TRANSISTOR BJT

OBJETIVOS:
OBJETIVO GENERAL
Conocer cómo se componen los transistores teniendo como base lo explicado en
teoría como libros de apoyo y documentación de estos para su análisis de medición.
OBJETIVOS ESPECIFICOS

 Conocer las relaciones entre las corrientes de base, emisor y colector de un

transistor bipolar.

 Reconocer las tres zonas de funcionamiento sobre la curva de salida de un

transistor bipolar.

 Identificar los terminales de un transistor bipolar.

 Con la utilización de instrumentos de medición electrónica, determinar las

terminales para transistores NPN o PNP.

 Conocer su composición, funcionamiento e identificar un transistor en un

circuito electrónico.

MARCO TEORICO:
El transistor de unión bipolar es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente
en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de
la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la
conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades
(huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente
en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica
digital, como la tecnología TTL o BICMOS.
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.
Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en
cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),
colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la
flecha en el gráfico de transistor.
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le
introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregará por
otra (emisor) , una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama amplificación.
Este factor de amplificación se llama ß (beta) y es un dato propio de cada transistor.
Entonces:
Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a ß (factor de amplificación) por
Ib (corriente que pasa por la patilla base).
Ic = ß x Ib
Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es igual a (ß+1) x Ib, pero se redondea al
mismo valor que Ic, sólo que la corriente en un caso entra al transistor y en el otro
caso de sale él, o viceversa.
Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el
circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente
cuando se cambia Vcc. Ver la figura de la derecha.
 APLICACIONES DE LOS TRANSISTORES

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

 Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
 Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radiofrecuencia)
 Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación
conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM)
 Detección de radiación luminosa (fototransistores)

REGIONES OPERATIVAS DEL TRANSISTOR

Los transistores de unión bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son polarizados:
 Región activa directa en cuanto a la polaridad:

corriente del emisor = (β + 1)·Ib ; corriente del colector= β·Ib

Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de
corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la
corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib),
de β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que
se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de
señal.

 Región inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el
transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de
los BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo,
el parámetro beta en modo inverso es drásticamente menor al presente en
modo activo.
  Región de corte: Un transistor está en corte cuando:
corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje
de alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay caída
de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unión CE se comporta como un
circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

 Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:

corriente de colector ≈ corriente de emisor = corriente máxima,
(Ic ≈ Ie = Imáx)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación
del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en
ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el
colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando el
transistor esta en saturación, la relación lineal de amplificación Ic=β·Ib (y por
ende, la relación Ie=(β+1)·Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como un
cable, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy próxima a cero.

CUESTIONARIO PREVIO

1. ¿Qué tipos de transistores existen según su tecnología de fabricación? Explique.

Transistor de contacto puntual

Primer transistor, consta de una base de germanio semiconductor, sobre la que se

apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La
corriente de base es capaz de modular la
resistencia que se "ve" en el colector.
Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a
mano), frágil (un golpe podía desplazar las
puntas) y ruidoso, en la actualidad ha
desaparecido.
Transistor de unión bipolar

El transistor de unión, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio o

Silicio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre
conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de
cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del
mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores
(cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio
(In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminación (impurezas adicionadas intencionalmente) entre ellas
(por lo general, el emisor está mucho más contaminado que el colector).

Transistor de efecto de campo

El transistor de efecto campo es una familia de transistores que se basan en el campo
eléctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor.
Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de
semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora
como la región activa o canal.
Los transistores de efecto de campo más conocidos son los JFET, MOSFET y MISFET.
Fototransistor
Sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos. La luz
incide sobre la región de base, generando portadores
en ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado
de conducción. El fototransistor es más sensible que el
fotodiodo por el efecto de ganancia propio del
transistor.
Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero
puede trabajar de 2 formas:
1.- Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).
2.- Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. Ip (modo de iluminación).
Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lápices ópticos, etc.
Para comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n.
También se pueden utilizar en la detección de objetos cercanos cuando forman parte
de un sensor de proximidad.
Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un LED, formando
interruptores ópticos (opto-switch), que detectan la interrupción del haz de luz por un
objeto. Existen en dos versiones: de transmisión y de reflexión.

2. ¿Qué materiales se utilizan en la fabricación de transistores? Indique sus

características.
Los transistores suelen construirse de Ge o de Si según la técnica usada. Los
transistores de aleación prácticamente se usan sólo con el Ge, debido en gran parte a
su temperatura de fusión mucho más baja que la del Si.
Transistores de aleación
Por este procedimiento se puede realizar transistores PNP de Ge de pequeña y
mediana potencia (hasta 150 W). Normalmente se parte de discos de Ge
monocristalino tipo N. Se coloca en un molde de grafito, a la vez que se introducen dos
bolitas del componente de la aleación que se quiere formar (para este caso In). La de
mayor tamaño se coloca en la cara destinada al
colector y la más pequeña para el emisor. El conjunto
se introduce en un horno con una atmósfera neutra o
ligeramente reductora y se realiza el proceso de
vuelco. A una temperatura de 600 ºC se forma una
aleación eutéctica de In-Ge que contiene el 24% de Ge,
una vez girado el molde 90ºC. A continuación se gira dicho molde 180 ºC para la
formación del emisor. Los tiempos de permanencia en cada fase determinan la
profundidad de las uniones base-emisor y base-colector.
Transistores por difusión. Técnica Mesa
Sobre una oblea de Ge tipo P o Si tipo N, que constituye el colector, se difunde
arsénico o boro según se trate de Ge o Si respectivamente. El emisor se obtiene por
difusión (a veces aleación) de Indio para el Ge o de Fósforo para el Si. Se metalizan las
conexiones y se fijan los terminales por termocompresión. Como se ha podido
observar, se obtienen transistores PNP de Ge y NPN de Si.
La técnica mesa reduce las superficies de unión colector-base, eliminando en gran
parte la capacidad parásita asociada a esta unión (ya que normalmente está polarizado
en inversa). También permite obtener un reducido espesor de base, con lo que se llega
a frecuencias de corte de 500 Mhz. Además de estas características, podemos reseñar
la elevada superficie de colector, con lo que sus aplicaciones se pueden enfocar hacia
transistores de Radiofrecuencia (RF) de potencia. Algunos variantes más
perfeccionados con métodos epitaxiales se usan para VHF y en general para
conmutación rápida.
Transistores planares
El nombre de planar se debe a que la superficie de la pastilla permanece plana, es
decir, no presenta irregularidades geométricas como los transistores de aleación,
mesa, etc.
El proceso comienza por la obtención de máscaras de una escala 500:1
aproximadamente, para luego reducirse a tamaño natural mediante fotolitografía.
Estas máscaras van a determinar las zonas donde se han de hacer las difusiones
correspondientes a cada parte del transistor, incluidas las metalizaciones. Hay que
decir que las máscaras definitivas que se aplicarán a las obleas de Si, están constituidas
por una multiplicidad de máscaras elementales correspondientes a un solo transistor.
Es decir, que se fabrican unos 4000 transistores a la vez en la misma oblea y a
continuación se separan para su encapsulación.
El proceso de fabricación se va a explicar respecto a un transistor aislado, aunque
como ya se ha dicho no sea fiel reflejo de la realidad.

3. ¿Qué curvas características nos permiten explicar el funcionamiento del

transistor?
Son dos las curvas que se manejan habitualmente para
caracterizar los transistores JFET. En primer lugar, en la
representación de ID frente a VGS, para una VDS dada, se
aprecia claramente el paso de la región de corte a la de
saturación (Figura 8). En la práctica sólo se opera en el
segundo cuadrante de la gráfica, puesto que el primero
la VGS positiva hace crecer rápidamente IG.
En la característica VDS - ID del transistor NJFET se observa la diferencia entre las
regiones lineal y de saturación (Figura 9). En la región lineal, para una determinada VGS,
la corriente crece proporcionalmente a la tensión VDS. Sin embargo, este crecimiento
se atenúa hasta llegar a ser nulo: se alcanza el valor de saturación, en donde ID sólo
depende de VGS.
La región de saturación del JFET se identifica con la región activa normal de los
transistores bipolares. Mientras que en RAN la corriente de colector sólo depende de
la de base, aquí la magnitud de control es la tensión VGS. Por el contrario, si la
resistencia del JFET en la región lineal es muy pequeña puede encontrarse un cierto
paralelismo entre las regiones lineal de JFET y de saturación del BJT.

4. ¿En su estructura, en qué se diferencian los transistores PNP y NPN?

El transistor PNP trabaja alreves que el NPN,
Para exitar el NPN se necesita una corriente que circule de la base a emisor y activa la
corriente del colector a emisor.
El PNP necesita una corriente que circule de la emisor a base y activa la corriente del
emisor a colector (la corriente va en el otro sentido porque la diferencia de potenciales
se invierte)
La diferencia entre ambos esta marcada por el diseño de su circuito interno y y el tipo
de transmisor utilizado.
La diferencia mas importante es la salida. Si tomamos como ejemplo un sensor:

CABLE MARRON : Alimentación + 24V

CABLE AZUL: Alimentación - 0V
CABLE NEGRO: Salida
PNP - Salida Positivo +
NPN - Salida Negativa –

EQUIPOS Y MATERIALES
Protoboard
Resistencias
Transistor BC548
Miliamperímetro DC
Voltímetro DC
Fuente DC

PROCEDIMIENTO
Identificación del transistor
Identifique los terminales del transistor BJT

COLECTOR 1
BASE 2
EMISOR 3
 Terminal rojo (+) Terminal Negro(-) Lectura DMM
1 2 -----------
2 1 790
1 3 -----------
3 1 -----------
2 3 748
3 2 ----------

TABLA 2

1. Mediante el multímetro, obtenga las siguientes características del transistor: deducción del
tipo de transistor (NPN o PNP en los BJT), configuración de cada patilla y (hFE).

2. Para ello, encontrar cuál es la situación de los diodos y su polaridad. Una vez conocida la
correspondencia de cada patilla, colocar adecuadamente en el multímetro para medir en el
caso de un BJT. De esta forma se puede deducir si se trata de un PNP, de un NPN si son
BJTs.

3. Utilizando la hoja de datos analizar las siguientes características del transistor: tipo de
transistor, configuración de cada patilla, potencia máxima, VCE máxima, IC máxima, (hFE) y
frecuencia de corte.

4. En el circuito, T1= BC548B; Vref= 15V; Rb1= 4.7K ; Rb2 = 5M ; Rc1= 100 y Rc2 = 10K .
Se requiere ajustar Rb2 de tal manera que IB alcance los 25uA. A continuación se varía Rc2 de
forma de VCE sea 0V, 0.5V, 1V y 1.5 V midiendo en los distintos casos la corriente I C.

Vce=0v Vce=0.5v Vce=1v Vce=1.5v

Ib= 25 uA Ic 1= 1.3 8.1 8.3 8.9
Ib= 50 uA Ic 2= 3.8 15.1 16.1 16.4
Ib= 75 uA Ic 3= 1.3 19.0 23.5 24.1
Ib= 125 uA Ic 4= 1.4 27.0 38.7 37.3
5. Grafique Vce vs Ic.

6. Obtener las lecturas de VCE, IB, e IC empleando el multímetro, repitiendo el proceso para IB
igual a 50uA, 75uA y 125uA. Grafique Vce vs Ic para cada caso.

Características del Colector

a. Construya el circuito de la fig 2.

b.Fijar el voltaje VRB a 3.3V variando el potenciómetro de 1M. Esto fijará IB = VRB/RB a 10 A
como se indica en la Tabla 3.

c. Luego fijar VCE a 2V variando el potenciómetro de 5K como se indica en la primera línea de la

Tabla 3.

d. Registre el voltaje VRC y VBE en la Tabla 3.

e. Variar el potenciómetro de 5K parta incrementar VCE de 2 V hasta los valores que aparecen
en la Tabla 3. Notar que IB es mantenida a 10 A en los diferentes niveles de VCE.

f. Para cada valor de VCE mida y registre VRC y VBE. Use la escala de mV para VBE.

g. Repita los pasos B hasta F para todos los valores indicados en la Tabla 3. Cada valor de VRB
establecerá un nivel diferente de IB para la secuencia de valores de VCE.

h. Después de haber obtenido todos los datos, calcule el valor de IC = VRC / VC y el valor de IE =
Ic + IB. Use los valores medidos de Rc.
i.
Usando los datos de la Tabla 3, dibuje la curva característica del transistor en la fig. 3 La curva
es IC vs. VCE para los diferentes valores de IB Seleccionar una escala adecuada para Ic e
indique cada valor de IB.

Vrb(me) Ib(me) Vce(me) Vrc(me) Ic(cal) Vbe(me) Ie(calc) a(calc) b(calc)

3.3 10 2 3.11 0.64 0.55 1750 1 150
3.3 10 4 3.38 0.82 0.65 830 1 79.3
3.3 10 6 3.49 0.54 0.65 570 1 60.2
3.3 10 8 3.61 0.39 0.65 480 1 49.2
3.3 10 10 3.71 0.35 0.60 350 1 42.8
3.3 10 12 3.74 0.31 0.60 310 1 35.7
3.3 10 14 3.88 0.28 0.60 250 1 29.3
3.3 10 16 4.01 0.25 0.65 210 1 21.4
1
6.6 20 2 7.11 3.03 0.55 2540 1 165.9
6.6 20 4 7.12 1.78 0.54 1770 1 81.2
6.6 20 6 7.32 1.35 0.60 1230 1 71.9
6.6 20 8 7.54 0.99 0.55 930 1 57.7
6.6 20 10 7.84 0.78 0.60 782 1 49.3
6.6 20 12 8.77 0.68 0.55 658 1 38.3
6.6 20 14 8.93 0.45 0.55 540 1 29.6

9.9 30 2 10.01 3.54 0.60 5620 1 186.6

9.9 30 4 10.55 2.25 0.55 2450 1 103.8
9.9 30 6 11.12 1.78 0.55 1739 1 70.3
9.9 30 8 11.70 1.46 0.55 1250 1 53.6
9.9 30 10 12.01 1.32 0.60 830 1 64.7
 Ib=10μA
2000

1500

1000

500

0
0 5 10 15 20

Ib=20μA
3000

2500

2000

1500

1000

500

0
0 5 10 15

Ib=30μA
6000

5000

4000

3000

2000

1000

0
0 2 4 6 8 10 12
CUESTIONARIO FINAL

1 La gráfica Vce vs Ic, ¿qué características tiene?, ¿las intersecciones con el eje ‘x’ i ‘y’ qué
representan?

Las graficas Ic vs Vce presentan las curvas de saturación del circuito y sus intersecciones
representan la corriente y voltaje inicial que presentan

2 ¿Qué diferencias encuentra entre las gráficas para 25, 50, 75 y 125 uA?

En que para mayor intensidad de corriente en la corriente base tiene una mayor amplificación
de corriente emisor

3 ¿Cuándo se dice que un transistor está en corte?, ¿se da esta caso en la práctica?
Cuando no pasa corriente por la base, no puede pasar tampoco por sus otros terminales; se
dice entonces que el transistor está en corte, es como si se tratara de un interruptor abierto.

No se presenta en la practica porque si circula corriente en las terminales colector y emisor

4 Cuándo se dice que un transistor está en saturación, ¿se logra en la práctica?

El transistor está en saturación cuando la corriente en la base es muy alta; en ese caso se
permite la circulación de corriente entre el colector y el emisor y el transistor se
comporta como si fuera un interruptor cerrado.

La corriente en la base si se le considera alta por lo que se le considera que circula corriente
en el colector y emisor

5 Indique la relación entre Ic e Ib que encontró en la práctica.

La intensidad de la corriente colector es muy grande a comparacion de la corriente de la base

𝐼𝑐 = 𝛽 ∗ 𝐼𝑏

CONCLUSIONES

1. Los transistores han facilitado el diseño de los circuitos electrónicos, cuando se

inventarios estos dispositivos han dado un giro enorme ya que en casi todos los
aparatos electrónicos se encuentran presentes.

2. Se demostró que si se aplica un voltaje entre el emisor y la base se puede obtener una
ganancia de voltaje en el colector y la base así se puede comprobar que este tipo de
dispositivos se pueden utilizar como amplificadores.
3. El funcionamiento de un transistor bjt. ya sea npn o pnp, depende de la polarización
que se le aplica en sus terminales, ya que una mala polarización podría funcionar mal
todo el circuito en el que se le aplique o el usuario no podría tener los resultados
satisfactorios.
4. Durante el experimento pudimos comprobar la teoría que fue asimilada en el salón de
clases, por ejemplo. Que la corriente del colector después de cierto voltaje se
aproxima a la corriente del emisor.
5. Se conocieron los distintos tipos de transistores, así como su aspecto físico, su
estructura básica y las simbologías utilizadas, pudiendo concluir que todos son
distintos y que por necesidades del hombre se fueron ideando nuevas formas o
nuevos tipos de transistores.
6. Además de todos esto, ahora si podremos comprobar o hacer la prueba de los
transistores para conocer si se encuentra en buenas condiciones para su uso.