CUESTIONARIO DE TRANSISTORES

1).- Explicar la función del transistor.

R. El Transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador,

oscilador, conmutador o rectificador

2).- Explicar el funcionamiento del transistor.

R. Cuando el polo negativo de B1, de la figura 3.3 se aplica al emisor, los electrones son repelidos
hacia la unión. Si la tensión es suficiente para neutralizar la barrera interna de potencial, pasa a la
región de la base y, como es muy delgada , (digamos 10 µm) caen rápidamente bajo la acción de la
polarización inversa de la unión colector-base. Debido a la polarización inversa de esta unión, los
portadores mayoritarios de la base (huecos) están bloqueados pero la mayoría de los electrones
procedentes del emisor se difunden a través de la base y entran en el colector para caer bajo la
atracción del terminal positivo de B2. La región de la base es muy delgada y los electrones que
penetran en ella tienen una oportunidad, si bien pequeña, de convinarse con los huecos que son los
portadores mayoritarios de la base. Para que la oportunidad de combinación sea mínima, la base no
solo se fabrica muy delgada sino con pocos huecos (ligeramente dopada9 y la probabilidad de
recombinación en la región de la base es muy pequeña. En la practica el 98% de los electrones
inyectados a la base desde el emisor pasan al colector.

3).- indicar y explicar los tipos o clases de transistores.

R.- tipos de transistores

 Transistor de punta de contacto. Primer transistor que obtuvo ganancia, inventado en 1947
por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de germanio sobre la que se apoyan, muy
juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de emisor es
capaz de modular la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer
resistor".
 Transistor de unión bipolar, BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un
monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de
semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como
el diamante. Sobre el sustrato de cristal se contaminan en forma muy controlada tres zonas,
dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.

 Fototransistor, sensible a la radiación electromagnética, en frecuencias cercanas a la de la luz.

 Transistor de unión unipolar.
  Transistor de efecto de campo, FET, que controla la corriente en función de una tensión;
tienen alta impedancia de entrada.
o Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.
o Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta
se aísla del canal mediante un dieléctrico.

 Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa Metal-Óxido-

Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y está separada del canal
semiconductor por una capa de óxido.

4).- Graficar y explicar el circuito de una curva característica de reacción.

R.- En al figura 3.17 se relaciona la corriente de salida con la de entrada de para un valor

fijo de .La pendiente Δ Δ mide la ganancia de corriente directa simbolizada por β de un

transmisor montado con el emisor común. Los valores usuales están comprendidos entre 40 y 200.
Dicha ganancia es por lo tanto mucho mayor.

5).- Graficar y explicar el circuito de una curva característica de entrada.}

R.- Las características de entrada de la figura 3.15 muestra la variación de la corriente de entrada
en función de la tensión para la tensión colector-emisor cosntante. Como en el caso de la
conexión BC, el aspecto general de la curva se parece a la zona de característica directa de la curva
de un tipo P-N. la falta de proporcionalidad en el origen entre y varia considerablemente la
resistencia de entrada .
6).- Indicar las características de un circuito en serie de los transistores.

R.- Una técnica muy usada por sus probadas ventajas y un di9seño elemental consiste en la conexión
de transistores en serie para dividir por partes iguales el voltaje amplificado entre la entrada y la
salida de la fuente y comparten la potencia total a disipar.

7).- Indicar las características de un circuito en paralelo de los transistores.

R.- En ocasiones es necesario colocara transistores en paralelo con el objeto de aumentar la

capacidad de corriente del circuito en este caso es imprescindible garantizar el encendido de todos
los elementos al mismo tiempo.

8).- Explicar de que materiales están construidos los transistores.

R.- Dispositivo semiconductor provisto de tres terminales llamados base, emisor y colector, capaz de
funcionar como rectificador, amplificador, oscilador, interruptor. Los transistores vienen a resultar de
la unión de tres cristales a consecuencia de esta unión existen dos transistores los cuales son el
transistor NPN y el transistor PNP.

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de circuitos
electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de control. Vienen a sustituir a las
antiguas válvulas termoiónicas de hace unas décadas. Gracias a ellos fue posible la construcción de
receptores de radio portátiles llamados comúnmente "transistores", televisores que se encendían en
un par de segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a válvulas
tenían que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban más de 30 segundos en empezar a
funcionar, y en ningún caso podían funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenían.

Los transistores de unión (uno de los tipos más básicos) tienen 3 terminales llamados Base, Colector
y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de
varias formas.

Los transistores se componen de semiconductores. Se trata de materiales, como el silicio o el

germanio, dopados (es decir, se les han incrustado pequeñas cantidades de materias extrañas), de
manera que se produce un exceso o una carencia de electrones libres.

9).- Explicar el porque de los acoplamientos en los transistores.

R.-

10).- Indicar y explicar los tipos de curvas características que existen en los transistores.

R.- Curva característica de entrada

Si variamos el valor de la pila VEB de la malla de entrada, tomando valores de IB y VCB podemos
obtener la característica de (la malla de) entrada.

Como vemos, la característica del diodo base-emisor, y tiene una forma exponencial.

Curva característica de salida

Analizamos la malla de salida y obtenemos distintas curvas para diferentes valores de IB.

Ajustando VEB fijo un valor de IE que voy a mantener constante (por ejemplo IE = 10 mA). Ahora
variando VCB mido valores de VEB y IC y obtengo la correspondiente curva de IB = 10 mA. Hago lo
mismo para IB = 20 mA, etc... Y así sucesivamente para diferentes valores de IB.
BILBLIOGRAFIA

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