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TEMA 2
DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
2.1. INTRODUCCION
Son similares a los diodos de señal de unión p-n, sin embargo tienen mayores capacidades en
el manejo de la energía, voltaje y corriente. La respuesta a la frecuencia (o velocidad de
conmutación) es baja con relación a los diodos de señal.
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ELECTRONICA DE POTENCIA I Carreras: Ing. Eléctrica – Ing. Electrónica Docente: MSc. Ing. Tatiana Vicker M.
Facultad de Tecnología - UMRPSFXCH
VD/nVT
La ecuación Schockley del diodo: ID = IS (e - 1)
IS – Corriente de fuga [ 10-6 – 10-15 A]
n – Coeficiente de emisión o factor de idealidad [1 – 2]. Depende del material y construcción
física del diodo. n = 1 Ge; n = 2 Si [1.1 – 1.8]
Si VD es negativo y |VD| >>VT que ocurre para VD< -0.1, el termino exponencial de la
ecuación se vuelve pequeño en comparación con la unidad e ID≈ - IS, lo que indica que ID en
dirección inversa es constante e igual a IS.
El voltaje inverso es alto, generalmente > que 1000 V, si excede el voltaje especificado
conocido como voltaje de ruptura VBR, la corriente inversa aumenta más allá de VBR. La
operación en la región de ruptura no será destructiva siempre que la disipación de la potencia
este dentro del nivel seguro especificado en la hoja de datos del fabricante.
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RECUPERACION SUAVE
El tiempo de recuperación inversa trr se mide a partir del cruce 0 inicial de la corriente del
diodo con el 25 % de la corriente inversa máxima o de pico Irr.
trr está formado por 2 componentes ta y tb
ta – esta generado por el almacenamiento de carga en la región de la unión.
tb – debido al almacenamiento de carga en el material del cuerpo del semiconductor
La carga de recuperación inversa Qrr – cantidad de portadores de carga que fluyen a través
del diodo en dirección inversa, entonces:
𝐼𝑟𝑟 𝑡𝑟𝑟
Qrr =
2
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2𝑄𝑟𝑟
Irr = b)
𝑡𝑟𝑟
𝑑𝑖 2𝑄𝑟𝑟 2𝑄𝑟𝑟
Igualando a y b →ta𝑑𝑡 = → trr ta = 𝑑𝑖
𝑡𝑟𝑟
𝑑𝑡
2𝑄𝑟𝑟
→trr = √ 𝑑𝑖 c)
𝑑𝑡
𝑑𝑖
→ Irr = √2𝑄𝑟𝑟 𝑑𝑡 d)
𝑑𝑖
trr e Irr dependen de la carga de almacenamiento Qrr y 𝑑𝑡 inverso (o reaplicado). Qrr depende
de la corriente directa del diodo IF, Irr, Qrr y el factor de suavidad de interés para el
diseñador, se incluyen en las hojas de especificaciones de diodos.
El tiempo de recuperación directa limita la velocidad de elevación de la corriente directa y de
conmutación, si la velocidad de elevación de la corriente directa es alta y está concentrada en
una pequeña superficie de la unión.
𝑑𝑖
Ej: Si trr = 3 μs y la velocidad del decremento o de la reducción de la corriente del diodo 𝑑𝑡
=30 A/μs. Determinar Qrr e Irr.
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c) Diodos Schottky.
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Este problema se resuelve conectando un inductor limitante di/dt. Los diodos reales necesitan
de un tiempo de activación, antes de que se haga conductora, di/dt debe mantenerse bajo, para
alcanzar el tiempo límite de activación o tiempo de recuperación directa trf.
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𝑑𝑖/𝑑𝑡 = 𝑉𝑠/𝐿𝑠
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Cs = 2WR / Vc2
Vc – Voltaje inverso permisible
Rs – Amortigua cualquier oscilación transitoria
Se aplican en alto voltaje, líneas de transmisión HVDC. Se conectan en serie para aumentar
las capacidades de bloqueo.
Debido a la distribución de voltajes iguales, la corriente de fuga total debe ser compartida por
un diodo y su resistencia
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VD = VD1 + VD2
Fig. 2.8. Diodos en serie, con redes de distribución de voltaje, bajo condiciones de
régimen permanente y transitorias
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Ej: Dos diodos están conectadas en serie, un voltaje total de VD = 5 kV, las corrientes de
fuga inversas de los diodos IS1 = 30 mA e IS2 = 35 mA, las resistencias de distribución del
voltaje R = R1 =R2= 100 kΩ. a) Encontrar los voltajes del diodo b) Encontrar las
resistencias de repartición del voltaje R1 y R2, si los voltajes del diodo son iguales VD1= VD2
= VD / 2
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