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ELECTRONICA DE POTENCIA I Carreras: Ing. Eléctrica – Ing. Electrónica Docente: MSc. Ing. Tatiana Vicker M.

Facultad de Tecnología - UMRPSFXCH

TEMA 2
DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

2.1. INTRODUCCION

Un diodo funciona como interruptor, lleva a cabo varias funciones:

- Interruptores en los rectificadores


- Diodos de marcha libre en los reguladores conmutados.
- Inversión de carga de capacitores.
- Transferencia de energía entre componentes.
- Aislamiento de voltaje.
- Retroalimentación de la energía a la fuente de energía
- Recuperación de la energía atrapada.

Son similares a los diodos de señal de unión p-n, sin embargo tienen mayores capacidades en
el manejo de la energía, voltaje y corriente. La respuesta a la frecuencia (o velocidad de
conmutación) es baja con relación a los diodos de señal.

2.2. CARACTERISTICAS DE LOS DIODOS DE POTENCIA

Dispositivo de unión p-n de dos terminales

Fig. 2.1. Símbolo del diodo y unión pn

Polarización directa o positiva, el diodo conduce. Caída de tensión relativamente pequeña a


través de sí misma.
Polarización inversa, fluye una pequeña corriente inversa (corriente de fuga, μA o mA), cuya
magnitud crece en función del voltaje inverso, hasta llegar al voltaje avalancha o zener.

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Fig. 2.2. Características v-i del diodo

VD/nVT
La ecuación Schockley del diodo: ID = IS (e - 1)
IS – Corriente de fuga [ 10-6 – 10-15 A]
n – Coeficiente de emisión o factor de idealidad [1 – 2]. Depende del material y construcción
física del diodo. n = 1 Ge; n = 2 Si [1.1 – 1.8]

VT – KT/q - Voltaje térmico


q – Carga del electrón 1.6020 10-19 C
T – Temperatura absoluta (K = 273 + ºC )
K – Constante de Boltzmann 1.3806 10-23 J/K

A temperatura especificada, IS es una constante para un diodo. La característica del diodo se


divide en tres regiones:

REGION DE POLARIZACION DIRECTA, VD> 0

ID es muy pequeño, si VD es menor que VTD= 0.7 V. El diodo conduce totalmente si VD es


mayor que VTD– Voltaje umbral, de corte o activación

REGION DE POLARIZACION INVERSA, VD< 0

Si VD es negativo y |VD| >>VT que ocurre para VD< -0.1, el termino exponencial de la
ecuación se vuelve pequeño en comparación con la unidad e ID≈ - IS, lo que indica que ID en
dirección inversa es constante e igual a IS.

REGION DE RUPTURA, VD< -VZK

El voltaje inverso es alto, generalmente > que 1000 V, si excede el voltaje especificado
conocido como voltaje de ruptura VBR, la corriente inversa aumenta más allá de VBR. La
operación en la región de ruptura no será destructiva siempre que la disipación de la potencia
este dentro del nivel seguro especificado en la hoja de datos del fabricante.

Ej: Con una temperatura de unión de 25 ºC, 45 °C y 5 °C, si VD = 1.2 V a ID = 300 A, si n =


2. Determinar a que es igual VT y la corriente de saturación IS

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2.3. CARACTERISTICAS DE LA RECUPERACION INVERSA

La corriente de un diodo con polarización directa tiene portadores mayoritarios y


minoritarios. Cuando el diodo esta en modo de conducción directa y su corriente se reduce a
0 (debido a la aplicación de un voltaje inverso), el diodo continúa conduciendo debido a los
portadores minoritarios que se almacenan en la unión p-n y material del semiconductor, estos
portadores requieren de un tiempo para recombinarse con cargas opuestas y neutralizarse.
Este tiempo se conoce como Tiempo de recuperación inversa del diodo.

Existen 2 características de recuperación inversa: El Suave y El Abrupto. El más común es el


suave

RECUPERACION SUAVE

El tiempo de recuperación inversa trr se mide a partir del cruce 0 inicial de la corriente del
diodo con el 25 % de la corriente inversa máxima o de pico Irr.
trr está formado por 2 componentes ta y tb
ta – esta generado por el almacenamiento de carga en la región de la unión.
tb – debido al almacenamiento de carga en el material del cuerpo del semiconductor

tb/ta – factor de suavidad

Fig. 2.3. Características de recuperación inversa


trr = ta + tb
𝑑𝑖
Irr = ta𝑑𝑡 a)

La carga de recuperación inversa Qrr – cantidad de portadores de carga que fluyen a través
del diodo en dirección inversa, entonces:

𝐼𝑟𝑟 𝑡𝑟𝑟
Qrr =
2

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2𝑄𝑟𝑟
Irr = b)
𝑡𝑟𝑟

𝑑𝑖 2𝑄𝑟𝑟 2𝑄𝑟𝑟
Igualando a y b →ta𝑑𝑡 = → trr ta = 𝑑𝑖
𝑡𝑟𝑟
𝑑𝑡

Si tb es despreciable en comparación con ta, por lo general trr ≈ ta

2𝑄𝑟𝑟
→trr = √ 𝑑𝑖 c)
𝑑𝑡

2𝑄𝑟𝑟 2𝑄𝑟𝑟 4𝑄𝑟𝑟 2 𝑑𝑖


De b) Irr = →Irr = → I2rr =
𝑡𝑟𝑟 2𝑄𝑟𝑟 2𝑄𝑟𝑟 𝑑𝑡
√ 𝑑𝑖
𝑑𝑡

𝑑𝑖
→ Irr = √2𝑄𝑟𝑟 𝑑𝑡 d)

𝑑𝑖
trr e Irr dependen de la carga de almacenamiento Qrr y 𝑑𝑡 inverso (o reaplicado). Qrr depende
de la corriente directa del diodo IF, Irr, Qrr y el factor de suavidad de interés para el
diseñador, se incluyen en las hojas de especificaciones de diodos.
El tiempo de recuperación directa limita la velocidad de elevación de la corriente directa y de
conmutación, si la velocidad de elevación de la corriente directa es alta y está concentrada en
una pequeña superficie de la unión.

𝑑𝑖
Ej: Si trr = 3 μs y la velocidad del decremento o de la reducción de la corriente del diodo 𝑑𝑡
=30 A/μs. Determinar Qrr e Irr.

2.4. TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA

Dependiendo de las características de recuperación y técnicas de fabricación, se clasifican:

a) Diodos estándar o de uso general.

El tiempo de recuperación inversa es relativamente alta de 25 μs, se utilizan en


aplicaciones de baja velocidad, en las que el tiempo de recuperación no es crítico (ej: en
rectificadores de diodos y convertidores para una baja frecuencia de entrada, de hasta 1
kHZ y en convertidores conmutados en línea). Existen desde 50 V hasta 5 kV.

b) Diodos de recuperación rápida.

Su tiempo de recuperación es bajo, < que 5 μs, se utilizan en circuitos convertidores de


cc-cc y cc-ca, en las que el tiempo de recuperación es a menudo de importancia crítica.
Existen desde 50 V hasta aproximadamente 3 kV.

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c) Diodos Schottky.

En este tipo de diodos se puede eliminar o minimizar el problema de almacenamiento de


carga de una unión p-n. El efecto de recuperación se debe únicamente a la
autocapacitancia de la unión semiconductora.
La carga recuperada es mucho menor que la de un diodo de unión p-n. Tiene una salida
de voltaje relativamente baja.
La corriente de fuga es mayor que la de un diodo p-n. Un diodo Schottky con un voltaje
de conducción relativamente bajo tiene una corriente de fuga relativamente alta y
viceversa. Su voltaje máximo permisible esta por lo general limitado a 100 V.
Existen de 1 a 300 A. Son ideales para las fuentes de alimentación de alta corriente y de
bajo voltaje en corriente directa, así como las fuentes de alimentación de baja corriente
para una eficiencia mayor.

2.5. EFECTOS DEL TIEMPO DE RECUPERACION DIRECTA E INVERSA

Si SW se cierra en t = 0, la corriente en régimen permanente 𝑰𝒐 = 𝑽𝒔 / 𝑹 fluirá a través de


la carga y el diodo en marcha libre Dm quedara polarizado inversamente. Si SW se
desconecta en t = t1, Dm conducirá y la corriente de carga circulara a través de Dm.

Si SW se vuelve a conectar en t = t2, Dm se comportara como si estuviera en corto circuito.


La velocidad de elevación de la corriente directa del interruptor y D1 y la velocidad de
reducción de la corriente directa en Dm serían muy altas, tendiendo al infinito por lo que Irr
de Dm podría ser muy alta y D1 y Dm podrían dañarse.

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Fig. 2.4. Circuito pulsador sin inductor limitante 𝒅𝒊⁄𝒅𝒕

Este problema se resuelve conectando un inductor limitante di/dt. Los diodos reales necesitan
de un tiempo de activación, antes de que se haga conductora, di/dt debe mantenerse bajo, para
alcanzar el tiempo límite de activación o tiempo de recuperación directa trf.

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Fig. 2.5. Circuito pulsador con inductor limitante 𝒅𝒊⁄𝒅𝒕

La velocidad de elevación de la corriente a través de D1 que debería ser la misma que la


velocidad de reducción de la corriente a través de Dm es:

𝑑𝑖/𝑑𝑡 = 𝑉𝑠/𝐿𝑠

Si trr es el tiempo de recuperación inversa de Dm, la corriente de pico inversa de Dm es:

𝐼𝑟𝑟 = 𝑡𝑟𝑟 ∗ 𝑑𝑖/𝑑𝑡 = 𝑡𝑟𝑟 ∗ 𝑉𝑠/𝐿𝑠

La corriente pico a través de Ls seria:

𝐼𝑝 = 𝐼𝑜 + 𝐼𝑟𝑟 = 𝐼𝑜 + 𝑡𝑟𝑟 ∗ 𝑉𝑠/𝐿𝑠

Cuando la corriente del inductor se convierte en Ip, el Dm se desconecta repentinamente


(abruptamente), en razón de una carga altamente inductiva. La energía excedente almacenada
en Ls inducirá un alto voltaje inverso a través de Dm y esto dañaría a Dm. Esta energía
excedente se puede transferir de Ls a Cs que se conecta a través de Dm:

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Cs = 2WR / Vc2
Vc – Voltaje inverso permisible
Rs – Amortigua cualquier oscilación transitoria

2.6. DIODOS CONECTADOS EN SERIE

Se aplican en alto voltaje, líneas de transmisión HVDC. Se conectan en serie para aumentar
las capacidades de bloqueo.

En polarización directa VD1 y VD2 conducen la misma corriente. En polarización inversa


cada diodo tiene que llevar la misma corriente de fuga y como resultado, los voltajes de
bloqueo variaran en forma significativa.

Fig. 2.6. Dos diodos conectados en serie con polarización inversa

Debido a la distribución de voltajes iguales, la corriente de fuga total debe ser compartida por
un diodo y su resistencia

Fig. 2.7. Diodos conectados en serie, con características de distribución de voltaje, en


régimen permanente

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IS = IS1 + IR1 = IS2 + IR2

IS = IS1 + VD1/R1 = IS2 + VD2/R2

Si VD1 =VD2 y R = R1=R2

IS = IS1 + VD1/R = IS2 + VD2/R

VD = VD1 + VD2

La distribución del voltaje bajo condiciones transitorias, debido a cargas en conmutación,


aplicaciones iniciales de un voltaje de entrada, se lleva a cabo conectando Cs y Rs, la cual
limita la velocidad de elevación del voltaje de bloqueo.

Fig. 2.8. Diodos en serie, con redes de distribución de voltaje, bajo condiciones de
régimen permanente y transitorias

2.7. DIODOS CONECTADOS EN PARALELO

En aplicaciones de alta potencia, los diodos en paralelo aumentan la capacidad de conducción


de corriente. Se puede obtener una distribución uniforme de corriente con inductancias
iguales o resistencias cosa que no puede ser practica debido a pérdidas de energía, es posible
minimizar este problema seleccionando diodos del mismo tipo, los voltajes de bloqueo
inverso de cada diodo serían los mismos.

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Fig. 2.9. Diodos conectados en paralelo

Si se eleva la corriente a través de D1 el 𝐿 ∗ 𝑑𝑖/𝑑𝑡 através de L1 aumenta y se induce un


voltaje de polaridad opuesta a través de L2. El resultado es una trayectoria de baja impedancia
a través de D2 y la corriente se transfiere a D2.

Ej: Dos diodos están conectadas en serie, un voltaje total de VD = 5 kV, las corrientes de
fuga inversas de los diodos IS1 = 30 mA e IS2 = 35 mA, las resistencias de distribución del
voltaje R = R1 =R2= 100 kΩ. a) Encontrar los voltajes del diodo b) Encontrar las
resistencias de repartición del voltaje R1 y R2, si los voltajes del diodo son iguales VD1= VD2
= VD / 2

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