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Investigar características técnicas de los transistores bipolares, JFET, MOSFET de

empobrecimiento y enriquecimiento.

TRANSISTORES BIPOLARES BJT

A. HISTORIA:
El 23 de diciembre de 1947 la industria de
la electrónica iba a experimentar el
advenimiento de una dirección
completamente nueva en cuanto a interés y
desarrollo. Fue en la tarde de este día en
que Walter H. Brattain y John Bardeen
demostraron la acción amplificadora del
primer transistor en los laboratorios Bell.
Hoy en día, las funciones primordiales del
transistor son: amplificador y conmutador.

B. CONSTRUCCION:

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que


consta de dos capas de material tipo n y una de material tipo p o
de dos capas de material tipo p y una de material tipo n. El
primero se llama transistor npn y el segundo transistor pnp.
Ambos se muestran en la figura 3.2 con la polarización de cd
apropiada. La capa del emisor está muy dopada, la base
ligeramente, y el colector sólo un poco dopado. Los grosores de
las capas externas son mucho mayores que las del material tipo
p o n emparedado. Para los transistores mostrados en la figura
3.2 la relación entre el grosor total y el de la capa central es de
0.150/0.001 150:1. El dopado de la capa emparedada también
es considerablemente menor que el de las capas externas (por lo
común de 10:1 o menor). Este menor nivel de dopado reduce la
conductividad (incrementa la resistencia) de este material al
limitar el número de portadores “libres”.
C. CARACTERISTICAS TECNICAS DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES
Los transistores son aparatos electrónicos semiconductores, encargados de la
transmisión de una señal saliente (salida) en presencia de una entrante (entrada),
como parte de un circuito electrónico de algún tipo. El término “transistor” proviene
del inglés transfer resistor (resistor de transferencia), e inicialmente fueron diseñados
para modular la corriente eléctrica.

 Componentes:
Los transistores se componen esencialmente de tres patillas o cables, cada
uno encargado de una labor diferente y que se denominan:
 Emisor: Desde donde entra el flujo eléctrico al interior encapsulado del
transistor.
 Base: La que modula el flujo entre emisor y colector.
 Colector: Hacia donde fluye la corriente una vez que ha sido modulada por
la base.

 Funcionamiento:
Los transistores operan como peajes o alcabalas en el flujo eléctrico,
permitiendo aumentar, disminuir o modular su intensidad conforme a tres
posiciones posibles dentro de un circuito:
 En activa: Permite el paso de más o menos corriente (modulada) hacia el
colector y, por lo tanto, de vuelta al circuito.
 En corte: Impide el paso de toda la corriente.
 En saturación: Permite el paso íntegro de la corriente.

 Funciones del transistor:


Las funciones de un transistor como parte de un circuito eléctrico pueden ser
dos fundamentalmente:
 Como interruptor: Corta el flujo eléctrico a partir de una pequeña señal
de mando.
 Como amplificador: Recibe una pequeña señal eléctrica que, al salir del
transistor, se habrá convertido en una más grande.
Sin embargo, los transistores también pueden cumplir funciones de
oscilador, conmutador o rectificador, que permite conducir de la manera
deseada el flujo eléctrico en el circuito.
 Materiales:
Los transistores están fabricados aprovechando la semiconductividad de
ciertos materiales, como el germanio (Ge) o el arseniuro de galio (GaAs). En la
actualidad, el material preferido para ello es el silicio (Si), un metaloide
abundante en la corteza terrestre.

 Código Binario:
Los transistores tienen mucho que ver con el desarrollo del código binario
computacional (compuesto de unos y ceros), ya que cada número indica una
posición del transistor interruptor: activo o inactivo, dejando o no pasar la
electricidad: 0 = sin corriente; 1 = con corriente.

 Utilización:
En los aparatos contemporáneos, provistos de circuitos integrados complejos,
los transistores abundan por miles. Desde relojes, televisores, radios,
computadoras, teléfonos celulares, tomógrafos, reproductores musicales e
incluso lámparas fluorescentes son posibles gracias a esta tecnología de
manejo eléctrico.

 Tipos de transistores:
Existen varios tipos de transistor, dependiendo de su fabricación y sus
capacidades:

 Transistor de contacto puntual: El primer tipo de transistor inventado y


capaz de obtener ganancia, a pesar de que era frágil y difícil de fabricar.
Consistía en dos puntas metálicas sobre una base de germanio, basándose
en efectos de superficie. Hoy en día ha desaparecido.
 Transistor de unión bipolar: Se fabrica sobre una base de material
semiconductor (intermedio entre conductor y aislante) comúnmente
silicio, sobre la cual se ubica un sustrato de cristal que es polarizado a
través de elementos donantes de electrones, como el arsénico o el
fósforo. Estos polos constituyen el emisor y el colector.
 Transistor de efecto de campo: Consiste en una barra de material
semiconductor en torno al cual se genera un campo eléctrico, para poder
controlar el flujo de la energía mediante un único polo (por eso se les
denomina unipolares).
 Fototransistor: Operan como transistores normales, pero al ser sensibles
a la radiación electromagnética próxima a la luz visible, pueden ser
operados mediante un modo de iluminación: cuando la luz hace las veces
de corriente base.
 Ventajas
El uso de transistores representó un salto adelante respecto a las técnicas de
manejo eléctrico acostumbradas, consistentes en válvulas termoiónicas. No
sólo porque permitió maximizar el potencial de los aparatos en tamaños muy
inferiores a los iniciales, sino que además facilitó la construcción de artefactos
capaces de soportar mucha más tensión, permitiendo su uso en condiciones
de mucha potencia eléctrica.
Además, los transistores son relativamente económicos, consumen poca
energía, proveen muchas horas de uso y pueden permanecer en depósito
durante largo tiempo sin estropearse.

 IGBT
Los IGBT son modelos avanzados de transistores que, agrupados en torno a un
circuito común, pueden amplificar corrientes eléctricas de 1000 amperios
hasta tensiones de varios miles de voltios, permitiendo así controlar la
potencia de diversos artefactos electrónicos, entre los que figuran los motores
de los automóviles modernos y los desfibriladores médicos, utilizados para la
resucitación de pacientes recién fallecidos.

D. COMENTARIO:

A diferencia de otros elementos que intervienen en los circuitos electrónicos,


como los resistores, condensadores e inductores, que juegan un rol pasivo en
los mismos, a los transistores se les asigna un rol activo dentro del circuito, ya
que no sólo velan por la estabilidad y preservación del mismo, sino que forman
parte de su estructura funcional.
FET
Los transistores de efecto de campo o FET (Field Effect Transistor) son dispositivos controlados por
tensión con una alta impedancia de entrada (1012 ohmios). Ambos dispositivos se utilizan
en circuitos digitales y analógicos como amplificador o como conmutador.

 VENTAJAS:

 Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada


muy elevada (107 a 1012ohmios).
 Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
 Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
 Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos
y permiten integrar más dispositivos en un CI.
 Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión valores
pequeños de tensión drenaje-fuente.
 La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el
tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de
almacenamiento.
 Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y
conmutar corrientes grandes.

 DESVENTAJAS:

 Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta


capacidad de entrada.
 Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos
lineales que los BJT.
 Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática. En este
apartado se estudiarán brevemente las características de ambos
dispositivos orientadas principalmente a sus aplicaciones analógicas.
Pueden ser de dos tipos: transistor de efecto de campo de unión o JFET y
transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor (MOSFET).

1. JFET:

El transistor JFET es un dispositivo mediante el cual se puede controlar el paso de una


cierta cantidad de corriente haciendo variar una tensión, esa es la idea principal; existen 2
tipos de JFET los de canal n y los de canal p.

A. CARACTERISTICAS:

 El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio de material


semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a
ambos lados.
 Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan drenador (drain),
fuente (source) y puerta (gate).

 La polarización de un JFET exige que las uniones p-n estén inversamente


polarizadas.
 En un JFET de canal n, o NJFET, la tensión de drenador debe ser mayor que la
de la fuente para que exista un flujo de corriente a través de canal.
 la puerta debe tener una tensión más negativa que la fuente para que la unión
p-n se encuentre polarizado inversamente. Ambas polarizaciones se indican en
la figura 1.11.
 Las curvas de características eléctricas de un JFET son muy similares a las
curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos
controlados por tensión a diferencia de los bipolares que son dispositivos
controlados por corriente.
 en el JFET intervienen como parámetros: ID (intensidad drain o drenador a
source o fuente), VGS (tensión gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensión
drain o drenador a source o fuente).
 Se definen cuatro regiones básicas de operación: corte, lineal, saturación y
ruptura.
2. MOSFET:

Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor


más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales,
aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo.
Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en
transistores MOSFET.

A. MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO:

a) Idea básica:
En la figura 14-3a se presenta un MOSFET de enriquecimiento. El substrato p
se extiende a lo ancho hasta el dióxido de silicio; ya no existe un canal n entre
la fuente y el drenador. La figura 14-3b muestra las tensiones de polarización
normales. Cuando la tensión de puerta es nula, la corriente de fuente y el
drenador es nula.

Por esta razón, el MOSFET de enriquecimiento está normalmente en corte


cuando la tensión de puesta es cero.

b) Características de salida:
Un MOSFET de enriquecimiento para pequeña señal tiene una limitación de
potencia de 1 W o menos.
La figura 14-4a muestra un conjunto de curvas de salida de un MOSFET de
enriquecimiento típico. La curva inferior es la curva de VGS(th). Cuando VGS es
mayor que VGS(th), el dispositivo conduce y la corriente de drenador se
controla por medio de la tensión de puerta.
La parte casi vertical corresponde a la zona óhmica, y la parte casi horizontal
corresponde a la zona activa. El MOSFET de enriquecimiento puede funcionar
en cualquiera de ellas. En otras palabras, puede actuar como una resistencia o
como una fuente de corriente. El uso principal es en la zona óhmica.

La figura 14-4b muestra la curva característica de transferencia típica. No hay


corriente de drenador hasta que VGS es mayor que VGS(th). A partir de
entonces, la corriente de drenador se incrementa rápidamente hasta que
alcanza la corriente de saturación ID(sat). Más allá de este punto el dispositivo
está polarizado en la región óhmica. Por tanto, ID no puede crecer aunque
VGS crezca. Para asegurar la saturación fuerte se usa una tensión de puerta
VGS(on) bastante por encima de VGS(th), como se muestra en la figura 14-4b.

c) Máxima tensión puerta-fuente:


La delgada capa de dióxido de silicio en el MOSFET funciona como aislante, el
cual impide la corriente de puerta para tensiones de puerta tanto negativa
como positiva.
Muchos MOSFETS están protegidos con diodos internos en paralelo con la
puerta y fuente, la tensión de estos diodos es menor que la tensión puerta-
fuente que soporta el MOSFET.

d) Zona óhmica:

El MOSFET es un dispositivo de conmutación por lo que se evita, en lo posible,


polarizarlo en la zona activa. La tensión de entrada típica toma un valor bajo o
alto. Tensión bajo es 0 V, y tensión alta es VGS(on) (especificado en hojas de
características).
B. MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO:

a. Operación y características básicas:

En la figura 6.28 el voltaje de la compuerta a la fuente se ajusta a 0 V por la


conexión directa de una terminal a la otra y se aplica un voltaje VDS del
drenaje a la fuente. El resultado es la atracción del potencial positivo en el
drenaje por los electrones libres del canal n y la corriente semejante a la que
se establece a través del canal del JFET. De hecho, la corriente resultante con
VGS 0 V se sigue etiquetando IDSS, como se muestra en la figura 6.29.

En la figura 6.30, VGS aparece ajustado a un voltaje negativo de -1 V. El


potencial negativo en la compuerta tenderá a ejercer presión en los
electrones hacia el sustrato tipo p (las cargas semejantes se repelen) y a atraer
los huecos del sustrato tipo p (las cargas opuestas se atraen) como se muestra
en la figura 6.30. Dependiendo de la magnitud de la polarización negativa
establecida por VGS, ocurrirá un nivel de recombinación entre los electrones y
huecos que reducirá el número de electrones libres en el canal n disponibles
para conducción. Cuanta más negativa sea la polarización, más alta será la
tasa de recombinación. Por consiguiente, el nivel de la corriente de drenaje
resultante se reduce con la polarización cada vez más negativa de VGS como
se muestra en la figura 6.29 para VGS -1 V, -2 V, etc., al nivel de
estrangulamiento de -6 V. Los niveles resultantes de la corriente de drenaje y
el trazo de la curva de transferencia prosiguen exactamente como se describió
para el JFET.

Para valores positivos de VGS, la compuerta positiva atraerá más electrones


(portadores libres) del sustrato tipo p debido a la corriente de fuga inversa y
establecerá nuevos portadores a causa de las colisiones que ocurren entre las
partículas de aceleración.
Investigar sobre los tipos de fuente de alimentación para sistemas electrónicos.

1. BATERIA ELECTRICA:
El principio de funcionamiento de un acumulador está basado esencialmente en un
proceso químico reversible llamado reducción-oxidación (también conocida como redox),
en el que uno de los componentes se oxida (pierde electrones) y el otro se reduce (gana
electrones); es decir, un proceso cuyos componentes no resulten consumidos ni se
pierdan, sino que meramente cambian su estado de oxidación y, que a su vez pueden
retornar a su estado original en las circunstancias adecuadas. Estas circunstancias son, en
el caso de las baterías y pilas recargables, el cierre del circuito externo durante el proceso
de descarga y la aplicación de una corriente externa durante la carga.

Estos procesos son comunes en las relaciones entre los elementos químicos y la
electricidad durante el proceso denominado electrólisis y en los generadores voltaicos o
pilas. Los investigadores del siglo XIX dedicaron numerosos esfuerzos a observar y a
esclarecer este fenómeno, que recibió el nombre de polarización. Un acumulador es, así,
un dispositivo en el que la polarización se lleva a sus límites alcanzables, y consta, en
general, de dos electrodos, del mismo o de distinto material, sumergidos en un electrolito.
2. PILA ELECTRICA:

Aunque la apariencia de cada una de estas celdas sea simple, la explicación de su


funcionamiento dista de serlo y motivó una gran actividad científica en los siglos XIX y XX,
así como diversas teorías.
Las pilas básicamente consisten en dos electrodos metálicos sumergidos en un líquido,
sólido o pasta que se llama electrolito. El electrolito es un conductor de iones.
Cuando los electrodos reaccionan con el electrolito, en uno de los electrodos (el ánodo) se
producen electrones (oxidación), y en el otro (cátodo) se produce un defecto de
electrones (reducción). Cuando los electrones sobrantes del ánodo pasan al cátodo a
través de un conductor externo a la pila se produce una corriente eléctrica.
Como puede verse, en el fondo, se trata de una reacción de oxidación y otra de reducción
que se producen simultáneamente.
3. FUENTES DE ALIMENTACION:
El principal objetivo de una fuente de alimentación es de proporcionar un valor de tensión
adecuado para el funcionamiento de cualquier dispositivo. La fuente de alimentación se
encarga de convertir la entrada de tensión alterna de la red en una tensión continua y
consta de varias etapas que son: Transformación, rectificación, filtrado y regulación.

A. ETAPA DE TRANSFORMACION:
Esta etapa consta básicamente de un transformador que está formado por un
bobinado primario y uno o varios bobinados secundarios, que tiene como función
principal convertir la energía eléctrica alterna de la red, en energía alterna de otro
nivel de voltaje, por medio de la acción de un campo magnético. Además provee una
aislación galvánica entre la entrada y la salida.
B. ETAPA DE RECTIFICACION:
Esta etapa queda constituida por diodos rectificadores cuya función es de rectificar la
señal proveniente del bobinado secundario del transformador. Existen 2 tipos de
configuraciones que son rectificación de media onda y de onda completa.

C. ETAPA DE FILTRADO:
Esta etapa queda constituida por uno o varios capacitores que se utilizan para eliminar
la componente de tensión alterna que proviene de la etapa de rectificación. Los
capacitores se cargan al valor máximo de voltaje entregado por el rectificador y se
descargan lentamente cuando la señal pulsante desaparece. Permitiendo lograr una
nivel de tensión lo más continua posible.
D. ETAPA DE REGULACION:
Esta etapa consiste del uso de uno o varios circuitos integrados que tienen la función
de mantener constante las características del sistema y tienen la capacidad de
mantener el estado de la salida independientemente de la entrada. Esta etapa se
puede dividir en: Reguladores lineales y regulador de conmutación (switching).

DIAGRAMA DE BLOQUES:
Analizar circuitos con aplicación básica de transistores bipolares.

1. TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR:


La función del transistor como interruptor es exactamente igual que la de un dispositivo
mecánico: o bien deja pasar la corriente, o bien la corta. La diferencia está en que
mientras en el primero es necesario que haya algún tipo de control mecánico, en el BJT la
señal de control es electrónica. En la Figura 3 se muestra la aplicación al encendido de una
bombilla.

En el primer caso, bajo la señal de control adecuada, que es introducida a través de la


base, el transistor se comporta como un circuito abierto entre el emisor y el colector, no
existe corriente y la bombilla estará apagada. En el segundo caso, cambiando la señal de
control, se cierra el circuito entre C y E, y los 12 V se aplican a la bombilla, que se
enciende.

Este funcionamiento entre los estados de corte y conducción se denomina operación en


conmutación. Las aplicaciones típicas de este modo de operación son la electrónica de
potencia y la electrónica digital, en la que los circuitos operan con dos niveles de tensión
fijos.
2. TRANSISTOR COMO RESISTENCIA VARIABLE:

En la Figura 4 se presenta la comparación entre un potenciómetro y un transistor


colocados en un circuito.

Si el valor de la resistencia del potenciómetro se fija en 5 kW, la tensión de salida VOUT


será de 5 V. Al aumentar esta resistencia, la salida también aumentará de valor. Por
ejemplo, con 20 kW VOUT resulta ser 8 V. Modificando el valor del potenciómetro se
puede obtener cualquier valor en la salida comprendido entre 0 V y 10 V, ya que:

Al igual que en el potenciómetro, en el transistor se puede ajustar su resistencia entre


colector y emisor, con la diferencia de que la señal de mando no es mecánica, sino
eléctrica a través de la base. Como se verá más adelante, con una pequeña señal aplicada
en la base puede gobernarse el BJT, con lo que aparece un concepto nuevo: la
amplificación de señales. Esta función es la base de la electrónica analógica, aquella en la
que se procesan señales de tensión respetando su forma de onda temporal.