Q

SEMICONDUTORES
O
N
M

- Materiais semicondutores K

Para o perfeito entendimento sobre os materiais semicondutores, iniciamos fazendo núcleo

uma revisão sobre a estrutura atômica.

Um átomo é formado por elétrons que giram ao redor de um núcleo composto por
prótons e nêutrons.
Os elétrons giram em órbitas ou níveis bem-definidos, conhecidos com K, L, M, N,
O, P e Q, que representa o modelo atômico de Bohr, como mostra a Figura. Quanto maior a
energia do átomo,
maior é o seu raio.

órbitas

1 2

- O átomo de silício

O átomo de silício contém 14 prótons e 14 elétrons distribuídos como indicado na

Figura.
A última órbita de um átomo define a sua valência, ou seja, a quantidade de elétrons
desta órbita que pode se libertar do átomo através do bombardeio de energia externa
(calor, luz ou outro tipo de radiação) ou se ligar a outro átomo através de ligações
covalentes (compartilhamento dos elétrons da camada de valência com os elétrons da 1º órbita – 2 elétrons
camada de valência de outro átomo). 2º órbita – 8 elétrons
Os materiais semicondutores apresentam 4 elétrons na sua camada de valência 3º órbita – 4 elétrons
(tetravalentes). Não sendo classificados como bons isolantes, nem como bons condutores.
+14
Os semicondutores mais utilizados são o silício e o germânio.

3 4

- O átomo de germânio
O átomo de germânio contém 32 prótons e 32 elétrons assim distribuídos:
Devido os átomos de silício e de germânio serem tetravalentes, ou seja, possuir
quatro elétrons na última camada, para conseguir a configuração de gás nobre necessitam
de mais 4 elétrons para a sua estabilidade.
Quando se tem vários átomos de silício, cada átomo compartilha 4 elétrons com seus
átomos vizinhos através da ligação covalente formando uma estrutura molecular forte.

1º órbita – 2 elétrons
2º órbita – 8 elétrons
3º órbita – 18 elétrons Forma-se então uma
4º órbita – 4 elétrons
+32 estrutura cristalina.

5 6
 Uma estrutura cristalina é caracterizada quando os átomos ficam bem organizados,
ou seja, em uma forma bem definida. Se a forma fosse desorganizada seria chamada
estrutura amorfa.
Quando o cristal de silício é colocado em uma temperatura superior ao zero absoluto
(-273 ºC), alguns elétrons da camada de valência se tornam elétrons livres, ou seja,
passam para a camada de condução (banda de condução), sendo capazes de se
movimentar pelo material. São estes elétrons livres que, sob a ação de um campo elétrico,
formam a corrente elétrica.
O elétron ao se tornar livre deixa no lugar um buraco (lacuna).
Na temperatura ambiente um cristal puro, ou seja, formado apenas por um tipo de
átomo, ocorre a formação de elétrons livres e lacunas, porém a quantidade de elétrons
livres é igual ao número de lacunas, por isso, a neutralidade deste cristal se mantém. (O
número de cargas positivas é igual ao número de cargas negativas).
Em um cristal formado por germânio na temperatura ambiente a quantidade de
elétrons livres e lacunas são maiores do que no cristal de silício.
Vale ressaltar que a formação de elétrons livres é chamada de GERAÇÃO, e quando
se tem um cristal puro, ele é chamado de semicondutor INTRÍNSECO.
Em um semicondutor intrínseco, como existem elétrons livres e lacunas formadas
pela energia térmica, os elétrons livres se movem randomicamente através do cristal, que
ocasionalmente ocupa uma lacuna (sendo atraído pela lacuna). Quando isto ocorre temos
o que é chamado de RECOMBINAÇÃO. A recombinação é o fenômeno que ocorre
quando elétrons livres ocupam a lacuna, neste caso, o desaparecimento da carga negativa
é acompanhado pelo desaparecimento da carga positiva. A neutralidade do cristal, deste
modo é mantida.

7 8

O tempo entre a geração e a recombinação é chamado de TEMPO DE VIDA.

Em um semicondutor com o aumento da temperatura temos uma diminuição de sua
resistividade, dizemos que estes materiais possuem coeficiente negativo de temperatura,
ou seja, qualquer aumento de temperatura corresponde a uma diminuição de sua
resistência. Sendo, portanto, diferente do comportamento elétrico dos metais comuns,
uma vez que com o aumento da temperatura a corrente terá maior dificuldade de passar,
já que o número de elétrons livres é bastante elevado e qualquer aumento da temperatura
não causará a libertação de muitos elétrons a mais, mas contribuirá de modo acentuado
EXERCÍCIOS!!!!!!
para um aumento da agitação térmica dos átomos.
Nos metais com o aumento da temperatura a resistência aumenta. Os metais têm,
portanto, coeficiente positivo de temperatura.

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1 - Complete: - Semicondutores do tipo P e N

a) Os semicondutores mais utilizados e mais comuns são o ______________ e o Em um semicondutor podem-se acrescentar impurezas para se obter excesso de
_____________. elétrons livres ou excesso de lacunas.
b) O átomo de sílicio contém ______________elétrons. Com _______elétrons na O silício e o germânio são tetravalentes, isto é possuem 4 elétrons na camada de
camada de valência. valência.
c) O átomo de germânio contém_____________elétrons. Com________elétrons na Quanto substâncias pentavalentes (possuem 5 elétrons na camada de valência), são
camada de valência. adicionadas ao cristal puro, a configuração de gás nobre não é obtida, como se observa na
d) Os átomos de silício e de germânio por serem _____________, necessitam de Figura.
mais________ elétrons para conseguir a configuração de gás nobre.
e) Cada átomo compartilha ______elétrons com seus átomos vizinhos através da ligação Elétron
livre
___________________. Si

f) Na temperatura ambiente, alguns elétrons da camada de valência se tornam

____________________________.
g) A formação de elétrons livres é chamada ________________________. Si Si
h) A ocupação de um elétron livre na lacuna é chamada __________________________. Sb

i) O tempo entre a geração e recombinação é chamado ______________________.

Si
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 A cada átomo pentavalente que é adicionado, sobra um elétron, pois apenas 4
elétrons se ligam aos átomo de silício, pois o silício possui 4 elétrons e só necessita de
mais 4 elétrons para conseguir a configuração de gás nobre.
Nesse semicondutor temos o chamado material tipo N, pois em toda a sua estrutura, a
quantidade de elétrons livres é superior à quantidade de lacunas, como indica a Figura.
Como a quantidade de elétrons livres é maior do que a quantidade de lacunas, os
elétrons livres são chamados portadores majoritários e as lacunas portadores minoritários.
Se, no entanto, acrescentarmos impurezas trivalentes, para que ocorra a estabilidade,
irá faltar um elétron, ou seja, sobra uma lacuna, como mostra a Figura. Temos a formação
de um material tipo P, onde as lacunas são os portadores majoritários e os elétrons livres
portadores minoritários.

Si
Lacuna

Si Si
B

Si

13 14

2.Complete

a) Quando átomos pentavalentes são adicionados ao cristal puro, temos a formação de um

semicondutor do tipo __________.
b) Quando átomos trivalentes são adicionados ao cristal puro, temos a formação de um
semicondutor do tipo ___________.

EXERCÍCIOS!!!!!! c) No material do tipo P as lacunas são portadores________________________.

d) No material do tipo N as lacunas são portadores_______________________.

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