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Electrónica de Potencia/Transistor Bipolar

de Potencia/Parámetros Características de
funcionamiento
< Electrónica de Potencia | Transistor Bipolar de Potencia

CARACTERÍSTICAS DE FUNCIONAMIENTO -TRANSISTOR BIPOLAR-

En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa y la unión base-colector en
inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera
de potencial emisor-base y llegar a la base. Todos los portadores que llegan son impulsados por el
campo eléctrico que existe entre la base y el colector.

Zonas de Funcionamiento de un Transistor Bipolar

Características transistor NPN: Es el transistor bipolar mas común. Puede ser considerado como dos
diodos con la región del ánodo compartida. Una operación típica, la unión base-emisor está
polarizada en directa y la unión base-colector está polarizada en inversa. En un transistor NPN, por
ejemplo, cuando una tensión positiva es aplicada en la unión base-emisor, el equilibrio entre los
portadores generados térmicamente y el campo eléctrico repelente se desbalancea, permitiendo a los
electrones excitados térmicamente inyectarse en la región de la base. Dichos electrones circulan a
través de la base, desde la región de alta concentración próxima al emisor hasta la región de baja
concentración cercana al colector. Estos electrones en la base son portadores minoritarios debido a
que la base está dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios
en la base.
La región de la base en un transistor debe ser delgada, para que los portadores puedan difundirse a
través de esta en mucho menos tiempo que la vida útil del portador minoritario del semiconductor.
El espesor de la base debe ser menor al ancho de difusión de los electrones.
Control de la corriente
La corriente colector-emisor puede ser controlada por la corriente base-emisor o por la tensión base-
emisor. Esto es debido a la relación tensión-corriente de la unión base-emisor, la cual es la curva
tensión-corriente exponencial usual de una unión PN; diodo.

El control de corriente en un circuito analogico es utilizado debido a que es lineal. Esto significa que
la corriente de colector es aproximadamente β veces la corriente de la base. Algunos circuitos
pueden ser diseñados asumiendo que la tensión base-emisor es constante, y que la corriente de
colector es β veces la corriente de la base. No obstante, para diseñar circuitos utilizando BJT con
precisión, se requieren modelos matemáticos del transistor; Ebers-Moll.

Tiempos de conmutación
Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas son despreciables. Pero si tenemos en
cuenta los efectos de retardo de conmutación, al cambiar de un estado a otro se produce un pico de
potencia disipada, ya que en esos instantes el producto IC x VCE va a tener un valor apreciable, por
lo que la potencia media de pérdidas en el transistor va a ser mayor. Estas pérdidas aumentan con la
frecuencia de trabajo, debido a que al aumentar ésta, también lo hace el número de veces que se
produce el paso de un estado a otro.
Podremos distinguir entre tiempo de excitación o encendido (ton) y tiempo de apagado (toff). A su
vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir en otros dos.

Pico de Potencia Disipada en la Conmutación

Tiempos de Encendido- Apagado

 Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se
aplica la señal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la señal de salida alcanza el
10% de su valor final.

 Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la señal de salida en evolucionar entre el
10% y el 90% de su valor final.

 Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde que se quita la
excitación de entrada y el instante en que la señal de salida baja al 90% de su valor final.
 Tiempo de caída (Fall time, tf): Tiempo que emplea la señal de salida en evolucionar entre el
90% y el 10% de su valor final.
Por tanto, se pueden definir las siguientes relaciones :

Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (toff) será siempre mayor que el tiempo de
encendido (ton). Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia máxima a la
cual puede conmutar el transistor:

VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LOS BJT FRENTE OTROS

TRANSISTORES
VENTAJAS
1. Los BJT tienen como ventaja que es posible sacarles una mayor ganancia, a diferencia de los FET
y MOSFET, que con iguales configuraciones (por ejemplo, emisor común) poseen una menor
ganancia
2. Su uso es más directo (solo con la hoja de datos ya podemos sacar las tensiones mínimas, de
saturación…)
3. No se dañan tanto por la electricidad estática como los FET
4. Son mas lineales que los FET
5. Reducidas pérdidas en conducción.
DESVENTAJAS
1. Tienen un consumo importante en la polarización, ya que estos transistores funcionan a partir de
corriente.
2. Su respuesta en frecuencia tiende a ser peor que en los MOS
3. Impedancia de entrada baja
4. Generan un nivel de ruido mayor que los FET
5. Son menos estables con la temperatura
6. Mas difíciles de fabricar
APLICACIONES

• Amplificación de diferentes tipos (radio, instrumentación, televisión…)

• Función como fototransistores ( Detección de radiación luminosa)
• Generar señales (generador de ondas, emisión de radiofrecuencia, osciladores…)
• Actuar como conductores (conmutar). Control de relés, fuentes de alimentación conmutadas,
control de lámparas, modulación por anchura de impulsos…

HOJAS DE CARACTERÍSTICAS DE TRANSISTORES BIPOLARES

En este enlace tenemos los diferentes transistores bipolares con sus caracteríticas principales.
En función de las mismas los transistores tendrán diferentes usos.
Caraterísticas transistores bipolares

Uno de los mas usados es : Transistor bipolar BC546

Todos los transistores de este enlace llevan el mismo formato de características.
A continuación explicaremos las características del transistor:
Disipación total del dispositivo (Pc): Es la potencia que se pierde al pasar el dispositivo,
generalmente por medio de la generación de calor en el componente.
Tensión colector-base (Ucb): Voltaje que circula entre las dos puertas del transistor (Colector -
Base)
Tensión colector-emisor (Uce): Voltaje que circula entre las dos puertas del transistor (Colector -
Emisor)
Tensión emisor-base (Ueb): Voltaje que circula entre las dos puertas del transistor (Emisor - Base)
Corriente del colector DC máxima (Ic): Intensidad máxima que circula por el colector.
Corriente colector-base (Icb): Intensidad que circula entre las dos puertas del transistor (Colector -
Base)
Corriente colector-emisor (Ice): Intensidad que circula entre las dos puertas del transistor (Colector
- Emisor)
Corriente emisor-base (Ieb): Intensidad que circula entre las dos puertas del transistor (Emisor -
Base)
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: Temperatura límite de uso del transistor.
PARÁMETROS CARACTERÍSTICOS
hFE
Otro modelo comúnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de parámetro h:
Modelo de parámetro h generalizado para un BJT NPN.

Este circuito equivalente de un transistor de unión bipolar permite un fácil análisis del
comportamiento del circuito. Como se muestra, el término "x" en el modelo representa el terminal
del BJT dependiendo de la topología usada. Para el modo emisor-común los varios símbolos de la
imagen toman los valores específicos de:

 x = 'e' debido a que es una configuración emisor común.

 Terminal 1 = Base

 Terminal 2 = Colector

 Terminal 3 = Emisor

 Iin = Corriente de Base (Ib)

 Io = Corriente de Colector (Ic)

 Vin = Tensión Base-Emisor (VBE)

 Vo = Tensión Colector-Emisor (VCE)

Y los parámetros h están dados por:

 hix = hie - La impedancia de entrada del transistor (correspondiente a la resistencia del

emisor re).

 hrx = hre - Representa la dependencia de la curva IB–VBE del transistor en el valor de VCE. Es
usualmente un valor muy pequeño y es generalmente despreciado (se considera cero).

 hfx = hfe - La ganancia de corriente del transistor. Este parámetro es generalmente referido
como hFE o como la ganancia de corriente continua (βDC) en las hojas de datos.

 hox = hoe - La impedancia de salida del transistor. Este término es usualmente especificado
como una admitancia, debiendo ser invertido para convertirlo a impedancia.

Otros parámetros importantes

 Corriente máxima: es la máxima corriente admisible de colector (ICM). Con este valor se
determina la máxima disipación de potencia del dispositivo.

 VCBO: tensión entre los terminales colector y base cuando el emisor está en circuito abierto.
  VEBO: tensión entre los terminales emisor y base con el colector en circuito abierto.

 Tensión máxima: es la máxima tensión aplicable entre dos terminales del dispositivo (colector
y emisor con la base abierta en los bipolares).

 Estado de saturación: queda determinado por una caída de tensión prácticamente constante.
VCEsat entre colector y emisor en el. Este valor, junto con el de corriente máxima, determina
la potencia máxima de disipación en saturación.
Los parámetros más importantes a considerar a la hora de escoger un transistor de esta familia son la
corriente máxima continua de colector cuando actúa como interruptor cerrado (IC), la tensión que
soporta entre colector y emisor como interruptor abierto (VCE) y el parámetro β (que representa la
ganancia de corriente).

Clasificacion
Tendremos que valorar los transistores en funión caracteristicas mas importantes; su potencia
disipada, corriente soportada y velocidad de conmutacuión.

Desde este enlace en el que tenemos las hojas de datos de los transistores bipolares realizaremos una
clasificación atendiendo a sus características. Transistores bipolares -Datasheet-

Debido a que no existe una clasificación específica, la realizaremos en función de sus parámetros
mas importantes.

 Los transistores de potencia bipolares son del orden de los W, luego todos los que sean de
orden inferior (mW), estan destinados a otro uso como funciones analógicas. En dicho enlace
podemos observar transistores desde 2W hasta transistores que soportan 150W.

 Otro parámetro importantes a valorar la frecuencia de conmutación,cuanto menos sea el

tiempo de conmutación, más rápido funciona, luego más rápido es el transformador, el orden
de frecuencia de los transistores bipolares es de KHz o MHz.

 Valoraremos también la intensidad soportada por el transistor a la hora de elegir uno de ellos.
Los transistores bipolares de potencia responden a una corriente del orden de los A. Esto es
debido a que la potencia de dichos transistores es del orden de los W, luego con transistores
de menor corriente enseguida los quemaríamos.
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10 CARACTERÍSTICAS DE LOS
 TRANSISTORES
Te explicamos qué es un transistor y cuáles son sus características
principales. Además, los tipos de transistores y para qué sirven.

Los transistores se componen esencialmente de tres patillas o cables.

¿Qué son los transistores?

Los transistores son aparatos electrónicos semiconductores, encargados de la

transmisión de una señal saliente (salida) en presencia de una entrante
(entrada), como parte de un circuito electrónico de algún tipo. El término
“transistor” proviene del inglés transfer resistor (resistor de transferencia), e
inicialmente fueron diseñados para modular la corriente eléctrica.

Los transistores, en ese sentido, cumplen funciones de amplificación,

oscilación, conmutación o rectificación de la señal eléctrica dentro del circuito
determinado, y se utilizan en gran parte de los circuitos integrados de los
artefactos electrónicos contemporáneos.
 Los primeros transistores operativos fueron desarrollados en 1955, a
pesar de que se venía estudiando su composición desde prácticamente inicios
del siglo, en búsqueda de métodos de mejorar la conducción eléctrica y
electrónica. El principio de funcionamiento de los transistores (el llamado
“efecto transistor”) fue descubierto por los estadounidenses John Bardeen,
William Shockley y Walter Houser Brattain en 1948 y les valió el Premio Nobel
de Física en 1956.

Características de los transistores

Índice
 1. Componentes
 2. Funcionamiento
 3. Funciones del transistor
 4. Materiales
 5. Código Binario
 6. Utilización
 7. Tipos de transistores
 8. Ventajas
 9. IGBT
 10. Actividad

1. Componentes

Los transistores se componen esencialmente de tres patillas o cables, cada uno

encargado de una labor diferente y que se denominan:

 Emisor. Desde donde entra el flujo eléctrico al interior encapsulado del transistor.
 Base. La que modula el flujo entre emisor y colector.
 Colector. Hacia donde fluye la corriente una vez que ha sido modulada por la base.

2. Funcionamiento

Los transistores operan como peajes o alcabalas en el flujo eléctrico,

permitiendo aumentar, disminuir o modular su intensidad conforme a tres
posiciones posibles dentro de un circuito:
  En activa. Permite el paso de más o menos corriente (modulada) hacia el colector
y, por lo tanto, de vuelta al circuito.
 En corte. Impide el paso de toda la corriente.
 En saturación. Permite el paso íntegro de la corriente.

3. Funciones del transistor

Las funciones de un transistor como parte de un circuito eléctrico pueden ser

dos fundamentalmente:

 Como interruptor. Corta el flujo eléctrico a partir de una pequeña señal de mando.
 Como amplificador. Recibe una pequeña señal eléctrica que, al salir del transistor,
se habrá convertido en una más grande.

Sin embargo, los transistores también pueden cumplir funciones de oscilador,

conmutador o rectificador, que permite conducir de la manera deseada el flujo
eléctrico en el circuito.

4. Materiales

Los transistores están fabricados aprovechando la semiconductividad de ciertos

materiales, como el germanio (Ge) o el arseniuro de galio (GaAs). En la
actualidad, el material preferido para ello es el silicio (Si), un metaloide
abundante en la corteza terrestre.

5. Código Binario

Los transistores tienen mucho que ver con el desarrollo del código binario
computacional (compuesto de unos y ceros), ya que cada número indica una
posición del transistor interruptor: activo o inactivo, dejando o no pasar la
electricidad: 0 = sin corriente; 1 = con corriente.

6. Utilización

En los aparatos contemporáneos, provistos de circuitos integrados complejos,

los transistores abundan por miles. Desde relojes, televisores, radios,
computadoras, teléfonos celulares, tomógrafos, reproductores musicales e
 incluso lámparas fluorescentes son posibles gracias a esta tecnología de manejo
eléctrico.

7. Tipos de transistores

Existen varios tipos de transistor, dependiendo de su fabricación y sus

capacidades:

 Transistor de contacto puntual. El primer tipo de transistor inventado y capaz de

obtener ganancia, a pesar de que era frágil y difícil de fabricar. Consistía en dos
puntas metálicas sobre una base de germanio, basándose en efectos de superficie.
Hoy en día ha desaparecido.
 Transistor de unión bipolar. Se fabrica sobre una base de material semiconductor
(intermedio entre conductor y aislante) comúnmente silicio, sobre la cual se ubica
un sustrato de cristal que es polarizado a través de elementos donantes de
electrones, como el arsénico o el fósforo. Estos polos constituyen el emisor y el
colector.
 Transistor de efecto de campo. Consiste en una barra de material semiconductor
en torno al cual se genera un campo eléctrico, para poder controlar el flujo de la
energía mediante un único polo (por eso se les denomina unipolares).
 Fototransistor. Operan como transistores normales, pero al ser sensibles a la
radiación electromagnética próxima a la luz visible, pueden ser operados mediante
un modo de iluminación: cuando la luz hace las veces de corriente base.

8. Ventajas

El uso de transistores representó un salto adelante respecto a las técnicas de

manejo eléctrico acostumbradas, consistentes en válvulas termoiónicas. No sólo
porque permitió maximizar el potencial de los aparatos en tamaños muy
inferiores a los iniciales, sino que además facilitó la construcción de artefactos
capaces de soportar mucha más tensión, permitiendo su uso en condiciones de
mucha potencia eléctrica.

Además, los transistores son relativamente económicos, consumen poca

energía, proveen muchas horas de uso y pueden permanecer en depósito
durante largo tiempo sin estropearse.

9. IGBT
 Los IGBT son modelos avanzados de transistores que, agrupados en torno a un
circuito común, pueden amplificar corrientes eléctricas de 1000 amperios hasta
tensiones de varios miles de voltios, permitiendo así controlar la potencia de
diversos artefactos electrónicos, entre los que figuran los motores de los
automóviles modernos y los desfibriladores médicos, utilizados para la
resucitación de pacientes recién fallecidos.

10. Actividad

A diferencia de otros elementos que intervienen en los circuitos electrónicos,

como los resistores, condensadores e inductores, que juegan un rol pasivo en los
mismos, a los transistores se les asigna un rol activo dentro del circuito, ya que
no sólo velan por la estabilidad y preservación del mismo, sino que forman parte
de su estructura funcional.

Fuente: https://www.caracteristicas.co/transistores/#ixzz5D9nFVvHThttps://www.ca

racteristicas.co/transistores/

ENTRAR

http://mdgomez.webs.uvigo.es/DEI/Guias/tema5.pdf

FET, conociendo las

características del transistor
JFET.

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 El transistor JFET es un dispositivo mediante el cual se puede controlar el
paso de una cierta cantidad de corriente haciendo variar una tensión, esa es la
idea principal; existen 2 tipos de JFET los de canal n y los de canal p, se
comentará para el caso de JFET de canal n, lo que se comente para el de canal
n, es similar para el de canal p, la diferencia será el sentido de las corrientes y
las tensiones sobre el JFET; constan de 3 pines, los cuales reciben los nombres
de drenaje(D), compuerta(G) y fuente(S); lo que hace el JFET es controlar la
cantidad de corriente que circula entre el drenaje y la fuente, esa corriente
se controla mediante la tensión que exista entre la compuerta y la fuente.

En la imagen anterior se muestra un JFET de canal n, en este caso

el 2N3819, se muestran los 3 pines que tiene con sus nombres, el orden va
depender del JFET, se tiene que ver su hoja de datos para conocerlos.
Están fabricados con materiales semiconductores tipo n y tipo p, al igual que
los diodos; la figura que sigue es una representación para comprender como
están distribuidos los materiales semiconductores para el de canal n y el de
canal p, y las conexiones de los pines a estos semiconductores, la figura servirá
para tener una idea del comportamiento del JFET.
 A partir de aquí se va a comentar para el caso del JFET de canal n, pero la
idea es similar para el caso del de canal p; en la figura anterior se puede ver
que para el JFET de canal n, al material semiconductor tipo n se le han
conectado en extremos opuestos el drenador(D) y la fuente(S), mientras el
material tipo p se conecta a la compuerta(G), se observa que hay un paso o un
canal entre el drenador y la fuente, formado por el semiconductor tipo n de allí el
nombre de canal n, el cual está rodeado por el material semiconductor tipo
p, entre la compuerta y la fuente se forma un diodo, en el transistor JFET lo
que se hace es polarizar en inversa este diodo, para el caso del JFET de canal
n la tensión de polarización de dicho diodo tiene que ser negativa y a lo mucho
igual a cero, se la representa como VGS (tensión compuerta fuente), lo que se
logra al hacer esto es que la región de agotamiento del diodo se puede controlar
variando la tensión VGS, cuando la VGS=0 la región de agotamiento del diodo
será mínima y el canal n será lo mas ancho que pueda; si poco a poco la
tensión VGS se hace negativa, esta hará que la región de agotamiento del diodo
crezca, ya que el diodo se polariza en inversa, esto a su vez hace que el canal
semiconductor se angoste, llegará un momento que la VGS sea lo
suficientemente negativa que hará que la región de agotamiento sea tan grande
como para que el canal semiconductor desaparezca o se cierre; a esa tensión
se le conoce como tensión compuerta fuente de apagado o de corte del JFET y
se representa como VGSoff.
 Para polarizar un JFET de canal n, de la batería o fuente de
alimentación VGG que se use entre la compuerta y la fuente se conectará
su polo negativo hacia la compuerta(G) y hacia la fuente(S) su polo positivo; la
batería o fuente de alimentación VDD que se conecta entre el drenaje y la fuente,
es la encargada de suministrar la corriente que se controla con la VGS, VDD
se conecta con su polo positivo en el drenaje(D) y el negativo a la fuente(S); si
el JFET es de canal p las conexiones de las alimentaciones se inverten, tal como
se ve en la imagen siguiente.

De la figura anterior se puede ver que al estar polarizado el diodo entre la

compuerta y la fuente en inversa, la corriente que se aparece a través de la
compuerta IG es muy pequeña, del orden de los nA, por eso se considera
que IG=0, también es por este motivo que se dice que el JFET tiene una alta
impedancia de entrada, propiedad que se aprovecha en los amplificadores
basados en el JFET; la corriente que circula entre el drenaje y la fuente se
conoce como corriente de drenaje ID, el valor de esta corriente depende del
valor de la tensión VGS; como se ha visto anteriormente al hacer variar la VGS
se logra que la región de agotamiento aumente o disminuya, lo que hace que el
canal por el que circula la corriente de drenaje ID disminuya o aumente, al
disminuir o aumentar el canal se controla la cantidad de ID que circula por el
JFET; esta es la forma que se controla la corriente por tensión con el
transistor JFET.
Cuando VGS=0 la región de agotamiento será mínima, en este caso si la
tensión entre el drenaje y la fuente VDS se aumenta la corriente de drenaje ID
aumentará también, pero llegará un momento que la corriente ID deje
de aumentar por mas que se aumente la VDS, en ese momento se dice que el
JFET se ha saturado (en un JFET la VDS tiene un límite que si se sobrepasa el
JFET se dañará, ese valor máximo para VDS se encuentra en su hoja de datos),
a esa corriente ID que ya no aumenta mas se la conoce como corriente de
drenaje fuente de saturación la cual se simboliza como IDSS, es un dato muy
importante característico de los JFET que se encontrará en su hoja de
datos; cuando la VGS=VGSoff la corriente ID=0, como se puede ver la ID
variará desde un mínimo de 0A hasta un máximo de IDSS y todo esto controlado
por la VGS.
Por ejemplo si se ve la hoja de datos del JFET de canal n 2N3819 se verá
que VDSmáx=25V, si se pasa de este valor posiblemente se dañe el JFET,
también se ve que IDSS esta entre 2mA y 20mA esto varía porque los JFET así
sean de la misma familia presentan este tipo de variaciones, por ejemplo puede
que un 2N3819 tenga una IDSS=5mA y en otro 2N3819 sea IDSS=14mA; para
la tensión de corte es decir la VGSoff la hoja de datos dice que será como
máximo -8V; en la hoja de datos también aparece un dato al que se le llama
corriente compuerta fuente inversa IGSS que para este caso tiene un valor de
2nA, esta vendría a ser la corriente por la compuerta, pero como se ve es una
cantidad muy pequeña, por ejemplo esta se a medido para una VGS=-15V
según la hoja de datos, como se ve para una tensión de VGS=-15V se tiene
IG=2nA, es de suponer que para una VGS=-5V la corriente IG será mucho
menor por eso se puede considerar que IG=0, con este dato se puede calcular
la impedancia de entrada de este JFET sería así:
Rent=Zent=|(VGS)/(ID)|
Zent=|(-15V)/(2nA)|
Zent=7500MΩ
Como se ve la impedancia de entrada es un valor muy grande en este caso
7500M, esta es una característica de los JFET; se deja un vídeo donde se
comentó sobre la impedancia de entrada del JFET.
La siguiente es la representación simbólica de los JFET
 El circuito de polarización visto anteriormente ahora con los símbolos
quedaría así:

http://mrelbernitutoriales.com/transistor-jfet/conociendo-el-jfet/

https://es.scribd.com/document/186107955/6-2-Construccion-y-caracteristicas-de-los-JFET

1.6- Transistor de efecto de campo (FET)

Los transistores de efecto de campo o FET (Field Effect Transistor) son
particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos:
transistor de efecto de campo de unión o JFET y transistor de efecto de campo
metal-óxido semiconductor (MOSFET).
Son dispositivos controlados por tensión con una alta impedancia de entrada
(1012 ohmios). Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analógicos
como amplificador o como conmutador. Sus caracterísitcas eléctricas son
similares aunque su tecnología y estructura física son totalmente diferentes.

Ventajas del FET

1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy
elevada (107 a 1012ohmios).
2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y
permiten integrar más dispositivos en un CI.
5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión valores
pequeños de tensión drenaje-fuente.
6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el
tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de
almacenamiento.
7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y
conmutar corrientes grandes.
Desventajas que limitan la utilización de los FET
1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta
capacidad de entrada.
2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos
lineales que los BJT.
3) Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática. En este apartado
se estudiarán brevemente las características de ambos dispositivos orientadas
principalmente a sus aplicaciones analógicas.

1.7.- Características eléctricas del JFET

El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de
material semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p
situadas a ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se
denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).
En la figura 1.10.a se describe un esquema de un JFET de canal n, en la 1.10.b
el símbolo de este dispositivo y en la 1.10.c el símbolo de un JFET de canal P

La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente

polarizadas. En un JFETde canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser
mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a través de
canal. Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente
para que la unión p-n se encuentre polarizado inversamente. Ambas
polarizaciones se indican en la figura 1.11.

Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las

curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos
controlados por tensión a diferencia de los bipolares que son dispositivos
controlados por corriente.
Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o
drenador a source o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y
VDS (tensión drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones
básicas de operación: corte, lineal, saturación y ruptura. A continuación se
realiza una descripción breve de cada una de estas regiones para el caso de
un NJFET.

https://unicrom.com/fet-mosfet-ventajas-desventajas-caracteristicas/

Aplicaciones[editar]
La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las aplicaciones
de MOSFET discretos más comunes son:

 Resistencia controlada por tensión.

 Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
 Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Ventajas con respecto a transistores bipolares[editar]

La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados PMOS, NMOS y
CMOS, debido a las siguientes ventajas de los transistores de efecto de campo con
respecto a los transistores bipolares:

 Consumo en modo estático muy bajo.

 Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
 Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
 Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una
impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta se expresa en
nanoamperios.
 Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, lo que
conlleva a un ahorro de superficie.
 La velocidad de conmutación es muy alta, siendo expresada en nanosegundos.
 Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias
y baja potencia.

https://prezi.com/vzelvcof14vj/construccion-y-caracteristicas-del-mosfet/ REVISAR!!!!!!!!!!!!!!!1