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SEMICONDUTORES
O
N
M
- Materiais semicondutores K
órbitas
1 2
- O átomo de silício
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- O átomo de germânio Devido os átomos de silício e de germânio serem tetravalentes, ou seja, possuir
quatro elétrons na última camada, para conseguir a configuração de gás nobre necessitam
O átomo de germânio contém 32 prótons e 32 elétrons assim distribuídos: de mais 4 elétrons para a sua estabilidade.
Quando se tem vários átomos de silício, cada átomo compartilha 4 elétrons com seus
átomos vizinhos através da ligação covalente formando uma estrutura molecular forte.
1º órbita – 2 elétrons
2º órbita – 8 elétrons
3º órbita – 18 elétrons Forma-se então uma
4º órbita – 4 elétrons
+32 estrutura cristalina.
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Uma estrutura cristalina é caracterizada quando os átomos ficam bem organizados,
ou seja, em uma forma bem definida. Se a forma fosse desorganizada seria chamada Em um cristal formado por germânio na temperatura ambiente a quantidade de
estrutura amorfa. elétrons livres e lacunas são maiores do que no cristal de silício.
Quando o cristal de silício é colocado em uma temperatura superior ao zero absoluto Vale ressaltar que a formação de elétrons livres é chamada de GERAÇÃO, e quando
(-273 ºC), alguns elétrons da camada de valência se tornam elétrons livres, ou seja, se tem um cristal puro, ele é chamado de semicondutor INTRÍNSECO.
passam para a camada de condução (banda de condução), sendo capazes de se Em um semicondutor intrínseco, como existem elétrons livres e lacunas formadas
movimentar pelo material. São estes elétrons livres que, sob a ação de um campo elétrico, pela energia térmica, os elétrons livres se movem randomicamente através do cristal, que
formam a corrente elétrica. ocasionalmente ocupa uma lacuna (sendo atraído pela lacuna). Quando isto ocorre temos
O elétron ao se tornar livre deixa no lugar um buraco (lacuna). o que é chamado de RECOMBINAÇÃO. A recombinação é o fenômeno que ocorre
Na temperatura ambiente um cristal puro, ou seja, formado apenas por um tipo de quando elétrons livres ocupam a lacuna, neste caso, o desaparecimento da carga negativa
átomo, ocorre a formação de elétrons livres e lacunas, porém a quantidade de elétrons é acompanhado pelo desaparecimento da carga positiva. A neutralidade do cristal, deste
livres é igual ao número de lacunas, por isso, a neutralidade deste cristal se mantém. (O modo é mantida.
número de cargas positivas é igual ao número de cargas negativas).
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a) Os semicondutores mais utilizados e mais comuns são o ______________ e o Em um semicondutor podem-se acrescentar impurezas para se obter excesso de
_____________. elétrons livres ou excesso de lacunas.
b) O átomo de sílicio contém ______________elétrons. Com _______elétrons na O silício e o germânio são tetravalentes, isto é possuem 4 elétrons na camada de
camada de valência. valência.
c) O átomo de germânio contém_____________elétrons. Com________elétrons na Quanto substâncias pentavalentes (possuem 5 elétrons na camada de valência), são
camada de valência. adicionadas ao cristal puro, a configuração de gás nobre não é obtida, como se observa na
d) Os átomos de silício e de germânio por serem _____________, necessitam de Figura.
mais________ elétrons para conseguir a configuração de gás nobre.
e) Cada átomo compartilha ______elétrons com seus átomos vizinhos através da ligação Elétron
livre
___________________. Si
Si
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A cada átomo pentavalente que é adicionado, sobra um elétron, pois apenas 4 Como a quantidade de elétrons livres é maior do que a quantidade de lacunas, os
elétrons se ligam aos átomo de silício, pois o silício possui 4 elétrons e só necessita de elétrons livres são chamados portadores majoritários e as lacunas portadores minoritários.
mais 4 elétrons para conseguir a configuração de gás nobre. Se, no entanto, acrescentarmos impurezas trivalentes, para que ocorra a estabilidade,
Nesse semicondutor temos o chamado material tipo N, pois em toda a sua estrutura, a irá faltar um elétron, ou seja, sobra uma lacuna, como mostra a Figura. Temos a formação
quantidade de elétrons livres é superior à quantidade de lacunas, como indica a Figura. de um material tipo P, onde as lacunas são os portadores majoritários e os elétrons livres
portadores minoritários.
Si
Lacuna
Si Si
B
Si
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2.Complete
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