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Laboratoire d’Etude de l’Intégration des

Composants et Systèmes Electroniques

MASTER PROFESSIONNEL
QUALITE ET FIABILITE DES COMPOSANTS
ET SYSTEMES ELECTRONIQUES

Mémoire de Stage de Fin d’Etudes


(Effectué du 01 avril au 30 août 2005)

EVALUATION DE LA FIABILITE
DES CIRCUITS HYPERFREQUENCE
EN UTILISANT LA REFLECTOMETRIE
DANS LE DOMAINE DU TEMPS

Présenté par: Uilian Lucas de SOUZA

Maître de Stage: Frédéric VERDIER

Bordeaux 2005
SOMMAIRE

INTRODUCTION GENERALE ___________________________________________ - 1 -

Présentation du Laboratoire IXL


1. Télécommunications, circuits et systèmes (TCS) ___________________________ -2-
2. Conception et Test ___________________________________________________ -3-
3. Micro Technologies: Matériaux Micro Assemblés, Capteurs, Micro Systèmes ____ -4-
4. Intégration des Circuits et Systèmes de Puissance. Application aux Véhicules
Electriques et Hybrides _______________________________________________ -4-
5. Analyse comportementale et fiabilité ____________________________________ -5-

CHAPITRE I
Le Circuit Imprimé (PCB) ____________________________________________________ 6
1. Introduction ___________________________________________________________ 6
2. Le PCB FR4___________________________________________________________ 7
3. Paramètres d’un Circuit Imprimé __________________________________________ 7
CHAPITRE II
Les Circuits d’Essai _______________________________________________________ 10
1. Introduction __________________________________________________________ 10
2. Le Résonateur en Anneau _______________________________________________ 10
2.1. Caractéristiques Physique _______________________________________________ 11
2.2. Formules ____________________________________________________________ 11
3. Le Résonateur Stub /4 _________________________________________________ 13
CHAPITRE III
L’Essai Accéléré __________________________________________________________ 14
1. Introduction __________________________________________________________ 14
2. L’Essai HAST (Highly Accelerated Stress Test) _____________________________ 15
CHAPITRE IV
La Réflectométrie dans le Domaine de la Fréquence ____________________________ 17
1. Introduction __________________________________________________________ 17
2. Les Paramètres S ______________________________________________________ 17
CHAPITRE IV
La Réflectométrie dans le Domaine du Temps _________________________________ 19
1. Introduction __________________________________________________________ 19
1.1 Principe Fondamental de Fonctionnement __________________________________ 19
1.2 Exemples d’Application __________________________________________________ 22
CHAPITRE V
Préparation des Echantillons ________________________________________________ 27
1. Introduction __________________________________________________________ 27
2. Le Vieillissement ______________________________________________________ 27
CHAPITRE VI
Les Mesures en TDR ______________________________________________________ 28
1. Introduction __________________________________________________________ 28
2. Les Mesures des Stubs __________________________________________________ 28
2.1. Les Résultats des Mesures _______________________________________________ 29
3. Le Mesure en TRD de l’Anneau __________________________________________ 31

CONCLUSION ___________________________________________________________ 32
REFERENCES ___________________________________________________________ 33

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INDICE DE TABLEAUX ET FIGURES

Figure 1: Laboratoire IXL, Talence-France _____________________________________ - 2 -


Figure 2: La carte de circuit imprimé – PCB ______________________________________ 6
Figure 3: Le PCB et les axes XYZ ______________________________________________ 8
Tableau 1: Comparaison entre les paramètres des substrats de PCB. ___________________ 9
Tableau 2 : Les paramètres du substrat FR4 standard utilisé. _________________________ 9
Figure 4: Le Résonateur en Anneau. ___________________________________________ 10
Tableau 3: Caractéristiques du Résonateur en Anneau. _____________________________ 11
Figure 5: Le circuit équivalent du résonateur en anneau. ____________________________ 11
Figure 6: Le Résonateur Stub /4. _____________________________________________ 13
Table 4: Les deux catégories principales de l’essai accéléré _________________________ 15
Figure 7: Les ondes entrantes (ax) et sortantes (bx) au DUT. _________________________ 17
Figure 8: Schéma de montage pour mesurer l’impédance d’une DUT. _________________ 20
Figure 9: La technique TDR appliquée à un circuit ouvert. __________________________ 23
Figure 10: La technique TDR appliquée à un court circuit. __________________________ 23
Figure 11: Trois cas de la technique TDR appliquée à une résistance pure. _____________ 24
Figure 12: La technique TDR appliquée à une résistance en parallèle avec une capacitance. 24
Figure 13: La technique TDR appliquée à une résistance en série avec une capacitance. ___ 25
Figure 14: La technique TDR appliquée à une résistance en série avec une inductance. ___ 25
Figure 15: La technique TDR appliquée à une résistance en parallèle avec une inductance. 26
Figure 16: La forme d'onde de TDR indique des discontinuités de trace. _______________ 26
Tableau 5: Les étapes de vieillissement. ________________________________________ 27
Figure 17: Schéma de montage pour mesure en TDR et sa respective forme d’onde. ______ 28
Figure 18: Détail du contact ohmique avec d’argent liquide._________________________ 29
Figure 19 : Comparaison entre deux mesures en TDR du Stub 0B. ____________________ 29
Figure 20 : Comparaison entre les mesures en TDR des Stub 8B, 9B et 10B. ___________ 30
Figure 21 : Comparaison entre les mesures en TDR des Stub 0B, 6B et 10B. ___________ 30
Figura 22: Le positionnement de l’adaptateur sur la piste de cuivre. ___________________ 31
Figure 23: La discontinuité de la piste d’accès à l’anneau. __________________________ 31

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SIGLES

DUT: Device Under Test – Dispositif à l’Essai


TDR: Time Domain Reflectometry – Réflectométrie dans le Domaine Temps
TDT: Time Domain Transmission – Transmission dans le Domaine Temps
FDR: Frequency Domain Reflectometry – Réflectométrie dans le Domaine Fréquence

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INTRODUCTION GENERALE

Aujourd'hui les interconnexions de circuit imprimé à prix réduit sont largement


commercialisés dans des applications domestiques de télécommunications. Ces technologies
sont limitées par la possible variation de performance des substrats et des métallisations
pendant leur durée de fonctionnement. La connaissance du comportement de ces paramètres
dans des conditions de stress permet optimiser les marges de sûreté de conception et prévoir
une probable durée de vie.

De plus en plus circuits de radiofréquence (RF) sont en effet mis en application sur les
cartes classiques FR4 déposés par cuivre. Cela implique que le concepteur tient compte des
paramètres électriques précis impliqués dans le calcul des caractéristiques des lignes de
transmission. Une nécessité basique c’est celle de la connaissance des caractéristiques
essentielles comme la constante diélectrique du matériel et de leurs pertes.

La fiabilité à long terme du circuit exige que le substrat vieillissant dans des conditions
de stress (dégradation thermiquement activée et corrosion induite par humidité) ne mène pas
aux dérives excessives des paramètres fonctionnels. Les techniques principales pour
caractériser des circuits RF sont basées sur la transmission et réflexion dans le domaine du
temps ou dans le domaine de la fréquence. [1]

On propose dans ce travail, en utilisant le domaine temps, une étude de l'essai des
structures conçues afin d'évaluer la fiabilité des interconnexions à haute fréquence sur les
cartes FR4. Les structures d'essai sont basées sur les circuits résonnants élémentaires et ont
été soumis aux différents tests de vieillissement accélérés pour distinguer les effets de la
corrosion de métallisation du cuivre des effets à l'absorption d'humidité du substrat stratifié.

Pour conclure ce travail, on proposera une comparaison entre les deux méthodes pour
évaluer la fiabilité des circuits hyperfréquences. Seront analysés l’exactitude des mesures, le
coût des équipements utilisés et la facilité d’exploitation numérique des mesures. Avec le
domaine du temps on travaille sur l’impédance de la piste de cuivre et avec le domaine
fréquence on travaille sur les paramètres S. En effet, il y a déjà un travail réalisé au laboratoire
IXL [1] qui a utilisé le paramètre S21 pour évaluer la fiabilité des mêmes échantillons qu’on
utilisera dans ce respectif travail.

Master QFiab -1- Uilian SOUZA


Présentation du Laboratoire IXL

Figure 1: Laboratoire IXL, Talence-France

Créé il y a 25 ans et installé sur le domaine universitaire de Bordeaux 1 depuis 1988,


le Laboratoire d’Etude de l’Intégration des Composants et Systèmes Electroniques est dirigé
par M. le Professeur André TOUBOUL. Depuis un réaménagement du laboratoire (terminé en
1997) pas moins de 4940 m2 sont mis à la disposition du personnel pour les activités de
recherche de l’IXL, mais aussi pour les activités de transfert de technologie (au sein de
l’Atelier Aquitain de Microélectronique) et les activités de formation (du Centre Commun
d’Enseignement Supérieur de la Microélectronique Avancée d’Aquitaine.

Aujourd’hui les lignes directrices que le laboratoire s’est imposé est "l’intégration de
fonctions électroniques" (conception et évaluation des technologies) et "la qualité et la
fiabilité " des circuits intégrés dans leur environnement (des semi-conducteurs aux micro
assemblages).

1. Télécommunications, circuits et systèmes (TCS)

Le groupe TCS, Télécommunications, Circuits et Systèmes, regroupe des activités de


recherche variées, allant de la conception de circuits au traitement du signal en passant par
l'intégration système, activités qui ont comme centre d'intérêt les télécommunications.

Il traite des:

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 Circuits hyperfréquence
 Biométries
 Compatibilité électromagnétique
 Technologies hautes fréquences
 Circuits analogiques rapides
 Circuits mixtes mode courant pour les télécommunications
 Synthèse de circuits et d’algorithmes et des circuits numériques

2. Conception et Test

Le thème "conception de circuits" a pour vocation l’élaboration de fonctions


électroniques optimisées en regard de contraintes spécifiques telles que l’ultra basse
puissance, les environnements radiatifs, les architectures système radiofréquence dans la
gamme 1 à 12 GHz, le transfert de données numériques à très haut débit.

Enfin, l’opération "test des circuits intégrés" assure le développement de nouveaux


outils de test des circuits intégrés tel que celui basé sur l’utilisation de l’interaction laser-
circuit intégré, la mise au point de nouvelles techniques associées de préparation des circuits
sous test, ainsi que la conception de nouvelles structures implantées dans le silicium en vue du
test en fonctionnement des fonctions électroniques complexes.

Ce groupe est axé sur:

 Conception de circuits
 Intégration de systèmes électroniques
 Evaluation technologique et caractérisation des composants
 Modélisation comportementale des circuits et systèmes
 Test de circuits intégrés

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3. Micro Technologies: Matériaux Micro Assemblés, Capteurs, Micro
Systèmes

Le thème Micro technologies recouvre les activités de recherche relatives aux


matériaux micro assemblés, aux capteurs et aux micro systèmes, issues des travaux sur les
circuits électroniques hybrides.

Il est divisé en deux pôles:

 Matériaux micro assemblés pour composants et capteurs


 Capteurs, micro systèmes

4. Intégration des Circuits et Systèmes de Puissance. Application aux


Véhicules Electriques et Hybrides

Cette opération comporte plusieurs volets complémentaires traitant des technologies


d’intégration et de l’électronique de puissance et de gestion pour le véhicule électrique et
hybride. L’optimisation de la conversion d’énergie va du choix des paramètres technologiques
des assemblages de puissance à la mise en situation du module de puissance au sein du
système complet.

Il traite de:

 Commande convertisseur de puissance - Source hybride pour véhicule électrique


 Technologie des micro assemblages de puissance
 Composants de puissance : caractérisation, modélisation, fiabilité
 Supervision et gestion d'énergie embarquée

L’expérience acquise dans l’intégration des circuits de puissance pour l’automobile au


travers du programme PROMETHEUS se poursuit naturellement dans le domaine de la
traction électrique et du véhicule hybride. Ces travaux s’effectuent dans le cadre de projets
européens et du programme de recherche du contrat de plan Etat-Région Aquitaine 2000-
2006.

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5. Analyse comportementale et fiabilité

Le Laboratoire IXL s'est engagé depuis plus de dix ans dans une action en profondeur
visant à développer de nouvelles approches pour la construction et l'évaluation de la fiabilité
des composants électroniques.

Cette action est basée sur le fait qu'une dynamique scientifique et technique forte est
nécessaire pour répondre de façon satisfaisante aux exigences actuelles en matière de fiabilité.
Des niveaux de taux de défaillance extrêmement bas, de l'ordre de 10 FIT et moins sont
exigés dans la plupart des applications industrielles. Ces niveaux ne peuvent plus être assurés
par les techniques habituelles de sélection des produits finis, ni démontrés par les essais
accélérés visant à évaluer la durée moyenne de vie à 50 % de défaillances. En effet, même en
acceptant seulement deux défaillances sur un essai classique de 1000 heures avec un facteur
d'accélération de 300 à 400, plusieurs centaines voire plusieurs milliers de composants sont
nécessaires à la composition de l'échantillon de test. L'intégration de la fiabilité est donc
directement liée à la conception et à la maîtrise des procédés, vis à vis des étapes critiques
pouvant générer des défauts. Dans le même temps, les technologies ne cessent d'évoluer et de
se complexifier, avec des profils de mission de plus en plus sévères. L'approche de la fiabilité,
à la fois dans sa construction et dans sa démonstration doit être renouvelée en profondeur, à
partir de modélisation physique des dégradations et des défaillances. La base reste bien
entendue expérimentale, mais les simulations physiques ou fonctionnelles, sont devenues des
étapes indispensables. La simulation de la fiabilité, quant à elle devient un objectif réalisable
au niveau de la relation composants élémentaires-fonctionnalité complexe. [2]

Ce groupe est axé sur:


 Fiabilité des composants: micro assemblages
 Techniques d'analyse des micro assemblages et Composants Passifs
 Fiabilité des composants et systèmes optoélectroniques
 Evaluation comportementale et Fiabilité des technologies MMIC basées sur les
transistors III-V
 Composants pour l'optoélectronique
 Fiabilité des composants: prévision des durées de vie
 Métrologie, traitement du signal

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Chapitre I Le Circuit Imprimé

CHAPITRE I

Le Circuit Imprimé (PCB)

1. Introduction

Une carte de circuit imprimé ou PCB (Printed Circuit Board) se compose des fils
imprimés attachés à une feuille isolante. Les fils imprimés conducteurs sont en cuivre et
s'appellent les pistes. Le rôle des pistes c’est de faire le contact ohmique entre les composants
discrets et utilisé aussi comme filtres, oscillateurs et antennes en circuits RF. L’isolant
s'appelle le substrat, et il est fait de "Pertinax" (une résine de formaldéhyde de phénol) ou à
partir de fibre de verre tissée imprégnée de la résine époxyde.

Figure 2: La carte de circuit imprimé – PCB

Le substrat a le rôle de fournir un support mécanique pour l'assemblage des circuits


discrets ou intégrés à travers d’un processus appelé soudure. Il est commode que le substrat
fait de la bonne adhérence aux pistes de cuivre et facilite l'évacuation de la chaleur de manière
homogène. Il est aussi un bon isolant électrique.

Quelques cartes électroniques sont conçues en ajoutant des pistes au substrat. La


grande majorité est fabriquée en collant une couche de cuivre au-dessus du substrat entier,
parfois des deux côtés, puis enlevant le cuivre non désiré vers un processus appelé
photogravure, laissant seulement les pistes de cuivre désirées. Quelques PCBs ont des
couches de piste à l'intérieur de la carte et s’appellent cartes multicouches.

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Chapitre I Le Circuit Imprimé

2. Le PCB FR4

Le PCB FR4 (Flame Retardant type 4) est une carte conçue à partir d’une résine
époxyde renforcé de fibre de verre tissée ignifuge, connue comme "pre-peg". Le substrat
verre époxyde supporte une température de 135°C à 170°C en continu et de 260°C pendant 20
secondes. Cela dépend de la chimie da la résine. Sa température de service est autour de 85°C.
[3]

Le FR4 possède une très forte résistivité volumique et permet, d’autre part, une
excellente adhérence du cuivre. C'est généralement le matériel de carte le plus utilisé [4]. Il
est largement répandu parce qu'il est bon de faire cartes d’une couche à multicouches. Avec
seulement FR4, les compagnies de carte peuvent faire toute la sorte de cartes, qui laisse la
gestion et le contrôle de qualité beaucoup plus faciles, et par la suite il peut réduire le coût. [5]

La carte FR4 montre un compromis raisonnable des propriétés mécaniques, électriques


et thermiques. La stabilité dimensionnelle est influencée par le mode de construction et de la
résine. Généralement, le tissu de verre lourd donne un matériel plus dimensionnellement
stable, bien qu'il soit nécessaire d'employer les tissus légers pour les circuits multicouches de
nombre élevé de couches. [6]

3. Paramètres d’un Circuit Imprimé

Pour assurer le bon fonctionnement et une haute durée de vie, les circuits imprimés
doivent avoir paramètres stables. Cette session va décrire les plus importants paramètres d’un
circuit imprimé.

 Tg (Glass Transition Temperature): La température de transition vitreuse. C’est la


température dont la structure physique du stratifié change en une forme molle et perd
sa force mécanique. C’est la limite où commence une modification irréversible de la
structure. Il est très important la carte avoir un haute Tg (en tour de 150°C) pour
l’opération de soudure des composants électroniques. Le Tg est caractéristique
intrinsèque du polymère.

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Chapitre I Le Circuit Imprimé

 CTE (Coefficient of Thermal Expansion): Coefficient de dilatation thermique, mesuré


en ppm/°C. Le procès d’assemblage expose le PCB à chocs de température. A cause
de PCB multicouches, il y a plus de problème avec la dilatation de l’axe Z du substrat,
relatif à l’épaisseur h. [7]

Figure 3: Le PCB et les axes XYZ

 Dissipation Factor: Facteur de dissipation (tan). C’est un index de mesure de la


tendance d'un matériel isolant d'absorber une partie de l'énergie à CA du champ
électromagnétique passant par lui. Les valeurs basses sont importantes pour des
applications de RF, mais relativement sans importance pour des applications logiques.
Cette valeur est dépendante toujours de la fréquence d’opération.

 DBV (Dielectric Breakdown Voltage): Tension de claquage diélectrique. C’est la


tension par unité d’espace de l’isolant à laquelle un arc peut se développer par lui.

 MA (Moisture Absorption): Absorption de l’humidité. La quantité de l'eau qu’un


matériel isolant peut absorber quand soumis à l'humidité relative élevée, exprimée
comme pourcentage de poids total. La rétention de l’eau augmente le constant
diélectrique relatif aussi bien que réduit la tension de claquage électrique.

Le tableau 1 montre la comparaison entre les paramètres des quelque uns principaux
types de substrats commercialisés. Les paramètres varient conforme les processus de
fabrication. Chaque compagnie a une méthode de fabrication et un data sheet différents. [8]

Master QFiab -8- Uilian SOUZA


Chapitre I Le Circuit Imprimé

Substrat r Tg (°C) CTE axe-Z WA tan  DBV Prix


(ppm/°C) (% poids) (1-10GHz) (kV) Relative
FR4 4,1 – 4,8 135 – 170 80 – 90 0,1 – 0,3 0,02 – 0,03 > 60 kV 1 (reference)
CEM 3 5,0 – 5,2 120 – 135 - - - - 0,95
FR5 4,6 – 5,2 160 – 190 80 – 90 0,1 – 0,3 - > 60 kV 1,40
BT 3,9 – 4,9 180 – 220 40 0,14 0,013 - 2–5
Tableau 1: Comparaison entre les paramètres des substrats de PCB.

Le substrat analysé dans ce travail c’est le substrat FR4 standard avec les paramètres
décrit ci-dessous:

Substrat r h (mm)
FR4 standard 4,45 1,5
Tableau 2 : Les paramètres du substrat FR4 standard utilisé.

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Chapitre II Les Circuits d’Essai

CHAPITRE II

Les Circuits d’Essai

1. Introduction

Dans les analyses de vieillissement et mesure d’impédance, on utilisera deux circuits


d’essai connus: le résonateur en anneau et le résonateur en T (stub). Ces deux types de
résonateurs sont très utiles pour exploiter les résultats de mesure parce qu’ils ont sensitivités
différents pour les défauts de géométrie (corrosion du cuivre).

Les caractéristiques de comportement des résonateurs seront décris dans les prochains
paragraphes. On exploitera quelques formules pour bien calculer les paramètres nécessaires
afin de trouver les dérives d’impédance, de fréquence de résonance et de permissivité relative
du substrat.

2. Le Résonateur en Anneau

Le résonateur en anneau de micro piste a été largement utilisé pour mesurer le constant
diélectrique efficace, dispersion et paramètres de discontinuité, et pour déterminer l'épaisseur
optimum du substrat. Au delà des applications de mesure, le résonateur en anneau de micro
piste a été également employé dans les filtres, les oscillateurs, les mélangeurs, et des antennes
en raison de ses avantages de dimension compacte, de fabrication facile et basse perte par
rayonnement. [1]

Figure 4: Le Résonateur en Anneau.

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Chapitre II Les Circuits d’Essai

2.1. Caractéristiques Physique

Les caractéristiques physiques de l'échantillon d'essai sont exposées dans la table 3:

Caractéristiques du Substrat
Permissivité Diélectrique Relative r 4,45
Epaisseur h 1,5 mm
Caractéristiques de la Piste Conducteur
Diamètre Moyen d’Anneau D 26,03 mm
Largueur w 2,80 mm
Epaisseur t -
Longueur c 50,80 mm
Tableau 3: Caractéristiques du Résonateur en Anneau.

Ce modèle bien connu utilisé dans la caractérisation matérielle de RF a été choisi en


raison de leur sensibilité aux défauts géométriques.

Le circuit équivalent peut être considéré comme une association en parallèle d’une
résistance G, une capacitance C et une inductance L, dépendantes du diamètre du anneau, de
l’impédance caractéristique de la piste, des pertes et de la fréquence de résonance.

Figure 5: Le circuit équivalent du résonateur en anneau.

2.2. Formules

Cette session va-vous présenter quelques formules importantes pour bien connaître le
comportement du dispositif.

La dernière fréquence de résonance est donnée par:

(1) c fr : fréquence de résonance


fr 
D  ef c: vitesse de lumiére
D: diamètre moyen
 ef : permissivité diélectrique relative effective

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Chapitre II Les Circuits d’Essai

Vers une corrosion de la piste de cuivre, il n’aura pas de grandes dérives de la taille du
diamètre moyen. Donc, la fréquence de résonance de l’anneau ne dépend pas beaucoup de
défauts de géométrie.

(2)  r 1  r 1  h
1
2 w  h : wide trace
 ef   1  12 
2 2  w  r : substrate dielectric relative
h : substrate thickness
w : stripe width

La formule pour calculer l’impédance caractéristique de la piste de cuivre du substrat


est donnée pour:

120 1 Z 0 : stripe characteristic impedance


Z0 
(3)  ef wef w  t : stripe thickness
 1,393  0,667 ln  ef  1,44 
h  h  wef : effective width

(4) 1,25t   2h   w  h : wide trace


wef  w  1  ln   
   t 

Maintenant, on peut déjà présenter la formule de l’impédance de l’anneau.


(5) 1 Zr : ring resonator impedance
Zr 
D 2   r  : microstrip attenuation
j
Z0 r : angular frequency   2f
r : angular resonancy frequency

En (3), (4) et (5), on trouve que l’impédance de l’anneau est toujours dépendent de
 r et très tolérante à dérivations de géométrie.

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Chapitre II Les Circuits d’Essai

3. Le Résonateur Stub /4

Figure 6: Le Résonateur Stub /4.

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Chapitre III L’Essai Accéléré

CHAPITRE III

L’Essai Accéléré

1. Introduction

Aujourd'hui plusieurs de produits sont capables du fonctionnement sous des extrémités


d'effort environnemental et pour des milliers d'heures sans échec. L'essai accéléré est une
approche pour obtenir plus d'information d'un temps donné d'essai raisonnables. Il fait ceci en
employant un environnement d'essai qui est plus grave que cela éprouvé pendant l'utilisation
normale d'équipement. Puisque des efforts plus élevés sont employés, l'essai accéléré doit être
approché avec prudence pour éviter de présenter les modes de défaillance qui ne seront pas
produits dans l'utilisation normale. Les facteurs d'accélération utilisés, séparément ou en
association, incluent des niveaux plus élevés de vibration, l’humidité élevée et les
températures plus élevées aussi. L'essai accéléré entre dans deux catégories principales,
chacune avec un but spécifique:

 ALT (Accelerated Life Testing), Essai Accéléré de la Vie: évaluation de la durée de


vie.
 AST (Accelerated Stress Testing), Essai Accéléré de Stress: identification de
problème/faiblesse et correction.

Les différences entre ces deux catégories, soyez significatif et incluez les prétentions
fondamentales sur lesquelles l'essai est basé, les modèles utilisés en construisant l'essai,
l'équipement d'essai et des chambres utilisés, la manière dont l'essai lui-même est effectué, et
la façon dont les données résultantes sont analysées et interprétées. La table 4 compare les
deux catégories principales de l'essai accéléré. [9]

Master QFiab - 14 - Uilian SOUZA


Chapitre III L’Essai Accéléré

TEST BUT ET APPROCHE EXIGENCES


Un arrangement prévu des
ALT – Accelerated Life Testing Emploie un modèle reliant la fiabilité mécanismes d’échecs.
mesurée dans des conditions
Essai Accéléré de la Vie élevées de stress à cela qui est Une connaissance de la magnitude
attendu sous l'opération normale d’accélération du mécanisme
pour déterminer la durée la vie. d’échec, en fonction de
l’accélération de stress.

Utilise des stress environnementaux


AST – Accelerated Stress Testing accélérés pour précipiter des Un arrangement complet, au moins
défauts latents ou des faiblesses de une connaissance, du mécanisme
Essai Accéléré de Stress conception dans des échecs réels basic d’échec.
pour identifier la partie ou les
problèmes de processus de L’évaluation de la vie peut, ou non
fabrication qui pourraient causer être en souci.
des échecs suivants dans le
domaine.

Table 4: Les deux catégories principales de l’essai accéléré

2. L’Essai HAST (Highly Accelerated Stress Test)

L'industrie électronique d'aujourd'hui recherche constamment des manières


d'améliorer la fiabilité de leurs produits. Les fabricants emploient généralement les chambres
à atmosphère contrôlée pour vérifier la qualité des témoins en simulant des conditions de
fonctionnement extrêmes. Un des essais les plus communs pour les circuits imprimés, connu
comme THB (Temperature/Humidity/Bias), Température/Humidité/Polarisation, prises 85°C
et humidité relative de 85% tandis que des charges polarisées sont appliquées aux
échantillons. Il a ces dernières années en raison moins utile devenu de la plus grande qualité
d'assemblage des essais de fiabilité de circuits imprimés peut courir des milliers d'heures afin
d'obtenir des résultats utiles.

Beaucoup d'utilisateurs, particulièrement ingénieurs de contrôle de qualité, ne peuvent


pas attendre des semaines pour apprendre si une série de produit est de qualité acceptable. Le
HAST (Highly Accelerated Stress Test), Essai de Stress Fortement Accéléré, a été conçu pour
diminuer le temps d'essai nécessaire pour obtenir des résultats utiles. Cet essai emploie hautes
températures (excédent 100°C), l'humidité relative élevée (environ 85%), dans les conditions
élevées de pression atmosphérique (jusqu'à 4 atm).

Le HAST est exécuté pour évaluer l'assemblage non hermétique de l'équipement à


semi-conducteurs dans les environnements humides. HAST accélère la pénétration de

Master QFiab - 15 - Uilian SOUZA


Chapitre III L’Essai Accéléré

l'humidité par le matériau protecteur externe ou aux joints autour du équipement. Il a été
développé pour être une prolongation normale de l’essai THB 85/85.

Le HAST est un essai de stress plus accéléré que l'essai plus traditionnel THB pour la
fiabilité environnementale. Il charge le spécimen avec des efforts de la chaleur et d'humidité
pour trouver les défauts latents qui pourraient causer l'échec pour l'utilisateur comptant là-
dessus. Dans les produits d'essai pour la fiabilité, définir les conditions d'essai est l'étape la
plus fondamentale. Si les conditions d'essai ne correspondent pas aux conditions d'application,
alors l'information d'essai devient inutile. L'essai HAST correspond à l'essai plus ancien de
THB par le fait que des échecs sont provoqués par les mêmes mécanismes, les échecs
résultants se produisent aux taux proportionnels, et il y a une corrélation entre les énergies
d'activation. Les dispositifs électriques et les composants sont devenus si fiables que plusieurs
mille heures d'essai THB qui ne peuvent pas attraper les faiblesses que le HAST dans
beaucoup moins temps. [10]

Master QFiab - 16 - Uilian SOUZA


Chapitre IV La Réflectométrie dans le Domaine de la Fréquence

CHAPITRE IV

La Réflectométrie dans le Domaine de la Fréquence

1. Introduction

2. Les Paramètres S

"Scattering Parameters", Paramètres de Diffusion, qui désigné généralement sous le


nom des paramètres S, se relient aux ondes qui sont dispersées ou reflétées quand une énergie
est inséré dans une ligne de transmission ou circuit électrique.

Les paramètres S sont importants dans la conception de micro-onde parce qu'il est plus
facile mesurer et les travailler à hautes fréquences que d'autres genres de paramètres. Ils sont
conceptuellement simples, analytiquement commode, et capable de fournir une grande
perspicacité dans un problème de mesure ou de conception. [11]

La figure 7 illustre le phénomène. a1 et a2 sont ondes entrantes, b1 et b2 sont ondes


sortantes.

Figure 7: Les ondes entrantes (ax) et sortantes (bx) au DUT.

Une onde incidente sur le dispositif d’essai ou DUT (Device Under Test) donnera
naissance à une onde réfléchie et à une onde transmis. Au total, en désignant par "a" les
amplitudes complexes des ondes entrantes et par "b" les amplitudes complexes des ondes
sortantes, nous pouvons écrire:

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Chapitre IV La Réflectométrie dans le Domaine de la Fréquence

b1  s11a1  s12 a 2 (1)

b2  s21a1  s22a2 (2)

soit, sous forme matricielle:

 b1   s11 s12   a1  a 
         S    1  (3)
 b2   s21 s22   a2   a2 

Les sij sont les paramètres du DUT. La matrice correspondante est la matrice S ou

matrice de diffusion (scattering). La signification physique des ces paramètres est facile a
saisir:

b1
s11  quand a2  0 . Il caractérise le facteur de réflexion à l’entrée 1 quand la sortie 2 est
a1
adaptée. C’est le coefficient de réflexion à l’entrée d’un dispositif.

b2
s21  quand a2  0 . Il caractérise le facteur de transmission de 1 vers 2 quand la sortie 2
a1
est adaptée. C’est le gain d’un amplificateur.

b2
s22  quand a1  0 . Il caractérise le facteur de réflexion à l’entrée 2 quand la sortie 1 est
a2
adaptée.

b1
s12  quand a1  0 . Il caractérise le facteur de transmission de 2 vers 1 quand la sortie 1
a2
est adaptée.

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Chapitre IV Réflectométrie dans le Domaine du Temps

CHAPITRE IV

La Réflectométrie dans le Domaine du Temps

1. Introduction

TDR (Time Domain Reflectometry) où Réflectométrie dans le Domaine Temps, est un


outil puissant et précis pour mesurer l’impédance et la longueur de pistes de PCB. Instruments
modernes devient le TDR un outil efficient pour mesurer et surveiller les paramètres de les
cartes. Avec une attention appropriée à la méthodologie de calibrage et d'essai, le TDR peut
fournir des résultats conformés et précis sans opérateurs fortement habiles.

1.1 Principe Fondamental de Fonctionnement

Le TDR est basé sur un concept très simple: Toutes les fois que l'énergie transmise par
n'importe quel milieu rencontre un changement de l'impédance, une partie de cette l'énergie est
reflétée en arrière vers la source. La quantité de l'énergie reflétée est une fonction de l'énergie
transmis et du changement d'impédance. La faute de temps entre la transmission d'énergie et le
renvoi de réflexion est une fonction de la distance de la source à la discontinuité d'impédance et à
vitesse de la propagation de l'énergie. [12]

Une fois comparé à d'autres techniques de mesure, le TDR fournit une analyse plus
intuitive et plus directe aux caractéristiques des dispositifs à l’essai, ou DUT. Un instrument de
TDR mesure l'impédance d'une piste de carte ou de toute autre ligne de transmission en
transmettant, dans le DUT, une impulsion de tension à grande vitesse par une ligne de
transmission avec une impédance connue. N'importe quelle différence entre l'impédance connue
au DUT causera la réflexion. Les instruments TDR nous permet à calculer l’impédance du DUT
et la vitesse de transmission. [13] Ils incluent un oscilloscope avec haut largueur de bande (18-
20GHz) et un générateur de pulse à grande vitesse (40-35ps). L’oscilloscope montre l’amplitude
du pulse incident et sa réflexion avec un déphasage de temps.

La figure 8 montre le schéma très simple pour illustrer la mesure d’un DUT.

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Chapitre IV Réflectométrie dans le Domaine du Temps

Figure 8: Schéma de montage pour mesurer l’impédance d’une DUT.

Zs: c’est l’impédance de la source.


Zl: c’est l’impédance de la ligne de transmission (cable).
Zd: c’est l’impédance du DUT.
Ei: c’est l’énergie incidente de la source.
Er: c’est l’énergie réfléchie dû à la différence d’impédance entre la ligne et le DUT.
ℓ: c’est la longueur de la ligne de transmission.
τ: c’est le temps de propagation entre le point de mesure et le DUT.


La ligne de longueur ℓ, sans pertes, a un temps de parcours  , où v c’est la vitesse de
v
propagation. Normalement Zs=Zl pour n’avoir pas de réflexion entre la source et la ligne. [14]

N'importe quel changement de l'impédance de la ligne de transmission, telle qu'une


variation de la largeur d'une piste de la carte, cause une réflexion avec une amplitude
proportionnelle à l'importance du changement d'impédance.

En raison de la largeur de bande de l'oscilloscope, et pour s'assurer que ces largeur de


bande et risetimes rapide peuvent être fournis au DUT, on doit employez les câbles de haute
qualité, sondes, et les montages, depuis ils y peuvent de manière significative dégradez le
risetime de l'instrument, réduisez la résolution, et diminuez l'exactitude de mesure d'impédance.

Toutes les mesures d'impédance en TDR sont basées sur le rapport de la tension
transmise. En conséquence, des mesures ne sont pas généralement faites dans les unités absolues.
Au lieu de cela, des mesures de TDR sont faites sur une échelle relative appelée coefficient de
réflexion (ρ). La définition de ρ est l'amplitude de signal reflété divisée par l'amplitude de signal
d'incident:

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Chapitre IV Réflectométrie dans le Domaine du Temps

Er
 (1)
Ei

Er  Vr  i.(Zd  Zl) et Ei  Vi  i.(Zd  Zl)


Er Vr ( Zd  Zl )
Alors,  
Ei Vi ( Zd  Zl )

Zd  Zl
  (2)
Zd  Zl

Donné une impédance connue Zl et un ρ mesuré, l'impédance inconnue Zd qui a causé la


réflexion peut être calculée:

 ( Zd  Zl )  Zd  Zl
Zd  Zl  Zd  Zl
Zl  Zl  Zd  Zl
Zd (1   )  Zl (1   )

(1   )
 Zd  Zl. (3)
(1   )

Cette équation peut être récrit en termes d’ondes incidentes et reflétées, ou peut inclure la
forme d’onde réellement mesuré à l'entrée du oscilloscope: [15]

Déductions :
Vr  Vi [  Vr ]
Vi  Vr  Vi(1   )

Vr  Vi [  2Vr ]
 Vr  Vi  2Vr [  Vi ]
Vi  Vr  Vi  2Vi  Vi
Vi  Vr  Vi(1   )

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Chapitre IV Réflectométrie dans le Domaine du Temps

1   Vi  Vr
 
1   Vi  Vr
Alors,
Vi  Vr
Zd  Zl. (4)
Vi  Vr

Vm  Vi  Vr
Vr  Vm  Vi

Vi  Vr  Vi  (Vm  Vi)
Vi  Vr  Vi  Vm  Vi
Vi  Vr  2Vi  Vm

Vm
 Zd  Zl. (5)
2Vi  Vm

où Vi c’est le voltage incident, Vr c’est le voltage réfléchi et Vm c’est le voltage mesuré par
l’oscilloscope.

1.2 Exemples d’Application

Cette session va décrire quelques applications courantes de la technique TDR pour bien
interpréter les graphiques présentées pour l’oscilloscope et aussi pour montrer comme calculer
l’impédance des dispositifs d’essai.

 Circuit Ouvert

Quand la technique TDR est appliquée à un circuit ouvert, l’impédance à l’extrémité de la


ligne est vue comme infinie (Zd=). Alors, l’énergie réfléchie représente la totalité de l’énergie
incidente, avec une différence de temps. Donc l’énergie Er s’ajoute avec Ei et l’énergie finale
vue du point de mesure Em se change de Ei à 2Ei.

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Chapitre IV Réflectométrie dans le Domaine du Temps

  Zl
 1 Em  (1   ).Ei  2Ei
  Zl

Figure 9: La technique TDR appliquée à un circuit ouvert.

Le temps 2τ c’est le temps qui prend pour l’onde incidente aller et pour l’onde réfléchie
retourner au point de mesure. C’est deux fois le temps de propagation τ.

 Court Circuit

Dans le cas d’un court circuit, l’impédance à l’extrémité de la ligne est vue comme nulle
(Zd=0). L’énergie réfléchie annule l’énergie incidente. Donc l’énergie finale mesuré Em=0.

0  Zl
  1 Em  (1   ).Ei  0
0  Zl

Figure 10: La technique TDR appliquée à un court circuit.

 La charge est une résistance pure

Dans l’application du TDR en une résistance pure, il a trois cas possibles: La charge Zd
peut être plus grand, égal ou plus petite que la résistance de la ligne (Rl).

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Chapitre IV Réflectométrie dans le Domaine du Temps

Rl  Zl
a) Rd  Rl  1    0  Ema  Ei → réflexion constructive.

b) Rd  Rl    0  Emb  Ei → pas de réflexion.

c) Rd  Rl  0    1  Emc  Ei → réflexion destructive.

Figure 11: Trois cas de la technique TDR appliquée à une résistance pure.

 La charge est une résistance en parallèle avec une capacitance

Dans l’application du TDR à une résistance en parallèle avec une capacitance, il a trois
cas possibles aussi. L’illustration montre le cas où la résistance Rd est plus grande que la
résistance de la ligne.

Rd  Rl Rd .Rl t
C
f  C  C  Em  (1   f ).(1  e ).Ei
Rd  Rl Rd  Rl

f : c’est la réflexion final.


C : c’est la constante de temps relatif à la capacitance C.

Figure 12: La technique TDR appliquée à une résistance en parallèle avec une capacitance.

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Chapitre IV Réflectométrie dans le Domaine du Temps

 La charge est une résistance en série avec une capacitance

Dans l’application du TDR à une résistance en série avec une capacitance, il a trois cas
possibles aussi. L’illustration montrée le cas où la résistance Rd est plus petite que la résistance
de la ligne.

Rd  Rl t  t
i   f 1  C  C.( Rd  Rl ) Em  Ei (1   f ).(1  e C
)  2 Ei.(1  e C
)
Rd  Rl

 i : c’est la réflexion instantanée

Figure 13: La technique TDR appliquée à une résistance en série avec une capacitance.

 La charge est une résistance en série avec une inductance

Dans ce cas, l’illustration montre une résistance Rd > Rl, en série avec une inductance L.

Rd  Rl L  t

i   f 1 L  Em  Ei (1   f )  (1   f ).e  L 
Rd  Rl Rd  Rl  

 L : c’est la constante de temps relatif à l’inductance L.

Figure 14: La technique TDR appliquée à une résistance en série avec une inductance.

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Chapitre IV Réflectométrie dans le Domaine du Temps

 La charge est une résistance en parallèle avec une inductance

Dans ce cas, il a une résistance Rd plus petite que la résistance de la ligne en parallèle
avec une inductance L.

Rd  Rl Rd  Rl t
C
i   f  1 C  L  Em  Ei.(1   i ).e
Rd  Rl Rd.Rl

Figure 15: La technique TDR appliquée à une résistance en parallèle avec une inductance.

Il y a divers cas possibles de circuits qui peuvent être rencontres en [13], [15] et [16]. Ça
va nous aider à exploiter les réponses aux échantillons qui on va mesurer dans ce travail.

Sur la figure 16, la forme d'onde est le résultat d'un déplacement idéal d'impulsion par un
milieu de transmission. Un module de prélèvement de TDR commande l’impulsion avec un
risetime rapide et des aberrations minimales. [17]

Figure 16: La forme d'onde de TDR indique des discontinuités de trace.

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Chapitre V Préparation des Echantillons

CHAPITRE V

Préparation des Echantillons

1. Introduction

2. Le Vieillissement

Cinquante cartes-test sont faites afin de réaliser essais différents. Quarante quatre cartes-
test sont soumises à haute température (85°C), le taux de humidité élevé (85%RH) vieillissant
(essai de HAST), suivant un step-test séquentiellement observé. Les décalages d'impédance
veulent mesuré par TDR, provenant de l'absorption d'humidité par le substrat FR4, et sa
modification chimique et le produit chimique (oxydation) et dégradation géométrique (corrosion)
des pistes. Un stockage sous l'atmosphère à haute température (85°C) et sèche permet une pleine
désorption accélérée de l'humidité de la carte.

Afin de valider l'étape de séchage, six DUT additionnels sont sélectionnés au four après
170 heures sous l'atmosphère humide, et stockés dans les états de la chambre (5500h) pour
obtenir une désorption lente de l'humidité de carte.

Tableau 5: Les étapes de vieillissement.

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Chapitre VI Les Mesures en TDR

CHAPITRE VI

Les Mesures en TDR

1. Introduction

Pour mésuser les échantillons, nous disposons d’un oscilloscope à haute vitesse
Tektronix 11802 avec le module TDR/TDT (sample head SD-24).

La préparation des échantillons et le calibrage de l’oscilloscope sont très simples. Nous


avons choisi la chaine TDR de l’oscilloscope avec une amplitude de 100mV et accouplés avec
câbles de 50. Pour n’avoir pas de réflexion dans la sortie du résonateur (circuit ouvert), il faut
faire un accouplage avec une charge de 50 aussi. Alors, il aura seulement la réflexion à cause
du résonateur.

2. Les Mesures des Stubs

Nous avons fait mesures sur les échantillons B des Stubs. L’illustration montre
l’accouplage dans la sortie du stub, où Rd=Zl. Alors, nous pouvons analyser l’amplitude, le
largueur et les formes de perturbations du résonateur.

Figure 17: Schéma de montage pour mesure en TDR et sa respective forme d’onde.

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Chapitre VI Les Mesures en TDR

Pour faire les contacts ohmiques entre les adaptateurs et les pistes de cuivre du Stub, nous
avons mis une peu de l’argent liquide (silver print).

Figure 18: Détail du contact ohmique avec d’argent liquide.

Les Résultats des Mesures

Pour assurer la précision des mesures, nous avons fait deux à trois mesures en chaque
échantillon. A chaque mesure nous avons démonté et remonté l’échantillon sur le test fixture. Il a
eu un peu de variation de réponse à cause des contacts entre les adaptateurs et les pistes de
cuivre. Nous pouvons vérifier ça en regardant les mesures du Stub 0B.

TDR Stub 0B

40

20

-20
Milivolts

-40

-60

-80

-100

-120
66,010 66,498 66,987 67,475 67,963 68,451 68,940 69,428 69,916 70,405 70,893
Nanosecondes

Test 1 Test 2

Figure 19 : Comparaison entre deux mesures en TDR du Stub 0B.

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Chapitre VI Les Mesures en TDR

Le Stub 0B représente un échantillon nouveau. Nous pouvons vérifier les mêmes


problèmes en regardant les mesures des Stubs 8B, 9B et 10B qui sont soumis aux tests identiques
de vieillissement.

Stub B

40

20

-20
Milivolts

-40

-60

-80

-100

-120
66,01 66,51 67,01 67,51 68,01 68,51 69,01 69,51 70,01 70,51 71,01
Nanosecondes

8B 9B 10B

Figure 20 : Comparaison entre les mesures en TDR des Stub 8B, 9B et 10B.

De la même façon, nous pouvons analyser les variations entre un échantillon nouveau
(Stub 0B), un intermédiaire (6B) et un vieux (10B).

Stub B

60

40

20

-20
Milivolts

-40

-60

-80

-100

-120
66,01 66,51 67,01 67,51 68,01 68,51 69,01 69,51 70,01 70,51 71,01
Nanosecondes

0B 6B 10B

Figure 21 : Comparaison entre les mesures en TDR des Stub 0B, 6B et 10B.

On trouve dans ces analyses qui l’élément plus responsable par la variation du signal
c’est la qualité du contact ohmique entre les adaptateurs e les pistes de cuivre. Le TDR ne peut

Master QFiab - 30 - Uilian SOUZA


Chapitre VI Les Mesures en TDR

pas montrer le vieillissement des échantillons à cause de la faute de précision des contacts de
mesure. La faute de précision des contacts de mesure peut être de positionnement où de excès
d’argent sur la piste.

Figura 22: Le positionnement de l’adaptateur sur la piste de cuivre.

3. Le Mesure en TRD de l’Anneau

Ce n’est pas possible de faire mesures en TDR des anneaux à cause de la discontinuité
d’accès de la piste de cuivre à l’anneau (coupling gab). Le TDR vois la discontinuité comme un
circuit ouvert et ne montre pas la résonance de l’anneau.

Figure 23: La discontinuité de la piste d’accès à l’anneau.

Alors, nous n’avons pas fait mesures des anneaux. Nous avons analysé seulement les
Stubs qui déjà nous ont donné informations suffisantes pour savoir si le TDR est un outil
important pour évaluer la fiabilité des circuits RF en cartes de PCB.

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CONCLUSION

Le TDR est un outil très intéressant pour caractériser défauts dans la piste de cuivre de
cartes PCB à travers ses variations d’impédance. Mais, malheureusement, ne peut pas
caractériser le vieillissement de la carte en circuits RF.

Les circuits qui nous avons testé sont très sensibles et la précision de l’oscilloscope
n’arrive pas à savoir dérives de leur résonance. La qualité des contacts d’entrée et sortie sont plus
importantes pour faire le circuit fonctionner à la fréquence correcte.

Nous avons fait beaucoup de mesures sur les Stubs. A chaque mesure, nous avons arrivé
à réponses différents à cause de la variation de la qualité des contacts ohmiques entre les
adaptateurs et le circuit. C’est très difficile de faire le contact avec d’argent liquide qui exige
beaucoup d’habilité manuel. Autre dérange c’est attendre l’argent sécher. Ça dépense au tour de
quinze minutes et il y a fois qui le contact ne marche pas.

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REFERENCES

[1] G. Duchamp, F. Verdier, Y. Deshayes, F. Marc, Y. Ousten, Y. Danto – Reliability of Low-Cost


PCB Interconnections for Telecommunication Applications, Microelectronics Reliability vol.44, pp
1299-1304.
[2] www.ixl.fr; accédé en 04/2005.
[3] Zbinden PCB – Le Circuit Imprimé Ecologique.
[4] Martin Goosey – New Printed Circuit Board Laminate Materials, 04/2003.
[5] Gold Phoenix Tech – Cost Analysis of Printed Circuit Board, 04/2004.
[6] http://www.emtonthenet.net/glossary/fr4laminate.html; accédé le 05/2005.
[7] http://www-ese.fnal.gov/ese-dfe/Impedance.htm; accédé le 06/2005.
[8] Arnold Wiemers – The Future of the PCB, 08/1999.
[9]
[10]
[11]
[12] Mark D. Tilden – Measuring Controlled-Impedance Boards with TDR, 02/1992.
[13] Hewlett Packard – Time Domain Reflectometry Theory, 05/1998.
[14]
[15] TDA Systems – TDR Interconnect Modeling Quick Guide, 11/2004.
[16] James R. Andrews – TDR and TDT Measurement Fundamentals, 11/2004.
[17] Tektronix – TDR Impedance: A Foundation for Signal Integrity, 05/2005.

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