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Transistor de un solo electrón

Introducción

Los dispositivos que confinan y procesan electrones individuales representan un importante


límite de escala de la electrónica. Tales dispositivos se han realizado en una variedad de
materiales y exhiben notables propiedades electrónicas, ópticas y espintrónicas. Aquí,
utilizamos una punta de microscopio de fuerza atómica para "dibujar" transistores de un solo
electrón de forma reversible mediante el control de una transición metal-aislante en la
interfaz de dos óxidos. En estos dispositivos, los electrones individuales hacen un túnel de
resonancia entre los electrodos fuente y de drenaje a través de una isla de óxido conductor
con un diámetro de ~ 1.5 nm. Demostramos control sobre la cantidad de electrones en la
isla usando electrodos de compuerta inferior y lateral, y observamos la histéresis en la
ocupación de electrones que se atribuye a la ferroelectricidad dentro de la heteroestructura
de óxido. Estos dispositivos de un solo electrón pueden encontrar uso como memorias no
volátiles ultradensas, sensores piezoeléctricos y de carga híbridos a nanoescala, así como
bloques de construcción en plataformas de simulación y procesamiento de información
cuántica.

El primer transistor de un solo electrón (SET), hecho de pequeñas uniones de túnel, se


realizó en los Bell Laboratories en 1987 por Fulton y Dolan. Desde entonces, la fabricación
de SET se hizo cada vez más sofisticado y permitió el funcionamiento en la habitación
temperatura o como sensores para detección de espín electrónico. En esta tesis, un solo el
transistor de electrones se usará para leer el estado de un espín nuclear aislado y, por lo
tanto, un conocimiento básico de las propiedades de transporte en SET y sus asociados
efectos tales como el bloqueo de Coulomb, cotunneling elástico e inelástico, y el Kondo el
efecto es necesario.
Circuito equivalente

Un solo transistor de electrones consiste en una isla conductora o punto cuántico, que está
acoplado al túnel a la fuente y a los cables de drenaje. Debido al pequeño tamaño del punto
los niveles de energía electrónica En están discretizados. Para observar la característica
tunelización de un solo electrón a través del dispositivo, la resistencia Rt de las barreras del
túnel debería ser mucho más alto que la cantidad de resistencia:

Donde h es la constante de Planck y de la carga elemental. Esta condición asegura que


solo un electrón en ese momento está entrando o saliendo del punto cuántico. Un simple
modelo para describir el transporte de electrones a través del punto fue desarrollado por
Korotkov et al, y revisado por Kouwenhoven y Hanson. En eso, el quantum dot se acopla a
través de condensadores de fuente, drenaje y compuerta constantes (Cs, Cd, Cg) a los tres
terminales. Al aplicar un voltaje a los tres terminales diferentes, el potencial electrostático
Ues del punto cuántico se modifica como:

Figura 1 Circuito equivalente de un SET.


El electrostático el comportamiento del
punto es modelado por condensadores a
la fuente, drenaje y puerta terminales.
Con C = Cs + Cd + Cg y Vs, Vd y Vg siendo los voltajes de fuente, drenaje y compuerta,
respectivamente. Además, debido a la repulsión de Coulomb, agregar un electrón al el punto
cuántico con electrones N (N> 0) costará una energía adicional:

Con Ec siendo la energía de carga. En consecuencia, para observar el túnel de un solo


electrón, Se requieren temperaturas menores que Ec ya que, de lo contrario, el proceso del
túnel puede ser activado térmicamente.

Al juntar todas las contribuciones se obtiene la energía total U del punto cuántico con N
electrones:

Donde N0 es la carga de desplazamiento y En (B) el solo electrón dependiente del campo


magnético energías Experimentalmente, es más conveniente trabajar con el potencial
químico, definida como la diferencia de energía entre dos estados de carga subsecuentes
μdot (N) = U (N) - U (N - 1). Insertar Eq. 2.1.5 en esta expresión da:

Con EN siendo la energía del N-ésimo electrón en el punto cuántico. Tenga en cuenta que
el potencial químico depende linealmente del voltaje de la compuerta, mientras que la
energía total muestra una dependencia cuadrática Por lo tanto, la diferencia de energía
entre la sustancia química los potenciales de diferentes estados de carga permanecen
constantes para cualquier voltaje aplicado. La energía para agregar un electrón al punto
cuántico se llama energía de adición Eadd y se define como la diferencia entre los potenciales
químicos posteriores.

Con E siendo el espacio de energía entre dos niveles de energía discretos.


Referentes al inicio del transistor de un solo electrón

 Efecto de un solo electrón observado por Millikan (1911).

 Túnel de electrones investigado por Gorter (1951), Giaever y Zeller (1968) y Lambe
y Jaklevic (1969).

 Aspectos teóricos de los efectos de carga de electrones y oscilaciones de Coulomb


(1970s y 1980s).

 STM renovó el interés en el bloqueo de Coulomb (imagina la superficie y mide las


características I-V de un solo grano (menos de 10 nm).

SET - Transistor de un solo electrón

Figura 2 Estructura de
transistores sobre una isla
de puntos cuánticos.

 Uniones de túnel, condensador de puerta, isla, terminales (fuente, drenaje y


compuerta).

 SET - transporte de electrones individual a través de un QD.

 La isla es la QD que está conectado a los terminales de drenaje y fuente; el


intercambio de electrones ocurre SÓLO con los terminales de drenaje y fuente.
 El terminal de puerta proporciona acoplamiento electrostático o capacitivo.
 Sin acoplamiento a S y D, hay N electrones en el punto cuántico (isla) - la carga
total en la isla se cuantifica a EN.

 Si se permite el efecto túnel entre las terminales S, D y de origen, entonces la


cantidad de electrones N se ajusta a sí misma hasta que la energía del sistema total
se minimice.

 Las uniones de túnel (barreras) se hacen lo suficientemente gruesas para que


existan electrones en el I, S, D de manera tal que la fluctuación cuántica en N debido
a la construcción de túneles a través de la barrera es mucho más pequeña que la
unidad.

Transporte
El transporte de carga se basa en el transporte de electrones balísticos cuánticos: el
transistor de un solo electrón es un dispositivo mesoscópico donde la longitud de coherencia
es mayor que la dimensión del dispositivo (→ fórmula Landauer utilizada).

 G = I / V = 2e ^ 2 / h * T (EF) donde T (EF) es el problema de transmisión de


electrones, EF es el nivel de energía de Fermi, 2 es debido a la degeneración de
giro.

 Para una conductancia máxima donde T (EF) = 1, tenemos G = 77.44 S por giro.
SET electrómetro

Figura 3 QD acoplado a
un SET-electrómetro.

 El cambio de potencial en la isla se acopla a la isla SET donde actúa a un cambio


en la tensión de compuerta U, ya que los picos son agudos, un pequeño cambio de
voltaje da un gran cambio en la corriente.

El consumo de energía
 La potencia disipada por unidad de área viene dada por P = (N / A) * Vs * Q * f Vs
tensión de alimentación, Q carga movida en cada período, f es frecuencia, N es el
número de dispositivos, A es el área.
 Vs = 0.25V; Q = 1e; f = 1 THz; N / A = 5 * 10E11 dev / cm ^ 2 P = 20000 W / cm ^
2, (el reactor nuclear genera 200 W / cm ^ 2), los límites de enfriamiento de los PC
actuales de los paquetes a 100 W / cm ^ 2.
Diagrama de bloques

Figura 4 Características de transporte.

Figura 5 Conductancia diferencial


y capacitancia dependientes de la
temperatura del dispositivo.
Figura 6 Dispositivo B de
apertura lateral en T 525 K.

Figura 7 Dependencia de conductancia


diferencial y capacitancia en el voltaje de la
compuerta trasera en T 516 K, dispositivo C.