30c), con yG = 4 V y Rs =
1 kO. El fansistor tieneY=2V y k'¡(W / L) = 2 mA,¡V2. ¿Qué
corriente de polarización se obtiene? Si se usa un transistor para
el üal k'"(W / L) es 507a más elevado, ¿cuál es el porcentaje de
aumento resullante en lD?
4.59 El circüto de polarización de la figura 4,30c) se usa en un
diseño con yc = 5V y Rs = I kC). Para un MOSFET de enrique-
cimiento con ti(W/l) = 2 mA,/V2, se midió et voltaje de fuente y
s€ encontró que es de 2 V ¿Cuál debe ser el y, de este dispositivo?
Si se usa un dispositivo para el cual y, es 0.5 V menor, ¿cuál ys se
obtiene? ¿Cuál corriente de polarización se obtiene?

ll¡f.ó0 Diseñe el circuito de la figu¡a 4.30¿) para un MOSFET de

enriquecimiento que ti eÍeU=2V y ki(W / L) =2mNV2. SeaVDD
= Vss = l0 V Diseñe para una coÍiente de polarización de dc de I
mA y para la ganancia de voltaje más grande posible (y, por ta¡to, el
R¿ más grande posible) consistente con permiti una oscilación de
voltaje de 2 V de pico a pico en el d¡enaje. Suponga que el voltaje
de la señal en la úerminal de la fuente del FET es ce¡o.

D¡1.ó1 Diseñe el ci¡cuito de la ñgura P4.61 para que el üansistor

ope¡e en saturación con V, polarizado en I V a partir del extremo
.IGURA P'.54 de la región det triodo, con 1D = I nL{ y yD 3 Y para cada uno
-
de los dos dispositivos siguientes (use una coÍienúg de l0 pA en
sE((lóil 4.5: potAntzaoÓil Et (ln(ulros el divisor de voltaje):
A PUHCtDoRES lt05
¿l lv,l= t V y k'oW/L= 0.5 mAltt2 _
D¡1.55 Considere el esquema de polarización clásico mostrado en bt lv,l=2 v y k'eWL = 1.25 rnAN¿
la figura 4.30c) que ernplea una fuente de alimentació¡r de 15 V
Para cada caso especifique los valores de Vo, Vp, V5, R1, R2, Rs y
Para el MOSFET, y, = 1.2V, 1= O, kL= 80 ltAN2,W =Z¿0 pn
y L= 6 p\. Ilaga arreglos para que la corriente del drenaje sea 2 "
1?".
+10v
mA, con casi ün tercio de la corriente del voltaje de alimentación a
través de Rs y ,RD. Use 22 MO para la mayor de Rc I y Rc2. ¿Cuáles
son los valores de R61 , R62, Rsy R¿ que ha elegido? Especiflquelos
hast¿ dos cifras significativas. Para su diseño, ¿qué tan lejos está
el voltaje de drenaje del extremo 4e satu¡ación?
ys
D{.5ó Empleando la topología de circuito mostrada en la figura
4.30e), haga aneglos para poladzar el t¡ansistor NMOS a /D = 2
Vn
mA con V, a la mitad enhe el corte y el inicio de la operación del
fiodo. I-as fuentes de alimentación disponibles son *15 V. Pa¡a el
t¡ansistor NMOS, % = O.8V, 1=O, k'^= 50 pNV2,W =2OO lr'¡a!
¿ = 4 An, Use el resistor de polarización de compue¡ta de 10 MO.
Especifique Rs y RD hasta dos cifras significativas. ;tGUnA t4.61
368 & cAPfTuto 4 rRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

*114.62 Una manera muy útil de camcte¡izar la estabilidad de vDD

la coriente de poladzación 1r consiste en evalua¡ la sensibilidad
de 1¿ en relación con un parámetro particular del transistor cuya
variabiüdad seía grande. La sensibilidad de ID en relación con el
pa¡ámetro det MOSFET K = tL' W / L esrá defrnida como

-to üo/lo Eo 11
"* = dwx-= N- h
y su valor, cuando se muhiplica por la variabilidad (o roleraricia) de
K proporciona la variabilidad correspondiente esperada de 1D. El
objetivo de este p¡oblema es investigar el uso de la función de sensi- Rr¡t
bilidad en el diseño del circuito de polarización de la figura 4.30¿).

¿) Demuestre que para Y¡ constante,

st¿-t/tt+2fKhRr) FIGUNA P4.66

á) Para un MOSFET que tiene K = I 00 pA,/Vz, con una va¡iabili-
dad de ¿10Ea y V| = 1 V, encuentre el valor de i5 que daría como s¡(flÓil 4,6: OPEnlcrór Y ODEros
rcsultado 1D= 100 llA con una va¡iabilidad de 117¿. Además, A PEQU EIIA 5EÍAI
encuentre ycs y el valor requerido de V5r. *¡1.67 En este problema se investiga la distorsión no lineal inrro-
c) Si el voltaje de alimentación Vss = 5 V, encuent¡e el valor de Rs .
ducida por un amplificado¡ MOSFET. Sea la señal ,s" una onda
para 1D = 100 lA. Evalúe la función de sensibifdad y la variabilidad
senoidal con una amplirud l/r" y sustituya rs. = yc. sen o¡ e¡ Ia
espe¡ada de lD en este caso.
ecuación (4.57). Empleando la idenlidad lrigonométrica sen"0=
4,63 Pa¡a el ci¡cuiro de la frgura 4.33a) con I = I nrA, Rc = 0, | - j cos 2 9, demuestre que la relación ent¡e la señal a la frecuen-
R¿ = 5 kO y y;D = 10 Y considere el comportamiento en cada cia 2ary a la frecuencia c¿ expresada como po¡centaje (conocido
uno de los dos casos siguientes. En cada uno de ellos encuentre como disto¡sió¡ del segundo armónico) es
los voltajes V3, V¿ y V¡¡ que se obtienen:
Disrorsidn del segundo ¿¡mónrco - ]4 $
vo,
t f OO

a) Vt=lV y k'nw/L=0.5 mA/V2

b) Vt=zV y k'nw/L= 1.25 mA/f Si en una aplicación particular ys, es l0 mY encuentre el voltaje
mínimo de sobrecarga al cual el transistor debe operar para que la
4.64 En el ci¡cuito de la ñ.gwa 4.32, Ro= l0 MO, nD = i0 K)
distorsión del segundo armónico se mantenga abajo de l%o.
! = 7O Y. Para cada uno de los dos transistores siguien¡es,
Voo
encuent¡e los voltajes YD y Yc. ¡1.68 Conside¡e un transistor NMOS que tien e k'"W / L =2 mAN2 .
El transistor está polarizado a yoy = I V. Para ope¡ación en satu-
a)V!= 1V y k'rv /L=0.5 mA,¿Vz
ración, ¿cuál corriente de polarización de dc, ID, se obtiene? Si
b)Vt=2Y y kiw lL= 1.25 mA¡r/2
una señal de +0. IV se superpone en ycJ, encuentre el incrcmento
D4,ó5 Empleando el diseño de polarización de ¡etroalimentación coÍespondiente en la cordente del colector al evalua¡ la cor¡iente
mostrado en la figula 4.32 con una fuente de alimentación de 9 total del colector iD y ¡est¿¡le la coriente de polarización de dc, ID.
V y un dispositivo NMOS para el cual V, = I y y k',(W / L) = 0.4 Repita para una señal de -0. I V. Use estos resultados para esfimar
mA/V2, encuentre R¿ pam establecer una coÍiente de drenaje de g. del FET en este punto de polarización. Compare con el valor
0.2 mA. Si los valorcs del rcsistor es¡án limitados a los de la escala de g- obtenido con la ecuación (4.62).
de resistores de 57" (consulte el apéndice G), ¿cuál valor elegiría?
4,69 Conside¡e el amplificador FET de la figura 4.34 para el
¿Cuáles valores de coÍiente y yD se obtendrían?
caso en que % = 2 Y k',(W / L) = I mA^y2, Vo, = 4 V, Voo = 1g
D4.66 En h hgura P4.66 se muestra una va¡iación del circuito V y R": 3.6 ¡9.
de polarización de retroalimentación de la figula 4.32. Empleando
a) Encuentre las cantidades de dc de ID y yD.
una fuente de alimentación de 6 V con un transistor NMOS para el
,) Calcule el valor de g. en el punto de pola¡ización.
ryeV ¡= 1.2V, kiw / L=3.2 rnAN2 y 1=O,proporcione un diseño
¿) Calcule el valor de la ganancia de voltaje.
que polarice el transistor en = 2 mA, con VDs lo suflcientemente
1D
d) Si el MOSFET tiene l,= 0.01 \f1, encuentre ro en el punto de
grande para permitir la operación de saturación para una oscilación
polarización y calcule la ganancia de voltaje.
de señal negativa de 2 V en el drenaje. Use 22 MC, como el valor
para el resistor más grande en la red de polarización de retroalimen- *D4,70 Se habrá de diseña¡ un amplificador NMOS para que
tación. ¿Cuáles valores de -RD, Rcr y n62 ha elegido? Especifique proporcione una señal de salida pico de 0.50 V a través de una
todos los resistores hasta dos cifras significativas. ca¡ga de 50 kC¡ que puede usarse como resistor de drenaje. Si se
-

PROBLEMAS S 'U"
necesita una ganancia de por lo menos 5 V/V, ¿cuál g. se requie- 4.7'l En el caso del amplifrcador NMOS de la figura P4.74, re€m-
re? Empleando üna fuente de ¿limentación de dc de 3 V, ¿curáles place el transistor con su circuito T equivalente de la figura 4.39d).
valores de 1o y V¿y elegiría? ¿Cuál relación de I7l.L se re4uiere si Obtenga expresiones para las ganancias de v oltaje u,/ ni y od/l)i.
p,c.,= 10o p"\N22 Si V, = 0.8 V encuentre Vcs.
*D4.71 En este problema se invesriga un diseño óptimo del cir- lVoo
cuito amplificador CS de la figura 4.34. En primer lugar se usa la
expresión de ganancia de voltaje A, = -glD junto con la ecuación
(4.71) para g. con el fin de demoshar que

2IDRD _ -2(Vpp- Vp)

1..
¡-------o Ud
vo, vn,
H
es la exprcsión que
continuación se
se obtuvo en la secció¡ 4.4 lecuación (4.41)1. A
hace que la máxima señ¿l positiva de entrada sea
4. Para mantener la distorsión del segundo amónico en un nivel o
I
F
aceplable, se polariza el MOSFET para que opere en un voltaje
)
ó, - Sea Vou = afi .. ¡¡1¡, para maximizar la
t_
de sobrecarga V¿¿
ganancia de voltaje lA,l, se diseña para el valo¡ mínimo posible de
= f^"
yD. Demueshe que el V, mfiimo que es consistente con pe¡mitir -Yss
una oscilación de voltaje de seial negativa en el drenaje de FIGURA P4.74
lA,li,
mient¡as se mantiene la operación en el modo de saturación, estiá
dado po¡ ¡1.75 En et circuito de la figura P4.75, el transistol NMOS tiene
y, = S0 V y opera con V¿ = 2 V.
V ov + ttt / V ov)
+ 2VDD(i\ ly¡l = 0.9 V y ¿Cuál es la ga-
1+2(ii,/Vov)
nancia de volfaje 4/v,? ¿C]uál seÁV¡y Ia ganancia si l aumenta
almA?
AhoÉ, encuentre yoy, V¡,A,y i,paraelcaso VDD= 3V, úi= 20
rnY y m = 10. Si se desea operar este tansisto¡ a una ,¡D = 100 iVon
pA, encuentle los valorcs de RD y lyl¿, suponiendo que para esta
tecnología de proceso k',= lú UANZ.
4.72En la tabla que se incluye a continuación, para hnsistores / :500¡¿A
MOS de enriquecimienúo que operan bajo diversas condiciones,
complete la mayor cantidad de ent¡adas posibles. Aunque no estén
disponibles algunos datos, siempre es posible calcularg. emplearido
una de las ecuaciones (4.69), (4.70) o (a.71). En la t¿bla la coniente
eslá en mA. el volt¿je en V y dimensiones en pm. Supongap,
^las
= 5O0 cm¿N .s. pp= 250 cm¿N.sy C*= 0.4 tF/ltm2.

4.73 Una tecnología NMOS tiene ¡r,C* = 5 O pNY2 y V,=O-¡ V.

Para un üü$isto¡ con ¿ = I l¡n, encuentre el valor de l7 que dé
como ¡esultado g. = I mA,/V a ID = 0.5 ÍIA. Adernás, encuentre
el Va" necesario. FIGURA PI.75

aNl 32 I
bNr 0;t 0.5 50
cNl0 21
dN0.5 0's
eN0.l 102
fN 1.8 0.8 40 4
gPl 225
hP 31 500
iP10 4000 2
jP10 4
KP 1303
lP0_1 5
37o 3 cAPfTUto 4 TRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFET)

4.76 Para un proceso de fabricación CMOS de 0.8 /m: y,,

= 0.8 Dibuje esta curva paraMlica junto con la tangente en ur ptmto
v. vb= 4.9 v. t1,C",= gO p{./f . UC, = 30 pANz. C*= 1.9 cuyas coordenadas son (yov, 1D). l,a pendiente de esta tangente es
E4Á2,6,=g3ay. /= 0.5 vr¿- v, tdispositivos de canal ¿) = g. en este punto de polar¿ación. Demuestre que esta tangente
8¿ (/m) y lyÁl (dispositivos de canal p) = l2Z (prn). Encuentre interseca el eje r./oy en Vov/2, y, pot t
\lo, qt e g^=2I¡N6y.
los parámetros del modelo a pequeña señal (9., ro y g^) para
transistores NMOS y PMOS que tienen l7ll
= 2O ¡nnD ¡tmy rye sE(flóil r,7: A PUfI(ADoR¡s ll05
operan alD = l00l¿{ con lysrl= I V. Además, encuentre el voltaje DE U I{I TIIPA
de sobrecarga al cual deb€ operar cada dispositivo.
4.79 Calcule la ganancia de voltaje general G, de un amplificador
4.77 E¡ la frgwa P4.77 se mueslra un amplifrcador CS de de fuente común para elqve g^=2mAN, ro= 50 k1c, R¿ = 10 kf,l
circuito discrcto que emplea el esquema clásico de polariza- y Rc = l0 MQ. El amplificado¡ se aliment¿ desde una fuente de
ción estudiado en la sección 4.5. La señal de entada ¿*ñd está señal con una rcsistencia de Thévenin de 0.5 MO y la satida del
acoplada a la compuerta mediante un condensador muy grande amplifrcador está acoplada a una resisteDcia de carga de 20 kO.
(mosÍado como infinito). La fuente del transistor está conectada
a tieÍa a frecuencias de señal mediante un condensador muy
lltf.80 En este problema se investiga un rediseño del ampüficador
grande (mosaado como infinito). La señal de voltaje de salida de fuente común del ejercicio 4.32, cuyo diseño de poladzación
se hizo en el ejercicio 4.30 y se muestra en la ñgura E4.30. Por
que se desarolla en el drenaje está acoplada ¿ una resistencia
favor, tome como reletencia esos dos ejercicios.
de carga mediante un condensador muy gfande (mostrado como
inñnito). ¿) l,a ganancia de voltaje a circuito abierto del ampliñcador CS
puede escribirse como
¿) Si el transistor tiene vt= lv
y kLlry/L=2mi\/v2, cornpruebe
.que el circuito de polarización establece V6s = 2 V 1¿ = I mA y . 2(VDD- V
--------i;- D)
Vo = +7 .5 Y. Es decir, suponga estos valoles y compruebe qüe
'--
"" = - vov
son consistentes con los de los componentes del circuito y los Compruebe que esta expresión p¡oduce los resültados del ejercicio
parámetros del dispositivo. 4.32 (es decir, A- = -15 V/v).
á) Encuentre gr y /, si Vo = 1¡tg \¿
c) Dibuje un circuito equivalente a pequeña señal para el ampü- á) A- puede dupücarse al reducir V¿y por un factor de 2 (es de-
frcador, suponiendo que todos los condensadores se comport¿n cir, de 1 V a 0.5 V) rnientras yD se ma¡tiene sin cambio. ¿C!áles
como cofoci¡cuitos en f¡ecuencias de señal, valores conespondienles de 1r, R¡, g. y r, se aplican?
d) Encuentre R.nf. ?s" /:,nn,j.. !o/¿s" y l,o/r*¡'. c) Encuentre A- y Rsal, tomando en cuenta r,1.
d) Para el mismo valor de resistencia de generador de señal l?*n.r
¡1.78 La ¡elación fundamental que describe la operación del
= 100 kQ, el mismo valor de resistencia de polarización de com-
MOSFET es la ¡elación parabólica entre yov e ¡;, pueda Rc = 4.8 MC¡, y el mismo valor de resistencia de carga R¿
= 15 kf,!, evalúe el mismo valor de ganancia de voltaje general
.
to =
l,,W z
G,, tomando en cuenta ¡,.
1Kn7.tov
e) Compare sus resultados con los obtenidos en los ejercicios 4.30
y 4,32 y coméntelos.

+15 V

R.,r
 PRoBLEMAS $ art

4.81 Un amplificador de compue¡ta común que usa un t¡a¡rsisto¡
MOS de canal lr' del tipo de e¡[iquecimiento para el que g. = 5
mA/V tiene una resistencia de drenaje de 5 kO (RD) y una de carga
de 2 kO (R). El anpüficador está cont¡olado por u¡ra fuente de
voltaje que tiene una resistercia de 200 C). ¿Cuál es la rcsistencia
de entada del ampüñcador? ¿Cuál es la ganancia de voltaje gerieral
G,? Si el circuito permite un aumento de coÍiente de potadzación
por un factor de 4 mientras mantiene la ope¡ación lineal, ¿cuáles
se¡án la ¡esistencia de ent¡ada y la ganancia de volt¿je?
t1.82 Un ampliñcador CS utiliza un transistor NMOS polarizado
de la mane¡a most¡ada en la frgura 4.43, paÉ et cual ga = 2 mA y'
cable coaxial de 50 O. El transislor Or opera como ampliñcador
CS y el p2 como amplificador CG. Pa¡a una operación apropiada
se requiere que el transistor Oz presente una resistencia de 50 C) al
cable. A la situación se le conoce como "teminación agopiada" del
cable y asegura que no habrá rcflejo de señal por el cable. Cuando
éste está teminado aFopiadariente, su resistencia de enhada es
50 Q, ¿Cuál debe se¡ 9.2? Si Cr está potarizado en el mismo punto
que 02, ¿cuál es la amplitud de los pulsos de cordente en el drcnaje
de Or? ¿Cuál es la amplitud de los pulsos de volt¿je en el drenaje
de Q¡? ¿Cuál valor de RD se necesita para prcporcionar pulsos de
I V en el drenaje de 02?

tiene una ganancia general de voltaje G, = -16 V,^/, ¿Cuál es el iD4.87 El MOSFET en el circuito de la ñgura P4.87 riene y, = I
valor de la resisúencia R5 que se tiene que insettar en ¡a conexión de /L
V, k',W = 0.8 rnAN2 ! V¡= 4O V.
la fuente para reducir la ganancia de voltaje por un factor de 4?
¿) EncuenÍe los valo¡es de ns, RD y Rc para que /D = 0.1 mA. Se
4.81 La ganancia general de voltaje del amplificador de la figura
usa el valor más grande posible para RD mient¡as es posible u¡a
4..14a) se midió con una resistencia Rs de I kO en el lugar y se
oscilación máxima de señal en el drenaje de +l V, y la ¡esistencia
enco¡tó que era -10 V/V. Cuando Rs se acofa, pe¡o la operación
de erÍada en la compue¡ta es MO, 10
del circuito sigue siendo lineal, se dupüca la ga¡rancia- ¿Cur4l debe
ó) Encuentre los valores de g. y r, en el punto de polarización.
ser g,? ¿Cuál valor de Rs se necesita para obte¡er una ganancia
c) Si la terminal Z está a tie¡¡a, la teminal X se conecta a una
general de voltaje de -8 V/V?
ñrente de señal con una resistencia de I MC) y la Y a una ¡esistencia
4.8¡l Mediciones cuidad'osas rcalizadas sob¡e el seguidor de de carga de 40 kll, encuentre la ganancia de voltaje de la ñ¡ente
ñ¡entes de la figura 4.46a) muestan que la ganancia de voltaje a de señal a la carga.
circuito abieÍo es de 0.98 V/V Además, cuando R¿ está conec- d) Si la terminal Y está conectada a tiera, encuentre l¿ ganaricia
tada y su valor varía, la ganancia es la mitad de R¿ = 500 O. Si de voltaje de X a Z con Z en circuito abierto. ¿Cu¡ál es la resistencia
el amplificador sigue siendo lineal a t¡avés de eslas mediciones, de salida del seguidor de fuente?
¿cuáles deben ser los valo¡es de g. y r,? ¿) Si la teIminal X está conectada a tiera y la Z a üna ñ¡ente
de corriente que entrega una corriente de señal de l0 lA y qüe
{.E5 El seguidor de fuente de la figura 4.46d) usa un MOSFET
tiene una rcsistencia de 100 kQ, eDcuentre la señal de vottaje
polafizado para tener g, = 5 mA/V y t.= 20 kít. Encuentre la
que puede medfuse en Y. Para mayor simplicidad, desprecie el
ganancia de voltaje a circuito abierto A,¿ y la resistencia de salida.
efecto de ro.
¿Cuál sená la ganarcia cuando está conectada una resistencia de
carya de I kf,¡ (¡¿)?
+5V
4.E6 En la frgura P4.86 se muestra ün esquema pa¡a acoplar y
amplificar una señal de pulso de alt¿ frecuencia. El circuito utiliza
dos MOSFET cuyos detalles de polarización no se muestran y un

Cable coaxial de 50 0

-5V
o¡4 FIGUNA P{.87
ü
--
5 ¡nV --flfl- *4.8E a) El transistor NMOS en el ci¡cuito seguidor de fuente de
+ la f,gura P4.88a) tiene g¿ = 5 rnA,/V y una r, grande, Encuentre la
¡IGURA P4.A6 gaDancia de voltaje a circuito abie¡to y la resistencia de salida.
372 E cAPfTUto 4 TRANsrsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

t¡4

l0 ko

FIGURA P4.88

á) El transistor NMOS en el amplificador de compuerta común 4.92 A partir de la definición de/t para un MOSFEI
de la figura P4,88á) tiene g, = 5 mA/V y una r, grande. EncuenÍe
la resisfercia de entrada y la ganancia de voltaje. '' 2tt(Ce, + C e¿\
c) Si la salida del seguidor de fuente en ¿) se conecta a la entrada
del amplificador de compue¡ta común en b), use los ¡esultados de y haciendo la aproximación de que Ca, > Csd y el componente
a) y á) para obtener la ganancia general de voltaje %/úi. sobrepuesto de Cs¡ es despreciable, demuestre que

*4.E9 f t4"
En este problema se investiga la ope¡ación a gari
seguido¡ de fuelte de la ñgua 4.46a). Especíñcamente, considere
señal del
"
"'
t.s
,.L 42C",wL
la situación en que se aplican señales de entrada negativa. El vol-
Por tanto, tome nota de que para obtener unaÉ alta a partir de un
taje de la señal negativa en la salida es -V. La cor¡iente en R¿ se
dispositivo determinado, dgbe operarse a una coniente elgvada.
aleja¡á de tíena y tendrá un valor de y/R¿. Esta corriente se restará
También observe que se obtiene una ope¡ación más nápida a partir
de la cor¡iente de polarización I lo que dairÁ como resultado una
de dispositivos más pequeños.
corriente de Íansistol de (l - V/R). Puede usa$e este valor de
corriente para deteminar u65. Ahora la señal en la terminal de la 4.93 Empezando con la expresión de la frecuencia de ganancia
fuente del transistor será -y, supe¡puesta al vottaje de dc, que es unitaria del MOSFEI
-ycs (correspondiente a la co¡dente del drenaje de 4. Por tanto,
es posible encontrar el voltaje de señal en la compuefa rr¡. Para
2fiCr,+ Cra)
el circuito analizado en el ejercicio 4.34, encuentre L,¡ para tr¿ =
-l V, -5 V, -6 V y -7 V En cada punto encuenhe la ganaricia de y haciendo la aproximación de que Cr, > Cgd y que el compo-
voltaje ¿,/¿i y compare con el valor a pequeña señal encontrado nente superpuesto de Cs" es insigniflcante, demuestre que para un
en el ejercicio 4.34. ¿C\tlt es la señal de salida negativa más dispositivo de canal z
grande posible?
" = 3lt,vo,
Jr """""'-
4rL'
sE((lóil 4.8: (APA(lIAltflAS t l{IEnilAS
Observe que para un disposítivo deteminado,/¡ puede aumentarse
DT Osf EI Y ÍIIODEI.O DE AI.TA FNT(UEII(IA
al ope¡ar el MOSFET a un voltaje de sobrccarga mayor. Evalúe/,
4,90 Tome como ¡eferencia el modelo MOSFET de alta frecuen- para dispositivos con ¿ = I .0 /m que operan a voltajes de sobre-
cia dela frg)ra 4.47a). Evalúe los parámetros del modelo para un carga de 0.25 V y 0.5 V. Use p, = 450 cm2lV. s.
transistor NMOS que open a Ip= lU) pA, Vs6 = 1 V y V¡s = 1,5
V. El MOSFET tiene lV =20 lt¡¡. L= I llm, ¡or = 8 ru¡. ll, = 450 sE(flóil 4.9: n¡SPU¡SIA Dr fRr(UE1{CrA
r.
cm2/v.s. /= 0.5 v1/2 .20r=0.65v. l=0.o5 \f
uo = 0.7 y. ¡,, DH. tü Pr.r FtcA D0R (5
= Cdn= 15 fF L,ue = 0.05 l¡rn.
y (Recuerde que g."= 7g^, dotde
vd.) 4.94 En un amplificado¡ MOSFET para el que la ganarcia de
X= y/(2,120f +
voltaje de banda media entre la compuerta y el d¡enaje es -27
4.91 Encuentre/, para un MOSFET que opeta a ID = l0O l¿A y V/V, el t¡ansistor NMOS tiene Ca" = 0.3 pF y Cr¿ = 0.1 pF. ¿Cuál
Vov = 0.25 Y El MOSFET tiene Cr" = 20 fF y C r¿= 5 fF- capacitancia de ent¡ada esperaría? ¿Para qué intervalo de resisten-
 PRoBLEMAS $ rtt

cia de fuente de señal espemría que la frecuencia de 3 dB exceda valor de C61 debe elegirse para colocar la frecuencia de ruptura
l0 MHz? Omita el efecto de R6. corespondiente a 10 Hz? ¿Cuál valor elegiría si se especifican
los condensadores disponibles a una sola cifra signiñcativa y la
D4.95 En un ampüficador FET, como el de la frgura 4.49a), la
frecuencia de ruptua no excede l0 Hz? ¿Cuál es la frecuencia
resistencia de la fuente R*o¡ = 100 k(1, la resistencia de e[trada
de ¡uptua,ñr, obtenida con su elección? Si un diseñador desea
del amplificado¡ (que se debe a la red de polarización) X""i = 100
¡educi esto al elevar R6, ¿cuál es el máximo que pod¡ía esperar
kO, Cr, = I pF, Cra = 0.2pF, g^= 3 r.= 50 kfl,.R¡ = 8 k() si los resistores disponibles están limitados a l0 veces los usados
^.79r¡,
y R¿ = l0 kO, Determine la ftecuencia de corte de 3 dB esperada, aho¡a?
/r, y la ga&ncia de banda media. Al evaluar maneÉs de duplicar
/á, un diseñador considera las opciones de cambiar Rd o n"n. D4.99 El amplificador de la figura P4.99 está polarizado para
Para elevarjf¡, como se describe, ¿cuál cambio independiente se opeÉr a ID = I mA y g. = I mA/V- Despreciando r¿, encuente
espe¡aría en cada uno? ¿Cuál ganancia de voltaje de banda media la ganancia de barda media. EncueritIe el valor de C5 que coloca
se obtendría en cada caso? f¡ a lO Hz.
4.9ó Un amplificador MOSFET de fuente común tiene R-, = 2
MSr, g =4rnlw,r"= 100kO,RD= 10 kcl, Cr"=2pFy Cr¿ = Voo
0.5 pF. El amplificador es alimentado a partir de una fuente de
voltaje con una rcsistencia intema de 500 k(l y está conect4da a
una carga de 10 kf,). Encuentre:

¿) la ganancia general de banda media A,

,) La frecuencia superior de 3 dB,/¿

4.97 El anrÁlisis de la respiesta de alta fiecuencia del ampliñcador

de fuente común, presentado en el texto, se basa en la suposición
vi
de que la resistencia de la fuente de señal, R,*o¡, es grande y, por
C
tanto, que su interacción con la capacitancia de entrada p¡oduce
el "polo dominante" que detemioa la ftecuencia superior de 3 dB,
/&. Sin embargo, hay situaciones en las que el arnplifrcadot CS es
alimentado con una R,"u¡ muy grande. Para investigar la ¡espuesta -YJs
de alta frecuencia del amplificador en ese caso, en la figura P4.97
se muestra el circuito equivalente cuando el amplificador CS es FIGI'RA P4.99
alimentado con una fuente de voltaje ideal y*ñd que tiene R*ñol
= 0. Tome en cuenta que C¿ denota la capacitancia total en el nodo
de salida. Al escribi¡ una ecuación de nodo en la salida, demueshe 4.100 Considere el amplificador de la figura 4 .49a). RD = 15 kA,
que la función de tra¡sferencia V,,V*ñ,, está dada por r, = 150 [Q y ft. = ]Q kO. Encuent¡e el valo¡ de Cc2 aproximado
V. _ ^ ., l_s\Ce¿/9.) aun dígito significativo para asegufa¡ que la frecuencia de ruptura
(.¡a ó." 1 1+s(C1+C¿¿\Ri asociada esté a 10 Hz o menos. Si un diseño de mayo¡ potencia
hace que se duplique 1r, con l?¿ y r, reducidos po¡ un factor de 2,
En las frecuencias al ( (g-lCr), puede despreciarse el término s ¿cuál es la frecuencia de esquina (debida a Cc2)? PaÉ diseños de
en el numerador En ese caso, ¿cuál es la frecuencia superior de 3 cada vez mayor potencia, ¿cuál es la mayo¡ f¡ecuencia de esquina
dB que se obtiene? Calcule los valo¡es de A¿, y;ft para el caso en que puede asociarse con C¿2?
que Csd = 0.5 pF, C¿ = 2 pF, gn= 4 mNV y RL= 5 kít.
4.101 El transistor NMOS del circuito ampliñcador CS de la
D4.98 Conside¡e el ampüfrcador de fuente común de la figura figura P4.l0l está polarizado para tener g. = I mA./V. Encuente
4.49¿). En una situación en que R*ñ"r = I MO y Rc = I MO, ¿cuál Pt, lP), lP\ Y 1,.
^M,I

FIGUNA P4.97
374 I cAPfTUt-o 4 TRANstsroREs DE EFEcro DE cAMpo Mos (MosFEr)

polo a 10 Hz con el otro polo al menos una década abajo. (Stge-

¡¿¿ci¿: al deteminar el polo debido a Cc2, la resistencia Rc puede
despreciarse.)

s¡((lóil 4.r0r H. rrvlnson tóGtco DtGtItl ( 05

4.105 Para un inve¡so¡ lógico digit¿l fabricado con una tec.nología

CMOS de 0.8 An pa¡a el cual li = W pANz, k;= 60 ttAN2,
Vb= lval=O;l V, V¡¡=3Y, Lo= Lo= Q.8 ¡nn,W,= 1.2 ¡my
Wp=2.4 lnn, er¡srcttÍq.

a) la rcsistencia de sallda para a9 = Voty pa¡.a o¿ = V6p-

á) la corriente máxima que el inversor puede disipar o generar
mient¡as la salida permanece dentro de 0.1 V de tierra o V¡¡,
rcspectivamente.
c) VN,VL, MREy MRL-
¡1,10ó En el caso de la tecnología especificada en el prcblema
FIGURA P4.101 4,105, investigue la manera en que el voltaje del umbral del in-
ve$or, y¡¡, varía con el grado de coincidencia de los dispositivos
4.102 El aansistor I.IMOS del cLcuito ampüficador CS disc¡eto de NMOS y PMOS. Utilice la fó¡mula dada en el ejercicio 4.44 y
la figura P4.101 está polarizado para t€ner g. = 1 nA,rV y r, = 100 encuentre y,, para los casos (W/ L)e= (W / L)", (W / L)e= 2(W / L)n
kl!. Encuentre AM. Si C s, = 1 Í)F y C sd = 0.2 pF, encuentre /¡r. (el caso de acoplamiento) y (W / L)e= ¿4W / L),-

D¡f.103 Considere la respuesta de baja frecuencia del amplificador 4.1 07 Pa¡a el inve¡sor diseñado con transistorcs NMOS y PMOS
CS de la figura 4.49a). Sean R*ñd = 0.5 Mo. Rc = 2 MSt, gú= 3 de igual t¿maño y fabdcados en la tecnología esp€cificados en el
mA,/V, RD = 20 lk) y R¿ = l0 kO. Encuentre A¡7. Además, diseñe problema 4.105, encuenfe yr¿ y yrr. y, por tanto, los miárgenes
los condensadores de acoplamiento y paso para localizar los tles de ruido.
polos de baja ftecuencia a 50, l0 y 3 Hz. Use una capacitancia
tot¿l mínima, con condensadores especificados sólo a una cifra 4.108 Repita el ejercíao 4.41 pataVoo = 10 V y 15 V
significativa. ¿Cuál valor de/¿ se obtiene?
¡1.109 Repita el ejercicío 4.42 para V | = O.5 y, 1.5 V y 2 V.
4.10t1 En la flgura P4. 104 se muestra un ampüñcador MOS cuyo
4.110 Para una tecnologla en la cual y, = 0.2yDD, demuestre que
diseño, polarización y aridisis a banda media se rcalizaron en el
ejemplo 4.10. De manera específrca, el MOSFET esti polariz-ado la coriente máxima que el invenor CMOS puede disipar mientras
a ID = 1.06 mA y tiene g = 0 ;1 25 l¡,,4,/V y r.= 47 kQ. El a¡r.álisis sunivel de salida bajo no exce.da 0.1 yDD es 0 .O75k'"fDD.ParaVDD
^
de banda media demostró que %^4 = -3.3 V/V y &" = 2.33 MO. =3 V, k',= l2O ltAN2 y l" = 0.8 pm, encuentre el ancho requerido
Seleccione valores apropiados para los dos condensadorcs, de del transistor para obtener una cordente de I mA.
modo que la ¡espuesta de baja fiecuencia esté dominada por un
4.lll En el caso del inversor es¡recificado en el problerna 4,105,
encuentre la cor¡iente de pico obtenida de la fuente de alimentación
+15 v de 3 V durante la conmutación.

4.112 Pa¡a el inverso¡ esp€rificado en el p¡oblema 4.105, en-

cuenhe el valor de tp¡r¿ cuando el inve6o¡ está cargado con una
capacitancia C = 0.05 pF. Use la ecuación (4.156) y la expresión
aproximada en la ecuación (4.157) y compare los rcsultados.
v" ¡l,1tl Conside¡e un inversor fabricado con la tecnología CMOS

-?r*r
R¿
especiflcada en el problema 4,105 y que tierc L,=Lp=O,8 ¡¡n y
10 ko (W / L)p=2(W / L),. Sercqtie¡e que limit€ la demo¡a de propagación
cüando el inve6or est á cargado con capacitancia de 0.05 pF.
a 60 ps
Encuentre los anchos requeridos para el dispositivo, W, y IÍr.

*1,114 a) En la ca¡acterística de hansferencia mostrada en la

ñgura 4.56, el segmento BC es vertical poque se desprecia el
efecto Early. Tomando en cuenta este efecto, use el atálisis a
FIGURA P4.1OC
-
pequeña señal para demostrar que la pendiente de la caracteística
de transfgrencia er¡ ú¡ = to = Voo[2 es
donde V, es el voltaje deEarly para Qry Q". Suponga que ON
Q¡ hahán de coincidir.
á) Un inversor CMOS con dispositivos que ne¡en k',(lV /L), =
k'o(W/ L)o está polarizado al coDectar un resistor Rc = l0 MQ
entre la ent¡ada y la salida, ¿Cuál es el voltaje de dc en la entrada
y la salida? ¿Cuál es la ganancia de voltaje a pequeña señal y [a
resistencia de enüada del ampüficador result4rte? Suponga que
el invefsor tiene las características especificadas en el prcblema
4.105 con lY¡l=50V.
sE((lÓt 4.r1: It osfET DEt TtP0
DE IGOTA IIXTO
¡l.ll5 Unlr,fOSFETdecdElNdettitrodeagotamiento ccnk"W / L
= 2 mAN2 y V, = 3 V tiene su fuente y su compuertá a tierm.
Encue[tre la ¡egión de ope.ración y la coniente del dre¡aje para
rrD = 0.1, l, 3 y 5 V. Omita el efecto de modulación de longitud
del canal.
4.116 Para un dispositivo NMOS del tipo de agotamiento, % =
-2V, k'^W / L = 2N t1NV2 y ,1, = 0.02 \f Cuando se opera a zo,
1.
= 0, ¿cuál es la corriente de drenaje que fluye para op5 = 1,2,3 y
l0 V? ¿O¡áles corrientes se obtendiiín si el ancho del dispositivo
se dupüca y se conserva la longitud? ¿Y si ésta se duplica?
*4.117 Despreciando el efecto de modulación de longitud del
canal demuestre que para el t¡ansistor NMOS de la figura P4. I 17,
la relación i-z estí dada por
í=Lk',(W/D<t? -Zv, ) paraú>v,
í=+ki!/Dt1 pal;-a<vt
(Recuerde que y¡ es rcgativo.) Grafique la relación i-r para el
caso U = -2 V y k' (W / L) = 2 mNYz.
FIGURA P4.tI7
l.ll8 Para el circuito analizado en el ejercicio 4.51 (revise la
figua Bl.5l), ¿cü.íl sená el volt¿je en la fuente cuando el voltaje
de drenaje se reduce a +l V?
4.119 Un transistor NMOS del tipo de agot¿miento que opem
en la rcgión de satwación con 1',¿s = J V qonduce una colriente
de drenaje de I mAa 265=-1 Vy 9 nrAa tr65 =+l V. Encuentre
I¿s y 7,. Suponga ,1, = 0,
PRoBLEMAS $ trt
D4.120 Considere el cifcuito moshado en la figura P4.120 en la
que 0 r con Rr establece la coúiente de pola¡i zacíón para Qr. R"no
tiene efecto en la polarización de 02 pero Foporciona una ñ.¡nción
interesanúe. R3 actúa como resistor de carga en el dtenaje de 02.
Suponga que Q¡ y 02 se fabrican juntos (como par acoplado, o
y como pañe de un CI) y son idénticos, Pa¡a cada NMOS de agota-
miento,lDsr=4Íi,{y lV,l = 2 Y El volt¿je en la entrada es algún
valor, por ejemplo, 0 V, que mantiene Q¡ en satüación. ¿Cu¡41 es
el valor de k'"(W / L) para estos hansistorcs?
Ahora, diseñe R¡ demodoquelDl =1D2= I mA. HagaR2=¡¡.
Elija R3 para que uu = 6 V Para uo = Q !, ¿sufl es el voltaje rlg? Re-
vise que el voltaje u6 sea cuando r¡ = tl V. Observe el interesante
comportamiento, es decir, que el nodo C sigue alA. A este circuito
puede llamánele seguidor de fuente, pero es especial, ¡porque tiene
desnivel cero! Observe también que R2 no es esencial, porque el
nodo B también sigue al nodo A pero con un desnivel positivo. En
muchas aplicaciones, R2 está en corfocircuito. Ahora, reconozca
que a medida que el voltaje aumenta en A, 02 telminariá ent¡arido
en la región del triodo. ¿En qué valoT de ¿,{ ocure esto? Además,
a medida que z, se reduce, Q1 entra en su región del Íiodo. ¿Err
qué valor de z¿ lo hace? (Tome nota de que ent¡e estos dos valores
de ¿,{ se encuentra el intervalo de señal lineal de o¿y o¿2
+l0v
-10v
FIGURA P4.T20
PNOBIEIIAS GEIIEIAI.E5:
**4.121 Los circuitos mosüados en la figura P4.l2l emplean
rehoalimentación negativa, tema que se estudiará de mariera de-
tallada en el capítulo 8. Suponga que cada transistor tiene el valor
y la polarización para que ga = I mAN y r.= 100 kcl. De otra
manera, igno¡e todo el detalle de polarización de dc y concéntrese
 &,
376 lP cAPfTUto 4 TRANstsroREs DE EFEcro DE cAMPo Mos (MosFET)

en la operación a pequeña señal que da como resultado la respuesta de cero, se pone encortocircuito su gelerador. Para 1os trarisistores
a la señal de entrada 4"¡¡. Para R¿ = l0 k(l, Rr = 500 kQ y Rz =I NMOS con V, = 0.6 Y e¡cl.:e,¡tre V ov, ki(W / L) y V¡para polarlzat
MQ, e¡cuentre la gariancia general de voltaje vo/t;no¡y larcsis' cada dispositivo en 1¿ = 0. I mA y para obtener los valores de g. y
tencia de entrada R"" para cada ci¡cuito. Desprecie el efecto del r, especiñcados en el problema 4.121; es decir, g.= 7 mA/Y y r"
cuerpo. ¿Estos circuitos le recuerdan los ci¡cuitos de amplificador = 100 kO. Para Rr = 0.5 MO, R2 = I \,tf! y¡, = 10 kf), encuentre
operacional? Coméntelo. el valor requerido de YDD.

vDD **4,123 En el amplificado¡ mostrado en la ñgura P4.123, Ios

tmnsistorcs que tieneÍVt=O.6y y VA=20 V son operados a ycr
= 0.8 V empleando la elección apropiada de larelaciórt W / L. En
una aplicación particular, Q, se dimensiona para operar a 1014,
mientras que se tiene el propósito de operar C2 a I mA. Para R¿ =
2 kQ, la red (R¡, R2) tiene el tamaño pa¡a consurnir sólo 17o de la
coÍiente en R¿, ¿*ñul, que tiene un componente de dc de cero, e It
= 101A, encuent¡e los valores de Rr y R2 que satisfagan todos los
requisitos. (Sagereacia: yo debe ser +2 V) ¿Cuál es la ganancia
de volt¿je r,,/rr,? Empleando un resultado de un teorema conocido
como teorema de Miller (capítulo 6), encuentre la resistencia de
ent¡ada R* como R2(I - ao/r,). Ahora, calcule el valor de la ga-
nancia general de voltaje u /o*ñ^. ¿Este resultado le ¡ecuerda la
configuracióninversoradel amplificadoroperacional? Coméntelo.
¿Cómo modificaría el circuito en la enhada empleando un rcsistor
R"", adicional y un condensador muy grande para elevar la ganancia
v./o*o¿ a -5 YN2 Desprecie el efecto del cuerpo.
a)

voo

b)
FrcUNA P4.I23

FIGURA P4.121
4,122 En el caso de los dos circuitos del problema 4.121 (mos-
trados en la figura P4.l2l), se desea considerar su diseño de
polarización de dc. Debido a que 4.ñul tiene un componente de dc
4.124 Considere el diseño de polarización del ci¡cuito del pro-
blema 4. 1 23 (most¡ado en la figura P4. 123) . Paft k',= 2u) ttl!,lry2
Y V¿¿ = 3.3 Y encuentre (W /L)1y (W /L)2paru obtener las condi-
ciones de operación especificadas en el problema 4.123.