CUESTIONARIO:

Corriente de 10 20 30 40 50 60
la base 𝜇𝐴
Corriente del 2.6 5.5 8.4 11.8 15.1 18.5
Colector mA

1. A partir de los resultados experimentales dados en la tabla, la ganancia de

corriente estática, hFE,𝜷 para una corriente de base de 20 𝝁𝑨 es:

Respuesta: La ganancia de la Corriente Estática es 275.

𝐶 5,5𝑚
𝐻𝐹𝑒 = 𝛽 = = = 275
𝐵 20𝜇
2. A partir de los resultados experimentales dados en la tabla, la ganancia de
corriente dinámica, hfe,𝜷 para el rango de la corriente de base de 20
𝝁𝑨 𝒂 𝟓𝟎𝝁𝑨 es:

Respuesta: La ganancia de la corriente Dinámica es 320.

𝐼𝐶2 − 𝐼𝐶1 15,1𝑚 − 5,5𝑚

𝐻𝑓𝑒 = 𝛽 = = = 320
𝐼𝐵2 − 𝐼𝐵1 50𝜇 − 20𝜇

3. La forma de la característica de la transferencia de corriente directa de un

transistor es:

Respuesta: Un trazo único que es casi lineal a lo largo del rango útil.
Mediante esta curva podemos determinar los efectos que producen las variaciones de
la tensión de polarización VBE sobre la corriente de base IB. Estas gráficas reciben el
nombre de curvas características de transferencia. Las curvas que se obtienen son muy
similares a la de un diodo cuando se polariza directamente.

4. La Forma de la característica de salida de un transistor es:

Respuesta: Una familia de líneas casi horizontales.

La característica de salida de la configuración en base común hemos observado que
hay tres regiones definidas, la región de corte, la de saturación y la activa. Las regiones
de operación del BJT dependen del tipo de polarización de sus uniones.
5. Para la característica de la salida de un transistor NPN, cuando el voltaje Vce
del emisor-colector se reduce debajo de 1V, la:

Respuesta: La unión colector-emisor se vuelve directamente polarizada.

En esta situación, a los electrones del emisor y del colector les cuesta trabajo
difundirse hacia la base en contra del campo eléctrico establecido por los iones de la
red cristalina, mientras que un potencial de barrera similar controla el movimiento de
los huecos fuera de la región de base. Por consiguiente, estas barreras permiten pasar
únicamente aquellos portadores de carga con energía cinética superior al potencial de
barrera.

6. Cuando se utiliza el rango de prueba de diodos en un multímetro digital para

probar las uniones de un transistor NPN, se obtiene una lectura de valor bajo
con:

Respuesta: La unión base-colector inversamente polarizada.

Las tensiones utilizadas para realizar las mediciones por parte de un multímetro digital
son inferiores. Una medición efectuada en una escala de 10K es suficiente y correcta
para lograr una buena “medición inversa” en una juntura N-P o viceversa.

7. Si la unión base-emisor de un transistor está en circuito abierto:

Respuesta: Fluye una pequeña corriente del emisor, pero no existe corriente
en el colector.
Corresponde a una polarización inversa de ambas uniones. La operación en esta región
corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo aplicaciones de conmutación
en el modo apagado, pues el transistor actúa como un interruptor abierto.

8. Si la unión base-emisor de un transistor está en corto circuito:

Respuesta: La corriente del colector fluye, pero no existe corriente en el

emisor.
Como ya explicó anteriormente, las corrientes en el estado de corte son muy
pequeñas y pueden despreciarse en la mayoría d los casos. En los límites de la base
con las zonas de carga espacial, tenemos un defecto de minoritarios (las uniones están
en inverso) es un transistor pnp.
Conclusiones:
 En la Experiencia desarrollados en el laboratorio fue importante ya que pudimos
aprender a usar de manera adecuada en lo practico los transistores, además de
observar pudimos analizar el comportamiento de estos en distintas situaciones.
 El comportamiento de los transistores de efecto de campo se caracteriza por sus
curvas características en las que se representa la corriente que entra o sale por el
Drenador en función de la tensión aplicada entre éste y la Fuente.
 Se confirmó que el valor del parámetro beta difiere de transistor en transistor, aun
cuando sea del mismo número de parte. Y se comprobó que este valor varía el
punto de operación de los transistores directamente.
 Se comprobó que el multivibrador astable permite la obtención de un tren de
pulsos por medio de la implementación de dos transistores funcionando en uno en
zona activa y otro en corte y saturación.
 Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño
de los circuitos electrónicos, además de todos esto, ahora si podremos comprobar
o hacer la prueba de los transistores para conocer si se encuentra en buenas
condiciones para su uso.
 Se emplean en amplificadores de potencia, así como en conmutación, haciendo la
función de interruptor, gracias a la baja resistencia interna que poseen.

Bibliografía:
 Apuntes de Cátedra de Electrónica.
 HTTP://electronred.iespana.es/transistores.htm “tipos de transistores” y
“amplificadores”
 HTTP://www.ate.uniones.es “Electrónica y automatismo Universidad de Oviedo”
 HTTP://www.wikipedia.org/Transistores “Transistores”
 Semiconductor Devices. Physics and Technology: S.M. Sze. John Wiley & Sons (1985)
 Charles K. Alexander, Fundamentos de circuitos eléctricos, Mc Graw Hill, México
 Horenstein Mark N. Microelectrónica circuitos y dispositivos. 2a. Ed. Prentice Hall,
1997.
 Millman y Grabel. Microelectrónica. Mc Graw Hill. 1989.
 Schnadower Baran I. Circuitos electrónicos digitales. Mc Graw Hill. 1979
 Sedra y Smith. Dispositivos Electrónicos y amplificación. Interamericana. 1992.