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Estructuras verticales para MOSFETs de Potencia

Vanesa Ramos 740


Escuela de Ingeniería Eletrónica en Control y Redes Industriales
Escuela Superior Politécnica de Chimborazo
giozelin@hotmail.com

Abstract – donde 𝑛+ significa un nivel de dopado más alto que 𝑛− ) y las


This article presents research on vertical structures for Power conexiones de fuente. El espesor de las capas establece la
MOSFETs such as V-MOSFET, D-MOSFET and U-MOSFET. We
longitud del canal, lo cual se controla mediante las
will also see their applications, their basic structure and their
respective operation. The great advantages of these devices are densidades y el tiempo de difusión del dopado en lugar de las
widely used in electronics. dimensiones del enmascaramiento. [1]

Palabras Clave- MOSFETs, semiconductores

I. INTRODUCCIÓN

La electrónica de potencia se ocupa de la aplicación de la


electrónica d estado solido para el control y la conversión de
la potencia eléctrica. Las técnicas de conversión requieren de
la conmutación de dispositivos semiconductores de potencia.
La tecnología de los semiconductores de potencia está
desarrollada rápidamente dispositivos de potencia de
conmutación rápida, con limites crecientes de voltaje y
corriente, los dispositivos de conmutación de potencia como
los TBJ de potencia, los MOSFET, SIT, IGBT, MCT, SITH,
SCR, TRIAC, GTO y otros, están encontrando crecientes Figura 1. Sección transversal de la estructura vertical del canal de un
aplicaciones en una amplia gama de productos. VMOSFET.

Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por 2. Ventajas


voltaje, que requiere solo de una pequeña corriente de
entrada; los MOSFET no tienen los problemas de descargas • Se puede ver que el drenaje y la fuente
electrostáticas por lo que su manejo requiere de cuidados están separados por la puerta. La corriente
especiales. Los MOSFET son de dos tipos: de agotamiento y fluye horizontalmente entre la fuente y el
de enriquecimiento. drenaje, controlada por el potencial en la
puerta. Como la corriente solo fluye a
través de un área relativamente pequeña,
II. DESCRIPCIÓN DE LA METODOLOGÍA
los valores de resistencia pueden ser altos,
reduciendo la eficiencia del dispositivo.
A. V-MOSFET
• El VMOS FET usa una estructura
El MOSFET de ranura en V es otro ejemplo del E-
diferente. El punto más llamativo sobre el
MOSFET convencional diseñado para alcanzar una
nuevo dispositivo es la ranura en V en la
capacidad de potencia más alta, creando una canal más corto
estructura, que es la clave para el
y más ancho
funcionamiento del dispositivo. Se puede
con menos resistencia entre el drenaje y la fuente por medio
ver que la fuente está en la parte superior
de una estructura de canal vertical. Los canales más cortos y
del dispositivo y el drenaje está en la parte
anchos permiten corrientes más altas y, por lo tanto, una
inferior. En lugar de fluir horizontalmente
disipación de potencia más grande. También mejora la
como en el FET estándar, la corriente en
respuesta a frecuencia.
este dispositivo fluye verticalmente dando
al dispositivo su nombre: Vertical Metal
1. Estructura
Oxide Silicon, VMOS.
El VMOSFET tiene dos conexiones de fuente, una
• El dispositivo usa dos conexiones para la
conexión de compuerta en la parte superior y una conexión
fuente y, en consecuencia, hay un área muy
de drenaje en la parte inferior, como muestra la figura 1. El
grande a través de la cual puede fluir la
canal se induce verticalmente a lo largo de ambos lados de la
corriente. Esto reduce la resistencia ON del
ranura en forma de V entre el drenaje (sustrato 𝑛+
dispositivo, lo que le permite manejar
poderes mucho más altos que los FET
convencionales.

• La compuerta consiste en un área


metalizada sobre la ranura en V y esto
controla el flujo de corriente en la región P.
Como la compuerta está fabricada de esta
manera, significa que el dispositivo
conserva la excepcionalmente alta
resistencia de entrada típica de la familia
de dispositivos MOS.

3. Desventajas

• El principal inconveniente del VMOSFET


es que la estructura es más complicada que Figura 3. Modo de empobrecimiento: 𝑉𝐺𝑆 negativo y menor
un FET tradicional y esto lo hace un poco 𝑉𝐺𝑆(𝐶𝑂𝑅𝑇𝐸)
más caro.
2. Modo de enriquecimiento
B. D-MOSFET Los electrones de conducción son atraídos hacia el
canal al aplicar un voltaje positivo, por la
El MOSFET de empobrecimiento (D-MOSFET) su conductividad de este se enriquece (incrementa)
estructura básica se ilustra en la figura 2. El drenaje y la como se muestra en la figura 5.
fuente se difunden en el material del sustrato y luego se
conectan mediante un canal angosto adyacente a la
compuerta aislada. En la figura se muestran tanto
dispositivos de canal n como de canal p. Se utilizará el
dispositivo de canal n para describir la operación básica. La
operación de canal p es la misma, excepto porque las
polaridades del voltaje se oponen a las del canal n.

Figura 2. Representación de la estructura básica de los D-MOSFET. Figura 4. Modo de enriquecimiento: 𝑉𝐺𝑆 positivo

El D-MOSFET es conocido también como MOSFET de 3. Símbolos para D-MOSFET


empobrecimiento/ enriquecimiento ya que puede ser operado Los símbolos para los MOSFET de
en cualquiera de los dos modos ya se de modo de empobrecimiento de canal n como de canal p se
empobrecimiento o el modo de enriquecimiento. Trabaja en muestran en la figura 5. Una punta de conexión
modo de empobrecimiento el canal n del MOSFET cuando distinta es el sustrato, este indicado por la flecha
se aplica un voltaje positivo de compuerta a fuente y en modo normalmente se conecta internamente a la fuente.
enriquecimiento cuando se aplica un voltaje positivo de
compuerta a fuente.

1. Modo de empobrecimiento
Si el voltaje negativo es mas grande en la compuerta
mas grande es el empobrecimiento de electrones en
el canal n. Con un voltaje de compuerta a fuente
suficientemente negativo, 𝑉𝐺𝑆(𝐶𝑂𝑅𝑇𝐸) el canal se
empobrece totalmente y la corriente en el drenaje es
cero. El MOSFET de empobrecimiento se ilustra en
la figura 3. El D-MOSFET conduce valores de
𝑉𝐺𝑆 por encima de cero. Figura 5. Símbolos esquemáticos de D-MOSFET

4. Característica de transferencia de un D-MOSFET


El D-MOSFET puede operar con voltajes positivos fluir horizontalmente como en el FET estándar, la corriente
o negativos en la compuerta esto de indica en la en este dispositivo fluye verticalmente.
curva de características de transferencia generales
mostradas en la figura 6 tanto para MOSFET de
canal n como de canal p.

Figura 6. Estructura de transistores de efecto de campo U-MOSFET


Figura 5. Curvas de la característica de transferencia general de D-
MOSFET El dispositivo usa dos conexiones para la fuente y, en
consecuencia, hay un área muy grande a través de la cual
5. Polarización de un D-MOSFET puede fluir la corriente. Esto reduce la resistencia ON del
dispositivo, lo que le permite manejar poderes mucho más
Un método de polarización simple es hacer VGS = altos que los FET convencionales.
0, de modo que una señal de ca en la compuerta haga
variar el voltaje de compuerta a fuente por encima o La compuerta consiste en un área metalizada sobre la ranura
por debajo de este punto de polarización de 0V. en "U" y esto controla el flujo de corriente en la región P del
la figura 6 se muestra un MOSFET con polarización UMOSFET. Como la compuerta está fabricada de esta
en cero. Ya que VGS = 0, ID = IDSS el voltaje de manera, significa que el UMOS FET conserva la
drenaje a fuente se expresa de la siguiente manera: excepcionalmente alta resistencia de entrada típica de la familia
de dispositivos MOS.
VDS = VDD − IDSS R D (1)
III. CONCLUSIONES
Como no hay corriente de cd en la compuerta R G no
afecta la polarización en cero entre la compuerta y
la fuente Un MOSFET de empobrecimiento (D-MOSFET) puede
operar con voltaje de compuerta a fuente cero, positivo o
C. U-MOSFET negativo. El D-MOSFET tiene un canal físico entre el drenaje
y la fuente. Para un D-MOSFET de canal n, los valores
Es una forma de estructura de estilo vertical o de “trinchera” negativos de VGS producen el modo de empobrecimiento y
utilizada para los transistores MOS, tiene ventajas los positivos el modo de enriquecimiento.
significativas respecto a la velocidad y a la disminución de Los VMOS FET tienen un coeficiente de temperatura
encendido esto se debe a la trinchera o tecnología de positivo, el cual combate la posibilidad de desbordamiento
semiconductores. Los UMOSFETS son muy parecidos a los térmico.
VMOSFET sin embargo tienen un desarrollo ligeramente La estructura UMOSFET tiene una trinchera vertical está
posterior del mismo principio básico, son capaces de grabada a través de la doble capa difusa, lo que da como
proporcionar una función útil en muchas aplicaciones de resultado dos MOSFET verticales.
potencia relativamente alta tanto en fuentes de alimentación
como en transistores de potencia RF. IV. REFERENCIAS

1. Estructura
[1] FLOYD, DISPOSITIVOS ELECTRICOS, Mexico:
Se puede ver en la Figura 6 de la estructura del UMOS FET Pearson Educacion, 2008.
que es muy similar al VMET FET, la principal diferencia es [2] I. Poole, «RadioElectronics.com,» 2015. [En línea].
que la parte inferior de la V se aplana para darle una forma Available: http://www.radio-
de U. Al igual que con el VMOS FET, donde la estructura es electronics.com/info/data/semicond/fet-field-effect-
muy similar, el punto más llamativo del nuevo dispositivo es transistor/umosfet-basics.php. [Último acceso: 08 05
el surco en "U" de la estructura, que es la clave del 2018].
funcionamiento del dispositivo. La ranura "U" realiza la
misma función que la ranura "V" que se encuentra en VMOS [3] R. L. Boylestad, ELECTRONICA:TEORIA DE
FET. CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRICOS,
Mexico: PEARSON EDUCACIÓN,, 2009.
Se puede ver que la fuente está en la parte superior del
dispositivo y el drenaje está en la parte inferior. En lugar de