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Chapitre 4 La structure M.I.

S
(Métal. Isolant. Semi-conducteur)

4.1 Réalisation d’une MIS :


En technologie Silicium, nous utilisons deux types d’isolants :
l’Oxyde de Silicium SiO2 ou le Nitrure de Silicium Si3N4*, telles que les structures
suivantes :
Al/ SiO2/Si(N), Al/ SiO2/Si(P), Al/ Si3N4/Si(P)
Au/ SiO2/Si(N) ou Au/ SiO2/Si(N)
Le procédé de réalisation d’une MIS est composé de 3 étapes :
Al
- Une étape d’oxydation où on fait croître une couche d’oxyde SiO2 par CVD (ou
SiO2
par plasma) sur la surface du wafer silicium (N) ou (P).
Si(p)
- Une étape de métallisation de grille par évaporation sous vide de l’aluminium,
- Et une dernière étape qui consiste à métalliser la face arrière du plaquette Si(N) ou Al
Si(P).

4.2 Structure MIS idéal à l’équilibre thermodynamique :


Pour faciliter l’étude électrique de la structure MIS (MIS réelle), nous posons trois
hypothèses :
- La couche d’oxyde isole parfaitement le sc de la grille métallique (pas de charges
libres dans l’isolant),
- Les travaux de sortie du métal et du sc sont identiques : em= es

Le dopage du semi-conducteur est tel que les travaux de sortie du métal et du


semi-conducteur sont identiques*.

- Absence de charge à l’interface isolant/sc.

La figure 1, donne le diagramme d’énergie d’une structure MIS idéale à l’équilibre


thermodynamique ; nous prenons la structure : Al/ SiO2/Si(N).
E Env Env
ei

es es
em

Ec
EF EF

Ev

ei
xp

Fig 1 . Diagramme d’énergie d’une structure MIS idéal

Les bandes d’énergie côté isolant plus semi-conducteur sont plates, on est en régime de
bandes plates

4.3 Structure MIS idéal polarisée :


Appliquons une tension VG sur la grille métallique, le potentiel de référence étant celui du
semi-conducteur :
a- VG>0 : régime d’accumulation :
 Densité de charge :
Quand on applique une tension VG entre le métal et le sc , il apparaît un champ électrique
dans l’isolant (i) et un champ électrique à l’interface isolant/sc (s) liés par l’équation

suivante :  i  i   s  s , équation exprimant la continuité du vecteur déplacement D à
l’interface isolant/sc. La figure 2, illustre le diagramme d’énergie de la structure
polarisée.
s
i
Env
-eVG
Env ei

es es
em

Ec
EF EF
Eg

Ev

VG 0 volt

Zone
d’accumulation

Fig 2. Diagramme d’énergie en régime d’accumulation.

- Sous l’action du champ électrique s , les é du sc (les porteurs majoritaires) ont

tendance à venir s’accumuler près de l’interface, entraînant une courbure vers le bas des
niveaux EC et Ev : c’est le régime d’accumulation.

- Sur la grille métallique, il apparaît une charge positive par unité de surface : Qm > 0.

- Les é attirés vers l'interface isolant-semiconducteur forment une charge négative par
unité de surface :

Qs = - Qm < 0.
La structure MIS est alors équivalente à une capacité qui a pour diélectrique, la couche
isolante SiO2. La figure 3 donne la répartition des charges dans une MIS en régime
d’accumulation.

M I S

Qm

x
Qs

Fig 3. Densité de charge

 Potentiel de surface Vs :
La tension de polarisation VG appliquée sur la grille métallique se répartit entre l’isolant
et le semi-conducteur : VG=Vi + Vs
- Vi = tension maintenue par l’isolant,
- Vs = tension à l’interface isolant/sc ou potentiel de surface.

 Potentiel et Champ électrique :

V(x)

M I S
VG
Vi

Vs

0 x

Fig 4 : Distribution de potentiel V(x)


ei
Le champ (x) est obtenu par la dérivation du potentiel V(x) :

dV( x )
( x )   .
dx

(x)

ii=ss avec i < s


i
i = 3,45 10-11 F/m. pour SiO2

=cte Fig 5 : Champ électrique


s

 Capacité de la structure MIS en régime d’accumulation :

 0 i
C acc  C i   ( pF / cm 2 ) ; Cacc est indépendante de l’excitation VG.
ei

b- VG<0 : régime de désertion :


Examinons maintenant l’effet d’une polarisation négative de la grille métallique :

Les é libres du sc sont repoussés loin de l’interface isolant/sc , créant ainsi une zone de
charge d’espace ZCE déserte en é (porteurs majoritaires) et contenant une charge fixe de
donneurs non compensées, figure 6.

 Densité de charge ( x ) :
L’application d’une tension de grille négative fait apparaître deux charges opposées :
- Une charge par unité de surface Qm> 0 au niveau de la grille métallique,
- et une charge opposée Qs   Qm > 0 au voisinage de l’interface isolant/sc , figure 7.
i
Env s
-eVG
ei Env

es es
em

EF  Ec
-eVG 
EF

Ev

VG 0 volt

Zone
de désertion

Fig 6 Diagramme d’énergie de la structure MIS en régime de désertion :

(x)

M I S

Qs = eNd.xd

Qs xd = profondeur de la ZCE

x
Qm

Fig 7. Densité de charge


 Potentiel et champ électrique en régime de désertion :
Les figures 8a, b donnent les distributions du potentiel V(x) et du champ E(x) :

V(x)

M I S

0
x
Vs

VG ei

(x)
ii=ss avec i < s
M I S
i = 3,45 10-11 F/m. pour SiO2

s x

i

Fig 8a, b Potentiel et Champ électrique en régime de désertion.

 Capacité de la structure MIS en régime de désertion :


Dans ce régime on doit tenir compte de la capacité de la ZCE formé au voisinage de
l’interface isolant/sc, CZCE :
C i  C ZCE
La capacité totale de la structure : C total  C des  .
C i  C ZCE

0 i 0 s
avec C i  et C ZCE  .
ei x d (VG )

Notons bien la dépendance de la capacité Cdes avec la tension de grille VG.

- Calcul du potentiel de surface Vs et du champ électrique de surface s : (TD)

- Evolution de Cdes avec la tension de grille (TD)

c- Tension de grille fortement négative : régime d’inversion

Le diagramme d’énergie de la structure en régime d’inversion est représenté sur la figure 9

i
Env
s
-eVG ei

Env
em

es es
EF

-eVG
 Ec
 EF
EFi

Fig. 9
Ev

VG << 0
Zone
de désertion 0V

Fine zone d’inversion


On repousse d’avantage les é du sc de l’interface, ce qui accentue la courbure vers le haut
des niveaux d’énergie Ec et Ev. Nous remarquons qu’au voisinage de l’interface
isolant/sc(N), le niveau Ev devient plus proche du niveau de Fermi (EF) que le niveau Ec :
nous réalisons donc une fine couche type P prés de l’interface , c’est le régime
d’inversion.

La couche d'inversion est séparée par une zone désertée de la région neutre du semi-
conducteur, figure 9.

 Charge développée dans la structure :


Dans ce régime, la charge totale engendrée dans le sc s’écrit :
QT  Qinv  QZCE avec QZCE  eN d  x ZCE

Par effet capacitif QT est équilibrée par une charge négative Qm localisée sur la grille
métallique, figure 10.

(x)
M I S

Qinv
QZCE

xZCE x
xinv
Qm (xinv + xZCE)  xZCE

Fig 10. Distribution de charge en régime d’inversion


 Potentiel et champ électrique en régime en forte inversion :
En continuant à augmenter le potentiel de grille VG, on atteint le point (ou le régime) de
forte inversion, la densité des porteurs positives (trous) ramenés prés de l’interface
isolant/sc devient égale à la densité des électrons du sc en l’occurrence Nd. En effet nous
avons :
E Fi  E F  int erface E F  E Fi volume
p  ni  exp et n  ni  exp
KT KT
En égalisant ces deux concentrations, nous aurons :

p  n  E Fi  E F  int erface  E F  E Fi volume (I)

L’identité (I) nous donne donc un potentiel de surface :

 2E Fi  E F  int erface 2 KT N


Vs  Vsin v    ln d
e e ni

Vs  Vsin v est Le potentiel à l'interface en régime de forte inversion .

En régime d'inversion, tout accroissement de la charge sur l'électrode métallique est


équilibré par deux phénomènes différents :

- Un accroissement de la charge de la couche d'inversion ( Qinv ),


- Un accroissement de la charge d'espace due à la zone désertée (QZCE )

Remarque : Bien que le potentiel de surface augmente légèrement lorsque la tension


appliquée sur la structure dépasse la tension de forte inversion, on peut supposer sans trop
d'erreur que le potentiel de surface conserve la valeur : Vs  Vsin v et que la profondeur de
la ZCE reste égale à xM.

La figure 11, donne l’évolution des fonctions V(x) et (x) dans la structure MIS en régime
de forte inversion.
V(x)

M I S

0
x
Vsinv

VG xM

ei

(x)

M I S

s

xM
i

Fig 11 Potentiel et champ électrique en régime de forte inversion

 Capacité de la structure :

En forte inversion La capacité totale de la structure est donnée par :


C i  C ZCE
C total  C des  .
C i  C ZCE

0 i 0 s
avec Ci  et C ZCE  .
ei x M (Vsin v )
La caractéristique C(V) de la structure est donnée par la figure 12.

Fig 12 : Capacité C(V) de la structure MIS pour un Sc(P) et un un Sc(N) .

Conclusion :

Références :

- Physique des composants électroniques A. Vapaille, R. Castagné

- Physique des semi-conducteurs et des composants électroniques H. Mathieu

- Cours d’électronique. Les composants semi-conducteurs Bernard BOITTIAUX

- Physique et Technologie des semiconducteurs (18) F.Levy

- Technologie des semiconducteurs et des circuits intégrés P. Vanden Bosschelle