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En 1906, fue Henry Dunwoody quien desarrolló por primera vez un diodo
semiconductor, a partir de entonces fuerón muchos los estudios que se
realizarón sobre este componente y muchos de los problemas que
surgierón hasta que el diodo se pudo fabricar y comercializar ampliamente.
Desde finales de los años cincuenta hasta principios de los sesenta, fue
cuando la tecnología (Tecnología de semiconductores) recibió un gran auge
como consecuencia de obtener componentes menos pesados, más
pequeños y de menor consumo de potencia, con objeto de poderlos
utilizar en dispositivos espaciales.
V Vf
I
R
Vz
IR
Para el germanio la tensión de ruptura suele ser del orden de 40V, y para el
silicio la tensión de ruptura puede llegar hasta aproximadamente 1000 V, en
cualquier caso el fabricante será quien indique en las correspondientes
hojas de caracteristicas del diodo.
1N 4007
1A – 1000V