INSTITUTO TECNOLOGICO DE

AGUASCALIENTES

Materia: “Sistemas electrónicos”

Profesor: M.C Joel Azpeitia Luevano

Alumnos:

Edgar Iván Villa Godoy

Víctor Hugo Zepeda Gonzales

Gabriel Rodríguez Velasco

Oscar Daniel Flores Márquez

Brandon Andrehy Aguilar Calvillo

Jesús Alejandro Macías Monciváis

Practica N° 3

Grado 4to Grupo: 19:00 a 20:00 hrs.

1.-Objetivo.

El alumno obtendrá la curva característica de un transistor MOSFET

 El alumno obtendrá las características de un transistor MOSFET.

 El alumno operara un transistor MOSFET de baja ganancia conmutando
una carga resistiva.

MARCO TEORICO
Transistor MOSFET

El transistor MOSFET, está basado en la estructura MOS. En los MOSFET de

enriquecimiento, una diferencia de tensión entre el electrodo de la Puerta y el
substrato induce un canal conductor entre los contactos de Drenador y Surtidor,
gracias al efecto de campo. El término enriquecimiento hace referencia al
incremento de la conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de
portadores de carga en la región correspondiente al canal, que también es
conocida como la zona de inversión.

El movimiento de carga en el MOSFET se produce exclusivamente por la

existencia de campos eléctricos en el interior del dispositivo. Este tipo de
transistores se conocen como, efecto de campo JFET (del inglés, Juntion Field
Effect Transistor).

Tipos de transistor MOSFET

Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N

o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser
de acumulación (enhancement) o deplexion (deplexion); en la actualidad los
segundos están prácticamente en desuso y aquí únicamente serán descritos los
MOS de acumulación también conocidos como de enriquecimiento.
 Simbologia de los transistores MOSFET

Características de transistor MOSFET

El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material

semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a
ambos lados, (p. ej.2N4416). Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se
denominan drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).

La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente

polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser
mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a través de canal.
Además, la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente para que la
unión p-n se encuentre polarizado inversamente.

Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las curvas
de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados
por tensión a diferencia de los bipolares que son dispositivos controlados por
corriente. Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o
drenador a source o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS
(tensión drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro regiones básicas
de operación: corte, lineal, saturación y ruptura. A continuación se realiza una
descripción breve de cada una de estas regiones para el caso de un NJFET.

El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:

 Estado de corte: Estado de corte Cuando la tensión de la puerta es idéntica

a la del sustrato.
 Estado de NO conducción: El MOSFET está en estado de no conducción:
ninguna corriente fluye entre fuente y drenador aunque se aplique una
diferencia de potencial entre ambos.
  Conducción lineal: Al polarizarse la puerta con una tensión negativa
(pMOS) o positiva (nMOS), se crea una región de deplexión en la región
que separa la fuente y el drenador. Si esta tensión crece lo suficiente,
aparecerán portadores minoritarios (electrones en nMOS, huecos en
pMOS) en la región de deplexión que darán lugar a un canal de conducción.

 El transistor pasa entonces a estado de conducción, de modo que una

diferencia de potencial entre fuente y drenador dará lugar a una corriente.
El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensión de
puerta.

 Saturación: Cuando la tensión entre drenador y fuente supera cierto límite,

el canal de conducción bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las
cercanías del drenador y desaparece. La corriente entre fuente y drenador
no se interrumpe, ya que es debida al campo eléctrico entre ambos, pero se
hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.

Explicación de funcionamiento del tipo de MOSFET que corresponde al IRFZ44

En el caso del transistor MOSFET IRFZ44, nos interesa aplicar tensión en la

Puerta, para lograr la mínima resistencia entre Drenador y Fuente. En otro caso,
no obtendremos el mejor rendimiento, por la mayor disipación de calor, debido a
una mayor resistencia a la circulación de corriente entre Drenador y Fuente. No se
debe sobrepasar la tensión VGS máxima, ya que el transistor se estropeará. En
cambio, si la tensión de Puerta no alcanza un determinado voltaje, el transistor no
entrará en conducción.
 DESAROLLO

Material y equipo necesario.

Material:

 1 Resistencia 8Ω 25w
 1 Potenciómetro de 10k
 1 Disipador de alumno. Cables de conexión
 1 MOSFET IRFZ44 o similar 3 Amp, canal n)

Equipo:

 1 Fuente de alimentación de24 VCD, 3 Amperes min

 1 Amperímetro CD
 1 Voltímetro de CD
 1 Multímetro
 1 Generador de señales
 1 Osciloscopio

La práctica número 3 del curso consiste en tomar las medidas de la corriente en

dos puntos y el voltaje en un punto, determinados, esto con ayuda de los
multímetros, que dos medirán los voltajes y uno medirá los amperes, ya
obtenidos esos valores los anotaremos en un tabla para reflejar el
comportamiento del voltaje como de los amperes del circuito, además las
lecturas nos dirán que irán variando los valores de acuerdo al potenciómetro que
se comporta como una resistencia variable. A continuación la describiremos.

Primeramente tenemos una fuente de voltaje que consta de 24 volts corriente

directa, está la obtuvimos de los talleres de eléctrica, después el equipo
necesario para lograr el circuito y tomar las medidas y dando seguimiento al
circuito que nos brindó el profesor, empezamos a conectar paso a paso los
componentes del circuito. Entonces ya teniendo todos los materiales listos nos
preparamos para armar el circuito de acuerdo con la figura de MOSFET dado el
reporte, conectamos el MOSFET IRFZ44 en serie con la resistencia de 8Ω 25w
y con el potenciómetro de 10k, ya junto a los cables de conexión de banana y
los cables de conexión de banana-caimán conectamos todo el circuito, pero
lamentablemente no dábamos la medidas correctas ya que nosotros
conectamos directamente los multímetros para medir los voltajes y los amperes
del circuito, el profesor nos comentó que primero hagamos el circuito sin
conectar los multímetros, entonces conectamos el circuito como decía en la
figura del MOSFET, ya que nos quedó el circuito, ahora si conectamos los
multímetros, ya haciendo todo el procedimiento nos quedó la tabla de a siguiente
manera.

Vgs Volts ID ampers Vds. Volts

0 0 24.5

1 0 24.5

2 0 24.5

2.5 0 24.5

3 0 24.5

3.5 .75 2

3.7 .82 1.8

4 .82 .085

5 .82 .050

6 .83 .032

7 .83 .029

8 .82 .111

9 .83 .130

10 .82 .132

11 .82 .110

12 .83 .109

13 .82 .107

14 .82 .108

15 .82 .107
 Desarrollo 2da parte MOSFET

Primeramente conectamos dos bananas para la entrada de voltaje de 24 volts (vcd)

y después una a tierra o negativo (gnd) de la misma fuente, después y guiándonos
con el circuito conectamos en serie el reóstato con un valor de 16 ohm, que a
continuación daría a la entrada del drive (D) del MOSFET, también por la misma
salida del reóstato va una fase a la primera entrada del osciloscopio (C-1) y aquí
termina la primera parte.

Después en la fase del (G) del mosfet ira conectada una resistencia en paralelo con
tierra, y después de este mismo tendremos que conectar al generador de señales
para que introduzca el pulso, además de también su conexión a tierra como el de la
resistencia.

Entonces para el sorce del mosfet (S) este será conectado a la segunda entrada del
osciloscopio (c-2) y también a otro reóstato con el valor de 0.1 ohm que estará en
serie con tierra.
OBSERVACIONES

Al momento de realizar esta práctica nos dimos cuenta cómo es que debemos
realizar primero las prácticas ya que en nuestro caso conectábamos todos los
elementos del circuito y los multímetros al mismo tiempo, por esto tuvimos
problemas al momento de efectuar el circuito ya que no funcionaba correctamente
al momento de querer tomar los valores requeridos. Entonces para esto tuvimos
que conectar primeramente el circuito sin multímetros y una vez terminado de
conectar todos los elementos y asegurarnos de que estén bien conectados
conectábamos los multímetros para tomar los datos. También una de las cosas
que notamos es que al momento de ir aumentando el voltaje en el gate la corriente
aumentaba y el voltaje en el Drain disminuía, y así fuimos tomando medidas y fue
constante este acontecimiento, notando la función del MOSFET que es amplificar
las señales.
CONCLUSION:

Esta práctica fue muy relevante ya que todos los integrantes vamos aprendiendo
cada vez más el armado de cada circuito mejor dicho cada vez sabemos
interpretar el circuito de manera correcta, lo que pudimos observar en esta
práctica es que al subir el voltaje en el Vds. los amperes aumentaban cada vez
mas pero a su vez en el Vds. el voltaje disminuía debido a la caída de tensión
hicimos varias mediciones y pudimos observar que en las últimas medidas ya no
había tanta variación en las medidas y se mantenían estables tanto la corriente
como el voltaje Vds.

La segunda parte que era la del generador de señales también fue relevante pues
nos dimos cuenta que es muy importante conectar bien las salidas hacia el
generador además de checar que el circuito no esté haciendo falso pues de ser
haci no mostrara las ondas de forma correcta, una vez conectado todo
observamos que las ondas se generaban tal y como el profesor nos indico en una
especie de medio cuadro secuencial, también observamos que las señales
estaban en contra y formaban un cuadro entre sí, esto nos sirvió para darnos
cuenta de cómo reacciona el MOSFET en conmutación con carga resistiva y saber
identificar el comportamiento de las ondas mostradas en el osciloscopio y como
antes lo mencione esto nos es muy útil pues cada vez aprendemos a realizar los
circuitos de manera correcta y rápida.

BIBLIOGRAFIA APA

J. Millman, “Microelectrónica. Circuitos y sistemas analógicos y digitales”, 4ª

Edición., Hispano Europea, 1988.

Enrique Mandado, Juan J. Rodríguez, L. Jacobo Álvarez, “Manual de Prácticas de

Electrónica Digital”, Editorial Marcombo, ISBN-84-267-1004-2.