Etude et Modélisation des Composants Actifs Composants Actifs

1
Etude et Modélisation des

Base Emetteur Collecteur
Composants Actifs
Patrick Tounsi DGEI-INSA

Etude et Modélisation des Composants Actifs 2
I. Introduction
Pourquoi ? Pour…
•Comprendre
C d • Concevoir
C i
-Les phénomènes physiques mis en jeu - Protéger les CI des agressions

(pour le fonctionnement ou parasites)
- Limiter les phénomènes parasites
-Les limites de fonctionnement
- Fiabiliser les CI
- Comportement face aux agressions
(ESD, rayonnement …) - Améliorer les performances
- Les effets thermiques - Inventer de nouvelles structures
- Les évolutions - Utiliser de nouveaux matériaux

I. Introduction
Pour…
• Modéliser
- Créer des modèles physiques
- Définir leurs limites de validité
- Extraire les paramètres physiques
- Analyser les résultats des simulations
- Aj t lle modèle
Ajuster dèl
- Modéliser les défaillances

I. Introduction
Les étapes …
- Les semiconducteurs (propriétés, dopage, les trous et les électrons, concentration de porteurs,
conductivité effet dd’un
conductivité, un éclairement spécifique,
spécifique diffusion,
diffusion conduction,
conduction génération –
recombinaison, comportement en température …
- La jonction PN ( équilibre, champ électrique, ZCE, potentiel interne, barrière de potentiel,

contacts ohmiques, capacités parasites, l’avalanche, l’effet Zener , courant hors équilibre,
modèle physique…
- Le transistor bipolaire (les courants, le champ électrique, l’effet transistor, le gain en courant
et l’efficacité d’injection, charges stockées, l’avalanche, modèle physique ….
- Le transistor MOS (la capacité MOS, la formation du canal, la modulation du courant, ZCE,
pincement du canal
canal, équations du courant
courant, capacité parasites
parasites, les effets du canal court,
court modèle
physique …
- Les Circuits Intégrés (structures bipolaires et MOS, CMOS, registres, mémoires …)

II. Les semi-conducteurs

T= 0 K T
ni
_ _
p n  n i2
p, NA
Type N n, ND Type P

Concentration intrinsèque
A: Constante du matériau
 E  
n i2  AT 3 exp - G0  cm 6
 kT 
 EG0: Ecart bade interdite [eV]
K: Constante de Boltzman [eV/K]
T: Température [K]
Concentration de porteurs
p
n i2 Neutralité
Type n n  ND p
ND ND  p  NA  n
n i2
Type p p  NA n
NA
Loi d’action de masse np  n i2

III. Les principaux phénomènes liés aux S.C.

L conduction
La d ti dans
d lles S
S.C.
C
Appliquons une ddp sur le S.C.  E=-grad(V )
 déplacement des trous dans le sens du E
 déplacement des électrons dans le sens opposé de E
Courants (densité) de conduction
J n c x   qn x  n E J pc x   qpx  p E [A/cm2]
trou
E
Conductivité 
  J / E  q n n  p p  cm 1 
1
 cm 
q n n  p p 
électron Résistivité
Mobilité (dépendance de la température et du matériau et du dopage)


 n  T 2,5 cm 2 / Vs  
 p  T 2,7 cm 2 / Vs 
A 300K [cm2/Vs]

La diffusion
L phénomène
Le hé è ded diff
diffusion
i
n(x) p(x)
électrons trous
x x
dn x  dpx 
Courants de diffusion jn d x   qD n jpd x   qD p [A/cm2]
dx dx
KT KT
Dn  n Dp  p
Constante de diffusion [cm2/s] q q


Le phénomène de génération - recombinaison
n p
Génération thermique seule (sans recom)   g th
t t
n
Cas général  g   r   g  g th  r 
t
r  r  g th
Génération autre
Taux de recombinaison net que thermique
Recombinaison directe e-t
rn  rp  r   knp Semiconducteur hors équilibre
k: facteur de proportionnalité lié au matériau
n  n 0  n p  p 0  p
Recombinaison nette
On génère autant d’e que de t n  p
rn  rp  r  r   g th  knp
p  g th
r  k n 0  p 0  n n  k n 0  p 0  p p
A l’équilibre thermodynamique
r  0 et g th  kn i2 Durée de vie des porteurs excédentaires
Ce qui donne dans le cas général n p
r 
r  k (np  n i2 ) n p


Le S.C. hors équilibre thermodynamique
Selon le niveau du déséquilibre des concentrations, nous pouvons considérer deux cas :
Faible injection (ou faible perturbation)

Type n : n  n 0 p  n 0 n  n0  N D p  p
Type p : n  p0 p  p0 p  p0  N A n  n
Forte injection (ou forte perturbation)

Type n : n  n 0 p  n 0 n  n
Type p : n  p0 p  p0 p  p
Equations de continuité
n 1 J nx 1 J nx n
  ( g n - rn )   (gn - )
t q x q x n Il ss’agit
agit d
d’un
un simple bilan
de charges en transit dans
p 1 J px 1 J px p un volume élémentaire
  ( g p - rp )  -  (g p - )
t q x q x p


Génération de p
porteur en volume p
par éclairement ((faible injection)
j )
Retour à l’équilibre sans courant
dn dp
Application de l’équation de continuité  g n - rn  g p - rp
dt dt
dn n
Si l’on considère un s.c de type p , n  n 0  n  gn - Seuls les électrons sont affectés
dt n
La solution de l’équation diff. donne la loi de

« disparition » des porteurs excédentaires
((après
p arrêt de l’éclairement))
t
d( n ) n -
Dès que g n  0 -  n t   n 0e  n
dt n


Génération de p
porteurs en surface p
par éclairement ((faible injection)
j )
Type P, on considère les électrons (minoritaires affectés)
Les pporteurs excédentaires créés en surface sont à n Ré i stationnaire

Régime t ti i
l’origine d’un courant de diffusion: J nx  qD n
x
n
Application de ll’équation
équation de continuité 0
t
n  2n n
 Dn 2  gn -
t x n
d 2 ( n) n
En volume, régime stationnaire  2 0
dx 2 Ln
La solution donne la loi suivie par la répartition de la

concentration des porteurs excédentaires en fonction de x
x
- L n  D n n , L p  D p p
n x   n 0  e Ln L
Longueurs de
d diffusion:
diff i

IV. La jonction PN
C’est quoi une jonction PN ?

Combien de jonctions par composant ?
Où ttrouve-t-on
t ces jonctions
j ti ?
Structure CMOS (traitement numérique du signal)

Structure IGBT (traitement de l’énergie)

IV. La jonction PN
D’abord
D abord quelques repères
repères…
Expression des différences de potentiels A partir de maintenant on travaillera en
en fonction des concentrations de porteurs UNIDIMENSIONNEL
x
x1 x2
n  n 
V1 (réf V0 , n i )  U T ln 1  V2 (réf V0 , n i )  U T ln 2 
 ni  n1 n2  ni 
n 
Différence de potentiel V2-V1 V2  V1  U T ln 2 
 n1 
Le potentiel
L i l électrique
él i augmente avec la
l concentration
i des
d électrons
él
Faire la même chose avec les trou…
N
P

IV. La jonction PN
Jonction abrupte non polarisée  x  Concentration des charges fixes cm-3

IV. La jonction PN
Les outils…
outils
Dans les Zones de Charge d’Espace (ZCE), il faut utiliser l’Equation de Poisson !
Elle vient du théorème de de Gauss:
   x, y , z 
divE   x, y, z  : Charge nette (pour un SC, charges fixes des ions si ZCE)
 
 x , y, z    q(N D - N -A  p - n)
E   grad V Eq. de Poisson  2 V  

avec
 2V  x  q 
Une dimension     (N D - N -A  p - n))
x 2
 
 2V q -
Exemple
p pour
p la ZCE côté P (dopage
( p g uniforme NA)   NA
x 2 
 2V q 
Exemple pour la ZCE côté N (dopage uniforme ND)   ND
x 2 
En dehors, c’est la zone quasi-neutre   q(N D - N -A  p - n)  0
Dans les zones neutres ou quasi-neutres, il ne faut pas utiliser l’équation de Poisson !

IV. La jonction PN (non polarisée)

n i2
Zone N nn  N D et p n 
ND
n i2
Z
Zone P pp  N A et n p 
NA
Zone quasi-neutre
 (x)  0 ppour x  x p et x  x n
Zone de charge d’espace
 ( x )  qN A pour xP  x  0
 ( x )  qN D pour 0  x  xn
Tension de diffusion
kT  N D N A 
VD  Vn  Vp  Ln 2
  
q  ni 
Champ et potentiel dans la ZCE
d 2 V qN A d2V qN D
 ( zone P )   ( zone N )
dx 2
 dx 2

( x  x p )2  V x p  ( zone P) v ( x )   D ( x  x n ) 2  Vx n  ( zone N )
qN A qN
v(x ) 
2 2
qN A qN D
E( x )   ( x  x p ) ( zone P) E( x )   ( x  x n ) ( zone N )
  Patrick Tounsi DGEI-INSA
Attention, il y a aussi un champ électrique dans les ZQN si la concentration des porteurs n’est
pas uniforme !!!
Comment le calculer à l’équilibre T.D.? Avec l’équation de Poisson ? NON!!!

Il faut juste dire que le courant de diffusion est contrarié par le courant de conduction de sorte
que le courant total soit nul
kT 1 dn ( x ) kT 1 dp( x )
Champ électrique (à l’équilibre) E( x )   
q n ( x ) dx q p( x ) dx
Exemple, dopage linéaire, ici N(x)= ND(x)-NA(x)

Trouver l’expression de E(x) dans
N(x)=ax
P N les ZQN et mettre son sens sur la
figure
 p 0
-Xp n Xn
Si le dopage est uniforme (jonction
x
abrupte par exp), à l’équilibre le champ
électrique est nul dans les ZQN


L
Largeurs de
d la
l zone de
d charge
h d’espace
d’
Wp Wn
Zone QN type P Zone QN type N
x
xp 0 W xn
T
   
Continuité du vecteur déplacement
p en x=0 D  E D0   D0   E(0 )  E(0 )
Mê matériau
Même éi
qN A qN D
E ( 0)   (0  x p ) ( zone P)  E ( 0)   (0  x n ) ( zone N )
 
qN A x p  qN D x n on note Wp   x p , Wn  x n  N A Wp  N D Wn
( x p ) 2  V x p   
qN A qN D
Continuité du potentiel en x=0 ( x n ) 2  V x n 
2 2
2 NA 2 ND
Wn  VD et Wp  VD
qN D N A  N D qN A N A  N D
Wp Wn  Wp 2 N A  N D
N A Wp  N D Wn
W
 n   
WT D’où
D où WT  VD
NA ND NA  ND NA  ND q NA ND
IV. La jonction PN (polarisée)
On applique une tension V (ou Va) aux bornes de la jonction,

suivant son signe on parle d’une polarisation directe ou inverse
Remarque: Ici V c’est VAK = VA-VK
V est négative/positive
Polarisation directe/inverse
La ZCE devient plus large/étroite

IV. La jonction PN (polarisée)
On applique une tension V (ou Va) aux bornes de la jonction,

suivant son signe on parle d’une polarisation directe ou inverse
V V

IV. La jonction PN (polarisée en direct)

En polarisation directe, c’est le phénomène de diffusion qui est favorisé.
Le courant est de type courant de diffusion, les électrons diffusent dans la zone P et
les trous dans la zone N. Pour exprimer ces courants, il faut déterminer la
concentration de départ (à la frontière de la ZCE)
Concentration des électrons à la frontière côté P
q 2 q
V n V
En xp n p  n pe
' kT  i
e kT
NA
Concentration des trous à la frontière côté N
q q
V n i2 kT V
En xn p'n  p n e kT  e
ND
En xn et xp on a
q V
V
n p n p n e
'
p
'
p
'
n
'
n
2 kT
i n e
2 UT
i
V étant la tension directe appliquée

UT # 25mV à 300K

Expressions des courants à l’intérieur du semiconducteur
Pour exprimer les courant, il faut d’abord exprimer les distribution des porteurs dans les
régions neutres
p   2
p p  pn
J p x   qD p p
 Dp 2 
Région N: Diffusion des trous
x t x p
d 2p p  pn
Régime stationnaire   0 Equation de continuité
dx 2 L2p p 1 J p x  p  p n
 
t q x p
En x  x n p 'n  p n exp
qV  n 2
 En x  x c Recombinaison rapide : p n  i
 kT  ND
A admettre,
ppropriété
p des contacts métalliquesq Ohmiques
q
pn   qV    x c  x  
p  pn   exp   1sh
 kT    L p 
Solution
 xc  xn  
shh 
 L 
 p 
n  np 
np  
 exp   1sh

qV    x  x 'c 
De même p pour les électrons qui
q diffusent
 xp  xc  
'
 kT    L n 
dans la zone P   
sh
 Ln 
 
Les courants des porteurs
p n
Ré i N:
Région N J p x   qD
Dp Région P: J n x   qD p
x x
p  pn 
pn   qV   1sh x c  x   n  np 
np  
 exp
qV    x  x 'c
  1sh
 
 exp  
 xc  xn    kT    L p   x p  x 'c    kT    L n 

sh  sh 
 L   Ln 
 p   
p n  n i2 / N D n p  n i2 / N A
qni2 D p   qV     xC  x   J n ( x) 
qni2 Dn 
 exp

 qV    x  xc
  1ch
'
 
J p ( x)   exp   1ch
 xc  xn    kT    L p   x p  xc'    kT    Ln 

N D L p shh  N A Ln sh 

 L   L 
 p  n
Cas d’une
d une jonction courte,
courte les expressions se simplifient:
qn i2 D p
 qqV   qn i2 D n   qV   1
Jp  e p
 exp   1
Jn 
 
xp  xc 
exp


 
 
N D x c  x n  
' kT
 kT   NA
Remarque: ces courants ne dépendent pas de x Patrick Tounsi DGEI-INSA

Densité du courant total
Hypothèse : Pas de recombinaison dans la ZCE J n x p   J n x n  et J p x n   J p x p 

Le courant total est conservatif
J  J n x p   J p x p   J n x n   J p x n   J n x p   J p x n 
(indépendant de x)
 qV  
En x=xn et en x=xp J  J s  exp   1
  kT  
qn i2 D p qn i2 D n
Avec Js   avec d p  x p  x 'c et d n  x c  x n
 dn   dp 
N D L p th  N A L n th 
L   Ln 
 p
Jonction longue Jonction courte
qn i2 D p
qn i2 D n qn i2 D p
qn i2 D n
Js   Js  
N D Lp N A Ln N Dd n N A d p

IV. La jonction PN (polarisée en inverse)
Complété
p p
par les élèves à l’aide d’une
mini-recherche bibliographique

IV. La jonction PN , capacités parasites
Capacité de transition CT (polarisation inverse)
En polarisation inverse on a : Vn - Vp  VD  Vappl    Vappl

S
Il apparaît une capacité due aux charges fixes de la CT  , WT : Largeur de la ZCE, S : Section
ZCE : WT
kT  N D N A 
Dans le cas d’une jonction abrupte (dopage uniforme) on a : VD    Vn  Vp  Ln 2


q  ni 
2 N A  N D
Et la largeur de la zone de charge d’espace est donnée par : WT    Vappl 
q NAND
qN A N D
CT 
2N A  N D   Vappl 
D’où la capacité de transition : pˆ (x)
pˆ J
Charge stockée et capacité de stockage CS (polarisation directe)
Dans la région N, par exemple, les porteurs en excès (trous) venant de la
Jonction
Contact
région P sont compensés par un apport équivalent d’électrons venant des
contacts de façon à maintenir la quasi-neutralité, ceci donne une charge
C
stockée QS.
J
Q S  J p SdQ QS
CS  S
 est soit le temps de transit soit la durée de vie dVappl
La conductance dynamique
y d’une jjonction est définie par: g  dI / dVappl x
xn Région N xc
Si l’on considère une jonction P+N, I=IP et g=gP
D’où : CS  g P  g
IV. La jonction PN , profil de dopage quelconque

Considérons que dn<<Lp et que dp<<Ln, de telle sorte que les porteurs minoritaires traversent les régions neutre sans
recombinaison, et forment donc des distributions linéaires (cas d’une jonction courte)
On montre que l’on peut écrire :

qn i2 D n   qV  
qn i2 D p   qV   Jn   exp   1
Jp   exp   1 et xp
  kT  
 kT   ' N A x dx
xc

 N D x dx xc
xn qni2 Dn qni2 D p
q
D’où le courant de saturation de la diode : Js  xp
 xc
 N x dx  N x dx
A D
xc' xn
Exemple d’une jonction P+N
Jn Jp d ( pn)
dx  q( pn) B  ( pn) J 
p(x) n( x)
p n  Jn  dx  J p 
qDn qD p dx N
Dn N
D p
Intégration sur la région N
A Région P Région N B
p(x)dx n( x)dx WP WN
Jn   JP 
N
Dn N
Dp J
Vappl
( pn) B  ni2 +
qni2Dp  Vappl  
Jp  exp  1
 Vappl
( pn) J  ni2 exp

  n(x)dx   T  
N
U
 UT 
V. Le transistor MOSFET
Metal-Oxide
O S
Semiconductor Field Effect
ff Transistor
Le MOSFET utilise un seul type de porteurs (é pour le canal N et t pour le canal P), c’est
un composant unipolaire
VGRILLE
L
VSOURCE
Z VDRAIN
dioxyde de
silicium
source drain (SiO2)
substrat
VSUBSTRAT
Les porteurs passent à travers une passerelle très fine appelée canal. Il est formé d’une
accumulation de porteurs sous ll’isolant
isolant (Oxyde de silicium)
C l
Canal
D D
ID ID
G VDS G VDS
VGS VGS
S S
NMOS: VDS>0, ID>0 PMOS: VDS<0, ID<0

V. Le transistor MOSFET (Capacité MOS et canal)

VG > 0
Métallisation de grille
++++++++++++
Dioxyde de silicium (SiO2)
- - - - - - - - xd
silicium + + +
silicium type P
Métallisation
Le fonctionnement MOS est basé sur On utilise la capacité MOS pour

ll’effet
effet du champ électrique à travers attirer des charges. Ici la tension VGS
une capacité crée une ZCE sous l’oxyde de Si
VG > 0
++++++++++++
xd max ----------------- porteurs minoritaires

- - - - - - - - A partir d’une certaine valeur de
VG appelée VT, Une zone
silicium type P
d’inversion est créée elle forme le
canal qui permettra le passage d’un
courant entre Drain et Source
Remarque: VG est en fait VGB=VG-VB (B pour Bulk ou substrat)

V. Le transistor MOSFET (Etude de la capacité MOS)
Régime d’accumulation :VG<0 Régime de déplétion: 0<VG<VTH
Accumulation de trous à l’interface S.C./isolant Accepteurs ionisés  ZCE (en vert)
Remarque: Nous considérons ici un MOS à canal N, appelé aussi NMOS

Régime d’inversion: VG>VTH
Fabrication d’un MOS
En bleu, apparition d’une couche d’inversion (changement du type du s.c).

C’est la création du canal.


Capacité apparente pour différentes polarisations
S: surface totale de de la grille

 ox eox: épaisseur de l’oxyde
l oxyde
Cox  S accumulation
eox
 ox
C eq  S  C ox
e ox
 si
Cdepp  S
Wdep
déplétion inversion
1 1 1
 
Ceq Cox Csc
CSC: Capacité dans le

Silicium


C
Capacité
ité apparente
t pour diffé
différentes
t polarisations
l i ti
Basse fréquence
 si C ox
C min 
 si  C ox Wdep max
Haute fréquence
q

E
Expression
i ded lla tension
t i de d seuil
il VT ou VTH (cas
( idé
idéal)
l)
kT  N A 
On définit la tension : B  Ln 
q  ni 
La tension de seuil s’exprime alors: VT  Vox  2 B

Q sc
Vox est la tension aux bornes de l’oxyde, elle s’exprime : Vox 
C ox
 NA 
On peut montrer (voir eq 23 du polycopié, CANAL N): Q sc  4q U
si T N A ln  
 ni 
4 q si N A  B
D’où l’expression de la tension de seuil : VT  2 B  C ox
Dans les cas réels, il faut tenir compte des imperfections et considérer :
Tension de bandes plates VFB1
Charges dans l’oxyde Qox qui se traduisent par une tension VFB2=-Qox/Cox
 Etats d’interfaces VFB3
VT  VT idéal  VFB1  VFB2  VFB3 Patrick Tounsi DGEI-INSA
Description
p des différentes zones suivant les différentes polarisations
p de la grille
g
Dans ce qui suit, on met la source au même potentiel que le substrat (bulk).
Dans ce cas la commande est VG =VGS
VG<VFB<0
Régime d’accumulation
d accumulation
VG>VFB>0
Régime de déplétion
VG>VT
Régime d’inversion, création du canal

Modes de conduction du MOSFET
MOS conducteur (régime linéaire, VG>VT, VD>VS, VDS<VGS-VT)
VG>>VT>0
Le transistor fonctionne en régime dit linéaire ou ohmique
Le canal et est plus mince au voisinage du drain car VD>VS
VG influe directement sur l’épaisseur du canal et donc sur sa conductivité.
Le courant que l'on

l on peut faire passer entre le drain et la source est donc modulé
par la tension appliquée à la grille VG.
Modes de conduction du MOSFET
MOS conducteur (régime de saturation, VG>VT, VD>VS, VDS>VGS-VT=VDSsat)
VG>VT>0
Le canal devient très fin, et quasiment inexistant côté drain.
Les p
porteurs ((ici des électrons car il s’agit
g d’un canal N)) sont ppropulsés
p à travers
une partie de la ZCE à leurs vitesse limite. Le courant n’augmente plus avec VDS
VDSsat = VGS – VT est appelée

pp tension de saturation drain-source.
Le courant correspondant IDsat est appelé courant de saturation.

Expressions du courant
VDsat=VGS-VT
VDS >VDsat
VDS <<VDsat VDS <VDsat
W
I D   n CoxVDsat VDS
W  V  I D  n
W
 
Cox VDsat
2
I D   n Cox VDsat  DS VDS 2L

L L  2 
Récapitulatif des principales relations
Une zone dépeuplée apparaît dans le semiconducteur la

concentration volumique
q est ppour un dopage
p g uniforme qN q A.
Cependant, nous pouvons aussi trouver la concentration
surfacique (sorte de projection sur la surface de l’interface) QS
[F/cm2]
N  Est la concentration des
Q s  2q si U T N A ln A  ps porteurs (ici trous) à l’interface
 ps 
La ZCE arrête de s’étendre n i2

ns  NA ps 
lorsqu’un faible inversion apparaît NA
L’épaisseur de la ZCE aura au maximum une épaisseur

QS 4 si U T  N A 
Wdep  Wdep  ln 
qN A Ce qui donne  si C ox
qN A  ni  C min 
 si  C ox Wdepp max
La capacité atteint son minimum formée par Cox en série avec Cdep
Récapitulatif des principales relations
VG>>VT Pour une tension bien supérieure à VT, on considère qu’une
forte inversion s’est installée
La concentration surfacique QS [C/cm2]
Q s  2q si U T n s
Par ailleurs la charge totale QSC=Qe+Qdep peut être trouvée à
partir de la tension aux bornes de l’oxyde Vox et la capacité
Qdep Cox: QSC=C CoxVox
Qe
Lorsque l’inversion se produit, la concentration d’électrons ici ‘fait

écran, seules Cox reste. Cependant si l’on fait des variations rapides
(HF) l’inertie
(HF), l’i ti des
d charges
h fait
f it que l’on
l’ reste
t sur Cmin. Cmin
C ox C dep  si C ox
C min  
C ox  C dep  si  C ox Wdep max

Aspects technologiques
Structure d’un inverseur NMOS E/D
Il existe aussi des MOS à appauvrissement ou à déplétion
Jusqu’à présent nous avons pris comme exemple le MOS à enrichissement à canal N
Aspects technologiques
Structure d’un inverseur CMOS

Modélisation
Modèle du MOS disponible dans la

librairie de Spice.
Spice Il se présente sous
plusieurs niveaux (LEVEL) suivant la
finesse et les phénomènes pris en compte
(Voir détails en annexe)

VI. Applications apparentées au MOS

Dispositifs CCD
Couple Charge Device

VI. Applications apparentées au MOS

Dispositifs CCD

VI. Le transistor Bipolaire

E
p de fonctionnement
Principe
IE IC
x Transistor
- ++
N+ P - N
IE Electrons IC Electrons venant de la base
-- + +
Base -- ++ IB
Trous -- ++ Electrons allant vers l'émetteur Electrons venant du collecteur
- ++
Emetteur - Collecteur
IB
VBE VCB
VBE VCB IE  IC  I B
 V  
IE  Is1 exp BE   1
  UT  
- ++
J E   Jn  J p E IE
N+ P
Electrons - N
IC
- +
J S1   Jn s  J p E s Jn -- + +
- +
JpE -- + +
- ++
Au niveau du collecteur, au mieux (si pas Trous -
de recombinaison dans la base) on ne
retrouve que Jn. Et dans le cas général IB
une proportion N de JE se retrouve au
collecteur (N pour fonctionnement normal). VBE VCB
 VBE  
IC    N IE    N Is1 exp    1

 U T    Patrick Tounsi DGEI-INSA

Ebers et Moll
Transistor à l’envers (l’émetteur devenant collecteur et vice versa), le courant principal sera alors celui
donné par la polarisation directe de la jonction B-C qu’on exprimera:
 V    V  
IC  Is2 exp BC   1 IE    I IC    I Is2 exp  BC  1
   U T  
  U T  
I est le gain en courant en fonctionnement inverse
inverse.
I est inférieur à N car le transistor a été optimisé pour le fonctionnement normal.
I comme N est inférieur à 1.
On suppose que les deux fonctionnements sont possibles, et si l’on considère que le transistor
bipolaire est un système linéaire, alors en vertu du théorème de superposition on a :
+ P N Système d’équations appelé “équations d’Ebers et Moll

IE N Jn IC
Jp
pE JpC 
 VBE    VBC  
IE  Is1 exp    1  I Is2 exp   1
 UT     UT  
IB
 V    V  
IC    N Is1 exp  BE   1  Is2 exp BC   1
J S2  J n  J p C        
  UT     UT  

Etude et Modélisation des Composants Actifs
Quelques explications sur le modèle dd’Ebers
Ebers et Moll
Quel est le type de ce transistor bipolaire ? PNP ou NPN ?
  VEB    V  

I S  EB  exp   1 I S CB  exp CB   1

   UT  
  UT  
Le transistor n’étant pas

symétrique, N >>I
  VEB     VCB  
 
I E  I S  EB  exp   
 1   I I S CB  exp   1
 
  UT     UT  
I B  I E  IC
 V    V  
I C   I S CB  exp CB   1   N I S  EB  exp EB   1
  
  UT     UT   51

0 WB
VI. Le transistor Bipolaire IE

N+ P N
x
Dans la conception base commune Jn(x)

IC
LnB
a) Facteur (ou coefficient) de transport de la base *, B ou B IB
Il s’agit de prendre en considération le phénomène inévitable de recombinaison dans la base des porteurs responsables
du courant principal (ici électrons)
électrons).
Le facteur de transport traduit donc le niveau d’importance des recombinaisons dans la base des porteurs responsables
du courant principal
2
W
   *  B  Courant d' électrons collecté au niveau de la jjonction B- C
B
 *   B  1  B2
Courant d' électrons injecté au niveau de la jonction E - B 2 Ln B
b) Efficacité d’injection B (ou rendement d’émetteur ou d’émission)
1
Courant d' électrons au niveau de la jonction E - B B Dp W N AB
B 1 E B
Courant d' électrons + courant de trous au niveau de la jonction E - B
Dn B WE NDE
c) Rendement du collecteur d ou facteur de multiplication M
Courant collecteur JC
M M
C
Courant
t d' électrons
él t arrivant
i t à la
l jonction
j ti B - C
Jn WB 
d) Gain en courant en montage base commune 
I J
 C  C 
J C Jn WB  Jn 0   M  *   B
IE JE Jn WB  Jn 0  J E
Dans la conception émetteur commun
a) Facteur (ou coefficient) de transport de la base  ou E

1 1 B

E   
Courant d' électrons arrivant au collecteur E   
J n  0 1
 1 1  B
Courant de recombinaison dans la base 1
J n WB  B
b) Efficacité d’injection  ou E
Courant d' électrons au niveau de la jonction E - B
E 
courant de trous au niveau de la jonction E - B
J DnB WE N DE
E  n E
J PE DpE WB NAB
IC
c) Gain en courant en montage émetteur commun  
IB
IB J p E  J Brec 1 J pE J Brec 1 1 
1
      
 IC Jn  Jn Jn E E 1
Exemples de structures
Structure de type ‘planar’ plus Structure verticale plus adaptée aux

adaptée aux circuits intégrés et au composants discrets et aux
traitement du signal applications de puissance

Eléments de modélisation Spice
Les principaux paramètre du modèle petits
ssignaux
g au so
sont:
BJT Parameters
BF Forward active current gain VJE Base-emitter built-
in p
potential
BR Reverse active current gain VJC Base-collector
built-in potential
IS Transport saturation current VAF Forward mode
Early voltage
CJE Base-emitter zero-bias VAR Reverse mode Early
voltage
junction capacitance NF Forward mode ideality factor
CJC Base-collector zero-bias NR Reverse mode
ideality factor
Junction capacitance
RB zero bias base resistance MJE base-emitter

base emitter
capacitance exponent
RE emitter resistance MJC base-collector capacitance
exponent
RCC co
collector
ecto resistance
es sta ce EG
Geenergy
e gy gap for
o te
temperature
pe atu e
effect on IS


C
Comparaison
i d
des caractéristiques
té i ti avec lle MOSFET

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