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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

FACULTAD DE INGENIERÍA QUÍMICA Y TEXTIL

CIRCUITOS ELECTRICOS E INSTALACIONES ELECTRICAS INDUSTRIALES

SENSORES FOTOVOLTAICOS

GRUPO N° 05 A

INTEGRANTES: Luna Chinchayhuara Alvaro

Nuñez Romero Naysha
Quispe Espinoza Jenifer
Vera Zarate Anthony

LIMA – PERÚ

2017
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Índice general

Portada……………………………………………………………………….….1
Índice general……………….……………………………………….……….…2
Índice de tabla………………..………………………………………..……….3
Índice de ilustraciones………………………………………………….……...3
Introducción ……..……………………………………………………………...4
Capítulo I.……………………………………………………………………..…6
1. Sensor
2. Distinción entre sensor y transductor
3. Sensores generadores
4. Sensores fotovoltaicos
5. Conceptos para el principio de funcionamiento
6. Efecto fotovoltaico

Capítulo II….……………………………………………………..…..………...22

1. Piranimetro
2. Pirheliometro
3. Albedometro
4. Pirgeometro
Capitulo III….………………………………………………………….……….26

1. Instrumentación
2. Célula fotovoltaica
3. Silicio
4. Aplicaciones

Bibliografías….…………………………………………………………………34
 3

Índice de tablas
Tabla 1.Clasificaciones de los sensores (Pallás Areny, 2007) ................... 7
Tabla 2.Características de una célula fotoeléctrica de silicio de aplicación
(Pallás Areny, 2007) ................................................................................. 27

Índice de ilustraciones
Ilustración 1.Diferentes tipos de sensores en función de la variable que
tengan que medir o detectar ....................................................................... 7
Ilustración 2.a) Célula Doble Fotovoltaica Calibrada, Modelo CCAL b)
Piranómetro Modelo LI-200 c) Célula Fotovoltaica Calibrada, Serie "Si"
d)Algunos sensores fotovoltaicos ............................................................... 8
Ilustración 3 bandas de conducción y valencia de un aislante, un
semiconductor y un conductor .................................................................. 11
Ilustración 4.niveles discretos en estructuras atómicas aisladas ............. 11
Ilustración 5 Impureza de antimonio en un material tipo n. ...................... 13
Ilustración 6. Impureza de boro en un material tipo n. ............................. 14
Ilustración 7. Unión p-n ............................................................................. 15
Ilustración 8efecto fotoeléctrico ................................................................ 17
Ilustración 9.Circuito equivalente simplificado para un detector o sensor
fotovoltaico: Icc es la corriente de cortocircuito, Rp es la resistencia
paralelo, Rs es la resistencia serie de salida y C es la capacidad de la
unión. Rc es la resistencia de carga ......................................................... 18
Ilustración 10.El fotón en el efecto fotovoltaico ........................................ 20
Ilustración 11. Efecto fotovoltaico ............................................................. 21
Ilustración 12.Efecto fotoeléctrico en una unión p-n ................................. 21
Ilustración 13 Piranometro ........................................................................ 23
Ilustración 14. Pirheliometro ..................................................................... 24
Ilustración 15. Albedometro ...................................................................... 25
Ilustración 16. Pirheometro ....................................................................... 26
Ilustración 17. Célula de silicio (Si) Foto diodo ......................................... 29
Ilustración 18. Fotómetro de Llama FP 8801 ........................................... 31
Ilustración 19. Exposímetro ...................................................................... 33
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INTRODUCCION

Fruto de las primeras investigaciones fue el francés Alexandre Edmond

Bequerel en 1838 a sus 19 años el descubrimiento del efecto fotovoltaico al
experimentar con una pila electrolítica con electrodos de platino, en la que
observó el incrementen de corriente que causa la exposición a la luz de uno
de los electrodos.
El siguiente paso se dio en 1873 cuando el ingeniero eléctrico inglés
Willoughby Smith descubre el efecto fotovoltaico en sólidos. En este caso
sobre el Selenio.
Pocos años más tarde, en 1877, El inglés William Grylls Adams profesor de
Filosofía Natural en la King College de Londres, junto con su alumno
Richard Evans Day, crearon la primera célula fotovoltaica de selenio. La
célula fotovoltaica es un dispositivo, artificial, que se encarga de transformar
la energía de las ondas emitidas por el Sol en electricidad.
Si bien en todos estos descubrimientos la cantidad de electricidad que se
obtenía era muy reducida y quedaba descartada cualquier aplicación
práctica, se demostraba la posibilidad de transformar la luz solar en
electricidad por medio de elementos sólidos sin partes móviles.
La posibilidad de una aplicación práctica del fenómeno no llegó hasta 1953
cuando Gerald Pearson de Bell Laboratories, mientras experimentaba con
las aplicaciones en la electrónica del silicio, fabricó casi accidentalmente
una célula fotovoltaica basada en este material que resultaba mucho más
eficiente que cualquiera hecha de selenio. A partir de este descubrimiento,
otros dos científicos también de Bell, Daryl Chaplin y Calvin Fuller
perfeccionaron este invento y produjeron células solares de silicio capaces
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de proporcionar suficiente energía eléctrica como para que pudiesen

obtener aplicaciones prácticas de ellas.

La placa fotovoltaica está formada por un conjunto de celdas o células

fotovoltaicas que producen electricidad a partir de la luz solar incidente
sobre ellos. Las células generalmente se elaboran con silicio, el elemento
que es el principal componente de la sílice, el material que compone
la arena. De esta manera empezaba la carrera de las placas fotovoltaicas
como proveedoras de energía.
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CAPITULO I

1. Sensor
Un sensor es un dispositivo que, a partir de la energía del medio
donde se mide, la una señal de salida transducible que es función de
la variable medida. (Pallás Areny, 2007)

Los sensores es un componente esencial de la automatización

moderna, ya que las instalaciones deben detectar muchas
magnitudes físicas. El trabajo de los sensores es de hacer legible las
magnitudes físicas como presión, temperatura o fuerza, convirtiendo
estas en señales eléctricas. Para ello es necesario alcanzar una alta
precisión, los sensores no deben influir demasiado en el proceso y el
tiempo de reacción debe mantenerse el más corto posible. Para
cumplir con tales exigencias se usan un sinnúmero de efectos físicos.
Por ejemplo, para la medición de temperatura se usan materiales que
con el cambio de temperatura cambian la resistencia eléctrica. Por
otro lado, los electrodos de pH y Redox dan una tensión constante.
Otro campo de los sensores son los sensores que no disponen de
una señal de salida analógica, sino más bien de una señal de salida
binaria (encendido o apagado). Un ejemplo de ello son los sensores
de nivel. Muchas aplicaciones no requieren que la medición de nivel
sea precisa. Es suficiente detectar cuándo se ha superado cierto
nivel. Esto se consigue por ejemplo con los sensores de nivel
capacitivos. Este da una señal de salida cuando el líquido alcanza el
sensor. (Ibérica, 2014)
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Ilustración 1.Diferentes tipos de sensores en función de la variable que tengan que medir o detectar

Tabla 1.Clasificaciones de los sensores (Pallás Areny, 2007)

Criterio Clases Ejemplos

Aporte de Moduladores Termistor
energía Generadores Termopar
Analógico Potenciómetro
Señal de salida
Digitales Codiciador de posición
Acelerómetro de
Modo de De deflexión
deflexión
operación De comparación
servoacelerometro

2. La distinción entre un sensor y transductor

Es importante no confundir un sensor con un transductor ambos se
emplean a veces como sinónimos, pero sensor sugiere un significado
más extenso: la ampliación de los sentidos para adquirir un
conocimiento de cantidades físicas que, por su naturaleza o tamaño,
no pueden ser percibidas directamente por los sentidos. Transductor,
en cambio, sugiere que la señal de entrada y la de salida no deben
ser homogéneas, en general, a todo dispositivo que convierte una
señal de una forma física en una señal correspondiente pero de otra
forma física distinta. (Pallás Areny, 2007)
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3. Sensores generadores
Se consideran sensores generadores aquellos que generan una señal
eléctrica a partir de la magnitud que miden, sin necesidad de una
alimentación eléctrica. Se exponen aquí los sensores fotovoltaicos.
(Pallás Areny, 2007)

4. Sensores fotovoltaicos

Un sensor fotovoltaico es un dispositivo que, a partir de la energía

solar, radiación solar, son capaces de dar una señal eléctrica,
generalmente los sensores fotovoltaicos están formados de un
material semiconductor, normalmente de silicio. (Romero C, 2005)

El funcionamiento de los sensores fotovoltaicos está basado en el

fenómeno físico denominado efecto fotovoltaico. De forma muy
resumida y desde el punto de vista eléctrico, el “efecto fotovoltaico” se
produce al incidir la radiación solar (fotones) sobre los materiales
semiconductores extrínsecos. (Cursolar)

Ilustración 2.a) Célula Doble Fotovoltaica Calibrada, Modelo CCAL b) Piranómetro Modelo
LI-200 c) Célula Fotovoltaica Calibrada, Serie "Si" d)Algunos sensores fotovoltaicos
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5. Conceptos para el principio de funcionamiento: Efecto

fotovoltaico

5.1 Radiación solar

La radiación solar es muy importante ya que sin ésta no se
produciría el efecto fotovoltaico. La radiación solar es el conjunto de
radiaciones electromagnéticas emitidas por el Sol. Esta energía es
una mezcla de radiaciones que se distingue entre radiación
ultravioleta, luz visible y radiación infrarroja.

5.2 Materiales semiconductores :Ge, Si y GaAs

Los semiconductores son una clase especial de elementos cuya

conductividad se encuentra entre la de un buen conductor y la de un
aislante. (Boylestad & Nashelsky, 2009)
Los electrones de valencia están más ligados al núcleo pero con una
pequeña cantidad de energía se pueden comportar como
conductores. (Romero C, 2005)
En general, los materiales semiconductores caen dentro de una de
dos clases: de un solo cristal como germanio (Ge) y el silicio (Si) y
compuesto como el arseniuro de galio (GaAs), siendo estos los más
frecuentemente utilizados en la construcción de dispositivos
electrónicos. (Boylestad & Nashelsky, 2009)

5.2.1 Historia de los materiales semiconductores

En 1949, se utilizaba germanio casi exclusivamente porque era en
cierto modo fácil de encontrar y estaba disponible en grandes
cantidades. También era relativamente fácil de refinar para
obtener niveles muy altos de pureza, un aspecto importante en el
proceso de fabricación. Sin embargo, se descubrió que con
germanio como material base eran poco confiables, sobre todo
 10

por su sensibilidad a los cambios de la temperatura. En aquel

entonces, los científicos sabían que otro material, el silicio, tenía
mejores sensibilidades a la temperatura, pero el proceso de
refinación para producir silicio con niveles muy altos de pureza
aún se encontraba en su etapa de desarrollo. Finalmente, en 1954
el silicio se convirtió en el material semiconductor preferido, pues
no sólo es menos sensible a la temperatura, sino que es uno de
los materiales más abundantes en la Tierra, lo que acaba con
cualquier preocupación sobre su disponibilidad. Las compuertas
se abrieron ante este nuevo material y la tecnología de diseño y
fabricación evolucionó de forma continua a través de los años
hasta el alto nivel actual de complejidad. Sin embargo, conforme
pasaba el tiempo, el campo de la electrónica se volvió cada vez
más sensible a las cuestiones de velocidad. Las computadoras
operaban a velocidades cada vez más altas y los sistemas de
comunicación lo hacían a niveles cada vez más altos de
desempeño.
Se tenía que encontrar un material semiconductor capaz de
satisfacer estas necesidades. El resultado fue el desarrollo de
GaAs a principios de la década de 1970. El GaAs operaba a
velocidades hasta de cinco veces la del Si. El problema, no
obstante, fue que por los años de intensos esfuerzos de diseño y
mejoras en el proceso de fabricación con Si, las redes de
transistores de Si para la mayoría de las aplicaciones eran más
baratas de fabricar y ofrecían la ventaja de estrategias de diseño
altamente eficientes. El GaAs era más difícil de fabricar a altos
niveles de pureza, más caro y tenía poco apoyo de diseño en los
primeros años de su desarrollo. No obstante, con el tiempo la
demanda de mayor velocidad dio por resultado que se asignaran
 11

más fondos a la investigación del GaAs, al punto de que en la

actualidad se utiliza de manera consistente como material base
para nuevos diseños de circuitos integrados a gran escala (VLSI,
por sus siglas en inglés) de alta velocidad. (Boylestad &
Nashelsky, 2009)

5.3 Niveles de energía

Dentro de la estructura atómica de cada átomo aislado hay niveles
específicos de energía asociados con cada capa y electrón en órbita,
como se muestra en la ilustración 3. Los niveles de energía
asociados con cada capa son diferentes según el elemento de que
se trate. Sin embargo, en general: Cuanto más alejado está un
electrón del núcleo, mayor es su estado de energía y cualquier
electrón que haya abandonado a su átomo padre tiene un estado de
energía mayor que todo electrón que permanezca en la estructura
atómica. (Boylestad & Nashelsky, 2009)

Ilustración 4.niveles discretos en estructuras atómicas

aisladas

Ilustración 3 bandas de conducción y valencia de un aislante, un semiconductor y un conductor

 12

5.4 Materiales Extrínsecos: materiales tipo n ,tipo p y unión p-n

Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de
dopado se conoce como material extrínseco. (Boylestad &
Nashelsky, 2009)

Comoquiera que las corrientes que se producen en el seno de un

semiconductor intrínseco a la temperara ambiente son
insignificantes, dado el bajo valor de portadores libres, para
aumentarlos se les añaden otro cuerpos, que se denominan
impurezas. De esta forma es como se obtienen los semiconductores
extrínsecos tan importantes en la energía solar fotovoltaica.
(Cursolar)

5.4.1 Semiconductores extrínsecos tipo n

La estructura cristalina del Silicio (Si) dopado con Antimonio (Sb)
al introducirse un átomo de impurezas de este elemento, hecho
por el que recibe el nombre de semiconductor extrínseco. Como
se aprecia el átomo de Sb no solo cumple con los cuatro enlaces
covalentes, sino que aún le sobra un electrón, que tiende a salirse
de su órbita para que quede estable el átomo de Sb. Por cada
átomo de impurezas añadido aparece un electrón libre en la
estructura. (Cursolar)

Este electrón restante, enlazado de manera poco firme a su átomo

padre (antimonio), está en cierto modo libre para moverse dentro
del material tipo n recién formado, puesto que el átomo de
impureza insertado ha donado un electrón relativamente “libre” a
la estructura. Las impurezas difundidas con cinco electrones de
valencia se conocen como átomos donadores. (Boylestad &
Nashelsky, 2009)
 13

Siendo en consecuencia el número de portadores eléctricos

negativos mucho mayor que el de los positivos, por lo que los
primeros reciben la denominación de portadores mayoritarios y los
segundos la de portadores minoritarios y, por el mismo motivo, se
le asigna a este tipo de semiconductores extrínsecos la
clasificación de semiconductor extrínseco tipo n. (Cursolar)

Ilustración 5 Impureza de antimonio en un material tipo n.

5.4.2 Semiconductores extrínsecos tipo p

En la figura se presenta la estructura cristalina del Silicio (Si)
dopado con Boro (B). Por cada átomo de impurezas trivalente que
se añade al semiconductor intrínseco aparece en la estructura un
hueco, o lo que es lo mismo, la falta de un electrón. (Cursolar)

Como en este semiconductor hay mayor número de cargas

positivas o huecos, se les denomina a estos, portadores
mayoritarios; mientras que los electrones libres, únicamente
propiciados por los efectos de la agitación térmica son los
portadores minoritarios. Por esta misma razón el semiconductor
 14

extrínseco así formado recibe el nombre de semiconductor

extrínseco tipo p, siendo neutro el conjunto de la estructura, al
igual que sucedía con el tipo n. (Cursolar)
El vacío resultante se llama hueco, las impurezas difundidas con
tres electrones de valencia se llaman átomos aceptores.
(Boylestad & Nashelsky, 2009)

Ilustración 6. Impureza de boro en un material tipo n.

5.4.3 Unión del semiconductor p con el n, unión p-n

En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el

electrón el minoritario y en un material tipo n el electrón se llama
portador mayoritario y el hueco portador minoritario. (Boylestad &
Nashelsky, 2009)

Al colocar parte del semiconductor TIPO P junto a otra parte del

semiconductor TIPO N, debido a la ley de difusión los electrones de
la zona N, donde hay alta concentración de estos, tienden a
dirigirse a la zona P, que a penas los tiene, sucediendo lo contrario
con los huecos, que tratan de dirigirse de la zona P, donde hay alta
concentración de huecos, a la zona N. Eso ocasiona su encuentro y
 15

neutralización en la zona de unión. Al encontrarse un electrón con

un hueco desaparece el electrón libre, que pasa ocupar el lugar del
hueco, y por lo tanto también desaparece este último, formándose
en dicha zona de la unión una estructura estable y neutra.
(Cursolar)

Como quiera que la zona N era en principio neutra y al colocarla

junto a la zona P pierde electrones libres, hace que cada vez vaya
siendo más positiva, mientras que la zona P, al perder huecos, se
hace cada vez más negativa. Así aparece una diferencia de
potencial entre las zonas N y P, separadas por la zona de unión
que es neutra. La tensión que aparece entre las zonas, llamada
barrera de potencial, se opone a la ley de difusión, puesto que el
potencial positivo que se va creando en la zona N repele a los
huecos que se acercan de P, y el potencial negativo de la zona P
repele a los electrones de la zona N. Cuando ambas zonas han
perdido cierta cantidad de portadores mayoritarios que se han
recombinado, la barrera de potencial creada impide la continuación
de la difusión y por tanto la igualación de las concentraciones de
ambas zonas. La barrera de potencial es del orden de 0.2V cuando
el semiconductor es de Ge y de unos 0.5V cuando es de Si.
(Cursolar)

Ilustración 7. Unión p-n

 16

6. Efecto fotovoltaico

Se define como la conversión de la radiación solar en electricidad,

mediante materiales semiconductores que tienen la propiedad de
absorber fotones y emitir electrones. (Romero C, 2005)

Algunos materiales presentan una propiedad conocida como efecto

fotoeléctrico, que hace que absorban fotones de luz y emitan
electrones. Cuando se captura a estos electrones libres emitidos, el
resultado es una corriente eléctrica que puede ser utilizada como
energía para alimentar circuitos. (Carletti, 2007)
El efecto fotovoltaico es la base del proceso del sensor fotovoltaico
que mide la radiación solar y emite una señal eléctrica. La radiación
solar está compuesta por fotones, o partículas energéticas. Estos
fotones son de diferentes energías, correspondientes a las diferentes
longitudes de onda del espectro solar. Cuando los fotones inciden,
pueden ser reflejados o absorbidos, o pueden pasar a su través.
Únicamente los fotones absorbidos generan electricidad. Cuando un
fotón es absorbido, la energía del fotón se transfiere a un electrón de
un átomo. Con esta nueva energía, el electrón es capaz de escapar
de su posición normal asociada con un átomo para formar parte de
una corriente en un circuito eléctrico.
Las partes más importantes de un sensor fotovoltaico son las capas
de semiconductores, ya que es donde se crea la corriente de
electrones. Estos semiconductores son especialmente tratados para
formar dos capas diferentemente dopadas (tipo p y tipo n) para formar
un campo eléctrico, positivo en una parte y negativo en la otra.
Cuando la luz solar incide en el sensor se liberan electrones que
 17

pueden ser atrapados por el campo eléctrico, formando una corriente

eléctrica. (Abellá)
Los materiales que se utilizan en la fabricación de células
fotovoltaicas que contienen los módulos solares, el silicio por ejemplo,
son materiales semi-conductores, que cuando captan la radiación
solar -fotones- liberan dichos electrones, los cuales circulan de forma
permanente por el material, debido a la presencia de un campo
eléctrico. El campo eléctrico se genera al combinar en la célula
fotovoltaica, dos capas de material semi-conductor, pero con con
cargas eléctricas opuestas cada capa. Un conductor externo, permite
el flujo de electrones de una capa a otra, cuando la célula recibe
radiación, produciendo así una corriente eléctrica. (Yuste, 2015)

Ilustración 8efecto fotoeléctrico

6.1 Fundamento

Es la generación de un potencial cuando la radiación ioniza una

región donde existe una barrera de potencial, la barrera de potencial
se forma debido a la recombinación de portadores de carga en una
unión p-n, es decir los electrones pasan de la región n a la región p y
los huecos de la región p a la región n; ante una radiación con
energía superior a la banda prohibida se generan pares electrón –
hueco. Aunque existen formas adicionales a la unión p-n para crear
una barrera de potencial, esta es la más recuente en sensores. Si la
unión p-n está constituida por un mismo semiconductor, se habla de
homounión. En caso contrario, se trata de una heterounión.
(Meléndez Cuauro)
 18

Al poner en contacto un conductor p (dopado con aceptadores con

un semiconductor n (dopado con donadores),debido al movimiento
térmico hay electrones que pasan a la zona p y huecos que pasan a
la zona n ,donde se recombinan ,respectivamente ,con los
portadores de carga de signo opuesto ,Como resultado ,en una
pequeña zona a ambos lados de la superficie de contacto apenas
hay portadores libres , y los iones positivos de la zona n y los
negativos de la zona p ,fijos en sus posiciones en la estructura
cristalina ,crean un intenso campo eléctrico que sede más
portadores a través de esta barrera de potencial .De este se llega a
un equilibrio ere la corriente de difusión y la inducida por este campo
eléctrico. Si se dispone una conexión externa con cada
semiconductor, no se detecta diferencia de potencial alguna porque
la diferencia de potencial interna en la unión queda compensada
exactamente por los potenciales de contacto de las conexiones
externas con el semiconductor.Si la unión p-n ,en circuito abierto ,se
irradia con radiación (visible o no) cuya energía supere la anchura de
banda prohibida ,aparecen pares electrón –hueco adicionales que se
desplazan bajo la acción del campo eléctrico en la zona p , produce
un cambio de potencial de contacto Vp que se puede medir
mediante conexiones externas a una resistencia de la radiación
incidente hasta llegar a la saturación ( su límite s la anchura de la
banda prohibida).Si se cortocircuitan los contactos. La corriente es
proporcional la iluminación para un amplio margen de valores de
esta. (Pallás Areny, 2007)

Ilustración 9.Circuito equivalente simplificado para un detector o sensor fotovoltaico: Icc es la corriente de
cortocircuito, Rp es la resistencia paralelo, Rs es la resistencia serie de salida y C es la capacidad de la unión.
Rc es la resistencia de carga
 19

6.2 Punto de vista eléctrico

Las aplicaciones de la energía solar fotovoltaica están basadas en el
aprovechamiento del efecto fotovoltaico que tiene mucho que ver
con lo explicado anteriormente. De forma muy resumida y desde el
punto de vista eléctrico, el “efecto fotovoltaico” se produce al incidir
la radiación solar (fotones) sobre los materiales que definimos al
principio como semiconductores extrínsecos. La energía que reciben
estos provenientes de los fotones, provoca un movimiento caótico de
electrones en el interior del material. (Cursolar)

Al unir dos regiones de un semiconductor al que artificialmente se

había dotado de concentraciones diferentes de electrones, mediante
los elementos que denominábamos dopantes, se provocaba un
campo electrostático constante que reconducía el movimiento de
electrones. Recordemos que este material formado por la unión de
dos zonas de concentraciones diferentes de electrones la
denominábamos unión PN, pues la célula solar en definitiva es esto;
una unión PN en la que la parte iluminada será la tipo N y la no
iluminada será la tipo P. (Cursolar)

De esta forma, cuando sobre la célula solar incide la radiación,

aparece en ella una tensión análoga a la que se produce entre las
bornas de una pila. Mediante la colocación de contactos metálicos
en cada una de las caras puede “extraerse” la energía eléctrica, que
se utilizará para alimentar una carga. (Cursolar)
Para que se produzca el efecto fotovoltaico debe cumplirse que:

ℎ𝑐
𝐸𝑓𝑜𝑡𝑜𝑛 = ≥ 𝐸𝑔𝑎𝑝
𝜆
 20

1240
𝐸𝑓𝑜𝑡𝑜𝑛 (𝑒𝑉 ) =
𝜆(𝑛𝑚)

6.3 Desde un punto de vista cuántico

Su funcionamiento se basa en la capacidad de transmitir la energía
de los fotones de la radiación solar a los electrones de valencia de los
materiales semiconductores, de manera que estos electrones rompen
su enlace que anteriormente los tenía ligado a un átomo. Por cada
enlace que se rompe queda un electrón y un hueco (falta de electrón
en un enlace roto) para circular dentro del semiconductor. El
movimiento de los electrones y huecos en sentidos opuestos
(conseguido por la existencia de un campo eléctrico como veremos
posteriormente) genera una corriente eléctrica en el semiconductor la
cual puede circular por un circuito externo y liberar la energía cedida
por los fotones para crear los pares electrón-hueco. El campo
eléctrico necesario al que hacíamos referencia anteriormente, se
consigue con la unión de dos semiconductores de diferente dopado,
como vimos al principio de esta sección: Un semiconductor tipo P
(exceso de huecos) y otro tipo N (exceso de electrones). Que al
unirlos crea el campo eléctrico E. (Cursolar)

Ilustración 10.El fotón en el efecto fotovoltaico

 21

Ilustración 11. Efecto fotovoltaico

6.4 Efecto fotoeléctrico en una unión p-n

El efecto fotovoltaico es el efecto fotoeléctrico interno visto para los
fotoconductores que cuando se produce en la zona de una unión p-n
permite obtener una tensión eléctrica que es función de la radiación
incidente. (Pallás Areny, 2007)

Ilustración 12.Efecto fotoeléctrico en una unión p-n

 22

En la primera grafica (carga eléctrica versus posición) de la

ilustración 12 significa la distribución de cargas a cada lado de la
región de agotamiento. En los materiales N y P los pares electrón-
hueco alcanzan el equilibrio. (Meléndez Cuauro)

En la segunda grafica (campo eléctrico versus posición) de la

ilustración 12 nos muestra que debido al equilibrio de pares
electrón- hueco, el campo eléctrico en los extremos de la unión, es
nulo; en la zona de agotamiento, existe un pequeño campo eléctrico
ya que aquí el equilibrio no existe. (Meléndez Cuauro)

En la tercera grafica (potencia interna respecto al ánodo versus

posición) de la ilustración 12, es la radiación crea un potencial
eléctrico que se mide mediante conexiones externas. Si aumenta la
radiación, aumenta el número de pares electrón-hueco, aumentando
así dicho potencial. El punto de saturación está limitado por la banda
prohibida del material Fundamentos. (Meléndez Cuauro)

CAPITULO II

Tipos de sensores fotovoltaicos

1. Piranómetro
Composición
La termopila, formada por sectores blancos y negros, es capaz de
absorber la radiación solar en un rango entre los 300 y los
50000nm y tiene una respuesta casi perfecta al coseno del ángulo
de incidencia.
Utilidad
Se utiliza como elemento sensor un elemento fotosensible de
silicio, se halla muy difundido. Debido a su bajo costo comparado
con el de piranómetro de termopila. Los principales inconvenientes
 23

que presentan los instrumentos con fotodiodos (células

fotovoltaicas) son: su respuesta espectral limitada y no plana, y la
considerable dependencia angular con respecto ángulo de
incidencia de la radiación solar.
Medición
El espectro de la radiación solar se extiende entre 300 y 2800nm.
Esto indica que un piranómetro (sensor de radiación solar) debe
cubrir ese espectro con una sensibilidad lo más plana
posible. (EcuRed, 2017)

Ilustración 13 Piranometro

2. Pirheliómetro
Composición
El pirheliómetro es un instrumento de banda ancha que mide el
componente directo (o haz) de la radiación solar en la incidencia
normal. Esto significa que el instrumento está siempre dirigido
directamente al sol, a través de un mecanismo de seguimiento que
sigue continuamente al sol. Es sensible a las longitudes de onda en
la banda de 280 a 3000 nm.
Medición
La irradiación solar entra en el instrumento a través de una ventana
sellada de cuarzo de cristal y la luz solar se dirige a una termopila
que convierte el calor en una señal eléctrica que puede ser
 24

grabada. Se aplica un factor de calibración al convertir la señal de

mili voltios en un flujo equivalente de energía radiante, medido en
vatios por metro cuadrado. (globalgreenhousewarming, 2017)

Ilustración 14. Pirheliometro

3. Albedómetro
Composición
El albedómetro es un instrumento formado por dos radiómetros:
uno dirigido hacia el cielo, para medir la radiación solar incidente y
otro rodado de 180° hacia el suelo para medir la radiación
rebotada.
Los sensores están formados por una termopila de 64 elementos,
producen una corriente eléctrica como respuesta a la intensidad del
estímulo, devolviendo así el valor del parámetro medido.
Utilidad
El albedómetro es un sensor electrónico diseñado para medir la
intensidad y la duración diaria de la insolación por medio de dos
 25

parámetros: la radiación solar incidente y la radiación rebotada,

correspondientes respectivamente a la potencia del flujo de energía
en proveniencia del sol y a la cantidad de esta adsorbida por la
superficie terrestre.
Medición
Estos valores son importantes para evaluar la transparencia de la
atmósfera relacionada con la concentración de gases
contaminantes y vapores, así como para identificar los umbrales
fundamentales de referencia para aplicaciones en la agricultura, la
biología, la arquitectura y la meteorología. (DOCSLIDE, 2015)

Ilustración 15. Albedometro

4. Pirgeómetro
Composición
Un pirgeómetro está hecho con un sensor de termopila que es
sensible a la radiación en una amplia gama de 200 nm a 100 m, de
una cúpula de silicio o ventana con un revestimiento de filtro solar
ciego; la cual cuenta con una transmisión entre 4,5 m y 50 m que
elimina la radiación de onda corta solar.
 26

Medición
Un pirgeómetro es un instrumento de medición, que mide el
espectro de la radiación infrarroja atmosférica que se extiende
aproximadamente desde 4,5 m hasta 100 m.
Utilidad
Pirgeómetros se utilizan con frecuencia en los estudios de
meteorología, climatología. La radiación de onda larga hacia debajo
de la atmósfera es de interés para la investigación de los cambios
climáticos a largo plazo. (DOCSLIDE, 2015)

Ilustración 16. Pirheometro

CAPITULO III

1. Instrumentación
En la elección del material hay que tener en cuenta la longitud de
onda de la radiación a detectar. En la zona visible y en el infrarrojo
cercano se emplean el silicion y el selenio, el primero en forma de
homouniones, mientras que el segundo consta de una capa de
selenio −p− sobre óxido de cadmio −n−. Al silicio se añade a veces
una zona de silicio intrínseco (no dopado) entre las zonas p y n. Esto
aumenta la anchura de la zona desierta y repercute en un mayor
rendimiento a longitudes de ondas largas así como en una mayor
 27

rapidez y menor ruido y corriente de oscuridad. Para otras longitudes

de onda se emplean el germanio, antimoniuro de indio (SbIn),
arseniuro de indio (AsIn), etc. (Pallás Areny, 2007)

Tabla 2.Características de una célula fotoeléctrica de silicio de aplicación (Pallás Areny, 2007)

PARAMETRO VALOR
Diámetro 20mm
Área efectiva 300mm2

Longitud de onda con sensibilidad máxima 850 ± 50nm

Sensibilidad 0.45 A/w
10−12 W/
Ruido √𝐻𝑧

Corriente cortocircuito para 100 Ix 180 µA

Tensión circuito abierto para 100 Ix 300mV

Corriente oscuridad (tensión inversa 10 mv) 100nA

R paralelo (tensión inversa 10 10Mv) 100kΩ

Tensión inversa máxima 1V

Capacidad unión 100 nF

Tiempo respuesta (a 655 nm, 1kΩ carga) 200µs

Temperatura funcionamiento -10a+60°C

2. La célula fotovoltaica
Las células fotovoltaicas son dispositivos que convierten energía solar
en electricidad, en un proceso en el que la luz que incide sobre un
dispositivo semiconductor de dos capas produciendo una diferencia
del voltaje o del potencial entre las capas.
Este voltaje es capaz de conducir una corriente a través de un circuito
externo de modo que se pueda producir trabajo útil. Aunque las
células fotovoltaicas eficientes han estado disponibles desde
mediados de los años 50, la investigación científica del efecto
fotovoltaico comenzó en 1839, cuando el científico francés, Henri
 28

Becquerel descubrió que una corriente eléctrica podría ser producida

haciendo brillar una luz sobre ciertas soluciones químicas
.
El efecto fue observado primero en un material sólido (el metal
selenio) en 1877. Este material fue utilizado durante muchos años
para los fotómetros, que requerían de cantidades muy pequeñas de
energía. Una comprensión más profunda de los principios científicos,
fue provista por Albert Einstein en 1905 y Schottky en 1930, la cual
fue necesaria antes de que células fotovoltaicas eficientes pudieran
ser confeccionadas.
Una célula fotovoltaica de silicio que convertía el 6% de la luz solar
que incidía sobre ella en electricidad fue desarrollada por Chapin,
Pearson y Fuller en 1954, y esta es la clase de célula que fue
utilizada en usos especializados tales como satélites orbitales a partir
de 1958. Las células fotovoltaicas de silicio disponibles
comercialmente en la actualidad tienen una eficiencia de conversión
en electricidad de la luz solar que cae sobre ellas de cerca del 18%, a
una fracción del precio de hace treinta años.

En la actualidad existen una gran variedad de métodos para la

producción práctica de células fotovoltaicas de silicio (amorfas,
monocristalinas o policristalinas), del mismo modo que para las
células fotovoltaicas hechas de otros materiales (seleniuro de cobre e
indio, teluro de cadmio, arseniuro de galio, etc.) Hay que mencionar
también las investigaciones que se están llevando a cabo hacia el uso
de otros materiales semiconductores, como puede ser el dióxido de
titanio (TiO2), obteniéndose éste en procesos industriales a gran
escala, y actualmente orientado a otros usos, como pueden ser el de
pigmento blanco para papel, pinturas y dentríficos, resulta ser una
 29

materia prima muy interesante por su menor coste de fabricación.

Como todo, presenta un inconveniente, y es su escaso rendimiento
en la conversión de energía solar en eléctrica, ya que solo responde
ante la banda ultravioleta de la luz solar. (Sobrino, s.f.)

Ilustración 17. Célula de silicio (Si) Foto diodo

Su recubrimiento la hace semejante en cuanto a respuesta espectral

a las emulsiones pancromáticas.
La luz de alta intensidad no deslumbra a estas células, por lo que
pueden emplearse en condiciones de luz cualesquiera, sin retraso ni
dificultad.
Como su sensibilidad espectral entra en el infrarrojo, se antepone al
fotodiodo de silicio un filtro de interferencia (azulado-verdoso) y se
obtiene una sensibilidad espectral igual que la del ojo humano (el filtro
de interferencia corta el paso de los infrarrojos).

Los fabricantes de exposímetros hablan entonces de una célula

(SBC, Silicon Blue Cell).
Desde 1975, casi todos los fotómetros vienen provistos de fotodiodos.
Estos precisas de circuitos de amplificación suplementarios, para
poder medir a niveles muy bajos de luz. (Aprende a iluminar en
fotografia, 2011).
3. Silicio
El silicio cristalino es el material más utilizado en la fabricación de
células solares. El silicio en grueso puede clasificarse en varias
 30

categorías en función de la cristalinidad y el tamaño de los cristales

de los que se pueden obtener lingotes, tiras u obleas.

3.1. Silicio monocristalino: es el que se suele obtener a través del

proceso Czochralski. Las células de este material suelen ser más
caras y las obleas resultantes de cortar los lingotes en finas
rebanadas, no suelen cubrir todo el panel fotovoltaico, quedando las
esquinas de cada célula sin material.
3.2 Silicio policristalino: Se fabrican cortando obleas a partir de
lingotes cilíndricos cortados longitudinalmente como cuadrados. Las
células obtenidas son más baratas que las obtenidas a partir de un
único cristal, pero menos eficientes.
3.3 Tiras de silicio: se obtienen tiras delgadas a partir del silicio
fundido, también tienen una estructura policristalina. Estas células
aún tienen menos eficiencia que las policristalinas, pero se ahorra
más en el proceso de fabricación ya que no se desperdicia tanto
material al no necesitar la solidificación en lingotes. (Ecured, s.f.)
4. Aplicaciones
Los detectores fotovoltaicos ofrecen mejor linealidad que los
fotoconductores, son mas rápidos y tienen menor ruido, pero en
cambio requieren amplificación. Al aumentar la resistencia de carga,
se reduce la linealidad y aumenta el tiempo de respuesta. El cuadro
nos muestra las características de una célula fotoeléctrica de silicio de
aplicación general.

Los detectores fotovoltaicos se emplean tanto en aplicaciones donde

se mide la luz como en aplicaciones donde la luz se emplea como
medio para detectar otra magnitud. Se han aplicado así en
instrumentación analítica: fotómetros de llama espectrofotómetros,
 31

colorímetros, etc.; en pirómetros de infrarrojos, en detectores de

humo, en detectores de exposición fotográfica, en lectoras de tarjetas,
etc. Se comercializan modelos constituidos por un par emisor-detector
adaptados, e incluso conectados ya a un relé para el control. (Pallás
Areny, 2007).

Ilustración 18. Fotómetro de Llama FP 8801

4.1 Fotómetro de llama

Para determinar la concentración de los elementos alcalinos

en los análisis de laboratorio y de procesos

El fotómetro de llama de Krüss FP8801 se emplea para la

determinación sencilla, precisa y económica de la concentración
de elementos alcalinos en soluciones acuosas durante análisis de
laboratorio. El equipo puede procesar unas 300 pruebas por hora.
¡Lo que lo sitúa en una posición líder a nivel mundial!

El FP8801 ha sido diseñado para utilizar como gas de combustión

propano o butano. Con ello se puede realizar una medición
fotométrica simultánea de llama de hasta tres elementos (para la
operación hace falta aire comprimido purificado y seco). Dispone
 32

de memoria para un máx. de 99 métodos y hasta 999 resultados

de medición.

El equipo puede ser administrado directamente por el usuario y

garantiza una rastreabilidad total de los resultados de la medición.

El FP8800 dispone de 4 canales de medición independientes y

otro canal aparte para la vigilancia de la llama. Los 4 canales de
medición pueden ser equipados con los filtros correspondientes.
El FP8800 no precisa ninguna línea directriz para ello, puede
realizar mediciones tanto con como sin elemento de referencia.

Este método de medición probado, junto con un sistema

electrónico moderno y un innovador control del proceso convierten
al FP 8801 en un componente indispensable de los procesos de
medición en los ámbitos mencionados.

Características y especificaciones

 Dispositivo de medición robusto y económico con unos

gastos de consumo ínfimos.
 Determinación exacta de la concentración de Na, K, Li y Ca
en soluciones acuosas (otros elementos previa consulta).
 Manejo mediante pantalla táctil de 800 × 600 píxeles,
administración de usuarios, base de datos SQL, exportación
de datos a Excel.
 Opción 1: Medición automatizada con conexión del
recolector de pruebas y diluido de las pruebas (FP8801).
 Opción 2: Interfaz PROFIBUS DP y módulo remoto para ser
empleado en controles de proceso (FP8800). (INSOLAB,
s.f.)
 33

4.2 Exposímetros
Instrumento que permite calcular la exposición que debe darse a
un material fotosensible, al medir la luz existente en la escena.
Estos aparatos constan de un fotómetro y de un calculador que
nos indica la velocidad o diafragma a utilizar.

Ilustración 19. Exposímetro

Tipos de exposímetros de célula fotoeléctrica .Existen dos clases

de células sensibles a la luz.

4.2.1 Fotogeneradora: Aplica el fenómeno fotovoltáico (Al incidir

la luz sobre el sensor se genera electricidad, a mayor iluminación
mayor electricidad y viceversa…). Se llama foto-emisor de efecto
fotovoltaico.

4.2.2 Fotoresistente: Se basa en el fenómeno de la

fotoconducción. Al variar la luz, varia la resistencia eléctrica (a
mayor iluminación menor resistencia y viceversa…).

Estos dos fenómenos conducen a lo mismo, es decir, convertir las

variaciones de luminosidad en variaciones de corriente eléctrica
(sea cual fuere el tipo de célula)
 34

Consta de 3 partes fundamentales:

1. Célula fotoeléctrica.
2. Micro-amperímetro.
3. Escala graduada → con elementos ajustables a la sensibilidad de
la emulsión que se utiliza. Donde pueden leerse directamente los
tiempos de exposición o aperturas de diafragmas. (Aprende a
iluminar en fotografia, 2011)

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medida/sistemas/sensores.htm
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Sensores y acondicionadores de señal (págs. 2-3). Barcelona:
Marcombo.
Romero C, J. (2005). Análisis del funcionamiento de paneles fotovoltaicos
ysu utilización en las regiones de la costa y sierra del Ecuador.
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Yuste, P. S. (12 de Mayo de 2015). Cerificados energeticos. Obtenido de
http://www.certificadosenergeticos.com/energia-solar-beneficios-que-
efecto-fotovoltaico