Escuela Politécnica Nacional

Electrónica de Potencia

Nombre: Bryan Coque

Numero único: 201410333
Fecha: 23-04-2018
Deber No 1

Mediante al análisis de los archivos presentados contestar las siguientes interrogantes

1. ¿Porque estos semiconductores logran mejores especificaciones de potencia que los tradicionales
de silicio?

Actualmente la electrónica pretende optimizar recursos insertando nuevos dispositivos de potencia

particularmente semiconductores que trabajen temperaturas, voltajes y velocidades de conmutación
más altos que los Si.
La razón de sus mejoras en trabajos de potencia se puede mediante el siguiente análisis: A pesar
de sus enormes limitaciones funcionales, el transistor bipolar tenía una gran aplicación de
conmutación hasta la aparición en escena de los transistores de potencia MOSFET. El transistor
bipolar (BJT), para funcionar como interruptor de conmutación, requiere de una alta corriente de
base para entrar en estado de conducción o saturación y además, es relativamente lento en sus
características de apagado o corte, es decir, en la transición de la saturación al corte.
Como desventajas adicionales, podemos mencionar en primer lugar que el BJT posee una
considerable dispersión térmica debido a su coeficiente de temperatura negativo. La segunda
desventaja importante es la incidencia que puede alcanzar en un circuito mientras se encuentra en
estado de conducción. Este efecto se rige por la tensión de saturación entre Colector y Emisor (Vce),
que en muchas aplicaciones suele alcanzar valores de varios voltios. Hace poco se dedujo entonces
que el BJT no es un elemento totalmente idóneo para trabajar como interruptor ya que si la corriente
de colector es elevada, la potencia disipada en forma de calor puede llegar a niveles destructivos
para el transistor (P = V * I). Cuando las corrientes son pequeñas, los BJT pueden ser una solución
económica, pero si de electrónica de potencia hablamos, su utilización es la menos indicada.

El transistor MOSFET, en cambio, es un dispositivo en el que su estado de corte o de conducción se

controla mediante tensión en su terminal de control, no por corriente. El MOSFET tiene un coeficiente
de temperatura positivo, lo que les permite detener fugas o dispersiones térmicas. En estado de
conducción, su resistencia no tiene límite teórico, por lo tanto, su incidencia es notablemente inferior
dentro de un circuito eléctrico cuando se encuentra en estado de saturación. El MOSFET suele
tener también incorporado en su encapsulado un diodo, que es particularmente útil en el tratamiento
de sistemas conmutados de corriente, impidiendo la retroalimentación destructiva que se origina en
este tipo de aplicaciones.
Después te todo esto he deducido que en la industria ya existen dispositivos, máquinas y sistemas
completos que pueden trabajar con altas tensiones (Voltajes > 400 Volts) existiendo la necesidad de
disponer de semiconductores adecuados para aplicaciones industriales de alta corriente (IDS
>100 Amperes) apareciendo así los IGBT.

IGBT es un cruce, un híbrido, entre los transistores MOSFET y los BJT o bipolares que aprovecha
las bondades de ambas tecnologías. El IGBT tiene la salida de conmutación y de conducción con
las características de los transistores bipolares, pero es controlado por tensión como un MOSFET.
En general, esto significa que tiene las ventajas de la alta capacidad de manejo de corriente propias
de un transistor bipolar, con la facilidad del control de conducción por tensión que ofrece un MOSFET
En la actualidad, la capacidad de tensión de ruptura de IGBT comercial más alta es de 6,5 kV con
un rendimiento de conmutación limitado, y ningún dispositivo basado en Si puede funcionar a más
de 200 ◦C. se proyectan prometedores los materiales semiconductores basados en el carburo de
silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN) que muestran la mejor compensación entre las características
teóricas (capacidad de alto voltaje de bloqueo, operación a alta temperatura y altas frecuencias de
conmutación)
2. ¿Cuáles son las limitaciones tecnológicas actualmente existentes para su uso comercial?

Hay dos tipos de desafíos técnicos que enfrentan estos nuevos semiconductores.
Primeramente tenemos que los desafíos asociados para alcanzar el conocimiento técnica necesaria
para explotar todo el potencial de los nuevos sistemas de materiales WBG / EBG.
El segundo obstáculo es la competencia directa contra los dispositivos de potencia de silicio
existentes en el mercado que muchos de los consumidores los utilizan por que abarcan sus
necesidades a bajos costos iniciales. Bueno vale destacar que los semiconductores band gap han
progresado rápidamente en la última década
Existen también dificultades según el tipo de semiconductor a continuacion algunas dificultades:

•GaAs

GaAs tiene más infraestructuras de fabricación que cualquiera de los otros semiconductores
considerados en la actualidad. Sin embargo, comparado con nanómetro de silicio CMOS, falta en
una constante tecnología de escalado impulsada por una ruta bien planificada generado por el
consorcio industrial que maneja la comercialización en masa.

•GaN

Se prefieren los transistores GaN de potencia para potencia media a alta en aplicaciones, pero
generalmente se necesitan sustratos nativos de GaN. Mientras que el desarrollo del sustrato de GaN
ha progresado rápidamentel, aunque en las densidades de defectos, no se ha comprobado que tenga
una calidad suficientemente alta. Entonces, el desarrollo y comercialización los transistores de
potencia GaN están limitados por un sustrato rentable disponibles de Si. Además, debido a su banda
prohibida directa, solo los transistores de Unipolar GaN y diodos son factibles

•SiC

La vida útil de los portadores minoritarios debe ser mejorado aún más (> 20 μs) con voltaje de
bloqueo creciente para permitir una buena modulación de conductividad en dispositivos bipolares.