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Université Ibn Tofaïl 2014-2015

Faculté des Sciences


Département de Physique
Kénitra
Travaux dirigés d’Electronique AnalogiqueI
Série 1
Exercice 1
Le transistor bipolaire dans le montage de la figure 1, est polarisé par un pont de
résistances. Le réseau de caractéristiques du transistor est donné sur la figure 2.

Figure 1 Figure 2
On a tracé la droite de charge statique (D) pour ce montage sur ce réseau.
Déterminer les valeurs de VCC, IC0, VCE0, IB0, s et RC, où IC0, IB0 et VCE0 sont les
courants et tension du point de fonctionnement du montage. On donne RE = 100 .
Exercice 2
On considère le montage de la figure 3 où la polarisation est réalisée par la résistance
entre collecteur et base. Le transistor est caractérisé par le réseau de courbes de la figure 4. En
régime continu on a  = 65. On donne :
U0 = 10 V, RB = 17 K RC = 1 K, RE = 100
 Donner l’équation de la droite de charge statique (en sortie).
 Donner l’équation de la droite d’attaque statique (en entrée). En déduire le point de
repos du montage.
 Tracer la droite de charge statique (en sortie) sur le réseau de courbes de la figure 8.
 Calculer la valeur à donner à RB pour que VCE = 5 V en conservant la valeur des autres
données.

Figure 3 Figure 4

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Exercice 3
On considère le montage représenté dans la figure 6 où les capacités présentent des
impédances faibles aux fréquences de travail. La caractéristique inverse de la diode Zener est
représentée par la figure 5, les paramètres hybrides des deux transistors sont tels que :
Pour T1 : h11e = 1,5 K h21e = 100 h12e = 0 h22e = 0
Pour T2 : h11e = 2 K h21e = 90 h12e = 0 h22e = 0

Figure 6 Figure 7
II- Etude statique
On donne : R1=10K, VCC=15V, VBE1 =0,6V, VBE2 =-0,6V
1) Donner le schéma d’étude en régime statique, préciser le sens des courants sur
le schéma et expliquer le rôle des capacités CL1 et CL2
2) On donne VCE1.= 2,4V et VCE2 = -8V. Calculer les tensions VB1M, VE1M, VC1M,
et VE2M. En déduire la tension de Zener de la diode.
3) Sachant que les courants de collecteur des deux transistors ont la même valeur :
IC1 = IC2 = 5mA, donner les expressions et les valeurs numériques des résistances
R2, R3 et R4
II- Etude dynamique
1) Sachant que la diode Zener est parfaite, déterminer le type de montage
amplificateur relatif à chaque transistor. Que peut-on dire du signe du gain du montage
complet ?
2) Donnez le schéma équivalent du montage complet.
3) Donner l’expression et la valeur numérique vue de T1, de la résistance d’entrée
Re2 du deuxième étage.
4) Donner l’expression et la valeur numérique du gain en tension Av02 du
deuxième étage.
5) Donner l’expression et la valeur numérique du gain en tension Av1 du premier
étage (chargé avec le deuxième étage). En déduire le gain en tension Av du montage
complet.
6) Donner l’expression et la valeur numérique de la résistance d’entrée Re du
montage.

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7) Donner l’expression et la valeur numérique de la résistance de sortie Rs du
montage. Dessiner le schéma qui permet de déterminer Rs.
Exercice 4 :
On considère le montage de la figure 7 où T1 et T2 sont deux transistors bipolaires
identiques caractérisés par leurs paramètres hybrides en émetteur commun :
h11e = r = 1,5 K h12e = 0 ; h21e = = 120 ; h22e = 0

Figure 7
On donne aussi :
R1 = 22 K R2 = 47 K R3 = 68 K R4 = 50 K  RE = 1 K RC = 2,2 K.
1) Sachant que les liaisons et les découplages sont parfaits à la fréquence de travail,
préciser le type de montage des transistors T1 et T2.
2) Donner le schéma équivalent à l’amplificateur pour les petits signaux.
3) Déterminer, vue de T1, la résistance d’entrée Re2 du deuxième étage.
4) Déterminer le gain en tension Av2 du deuxième étage.
5) Déterminer le gain en tension Av1 du premier étage.
6) Déterminer la résistance d’entrée Re du montage.
7) Déterminer la résistance de sortie Rs du montage
8) Déterminer le gain en tension Av du montage.
Exercice 5 :
On considère le montage amplificateur représenté dans la figure 8 utilisant deux
transistors bipolaires T1 et T2 de type NPN, Les paramètres des deux transistors sont tels que :
Pour T1 : h11e = 4K h21e = β1= 200 h12e = 0 1/h22e =35k
Pour T2 : h11e = 2K h21e = β2= 100 h12e = 0 1/h22e =40k

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Figure 8
On donne: R2=2,2k; R3=1,2k; R4=4,7k; Ru=500; VBE1 = VBE2 = 0,6V
I. . Etude statique
1) Donner le schéma équivalent du montage en régime statique, préciser le sens des
courants sur le schéma.
2) On désire que les courants de repos de collecteur des transistors T1 et T2 soient
respectivement : IC1 = 1.7 mA et IC2 = 2 mA. Donner l’expression et calculer les
tensions VE1M, VB1M, VC1M, VB2M,
3) En déduire les autres paramètres du point de fonctionnement des deux transistors.
4) Donner l’expression et calculer les valeurs des résistances R, R1,.
II. Etude dynamique
Les condensateurs C1, C2, CD1, et CD2 ont des impédances négligeables aux fréquences
considérées
1) Déterminer le type de montage amplificateur qui correspond à chaque transistor. Que
peut-on dire du signe du gain du montage complet ?
2) Donnez le schéma équivalent du montage complet.
3) Donner l’expression et la valeur numérique vue de T1, de la résistance d’entrée Re2 du
deuxième étage.
4) Donner l’expression et la valeur numérique du gain en tension Av2 du deuxième étage.
5) Donner l’expression et la valeur numérique du gain en tension Av1 du premier étage
(chargé avec le deuxième étage). En déduire le gain en tension Av du montage
complet.
6) Donner l’expression et la valeur numérique de la résistance d’entrée Re du montage.
7) Donner l’expression et la valeur numérique de la résistance de sortie Rs du montage.
Dessiner le schéma qui permet de déterminer Rs.

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