PHELMA – Travaux Pratiques 1ère année TP : Transistor Bipolaire

Transistor Bipolaire
I Notions élémentaires sur le transistor

Un transistor est constitué de deux jonctions PN tête-bêche. Les deux jonctions sont les
jonctions base-émetteur et base-collecteur.

Il existe deux types de transistors bipolaires :

• NPN → les électrons majoritaires de l'émetteur diffusent à travers la base et atteignent
le collecteur ;
• PNP → les trous majoritaires de l'émetteur diffusent à travers la base et atteignent le
collecteur.

A RETENIR : En fonctionnement normal direct (conduction), un transistor bipolaire s'utilise

de telle façon que :
• la jonction base-émetteur soit polarisée en direct (conductrice) ;
• la jonction base-collecteur soit polarisée en inverse (bloquée).

« L'effet transistor » permet une amplification de puissance importante, car à l'aide d'un faible
courant base, sous une tension base-émetteur faible (inférieure au volt), on obtient le passage
d'un fort courant émetteur à travers la jonction base-collecteur polarisée en inverse sous une
tension importante (quelques volts à quelques dizaines de volts).

Dans le TP, nous tracerons les caractéristiques statiques d'un transistor NPN. Pour un transistor
PNP; les tensions et les courants de polarisation sont de signes opposés (par rapport au
transistor NPN). Les transistors sont ainsi représentés :
C C
B B

E E

NPN PNP

II Polarisation du transistor

La polarisation d'un transistor consiste à fixer les tensions et les courants continus aux niveaux
des jonctions base-émetteur et collecteur-émetteur. Ces tensions et courants seront notés en
lettres capitales.

Exemple : IB0: courant de base VBE0 : tension base-émetteur

IC0: courant de collecteur VCE0 : tension collecteur-émetteur

II.1 Caractéristiques statiques

Les relations générales du transistor bipolaire sont : IE = IC + IB

• Lorsque le transistor est polarisé dans sa zone de conduction (VBE ≈ 0,6V), on définit ß, le
gain en courant statique tel que :
I
β = C (de l'ordre de 50 à 1000, suivant les transistors).
IB
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• Lorsque le transistor est bloqué (VBE<<0,6), IB = 0 et IC = 0.
• Lorsque le transistor est saturé (VBE> 0,6V), VCE ≈ 0 et IC< ß IB.

On définit le point de repos (ou de fonctionnement) du transistor par le quadruplet (IB0, VBE0,
IC0, VCE0). Le zéro en indice indique qu'il s'agit du courant fixé par la polarisation.

L'allure du réseau de caractéristiques est donnée Figure 1.

IC
β

P0 IB=IB0
IB IB=0
VCE
VCE0

VBE0
VBE
Figure 1: Réseau de caractéristiques

II.2 Exemple de schéma de polarisation (émetteur commun)

Les résistances et la source d'alimentation continue du schéma d'étude représenté à la Figure 2

sont calculées ou imposées pour obtenir le quadruplet de polarisation voulu.

IC0
R1
Rc

C
IB0
B E

E
I2
R2

M
Figure 2 : Polarisation par pont de résistances d'un étage émetteur commun

Les relations tension-courant sont : E = RCIC0 + VCE0 et IC0 = β IB0

R2
VBE0 ≈ E ≈ 0,6 V lorsque l'on choisit R1 et R2 telles que I2 >> IB0 (par exemple
R1 + R 2
I2 = 10.IB0, afin de bien fixer le potentiel VBE0).
L'allure des caractéristiques dans le plan IC=f(VCE) est représentée à la Figure 3.
On remarque que le dipôle C-E est équivalent à un générateur de courant dont la valeur ne
dépend que de IB.
L’équation E = RCIC + VCE est caractéristique du circuit dans lequel est branché le transistor.
Elle fixe la polarisation du montage et par son intersection avec une des caractéristiques du
transistor, elle fixe également le point de fonctionnement du transistor. La droite définie par
cette équation est appelée la droite de charge.

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IC

E/RC

IB = Cste

IB0
IC0

VCE0 E VCE
Figure 3: Réseau de caractéristiques (IC, - VCE)

III Etude en régime dynamique

III.1 Schéma équivalent petits signaux du transistor bipolaire

Pour l'étude du régime dynamique on utilisera le schéma équivalent petits signaux du transistor
donné Figure 4. c
B C
~
ib
v~be rb ~
β ib rce
v~ce

E
Figure 4 : Schéma petits signaux du transistor

Le schéma de la Figure 4 représente le transistor en régime dynamique, c'est à dire pour des
"petites" variations de Ic, IB, VBE et VCE autour du point de fonctionnement.
~ ~
Les variations seront notées ic , ib , v~ce et v~be .
Les grandeurs réelles Ic, IB, VBE et VCE sont obtenues en appliquant le théorème de
superposition :
~ ~
IB = IB0 + ib ; IC = IC0 + ic ; VCE = ICE0 + v~ce et VBE = VBE0 + v~be

Dans le schéma rb représente la pente de la courbe VBE = f(IB) autour du point de

fonctionnement (IB0, VBE0), et rce la pente de la caractéristique VCE=f'(Ic) au point de
fonctionnement (IC0, VCE0).

III.2 Application à l'amplificateur à émetteur commun

Afin de superposer un signal sinusoïdal à l'entrée du montage sans modifier sa polarisation, on

ajoute un condensateur de liaison Cle (voir Figure 5).
En appliquant un signal sinusoïdal, sur la base du transistor, le courant dans la base va évoluer
autour de la valeur IB0. Il s'en suit des variations sinusoïdales de IC et VCE de plus grande
amplitude, autour de leurs valeurs de polarisation.

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R1 Rc
Cls

Cle IC
IB B E

I2
Vs
Ve R2

Figure 5 : Montage amplificateur à émetteur commun

III.3 Travail de préparation

• A partir du schéma de la Figure 5, faire le schéma petits signaux du montage amplificateur

en supposant que les impédances des condensateurs Cle et Cls sont négligeables aux
fréquences de travail.
v~
• Calculer le gain en tension du montage G = ~s en fonction de rb, rce, RC, β.
ve

III.4 Amplificateur avec résistance d'émetteur

Afin de stabiliser le point de fonctionnement vis à vis des variations de température, on ajoute
une résistance d'émetteur (voir Figure 6).

R1 Rc
Cls

Cle IC
IB B E

I2
Vs
Ve R2
RE

Figure 6 : Montage à émetteur commun avec résistance d'émetteur

III.5 Travail de préparation

• A partir du schéma de la Figure 6, faire le schéma petits signaux du montage amplificateur

en supposant que les impédances des condensateurs Cle et Cls sont négligeables aux
fréquences de travail. La valeur de rce est grande devant les autres résistances et sera
négligée dans le schéma.
v~
• Calculer le gain en tension du montage G = ~s en fonction de rb, RC, RE et β.
ve

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• En supposant β ≈ 100, rb de l'ordre de 1kΩ, RE=100Ω et RC=1kΩ, montrer que le gain en
tension est peu dépendant des paramètres du transistor. Comparer au gain sans résistance
d'émetteur.

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Partie Pratique

I Relevé des caractéristiques statiques

Les caractéristiques du transistor seront tracées en utilisant la maquette de test et le programme

«Traceur». Le relevé du réseau de caractéristiques se présente sous la forme d’une feuille
partagée en 4 quadrants comme dans la Figure 1.

• Pour VCE=1V, relever la courbe IB(VBE) (Echelles : IB<50µA et VBE<1V).Vérifier que cette
caractéristique est indépendante de VCE en effectuant une nouvelle mesure pour VCE=5V.
• Tracer IC(IB) pour VCE = 5V
• Tracer IC(VCE) pour IB = 10 et 50 µA, ainsi que la courbe passant par le point IC1=5mA et
VCE1=5V.
• Imprimer le réseau des courbes. Exploiter ces caractéristiques et commenter les résultats.
• Donner les paramètres petits signaux rb, rce et β correspondant au point de fonctionnement
IC1=5mA et VCE1=5V.

II Amplificateur émetteur commun

II.1 Montage sans résistance d'émetteur

Réaliser le montage de la Figure 7. R2 est constitué de boîtes à décades afin de pouvoir faire
varier le point de polarisation.
• Faire varier R2 et relever IC et VCE. Reporter les points dans la caractéristique IC(VCE). A
quoi correspond la courbe ainsi relevée ?
• Régler R2 de sorte que le point de polarisation soit IC1, VCE1 (voir I de la partie pratique).
• Placer en Ve un signal sinusoïdal d’amplitude 10mV crête à crête et de fréquence 1kHz.
Justifier ces choix.
• Visualiser le signal VB et justifier son allure.
• Visualiser Vs et mesurer v~s . Donner le gain du montage et comparer aux valeurs attendues.
• Augmenter la tension Ve jusqu'à ce que Vs présente des distorsions. Justifier les valeurs de
celles-ci.

R1 = 100kΩ RC = 1kΩ

Cle = 1µF
B E = 10V

I2
VB Vs
Ve R2

Figure 7 : Montage d'étude de l'amplificateur à émetteur commun

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II.2 Montage amplificateur avec résistance d'émetteur

Réaliser le montage de la Figure 8 en ajoutant simplement la résistance RE et régler R2 de sorte

que le point de fonctionnement soit celui donné par IC1, VCE1.

• Mesurer le gain du montage, comparer au montage sans résistance d'émetteur et aux valeurs
attendues.

R1 = 100kΩ RC=1kΩ

Cle = 1µF
B Vs E = 10V

I2

Ve VB RE=100Ω
R2

Figure 8 : Montage amplificateur avec résistance d'émetteur

II.3 Montage amplificateur avec résistance d'émetteur et condensateur de

découplage

• Ajouter un condensateur de 680nF en parallèle avec la résistance RE. Comment évolue le

point de fonctionnement (une fois le condensateur chargé).
• Mesurer le gain du montage et comparer aux gains des montages précédents.
• Tracer le diagramme de Bode du montage.

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