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Es un componente electrónico formado por materiales

semiconductores, de uso muy habitual, pues lo


encontramos presente en cualquiera de los aparatos de
uso cotidiano como las radios, alarmas, automóviles,
Laboratorio criterios de ordenadores, etc.

diseño y margen de error. Los transistores son unos elementos que han facilitado,
Cristhian Eduardo Molina Celis (201420071509) en gran medida, el diseño de circuitos electrónicos de
Andrés Felipe Escalante Sarrias (20142007157) reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de control.
Jaime Alejandro Solano (20142007155)
Grupo 742
Universidad Distrital Francisco José de Caldas
Facultad de Ingeniería, Ingeniería Eléctrica.

Resumen En este documento se presenta una breve


instancia a una configuración que realizaremos en el
laboratorio. Se trata de la configuración emisor
común el cual fue escogido por nosotros ya que la
práctica es libre y tratara de diseño en transistores.

I. INTRODUCCIÓN Figura 2. Forma física de transistor.

El transistor es el componente semiconductor más


importante dentro de la revolución de la electrónica, Un transistor puede tener 3 estados posibles en su trabajo
que consta de tres terminales y es utilizado en las dentro de un circuito:
prácticas de electrónica para una variedad de funciones
de control, como lo son: amplificación, oscilación,
• En activa: deja pasar más o menos corriente.
conmutación y conversión de frecuencias; y
aplicaciones en circuitos. • En corte: no deja pasar la corriente.
• En saturación: deja pasar toda la corriente.

II. TRANSISTOR
Polarización de un Transistor
A. Funcionamiento y representación
Polarizar un transistor significa fijar tensiones y
Es un dispositivo que regula el flujo de corriente o de
corrientes de modo que estas solidifiquen un valor
tensión actuando como un interruptor o amplificador
determinado, el cual se le asigna en un plano ciertas
para señales electrónicas. Es el componente electrónico
características que en un punto asignado (Q),
estrella, pues inició una auténtica revolución en la
denominado punto de reposo o de trabajo de un circuito.
electrónica que ha superado cualquier previsión inicial.
B. Configuración de un transistor

Todos los transistores pueden polarizarse de tal manera


que logre fijar una polarización común, es decir que dicho
elemento logra formar parte de una afinidad de entrada
como de salida. Este puede ser cualquiera de las tres (3)
terminales (Base, Colector, Emisor).
Figura 1. Simbología del transistor (Base, Emisor, Colector)
Configuración de transistor (BJT) como amplificador de
señal.
Un amplificador es un artilugio que eleva o amplia la
magnitud de una señal de entrada sin modificar su forma
de onda. Transistor 2N2222A
Puede amplificar pequeñas corrientes a tensiones
pequeñas o medias; por lo tanto, solo puede tratar
potencias bajas (no mayores de medio Watts), esto
hace que pueda trabajar a frecuencia medianamente
altas; debido a esto es un transistor de uso general,
frecuentemente utilizados en aplicaciones de radio
Figura 4.Señal de la onda. por los constructores aficionados de radios.

Este amplificador de señales requiere un punto común el


cual, debe estar ligado a sus otras 3 terminales.
Dependiendo del terminal que se toma en común, se
tendrá una configuración específica del transistor para su
uso como amplificador.

-Configuración base común.


-Configuración emisor común.
-Configuración Colector común.

Figura 6. Transistor 2N2222A


-Configuración emisor común.

La tensión de entrada se aplica entre la base y emisor y


III. PROCEDIMIENTO
la tensión amplificada se obtiene entre el colector y
emisor.
Para el diseño de nuestro circuito teníamos dos
condiciones iniciales:

 Ic = Tres últimos dígitos del documento de


identidad más alto en µA
 Debía contener una resistencia de emisor (RE)
Teniendo en cuenta esas condiciones iniciales procedimos
a realizar nuestro diseño con las siguientes características:
3
 Vcq = 5 Vcc
 Vcc = 30V
Figura 5. Configuración emisor común.  Hfe (β) = 230
 Polarización emisor común
𝑖𝑐 = 𝑖𝑏 ∗ 𝛽  Documento  1014264825
 Transistor 2N2222A
Para que esta señal sea amplificada, tiene que ser
una señal de corriente alterna, de modo que
amplificar corriente continua no proporciona
información debido a su comportamiento.

C. Tipo de Transistor
Llegamos a:
 VRe = 1.2 V
𝑉𝑅𝑒
 Re = 𝐼𝑒
 Re = 1.45 KΩ
Entonces:
 Vce = Vcq – VRe
 Vce = 16.8 V
Por otro lado, de la malla 2 tenemos:
 Vcc = VRb + Vd + VRe.
 VRb = Vcc – Vd – VRe
 VRb = 28.1 V
𝑉𝑅𝑏
 Rb =
𝐼𝑏
 Rb = 7.85 MΩ

Basándonos en los cálculos presentados anteriormente,


procedimos realizar el montaje experimental para el cual
tuvimos un pequeño una pequeña variación en el valor
Figura 7. Montaje teórico inicial del diseño. de las resistencias y el hfe de nuestro transistor cuando
fueron medidos con el multímetro, lo cual no significo
Partiendo de las condiciones iniciales y las características mayor cambio en los resultados.
de diseño previamente mostradas, procedimos a realizar Medidas tomadas en el laboratorio:
los respectivos cálculos para determinar los valores de
resistencias, corrientes y voltajes que se ajustaran a  Rc = 14.7 KΩ
nuestro diseño.  Rb = 7.6 MΩ
 Re = 1.47 KΩ
Malla 1  Vcc = VRc + Vce + VRe.  Hfe = 237
Malla 2  Vcc = VRb + Vd + VRe.

Tomando nuestra condición inicial Ic = 825 µA = .825


𝟑 IV. MATERIALES
mA, y como Vcq = 𝟓 Vcc = 18 V; entonces tenemos
que: • Resistencias (14.5kΩ, 7,8MΩ, 1.5kΩ)
 VRc = 12V • Multímetro
𝑉𝑅𝑐 • Fuente de voltaje (30V)
 Rc = 𝐼𝑐 • Transistor 2N2222A
Rc = 14.545 KΩ
Con ayuda de las ecuaciones:
 Ic = βIb
 Ie = Ic + Ib V. RESULTADOS
Tenemos que:
 Ib = 3.58 µA
 Ie = .828 mA
Ahora, usando como único criterio de diseño:

 VRe = 𝑉𝑅𝑐⁄10
Vce= 40.3mV
B (Ic/Ib)= 237

Podemos observar que los resultados teóricamente,


simulados y en práctica son bastante cercanos su
margen de error fue bastante baja ya que el diseño se
realizó y se ejecutó bastante bien.
VI. CONCLUSIONES

En lo realizado observamos que al momento de


realizar y poner en prueba los criterios de diseño
debemos tener bien en cuenta el beta que tomemos
ya que realizamos el ejercicio tres veces con betas
diferentes y en simulaciones no daba el mismo
resultado. Es muy importante o recomendable tomar
el beta entre 100-300.
Figura 9. Primer montaje con transistor 2N2222A
(Simulación). VII. REFERENCIAS

Resultados arrojados Teóricamente: Boylestad, Robert; Nashelsky, Louis;, Electrónica:


Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos,
México : Pearson Educación, 2009.
Ib= 3.6µA
http://electronicaml.blogspot.com.co/2013/02/confi
Ic= 849.5µA guracionesde-transistores-bjt.html
Vce= 16.3 V
Vrb= 28.09 V
Resultados arrojados en la simulación:
Ib= 3.6µA
Ic= 849.5µA
Vce= 16.3 V
Vrb= 28.09 V

Resultados arrojados en la práctica:

Ib= 1.95mA
Ic= 40.8mA