La selecci6n de un material que tenga las propiedades necesarias y el potencial para ser fabs cado y convertido, de manera econémica y con seguridad, en un producto util es un proceso complicado, que involucra el conocimiento de la relacién estructura-propiedades-procesamien- to. Siempre deberan tomarse en consideracién varias familias de materiales: ‘* Los metales tienen buena resistencia, buena ductilidad y formabilidad, buena conductividad eléctrica y térmica, y una resistencia a la temperatura moderada. * Los cerdmicos son resistentes, sirven como buenos aislantes eléctricos y térmicos: a menudo son resistentes al daio por ambientes corrosivos y de temperaturas altas, pero son fragile. * Los polimeros tienen una resistencia relativamente baja, no son adecuados para uso a altas tem eraturas, tienen una buena resistencia contra la corrosién y, al igual que los cerémicos, pro- porcionan un buen aislamiento elkctrico y térmico. Los polimeros pueden ser ductiles © {rdgiles, dependiendo si se ha seleccionado un polimero termoplastico 0 termoestable. # Los semiconductores poseen propiedades eléctricas y Spticas tnicas que hacen de ellos com- ponentes esenciales en dispositivos electrénicos y de comunicacién, + Los compuestes son mezclas de materiales que proporcionan combinaciones tnicas de propiedades mecénicas y fisicas que no pueden encontrarse en ningiin material por si solo. Conforme estudiemos estos materiales, llegaremos a comprender los fundamentos de su estructura, su efecto en el comportamiento de dicho material, y el papel que juega el prove- samiento y el ambiente en la relacién entre estructura y propiedades. En particular, nuestro anilisis proporcionard la base para el disefio de materiales. componentes y sistemas Seguros y econémicos. Aleaciones Combinaciones de metales que mejoran las caracteristicas generales de los mismos. Ceramicos Grupo de materiales que se caracterizan por una buena resistencia y altas tem- peraturas de fusién, pero con ductilidad y conductividad eléctrica deficientes. Tipicamente, las ‘materias primas cer’imicas son compuestos de elementos metilicos y no metalicos. Compuestos Grupo de materiales formados a partir de mezclas de metales, cerimicos 0 polimeros, de manera que se obtengan combinaciones de propiedades poco comunes. Densidad Masa por unidad de volumen de un material, por lo general expresado en unidades g/cm’ Estructura cristalina Arreglo de los dtomos en un material con un patron regular repetible. Fase Un material que tiene en todas las partes la misma composicidn, estructura y propiedades en condiciones de equilibrio. Metales Grupo de materiales que tienen caracteristicas generales de buena ductilidad, resisten- cia y conductividad eléctrica. Polimerizacién Proceso mediante el cual se unen moléculas orgdnicas formando moléculas gigantes, es decir, polimeros. Polimeros Grupo de materiales normalmente obtenidos al unir moléculas orgénicas en eade- nas 0 redes moleculares gigantescas. Los polimeros se caracterizan por baja resistencia, bajas temperaturas de fusién y pobre conductividad eléctrica. Propiedades fisicas Describen caracteristicas como color, elasticidad, conductividad eléctri- ca.o térmica, magnetismo y comportamiento Sptico, que por lo general no se alteran por fuerzas que actuan sobre el material. Propiedades mecénicas Propiedades de un material, como la resistencia, que describen la forma en que un material soporta fucrzas aplicadas, incluyendo fuerzas de tensidn y de com: resin, fuerzas de impacto, fuerzas ciclicas o de fatiga, o fuerzas a alias temperaturas.Relacién resistencia-peso La resistencia de un material dividida entre su densidad: los mate~ riales con alta relacién resistencia-peso son resistentes pero ligeros. Semiconductores Grupo de materiales que tienen una conductividad eléctrica intermedia y otras Propiedades fisicas no usuales. ‘Termoestables Grupo especial de polimeros que normalmente son bastante trigiles. Estos polimeros tipicamente tienen una estructura de red tridimensional, Termoplisticos Grupo especial de polimeros que son fécilmente conformados, en formas tiles. ‘Normalmente, estos polimeros tienen una estructura constituida por cadenas de dtomos. La estructura electrinica del dtomo, que queda descrita por un conjunto de cuatro ni cudnticos, ayuda a determinar la naturaleza de tos enlaces atémicos y, de ahi, las propiedades fisicas y mecdnicas de los materiales. Los enlaces atémicos estin determinados en parte por Ia forma en que interactian los electrones de valencia asociados con cada ‘tomo. © Para el enlace metdlico encontrado en los metales, los electrones de valencia son capaces de ‘moverse con facitidad. En consecuencia, los metales tienden a ser diictiles y a tener una buena conductividad eléctrica y térmica © Elenlace covalente que se encuentra en muchos materiales cerimicos, semiconductores y polimeros requiere que los dtomos compartan electrones de valencia. Los enlaces son fuertes y altamente direccionales, haciendo que estos materiales sean frégiles y tengan mala conductividad elécurica y térmica. * El enlace iénico que se encuentra en muchos cerémicos se produce cudndo un dtomo dona un electrdn a otro distinto, ereando cationes de carga positiva y aniones de carga negativa. Igual que en los materiales enlazados de manera covalente, estos materiales tienen la tendene frdgiles y malos conductores. * Los enlaces Van der Waals se forman cuando.étomos o grupos de dtomos tienen una carga elés trica no simétrica, permitiendo uniones por atraccidn electrostitica. Los enlaces Van der Waals son de particular importancia para comprender e1 comportamiento de los polimeros termoplis- ticos.‘© La energia de unin esta relacionada con la fuerza de los enlaces y es particularmente alta en materiales unidos en forma idnica o covalente. L.os materiales con una energia de unin alta, a menudo, tienen una temperatura de fusi6n elevada, un médulo de elasticidad alto y un coefi- ciente de expansidn térmica bajo. Anién Ion cargado negativamente, producido cuando un étomo, usualmente de un no-metal, acepta uno o més electrones. Capa cuntica Conjunto de niveles fijos de energia a los cuales corresponden los electrones. Cada elecirdn en esta capa tiene designados cuatro mimeros cusinticos. Catién ton cargado positivamente, producido cuando un étomo, por lo general un metal. cede sus electrones de valencia Coeficiente de expansién térmica Grado del cambio de dimensiones de un material al modi- ficarse su temperatura, Un material con un bajo coeficiente de expansién térmica tiende a con- servar sus dimensiones cuando la temperatura cambia, Compuesto intermetilico Compuesto como el Al,V formado por dos 0 mas dtomos metili- cos; el enlace es tipicamente una combinacién de enlaces metilicos ¢ idnicos. Electronegatividad | Tendencia relativa de un dtomo a aceptar un clectrén y convertirse en un anién. Los étomos fuertemente electronegativos aceptan electrones con facilidad. Electropositividad —Tendencia relativa de un tomo a ceder un electrén y convertirse en un catién. Los dtomos fuertemente electropositivos ceden electrones con facilidad. Energia de unién Energia requerida para separar dos dtomos de su espaciamiento de equi librio a una distancia alejada infinita, De manera alterna, la cnergia de unidn es la fuerza del enlace entre dos stomos. Enlace covalente Enlace formado entre dos stomos cuando dichos jtomos comparten sus electrones de valenci Enlace iénico Enlace formado entre dos especies diferentes de étomos, cuando uno de ellos (cl catién) dona sus electrones de valencia a otro (el anién). La atraccién electrostitica une a los iones. Enlace metélico Atraccién electrostética entre los electrones de valencia y los nticleos posi- tivamente cargados de los stomos Enlace secundario Enlaces relativamente débiles, como los enlaces Van der Waals y los de hidrégeno, que tfpicamente unen moléculas entre sf. Enlace Van der Waals _Atraccién electrostitica débil entre moléculas polares. Las molécu- las polares tienen concentraciones de carga positiva y negativa en diferentes lugares. Espacio interatémico Espaciamiento de equilibrio entre los centros de dos dtomos. En los elementos sdlidos, el espaciamiento interatémico es igual al didmetro aparente del stomo. Masa atémica Masa del nimero de Avogadro de dtomos, g/mol. Normalmente, es el ntimero promedio de neutrones y protones en el dtomo. También se conoce como peso atémico, Médulo de elasticidad Grado de deformacién de un material cuando se le aplica una fuerza © un esfuerzo. Un material con un médulo de elasticidad alto experimenta muy poca deforma- cci6n, incluso en el caso de fuerzas elevadas. Molécula potarizada Molécula cuya estructura hace que algunas de sus partes tengan carga negativa, en tanto que otras tengan carga positiva; asf, se logra la atraccidn electrostitica entre moléculas.Niimero atémico Numero de protones o electrones en un dtomo. Namero de Avogadro Numero de dtomos o moléculas en un mol. El némero de Avogadro es 6.02 x 10” por mol. Nameros cuanticos Niimeros que asignan electrones de un tomo a niveles discretos de energia. Los cuatro niimeros cudnticos son el numero cudntico principal n, numero cudintico acimutal /, el nimero cudntico magnético m, y el ntimero cudntico de espin m, Principio de exclusién de Pauli No mas de dos electrones en un material pueden tener ta misma energia. Los dos electrones tienen rotaciones magnéticas opuestas. Relacién direccional —Uniones entre tomos en materiales enlazados de manera covalente que forman dngulos especificos, dependiendo de cada material. Unidades de masa atémica Masa de un étomo expresado como 1/12 de la masa de un dtomo de carbon. Valencia Numero de clectrones en un sitomo que participan en los enlaces o en las reacciones quimicas. Por lo general, a valencia es el nimero de electrones existentes en el nivel de energia externo sp.Se pueden organizar los dtomos en los materiales sélidos ya sea con un orden de corto alean- ce 0 con uno de largo alcance. Los materiales amorfos, como los vidrios y muchos polimeros. s6lo tienen orden de corto alcance; los materiales cristalinos, incluyendo muchos materiales ce- rmicos, tienen tanto 6rdenes de largo alcance como de corto. La periodicidad a largo aleance en estos materiales se describe mediante la estructura cristalina, El arreglo atémico de los materiales cristalinos esta representado por siete sistemas cristalinos, gencrales, que incluyen catorce redes de Bravais especificas. Los ejemplos incluyen redes ct- bicas simples, ciibicas centradas en el cuerpo, ctibicas centradas en las caras y hexagonales Una estructura cristalina esta caracterizada por los pardmetros de red de la celda umitaria, que es la subdivisin mas pequeifa de la estructura cristalina que todavia describe la estructura ge- neral de la red. Otras caracteristicas incluyen el ntimero de puntos de red y de dtomos por cel- da unitaria; el mimero de coordinacién (es decir, el niimero de vecinos mas cercanos) de los ‘étomos en la celda unitaria y cl factor de empaquetamiento de los atomos en fa celda unitaria Los materiales alotrdpicos o polimérficos tienen ms de una estructura cristalina posible, A menudo, la estructura y las propiedades de materiales con esta caracterfstica se pueden contro- lar mediante tratamientos térmicos especiales. Los dtomos de metales que tengan estructuras cristalinas cubicas centradas en la cara y hexa gonales compactas poseen un empacado compacto. Los dtomos estén arreglados de tal forma {que ocupan la fraccién mis grande del espacio, Las estructuras CCC y HC consiguen este arre- glo mediante el apilamiento de distintas secuencias de planos atmicos compactos. Los puntos, las direcciones y los planos dentro de la estructura cristalina pueden ser identitica- dos de manera formal mediante la asignacién de coordenadas y de indices de Miller. Los valores de las propiedades mecanicas y fisicas pueden ser diferentes si se miden a lo lar- g0 de distintas direcciones o planos dentro de un cristal; si ese es el caso, se dice que el cris lal es anisotr6pico. Si los valores de las propiedades son idénticos en todas dire: cristal es isotrépico. Los sitios intersticiales 0 huecos entre los stomos normales de una red se pueden lenar ut lizando otros dtomos o iones. La estructura cristalina de muchos materiales cerdmicos se puede comprender al considerar la forma en que se ocupan estos sitios. Los dtomos 0 los io- nies que se localizan en los sitios intersticiales juegan un papel importante en cl endureci- miento de los materiales, al influir las propiedades fisicas de los mismos y en el control de su procesamiento, ones, el Alotropia Caracteristica de un material que es capaz de existir con més de una estructura cris- talina, dependiendo de la temperatura y de la presi6n, Anisotropia Caracteristica de tener propiedades con valores distintos en direeviones dife- rentes. Celda unitaria Subdivision de la red que atin conserva las caracteristicas generales de toda la red Ciibico de diamante Tipo especial de estructura cristalina cubica centrada en las caras. que se observa en el carbono, en el silicio y en otros materiales de enlace covalente. Densidad Masa por volumen unitario de un material, por lo general en unidades de g/cm" Densidad lineal Numero de puntos de red por unidad de longitud a lo largo de una direccisn. Densidad planar Numero de dtomos por unidad de drea, cuyos centros estan sobre dicho plano,Difraceién Interferencia constructiva, 0 refuerzo, de un haz de rayos X que interactiia con un ‘material, El haz difractado proporciona una informacién util en relacién con la estructura < talina del material. Direcciones compactas Sentidos dentro de un cristal, a lo largo de las cuales los étomos estan en contacto. Distancia de repeticidn Distancia entre dos puntos adyacentes de la red, a lo largo de una di- reecién. Distancia interplanar Separacién entre dos planos paralelos adyacentes con los mismos indi- ces de Miller. Estructura cristalina Arreglo regular repetible de los étomos en un material Factor de empaquetamiento Fraccién del espacio ocupado por los Stomos. Familia de direceiones Direcciones cristalogréticas que tienen las mismas caracteristicas, aunque su “sentido” sea distinto, Se indican dentro de paréntesis angulares < > Familia de planos _Planos cristalograticos que tienen las mismas caracterfsticas. aunque sus orientaciones sean distintas, Se expresan dentro de llaves (). Fraccién de empaquetamiento Fraccién de una direccién (fraccién de empaquetamiento li- neal) o de un plano (factor de empaquetamiento planar) que realmente esta ocupada por ito- ‘mos 0 iones. Cuando hay un stomo localizado en cada punto de la red, la fraccién de empaquetamiento lineal a lo largo de una direccién es e] producto de la densidad linear por dos veces el radio atsmico. Indices de Miller-Bravais Notacién abreviada especial para describir los planos cristalogri- ficos en las celdas unitarias hexagonales compactas. Indices de Miller Expresién abreviada para descri ficos en un material ir ciertas direcciones y planos cristalogra- Isotropia Caracteristica de poseer los mismos valores de las propiedades en todas las direccio- nes. Ley de Bragg RelaciGn que describe el dngulo en que se difracta un haz de rayos X de una longitud de onda particular en planos cristalogrificos con un espaciamiento interplanar dado. Materiales amorfos Los que, incluyendo los vid tructura cristalina de largo alcance. no tienen un orden de largo alcance 0 es Namero de coordinacién Cantidad de vecinos mas cercanos a un dtomo en su arreglo atémico. Orden de corto aleance Arreglo regular y predecible de los dtomos en una distancia corta por lo general una o dos distancias entre stomos, ‘Orden de largo alcance Arreglo regular repetitivo de los étomos en un solido, que se extien- de en una distancia muy grande. Parametros de red Longitudes de los lados de las celdas unitarias y los dngulos entre estos la- dos. Los pardmetros de red describen el tamaiio y forma de la celda unitaria, Plano basal Nombre especial que se da al plano compacto en las celdas unitarias hexagonales compactas, Polimorfismo Alotropia, es decir que tiene mas de una estructura cristalina Puntos de red Puntos que conforman la red cristalina. Lo que rodea a idéntico en cualquicr parte del material. ida pumto de red esRadio atémico El radio aparente de un dtomo, que por lo general se calcula a partir de las di- mensiones de la celda unitaria, utilizando direcciones compactas. Red Conjunto de puntos que dividen el espacio en segmentos més pequefios de igual dimen- sién. Redes de Bravais Las catorce posibles redes que se pueden crear utilizando puntos de red Secuencia de apilamiento Secuencia cn la cual estin apilados planos compactos. Si la secuen- cia es ABABAB, se produce una celda unitaria hexagonal compacta; si es ABCABCABC. se pro- duce una estructura cubica centrada en las caras. Sitio cubico Posicién intersticial que tiene un numero de coordinacién igual a ocho. Un aito- MO 0 un ion en el sitio cubico tocard otros ocho dtomos o ones. Sitio intersticial Hueco entre étomos o iones “normales” de un cristal, en el que se puede co- locar otro étomo o ion normalmente distinto. Usualmente, el tamafio del sitio intersticial es mis pequefio que el tomo o ion que se va a introducir. Sitio octaédrico Posicién intersticial que tiene un niimero de coordinacisn igual a seis. Un dto- mo 0 ion en un sitio octaédrico tocard otros seis dtomos o iones Sitio tetraédrico Posicisn intersticial que tiene un ntimero de coordinacién igual a cuatro. Un domo o ion en un sitio tetraédrico entra en contacto con otros cuatro dtomos 0 iones. Tetraedro Estructura producida cuando los étomos estan unidos entre s{ con una coordinacién de cuatro. Vidrio Material sélido no cristalino, que sélo tiene un orden de corto alcance entre sus dtomos, © Las imperfecciones, es decir, los defectos en la red de un material cristalino, son de tres tipos generales: defectos puntuales, defectos de Itnea o dislocaciones y defectos de superficie. * Las dislocaciones son defectos de Ifnea que se mueven al aplicar una fuerza al material hacien- do que se deforme. + El esfuerzo cortante resultante critico es el esfuerzo requerido para que se mueva la dislo- cacién. + Ladislocacién se mueve en un sistema de deslizamiento, formado por un plano de desliza- miento y una direccién de deslizamiento. La direccién de deslizamiento, es decir, el vector de Burgers, tipicamente es una direccién compacta. El plano de deslizamiento normalmente tam- bign es compacto 0 casi compacto. + En los cristales metélicos, cl numero y tipo de direcciones de deslizamiento y planos de deslizamiento influye en las propicdades de! metal. En los metales CCC, el esfuerzo cortante resultante critico es bajo y existe un niimero Gptimo de planos de deslizamiento; en conse- cuencia, los metales CCC tienden a ser ductiles. En el caso de los metales CC, no hay planos compactos disponibles y el esfuerzo cortante resultante critico es alto; por lo que los metales CC tienden a ser resistentes. El nimero de sistemas de deslizamiento en los metales HC es lim- itado, haciendo que estos metales se comporten de manera fragil. Los defectos puntuales, que incluyen vacancias, dtomos intersticiales y dtomos sustitucionales. introducen campos de esfuerzos de compresién o de tensiGn que alteran la red adyacente. Como resultado, las dislocaciones no pueden deslizarse en las cercanias de defectos puntuales, incremen- tandose la resistencia del material. El némero de vacancias, o de puntos de red vacios, depende dela temperatura del material; los étomos intersticiales (localizados en sitios intersticiales entre ato- ‘mos normales) y los étomos sustitucionales (que remplazan al dtomo normal en puntos de la red) a menudo se introducen de manera deliberada y generalmente su ntimero no se altera por Jos cambios de temperatura, Los defectos de superficie incluyen los bordes de grano, Al producir un tamaiio de grano muy pequefio se incrementa la cantidad de area de bordes de grano; dado que las dislocaciones no pueden pasar con facilidad a través de un borde de grano, el material se hace mas resistente. El ntimero y tipo de defectos de red controlan la facilidad del movimiento de las dislocaciones ¥, por tanto, influyen de manera directa sobre las propiedades mecéinicas del material. Se ‘obtiene el endurecimiento por deformacién al incrementar el numero de dislocaciones; el endurecimiento por solucién sdlida involucra incorporar defectos puntuales y el endurecimien to por tamafio de grano se obtiene al producir un material con granos mas peque‘ios. Borde de grano de pequefio éngulo Arreglo de dislocaciones que causan un pequefio error de orientacién en la red a través de la superficie de la imperfeccién. Borde inclinado Borde de grano de Angulo pequefio compuesto de un arreglo de dislocaciones de borde. Borde de macla Defecto de superficie a través del cual hay una desorientacién angular (o ima- gen de espejo) en la red. Los bordes de macla también pueden moverse y causar deformacisn del material Borde torcido Borde de grano de dngulo pequetio compuesto por un arreglo de dislocaciones de tornillo. Defecto Frenkel Par de defectos puntuales que se producen cuando un ion se mueve para crear un sitio intersticial, dejando atras una vacancia, Defecto intersticial Defecto puntual que se produce cuando se coloca un stomo en la red en Un sitio que normalmente no es un punto de red. Defecto Schottky Par de defectos puntuales en materiales de enlace inico. A fin de mantener tuna carga neutral se debe formar tanto una vacancia de catién como de anidn Defecto sustitucional Defecto puntual que se produce cuando se elimina un dtomo de un punto normal de una red y se remplaza con un dtomo distinto, por lo general, de un tamaiio diferente. Defectos puntuales Imperfecciones, como vacancias, localizados en un solo punto en la red. Defectos de superficie Imperfecciones, como bordes de grano que separan un material en regiones de distinta orientacién cristalografica. Densidad de distocacién Longitud total de lineas de dislocacién por centimetro cibico den- tro de un material Destizamiento Deformacién de un material mediante el movimiento de dislocaciones a través de la red Destizamiento eruzado Cambio del sistema de deslizamiento de una dislocacin. Direccién de deslizamiento Direccisn en la red a través de la cual se mueve la dislocacién La direccién de deslizamiento es la misma que Ia direccién del vector de Burgers. Dislocacién Imperfeccién lineal en 1a red de un material cristalino. El movimiento de las dis- locaciones ayuda a explicar la manera en la que se deforman los materiales. La interferencia con el movimiento de las dislocaciones ayuda a explicar cémo se endurecen los materiales. Dislocacién de borde Dislocacién introducida en la red al agregar un medio plano adicional de dtomos.Dislocacién de tornillo Dislocacién producida al torcer un cristal de forma que un plano ‘atmico produce una rampa en espiral alrededor de la dislocacién. Dislocacién mixta Una dislocacién que contiene en parte componentes de borde y de tomillo. Ecuaci6n Hall-Petch Relacién entre resistencia y tamafio de grano en un material; esto es, 0, 0+ Kd" Esfuerzo cortante resultante critico Esfuerzo cortante requerido para hacer que una dislo- caciOn se mueva y genere deslizamiento. Esfuerzo Peierls-Nabarro El esfuerzo cortante, que depende del vector de Burgers y del espa- ciamiento interplanar, requerido para que se mueva una dislocacién; esto es, T= ¢ exp (-kd/b). Falla de apilamiento Defecto de superficie en metales CCC causado por una secuencia incorrecta del apilamiento de planos compactos. Frontera de grano Defecto de superficie que representa la frontera entre dos granos. La red tiene una orientacién cristalogrética distinta a ambos lados de un borde de grano. Grano Porcién de un material sé cristalografica, ido en el cual fa red es idéntica y con una sola orientacién Intersticio Defecto puntual causado cuando un étomo “normal” ocupa un sitio intersticial den- tro de la red. Ley de Schmid Relacidn entre el esfuerzo cortante, el esfuerzo aplicado y la orientaciGn del sistema de deslizamiento; esto es, T= cos Acos 9. Metalografia PreparaciGn de la muestra de un material mediante pulido y ataque quimico, de forma que su estructura pueda ser examinada utilizando un microscopic. Niimero de tamaiio de grano ASTM Medida del tamafo de los granos en un mate; cristalino que se obtiene al contar e] mimero de granos por pulgada cuadrada en una ampli cacién de x 100. Microscopio clectrénico de transmisién (MET) Instrumento que al pasar un haz de elec- trones a través de un material, puede detectar caracteristicas estructurales microseépicas. Plano de deslizamiento Plano que barre la Iinea de dislocacién durante el deslizamiento, Normalmente, el plano de deslizamiento es un plano compacto, si es que existe alguno en la estructura cristalina. Sistema de deslizamiento Combinacién del plano de deslizamiento y de la direccién del deslizamiento. Vacancia Atomo faltante en algdn punto de la red. Vector de Burgers Direccién y distancia en la que se mueve una dislocacién en cada paso.Los dtomos se mueven mediante mecanismos de difusi6n a través de un material s6lido, parti cularmente a temperaturas elevadas y estando presente un gradiente de concentracién. Algunas relaciones clave que implican difusidn son las siguientes: Dos mecanismos de importancia para el movimiento de los étomos son la difusién por vacancias, y la difusiGn intersticial. Los étomos sustitucionales se mueven en la red gracias al mecanismo de difusiOn por vacancias. La velocidad de difusi6n se rige por la relaciGn de Arrhenius, esto es, la difusion aumenta de manera exponencial al incrementarse la temperatura. La difusiGn es importante a temperaturas superiores a 0.4 veces la temperatura de fusién del material (en grados Kelvin). La energfa de activacién Q representa la facilidad con la cual los dtomos se difunden, ocurtien- do una difusién répida si la energfa de activacién es reducida. Se tiene una baja energfa de act ccién y una répida velocidad de difusién en el caso de (1) difusi6n intersticial en comparacién con la difusién por vacancias, (2) estructuras cristalinas con bajo factor de empaquetamiento, (3) materiales de baja temperatura de fusién 0 con enlaces atémicos débiles, y (4) difusién a lo lar go de bordes o superficies de grano El flujo total de dtomos, aumenta cuando se incrementan el gradiente de concentracién y el coe~ ficiente de difusion.‘+ Para un sistema particular, la cantidad de difusién esté relacionada con el valor de la expresion Dr, la cual nos permite determinar el efecto de la temperatura en el tiempo requerido para un proceso controlado por difusién La difusin at6mica es de importancia primordial para muchas de las técnicas de procesa- miento de materiales, como la sinterizacién, la metalurgia de polvos y la soldadura por difusién. Adicionalmente, muchos de los tratamientos térmicos y de los mecanismos de endurecimiento utilizados para controlar la estructura y las propiedades de los materiales son procesos controla- dos por difusiGn. La estabilidad estructural y las propiedades de los materiales durante su uso a al- ‘as temperaturas dependen de la dfusiGn. Finalmente, se producen muchos materiales importantes al cvitar de manera deliberada la difusién, formando asf estructuras fuera de! equilibrio. Los ca- pitulos siguientes describen muchos ejemplos en los cuales ta difusién juega un papel signifi- cativo. Autodifusion Movimiento aleatorio de los atomos dentro de un material puro, esto es, inclu. 0 cuando no exista un gradiente de concentracién. Coeficiente de difusién Cocficiente dependiente de la temperatura, relacionado con la rapi- dez a la cual se difunden los dtomos. El coeficiente de difusién depende de la temperatura y de la energia de activacién. Crecimiento de los granos_ Movimiento de los bordes de grano mediante la difusidn, a fin de reducir el drea superficial de bordes de grano. Como resultado, los granos pequefios se encogen y desaparecen, y los restantes se hacen mds grandes. Difusion §Movimiento de los itomos dentro de un material. jifusion en borde de grano Movimiento de los atomos a lo largo de los bordes de grano. Es més répida que la difusidn volumétrica, ya que los tomos estén menos compactos en los bor- des de grano. Difusién en superficies Movimiento de los étomos a lo largo de superficies, como grietas 0 superficie de particulas. Difusi6n intersticial Movimiento de dtomos pequefios, de una posicién intersticial a otra. dentro de la estructura cristalina Difusién por vacancias Movimiento de los étomos cuando un tomo deja una posicién nor- mal en la red, para Henar una vacancia en el cristal. Esto crea una vacancia y cl proceso con- tinda, Difusién volumétrica Movimiento de los dtomos en el interior de los granos. Difusividad Otro término para el coeficiente de difusién. Distancia de difusién Distancia maxima o descada que deberén recorrer los stomos, a menu- do, distancia existente entre los puntos de concentraciones maxima y minima del dtomo en di- fusién. Efecto Kirkendall Movimiento fisico de una interfase, debido a distintas velocidades de di- fusién de los atomos dentro del material. Energia de activacién Energia requerida para que ocurra una reaccidn en particular. En la di- fusi6n, la cnergia de activacién est4 relacionada con la energfa requerida para mover un tomo de un sitio a otro en la red. Flujo Numero de atomos que pasan a través de un plano de drea unitaria por unidad de tiem- po. Esto se relaciona con la rapidez a la cual se transporta masa por difusién dentro de un s6- lido.