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Integrantes:
FLORES ALBERTO ANTONY HEYSON P. 20122521J
VERA-RAMIREZ-JESUS ITAMAR 20122513G
ARZAPALO POMA TONNY JHERSON 20142040G
NAVARRO CASTRO ELIAS MOISES 20142007J
MAMANI AYRA KEVIN FRANCO 20121020G
ELESCANO REYNA RICHARD 20140095I
1
INDICE
Introducción……………………………………………………….. 1
Objetivos…………………………………………………………… 2
Precauciones………………………………………………………. 3
Equipos y materiales……………………………………………... 4
Fundamento……………………………………………………… 6
Procedimiento…………………………………………………….. 13
Datos y Resultados……………………………………………….. 15
INTRODUCCIÓN
1
OBJETIVOS
2
EQUIPOS Y MATERIALES
- 2 transistores 2N2222.
- 3 transistores BC142.
3
- 1 generador de funciones.
- 1 protoboard.
- 1 Multimetro.
4
- 1 Osciloscopio.
- Cables.
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FUNDAMENTO TEORICO
DARLINGTON.
Utilizar un transistor Darlington para construir un seguidor de emisor, hace que este tenga
una impedancia de entrada mayor que si se construyera con un transistor convencional,
dado que:
𝑍𝑖 = 𝑅𝑏||(𝛽𝑑𝑅𝑒) (1)
𝑍𝑜 = 𝑟𝑒 (2)
𝐴𝑉 = 𝑅𝐸 𝑅𝐸 + 𝑟𝑒 (3)
𝑅𝑒
𝐴𝑣 = (3)
𝑅𝑒 + 𝑟𝑒
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CASCADA
En este tipo de circuito, como se muestra en la figura II, provee un amplificador de emisor
común (AEC) conformado por el transistor Q1, directamente conectado a un amplificador de
base común (ABC) conformado por Q2. La ganancia de voltaje dada por AEC es
aproximadamente 1 pero con carácter inversor: AV1=-1. Mientras que la ganancia de voltaje
dada por el ABC es: AV2= RC/re2 La ganancia de voltaje total queda dada por (4):
𝐴𝑉 = − 𝑅𝐶 𝑟𝑒2 (4)
𝑅𝑐
𝐴𝑣 = −
𝑅𝑐2
Donde re se usa para denotar la resistencia dinámica del transistor y se calcula como:
re=26mV/IE.
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MONOETAPA
Se plantea ahora a estudiar la forma de diseñar etapas amplificadoras con un solo BJT, y
dentro de las tres configuraciones posibles se escoge la de emisor común por ser la etapa
amplificadora con mejores características globales: ganancia de tensión e impedancia de
entrada.
Figura a
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- Punto de funcionamiento en la configuración de emisor común.
La elección del punto de funcionamiento necesita una discusión muy detallada, que aquí se
limitará a dar los elementos más importantes del planteamiento básico En primer lugar el
punto de funcionamiento en continua se define mediante la selección de las resistencias
R1, R2, RE, RC y VCC, aunque el valor de la fuente de alimentación, VCC, se supone
normalmente que se parte de un valor estándar, p.e. 10 V. Si se escogen RE y RC, se está
eligiendo una recta de carga estática determinada. En el gráfico de las curvas de salida del
transistor que se esté usando, 2N2222 en este caso, la recta de carga estática irá desde el
punto VCE = VCC en el eje X, hasta el punto IC = VCC/ (RE + RC) en el eje Y, tal como
muestra la figura b. En qué punto de esta recta de carga estática estará el punto de
funcionamiento estático, punto Q, lo definirá el valor de la corriente de base seleccionada,
lo cual se consigue, una vez elegidas RE y RC, mediante la elección de R1 y R2.
Figura b
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científicamente hablando, pero la razón de que no debe estar totalmente centrado en la
recta de carga estática, se comprenderá cuando se introduzca el concepto de recta de
carga dinámica.
Figura c
Figura d
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(1)- Afín de no complicarse con procesos de cálculo engorrosos y que poco
aportarían al conocimiento de estos amplificadores, no se va a plantear el cálculo
explícito de cuál ha de ser el punto idóneo de funcionamiento del BJT.
Figura e
La ganancia de tensión:
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De la ecuación de conducción del diodo base-emisor:
12
PROCEDIMIENTO
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- Mida las tensiones y corrientes correspondientes de cada transistor en cada circuito
(en DC).
- Mida con el osciloscopio las tensiones pico a pico, de salida de cada transistor.
- Anote todo los valores medidos.
- En forma teórica hallar en punto de operaciones de los circuitos Darlington y
cascada.
- Para el circuito en cascada, hallar la ganancia de tensión Av.
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DATOS Y RESULTADOS
CIRCUITO 1: CONEXIÓN EN CASCADA:
Vin 100 uV 100 uV 100 uV 100 uV 100 uV 100 uV 100 uV 100 uV 100 uV
100 12
F 100 Hz 400 Hz 700 Hz 1 KHz 2 KHz 10 KHz 1 MHz
KHz MHz
Vo
Av 500 5300 10600 14550 20300 23500 21000 4700 390
F VS AV
Av
25000
20000
15000
AV
10000
5000
0
0 2 4 6 8 10
F
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CIRCUITO 2: CONFIGURACION DARLINGTON, COMO SEGUIDOR EMISIVO
Q1 Q2
Vce Vbe Ic Ib Vce Vbe Ic Ib
17.69 0.45 4.52x10-7 3.28x10-9 18.28 0.59 0.114 mA 4.56x10-7
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TRANSISTOR Vbe Ib Vce Ic
Q1 0.65 5.7uA 2.69 0.69mA
Q2 0.64 4.7uA 9.96 0.61mA
Q3 -4.5 1.1uA -4.9 2.8uA
85mV/-85mV
Av= 0.34
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