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CURSO

DE
ELECTRÓNICA
II
Ing. Domingo Almendarez Amador

CURSO
DE
ELECTRÓNICA
II

INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL


Llega esta obra, a la comunidad estudiosa del
Instituto Politécnico Nacional, sin fines de lucro

Curso de Electrónica II,


Ing. Domingo Almendarez Amador
D.R. © 1998 INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL
ISBN 968-7724 93-5
Primera Edición
Impreso en México
PRESENTACIÓN

La actividad editorial desarrollada por el Instituto


Politécnico Nacional, está encaminada al cumplimiento
de objetivos fundamentales, tales como: el abatimiento
del costo de los textos de apoyo para los planes de
estudio de diversas carreras y disciplinas que se
cursan en la institución, y el estímulo al profesorado
para que su esfuerzo en el campo de la investigación
técnica y científica y su experiencia en la cátedra, se
plasmen en volúmenes que circulen entre el mayor
número de estudiantes, docentes e investigadores.
En este contexto, iniciamos la publicación de una
nueva colección de libros institucionales de carácter
académico y costo reducido, que ofrece a los jóvenes
estudiantes de los niveles medio superior y superior un
acceso más directo hacia el conocimiento forjado en el
esfuerzo y la dedicación de los docentes e
investigadores del propio Instituto.
Este material bibliográfico especializado, se nutre en
parte de trabajos originales de nuestra planta de
profesores, lo que reviste la mayor importancia puesto
que además de contemplar de forma particular los
aspectos pedagógicos específicos que desarrollan en
su práctica diaria, permite incentivarlos y demuestra
que en México contamos con la suficiencia científico-
técnica que nos permitirá impulsar el desarrollo del
país.
Este programa editorial pretende abarcar gran parte
de las materias que integran el conjunto de planes de
estudio del Instituto y reflejar en sus publicaciones la
unificación de esfuerzos y voluntades que, sin lugar a
dudas, repercutirán en una entusiasta aceptación
estudiantil. Además, se inserta en el espíritu que ha
distinguido siempre al Politécnico, de realizar la
encomiable tarea de llevar el conocimiento científico y
tecnológico a los sectores mayoritarios de nuestro país.
En un periodo histórico como el que vivimos, esta
tarea reviste suma importancia, ya que se hace en
extremo urgente extender la ayuda institucional para
que nuestros educandos encuentren los apoyos que
les faciliten el continuar sus estudios profesionales, tan
necesarios para el desarrollo de la nación.
Este proyecto editorial seguramente marcará un
nuevo rumbo en el proyecto académico del Instituto
Politécnico Nacional, e impactará en la educación
tecnológica y en el desarrollo integral del México del
siglo XXI.

Diódoro Guerra Rodríguez


PRÓLOGO

El presente trabajo es una premisa del curso de Electrónica II, en los


nuevos planes y programas de estudio se ha tenido una reducción del tiempo de
exposición de clase substancialrnente, por el ajuste realizado en los nuevos
planes y programas de estudio.
Se pretende que con éste tipo de material didáctico se acelere el proceso
de enseñanza aprendizaje, por lo cual se desarrolla al máximo detalle cada uno
de los temas tratados en ésta obra.
En el mercado bibliográfico nacional no existe un libro de texto que trate
los temas citados y los extranjeros divergen de acuerdo a su especialidad.
Con éste tipo de trabajo se pretende inducir al estudiante dentro del
panorama del ámbito de la electrónica de potencia, que muy pronto en el país se
requerirá en el futuro desarrollo Industrial, dada las condiciones de globalización
económica, para la implementación técnica exigida por ésta especialidad.
En el aspecto didáctico presentado uno de los logros es el de haber
comprobado la eficacia de éste método, ya que la intención origen del presente
trabajo es la tendencia, exigencia de que nuestros alumnos se hagan
autodidactas.
Cada uno de los temas tratados son completos, susceptibles de
comprobar en la práctica, con partes económicas y comerciales , ya que se ha
evitado el uso de componentes especiales.
He de agradecer a mis compañeros profesores su crítica, que permitirá
perfeccionar el presente y ayudará a realizar mejores trabajos posteriores; así
mismo agradezco anticipadamente a las autoridades del I.P.N. que de alguna u
otra manera han permitido para la realización de ésta obra.
No he de omitir la paciencia y empuje de mis alumnos, quienes han
aceptado de buen grado éstas notas.
DA. A.
1.- RECTIFICACIÓN POLIFÁSICA

La energía eléctrica se obtiene a partir de la generación de otra forma de


energía, en la que existen varias maneras de lograrlo, que en general son:

a).- Conversión de energía Electromecánica, b).-


Conversión de energía Electroquímica, c).- Conversión
de energía Magnetohidrodinámica. d).- Conversión de
energía Fotc-voltaíca.

1.1.- GENERACIÓN DE ENERGÍA ELÉCTRICA.

La energía eléctrica generada por máquinas rotatorias es sinusoidal por su


principio intrínseco de funcionamiento de las mismas.

1.1.1- LEY DE LENZ.


Henrrich Lenz físico ruso (1804-1865), descubre que la corriente de inducción
en una espira que se mueve bajo el efecto de un campo magnético, reacciona contra
el cambio de flujo (se tiene una corriente de inducción); de tal forma que:

£ Fuerza electromotriz inducida, Volt (v).


4> Flujo magnético, Weber (Wb) o (Volt/seg) Mis.
t Tiempo, seg. (s).

Figura 1-1

En la figura anterior la espira se mueve a velocidad constante, siguiendo las


trayectorias marcadas con números romanos. Trayectoria l-ll, conductor 1 y f.e.m, Ei.
Trayectoria III-IV conductor 2 y f.e.m. E2. Tenemos que Ei=E2, y la corriente cambia de
sentido, I1 contrario a l2.

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La espira al desplazarse sobre el campo del polo, cambia la cantidad de flujo
abarcado en función de la velocidad; cumpliéndose la LEY DE LENZ, las corrientes
inducidas reaccionan contra el cambio de flujo (reforzándolo o disminuyéndolo), en
forma inversa para ambos costados del conductor, ver figura No. 1-1.

1.1.2.-LEYDEFARADAY

En el año de 1831, el físico inglés Michel Faraday descubrió que en un


conductor eléctrico se produce una tensión, si éste se mueve dentro de un campo
magnético. Este procedimiento se denomina inducción de tensión y es la base para la
producción de energía eléctrica a partir de la energía mecánica (empleado para
generar grandes volúmenes de energía). La tensión generada por este procedimiento
recibe el nombre de Fuerza Electromotriz Inducida (f.e.m. ) y el hecho de generar
así la tensión es llamado inducir y el procedimiento mismo inducción de tensión.
Esta ley está dada por la ecuación:

/ Longitud Activa del Conductor, ( m) metro.


v Velocidad del Movimiento del Conductor, ( m / s ).
La dirección de la f.e.m. inducida sigue la regla de la mano derecha.en el que la
dirección del campo magnético entra por la palma de la mano, ilustrado a continuación
en la figura siguiente.

Figura 1-2
En la figura se observa que en el conductor los electrones (-) se concentran en el
polo negativo y en el polo positivo hay defectos de electrones ( + ), lo cual nos

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genera una diferencia de potencial con la polaridad indicada de menos a más; que
corresponde a la fuerza electromotriz inducida.

1.1.3.- UNA ESPIRA QUE GIRA BAJO EL EFECTO DE UN CAMPO


MAGNÉTICO.

En la figura No. 1-3 se muestra a una espira que se mueve dentro del campo
magnético y un detalle de las velocidades del conductor.

Figura 1-3

Del movimiento circular, la velocidad tangencial vT = r a>, tiene la componente


de velocidad v que produce la f.e.m. inducida la cual es perpendicular al flujo,
tenemos: v=°vTcosa.

r Radio de giro del conductor, metros (m). iv Velocidad angular, radianes por seg. (rad/s).

Substituyendo en la ecuación de la ley de Faraday, el valor de la velocidad para


B y / constantes, con v = variable.

Puesto que la dirección de la f.e.m. inducida ( e ) reacciona contra el cambio de


flujo según la ley de Lenz; tendremos:

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Graficando la f.e.m. inducida; tenemos una función sinusoidal correspondiente
al coseno, la cual se gráfica en la figura No. 1 -4.

Figura 1-4
De ahí que estrictamente la forma de onda de f.e.m. inducida es cosenoidal, en
ésta forma de generar la energía eléctrica.

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1.1.4- DEDUCCIÓN DE LA LEY DE LENZ A PARTIR DE LA LEY DE
FARADAY.
En la figura se muestra el desplazamiento de una espira dentro de un campo
magnético uniforme.

Figura 1-5

Al desplazarse la espira a la velocidad :

El área abarcada por la espira se incrementa:

La ley de Faraday nos dice que:


Substituyendo las ecuaciones No. 1.1.4-1 y 2 en la ecuación No. 1.1.2-1 se
tiene:

Tenemos que la densidad de campo magnético está dado por la ecuación :

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Donde:
2 2
B Densidad de campo magnético; Weber/m (Wb/m ) o también Tesla (T)
2 2
A Área; mts. (m ).
¿ Flujo; Weber (Wb).
Despejando de la ecuación No. 1.1.4-4 al flujo; 4-BA .........................(1.1.4-5
Entonces tomando incrementos tenemos: A <|> = S A4 ........................ (1.1.4-6
Substituyendo en la ecuación No. 1.1.4-3 de cambio de flujo.

Y como la f.e.m. inducida reacciona contra el cambio de flujo para N espiras:

Que corresponde a la LEY DE LENZ.


1.1.5.-DETERMINACIÓN DE LA FORMA DE ONDA DE LA FUERZA
ELECTROMOTRIZ INDUCIDA.

Én base a la figura No. 1-6 , vamos a graficar el flujo abarcado por la espira en
función de la rotación.

Figura 1-6

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El área total que abarca la espira con su longitud activa es AT-1.D y para un
águlo de giro dado
Sustituyendo el área total en la fórmula del flujo de la ecuación No. 1.1.4-5
tenemos:

Y haciendo a BU) una constante K, entonces:

Para las funciones del Flujo y f.e.m. inducida tendremos la gráfica de la figura
No. 1-7.

Figura 1-7
Vamos a transferir el movimiento rotacional de vueltas por minuto (revoluciones
por minuto) a grados sexagesimales.
La velocidad rotacional (velocidad angular) por lo general se acostumbra a dar
en rpm, así:

3600 rpm = 3600 / 60 rps = 60 rps (revoluciones por segundo). =


60 Hz (ciclos por segundo).

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Que sería la frecuencia de repetición del número de vueltas, expresada en Hertz
(Hz) y quedaría definida como un número que se le asigna la letra f ; en unidades de
ciclos/seg.
El periodo de la onda será el tiempo transcurrido en una revolución o ciclo,
asignándole la letra T , se tiene el tiempo del recorrido de una onda completa en un
ciclo y será expresado en segundo / ciclo, de tal forma que resulta la inversa de la
frecuencia:

Las expresiones quedan dadas como una función del tiempo a cualquier
frecuencia. El ángulo de desplazamiento expresado en radianes, dado que a = cot,
donde & queda expresado en rad / seg., como una velocidad angular.

Para las funciones determinadas de flujo y f.e.m. inducida tendremos:

Si ÍB = 1 vuelta/seg. refiriéndola a la frecuencia (f), tenemos:

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1.1.6.-FACT0R DE CRESTA (F.C.).

EL F.C. es específico para cada rerfll de forma de onda y nos es útil para
determinar el valor del potencial máximo de onda dada, cuando ésta forma de onda no
está perfectamente definida; conociendo éste factor de cresta es posible determinar
el valor máximo de la tensión, dado que por medio de un medidor de potencial de C.A.
es posible determinar el valor eficaz de la tensión en cuestión.
Graficándo para una Onda Senoidal, tenemos la figura No. 1-8 que corresponde
a la función senoidal e =Vm^, sen at con un período T= 2TI.

Figura 1 -8 El valor medio

cuadrático (rms) o eficaz será en general:

El valor eficaz de la onda senoidal será:

El factor de cresta para una onda por definición es:

De los resultados optenidos para la onda senoidal y cosenoidal el Factor de


Cresta es de 4l y el cual será el mismo para la onda cosenoidal.

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1.2.-SISTEMAS POLIFÁSICOS.

En forma general, el sistema polifásico se conforma en el punto de generación


de energía eléctrica, se constituyen por dos o más tensiones de igual magnitud y con
diferencia de ángulos de fase iguales. La tensión generada es sinusoidal, la cual es
una cantidad escalar compleja, vector o fasor, que requieren de dos números reales
para su representación, tales como amplitud y ángulo de fase (forma polar) o parte
real e imaginaria (forma cartesiana).

1.2.1.- DIFERENCIA DE POTENCIAL.

En electricidad es muy dado a nombrar o designar voltaje, tensión o potencial a


la diferencia de potencial , esto debido a la acción de realizar mediciones con un
vóltmetro (expresa la magnitud medida en las unidades de Volts), al concepto de la
fuente a impulsar las cargas eléctricas hacia la carga o al nivel de energía que se
encuentra un punto, en un sistema eléctrico.
Este hecho complica la comprensión y la determinación de las tensiones
polifásicas, en las que intervienen los ángulos de defasamiento de las d.d.p. y las
corrientes, en los elementos de un circuito.
Un buen conocimiento de las d.d.p. y de las corrientes tratados como fasores,
facilitan el análisis de las redes eléctricas. Todo diagrama fasorial debería ser
acompañado de un esquema del circuito eléctrico, en caso de no hacerlo se tendrá
que interpretar el diagrama fasorial.
El diagrama fasorial muestra la magnitud y el ángulo de fase relativo entre la
corriente y la d.d.p.; mientras que el esquema del circuito eléctrico muestra la
localización, dirección y polaridad, tanto de las corrientes como de las d.d.p.
Esto es importante distinguirlo, y la confusión generalmente ocurre cuando no
se interpreta bien los diagramas fasoriales o los esquemas de los circuitos, o cuando
no son combinados ambos. Para evitar confusiones se conviene en emplear los
siguientes sistemas de notación :

1.2.1.1.- Notación para la corriente.

La dirección de una corriente convencional, puede ser indicada por dos


métodos:

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a).- Notación indicando con el sentido de las flechas en un esquema eléctrico, el
sentido de la corriente; como se muestra en la figura No. 1-9.

Figura 1-9
b).- Empleando la notación de doble subíndice, como se muestra en el diagrama
eléctrico de la figura No. 1-10, para la corriente Iab el cual define que la corriente fluye
de la terminal a a la terminal b.

Figura 1-10
Los dos métodos indican la dirección de circulación de la corriente en un
instante, en el que se considera para una corriente alterna, durante el semiciclo
positivo del perfil de la forma de onda.

1.2.1.2.- Notación para la diferencia de potencial.


La polaridad relativa de una d.d.p. alterna, la cual puede mostrarse en el
diagrama eléctrico de dos formas:
a).- A través de una marca de un signo más (+) asociado al símbolo de
elementos del circuito (inductor, capacitor, resistor o grupo de estos), como se muestra
en la figura No. 1-11.

Figura 1-11

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b)- Empleando la notación de doble subíndice, para cual es necesario
identificar los elementos del circuito con literales (normalmente) o números,
mostrándose en la figura No. 1-12.

Figura 1-12

Para la d.d.p. V ab en la resistencia el punto a estará a un potencial mayor que el


punto b, para una corriente alterna corresponderá a el semiciclo positivo de la forma
de onda; correspondiente a ambos métodos.
Se sobre entiende que para el semiciclo negativo V,b será negativo, teniéndose
que el punto a estará a un potencial mayor que el punto b.
La representación de los diagramas fasoriales, se pueden llevar a cabo
mediante dos alternativas; el cual será de su preferencia según convenga para un
problema en particular. Consistente en el trazo de los fasores en el plano complejo,
para el circuito eléctrico de la figura No. 1-12.
a).- En el diagrama fasorial de la figura No. 1-13, todos los fasores están
referido al origen de los ejes coordenados (método de mayor aceptación), los cuales
corresponderán a las diferencias de potencial. Se hace notar que las d.d.p. se han
tomado para la inductancia (L) y la capacitancia (C), reales .

Figura 1-13

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b).- En el diagrama de la figura No. 1-14 se presenta la suma fasorial, partiendo
del origen para el circuito de la figura No. 1-12( para elementos L y C reales).

Figura 1-14

En el método de notación de doble subíndice el orden de los subíndices nos


indican la dirección de la caída de potencial (cuando la tensión está en el semiciclo
positivo), observemos en los diagramas eléctricos que las flechas que indican la
dirección de corrientes, corresponden al mismo sentido que las caídas de potencial, ya
que la corriente convencional circula en el sentido de los potenciales decrecientes.

El método de notación de doble subíndice ya nos esta indicando una d.d.p. y


por otro lado, observando la ecuación No. 1.2.1-2; vemos que la diferencia de
potencial V.b, es también una d.d.p. de V« - Vbc, aquí restamos al potencial más alto
Vac el de menor potencial V^. El cambio de orden de los subíndices implica el cambio
de dirección del fasor (gira 180°), en corriente directa corresponde a un cambio de
signo [ de más (+) a menos (-) o de menos (-) a más (+)].

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En la ecuación No. 1.2.1-3, vemos que los subíndices medios (subrayados) de
la suma segundo miembro de la ecuación, se cancelan dando los subíndices del
parámetro del primer mienbro de ia ecuación. Este método de análisis es muy útil,
cuando se tienen muchas componentes de un circuito o se trata de un circuito
complejo( como lo es un sistema polifásico).

1.2.2.-SISTEMA DE GENERACIÓN BIFÁSICA.


En la generación bifásica se contemplan dos tensiones generadas de igual
magnitud defasadas 90° eléctricos, como se observa en la figura No. 1-15.

Figura 1-15
Las ecuaciones de la representación fasorial se refieren al punto de conexión
A'B' que representa el punto neutro (N).

Analizando el diagrama fasorial, observamos que de acuerdo con la secuencia

(positiva) inicialmene se presenta y posteriormente el fasor y como

la tensión representada por el fasor 3S la diferencia del valor de tensión


A menos la tensión final en S.

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También vemos que los subíndices medios N, se cancelan en la suma
quedando únicamente los subíndices AB.

Haciendo la composición fasorial (ver figura No. 1 -15) tendremos que:

Aquí podemos decir que el sistema de distribución de energía eléctrica es de


dos fases y tres hilos (contiene un hilo neutro de referencia).
Desarrollando en forma cartesiana la suma fasorial, para el valor absoluto de

Los valores instantáneos que toma el fasor, son representados por una función
temporal, la cual podrá ser dada por una función seno o coseno, y en nuestro caso
tomaremos el seno.
En la figura No. 1-15 se muestra las función temporal de los tres fasores en el
que se observan sus ángulos de defasamiento y el valor de sus amplitudes, en función
del valor eficaz de la tensión fase a neutro; corroborando que la tensión instantánea
entre fases es la diferencia de los valores de e>w menos efl«.

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Ecuaciones de las funciones temporales de los fasores.

En la representación fasorial tenemos la alternativa de adoptar la secuencia


negativa, la cual es causada por el cambio de giro del alternador, figura No. 1-16.

Representación fasorial
Figura 1-16
Las ecuaciones fasoriales serán:

Las expresiones matemáticas para los valores instaníáneos está dado por las
mismas funciones temporales de la ecuación No. 1.2.2-6; dado que son variables
dependientes del ángulo de rotación (consecuentemente también del tiempo) y
conservan los mismos ángulos de defasamiento.
Visto de otra forma, consideremos los ángulos medidos en el sentido positivo en

De ésta manera podemos corroborar que son las mismas funciones temporales.
el diagrama fasorial; teniéndose las funciones de la siguientes:

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1.2.3.- SISTEMAS DE GENERACIÓN TRIFÁSICA.

Las tensiones generadas en un sistema trifásico son de la misma magnitud y


presentan una diferencia de fase de 120° eléctricos. El orden de aparición de
las tensiones fasoriales nos muestra la secuencia, que por convenio se indica
como positiva para la rotación de los fasores en el plano comlpejo, contrario a
la dirección del movimiento de las manecillas del reloj, figura No. 1-17, ésto es
con respecto al tiempo o al deplazamiento angular.

Generador Representación fasorial RfiprnRentadñn Tnmpnral

Figura 1-17
En el sistema trifásico se tienen dos alternativas de conexión de los
devanados para las tensiones generadas por fase, que son la conexión en
estrella y la conexión en delta.
La conexión en delta se logra efectuando la conexión de los devanados
del generador en los puntos próximos consecutivos a la rotación del rotor del
generador; teniéndose un sistema de distribución de 3 fases a 3 hilos.
Efectuando la conexión de las terminales de los devanados del
generador en los puntos iniciales o finales, se obtiene una conexión en
estrella; tendremos un sistema de distribución de 3 fases y 4 hilos ( en éste
caso se tiene acceso al punto neutro).
Aquí podemos observar que para la misma tensión generada por fase,
en el sistema en estrella se tendrá mayor tensión de línea, que en el sistema
delta.

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1.2.3.1.- Análisis del sistema delta.
En la figura No. 1-18, se ha representado a los devanados del generador con
las posiciones que toman los fasores en el plano complejo (así se acostumbra),
indicando su ángulo relativo entre las tensiones generadas por fase.

Figura 1-18
La conexión delta de la figura No. 1-18, corresponde a la secuencia
positiva porque se han efectuado la conexión de los puntos AC, BA 'y CB'.
Se tiene que las tensiones de fase ( Ef) y las tensiones de línea ( E,) son las
mismas, la cual la designaremos como E, al módulo del fasor (valor eficaz).
Las ecuaciones fasoriales para secuencia positiva en notación polar serán:

Composición de los fasores en arreglo delta para la secuencia positiva,


figura No. 1-19

Figura 1-19

28
Funciones temporales de la conexión delta de secuencia positiva.

Las gráficas de las funciones temporales se muentran en la figura No. 1-21, en


las que las tensiones de fase se han referido como: eAN , eBN y eCn.-
Sí en el sistema delta se efectúan las conexiones para una secuencia negativa,
realizándose al conectar los puntos de los devanados del generador AB'.BCy CA'.
Ecuaciones fasoriales de la conexión delta secuencia negativa.

Ecuaciones de las funciones temporales de la conexión delta secuencia


negativa.

1.2.3-2.- Análisis del sistema eléctrico tipo estrella.

En la conexión estrella (figura No. 1-18), con secuencia positiva tenemos que se
han conectado las terminales A', B' y C; el cual corresponde al punto común o neutro
(N). "Mediante éste tipo de conexión se dispone de las tensiones de fase y de linea.

29
Ecuaciones fasoriales de la conexión estrella de secuencia positiva.

Determinación de la tensión de línea o tensión entre las fases A y B.

LOS resultados del desarrollo anterior, indican que la tensión de línea es mayor
V3 veces la tensión de fase y también podemos observar que se adelanta 30°
sexagesimales.

30
Diagrama fasorial de la conexión estrella, figura No. 1-20.

Secuencia positiva

Figura 1-20.

Funciones temporales para la conexión estrella, de secuencia positiva.

31
Gráficas de las funciones temporales conexión estrella de secuencia positiva,
figura No. 1-21.

Figura 1-21.

Ecuaciones fasoriales de la conexión estrella con secuencia negativa.

Determinación de la tensión de línea o tensión entre las fases Cy B .

32
En los diagramas fasoriales de la conexión estrella de secuencia negativa,
figura No. 1-20, concluimos que se llegan a los mismos resultados de la secuencia
positiva, con respecto a magnitudes y ángulo de fase.

Funciones temporales de la conexión estrella de secuencia negativa.

Se hace notar que las funciones temporales de ambos sistemas difieren en el


ángulo de fase y ésta condición operativa afecta a equipos eléctricos y/o electrónicos.

33
1.3.- TRANSFORMACIÓN TRIFÁSICA.

Una forma sencilla de acondicionar o modificar las tensiones alternas se realiza


por medio de transformadores, aprovechando el fenómeno de inducción de tensiones,
en el cual se varía el flujo sobre un conductor estacionario.
En sistemas trifásicos se tiene la alternativa de modificar las tensiones por dos
métodos:
a).- Por medio de un transformador trifásico.
b).- Por medio de tres transformadores monofásicos (preferentemente de
... características idénticas).

1.3.1 - SENTIDOS DE TENSIONES Y CORRIENTES DEL TRANSFORMADOR.

Con el fin de conectar adecuadamente los devanados de los transformadores,


se hace imprescindible conocer las polaridades de los devanados.
En los diagramas de los transformadores por convención, se indica la polaridad
de los devanados con un punto situado en uno de los extremos del devanado
(arrollamiento). En la figura No. 1-22, se muestran las polaridades de un transformador
monofásico en el que los puntos indican la tensión positiva (para el valor positivo del
semiciclo positivo de la forma de onda de voltaje),

Figura 1-22

Cuando se desconozca la polaridad del devanado, se determinará por métodos


ya conocidos (como son la suma de tensiones y el de golpe inductivo).

1.3.2.- Diagramas fasoriales y conexiones de transformadores trifásicos. En los


sistemas de transformación trifásica se tienen diferentes grupos de conexiones

condiciones específicas de relación de tensiones.


para transformadores, que darán las conexiones clásicas conocidas.

34
Diagrama fasorial y de conexiones.
Grupo Primario Secundario Primario Secundario

35
Continuación de diagrama fasorial y de conexiones
Grupo Primario Secundario Primario Secundario

Figura 1-23

36
De los circuitos mostrados tendremos que el devanado primario será el de alta
tensión y el secundario el de baja tensión; este último constituirá la fuente que
alimentará a los rectificadores que deberán conectarse en forma adecuada para lograr
la rectificación.
En el proceso de la rectificación, la corriente continua de cada diodo circulará
por el devanado secundario de cada fase y esto puede dar lugar a la saturación del
transformador; lo que se traduce en una elevada corriente primaria de magnetización.
En el sistema de transformación trifásico, el circuito puede modificarse para
obtener la conexión Zig - Zag, que evita este inconveniente dado que en cada núcleo
correspondiente a la fase, existen dos arrollamientos en los cuales las corrientes
circulan en sentidos opuestos, dando como resultado la neutralización los flujos
magnéticos inducidos

37
1.4.- RECTIFICACIÓN POLIFÁSICA NO CONTROLADA O DE
CONMUTACIÓN NATURAL.

La conmutación es la conversión de la energía eléctrica de corriente alterna a


corriente continua, la rectificación polifásica emplea sistemas de transformación de 3
(tres) o más fases.
Los sistemas rectificadores polifásicos se prefieren a los monofásicos por varias
razones como son:
a).- Para obtener grandes potencias en corriente directa.
b).- Se tiene que el factor de rizo o índice de ondulación en la salida del
rectificador disminuye, esto se debe ha que el número de conmutaciones de la
corriente alterna rectificada por ciclo aumenta.
c).- La eficiencia del circuito rectificador aumenta.
d).- Aprovechar la mayor parte de la energía eléctrica que se genera y se
distribuye como potencia trifásica.
Los rectificadores no controlados o de conmutación natural, emplean
dispositivos electrónicos llamados diodos, los cuales pueden ser: de vacío, de gas
(fanotrón), ignitrón, selenio, germanio y silicio; por sus ventajas actualmente se usa el
diodo de silicio en los dispositivos de potencia.

1.4.1.-CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE MEDIA ONDA.

El rectificador trifásico de media onda toma su nombre del circuito empleado


para convertir la corriente alterna en corriente continua, figura No. 1-24.

Figura 1-24

38
En el cicuito rectificador vemos que se tiene un devanado secundario de
transformación en conexión estrella con neutro, por el cual se tiene el retorno de la
corriente que circula en los diodos rectificadores. Su operación se entenderá por el
análisis de la forma de onda de la figura No. 1 -25, en donde podemos concretar que el
diodo que estará en conducción será e! de mayor valor de tensión instantánea positiva
aplicada, la cual polarizará directamente al dispositivo correspondiente.

Figura 1-25.
Tomando como referencia las gráficas de la rectificación para los valores
instantáneos (temporal), podemos hacerlo extensivo para un circuito de m
conmutaciones por ciclo, donde tendremos que el tiempo de conmutación abarcado
será 2n / m, expresado en grados sexagesimales o radianes, figura No. 1-26, condición
que requiere que circule corriente en forma continua por la carga (durante éste
tiempo). Se hace la observación que las fórmulas que se determinan a continuación,
no son aplicables al circuito rectificador monofásico de media onda.

Figura 1-26

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Tensión media en la carga (Vcc), la determinación de la tensión es para
condiciones ideales y carga resistiva pura.

En general el valor medio:

Recordando las identidades trigonométricas:

Substituyéndolas.

Sintetizando.

Nota.- En la ecuación No. 1.4.1.-4 el argumento del seno (a) su valor se expresa
en grados sexagesimales en el numerador y el denominador en radianes. Corriente media
en la carga (lcc).
Potencia en la carga (Pee).

Tensión eficaz en la carga (VCA)\ el valor de la tensión eficaz en la carga se


determina tomando como referencia la figura No. 1-26, siendo tembién para m
conmutaciones.
En general el valor eficaz.

Aplicada para una función tipo v - Vmaxsen((at), figura No. 1-26, tenemos:

Efectuando la integración.

Sintetizando.

La tensión eficaz en la carga.

Haciéndolo extensivo a la corriente, la corriente eficaz en la carga.

Potencia suministrada por el secundario del transformador.

41
1.4.2 - CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE ONDA COMPLETA Este
tipo de circuito rectificador llamado también, rectificador puente trifásico, figura No.
1-27, requiere que se alimente con tres fases y que en forma general son
suministradas por el secundario de un transformador que puede estar conectado en
delta o en estrella.

Figura 1-27

Las conmutaciones de los diodos se efectúa en forma natural par3 un ángulo de


conducción de 60° sexagesimales, figura No. 1-28, en la cual se observa la conducción
de los diodos tanto para el semiciclo positivo como negativo, así como las funciones
temporales de las tensiones entre fases aplicada al puente rectificador.

Figura 1-28

La zona sombreada de la figura No. 1-28, corresponde a los valores


instantáneos del nivel de corriente continua que suministra el rectificador.

42
1.4.3- CIRCUITO RECTIFICADOR HEXAFÁSICO DE MEDIA ONDA.

En éste sistema de rectificación también conocido como circuito estrella


hexafásico, figura No. 1-29, como circuito tipo puente trifásico, teniéndose un ángulo
de conducción de 60° sexagesimales; correspondiente a la conducción de cada
diodo.
Lo atractivo de este circuito es la facilidad del montaje de los diodos, siendo
suceptible de instalarse el conjunto de éstos en un mismo disipador de calor( con el
cosecuente ahorro del costo del montaje).

Figura 1-29 1.4.4.- CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE DOBLE ESTRELLA.

El rectificador doble estrella trifásico con un reactor de interfase.figura 1-30, se


emplean dos devanados secundarios en conexión estrella.

Figura 1-29 43
Las tensiones de los puntos comunes de las estrellas están defasados 180°
sexagesimales, los cuales son conectados al reactor de inferíase y su punto central de
éste, es la salida de conexión hacia la carga.
En cualquier instante la corriente es suministrada por dos fases, una en cada
estrella y de regreso la corriente es dividida entre los dos secundarios por el reactor de
¡nterfase.

Problema 1- Determine el valor medio de la tensión que entrega el rectificador


de media onda, por el método de integración y empleando la fómula No. 1.4.1.-4;
corrobore ambos métodos. Tome como dato la tensión eficaz de fase de 127 V.
Solución:
En la figura No. 1-26 se tiene que para el primer impulso un rango de
conducción de 60° a 150° sexagesimales.
De la ecuación No. 1.4.1.-1.

Para el rectificador trifásico de media onda tendremos tres impulsos por ciclo,
de ahí que la tensión media en la carga será:

La tensión media del rectificador será:

44
De la fórmula No. 1.4.1-4.

Substituyendo el valor del ángulo:

Observando los resultados anteriores concluimos que se llega al mismo valor


por los dos métodos; por lo tanto para la tensión de 127 V, la tensión media será :

Problema 2- Para las mismas condiciones del problema anterior, resuelva


ahora para el rectificador trifásico tipo puente.
La forma de onda entregada por el rectificador de onda completa, figura No. 1-28, en
la cual vemos que el ángulo de conducción para el primer impulso de los 6 (seis), es
de 60° a 120° sexagesimales, teniéndose el valor medio siguiente:

Por la fórmula No. 1.4.1-4.

De la misma forma que en el problema No. 1, observemos los resultados y


concluimos que se llega al mismo valor por los dos métodos; por lo tanto para la
tensión de fase de127 V, la tensión media será :

45
LABORATORIO DE COMPONENTES Y CIRCUITOS ESTÁTICOS

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II

PRÁCTICA No. 1

RECTIFICACIÓN POLIFÁSICA.

1-Objetivo.
La finalidad de la práctica es la de comprender através de la experimentación,
el comportamiento de los rectificadores polifásicos de conmutación natural,
energizados con una fuente trifásica; y la de determinar los parámetros de cada tipo de
rectificador utilizado.

2.- Equipo y material a emplear.


1 Pz. Fuente de tensión trifásica variable.
1 Pz. Osciloscopio de doble trazo.
2 Pz. Multímetro.
1 Pz. Maqueta de experimentación de rectificación polifásica.
8 Pz. Diodo recificador matrícula 1N 4007.
1 Pz. Resistencia de 1 Kíí -10 W.
3 Pz. Fusible de cristal tipo americano de 500 mA - 250 V.

3.- Procedimiento.
3.1- Identifique los elementos del circuito, anotando sus características.
3.2.- Verifique el buen estado de los componentes del circuito, reemplazando
los elementos, sí es el caso.
3.3.- Conecte la maqueta de experimentación a la fuente trifásica de la consola
de pruebas, para el grupo de conexiones 1 y 2 de la figura No. 1 - 23 ( ver los
apuntes, conexiones estrella/estrella y estrella/delta, para los devanados simples de
alta y baja tensión). Los transformadores monofásicos que integran la maqueta de
experimentación son de las siguientes características: 1 1 0 V - 1 1 0 V / 1 5 V - 1 5 V y 5 0
VA. Use como carga de los rectificadores una resistencia de 1 K Cl -10 W.
3.4.-Sín conectar la maqueta; regule la tensión de salida de la fuente trifásica a
un valor de 120 V de fase ( la salida de la fuente trifásica del tablero de prueba,
integrado por un juego de 3 autotransformadores que se encuentran en conexión
estrella con acceso al neutro ).
3.5.- Energíce la maqueta de experimentación
3.6.- Toma de lecturas:
a).- En corriente alterna tome las tensiones de las terminales del
primario, secundario del banco de transformación y en la carga.
b).- En Corriente Directa tome lecturas de tensión y corriente en los
diodos y carga.
c).- Por medio del osciloscopio observe y grafique las formas de onda
en la fuente de alimentación de corriente altema(baja tensión), diodos y en la carga.

46
d).- Determine la potencia consumida en la carga y en los diodos.

3.7.- Compruebe los valores medidos en el experimento y compare con los


determinados analíticamente (hoja de campo).
3.8:- Realice una tabla comparativa de los dos circuitos de rectificación.

4.- Cuestionario.
4.1.- Describa el funcionamiento de los circuitos rectificadores, tratados en la
práctica.
4.2.- De acuerdo con los resultados obtenidos en práctica, ¿ cual es el circuito
más eficiente y porque ?.
4.3.- De los circuitos empleados en la práctica, cual recomienda para uso en la
industria.
4.4.- ¿ Que sucede en cualquiera de los circuitos tratados, sí uno de los diodos
está en circuito corto o en circuito abierto ?.
4.5.- Mencione las ventajas de utilizar el rectificador trifásico, en lugar del
rectificador mofásico.
4.6.- Investigue las ventajas y desventajas de la rectificación trifásica,
realizada con transformadores monofásicos y con transformadores trifásicos.

47
LABORATORIO DE COMPONENTES Y CIRCUITOS ESTÁTICOS

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II

PRÁCTICA No.2

RECTIFICACIÓN POLIFÁSICA (Continuación).

1.- Objetivo.
La finalidad de la práctica es la de comprender através de la experimentación,
el comportamiento de los rectificadores polifásicos de conmutación natural,
energizados con una fuente trifásica; y la de determinar los parámetros de cada tipo de
rectificador utilizado.

2- Equipo y material a emplear.


1 Pz. Fuente de tensión trifásica variable.
1 Pz. Osciloscopio de doble trazo.
2 Pz. Multímetro.
1 Pz. Maqueta de experimentación de rectificación polifásica.
8 Pz. Diodo recificador matrícula 1N 4007.
1 Pz. Resistencia de 1 Kíí-10 W.
3 Pz. Fusible de cristal tipo americano de 500 mA - 250 V.

3.- Procedimiento.
3.1.- Identifique los elementos del circuito, anotando sus características.
3.2.- Verifique el buen estado de los componentes del circuito, reemplazando
los dañados, sí es el caso.
3.3.- Conecte la maqueta de experimentación a la fuente trifásica de la consola
de pruebas, para el grupo de conexiones 5,6,7 y 8 de la figura No. 1-23 (ver los
apuntes, conexiones delta / hexafásico (estrella-estrella), delta / zig zag, delta / doble
estrella y delta abierta / delta abierta, que incluye los devanados de alta y baja
tensión). Los transformadores monofásicos que integran la maqueta de
experimentación son de las siguientes características: 1 1 0 V - 1 1 0 V / 1 5 V - 1 5 V y 5 0
VA. Use como carga de los rectificadores una resistencia de 1 K Q- 10 W.
3.4.-Sin conectar la maqueta; regule la tensión de salida de la fuente trifásica a
un valor de 120 V de fase ( la salida de la fuente trifásica del tablero de prueba,
integrado por un juego de 3 autotransformadores que se encuentran en conexión
estrella con acceso al neutro ).
3.5.- Energíce la maqueta de experimentación
3.6.- Toma de lecturas:
a).- En corriente alterna tome las tensiones de las terminales del
primario, secundario del banco de transformación y en la carga.
b).- En Corriente Directa tome lecturas de tensión y corriente en los
diodos y en la carga.

48
c).- Por medio del osciloscopio observe y grafique las formas de onda
en la fuente de alimentación de corriente altema(baja tensión),en los diodos y en la
carga.
d).- Determine la potencia consumida en la carga y en los diodos.

3.7.- Compruebe los valores medidos en el experimento y compare con los


determinados analíticamente (hoja de campo).
3.8.- Realice una tabla comparativa de los dos circuitos de rectificación.

4.- Cuestionario.
4.1.- Describa el funcionamiento de los circuitos rectificadores tratados en la
práctica.
4.2.- De acuerdo con los resultados obtenidos en práctica, ¿ cual es el circuito
más eficiente y porque ?.
4.3.- De los circuitos empleados en la práctica, cual recomienda para uso en la
industria.
4.4.- ¿ Que sucede en cualquiera de los circuitos tratados, sí uno de los diodos
está en circuito corto o en circuito abierto ?.

49
TABLA 1.-PARÁMETROS IMPORTANTES DE LOS CIRCUITOS
RECTIFICADORES MONOFÁSICOS SIN FILTRO

50
TABLA 1 (Continuación).

51
BIBLIOGRAFÍA Rectificación Polifásica.

REF TITULO ESCRITOR EDITORIAL EDICIÓN

1 Circuitos Eléctricos Joseph A. Administer Me. Graw Hill 1991


2 Applied Protective Staff Westinghouse Westinghouse Electric
Relaying B. E. Bal , J. Deerson.H. Corp.
3 Rectifier Diodes Koppe y A.F. Phillips 1969
Monypenny
4 Electrónica y R. Kretzman Paraninfo 1979
Automática S. M. Ángulo
5 Teoría de los Enrique Ras Alfaomega Marcombo 1988
Circuitos
Electric/Electronic
6 Motor Date Martin Clifford Prentice Hall 1990
Handbook
7 Introducción a la William H.Roadstram Haría, México 1989
Ingeniería Eléctrica Dan H. Wolaver
8 Tiratrones C. M. Swenne Paraninfo 1969

52
2.-TRANSISTOR MONOUNIÓN

El transistor monounión es un dispositivo de estado sólido de material


semiconductor muy popular por su excepcional simplicidad, de adquisición comercial a
partir de 1952; identificándolo con el nombre de: UJT (del inglés Unijuntion transistor),
transistor monódico, transistor unijuntura y transistor monojuntura. Su estabilidad de
encendido y su alta resistencia eléctrica en su estado no conductor, han garantizado
su uso en varias aplicaciones, particularmente en circuitos electrónicos de
temporizadores y osciladores.

El transistor monounión es un dispositivo de tres terminales: una terminal


llamada emisor, mientras que las dos restantes son llamadas base 1 (uno) y base 2
(dos). Tiene una unión P-N y por ello es completamente diferente al transistor de unión
convencional. Como característica especial cuenta con una región de resistencia
negativa y una tensión de disparo.

2.1.-PARÁMETROS

La construcción básica se ilustra en la figura No. 2-1, constituida por una barra
de silicio con una impurificación mediana tipo N, en los extremos de la barra se
localizan la base 1 (Bl) y la base 2 (B2), en la parte media de la barra en uno de sus
costados (generalmente) se localiza una zona altamente impurificada tipo P; la cual
forma la unión PN de donde se toma el emisor (E).

figura 2-1

Cuando se trata del transistor monounión lo normal entender que hablamos del
ya descrito con anterioridad (tipo N), pero existe el transistor monounión tipo P que es
su complementario. En el transistor monounión tipo P a la barra se le aplica una

53
impurificación de éste tipo y a la región del emisor se le suministra una impurificación
tipo N.

Del grado de impurificación de la barra se tiene una resistencia entre bases RBB
relativamente alta (resistencia interbases), parámetro dado por el fabricante a una
temperatura de 25°C con un rango típico de resisteijcia entre 4 - 1 2 Kfi, para diversos
dispositivos disponibles en el mercado.

El símbolo estandarizado para el transistor monounión se muestra en la figura


No. 2-1, indicando la terminal del emisor con una flecha oblicua la cual indica el
sentido de corriente convencional (flujo de huecos) dado para la operación del
dispositivo en estado activo.

El comportamiento eléctrico del dispositivo define su diagrama equivalente,


figura No. 2-1, en el que el emisor se comporta como un diodo por la unión PN (D) y
su localización física en la barra de silicio divide la resistencia de ¡nterbases, una de
valor fijo RB2 y otra de valor variable RB] para el estado activo. Para corriente de
emisor nula (IE= 0) la resistencia de interbases tiene el valor de:

Donde:

En el análisis de operación del transistor monounión es necesario conocer los


valores de las resistencias intrínsecas RBi y RB2, cuyos valores no son suministrados
por el fabricante, pero suministra el valor del parámetro que las relaciona llamado
razón intrínseca de bloqueo, simbolizado por la letra griega eta (TI). LOS valores típicos
de la razón intrínseca de bloqueo (t|) van de 0.4 a 0.9 dependiendo del transistor en
cuestión. Con el fin de comprender el funcionamiento del transistor monounión
haremos referencia a la figura No. 2-2, en la que se muestran las fuentes de
polarización aplicadas al dispositivo.

Figura 2-2

54
En el diagrama equivalente del transistor monounión de la figura No. 2-3, para
la tensión de emisor nula (VE = 0) y la d.d.p. de interbases distinto de 0 (\W * 0), la
base 2 (dos) es positiva respecto a la base 1 (uno) y el diodo se encuentra polarizado
inversamente através del divisor de voltaje, formado por las resistencias internas del
transistor.

Diagrama equivalaente del transistor monounión

Figura 2-3

La circulación de la corriente en las interbases (IB) provoca una caida de tensión en RD,
que será:

La razón intrínseca de bloqueo (TI) queda como una constante de


proporcionalidad de la tensión aplicada a las bases.

La Tensión de emisor (VE) necesario para polalizar directamente al diodo es


llamado voltaje pico (Vp), que se logra al incrementar la tensión de la fuente VEE,

55
siendo el momento en el que empieza a fluir la corriente de emisor (IE) a través de la
resistencia RBi; el voltaje pico está ciado por la ecuación No. 2.1.0-4.

Se tiene que el voltaje del diodo (VD) es del orden de 0.35 V a 0.7 V y tomado
como idal sería 0 V, por lo que en algunas ocasiones para análisis rápido tomamos en
forma práctica la ecuación No. 2.1.0-5.

De la ecuación No. 2.1.0-5 podemos observar que el voltaje pico es


dependiente de la fuente de polarización ( es decir de la tensión aplicada entre bases
VBi2) y en la que para valores prácticos podemos considerar que la razón intrínseca de
bloqueo es constante ( a un valor promedio ).
Ahora con el diodo polarizado directamente, la fuente de emisor (VEE) inyecta
huecos en la región de la resitencia RBI (portadores de carga positivos), aumentando
la concentración de electrones (portadores de carga negativos) aportados por el
circuito externo; éste movimiento de portadores de carga constituye la corriente de
emisor (IE). En éstas condiciones tenemos una gran cantidad de portadores de carga
libres positivos y negativos en la región de la resistencia RBi , por lo que su
condutividad aumenta, reflejándose en la disminución de d.d.p. en el emisor, por el
decremento de la resistencia RBi y aumento de la corriente de emisor; interpretándose
como la existencia de una resistencia negativa de RBi (pendiente negativa en la curva
característica).

2.2.- CURVA CARACTERÍSTICA.

La curva característica tensión VS corriente, figura No. 2-4, muestra el


comportamieno del transistor monounión delimitándose sus tres regiones de
operación: corte, resistencia negativa y saturación.

Figura 2-4

56
Ésta es una curva cualitativa para una tensión de polarización constante (figura
No. 2-4); en la región de corte el diodo de emisor está polarizado inversamente,
circula una corriente de emisor de fuga (IEO) del orden de nanoampers (riA),
equivalente a la corriente inversa de un transistor de unión de silicio (Ico), menor que
cualquier valor de corriente de polarización directa. La región de corte termina en el
punto pico en el que la tensión de emisor es igual al voltaje pico (VE = VP), punto en
el que se establece la circulación de la corriente de emisor al valor de la corriente
pico (Ip); la corriente pico es un parámetro dado por el fabricante con valores típicos
de 2 a 50 uA, cabe mencionar que los parámetros de corriente pico y voltaje pico son
dependientes de la temperatura en razón inversa.
En la figura No. 2-4, al aumentar la corriente de emisor a patir del valor pico, se
inicia una disminución del voltaje de emisor hasta un valor mínimo llamado voltaje
valle (Vv), correspondiente a la corriente valle (Iv).
El voltaje valle toma valores típicos entre 1 y 4 V, según el dispositivo
seleccionado y junto con la corriente valle de 1 a 25 mA sus valores son dados por el
fabricante.
La región de resistencia negativa queda limitada por el punto pico y punto
valle de la curva característica.
La región de saturación se localiza a la derecha del punto valle, en el que a
incrementos de la corriente de emisor se aumenta el voltaje de emisor, comportándose
el dispositivo como un diodo rectificador (parte baja de la curva).
La característica de entrada de un transistor monounión típico, figura No. 2-5,
son suministradas por el fabricante a una temperatura de 25° C.

Figura 2-5

2.3.- DETERMINACIÓN DE LAS RESISTENCIAS DE INTERBASE Y LA


RAZÓN INTRÍNSECA DE BLOQUEO.

Através de pruebas experimentales podemos corroborar o determinar las


características de la resistencia de interbases (RBB ) y la razón intrínseca de bloqueo
(n).

57
2.3.1.- RESISTENCIA DE INTERBASES.

Tomando como base las especificaciones de tensión del transistor monounión,


por medio del circuito de la figura No. 2-6, se calcula la resistencia de interbases (RsB),
nótese que el emisor no tiene conexión.

Figura 2-6

Como el transistor se encuentra en corte, por divisor de tensión.

La determinación del valor de la resistencia de interbases (RBB) se efectúa en


estado de corte del transistor, dado que no existe señal alguna en la terminal de
conexión del emisor.

58
2.3.2.- RAZÓN INTRÍNSECA DE BLOQUEO.

Con el auxilio del circuito, figura 2-7, podemos determinar la razón intrínseca de
bloqueo en el que la tensión máxima aplicada a la terminal de emisor corresponderá a
la tensión pico.

Figura 2-7

De las fórmulas No. 2.1.0-1 y No. 2.1.0-4, para la tensión máxima de emisor.

La razón intrínseca de bloqueo será:

Aplicando la fórmula No. 2.3.2-1, en una gráfica real que suministre un


fabricante, podemos comprobar la pequeña variación de la relación intrínseca de
bloqueo (ri), es decir la podemos determinarle a partir de las gráficas (VE VS IE), dado
que se podrán observar las d.d.p. pico (VP) para cada tensión de polarización (VBB =
VBn), tomando como un valor de caída de tensión en la unión de emisor de 0.5 V.

59
2.4.- RESISTENCIA NO LINEAL GOBERNADA POR LA CORRIENTE

La curva característica del transistor monounión es un ejemplo claro de una


resistencia no lineal, la cual podemos idealizar por tres segmentos de recta según se
muestra en la figura No. 2-8.

Figura 2-8

De la curva característica ideal del transistor monounión podemos observar que


la corriente controla a la resistencia no lineal del dispositivo. Esta característica de
operación puede ser usada en un multivibrador, en cualquiera de sus tres clases:
monoestable, biestable y astable.

La selección de la línea de carga sobre la curva característica y el resultante


punto de reposo (Q), dado por su intersección determina el tipo de multivibrador (ver
figura No. 2-8).

El transistor monounión es usado en la región de resistencia negativa


correspondiendo a una operación como dispositivo de relajación, siendo éste un caso
especial del multivibrador astable o de carrera libre.

60
2.5.- CIRCUITO BÁSICO DEL TRANSISTOR MONOUNION
COMO CIRCUITO OSCILADOR DE RELAJACIÓN.

El dominio de los dispositivos electrónicos hasta hace poco tiempo fue de los
circuitos osciladores sinusoidales, aun cuando varios tipos de osciladores de
relajación fueron diseñados por especialistas para formas de onda no sinusoidales; de
las formas de onda más comunes podemos mencionar: cuadrada, rectangular, diente
de sierra, triangular y trapezoidal. En la mayoría de los generadores de onda no
senoidales, se basan en el tiempo de carga y descarga de un capacitor a través de
una resistencia (circuito RC), estableciendo la frecuencia de oscilación o intervalo de
relajación; para dispositivos electrónicos de estado sólido aplicado a circuitos
osciladores y temporizadores.
En el circuito oscilador a base de transistor monounión (UJT),figura No.2-9,
tenemos un generador de 3 (tres) pulsos de salida: el primero es un pulso positivo que
se obtiene en base 1 (Bl), un pulso negativo en base 2 (B2) y un pulso tipo diente de
sierra en el emisor (E).

Figura 2-9

2.5.1- SEÑAL DE SALIDA DE DIENTE DE SIERRA

Con el fin de facilitar el análisis de operación del transistor monounión (UJT)


tomaremos como referencia la figura No. 2-10, de éste circuito se obtiene la señal de
salida con una forma de onda de diente de sierra por la terminal del emisor del
transistor.

61
Figura 2-10

En el circuito, Figura No. 2-10, cuando el potencial de la fuente (VBB) es


inicialmente aplicado fluye una pequeña corriente (IB) desde la base 2 (B2) a la base 1
(Bl), encontrándose el capacitor inicialmente descargado y consecuentemente la
tensión de emisor es nula (VE = 0).
Esa pequeña circulación de corriente provoca una caída de tensión en la
resistencia intrínseca Rm la cual polariza inversamente la unión emisor- base 1; al
mismo tiempo a la aplicación del potencial de la fuente el capacitor (CE) toma su carga
en forma exponencial tendiendo al voltaje de la fuente como nivel máximo, a través de
la resistencia de de emisor (RE).
Evolucionando con una constante de tiempo (t = RE CE).

Cuando el voltaje en el capacitor (CE) excede en 0.7 V (aproximadamemte) a la


caída de voltaje en la resistencia intrínseca Rm la unión de emisor- base 1 (E-Bl)
queda plarizada directamente, inyectando huecos de la región P a la región N de la
barra modificando la resistencia intrínseca RE, , reduciendo su valor grandemente y
consecuentemente la caída de tensión en la misma. Esto provee un camino de baja
resistencia para que el capacitor se descargue y cuando éste agote su carga se tiene
un aumento abrupto de resistencia RBi a su valor original, completándose un ciclo de
operación.
Para que el oscilador de relajación opere con seguridad es necesario que la
recta de carga (RE), se localice en la parte media de la región de la resistencia
negativa de la curva característica del transistor monounión(UJT).
En el emisor se obtiene una señal de salida continua de voltaje con el perfil de
la onda de diente de sierra, figura No. 2-10, producida por la carga y descarga del
capacitor, en la cual se observa un tiempo de subida (ti) y un tiempo de bajada (t2), la
suma de estos tiempos constituyen el período (T).

Así el período T = ti + t2 y la frecuencia f=l/T.

Despreciando el tiempo de bajada (t2) por el pequeño valor que representa la


resistencia intrínseca de base 1 (RBi), con el transistor monounión disparado, hacemos
que el tiempo de subida sea igual al período (ti = T).

62
La tensión de carga del capacitor para valores instantáneos está dado
por la ecuación N. 2.5.1-1.

Donde la constante A , se determina de las condiciones iniciales de carga del


condensador.

La tensión máxima que puede lograr el capacitor es la tensión pico (VP), siendo la
máxima en el emisor (VEm«i) y de la ecuación No. 2.1.0-5.

Igualando ecuaciones No. 2.5.1-1 a y No. 2.1.0-5.

Despejando a el tiempo (t), que corresponde al tiempo de subida ti.

Éste tiempo corresponde a la carga inicial del condensador , que en muchos


textos lo toman como el valor continuo del pulso (se entiende que es por cuestión
práctica); la curva característica del transistor monounión (UJT) nos muestra que la
tensión en el emisor no cae a cero y se mantiene en el voltaje valle (que es un valor de
tensión con valores ya significativos); por lo que la constante A de la ecuación No.
2.5.1-1 será:
Para la tensión del condensador.

Igualando las ecuaciones No. 2.1.0-5 y 2.5.1-1b

Despejando a r\

Despejando a t y sabiendo que corresponde al tiempo de subida ti.

El voltaje de valle (Vv) puede tomarse como un valor promedio a las diferentes
tensiones de interbases (VBU) y la relación intrínseca de bloqueo (TI) como una
constante de las curvas características ó tomando los datos promedio típicos que
suministra el fabricante.

64
2.5.2.-SELECCION DEL VALOR DE LA RESISTENCIA DE EMISOR.

Para garantizar la operación del transistor como oscilador de relajación la línea


de carga de la resistencia de emisor (RE) debe situar su punto de reposo (Q), en la
parte media de la región de resistencia negativa de la curva del transistor monounión
(VE VS IE).
En la figura No. 2-11, se tiene la curva característica idealizada del transistor
monounión, en la que localizamos la recta de carga entre los puntos pico y valle.

Figura 2-11

El valor aproximado de la resistencia de emisor mínima (RE mi,,) y la resistencia


de emisor máxima (RE™*) para la condición requerida será:

El valor de la resistencia de emisor tendrá el intervalo.

Para lo cual tomaremos la media geométrica de éstos dos valores.


En la práctica se recomienda que el valor menor seleccionado de la resistencia
de emisor sea de 2 a 3 veces el valor de la resistencia de emisor mínima (RE = 2 a 3
RE mi»), con el objeto de evitar que el transistor se sature y deje de oscilar.

2.6.- SEÑAL DE SALIDA DE PULSO AGUDO POSITIVO.

Los circuitos con transistor monounión (UJT) operando como oscilador de


relajación, es utilizando frecuentemente en los circuitos de disparo de tiristores y para
temporizar otros circuitos electrónicos, teniendo como base el circuito de la figura No.
2-10, empleando el diagrama equivalente funcional del transistor y adicionándole la
resistencia K¡ entre la terminal Bl y referencia, obtenemos la figura No. 2-12, se tienen
pulsos de salida del emisor y de la base 1.

Figura 2-12

2.6.1.- DETERMINACIÓN DEL TIEMPO DE SUBIDA .

La carga del capacitor de emisor hasta la tensión pico en un tiempo í, (este es


el tiempo de subida), para lograr que el transistor se dispare (entre en conducción) y
en ése instante la caída de tensión en la resistencia R¡ sea una fracción del voltaje
pico(FP).

La tensión máxima del pulso en la base 1:

66
El voltaje pico en función de la d.d.p. de interbases de la ecuación No. 2.3.2-2.
será:

Y el voltaje entre bases.

Substituyendo la ecuación No. 2.6.1-2 enla ecuación No. 2.3.2-2.

Ahora substituyendo la ecuación No. 2.6.1-3, en la ecuación No.2.6.1-1.

Teniendo la ecuación No. 2.5.1-1b.

E Igualando para VP.

Despejando al tiempo para t = ti.

Substituyendo el valor de la diferencia de potencial de interbases (VW), de la


ecuación No. 2.6.1-2.

67
2.6.2.- DETERMINACIÓN DEL TIEMPO DE BAJADA

El tiempo el que se descarga el capacitor de emisor (CE) de la tensión pico a la


tensión valle (V\), es llamado tiempo de bajada. Operando el transistor en la región
de resistencia negativa (circuito del transistor figura No. 2-12), se deduce que la caída
de tensión en Rl es una fracción de la tensión de emisor final que corresponde a W.

La resistencia intrínseca de emisor a base 1 (R'BI) para la operación del


transistor en la región de resistencia negativa, tiene una valor típico aproximado de 30
a 100 Ci para los diferentes tipos de transistores monounión (UJT). Cuando contamos
con mayor información del transistor como son los datos de tensión y corriente valle,
podemos proponer un valor de la resistencia intrínseca (R'Bi) en funpión de éstos
datos.

Tomando al capacitor como fuente de tensión única en su valor máximo de


tensión de carga, que corresponde a la tensión pico y sabiendo que la tensión mínima
será Vv (dato para un transistor en particular); determinaremos el tiempo de bajada ( hY
De la ecuación de descarga del capacitor:

Fórmula con la se determina el tiempo de bajada (t2).

68
Problema 1 - Diseñe un circuito oscilador de relajación con transistor monounión
(UJT), que tenga una frecuencia de oscilación de 1 KHz y una espiga de tensión
máxima en la base 1 (VBI) de 5.0 V; dibuje el circuito final, el perfil de la ondas de
salida en emisor (VE) y base 1 (VBi).

Solución:
Circuito propuesto del transistor monounión.

Figura 2-13

De la ecuación No. 2.6.1-1, la caída de tensión en la resistencia Ri es :

De los datos aportados tenemos las incógnitas del voltaje de polarización (VBB)
y la resistencia (Ri), por lo que la corriente valle (Iv) y voltaje valle (Vv), se tienen como
base y podemos proponer un valor de la resistencia intrínseca en conducción de base

Substituyendo valores y despejando a R1.

Despejando la tensión de polarización (VBB) V substituyendo valores.

69
La diferencia de potencial de interbases (VB12) se determina por la ecuación No.
2.6.1,2.

La tensión pico (VP) se determina de la ecuación No. 2.3.2-2.

La d.d.p en la base 1 en saturación está dado por la ecuación 2.6.2-1.

Cálculo del rango de resistencia de emisor (Ri¡),ecuaciones No. 2.5.2-1,2 y 3.

Periodo de oscilación.
Rango de resistencia de emisor.

La media geométrica del valor de la resistencia.


El periodo se integra por los tiempos de subida y de bajada, T = t¡ + t2 ; en el
que proponemos a ti = 950 \ÍS y a t2 = 50 \xs, despejando y efectuando las operaciones
para el cálculo del capacitor de emisor (CE), ecuación No. 2.6.2-5.

70
De la ecuación No. 2.6.1-4, despejamos a la resistencia de emisor (RE).

Vemos que el valor de la resistencia de emisor se encuentra dentro del rango


determinado.
Cálculo de la tensión de base 1 estando en corte el transistor monounión (V"Ri).

En la figura No. 2-14 se muestran el diagrama eléctrico y el perfil de las formas


de onda.

Figura 2-14

71
2.7.- GENERACIÓN DE LA SEÑAL DE PULSO AGUDO NEGATIVO.

En el circuito de la figura No. 2-12, le adicionamos una resistencia R2 (figura


No. 2-15) entre la Base 2 (B2) y fuente (VBB), cuyo objetivo principal es la de mejorar
la operación del transistor monounión (UJT) y se aprovecha el tipo de señal de salida
de la base 2 consistente en un pulso del tipo espiga negativo.

Se ha encontrado en la práctica que todas las características del transistor


monounión son dependientes de la temperatura, comprobándose que el aumento de la
temperatura provoca una disminución del valor de los siguientes parámetros: voltaje
pico (VP), voltaje valle (Vv), corriente pico (IP), corriente valle (IY), relación intrínseca de
bloqueo (r\), caida de tensión en el diodo de emisor (VD); por otra parte se incrementa
la resistencia de interbases (RBB) y la corriente inversa de emisor (IE0).
Está determinado que el voltaje pico (VP) decrece con la temperatura, de un
valor de -3mV/°C para transistores con matrícula 2N2646 y 2N2647 .
Sí una resistencia (R2) es colocada en el circuito del transistor monounión
seleccionada en forma correcta, figura 2-15, el incremento de la caida de tensión de la
resistencia de interbases es compensada por una disminución de voltaje pico (VP) y a
su vez compensará la disminución de la caida en el diodo de emisor (VD), acción que
se logra en un rango de temperatura -10° C a 100° C; por otro lado tenemos que para
el rango de temperatura dado el uso de la resistencia hace que la variación de la
frecuencia de oscilación disminuya a menos de 2%.
Se han desarrollado fórmulas experimentales para lograr la estabilización del
voltaje pico (parcialmente), de las cuales podemos enumerar para los siguientes
transistores:

Transistores con matrícula 2N2646 y 2N2647.

72
Trasistores con matrícula 2N489 MIL, 2N1671A, 2N1671B y 2N2160.

El fabricante de dispositivos electrónicos Motorola, recomienda los siguientes


valores:

De cualquier modo, siempre se hará un ajuste final del valor de la resistencia en


el circuito para condiciones deseados de operación.

2.7.1. -ANÁLISIS DEL CIRCUITO OSCILADOR DE RELAJACIÓN CON


ESTABILIZACIÓN DEL VOLTAJE PICO.

Emplearemos el circuito de la figura No. 2-15 para el análisis.

Figura 2-15

73
Determinación del tiempo de subida (ti), tomando la sección continua del pulso
de salida en emisor.
De la ecuación No. 2.3.2-2.

La diferencia de potencial entre las terminales de base 1 y base 2 estando el


transistor en corte, está dado por el divisor de tensión.

De ia ecuación No. 2.5.1-1b, la tensión en el capacitor de emisor será:

Igualando términos con respecto al voltaje pico.

Despejando el tiempo, para t = ti.

Substituyendo la tensión entre bases, ecuación No. 2.7.1r1 en No. 2.6.1-4.

Tensión máxima en base 1 (VBi) en el instante del incrermento de la corriente


de emisor, ecuación No. 2.6.1-1.

Substituyendo el valor de la tensión pico (ecuación No. 2.3.2-2) y la tensión de


interbases (2.7.1-1), se tiene para la tensión de base 1.

74
Determinación del tiempo de bajada.
Las condiciones operativas del transistor monounión son las mismas que para el
caso de considerar exclusivamente a la resistencia R-, , en la determinación del tiempo
de bajada (t2), por lo que aplicaremos las ecuaciones No. 2.6.2-1 y 2.6.2-5
respectivamente.

Por otro lado la diferencia de potencial en base 1, estando el transistor


monounión en estado de corte.

Deternminación del valor de la resistencia intrínseca de base 2 (RB2) en función


de la resistencia de interbases, a partir de la razón intrínseca de bloqueo (ecuación
2.1.0-3).

Restando de la unidad la razón intrínseca de bloqueo tenemos:

Despejando a RB2-

75
Problema 2-2.- Al circuito del problema No. 1-2, adicionarle la resistencia de
estabilización por temperatura, para las mismas condiciones operativas del circuito. \

Solución:
La d.d.p. de; máxima de base 1, está dada por la ecuación No. 2.7.1-3, cuyo
dato es de 5 V.

Analizando vemos que tenemos 3 (tres) incógnitas R¡, R2 y VBB ■


De la ecuación No. 2.7.0-3.

Los datos de la corriente valle y voltaje valle no han variado por lo que el valor
de la resistencia R¡ será el mismo al del problema No. 1 -2.

Despejando de la ecuación No. 2.7.1-3 a la tensión de polarización (VBB), y


substituyendo valores.

La diferencia de potencial de interbases ( VBU), se calcula por la ecuación No.


2.7.1-1.

La tensión pico de la ecuación No. 2.3.2-2.

76
Voltaje en base 1 (V'Bi) estando el emisor en saturación, el cual es el mismo
aue en el Droblema No. 1-2.

Cálculo de la resistencia de emisor de las ecuaciones No. 2.5.2-1,2 y 3.

Rango del valor de la resistencia de emisor.

Periodo de oscilación.

El periodo T = ti +12 proponemos a ti = 0.95 ms y a t2 = 0.05 ms.


De la ecuación No. 2.6.2-5, despejando a CE y substituyendo valores.

Despejando de la ecuación No. 2.6.1-4, a la resistencia de emisor y


substituyendo valores.

77
El valor de la resistencia de emisor se encuentra dentro del rango calculado.

La tensión de la base 1 estando en corte el trasistor monounión, ecuación No.


2.7.1-4.

Diagrama del circuito con los valores calculados, figura 2-16.

Figura 2-16

78
A partir de los diagramas equivalentes funcionales podemos aproximar las
formas de onda para los tres estados definidos de operación del dispositivo, los cuales
se ilustran en la figura No. 2-17.

Figura2-17
Para el estado de corte del transistor monounión.
D.d.p. en la base 2.

Para el estado de inicio de conducción,


De la ecuación No. 2.7.1-5, se determina el valor de la resistencia de base 2 en
función de la resistencia de interbases.

79
D.d.p en base 2.

Para el estado final de conducción.

La d.d.p. en base 2.

Formas de onda de salida de base 1, base 2 y emisor; figura No. 2-18.

Figura 2-18.

80
TABLA 3.- DESIGNACIÓN Y DEFINICIONES DE PARÁMETROS
DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN (UJT).

NOMBRE DEFINICIÓN
Corriente de La corriente que circula de emisor a base 1 en
emisor condiciones nominales.
Corriente inversa La corriente que circula de emisor a base 2 a una
de emisor tensión dada y la base 1 a circuito abierto.
Corriente de La corriente de emisor máxima permitida, antes de que
emisor opere el transistor en su región de resistencia
pico negativa.
Corriente de La corriente que circula de emisor a base 1, cuando se
emisor logra la tensión valle en el emisor,
valle
Resistencia entre Resistencia entre basel y base 2, medida a una
bases tensión de interbases especificada (normalizada a VBU
= 3 V, IE =0 a 25° C.
Voltaje entre Es la diferencia de potencial entre base 1 y base 2,
bases llamado también voltaje de interbases.
Voltaje de emisor La máxima diferencia de potencial en el emisor (VEm,x),
pico antes de que el transistor opere en la región de
resistencia negativa.
Caida de tensión La diferencia de potencial que aparece en la unión de
s
en el diodo (E-B ) emisor en polarización directa.
Voltaje de emisor La diferencia de potencial del emisor mínima para IE >
valle Ip , dado a un valor específico de d.d.p. entre bases
(Vbl2).
Razón intrínseca
de bloqueo Definida por la relación
Corriente de Es la corriente conveniente de base 2 para el disparo
modulación de del transistor, especificada a una d.d.p. de interbases
interbases (VBi2>.

Resistencia de Es la resistencia entre emisor y base 1, cuando el


saturación B1 transistor opera en ¡a región negativa.
BIBLIOGRAFÍA Transistor Monounión.
REF TITULO ESCRITOR EDITORIAL EDICIÓN
1 Digital Logic Sol Libes Hayden 1978
Circuits
2 SCR MANUAL Staff General Electric General Electric 1979
3 Electrónica Teoría Robert Boylestad y Prentice Hall 1983
de circuitos Louis Nashelsky Hispano Americana
4 Principios de Albert Poul Malvino Me. Graw Hill 1986
electrónica
5 Electrónica IV Raúl Ruiz Meza Edit. E.S.I.M.E.-I.P.N. 1977
6 Semiconductor Brinton B. Mitchell Rinehart Press 1970
Pulse Circuits
7 Experimentos con Howard H. Gerrish Limusa 1976
transistores y
semiconductores
8 Dispositivos Margarita García B. Edit. E.S.I.M.E.-I.P.N. 1988
electrónicos tomo Arturo Cepeda S.
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9 Power Electronics W. Shephed & L N. Cambrige University 1987
and Motor control Hulley
10 The Electronics Staff of Research and 1988
Problem Solver Education Association
11 Laboratorio Joel Ruiz de Aquino Alhambra Mexicana 1977
Integral de
Electrónica

82
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II
PRACTICA No. 3

TRANSISTOR MONOUNION (UJT).

1.-Objetivo.
La finalidad de la práctica es la de comprobar la forma de operar del
transistor monounión y determinar sus parámetros.

2.- Equipo y material a emplear.


1 Pz. Fuente de tensión variable de C.C.
1 Pz. Osciloscopio de doble trazo.
1 Pz. Generador de funciones.
1 Pz. Multímelro.
1 Pz. Resistencias 1000 na0.5 W.
1 Pz. Transistor 2N 2646.

3.- Procedimiento.
3.1- Empleando el ohmetro, efectúe las mediciones de las terminales del
dispositivo, según se indica en la figura 1, reportando sus mediciones realizadas.

Fig. 1 Prueba del transistor


3.2- Determine la resistencia de interbases y la razón intríseca de bloqueo,
para 10 V y 20 V de tensión de polarización (VBB); empleando los circuitos dados en
clase de la figura No.2-6 y 7.

3.3.- Obtenga la curva característica del transistor monounión,


correspondiente a los parámeteros de corriente de emisor y voltaje de emisor base
uno. Empleando en circuito de la figura 2.; reporte los parámetros pico y valle del
transistor.Para una tensión de polarización de 10 V y 20 V.

83
FIGURA 2

3.4.- Resultados.

3.5.- Conclusiones.

3.6.- Preguntas.

a).- ¿ Oiga porqué se forma la resistencia negativa del transistor?.


b).- ¿ Defina contacto ohmico?.
o).- Determine el valor de la resistencia negativa.
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS
LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II
PRACTICA No. 4

TRANSISTOR MONOUNION ( UJT).

1.- Objetivo.
La finalidad de la práctica es la de entender la forma de operar del transistor monounión corno
dispositivo de relajación y determinar experimentalmente sus parámetros.
2- Equipo y material a emplear. 1
Pz. Fuente de tensión variable de C,D. 1 Pz.
Osciloscopio de doble trazo. 1 Pz.
Multímetro.
1 Pz. Potenciómetro 1 M£2 - 0.5 W (lineal preferentemente). 1 Pz.
Potenciómetro 20 Kfi - 0.5 W (lineal preferentemenre). 1 Pz.
Resistencias 100 n, 470 n y 1 K £2 a 0.5 W. 1 Pz. Capacitores 0.01 nF,
0.05 ^F, 0.1 uF, 0.5 n F y 1.0 ^F a 50 V C.D. 1 Pz. Transistor 2N 2646.

3.- Procedimiento.
3.1.- Empleando el ohmetro, efectúe las mediciones de las terminales del dispositivo, según se
indica en la figura 1, reportando sus mediciones realizadas.

3.2.- Del circuito mostrado en la figura 2 , para una tensión de 20 V y 10 V de la fuente de


polarización ( VBB ) efectúe lo siguiente:
a).- Seleccione la posición de los potenciómetros en un valor del 50 % o menor y energice el
circuito.
b).- Tome las gráficas de las formas de onda de los puntos E, B2 y B-¡ ; identificando los
parámetros del dispositivo de las mismas (Vp y Vv).

85
c).- Modifique la posición de los potenciómetros a su valor mínimo, hasta que no exista
oscilación, reporte la lectura del ampérmetro.
d).- Modifique la posición de los potenciómetros a su valor máximo, hasta que no exista
oscilación, reporte la lectura del ampérmetro.

e).- Para la condición del punto "a", a una tensión de polarización de 20 V, intercambie el
capacitor y anote los incrementos de tiempo en la tabla de valores; para el perfil de la onda de salida en
base 1, indicada en la figura 3.

O- Grafique el periodo de conmutación del transistor para los diferentes valores del capacitor 3.4.-
Resultados. Corrobore teóricamente los resultados y formas de onda del circuito.

3.5.- Conclusiones.

86
3.-TIRISTORES
En los procesos industriales se tienen un sin número de aplicaciones las cuales
requieren que se entregue una cantidad de potencia eléctrica variable y controlada,
dentro de las cuales podemos mencionar: la iluminación, el control de velocidad o par
de motores eléctricos, soldadura eléctrica y el calentamiento eléctrico; siendo éstas
cuatro de las aplicaciones más comunes. Siempre es posible controlar la cantidad de
potencia eléctrica que ser entrega a una carga si se utiliza un transformador variable
para proporcionar una tensión de salida variable, sin embargo para grandes potencias
y bajas tensiones, los transformadores variables son físicamente grandes, costosos y
requieren de un mantenimiento especializado; éstos tres factores hacen que los
transformadores variables sean poco utilizados.
Otro método para controlar la potencia eléctrica que se entrega a una carga, es
la de emplear resistencias variables; intercalando un reóstato en serie con la carga(
para así controlar y/o limitar la corriente) o por medio de un potenciómetro (para fijar
un nivel de tensión seleccionado). Nuevamente para grandes potencias las
resistencias variables resultan de gran tamaño, costosas, necesitan mantenimiento y
además desperdician una cantidad apreciable de energía (disipada en forma de calor).
Las resistencias de éste tipo no son la alternativa deseable frente a los
transformadores variables, en el control de potencia industrial.
La forma de controlar la energía y la potencia eléctrica, se ha hecho más viable
através de los dispositivos electrónicos, en el que inicialmente de realizó con dispositi-
vos de vacío (poca potencia), posteriormente con dispositivos de gas (de mediana
potencia) y en la actualidad con dispositivos a base de semiconductores (gran
potencia); lo que ha sido posible gracias al avance científico y tecnológico.
Desde 1960, está disponible un dispositivo electrónico (semiconductor), el cual
no adolece de las deficiencias antes mencionadas, el SCR (tiristor) es pequeño y
relativamente barato, no necesita mantenimiento (únicamente limpieza), su consumo
de potencia es muy bajo y maneja altas corrientes a tensiones del orden de kilovolts,
atributos muy importantes en el campo del control industrial moderno.
■ Los dispositivos a base de semiconductores de cuatro o más capas son
elementos que trabajan con portadores de carga eléctrica negativa (electrones) y
portadores de carga positiva (huecos), por lo tanto son elementos bipolares y su
comportamiento se puede comprender fácilmente a través de la analogía con
transistores bipolares.
El tiristor es un conmutador casi ideal, rectificador y amplificador; componente
idóneo para manejar potencia eléctrica. Por sus características éste dispositivo
reemplaza en forma directa al tiratrón (triodo gaseoso), teniendo los principales usos a
parte de la conmutación pura y simple, la variación de la velocidad de motores
eléctricos de C.D. y C. A., en general los convertidores estáticos en sus diferentes
modalidades aplicables a sistemas.
En un tiristor como lo es el SCR (Silicon Controlled Rectifier), su control se
efectúa por medio de un electrodo de mando llamado puerta (gate en inglés), gatillo o
compuerta, cuya acción se menciona comúnmente como disparo, consistente en una
señal eléctrica aplicada a la puerta que hace que entre en conducción y/o permanezca

87
bloqueado el dispositivo (en no conducción); mientras no se aplique ésta señal el
dispositivo no cambiará de estado (condiciones normales de operación), ésta acción
de disparo precisa el tiempo de aplicación de la señal, implicando que tanto la señal
de mando o de control, como la señal a controlar; sean ambas función del tiempo y
concurran en un determinado instante.
En el caso de estar el SCR en un rectificador como elemento principal de control
de la energía, la acción de control sobre éste permitirá variar a voluntad el valor medio
de la tensión entregada por el rectificador.
En relación con las propiedades de los dispositivos semiconductores y los de
gas, podemos enumerar las ventajas del SCR sobre el TIRATRÓN (que hicieron el
desplazamiento de éste último)
a).- No necesita precalentamiento y por consiguiente no consume energía por
éste concepto.
b).- Volumen reducido, por ser un elemento de estado sólido.
c).- Resistente a impactos y aceleraciones, por ser un elemento de estado
sólido.
d).- Posibilidad de operación en cualquier posición.
e).- Insensibilidad a las sobrecargas (dentro de sus rangos de operación).
f).- Vida media muy larga.
g).- Velocidad elevada de conmutación, aplicación a rectificadores (velocidad
normal) y a inversores (rápidos).
n).- Caída de tensión directa muy baja.
i).- Poca dependencia de la corriente.

3.1.- TIPOS DE TIRISTORES.

El tiristor tiene dos estados estables de operación que son el de conducción y el


de bloqueo, que depende de las retroalimentaciones de las uniones con estructura
PNPN; éstas uniones pueden ser tres o más y los elementos de conexión pueden ser
dos o más teniéndose la familia de dispositivos siguientes :
a).- Diodo Shockley - Diodo tiristor de cuatro capas.
b).- SCR" Silicon Controlled Rectifier" - Rectificador controlado de silicio.
c).- TRIAC " Triodo AC Switch" - Tiristor triodo bidireccional.
d).- PUT " Programable Unijuntion Transistor" - Transistor Monounión
Programable.
e).- GTOS "Gate Turn off Switch" - Tiristor bloqueable o con puerta de extinción.
f).- LASCR "Light Activated Silicon Controlled Switch" - Rectificador controlado
por luz.
g).- SUS "Silicon Unilateral Switch". - Conmutador unilateral de silicio.
h).- SBS. "Silicon Bilateral Switch" - Conmutador bilateral de silicio.
i).- SCS "Silicon Controlled Switch" - Tiristor tetrodo (dos electrodos de mando).

88
3.2.- DIODO SHOCKLEY O DIODO DE CUATRO CAPAS.

Iniciamos el estudio de los tiristores con el más simple, el diodo tiristor o diodo
de cuatro capas, figura No. 3-1, que nos muestra su representación analógica y su
diagrama equivalente respectivamente.

Figura 3-1

En la representación analógica, figura No. 3-1 .observamos que las uniones Ii, h
y J3 generan los diodos Di.Eh y IX correspondientes a las capas PN con sus ánodos y
cátodos.
Sí al conjunto lo sometemos a una diferencia de potencial operará de la
siguiente manera :
1.- Con una tensión aplicada con polaridad positiva al ánodo con respecto al
cátodo (polarización directa), vemos en el diagrama equivalente (figura No. 3-1)que los
diodos Di y D3 se encuentran polarizados directamente, y el diodo n, queda polarizado
inversamente; éste diodo hará que el dispositivo se encuentre bloqueado hasta un
cierto valor de tensión, que será !a tensión de bloqueo directo.
2- Invertimos la polaridad, ahora están polarizados diodos D, y D 3
inversamente, y polarizado directamente el diodo D2; consecuentemente aumentará la
tensión de bloqueo del dispositivo que será una condición normal de operación del
mismo.
La corriente de fuga de polarización directa (ID que permite la unión h), es de un
valor pequeño y el cual se incrementa para aumentos de tensión entre ánodo y cátodo,
la corriente se incrementa para convertirse en la corriente de ánodo (lA) por un
proceso de avalancha en los portadores de carga; los valores de corriente de ánodo
son limitados por la resistencia de carga (a valores nominales del diodo). La tensión
que hace entrar en conducción al diodo tiristor, es la tensión de polarización directa
máxima (VFDM).

89
3.2.1- CURVA CARACTERÍSTICA.

El diodo tiristor tiene la curva característica de comportamiento mostrada en la


figura No. 3-2, correspondiente a sus dos terminales ánodo y cátodo.

Figura 3-2
ID - Corriente de fuga de polarización directa.
IR - Corriente de fuga de polarización inversa.
VFDM - Voltaje de polarización directo máximo.
VRR - Voltaje inverso de ruptura.
IH - Corriente de mantenimiento o de sostenimiento (holding).
IFAV - Corriente media.

La corriente de mantenimiento llamada también hipostática (sostenimiento), es


el valor mínimo de corriente de ánodo que circulará por la carga y que conservará en
conducción al diodo tiristor. En la figura No. 3-3. se muestra el símbolo del dispositivo.

SÍMBOLO

Figura 3-3.

90
3.3.- TIRISTOR DE CUATRO CAPAS Y TRES TERMINALES DE CONEXIÓN.

Dispositivo semiconductor biestable (estado conmutable de bloqueo a


conducción y viceversa), pero con la particularidad de que la acción de disparo sólo
puede producirse en un solo cuadrante de la curva característica tensión contra
corriente correspondiente a el ánodo - cátodo. La forma de disparar al tiristor a través
de su compuerta de mando da como resultado dos tipos de dispositivos :

a).- Tiristor tipo P. El cual tiene su terminal de control en la región P más


cercana a el cátodo, teniéndose que para que entre en conducción se le aplica una
señal positiva a la compuerta referida a el cátodo.

b).- Tiristor tipo N. Localizándose la terminal de control en la región N más


cercana a el ánodo y se dispara al estado de conducción aplicándole una señal
negativa a la puerta referida al ánodo.
*En la figura No. 3-4, se tienen los símbolos de ambos tipos de tiristores y su
representación analógica.

Figura 3-4.

De la representación analógica podemos observar que los dos tipos de


dispositivos, se asemejan al diodo tiristor a excepción del tercer electrodo de mando y
cuyo comportamiento se verá posteriormente que será igual sin señal de disparo

3.3.1.- CONSTITUCIÓN GENERAL DEL SCR.

El tiristor de mayor uso en sistemas controlados de potencia, es el rectificador


controlado de silicio (SCR, figura No. 3-5 en su representación analógica), por su
capacidad de manejar una gran cantidad de corriente a tensiones considerables, aún
cuando en la actualidad a venido en desuso a medianas potencias por el empleo de
transistores tipo metal óxido semiconductor (en sus diferentes presentaciones).

91
En términos cualitativos podemos
decir que el SCR está construido de la
siguiente forma :

a) Capa anódica. Esta capa es


medianamente impurificada y con un
espesor regular.
b) Capa de bloqueo. Esta capa es
algo más impurificada que la capa anódica
y es la capa más gruesa (de mayor
espesor) de las cuatro capas.
c) Capa de control o de gobierno.
Es delgada y su impurificación es similar a
la capa anódica.
d) Capa catódica. Es muy delgada y
Figura 3-5. altamente impurificada.

3.3.2.- CONSTRUCCIÓN BÁSICA DEL SCR.

En la figura No. 3-6, mostramos la construcción básica del SCR.

El dispositivo se construye a partir de un


disco de silicio impurificado por técnicas
de difusión, alternando las impuri-
ficaciones para generar sus capas. Sus
extremos se sueldan a placas de molib-
deno o tungsteno; la placa anódica de
contacto se encasquilla con un cilindro de
cobre; el cilindro de cobre tiene la función
de disipar el calor generado en la
operación del dispositivo, además de
Figura 3-6. servir como terminal de conexión.

El espacio entre el casquillo y pastilla semiconductora es llenado por un gas


inerte que aisla y refrigera a su vez a la pastilla semiconductora. El sello de este
espacio se efectúa con materiales como: vidrio, cerámica y un plástico resistente a la
temperatura; que a su vez sirve de soporte para las conexiones del ánodo y el cátodo.

92
3.3.3.- OPERACIÓN DEL SCR.
El dispositivo tiene dos condiciones de operación estables que son los estados
de bloqueo y conducción.
a).- Rectificador controlado de silicio (SCR) en bloqueo, figura No. 3-7.

Figura 3-7.
La condición de bloqueo se presenta con la polarización inversa, bajo esas
condiciones las uniones Ji y h están polarizadas inversamente y la unión j2 se
encuentra polarizada directamente, el dispositivo permanece en no conducción hasta
antes del voltaje inverso de ruptura. Rebasando la tensión de polarización inversa el
dispositivo entra en conducción por el fenómeno de avalancha, que ocurre en las dos
uniones ji y j¡ , estas rompen su estado de bloqueo y consecuentemente la corriente
que es inversa se hace muy elevada, lo que provoca la destrucción del dispositivo.

b).- Rectificador controlado de silicio (SCR) en conducción, figura No. 3-8.


Aplicando una tensión positiva al ánodo con respecto al cátodo, las uniones J¡ y
¡, se encuentran polarizadas directamente y la unión J2 inversamente; el SCR se
encuentra en bloqueo directo y circulará una corriente de fuga poco significativa. Para
que entre en conducción se aplicará un pulso positivo a la puerta con respecto al
cátodo.

Figura 3-8

El pulso positivo en la puerta produce una inyección de huecos ¡i:t (cargas


positivas) de la capa P2 a N2 , éste flujo de huecos que cruza la unión j3 produce un
flujo de electrones n3 de N2 a P2 , estos electrones (n3) por efecto transistor son

93
pasados por la unión h como n2 hasta la capa Ni. La concentración de electrones n2
alteran la distribución de portadores de carga en la capa N, y algunos llegan a
atravesar la unión j¡ (n¡), que a su vez provocan un flujo de huecos li, desde la capa
Pi a la capa Ni, los cuales por efecto transistor pasan de la capa N, a P2, cruzando la
unión h como portadores de carga positivos Ii2 (huecos).
Los portadores de carga h2 alteran la distribución de carga existente en la capa
Pj y algunos llegan a cruzar la unión J3 convirtiéndose en portadores de carga h3.

Lo expuesto anteriormente, establece un ciclo el cual es regenerativo y hace


que la corriente aumente drásticamente a valores limitados por eí circuito externo.

La densidad de los portadores de carga en cada lado de la unión j2 aumenta a


un nivel tal que, ésta unión queda polarizada directamente y la distribución de
electrones en la capa Ni aumenta, sucediendo lo mismo en la capa P2 ( Ahora con
portadores de carga positivos ); quedando las uniones como se muestran en la figura
No. 3-9.

Figura 3-9

Una vez encendido el SCR (en conducción), cualquier acción de señal sobre la
compuerta (G) no influye en la operación (solo se permiten aplicar señales positivas) y
la forma de apagar el dispositivo es disminuyendo la tensión entre cátodo y ánodo,
eliminando el efecto de avalancha o simplemente disminuyendo la corriente de ánodo
a un valor menor de la corriente de sostenimiento (IH). La corriente inyectada por el
impulso de tensión (Vo) en la compuerta para encender al SCR, varía con las
características particulares de cada unidad ( diferentes voltajes y corrientes ); pero los
valores típicos son a unos cuantos miliamperes del orden de 2 a 100 mA a una tensión
de puerta no mayor de 5 V (en corriente directa).

94
3.3.4 - DIAGRAMA EQUIVALENTE FUNCIONAL DEL SCR.

Podemos considerar al SCR desde el punto de vista operativo como un simple


conmutador o interruptor, cuyo estado será abierto o cerrado, figura No. 3-10.

Figura 3-10

3.3.5- ANALOGÍA DE OPERACIÓN DEL RECTIFICADOR CONTROLADO DE


SILICIO CON DOS TRANSISTORES.

Partiendo de la representación analógica del SCR y su descomposición en dos


transistores según se muestra en la figura No. 3-11.

Figura 3-11.

Resulta un montaje con un transistor PNP y otro NPN, con interconexiones que
forman realimentaciones positivas. En el diagrama de la figura No. 3-12, permitirá
explicar el fenómeno de cebado o disparo del SCR.

95
Figura 3-12.

El montaje se encuentra polarizado directamente, ánodo positiva y cátodo


negativo; se inyecta una señal Ia momentánea entrando en conducción el transistor TI,
en esas condiciones la base del transistor T2 pasa a un potencial negativo casi igual al
del cátodo, quedando polarizada la unión base - emisor directamente; entra en
conducción el transistor cuya corriente de colector alimenta la base del transistor TI,
que realimenta e inicia un ciclo que es regenerativo hasta la saturación de ambos
transistores.

Condicionándose a:

De la operación de los transistores tenemos :

Recordando por otro lado que la ganancia de corriente del transistor (J3)
aumenta con la corriente de emisor, io cual nos favorece para la entrada de
conducción del mismo.

96
3.3.6.- CURVA CARACTERÍSTICA DEL SCR.

Las características del SCR, se refieren a un eje coordenado en el que sus


parámetros se relacionan, como son: corriente de ánodo, voltaje de ánodo y corriente
de compuerta.
La relación de las corrientes y tensiones del SCR, se determinan con el circuito
básico de la figura No. 3-13, en el que se tienen dos condiciones de operación:
a).- Con el interruptor abierto (SW) para corriente de puerta nula (la = 0), para
polarización directa e inversa.
Para polarización directa.- Superando el voltaje directo de disparo o voltaje de
ruptura (Vd) el dispositivo entra en conducción, limitada la corriente de ánodo por la
resistencia de carga (R,.).
Para la polarización inversa.- Excediendo el voltaje de ruptura inverso (VM), el
dispositivo entra en conducción de avalancha (se destruye).
b).- Con el interruptor cerrado (SW) para la corriente de puerta diferente de cero
(IG > 0), para polarización directa e inversa.
Para polarización directa.- El dispositivo entra en conducción para diferentes
valores de corriente de compuerta (Iü) y tensiones ánodo - cátodo (VAK). El valor de la
corriente de ánodo está limitado por la carga y tendrá un valor mayor que la corriente
mínima permisible (corriente de sostenimiento) para que permanezca en éste estado.
Para polarización inversa.- El dispositivo no entra en conducción aún cuando se
aplique la señal de compuerta.

Figura 3-13.

97
VRI - Voltaje inverso de ruptura. VRSM -
Voltaje inverso transitorio o accidental.
VRWM - Voltaje inverso recurrente. Va
(Vso) - Voltaje directo de disparo. VFAV
- Voltaje directo de trabajo. VH - Voltaje
de sostenimiento. tFAv - Corriente
media. la, - Corriente de compuerta. IH
- Corriente de sostenimiento.

Figura 3-14.

Breve descripción de las corrientes y tensiones de interés de la curva caracte-


rística.
1.- Voltaje directo de disparo (Vd), es la tensión en la que el SCR entra en
conducción en la región de polarización directa, con una tensión máxima sin señal en
la compuerta.
2.- Corriente de sostenimiento o de mantenimiento (ij,), es la corriente mínima
que se requiere para que el dispositivo permanezca en conducción.
3- Voltaje inverso de ruptura (VRI), es la tensión máxima de polarización inversa
que hace entrar en conducción al dispositivo por corriente de avalancha (en la que en
la gráfica del dispositivo se ha rebasado el codo zener, provocando la destrucción del
mismo); para tensiones inferiores a ésta tensión, el dispositivo se encuentra bloqueado
y es posible que acepte una tensión transitoria accidental (VRSM) Y una tensión
recurrente (VKWM).
En !a zona de polarización directa para tensiones menores de la de bloqueo
(Vd), no hay conducción en el dispositivo, para lograr que éste entre en conducción se
hace através de una seña! de puerta; de tal forma que cuanto mayor sea esta corriente
de disparo el dispositivo entrará en conducción para tensiones menores de
polarización directa.

98
3.3.7.- CARACTERÍSTICAS DE COMPUERTA DEL SCR.

El tiristor (SCR) es disparado por una señal positiva aplicada a la compuerta, en el que
se tienen tres modalidades de disparo: 1.- Por corriente continua. 2.- Por corriente
directa pulsante. 3.- Por impulso o trenes de impulso.

El fabricante através de gráficas específica los valores de corriente y tensión


necesarios para provocar el disparo del dispositivo en particular, figura 3-15, en la que
se muestra además de los rangos de variación de las corrientes y tensiones de puerta,
la influencia de la temperatura, para valores instantáneos de los ejes coordenadas.

V GF - Tensión directa pico máxima


admisible.
P GAV - Potencia media máxima (en
otras gráficas potencia instantánea
máxima).
I OFM - Corriente directa máxima (en
otras gráficas corriente instantánea
máxima).

Figura 3-15.

En la gráfica (figura No. 3-15) vemos que a medida que aumenta la


temperatura disminuyen los valores de tensión y de corriente de disparo, por otro lado
observamos que a bajas temperaturas se tienen valores elevados de tensión y de
corriente de disparo, para bajas temperaturas se tienen las peores condiciones de
disparo del SCR por las tensiones elevadas.
La gráfica de la figura No. 3-15, nos muestra la característica del dispositivo
para la corriente de ánodo nula (IA = 0), es decir a circuito abierto o en condiciones de
inicio de conducción.
Como complemento a la curva característica haremos las siguientes
anotaciones:
La tensión de predisparo de puerta, es la tensión máxima de disparo en el que
el dispositivo permanece bloqueado (zona de bloqueo directo) y que se da a una
temperatura! de 100° C, por lo consiguiente cualquier señal indeseable (Ruido
eléctrico) tendrá que mantenerse por abajo de éste valor de tensión, con el objeto de
evitar disparos erráticos del dispositivo.
La parábola de disipación de potencia media máxima en la puerta, es la
potencia nominal pico que es capaz de manejar la unión de la compuerta, la cual no
deberá excederse nunca y se seleccionarán en la curva por abajo de éste valor (zona
preferente de disparo).

99
S
En los tiristores tipo SCR que operen en circuitos de inversores, se requiere un
pulso firme (seguro) en la señal de puerta, esto debido al tipo de señal que maneja el
dispositivo con una alta velocidad de corriente (di/dt) y frecuencia elevada (se manejan
generalmente pulsos cuadrados).
El fabricante de dispositvos electrónicos de éste tipo, suministra las curvas
características de disparo por pulsos, éstas indican el ancho del pulso máximo
permisible a distintos valores de potencia pico de entrada en la compuerta. El pulso
especificado es rectangular y el ancho de éste es a corriente nominal del dispositivo (IA
NOM), una forma típica de ésta curva se muestra en la figura No. 3-16.

Figura 3-16.

3.3.8- CIRCUITO DE DISPARO BÁSICO Y CONSTRUCCIÓN DE LA LÍNEA DE


CARGA.

Se tiene el circuito básico de disparo del SCR en la figura No. 3-17, en el que se
muestra una fuente (e.) y su resistencia interna ( R.)

Teniendo como base las curvas características


de disparo del SCR, seleccionamos el punto de
disparo trazando una línea de carga en la gráfica,
figura No. 3-18, la selección de la línea de carga es
conveniente localizarla en el máximo punto de
operación, localizándolo en el área preferente abajo
de la curva de disipación máxima de potencia.
Figura 3-17

100
Figura 3-18.
Para el disparo con corriente continua se consultará cuál es la potencia máxima,
en general VGDC « Vo (t) y para disparos con pulsos cuadrados según se vio en la
gráfica dependerá de la duración del pulso de acuerdo con la siguiente relación:
Potencia media permitida > potencia máxima del pulso x ancho del pulso x tasa de
repetición. Por otro lado se tiene que la tensión de disparo de puerta se relaciona con
la tensión de bloqueo directo de la siguiente forma:
V,¡ Tensión de disparo de puerta. V,i Tensión de
bloqueo directo, la Corriente de compuerta. IGT
Corriente de compuerta de trabajo.

3.3.9.- TIPOS DE ENCAPSULADOS.

Figura 3-19

101
3.3.10.- CARACTERÍSTICA DE DISPARO DEL SCR.

Del comportamiento del SCR dado en la curva característica VAK VS IA ,


observamos la relación existente entre los parámetros de corriente de disparo (lc) y
tensión ánodo - cátodo (VAK), figura No. 3-14, designándole como Característica de
Disparo. La característica de disparo está dada en corriente continua, cuyos línr'.es en
los ejes coordenados son: para el de las abscisas la tensión de bloqueo directo (Vd) y
para el de las ordenadas la corriente máxima de compuerta ()Gm«), figura No. 3-20

Figura 3-20.

Ésta curva característica de disparo la hacemos función del tiempo,


relacionándola con la tensión de ánodo-cátodo; para le caso de la onda senoidal en el
semiciclo positivo tenemos la curva generada llamada Característica Dinámica de
Disparo, figura No. 3-21.

Figura 3-21.

102
El objetivo principal de ésta curva es la de relacionar el nivel de la señal de
mando o disparo con la forma de onda de la tensión aplicada al ánodo - cátodo del
SCR . La curva característica dinámica de disparo, garantiza los niveles de tensión de
disparo en función del tiempo o del ángulo de conducción, manteniendo la potencia
máxima que es posible de manejar en un nivel de seguridad.
El disparo del SCR se podrá efectuar de varios métodos, dentro de los que
podemos mencionar los siguientes:
a).- Disparo por corriente continua.
b).- Disparo por corriente directa pulsante.
c).- Disparo por impulsos o pulsos.
El método más eficiente para controlar el disparo del SCR (su encendido), es
mediante la variación del ángulo de disparo (0d); el ángulo de disparo se determina
con respecto a la tensión aplicada (en general cuando en su perfil de onda ha tomado
valor de cero) y a éste método se le llama Control de ángulo de fase. El proceso de
abrir y cerrar del tiristor, lo llamaremos conmutar (en conducción y no conducción)
teniéndose dos formas de hacerlo, conmutación natural y conmutación forzada.

a).- Disparo por corriente continua.


El circuito de la figura No. 3-22, emplea un SCR como rectificador de media
onda, en el cual se controla la cantidad de energía entregada a la resistencia de carga
(Ki), el circuito de disparo se designa simplemente como circuito de control de ángulo
de fase.

Figura 3-22.

Para el caso de disparo por corriente continua, figura No. 3-23, el circuito de
disparo se efectúa con una fuente de corriente constante y la señal a controlar será
aplicada a el ánodo - cátodo.

Figura 3-23

103
En la figura No. 3-24, se muestra la relación entre la señal de disparo (de
corriente continua) y la señal a rectificar (semiciclo positivo de la onda alterna
aplicada).

Figura 3-24.

La señal de corriente de disparo la en la gráfica de la figura No. 3.24, corta a la


característica dinámica de disparo en el punto A, generándose un ángulo de disparo 9d
y un ángulo de conducción (),.; por otro lado se tiene que los ángulos son función del
tiempo y u < U- por lo que en el punto A' no será posible cortar la curva
característica dinámica de disparo, teniéndose consecuentemente un control
limitado. El ángulo de disparo será de 0° a 90° sexagecimales y el ángulo de
conducción será de 90° a 180° sexagecimales, por otro lado el semiciclo negativo de
180° a 360° sexagecimales polarizará al SCR inversamente y estará bloqueado (en no
conducción).

b).- Disparo por corriente directa pulsante (C.D.).


La señal de disparo se obtiene de una fuente de corriente directa pulsante a un
nivel adecuado (como la suministrada por un rectificador de media onda), para lo cual
empleamos el circuito de la figura No. 3-25.

Figura 2-25.

104
Referiremos la señal de corriente de compuerta aplicada al dispositivo con la
tensión aplicada a las terminales del ánodo respecto a el cátodo, figura No. 3-26.

Figura 3-26.

Observamos que la señal de disparo está en fase con la tensión a controlar (las
dos formas de onda inician en 0°) y la intersección de la curva de la señal de control
con la curva característica dinámica de disparo, queda limitada a un rango de 0° a 90°
sexagecimales, para variaciones del valor de la cemente de puerta (IGT) para cada
tensión de polarización en particular(no es posible cortar la curva característica
dinámica de disparo después de los 90° por ser función del tiempo, según observamos
en la figura No. 3-26). El método de control por corriente directa pulsante es un control
de conducción limitada igual que el de corriente continua con respecto a sus ángulos
de disparo y de conducción, pero además tiene la desventaja de que la corriente
instantánea de disparo es variable en el semiciclo (es decir no tiene un valor
constante, debido a el cambio de magnitud para cada valor de tensión de polarización)
y por otro lado es muy dependiente de la variación de la temperatura.

c).- Disparo por pulsos o impulsos.

La señal de disparo es realizada por un pulso de duración y magnitud adecuada


(de perfil de la onda tipo cuadrado, rectangular o espiga), el cual tenga la posibilidad
de modificar el tiempo de aplicación con respecto a la señal de polarización de ánodo-
cátodo (entendiéndose con esto la variación del ángulo de disparo y consecuen-
temente el ángulo de conducción), figura No. 3-27. Éste método es el más usado por
tener una mayor precisión en la selección del ángulo de disparo (corta a la curva
característica dinámica de disparo en un punto definido por la corriente de disparo i(Vr de
magnitud suficiente y constante); por otro lado la cantidad de energía desarrollada en
la puerta es mayor en forma instantánea que en los dos métodos anteriores,

105
permitiendo de ésta manera un disparo más enérgico dando seguridad en el disparo
del dispositivo

Figura 3-27.
Problema 3-1.- El circuito de la figura No. 3-25, el SCR tiene las siguientes
características: corriente de trabajo IOT = 0.1 mA, d.d.p. de trabajo VGT = 0.5V, diodo de
silicio y v¡ = 24V pico (valor de la fuente de tensión). Determinar el ángulo de disparo

Figura 3-25.

Por KVL aplicada en el circuito de puerta.

Tomamos como valor de las d.d.p. a : VG = 0.5V = VGT. en el punto de disparo.

La tensión de conducción en el semiciclo en la carga .

Por lo que la tensión de disparo será la misma.

Despejando el ángulo.

Que corresponderá a el ángulo de disparo de la semionda.

107
Los valores instantáneos de cada uno de los parámetros en juego son
mostrados en la figura No. 2-28.

Figura 3-28.

108
Problema 3-2.- En el circuito de la figura No. 3-29, el SCR tiene una corriente de
disparo de 10 mA y se tiene la forma de onda en la carga mostrada.

Figura 3-29

Preguntas:

1.- De la gráfica de tensión en la carga para el valor de 10 V, determine el valor


de RG para lograr ésta tensión instantánea.
2.- ¿Qué valor de tensión instantánea en la carga se tendrá para un valor R<¡ = 3

3.- ¿Cuál será el valor de R G para el valor pico de la onda de la gráfica de


tensión en la carga?.

Solución.

1.- Para el circuito de puerta en el instante de disparo por KVL tenemos:

Para el circuito de ánodo, un instante después del disparo por KVL tenemos:

Igualando las ecuaciones 1 y 2.

Aproximando el valor de la d.d.p entre ánodo - cátodo a la suma de las d.d.p.


del diodo y de la puerta.

Tenemos:

109
Despejando a la resistencia limitadora o de control Ka.

2.- Como Ro » R, de la ecuación No. 3.

3.- Despejando de la ecuación No. 4, a la resistencia Ro

110
Problema 3-3.- Se tiene el siguiente circuito con SCR, figura No. 3.30, en el cual se
determinará la función que desempeña y sus parámetros de operación.

Figura 3-30.

Analizando la operación del circuito con el dispositivo SCR, observamos que se


van a comparar dos niveles de tensión la del cátodo y la compuerta, teniéndose la
particularidad de que la tensión del cátodo está dada por un circuito R-C elemento
básico de los osciladores y que de momento tomamos al circuito como un oscilador de
relajación, el cual será comprobado por los valores de tensión que tomen los
elementos que lo integran.

En el momento de energizar el circuito se comparan las d.d.p. en los puntos K y


P, en el que tenemos las condiciones de arranque de operación del circuito.

De la ecuación No. 1:

111
Para la ecuación No. 2, por divisor de tensión:

También:

De la ecuación No. 4:

El nivel de tensión en el punto K es mayor que en el punto P, por lo que la unión


del SCR de la puerta y el cátodo (G-K) se encuentra polarizada Inversamente.
En el instante de energizar el circuito se inicia la carga del capacitor (CK) en un
tiempo t =0*, hasta alcanzar una tensión VK en la que se logre polarizar la puerta
directamente.

La tensión en el emisor VK = 6.4 V será la tensión mínima para que entre en


conducción el SCR, la cual se logra en un tiempo de carga del condensador (ti), para
una tensión determinada por la ecuación No. 1, de ahí:

Tensión lograda para el valor final de carga del capacitor. De

la ecuación de carga del capacitor:

Para el punto K la tensión evoluciona en forma exponencial de tal forma que:

112
Despejando de la ecuación No. 5 a el tiempo.

Correspondiente al tiempo de carga del capacitor.


Substituyendo valores en la ecuación No. 6.

En el momento en que entra en conducción el SCR, después del tiempo trans-


currido (ti), la tensión VK se incrementa a partir del valor 6.4 V por el hecho de que la
corriente de ánodo cruza por la resistencia RK .
Para la rama RA. VAK V RK.

Despejando a la corriente de ánodo y calculando para un valor de VAK = 1 V, de la


ecuación No. 7 tendremos:

Y la tensión en el emisor será:

Teniéndose en el punto K una subida de tensión en forma abrupta de 6.4 V a


18.8 V, igual que al inicio de operación del circuito la unión G-K se polariza
inversamente, pero también comparando las tensiones VCK y VRA+VAK tendremos:

Esto hace que el capacitor se descargue através de RA y VAK (circuito de ánodo)


hasta una tensión de aproximadamente cero volts de VcK.

113
De la ecuación de descarga del capacitor:

Despejando el tiempo de descarga (t2) tenemos :

En éste tiempo el SCR se apaga por que IA< IH

El periodo de oscilación está integrado por los tiempos de carga y descarga del
capacitor.

En la figura No. 3-31, graficamos el comportamiento del oscilador.

Figura 3-31.

114
Ejemplos de circuitos prácticos con SCR.
1 - Circuito rectificador de media onda con control de conducción limitada de 90°-
180° sexagecimales, para una carga de 100 W.

Figura 3-32.

2.- Circuito rectificador de media onda, con control de conducción de 0° - 180°

Figura 3-33.
sexagecimales.

115
3.4.- USO DEL UJT PARA DISPARO DEL SCR.

El UJT es un dispositivo ideal para el disparo de tiristores (SCR y TRIAC), dentro


de las ventajas que se tienen podemos mencionar las siguientes :

a).- El pulso de salida del UJT dispara con cierta confiabilidad al SCR, con
respecto a la energía que maneja la puerta del SCR éste no excede la potencia
máxima.

b).- Debido a la estabilidad de operación del UJT sabemos que con variaciones
de temperatura éste se comporta en forma estable, garantizando un tiempo fijo del
disparo del SCR y en consecuencia no existe variación del ángulo de conducción.

c).- El disparo con UJT facilita la sincronización y el control realimentado.

3.4.1.-CIRCUITO DE DISPARO CON UJT SINCRONIZADO.

Es muy importante que el disparo del SCR se sitúe en su tiempo de polarización


directa y que además tengan el mismo tiempo de referencia (Es decir que inicien
ambas señales en un tiempo común), con el objeto de fijar un ángulo de conducción
constante.

Un método clásico de disparar un SCR con UJT, figura No. 3-34.

Figura 3-34.

116
Describiendo el circuito tenemos:

El zener recorta la señal de polarización del UJT a un nivel constante durante el


semiciclo positivo y en el semiciclo negativo actúa como un rectificador cuya caída de
tensión es muy pequeña (0.5 V), la cual es aplicada al circuito de disparo del UJT; por lo
que respecto al tiempo, el zener logra su tensión con un pequeño retraso (en el semiciclo
positivo) permitiendo al circuito del UJT tomar su tiempo para su ciclo de operación,
entregando su o sus pulsos de disparo al SCR para un ángulo de conducción de 0* a
180a sexagecimates. Et SCR se apagara en forma natural por polarización inversa (en et
semiciclo negativo) y se tendrá una tensión media variable por et método de control de
ángulo de tase (através de la modificación del valor de la resistencia RE).
El circuito proporciona una sincronización automática entre el pulso de disparo y la
polarización directa del SCR, Teniéndose que cada vez que exista el pulso entregado
por el UJT, se tendrá la garantía que el SCR tenga la polarización correcta para entrar en
conducción.
Las gráficas del comportamiento del circuito, figura No. 3-35, muestran lo antes
explicado, ilustrando los valores instantáneos de: la tensión en el zener, la tensión del pulso
de salida del UJT y la tensión en la carga.

Figura 3-35.

Magnitudes de componentes del circuito.

117
Para el UJT bloqueado.

Tensión de disparo del SCR; VGT = 0.7 V a 1.0 V y para garantizar disparos
seguros la tensión en Ri será: VR1 = 0.4 V

Los 0.3 V de la diferencia en la tensión de disparo en la puerta será para cubrir


un margen de ruido (disparo en falso).

Cálculo de la tensión pico del UJT (ecuación No. 2.1.0-4).

Calculo de la resistencia de emisor (RFJ, ecuaciones 2.5.2-1,2 y 3.

Tomando el valor comercial más próximo.

Cálculo del capacitor de emisor (CE).


Se tomará una constante de tiempo media del 50% del semiciclo a la frecuencia
de alimentación de 60 Hz.

118
Cálculo de la resistencia de base dos del transistor UJT, aplicando la ecuación
No. 2.7.0-4.

Se tomó el valor comercial más próximo.

Selección del valor de la resistencia limitadora del zener (R3).

De las características del zener 20 V -1 W.

La resistencia R3 limitará la corriente a 20 mA, por lo consiguiente tendremos


que su caída de tensión será:

Tomando el valor comercial.

La potencia desarrollada en la resistencia limitadora (R3).

Tomando un valor comercial más próximo de 5W.

En la determinación del valor de la resistencia limitadora, hemos seguido un


método aproximado y reconsiderando tenemos:

Como 120 V es valor eficaz de la tensión aplicada, tomaremos ahora el valor


medio del semiciclo:

[19
Tomando en cuenta valor máximo de la tensión de alimentación.

Observamos que el primer método empleado en la determinación de la


resistencia limitadora es aceptable dado que nos proporciona un valor promedie

120
3.4.2-CIRCUITO DE DISPARO SIN SINCRONISMO EMPLEANDO UN UJT.

En la figura No. 3.36, se ilustra un circuito y sus formas de onda, de un


interruptor estático en el que no es imprescindible la sincronía del circuito.

Figura 3-36.

121
3.5.-TIRISTOR TRIODO BIOIRECCIONAL (TRIAC).

Es un dispositivo semiconductor de la familia de los tiristores, el cual es capaz


de conmutar tensiones en corriente alterna, cuyo símbolo se muestra en la figura No.
3-37.

Figura 3-37.

Dentro de las aplicaciones del TRIAC como controlador de potencia eléctrica,


tenemos como uso común el control de iluminación (Lamp dimmers) y el control de
motores universales (fraccionarios). Ciertos fabricantes eligen incluir en la puerta
(terminal de disparo) un diodo en el cuerpo del triac y éste dispositivo es llamado
Quadrac
El disparo del dispositivo es similar al del SCR, el cual es efectuado através de
la terminal de compuerta referida a la terminal principal 1 con una señal de disparo
positiva o negativa, independientemente de la polarización del dispositivo y que para
la ausencia de señal de disparo permanece en estado de bloqueo.
La curva característica figura No. 3-38, nos muestra la relación tensión -
corriente del TRIAC, indicando la corriente através del dispositivo como una función de
la tensión aplicada a las terminales principales 1 y 2 (MT1 y MT2).
En el cuadrante la tensión en MT2 es positiva con respecto a MT1 y en el
cuadrante MI, la tensión en MT2 es negativa respecto a MT1. En ambos cuadrantes se
presenta la tensión de ruptura y la corriente de sostenimiento (para ambas
polarizaciones).

Figura 3-38.

122
3.5.1-CARACTERÍSTICAS DE PUERTA.

Cuando la señal de disparo es aplicada a la terminal de compuerta, el voltaje de


bloqueo es menor en función del valor de corriente de disparo (de la misma forma que
en el SCR según se vio); la magnitud de la señal de la corriente de disparo es
independiente del la cantidad de corriente en las terminales principales y ésta cesa al
reducirse a un valor menor que la corriente de sostenimiento.
El dispositivo tiene la capacidad de entrar en conducción independiente de la
polaridad de la señal de disparo ( puede ser positiva o negativa bajo la salvedad de
que tiene ser referida a la terminal principal 1 (MT1)), lo cual se muestra en la figura
No. 3-39.

Figura 3-39.

Las cuatro condiciones de operación ilustradas en la figura No. 3-39, se


presentan para el flujo de corriente convencional (flujo de huecos como portadores de
carga mayoritarios).

123
3.5.2-APLICACIONES.

Control lumínico de apagado (Turn off), por aumento de la intensidad de luz.

Control de penumbra (Turn on).

Control de intensidad de iluminación (Lamp dimmer).

124
3.5.3.- CONEXIÓN ANTIPARALELO.

La disposición de la conexión de la figura No. 3-40, permite emplear a dos SCR


para que realicen la misma función del Triac, la cual es conocida como conexión en
antiparalelo.

Figura 3-40.

En la figura No. 3-41, se tiene una aplicación básica de la conexión antiparalelo


de los SCR, como interruptor estático de potencia. La resistencia RG del circuito limita
la corriente de puerta a un valor máximo (IGT J.

Figura 3-41.

125
3.6.- CONTROLDE ÁNGULO DE FASE.

Una de las formas del control de energía eléctrica entregada por una fuente de
tipo estático es mediante el control del ángulo de fase. El método más eficiente para
controlar el encendido de un tiristor, es mediante la variación del ángulo de disparo del
tiristor, al método de control se le ¡lama control de ángulo de fase y es aplicable tanto
al SOR como al Triac. En el circuito de la figura No. 3-42, se muestra un '--ctificador
controlado de media onda, en el que se podrá variar la tensión Je salida de 0 a
máximo y el que se generan las formas de onda de salida mostradas para fuente,
carga, corriente en la carga y ánodo - cátodo.

Figura 3-42.

126
3.6.1.- Valor medio y eficaz de la tensión en la carga del rectificador controlado de
media onda.

En la figura No. 3-43, vemos el perfil de la forma de onda de tensión entregado en


la carga, por el rectificador de media onda controlado

Figura 3-43.

El valor de la tensión media entregado por el rectificador, será válida para:

Donde:

Por lo tanto el valor de la tensión


media en la carga en función del ángulo de disparo será:

La tensión eficaz es:

127
3.6.2.- Valor medio y eficaz de la tensión en la carga del rectificador controlado
de onda completa.

En la figura No. 3-44, vemos el perfil de la forma de onda de tensión entregado


en la carga, por el rectificador de onda completa controlado

Figura 3-44

El valor de la tensión media entregado por el rectificador, será válida para:

Donde:

De lo anterior el período de la onda rectificada será la mitad del de la onda a


rectificar, resultando del doble de la frecuencia, por lo tanto el valor de la tensión

La tensión eficaz es:

media en la carga en función del ángulo de disparo será:

128
3.6.3.- EFECTO DE LA CARGA INDUCTIVA EN LA FORMA DE ONDA
ENTREGADA POR EL RECTIFICADOR.

Cuando la carga es resistiva e inductiva (real) la forma de onda de salida del


rectificador es diferente que para carga resistiva, la tensión en la carga se hace
negativa y se debe a que la corriente en la inductancia no puede reducirse a cero
repentinamente por la energía que almacena el inductor.
El circuito de la figura No. 3-45, muestra un rectificador de media onda con
carga R - L en las que se obtienen las formas de onda consecuentes.

Figura 3-45.

129
3.6.4.- EFECTO DEL DIODO DE GIRO LIBRE ( FWD Free wheel diodo).

El diodo conectado en paralelo con la carga inductiva con la polaridad indicada,


figura No. 3-45, hace que el tiristor no conduzca más allá de los 180°. El voltaje
inducido por la inductancia cambiará su polaridad cuando di/dt cambie de signo y en
este momento el diodo queda polarizado directamente, permitiendo que la energía
almacenada en la inductancia se descargue através de él.
En la figura No. 3-46, se muestra un rectificador tipo puente integrado (circuito y
presentación física), en el paquete el fabricante incluye el diodo, que también es
conocido con los nombre de diodo inverso.

Figura 3-46.

Es bueno tener el conocimiento que el factor de potencia de entrada del


convertidor de conmutación natural (AC-DC ) es pobre especialmente regulado a bajo
voltaje de salida y el uso del diodo inverso ayuda a mejorar el factor de potencia del
sistema. Por otro lado el factor de potencia de una fuente de alimentación puede
mejorarse usando técnicas de conmutación forzada.

130
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II

PRÁCTICA No. 5

Características del SCR.

1.-Objetivo.

La finalidad de la práctica es la de comprobar la operación del dispositivo y la de


determinar experímentalmente sus parámetros importantes.

2.- Equipo y materiales a emplear.

1 Pz. Fuente de tensión de corriente continua de 5 V fijos (Ei). 1 Pz.


Fuente de tensión de corriente continua de 0 - 60 V (E2). 1 Pz. Fuente
de Tensión de corriente alterna 0 -120 V, 60 Hz (VM) 1 Pz. Vottmetro
digital (M2).
1 Pz. Voltmetro analógico (M4).
2 Pz. Miliampérmetro (M, y M,).
1 Pz. Potenciómetro 500 «n - 0.5 W (Rz). 1
Pz. Resistencia 240 n -1 W(R,). 1 Pz.
Resistencia 1 KíJ -10 W (RL). 1 Pz. Diodo 1N
4007 (D,).
1 Pz. SCR 218 - 9 o equivalente (SCR,). Reportar sus características dadas por el
fabricante del dispositiva a emplear en la práctica. 1 Pz. Tablilla de conexiones (Proto board). 1
Pz. Juego de cables de conexión.

3.- Realización de la práctica.

3 1.- Empleando el ohmetro efectúe las mediciones de resistencia que se indican en la


figura No. 1, reporte las lecturas obtenidas y comente el estado del dispositivo.

Figura 1.

131
3.2.- Para el circuito de la figura No. 2, para las tensiones de polarización ánodo -
cátodo de 10, 20, 30, 40 50 y 60 V ; efectúe lo siguiente:

Figura 2.

a).- Energíce el circuito con ambas fuentes, estando el potenciómetro en su valor


máximo, registre los valores indicados en cada uno de los instrumentos, i

b).- Reduzca lentamente el valor de la resistencia del potenciómetro y abra el circuito


de puerta, observe lo que ocurre y regístrelo.

c).- Después del punto b. ahora conecte el circuito de puerta aumentando el valor de
resistencia del potenciómetro y observe lo que ocurre.

d).- Partiendo del punto c en el que el SCR se encuentra disparado (es decir en
conducción), disminuya la tensión de polarización del ánodo hasta que se obtenga la lectura
mínima de corriente ánodo (ésta será la corriente de sostenimiento).

e).- Partiendo del punto c en el que el SCR se encuentra disparado (es decir en
conducción), efectúe un corto circuito entre el ánodo y el cátodo del dispositivo, observe y
registre sus lecturas (tenga cuidado de que el vólmetro se encuentre disponible para registrar
lecturas mayores de 60 V).

3.3.- Grafique las diferentes relaciones de ios parámetros obtenidos en las mediciones
anteriores (IA - VA, VG - IG, VA - IG y VA - VG ).

3.4.- Impíamente el circuito de la figura No. 3, con éste circuito es posible obtener la
curva característica del SCR, efectúe sus mediciones y repórtela.

132 .
Figura 3.

Reporte la corriente de sostenimiento determinada por la gráfica resultante.

3.5- Resultados y conclusiones.

133
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II

PRACTICA No. 6

Control de energía con SCR.

1.-Objetivo.
La finalidad de esta práctica es la de comprobar la operación del Rectificador Controlado
de Silicio, regulando a un circuito rectificador de onda completa realizado con diodos
rectificadores; operando el SCR por control de ángulo de fase disparado por un circuito de
pulsos a base de UJT.

2.- Equipo y material a emplear.

1 Pz. Fuente de C.A. de 50V.


1 Pz. Vólmetro de C.D.
1 Pz. Miliampérmetro de C.D.
1 Pz. Osciloscopio de dos canales.
4 Pz. Diodos rectificadores D1.D2, D3 Y D4 matricula 1N 4007.
1 Pz. Resistencias R1, R2 y R3 (ver nota).
1 Pz. Potenciómetro RE (ver nota).
1 Pz. Resistencia RL de 1 kíl-10 W.
1 Pz. Capacitor CE.
1 Pz. Diodo zener DZ capacidad 15 V -1 W.
1 Pz. Transistor UJT matrícula 2N 2646.
1 Pz. Tiristor SCR matrícula MCR 216-9 o equivalente.

NOTA.- Efectuar los cálculos del circuito de la figura 1, para generar de 6 a 7


pulsos de disparo del UJT de magnitud suficiente para que entre en conducción el SCR.

Fig. N° 1

134
3.- Realización de la práctica.

3.1.- Efectúe pruebas de estado de los componentes y repórtelas.


3.2.- Una vez que haya realizado el circuito, energícelo y compruebe su operación;
observando la variación de la tensión de salida y la corriente (esto ocurre al variar el
potenciómetro).

3.3.- Observe y registre las formas de onda de los puntos A, B, C, D y E (tomados del
punto de referencia). Para la posición del potenciómetro de valores de resistencia máximo,
medio y mínimo (para el valor de resistencia máximo no se tendrá disparo del SOR y para el
valor de resistencia mínimo se tendrán los 6 o 7 pulsos de disparo del UJT, y plena
conducción del SCR).
NOTA.- Relacione las gráficas a un tiempo de referencia, para lo cual será necesario
tomar un punto constante de medición).
3.4.- Observe y registre las formas de onda de los puntos F y Referencia, contra el
punto E (tomado como referencia de medición); para las mismas condiciones del punto 3.2 .
3.5.-Preguntas.
a).- Describa brevemente el funcionamiento del circuito.
b).- ¿ Que relación existe entre los pulsos de disparo del UJT y la conducción del SCR?.
o).- ¿ Que entiende por control de ángulo de fase?.
d).- ¿ Que entiende por sincronía del circuito?.

3.5.- Resultados y conclusiones.

135
BIBLIOGRAFÍA Tiristores.

REF TÍTULO ESCRITOR EDITORIAL EDICIÓN


1 Power Electric and W. Shepherd and LN. Cambrige University 1987
Motor Control Hulley Press.
2 Power Control Boyd Larson Prentice Hall 1983
Electronics
Thyristor Phase B.R. Pelly
3 Controlled Converters JhonWileyand 1971
and Cycloconverters Sons
4 The Electronic Dr. M. Fogiel, Director Research and 1988
Problem Solver Education
Association
5 Tiristores y Triaos Henry Lilen Marcombo 1976
Boixasreau Editores
Power semiconductor S. B. Dewan,
6 Drives G.R. Slemon and Prentice Hall 1984
A. Stroughen.
7 Electrónica industrial Prentice Hall
1
dispositivos y Timothy J. Maloney Hispano Americana, 983
sistemas S.A.
8 Tiristores, Conceptos Rajendra Kumar
y Aplicaciones Suganchi Krishna Limusa 1985
Kumar Suganchi
9 Control Electrónico de
los Motores de Robert Chauprade Gustavo Gili, S.A. 1983
Corrriente Comtínua
10 Electrónica Industrial,
Electrónica de Hansruedi Bühler Gustavo Gili, S.A. 1985
Potencia
11 Electrónica de Raymond Ramshaw Marcombo 1977
potencia

136
4.- CIRCUITOS INTEGRADOS.

Los circuitos electrónicos han venido desarrollándose ampliamente con el uso


los semiconductores y en la actualidad tenemos agrupados a los circuitos electrónicos
en dos tipos que son:

1.- Circuitos Discretos, compuestos por elementos activos (transistores, diodos,


tiristores, etc) y por elementos pasivos (resistores, capacitores e inductores).

2.- Circuitos Integrados, compuestos por elementos activos (transistores,


diodos, tiristores, (ed's, etc.) y por elementos pasivos (resistores y capacitores); estos
componentes. están contenidos en un solo paquete y/o fragmento de material
semiconductor (chip).

Los circuitos integrados (C.l.) se diseñan para efectuar una función específica,
teniéndose como principal objetivo el ahorro de espacio, que ocuparía un circuito
discreto que realice la misma función. Esto hace por otra parte que en el diseño se
tengan circuitos normalizados y básicos procesadores de información, dentro de éste
grupo de dispositivos electrónicos se tienen a los siguientes circuitos integrados:
amplificadores diferenciales, amplificadores operacionales, temporizadores,
reguladores de voltaje, compuertas lógicas, multiplexores, demultiplexores,
codificadores, decodificadores, indicadores numéricos, microcomputadoras, micro-
procesadores, etc.
Los C.l. forman dos grandes grupos por la función que desempeñan: Sistemas
Analógicos (lineales) y Sistemas Lógicos o Digitales (no lineales).

4.1.-SISTEMA ANALÓGICO.

Éste sistema tiene la propiedad de que la señal eléctrica de salida es idéntica a


la de entrada, teniéndose una réplica exacta en forma de onda, conservando la
frecuencia y modificando la amplitud (en algunos casos se modifica la fase a módulos
de 180° idealmente); para una señal que ha sido procesada.

Un ejemplo clásico de un sistema analógico es un circuito de altavoz, figura No.


4-1, donde la amplitud de la señal procesada con el amplificador, es directamente
proporcional a la variación de presión del aire que son producidos en el sensor de un
micrófono, cuando una persona habla en el.
Los C.l. que procesan las señales para las condiciones dichas anteriormente
son llamados C.l. lineales o analógicos.

137
Figura 4-1.

Los sistemas analógicos y lógicos se combinan para dar origen a los sistemas
mixtos en los que se han mezclado las operaciones lógicas con las analógicas;
generando los convertidores analógicos a lógicos y viceversa (un ejemplo clásico del
medio es un multímetro digital).

4.2.- CONSTRUCCIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS.

Los Circuitos Integrados se agrupan por su tipo de construcción en monolíticos


e híbridos.

4.2.1.- CIRCUITO INTEGRADO HÍBRIDO.

El circuito integrado híbrido es construido por componentes tanto activos como


pasivos por separado, en el que se aplican técnicas de microminiaturización y
conexión de elementos por deposición, es decir, tienen la forma de circuitos discretos
a los cuales son agrupados y envasados en un solo cuerpo.

4.2.2.- CIRCUITO INTEGRADO MONOLÍTICO.

El circuito integrado monolítico es aquel en que los elementos pasivos y activos


son construidos en una misma base de material semiconductor en su totalidad.

138
El C.l. monolítico consiste en un pequeño monocristal de silicio de unas
dimensiones promedio de 0.050 plg. a 0.100 plg. y de un espesor conveniente que
contiene elementos pasivos y activos. Los circuitos integrados monolíticos se
construyen por los métodos utilizados en la fabricación de transistores, que incluye
crecimiento epitexial, difusión de impurezas mediante máscaras, crecimientos de
óxidos y eliminación de óxidos. Las ventajas que se obtienen es gran confiabilidad,
reducción de tamaño y bajo precio.
Se presentan en varios tipos de envases y encapsulados en formas cilindricas,
piramidales de base rectangular y con materiales plásticos, vitreos, cerámicos y
metálicos(ver figura No. 4-2).
El tipo de envase es asociado a la potencia que es capaz de manejar; al grado
de que se le llegan a adaptar aditamentos para asociarlos a disipadores de calor,
cuando estos son aplicados a circuitos de mediana y gran potencia.

Figura 4-2-

4.3.- CONSTRUCCIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS.

La tecnología de los circuitos electrónicos integrados ofrece la alternativa de


fabricar resistencias y condensadores junto con los elementos activos en el mismo
fragmento del material semiconductor.

4.3.1.- RESISTENCIAS DISCRETAS.

Las resistencias discretas en circuitos integrados son de tres tipos: resistencia


de película delgada, de película gruesa y de difusión.

139
a).- Resistencias de difusión. Estas son hechas junto con los componentes
activos como son los diodos, transistores, etc. , por lo general son del mismo material
semiconductor de silicio.
b).- Resistecias de película delgada. Son depositadas en substractos de
cerámica o vidrio y hechas de materiales tales como: cromato de óxido de silicio (las
cuales son depositadas por el método de mallas), otros materiales como el nicromel,
tantalio y el cermet (se depositan por evaporación o bombardeo de partículas
(Sputtering)).
c).-Resistencia de película gruesa. Son depósitos de compuestos metálicos
depositados por bombardeo de pequeños granos (Sand Blasting) o depositados por
técnicas de láser, efectuados através de mallas sobre cerámica.
En este tipo de resistencia se logran valores de 1fí a 10 MO , con tolerancia de
± 2 % a ± 50 % con potencias muv pequeñas.

4.3.2.-CAPACITORES DISCRETOS.

Los capacitores discretos en circuitos integrados son de tres tipos: de unión PN,
de estructura MOS (Metal Óxido Semiconductores) y de película delgada: éstos
capacitores son de valores pequeños y su capacidad varía demasiado con la
temperatura, es decir, tienen un coeficiente térmico negativo elevado, por ser del
mismo material semiconductor.
Un ejemplo de construcción del un C.l. monolítico lo tenemos en el amplificador
de una etapa que se muestra en la figura No. 4-3.

Figura 4-3.

140
4.4.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL.

El amplificador operacional (Amp. Op.) tomó su nombre por haberse aplicado


inicialmente en los calculadores analógicos para efectuar operaciones aritméticas
como adición, substracción, derivación e integración y otras funciones como las
logarítmicas, trigonométricas, etc., actualmente sus aplicaciones se han hecho muy
extensas, remontándose a el año de 1943 y fueron dadas a conocer en 1947 por John
R. Ragazzini y sus colegiados.
El término amplificador operacional tiene un significado claramente definido y
se distingue del término amplificador diferencia! con el que suele confundírsele.
Los amplificadores actualmente utilizados operacionalmente son amplificadores
de diferencia de corriente directa, a menudo llamados amplificadores diferenciales.

4.4.1.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL BÁSICO.

En la figura No. 4-4, se muestran los diagramas que identifican a un


amplificador operacional , correspondientes al diagrama convencional y al diagrama
esquemático.

Figura 4-4.

Aún cuando existen muchos amplificadores operacionales se tienen dos tipos


básicos por lo que respecta al número de salidas y son con dos y una salidas, éste
último es el más usual y cuenta además con otras terminales de conexión, en las que
se conectan redes externas con la finalidad de mejorar su operación como:
estabilización, compensación por frecuencia, compensación por polarización, etc.

En el diagrama básico del amplificador operacional tenemos:

a).- Entrada inversora. Ésta producirá una señal de salida opuesta en signo o en
fase, es decir, si la entrada es positiva la salida será negativa (teniéndosie que para
C.A. habrá un defasamiento de 180°E).

b).- Entrada no inversora. Ésta nos producirá en la salida una señal del mismo
signo que la entrada, es decir, para una señal positiva de entrada tendremos una
salida positiva (para «eñales alternas no existirá defasamiento).

141
c).- Terminales de polarización positiva y negativa. Entiéndase que la
polarización es la aplicación de diferencia de potencial (ddp) aplicados a los circuitos
internos del amplificador y que por lo común son tomados de una fuente positiva y
negativa referida a un punto, éste punto de referencia podrá ser el mismo al que se
refiera el conjunto de todo el circuito electrónico. No necesariamente la fuente de
polarización tendrá que ser positiva/negativa pero sí la teminal negativa tendrá un
nivel menor de tensión que la positiva; la cual se deberá tener invariablemente, dado
que si no se cumple el circuito interno no será polarizado correctamente y si éste
circuito integrado no está protegido contra tensiones inversas de polarización se
dañará irremediablemente.

En el amplificador operacional la señal de salida es proporcional a la diferencia


de las entradas, entendiéndose con esto que no le van a influir los niveles de tensión
soportados por el operacional simpre y cuando tengan la misma diferencia. En un
amplificador diferencial sí se tienen variaciones del nivel de salida, para diferencias
iguales de niveles de tensión distintos.

Idealmente el amplificador operacional con la entrada equilibrada, no responde


a las tensiones de modo común.

El amplificador operacional va a actuar dentro de un sistema como procesador o


acondicionador, tomando una señal de entrada y suministrando una salida, siempre de
naturaleza eléctrica.

Las funciones que en general realiza el Amp. Op. son:

* Amplificador de tensión, corriente y potencia.


* Modificar impedancias (acoplar impedancias).
* Limitar señales para proteger al elemento final.
* Compensar no linealidades.
* Eliminar o atenuar señales indeseables (ruido eléctrico).
* Acondicionar señales para su empleo en procesadores complejos.

4.4.2.-CARACTERÍSTICAS IDEALES DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL.

a).- Resistencia de entrada infinita (con acceso a la terminal inversora y la no


inversora). b).- Resistencia de salida cero (terminal de salida referida al
punto común de la fuente de alimentación), c).-Ganancia de voltaje infinita, d).-
Ancho de banda infinito.

142
e).- Balance perfecto (desviación nula para señales iguales de entrada, es decir
VMld.=0. f).- Corriente de entrada cero (no circula corriente hacia el interior del
Arnp. Op.,
teniendo por acceso las terminales inversora, no inversora o ambas). g).-
Factor de rechazo en modo común infinito. h).- Todas las características
iguales a cualquier temperatura.

Los Amp. Op. tienen ganancias de tensión elevadas hasta de 1,000 000 y solo
algunos con ganancias bajas; éstos últimos se emplean en circuitos de sensores de
muy pequeña señal, conectados directamente a sus entradas. Por razones prácticas el
Amp. Op. no puede funcionar con ganancias tan elevadas, controlando dichas
ganancias a valores de manejo común.

4.4.3-AMPLIFICADOR OPERACIONAL RETROALIMENTADO.

Se tienen dos tipos de retroalimentación, que establece un lazo cerrado de los


amplificadores operacionales:

a).- Retroalimentación positiva. Es en la que se introduce una fracción de la


señal de salida en fase o con el mismo signo de la señal de entrada (se usa en
circuitos osciladores en los que se lleva siempre al amplificador operacional a los
estados de corte y saturación).
b).- Realimsntación negativa. Es en la que se introduce una fracción de la seña!
de salida en oposición de fase o de signo contrario con la señal de entrada (se usa en
circuitos variadores o controladores).
La retroalimentación más usual en los sistemas es la retroalimentación negativa,
la cual estabiliza las señales de salida para valores constantes de entrada;
compensando variaciones en las fuentes de polarización.

4.4.4.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO INVERSOR.

La ganancia de un amplificador operacional en la configuración como inversor,


figura No. 4-5, se tiene que la retroalimentación negativa es implícita para él.

Figura 4-5.

143
Por definición la ganancia de un circuito eléctrico está dada por el cociente de la
tensión de entrada entre la tensión de salida, así tendremos las ganancias en lazo
abierto y el lazo cerrado.

En la que:

Seña! de entrada
Seña! de diferencia
Seña! de salida
Ganancia dada por el fabricante (Dato dado en manuales).
Parámetro dependiente de las redes de conexión

En el circuito para condiciones ideales tomamos a V¿ s o, por lo que se tendrá


en el nodo del punto suma:

Por caidas de tensión.

Substituyendo en la ganancia.

Figura 4-6.

144
Ejemplo.- Se tiene el circuito de la figura No. 4-6, determinar la tensión de
salida.
Para: e i n = l V , Tenemos que la ganancia será:

Por lo que la señal de salida es:

A partir de las caídas de tensión

Los valores de las corrientes serán:

Con el fin de facilitar la operación y los


análisis de las diferentes configuraciones
del Amp. Op. , lo tomaremos idealmente,
corroborándose experimentalmente que se tienen magníficos resultados, por sus
ganancias extremadamente altas en lazo abierto; por otro lado la de considerar que la
señal de diferencia (Krf ) es aproximadamente cero.

4.4.5.-AMPLIFICADOR OPERACIONAL NO INVERSOR.

La determinación de la ganancia del Amp. Op. en configuración no inversora,


figura No. 4-7, la entrada de la señal se hará por la terminal de conexión no inversora
(+)•

Figura 4-7.
Por divisor de tensión:

La ganancia será:

145
Relacionándola con la
configuración de la entrada
inversora tenemos ;

La salida de tensión será:

4.4.6.- CONFIGURACIÓN DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO


SEGUIDOR.

Ésta configuración de conexión del Amp. Op. permite tener la misma señal de
salida que la entrada, con la ventaja que representa su alta impedancia de entrada;
por lo que es empleado como acoplador de inpedancias.
Por lo que respecta a las ganancias de las dos configuraciones de conexión del
Amp. Op. , el amplificador como inversor permite ganancias mayorers que la unidad y
fraccionarias; el amplificador como no inversor, no permite ganancias fraccionarias;
para el amplificador como seguidor la ganancia es unitaria.
En la figura No. 4-8, se han eliminado los componentes de realimentación de la
configuración no inversora, quedando el circuito como se muestra.

Figura 4-8.

Cuando aplicamos +1 V a la terminal no inversora, para que el amplificador


operacional no se sature se requiere aplicar a la terminal inversora el mismo nivel de
tensión, conectando la entrada inversora a la salida y consecuentemente tenemos un
balance en la entrada y dado que la señal de diferencia es cero, tenemos que la salida
y la entrada son iguales. La impedancia de entrada es elevada y la impedancia de
salida es baja, permitiendo a ésta configuración operar como acoplador o adaptador de
impedancias.
Por otro lado observando el diagrama equivalente, (figura No. 4-8), dado que la
tensión de entrada del Amp. Op. es cero (entrada de diferencia), la tensión de la
entrada se transfiere integramente a la salida.

146
4.4.7.-AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO INTEGRADOR.

En la discusión del Amp. Op. en la configuración como inversor, la resistencia


de retroalimentación (Rfb) incide directamente sobre la ganancia y haciéndola variable
(figura No. 4-9.), se tendrá el siguiente análisis:

Figura 4-9.

La tensión de salida está dada por la ecuación

tendremos la tensión de salida para los valores de la resistencia de


realimentación de:
Para corto circuito

Para circuito abierto

De esos resultados obtenidos, vemos que un capacitor desarrollaría estos dos


estados al energizarse con C.D. (inicio de la carga y cargado) y consecuentemente la
resistencia de retroalimentación la podemos substituir por un capacitor,

Figura 4-10.
estableciéndose el circuito de la figura No. 4-10.
147
Considerando un comportamiento lineal del Amp. Op., para una señal de
entrada del tipo escalón, en la salida obtendremos una señal tipo rampa, como se
podrá observar en la figura No. 4-11.

Figura 4-11.

La tensión de la señal de salida en elevación o descenso depende de la


polaridad de la señal de entrada y en las que la rampa será determinada a partir de las
constantes de tiempo respectivas.

Constante de tiempo en elevación ti = R¡n Q,


Constante de tiempo es descenso %2 = RL Q,

El nivel absoluto máximo de tensión alcanzado por la señal de salida será el de


polarización y se tendrá para un valor aproximado de tiempo de aplicación de la señal
de cinco (5) veces la costante de tiempo.

Es decir, para este valor de tiempo siempre se saturará el amplificador a la


tensión de polarización con el signo respectivo.

La figura No. 4-12, nos muestra el diagrama equivalente de la configuración del


Amp. Op. como integrador, en el que se le ha colocado la carga (RL).

Figura 4-12.

148
En el nodo del punto suma por KVC tenemos:

Substituyendo tenemos:

Separando variables e ¡ntegraando.

Resolviendo.

Donde e! valor máximo de la tensión de salida,será la tensión de polarización.

Tomando ahora la señal de entrada del tipo senoidal, la señal de salida será:

Teniédose las formas de onda, figura No. 4-13,que es una senoide defasada
con un ángulo de adelanto de 90°

Figura 4-13.

149
4.4.8.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO SUMADOR Y SUBSTRACTOR.

Por lo general para ésta función del amplificador operacional se emplea con la
entrada inversora.figura No. 4-14, ya que la alternativa permite tener ganancias
fraccionarias (G<1).

Figura 4-14.
Desarrollando tenemos:

El signo y la función que desempeña el amplificador operacional, dependerá de


la señal de entrada.

4.4.9- AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO DIFERENCIADOR.

Cuando se necesita tener una señal de salida igual a la variación de la tensión


de entrada (rampa de entrada), un capacitor es substituido por la R¡n en la
configuración correspondiente como inversor, figura No. 4-15.

Figura 4-15.

150
En el nodo del punto suma.

Dado que las corrientes son:

Substituyendo.

Para señales lineales.

En la figura No. 4-16, se ¡lustra la variación de la señal de entrada, la cual se ha


tomado en incrementos para dar valores prácticos de variación.

Aquí podemos recomendar restringirse en


el uso de éste tipo de configuración, dado
que en la práctica se ha visto la influencia
del ruido eléctrico, en una mala operación
de la misma.

Figura 4-16.

Se tiene una variación de la tensión de entrada

Tenemos:

151
4.4.10.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO INTEGRADOR CON EL
PARALELO DE LA RESISTENCIA Y EL CAPACITOR DE RETROALIMENTACIÓN.

Cuando se desea tener una simulación de la constante de tiempo del campo de


un generador o un motor, dentro del circuito de control, se emplea ésta
configuración, figura No. 4-17.

Figura 4-17.

En el nodo del punto suma:

Donde:

Substituyendo.

Reordenando

Ecuación diferencial de la forma:

Cuya solución:

En donde:

Substituyendo:

152
La constante A se determina para condiciones iniciales.

Ahora si aplicamos un pulso cuadrado, del perfil de la onda mostrado en la


figura No. 4-18, podemos determinar el valor de la constante A, así temdremos:

En el tiempo
En la ecuación.

Substituyendo.

Tenemos:

Para el valor final de Í=» , e" = 0

Ejemplo.- Dados los siguientes valores de los componentes del circuito,


determine la tensión de salida del circuito, figura No. 4-17.

153
Aplicando la ecuación en forma estricta:

Los valores alcanzados en la tensión de salida nunca podran ser mayores que
la tensión de polarización (limite de la salida de tensión) y a partir del valor máximo
alcanzado se iniciará el descenso del pulso de salida.
En el instante del descenso del pulso cuadrado de la señal de entrada, el
capacitor que ya logró una cantidad de carga (tiene un nivel de tensión), inicia su
descarga através del paralelo formado por la resistencias de carga y de
realimentación.
De la descarga del capacitor.

En donde:
El nivel de tensión de salida será:

Igualmente que en la carga para el tiempo de 5x, el capacitor estara ahora


descargado.

4.4.11- AMPLIFICADOR OPERACIONAL EN CONFIGURACIÓN


PROPORCIONAL MÁS INTEGRAL.

La configuración proporcional más integral, figura No. 4-19 es empleada con


mucha regularidad, en el que se conecta al capacitor de retroalimentación una
resistencia en serie.

Figura 4-19.

154
v Para la condición inicial de de operación , se tiene descargado el capacitor y su
inpedancia es cero, por lo que el circuito opera como la configuiración de inversor
simplemente, de ahí que:

Sumando efectos, ahora considerando la carga del capacitor como integrador:

Del producto, la parte proporcional será el primer sumando y la parte integral


será el segundo sumando del paréntesis de la tensión de salida.

Ejemplificando para una señal de entrada de un pulso cuadrado, figura No. 4-


20, con los siguientes datos:

No debemos perder de vista, que la tensión obtenida nunca podrá ser mayor
que la de polarización.

Para el tiempo de descarga del capacitor, por descenso de la señal de entrada:

La resistencia de descarga del capacitor será la serie formada por la resistencia de


realimentación y la resistencia de carga, de ahí que la constante de tiempo es:

Donde E es la tensión inicial de descarga del capacitor.

Para el ejemplo tenemos que la tensión inicial es de 12 V y la tensión final es de 2 V.

Graficando la salida en la figura No. 4-20.

155
Figura 4-20.

En las aplicaciones lineales del amplificador operacional, éste opera en el rango


o zona lineal, cuando la salida es directamente proporcional a la entrada, ésta
condición queda limitada a la tensión de polarización las cuales nunca van a ser
menores que su salida, es decir, el amplificador operacional está saturado un poco
antes de llegar a su tensión de polarización. Por ejemplo para una tensión de ± 15 V
tendremos un rango lineal de aproximadamente ± 14 V pudiendo variar la salida de un
máximo a un mínimo para valores positivos y negativos.

4.4.12.- CARACTERÍSTICAS REALES DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL

1.- Entrada del amplificador.


2.- Salida del amplificador.
3.- Transferencia de la entrada a la salida.

1.- Entrada del amplificador.

a).- Tensión de desviación del cero de entrada (afectan al cero del punto suma
para un amplificador de pequeña señal el cual es dependiente de la temperatura de
apertura de operación) estas magnitudes son conocidas como de deriva y se
manifiestan en tensión y corriente y en el que no necesariamente existe una
correlación entre la tensión y la corriente ni en magnitud ni en signo.

* Corriente de polarización de entrada y diferencia de corrientes de entrada.


* Tensión de entrada admisible.
* Impedancia de entrada.
* Factor de rechazo en modo común.
* Tensión y corriente de ruido. El concepto de ruido incluye todas las tensiones
de salida parásitas o indeseables además de la desviación o deriva casuales
o no y que estas no estén relacionadas con la tensión de entrada.

2.- Características de salida.

* Impedancia de salida.
* Tensión y corriente de salida.

156
3.- Características de transferencia.

* Ganancia de tensión en lazo abierto (por grande que sea siempre será finita
y el amplificador operará de acuerdo con sus elementos pasivos de entrada y
retroalimentación)

4.4.13- PRUEBAS REALIZADAS AL AMPLIFICADOR OPERACIONAL.

* Ganancia.
* Resistencia de salida.
* Resistencia de entrada.
* Capacitancia de entrada.
* Ganancia unitaria del ancho de banda.

4.4.14.- PRECAUCIONES DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES


INTEGRADOS.

Lo mismo que a cualquier otro circuito electrónico los amplificadores


operacionales integrados pueden ser destruidos si no se tienen ciertos cuidados, de
los cuales los de mayor peso son:

* Sobre tensión de la fuente de alimentación.


* Sobre tensión del nivel de la entrada del operacional.
* Por polarización inversa.
* Por sobrecarga en la salida.

157
LABORATORIO DE CIRCUITOS Y COMPONENTES ESTÁTICOS

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA II

PRÁCTICA No.7

Características de funcionamiento del Amplificador Operacional.

1.- Objetivo.
La finalidad de la práctica es la de entender el aprovechamiento fundamental
del Amp. Op. tomado como ideal, el cual simplifica grandemente el análisis para
propósitos prácticos

2.- Equipo y materiales a emplear.

1 Pz. Fuente de tensión de corriente continua de 5 V fijos.


1 Pz. Fuente de tensión de corriente continua de 15 V 0 -15 V variable.
1 Pz. Vólmetro digital.
1 Pz. Vólmetro analógico.
1 Pz. Osciloscopio de dos canales.
1 Pz. Generador de funciones.
1 Pz. Tablilla de conexiones (Proto board).
1 Pz Juego de cables de conexión.
1 Pz. Aplificador Operacional LM 741 (Mini dip).
1 Pz. potenciómetro 10 KÍ1-2W.
1 Pz. Capacitor 1 yiF-25 V (No polarizado).
1 Pz. Resistencias 1, 10, 50, 100 y 200 KfS-0.5 W.
2 Pz. Resistencia 500 KQ-0.5 W.

3.- Realización de la práctica.

¡mplemente los circuitos según se muestren el desarrollo, efectuando su


polarización con una tensión de + 12 V.

3.1.-Amplificador en la conexión de la configuración de inversor.

158
Arme el circuito de la figura y obtenga una gráfica de respuesta del Amp. Op. ,
referente de la tensión de entrada contra tensión de salida; determine la ganancia de
la gráfica. Aplique la tensión de la seña! de entrada para obtener tantos puntos como
sean necesarios, tanto para valores positivos como negativos hasta llegar a la
saturación del amplificador.
Compruebe analíticamente para valores reales de las resistencias.

3.2.- Amplificador Operacional como sumador y substractor.

Determine la tensión de salida y compruébelo matemáticamente para valores


reales de las resistencias.

3.3.-Amplificador Operacional como No inversor.

Determine el valor del la tensión de salida y compruebe analíticamente para


valores reales de las resistencias.

3.4.- Amplificador Operacional como Seguidor.

Efectuar las mismas acciones que en el punto 3.1 .

159
3.5.- Amplificador Operacional como integrador.

Aplique una señal de forma de onda cuadrada de una frecuencia de 500 Hz y


trace las formas de salida del amplificador. Determine le forma de salida teóricamente
y compare con la obtenida en el experimento

3.6.- Recabe la información de un amplificador operacional específico y anexe


el diagrama equivalente funcional de un fabricante.

3.7.- Resultados y conclusiones.

160
BIBLIOGRAFÍA Amplificador Operacional

REF TITULO ESCRITOR EDITORIAL EDICIÓN

Fundamental of
1 Operational The Foxboro Company Foxboro 1979
Amplifiers
2 Electrónica Teoría Robert Boylestad Prentice Hall 1985
de Circuitos Louis Nashelsky Hispano Americana
3 The electrónica Staff of R.E.A. Research and 1988
Problem Solver Dr. M. Fogiel, Director Education Association
4 Principios de Albert Paul Malvino.Ph. Me. Graw Hill 1986
Electrónica D.
5 I.C. Op. Amp. WalterG. Jung Howard W. Sams and 1974
Cookbook Co., Inc.
6 Introducción a la William H. Roads Haría, México 1989
Ingenieria Eléctrica Dan H. Wolaver
7 Designing with
Operatinal Jerard G. Graeme Me. Graw Hill 1977
Amplifiers
8 Applications of
Operational Jerard G. Graeme Me. Graw Hill 1973
Amplifiers
9 Fundamentos de Norman Lurch CECSA 1985
Electrónica

161
ÍNDICE

CONTENIDO PAG.

CAPÍTULO 1.

1.- RECTIFICACIÓN POLIFÁSICA---------------------------------------------11

1.1.- GENERACIÓN DE ENERGÍA ELECTRÍCA ----------------------------- 11


1.1.1. LEY DE LENZ ___________________________________________ 11
1.1.2.- LEY DE FARADAY -----------------------------------------------------------12
1.1.3- UNA ESPIRA QUE GIRA BAJO EL EFECTO DE UN CAMPO
MAGNÉTICO _______________________________________ 13
1.1.4- DEDUCCIÓN DE LA LEY DE LENZ A PARTIR DE LA LEY
pe FARADAY __________________ ____________________ 15
1.1.5- DETERMINACIÓN DE LA FORMA DE ONDA DE LA FUERZA
ELECTROMOTRIZ------------------------------------------------------------16
1.1.6.- FACTOR DE CRESTA (F.C.) ——-—-———-——--—-——————-—-— 19

1.2.- SISTEMAS POLIFÁSICOS 20


1.2.1- DIFERENCIA DE POTENCIAL------------------------------------------- 20
1.2.2- SISTEMA DE GENERACIÓN BIFÁSICA -------------------------------- 24
1.2.3- SISTEMAS DE GENERACIÓN TRIFÁSICA ---------------------------- 27

1.3.- TRANSFORMACIÓN TRIFÁSICA ----------------------------------------34


1.3.1- SENTIDOS DE TENSIONES Y CORRIENTES DEL
TRANSFORMADOR ________________________________ 34
1.3.2.- DIAGRAMAS FASORIALES Y CONEXIONES DE
TRANSFORMADORES TRIFÁSICOS -----------------------------------34

1.4- RECTIFICACIÓN POLIFÁSICA NO CONTROLADA O DE


CONMUTACIÓN NATURAL------------------------------------------------38
1.4.1- CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE MEDIA ONDA -------38
1.4.2- CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE ONDA
COMPLETA _______________________________________ 42
1.4.3- CIRCUITO RECTIFICADOR HEXAFÁSICO DE MEDIA ONDA — 43
1.4.4- CIRCUITO RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE DOBLE
ESTRELLA________________________________________________43

PRÁCTICA No 1___________________________________________46

PRÁCTICA No 2___________________________________________48
CONTENIDO PAG.

TABLA No. 1 PARÁMETROS IMPORTANTES DE LOS CIRCUITOS


RECTIFICADORES MONOFÁSICOS SIN FILTRO ___________50

TABLA No.-2 CARACTERÍSTICAS DE LOS RECTIFICADORES


POLIFÁSICOS (IDEALES)-------------------------------------------------- 51
BIBLIOGRAFÍA__________________________________________________5 2

CAPITULO 2

2.- TRANSISTOR MONOUNIÓN ----------------------------------------------53

2.1.- PARÁMETROS____________________________________53

2.2.- CURVA CARACTERÍSTICA


--------------------------------------------------------------------------------------------- 56

2.3.- DETERMINACIÓN DE LAS RESISTENCIAS DE INTERBASE


Y LA RAZÓN INTRÍNSECA DE BLOQUEO ----------------------------- 57

2.3.1.- RESISTENCIAS DE INTERBASES--------------------------------------- 58


2.3.2.- RAZÓN INTRÍNSECA DE BLOQUEO ------------------------------------ 59

2.4.- RESISTENCIA NO LINEAL GOBERNADA POR CORRIENTE ------ 60

2.5.- CIRCUITO BÁSICO DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN


COMO CIRCUITO OSCILADOR DE RELAJACIÓN ------------------- 61

2.5.1- SEÑAL DE SALIDA DE DIENTE DE SIERRA--------------------------- 61


2.5.2.- SELECCIÓN DEL VALOR DE LA RESISTENCIA DE EMISOR — 65

2.6.- SEÑAL. DE SALIDA DE PULSO AGUDO POSITIVO ------------------66

2.6.1.- DETERMINA CIÓN DEL TIEMPO DE SUBIDA------------------------- 66


2.6.2.- DETERMINACIÓN DEL TIEMPO DE BAJADA ---------------------- 68

2.7.- GENERACIÓN DE LA SEÑAL DE PULSO AGUDO NEGATIVO - 72

2.7.1.- ANÁLISIS DEL CIRCUITO OSCILADOR DE RELAJACIÓN


CON ESTABILIZACIÓN DEL VOLTAJE PICO--------------------------73
TABLA No. 3 DESIGNACIÓN Y DEFINICIONES DE
PARÁMETROS DEL TRANSISTOR MONOUNIÓN ------------------ 81
CONTENIDO PAG.

BIBLIOGRAFÍA UJT _____________________________________ 82

PRÁCTICA No. 3 -------------------------------------------------------------83

PRÁCTICA No. 4 ----------------------------------------------— -----------85

CAPÍTULO 3

3.- TIRISTORES ------------------------------------------------------------------ 87

3.1 - TIPOS DE TIRISTORES ---------------------------------------------------- 88

3.2.- DIODO SHOCKLEY O DIODO DE CUATRO CAPAS ----------------- 89

3.2.1.- CURVA CARACTERÍSTICA ----------------------------------------------- 90

3.3. - TIRISTOR DE CUATRO CAPAS Y TRES TERMINALES


DE CONEXIÓN ___________________________________.91

3.3.1.- CONSTITUCIÓN GENERAL DEL SCR ---------------------------------- 91


3.3.2.- CONSTRUCCIÓN BÁSICA DEL SCR------------------------------------ 92
3.3.3- OPERACIÓN DEL SCR----------------------------------------------------- 93
3.3.4- DIAGRAMA EQUIVALENTE FUNCIONAL DEL SCR ------------------95
3.3.5.-ANALOGÍA DE OPERACIÓN DEL RECTIFICADOR
CONTROLADO DE SILICIO CON DOS TRANSISTORES ------- -95
3.3.6.- CURVA CARACTERÍSTICA DEL SCR -----------------------------------97
3.3.7 - CARACTERÍSTICAS DE PUERTA DEL SCR ------------------------- -99
3.3.8- CIRCUITO DE DISPARO BÁSICO Y CONSTRUCCIÓN DE
LA LÍNEA DE CARGA ----------------------------------------------------- 100
3.3.9.-TIPOS DE ENCAPSULADOS-------------------------------------------- 101
3.3.10.- CARACTERÍSTICA DE DISPARO DEL SCR -------------------- 102

3.4- USO DEL UJT PARA EL DISPARO DEL SCR------------------------ 116

3.4.1 - CIRCUITO DE DISPARO CON UJT SINCRONIZADO ------------- 116


3.4.2.- CIRCUITO DE DISPARO SIN SINCRONISMO EMPLEANDO
UN UJT ----------------------------------------------------------------------- 121

3.5- TIRISTOR TRIODO BIDIRECCIONAL (TRIAC) ---------------------- 122

3.5.1- CARACTERÍSTICAS DE PUERTA-------------------------------------- 123


CONTENIDO PAG.

3.5.2.- APLICACIONES__________________________________________124
3.5.3- CONEXIÓN ANTIPARALELO---------------------------------------------125

3.6.- CONTROL DE ÁNGULO DE FASE--------------------------------------126

3.6.1.- VALOR MEDIO MEDIO Y EFICAZ DE LA TENSIÓN EN LA


CARGA DEL RECTIFICADOR CONTROLADO DE MEDIA
ONDA ____________________________________________ 127
3.6.2- VALOR MEDIO MEDIO Y EFICAZ DE LA TENSIÓN EN LA
CARGA DEL RECTIFICADOR CONTROLADO DE ONDA
COMPLETA _________________________________________ 128
3.6.3- EFECTO DE LA CARGA INDUCTIVA EN LA FORMA DE
ONDA ENTREGADA POR EL RECTIFICADOR---------------------- 129
3.6.4.- EFECTO DEL DIODO DE GIRO LIBRE-------------------------------- 130

PRÁCTICA No 5 __________________________________________131

PRÁCTICA No 6_________________________________________134

BIBLIOGRAFÍA TIRISTORES -------------------------------------------- 136

CAPITULO 4

4.- CIRCUITOS INTEGRADOS ---------------------------------------------- 137

4.1.- SISTEMA ANALÓGICO______________________________________137

4.2.- CONSTRUCCIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS------------------ 138

4.2.1.- CIRCUITO INTEGRADO HÍBRIDO -------------------------------------138


4.2.2- CIRCUITO INEGRADO MONOLÍTICO_____________________138

4.3.- CONSTRUCCIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS ------------------ 139

4.3.1.- RESISTENCIAS DISCRETAS -------------------------------------------- 139

4.3.2.- CAPACITORES DISCRETOS —---------------------------------------- 140

4.4.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL---------------------------------------- 141

4.4.1.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL BÁSICO---------------------------- 141


CONTENIDO PAG.

4.4.2.- CARACTERÍSTICAS IDEALES DEL


AMPLIFICADOR OPERACIONAL--------------------------------------- 142
4.4.3..- AMPLIFICADOR OPERACIONAL RETROALIMENTADO---------143
4.4.4.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO INVERSOR -------------143
4.4.5.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL NO INVERSOR------------------145
4.4.6.- CONFIGURACIÓN DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL
COMO SEGUIDOR --------------------------------------------------------146
4.4.7.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO INTEGRADOR---------147
4.4.8.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO SUMADOR
Y SUBSTRACTOR---------------------------------------------------------150
4.4.9.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO DIFERENCIADOR_150
4.4.10.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL COMO INTEGRADOR
CON LA RESISTENCIA EN PARALELO CON EL CAPACITOR
DE RETROAUMENTACIÓN ------------------------------------------- 152
4.4.11.- AMPLIFICADOR OPERACIONAL EN CONFIGURACIÓN
PROPORCIONAL MÁS INTEGRAL -----------------------------------154
4.4.12.- CARACTERÍSTICAS REALES DEL
AMPLIFICADOR OPERACIONAL-------------------------------------156
4.4.13.- PRUEBAS REALIZADAS AL AMPLIFICADOR OPERACIONAL_157
BIBLIOGRAFÍA------------------------------------------------------------161
El libro Curso de Electrónica II, del autor Ing. Domingo
Almendarez Amador, se terminó de imprimir el 21 de
Marzo de 1998, por Editora Hoy en Tampico, S.A. de
C.V., Altamira #611 Poniente, zona centro, Tampico,
Tamaulipas. La edición fue de 3,000 ejemplares más
sobrantes para reposición y estuvo al cuidado del Dr.
Fernando Aldape Barrera.