INSTITUTO SAN JOSE (A-355)

ELECTRÓNICA GRAL. II – Prof. A. Iamarino

ELECTRÓNICA DE POTENCIA
Es una técnica relativamente nueva que se ha desarrollado gracias al avance tecnológico de los
semiconductores de potencia.
A diferencia de lo que ocurre en la electrónica de señal, en la que se da prioridad a la fidelidad (formas
de onda), y a la ganancia, la característica más importante de la electrónica de potencia es
habitualmente el rendimiento.
En la electrónica de señal, se modula la caída de tensión en los dispositivos amplificadores (que
trabajan en la zona activa) para modificar ó amplificar la señal de entrada; en la electrónica de potencia
se trabaja casi siempre en conmutación, es decir, alternando entre el estado de corte y el de saturación,
a fin de minimizar las pérdidas.
De este modo, es necesario que cuando el semiconductor está cortado y sometido a una tensión
elevada, es necesario que la corriente de fuga sea despreciable, y cuando está en conducción debe ser
despreciable su caída de tensión (debe estar saturado).
Un equipo electrónico de potencia consta fundamentalmente de:
• Un circuito de potencia; compuesto por semiconductores de potencia y elementos pasivos
(transformadores, bobinas, capacitores, resistencias, etc.), que relaciona la fuente de energía
con la carga.
• Un circuito de control; que elabora la información para comandar al circuito de potencia a
partir de consignas propias y de señales recibidas de la fuente, del propio circuito de potencia
y de la carga, proporcionando finalmente señales de excitación que determinan la secuencia de
conducción y corte de los semiconductores controlados.

De lo anterior surge que la potencia consumida por el circuito de control normalmente es despreciable
frente a las pérdidas en el circuito de potencia. El circuito de control está asociado a veces a un sistema
de comunicaciones que permite la supervisión remota del equipo con fines de mantenimiento y de
gestión.

Entrada Salida
Fuente de
CIRCUITO DE POTENCIA Carga
energía

Información Información Información

Información
Señales de
excitación

Circuito de control

Entrada/salida a comunicaciones

Unidad 3: "Electrónica de potencia"

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Diodos de potencia
Las características eléctricas que se esperan en los diodos de potencia son principalmente:
• Capacidad para soportar grandes corrientes con pequeña caída de tensión en el estado de
conducción ó de polarización directa.
• Capacidad para soportar elevada tensión con pequeña corriente de fuga en el estado de
bloqueo ó polarización inversa.
• Recuperación rápida del estado de bloqueo, con baja corriente inversa, tras el estado de
conducción. Esta característica toma más importancia en los circuitos que trabajan en alta
frecuencia de conmutación ó paso del estado de conducción al de bloqueo y viceversa.

En cuanto a los semiconductores utilizados en su conducción podemos decir que el germanio presenta
la ventaja de una caída de tensión en conducción más baja, de 0,5V frente a 1V en el de silicio. Sin
embargo, este puede soportar una temperatura de trabajo en la juntura de hasta 190ºC y elevada tensión
inversa, mientras que el diodo de germanio puede funcionar hasta unos 110ºC como máximo y soporta
menos tensión inversa. Hoy, el más utilizado es el silicio, quedando el germanio para aplicaciones en
las que se necesitan bajas caídas de tensión en los componentes, en el estado de conducción.

Diodo en estado de bloqueo

Cuando un diodo queda polarizado en inversa se deben tener en cuenta una serie de consideraciones en
cuanto a los valores máximos con los que puede trabajar. El fabricante suele definir en la zona próxima
a la avalancha cuatro tensiones características del diodo:
• Tensión inversa de trabajo: puede ser soportada por el diodo de forma continua sin peligro de
calentamiento por avalancha.
• Tensión de pico inverso repetitivo: puede ser soportada en picos de 1ms de duración repetidos
cada 10ms por tiempo indefinido.
• Tensión de pico inverso único: Puede ser soportada por una sola vez cada 10 minutos ó más,
con duración del pico de 10ms.
• Tensión de ruptura: si se alcanza este valor, aunque sea por una vez y con una duración de
10ms ó menos, el diodo puede destruirse ó al menos degradar sus características eléctricas.

Las pérdidas de potencia en bloqueo son extremadamente bajas porque son equivalen al producto de la
tensión inversa por la corriente de fugas y esta última es muy pequeña.

Diodo en estado de conducción

Cuando un diodo queda polarizado en directa se deben tener en cuenta las siguientes consideraciones:
Cuando la temperatura en la juntura alcanza valores elevados (150ºC) la caída de tensión es menor
porque las cargas extras generadas térmicamente reducen el potencial de la juntura y aumentan la
conductividad del semiconductor. De esta forma, la potencia disipada en la pastilla disminuye con la
temperatura para una determinada intensidad de corriente.
Sin embargo, el efecto es contrario para corrientes mucho más altas que la nominal, y en tales
condiciones aumenta la potencia disipada.
El fabricante define los siguientes valores característicos para la polarización directa:
• Corriente media: es el valor medio de la máxima corriente de impulsos senoidales de 180º que
el diodo puede soportar con la cápsula mantenida a determinada temperatura (normalmente
110ºC)
• Corriente de pico repetitivo: puede ser soportada por el diodo cada 20ms por tiempo
indefinido, con duración del pico de 1ms a determinada temperatura de la cápsula.

Unidad 3: "Electrónica de potencia"

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• Corriente de pico no repetitivo: es el máximo pico de corriente aplicable por una vez cada 10
minutos ó más, con una duración del pico de 10ms.

Características dinámicas
En los diodos, los pasos del estado de corte al estado de conducción y viceversa no se producen en
forma instantánea. Es necesario un tiempo de adaptación de la distribución de portadores en las capas
semiconductoras de un estado al siguiente. Esto implica estados intermedios no deseables porque en
ellos coinciden corrientes y tensiones elevadas que conllevan picos de potencia disipada altos aunque
cortos. Si un diodo funciona a una frecuencia de conmutación (número de veces por segundo que pasa
de conducción a bloqueo y viceversa) elevada, es necesario prestar atención al modo en que realiza
dicha conmutación, es decir, a sus características dinámicas y asegurarse de que no merman
sustancialmente la función y la eficiencia energética del circuito al que sirven.

Se llama “recuperación inversa” al proceso por el que un diodo en conducción adquiere, tras ser
sometido a una tensión inversa, las propiedades de bloqueo estático. Si un diodo conduce en sentido
directo una corriente I, la zona central de la juntura está saturada de portadores mayoritarios.
Si el circuito exterior fuerza la anulación de la corriente I con cierta velocidad para llevar al diodo al
estado de bloqueo aplicándole una tensión inversa, resultará que después del paso por cero de la
corriente existe en la juntura una cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento
y permiten que el diodo conduzca temporalmente en sentido contrario al ordinario.
La tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después de pasado un tiempo llamado
“de almacenamiento” (ta), en que los portadores comienzan a escasear y aparece en la juntura la zona
de carga espacial. La corriente todavía tarda un tiempo llamado “de caída” (tc), en descender a un
valor despreciable a medida que va desapareciendo el exceso de portadores por recombinación con
cargas de sentido contrario.
La suma de los tiempos citados anteriormente se llama “tiempo de recuperación inverso” (tr); el pico
de corriente alcanzado en el proceso se llama “corriente de recuperación” (Ir).

t
Ir

ta tc

tr

Unidad 3: "Electrónica de potencia"

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La recuperación inversa abrupta es un fenómeno indeseable que puede causar problemas en circuitos
de alta frecuencia. Por una parte puede calentarse excesivamente el diodo. Por otra parte, la circulación
de corriente en sentido inverso resta eficacia a muchas operaciones de los circuitos electrónicos de
potencia.
Otro fenómeno de retardo parecido pero de menor importancia tiene lugar cuando el diodo pasa del
bloqueo a la conducción.

Se denominan “diodos lentos” a aquellos que en su fabricación no se han tomado especiales

precauciones para minimizar los fenómenos de recuperación inversa y directa. En los diodos lentos u
ordinarios de silicio, los más habituales, el tiempo de recuperación típico suele ser de una a varias
decenas de microsegundos.
Se denominan “diodos rápidos” a aquellos fabricados para aplicaciones de alta frecuencia los cuales se
fabrican de modo que acumulan poca carga de minoritarios en conducción.
Dentro de los diodos rápidos encontramos los ya conocidos “diodos Schottky”.

Los diodos Zener tienden a emplearse poco en circuitos de potencia debido a las elevadas pérdidas que
se ocasionan al combinarse corrientes apreciables con tensiones de avalancha importantes. Lod Zener
tradicionales no suelen alcanzar más de 100V, 10A y 20W. La construcción de un Zener de potencia es
similar a la de los diodos ordinarios de potencia.
Una de las aplicaciones es como protección contra sobretensiones que se estudiará más adelante.

Encapsulados
El encapsulado debe resolver tres problemas: el aislamiento de la pastilla con respecto a la atmósfera
para evitar el deterioro químico, la conexión eléctrica al circuito y la extracción del calor generado por
las pérdidas eléctricas.
En las siguientes imágenes se observan distintos encapsulados de diodos de potencia:

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Transistores de potencia
Las principales características que han de considerarse en los transistores de potencia son:
• Ic: Corriente máxima de colector (ó drenaje).
• UCE0: Tensión de ruptura colector-emisor (ó drenaje-fuente) en estado de corte.
• UCESAT: Tensión colector-emisor (ó drenaje-fuente) en estado de saturación.
• PDmax: Potencia máxima disipable en régimen continuo.

Construcción
En la actualidad existen diversas técnicas de construcción de transistores de potencia, basándose en
aleaciones, difusiones etc.
Como los transistores de potencia poseen una baja ganancia de corriente (no suele pasar de 30) los
fabricantes comercializaron una gama muy variada de transistores en montaje Darlington con dos ó
tres etapas de manera que la ganancia del conjunto está entre 100 y 1000.
Como posteriormente surgió el IGBT, que necesita menos excitación, el Darlington de potencia ha
quedado relegado a una gama más pequeña de tensiones y corrientes (50A y 1200V) en cápsulas de
potencias disipables inferiores a 50W.

Corte y saturación
Para que el transistor esté cortado y pueda soportar la tensión colector-emisor con la menor circulación
de corriente se puede mantener la base abierta. Puede conseguirse una situación de corte mejor
cortocircuitando la base al emisor, ó mejor, con una polarización inversa de la misma de algunos Volt.
De esta forma, la corriente de fugas del colector disminuye a la vez que el transistor puede soportar
mayor tensión C-E sin entrar en avalancha.
Para saturar bien al transistor es necesario aportar una corriente entrante de base (en los NPN) tanto
mayor cuanto más elevada vaya a ser la corriente de colector. Esto se debe a la pequeña ganancia de
corriente que poseen los transistores de potencia.
La tensión C-E en saturación es de aproximadamente 0,5V para transistores de germanio y 2V para
transistores de silicio.
El paso del estado de corte al de saturación cuando se excita la base y el de saturación al corte al
desexcitarla, no se producen de forma instantánea.
Las causas del retardo son principalmente las capacidades parásitas asociadas a las junturas C-B y B-E
y el tiempo de difusión de los portadores a través de la base (como se explicó la conmutación en los
diodos).
En la siguiente figura se observa un circuito típico para el ensayo de las características dinámicas del
transistor.

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En el paso de la saturación al corte, la tensión de base disminuye inmediatamente al abrir el interruptor

y polarizarse el nudo A con una tensión -VBB. La corriente de base cesa también inmediatamente pero
no así la de colector, debido a que la base queda llena de portadores durante un tiempo apreciable
manteniéndose el proceso de conducción entre colector y emisor durante un tiempo. Cuando esos
portadores desaparecen por conducción y recombinación comienza a descender la corriente de colector
y a crecer su tensión, fenómeno que tampoco sucede en forma instantánea.

Protección en la conmutación
Las cargas inductivas someten a los TBJ en conmutación a las condiciones de trabajo más
desfavorables. Para la protección suelen utilizarse algunos tipos de circuitos que suprimen los picos de
la conmutación. Los más utilizados son:
• Diodo de avalancha en paralelo con el TBJ: es un diodo que se coloca entre colector y emisor,
con una tensión nominal superior a la de la fuente, de modo que en condiciones de
funcionamiento normales queda polarizado en inversa, pero al producirse el pico de tensión
entra en avalancha permitiendo la circulación de corriente por el puenteando los terminales del
transistor. Debe tenerse en cuenta que el diodo a colocar debe estar preparado para trabajar en
avalancha (como los diodos Zener).
• Diodo de circulación libre: es un diodo que se conecta en antiparalelo con la carga, de modo
que en condiciones normales de funcionamiento se encuentra polarizado en inversa, pero en el
momento de la conmutación, al autoinducirse sobre la carga inductiva una tensión de sentido
inverso a la que le dio origen y de pico elevado, queda polarizado en directa, puenteando la
carga y por ende, descargando sobre él y propia carga el pico de tensión, sin afectar al
transistor.

Diodo de
circulación
libre
Diodo de
avalancha en
paralelo con el
TBJ

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Encapsulados
Como en el caso de los diodos, existe una variada gama de encapsulados según las potencias a
manejar. En las siguientes imágenes se observan algunos de ellos:

FET de potencia
Como se mencionó oportunamente, se llama FET de potencia a los MOSFET de enriquecimiento
preparados para manejar potencias elevadas.
Con tensión de puerta elevada, del orden de los 10V ó más, y corriente de drenaje moderada, la tensión
VDS se reduce enormemente por saturación de mayoritarios en el canal de conducción. El transistor
pasa a comportarse como una pequeña resistencia entre drenaje y fuente.
Los FET de potencia suelen especificarse más que por caída de tensión en saturación por la resistencia
equivalente entre drenaje y fuente con una determinada VGS. Como ya explicó, esta resistencia es
denominada RDS(on) y su valor viene expresado en las hojas de datos del dispositivo.
Para cortar al FET no hay más que anular la tensión VGS. La corriente de fugas obtenida entre drenaje
y fuente es muy baja (para un FET de 10A suele ser aproximadamente 2mA) lo que supone un
comportamiento casi ideal.
De una manera simplificada puede decirse que en el FET la corriente de drenaje responde casi
instantáneamente a la tensión de puerta. Es la capacidad parásita puerta-fuente, inherente a la
estructura del FET, la responsable principal de los retardos de saturación y de corte.

Nuevamente, de todo lo visto extraemos una conclusión ya conocida:

en la actualidad, el transistor que reúne las mejores características para la conmutación de potencia es
el IGBT, que se comporta como un TBJ en el paso del corte a la saturación y como un FET en el paso
de la saturación al corte, además de las ventajas ya mencionadas. El tiempo total de apagado es
intermedio al de un bipolar Darlington y un FET.

Tiristores
Inicialmente recordamos que en aplicaciones de alta potencia, solo existen los SCR, es decir tiristores
unidireccionales. Para conseguir un dispositivo bidireccional, será necesario recurrir a la conexión en
antiparalelo de dos tiristores, como ya se explicó oportunamente.

Formas de disparo
1. Disparo por tensión excesiva
Si la tensión A-K se acerca al valor de ruptura en sentido directo, parte de los portadores
minoritarios que atraviesan la juntura de control adquieren una energía suficiente para generar,
por nuevos choques, pares electrón-laguna que pasan a engrosar la corriente de mayoritarios en
las zonas de bloqueo y control. Estos nuevos portadores pueden, a su vez, ocasionar la

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generación de otros pares antes de abandonar la zona de carga espacial de la juntura de control,
teniendo lugar un aumento considerable de a corriente de fugas por un fenómeno de ruptura en
dicha unión.
Esta corriente se traduce en una afluencia de huecos hacia la zona de cátodo que inyecta
electrones y en una afluencia de electrones hacia la zona del ánodo que inyecta huecos en
menor cantidad. Estos portadores engrosan la corriente de fugas de forma que cuando esta
alcanza un valor similar al de mantenimiento, una reacción en cadena hace pasar al tiristor al
estado de conducción.

2. Disparo por derivada de tensión (dv/dt)

Si a un tiristor se le aplica un escalón de tensión positivo entre ánodo y cátodo, con tiempo de
subida muy corto, del orden de los µs, los portadores sufren un desplazamiento infinitesimal
para hacer frente a la tensión exterior aplicada. No hay tiempo para que se reorganicen las
distribuciones de concentración N y P y adquieren la situación de bloqueo directo, de forma
que permanecen en el mismo perfil que en el caso de no polarización pero desplazadas, la de
huecos P hacia la juntura catódica y la de electrones N hacia la juntura anódica.
A consecuencia de este desplazamiento, la juntura de control queda sin portadores
mayoritarios, ensanchándose su zona de carga espacial. Aparece entonces una tensión y un
campo eléctrico capaz de acelerar fuertemente a los minoritarios de las proximidades. Estos
atravesarán la juntura arrancando por choque pares electrón-laguna si el campo es
suficientemente elevado, aumentando así la corriente de fugas; si esta supera el valor de
mantenimiento el tiristor entrará en conducción.
Para producir este tipo de disparo bastan escalones de tensión de un valor final bastante menor
que el de la tensión de ruptura por avalancha, con tal que el tiempo de subida sea
suficientemente corto.

3. Disparo por impulso de puerta

Esta forma fue estudiada al analizar el funcionamiento del tiristor SCR.

4. Disparo por elevación de temperatura

Al aumentar la temperatura aumenta la ruptura de enlaces lo que provoca un aumento de la
corriente de fugas. Si esta corriente supera el valor de mantenimiento el tiristor entrará en
conducción.

5. Disparo por luz

Si por algún método se logra hacer llegar luz hasta las junturas, se puede activar el dispositivo
por ruptura de enlaces y aumento de corriente de fugas.
Los dispositivos de este tipo se denominan LASCS (Light Acruoted Silicon Controlled
Switch).

Tiempos de disparo
En un tiristor en bloqueo, si se provoca la iniciación de la conducción por alguno de los métodos
vistos, la corriente ánodo-cátodo aumenta y la tensión disminuye con una velocidad que depende de las
características internas del propio tiristor y del circuito exterior de disparo.
Como ya se vio, los cambios de estado no se producen en forma instantánea si no que requieren de un
tiempo para la conmutación, dependiendo este del tiristor y también del tipo de carga.
Los tiristores suelen dividirse en dos grandes grupos: los tiristores lentos, destinados a operar en
circuitos alimentados con tensión alterna a una frecuencia de 50Hz que generalmente se utilizan para

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control de fase (rectificadores controlados), con tiempos de apagado de más de 40µs; y los tiristores
rápidos, destinados en su mayoría, a inversores de bloqueo forzado, con tiempos de apagado inferiores
a los 40µs y altas derivadas admisibles de tensión y corriente.

Encapsulados
La gama existente de tensiones, corrientes y cápsulas es muy amplia y estas suelen agruparse en
componentes discretos (que contienen un único tiristor) y modulares (que contienen dos ó más
tiristores, ó bien tiristores y diodos en distintas configuraciones).
En las imágenes siguientes pueden observarse algunos encapsulados:

Asociación de semiconductores
Cuando las exigencias de tensión de un circuito electrónico de potencia exceden las posibilidades de
los semiconductores individuales comercialmente disponibles es necesario recurrir a la conexión en
serie de componentes para que la tensión total quede dividida entre los componentes que integran la
serie.
Si se exceden las posibilidades de corriente, se debe recurrir a la conexión paralelo, para que la
corriente total se divida entre los componentes que integran el paralelo.
Mediante este sistema es posible realizar instalaciones que manejen algunos cientos de miles de Volts
y varias decenas de miles de Amperes.

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Refrigeración de semiconductores
La transmisión de calor se entiende como un intercambio de energía calorífica entre dos cuerpos a
distintas temperaturas.
Se distinguen tres mecanismos básicos de transmisión del calor conocidos como conducción,
convección y radiación.
La unidad básica para expresar la cantidad de energía intercambiada por unidad de tiempo es el Watt ó
Joule por segundo (Joule/s), que referiremos como “potencia térmica”. Por otro lado, un concepto
importante en el análisis de transferencia de calor es el de “resistencia térmica” (que llamaremos Rt
seguida por otro subíndice indicativo de la zona a la que se refiere). Es habitual encontrar este valor en
las hojas de datos de los dispositivos como Rth (de inglés termal resistance).
La resistencia térmica es la relación entre la caída de temperatura ∆t que se produce entre dos puntos
de un cuerpo al pasar por él un flujo de calor y la potencia P de dicho flujo. La Rt se mide en ºC/W
(indica la cantidad de ºC que el cuerpo aumenta par cada W que disipa).
∆t
Rt =
P

Mediante el concepto de resistencia térmica y debido a la semejanza de las ecuaciones que describen
los circuitos eléctricos con los que definen la transferencia de calor es posible establecer una analogía
entre las magnitudes térmicas y las eléctricas, pudiéndose representar un problema de transmisión de
calor mediante un esquema eléctrico de leyes equivalentes realizado con resistencias, capacitores y
fuentes de corriente. Rigen entonces las reglas de asociaciones serie y paralelo, acumulación de
energía, etc.
Por ejemplo, tomemos una barra de aluminio de resistencia térmica Rtal=0,5ºC/W (en este caso se
supone que el calor se transfiere por conducción a través de la barra) a través de la cual pasa un flujo
de calor de potencia P=20W:

P[W] P[W]

t1 [ºC] t2 [ºC]

El esquema térmico equivalente sería:

t1 − t 2 = Rtd ⋅ P
ºC
∆t = 0,5º ⋅ 20W = 10º C
W

Generalmente al trabajar con potencias disipadas superiores a 1 ó 2W la superficie que proporciona el

encapsulado del semiconductor es insuficiente para evacuar el calor generado en su interior y se hace
necesario aumentar la superficie de intercambio de calor mediante disipadores.

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ta

disipador-aire
(convección y
radiación)
td

cápsula-disipador temperatura
(conducción) ambiente
tc

juntura-cápsula
(conducción)
tj

P: flujo de calor (potencia disipada [W])

Rtjc: resistencia térmica entre la juntura y la cápsula
Rtcd: resistencia térmica entre cápsula y disipador
Rtda: resistencia térmica entre disipador y ambiente
tj: temperatura de la juntura
tc: temperatura de la cápsula
td: temperatura del disipador
ta: temperatura ambiente

Para la realización de los cálculos se supone que el flujo de calor es mayoritario en la dirección
indicada y que la conductancia térmica del material disipador (generalmente cobre ó alumninio) es
muy elevada por lo que la resistencia térmica muy pequeña (despreciable) y todos sus puntos están a la
misma temperatura (eficiencia máxima del disipador).
Según el circuito equivalente podemos establecer las siguientes relaciones:
tj − tc tc − td td − ta
P= = =
Rtjc Rtcd Rtda
tj − ta = (tj − tc ) + (tc − td ) + (td − ta )

Rtja = Rtjc + Rtcd + Rtda

Normalmente los disipadores se pintan de negro para favorecer la componente de disipación debido a
la radiación.
La Rtcd depende de la calidad del contacto entre ambas partes. Para mejorarlo existen pastas de
elevada conductancia térmica, de silicona, por ejemplo, con la que se impregnan ambas superficies.
También es necesario tener en cuenta que en ocasiones es necesario asegurar el aislamiento eléctrico
entre el disipador y el semiconductor, en cuyo caso se intercala entre ambos una lámina de algún
material aislante (por ejemplo una lámina de mica). Por su parte, los fabricantes de semiconductores

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dan el valor óptimo de fuerza de apriete para la fijación del semiconductor al disipador. Esta
información la dan en las hojas de datos a través de curvas.
Es importante destacar que las resistencias térmicas del disipador dadas en las hojas de datos para
refrigeración natural, suelen disponer que el disipador se monte en una determinada posición estándar
(normalmente vertical). Si el disipador se monta en otra posición es necesario aplicar un factor de
corrección sobre la resistencia térmica dada para la posición estándar. Estos coeficientes los da el
fabricante en las hojas de datos.

Protección de semiconductores
Los semiconductores no soportan bien los excesos de tensión, corriente y potencia disipada. La
protección se consigue combinando un orden adecuado de acciones de control con la inclusión de
ciertos elementos de protección que aseguren su óptimo funcionamiento ó que, en su caso, impidan la
destrucción del semiconductor en cuestión ante cualquier eventualidad. A veces dichos elementos de
protección no aparecen en los esquemas teóricos.
Las sobretensiones originadas dentro de los equipos casi siempre son causadas por derivadas de
corriente elevadas que circulan por inductancias (discretas ó distribuidas). Por ejemplo, en la simple
operación de conectar y desconectar un equipo que contiene un transformador de entrada, se produce
una sobretensión en el secundario de este.
Los semiconductores de potencia también se ven sometidos a sobretensiones debido a picos originados
en la fuente de alimentación (la propia red de distribución eléctrica) y en las cargas, sobre todo en su
desconexión cuando son de naturaleza inductiva.

Supresores de sobretensión
Una forma de limitar las sobretensiones es utilizar supresores en paralelo con el componente ó equipo
a proteger.
Los supresores más empleados son el descargador de gas y el varistor.
El varistor limita la tensión manteniéndolo en una tensión de conducción que aumenta bastante con la
corriente que absorbe. Funciona como un hipotético conjunto de diodos Zener bidireccionales
asociados en serie y en paralelo, de modo que cuando la tensión entre sus bornes supera el valor
prefijado (pico de sobretensión) entra en conducción haciendo circular por él el pico de corriente.
Como el varistor se conecta en paralelo, mientras conduce, mantiene entre sus bornes y por lo tanto
sobre el equipo a proteger una tensión llamada “de conducción”, de valor muy inferior al pico de
sobretensión, no destructivo para el equipo protegido. Estos dispositivos supresores son construidos
con materiales semiconductores preparados para los valores de tensión y corriente a manejar (de ahí la
analogía con los Zener).
El descargador de gas, una vez cebado (por una tensión entre decenas y miles de Volts, según los
modelos) reduce la tensión de alimentación hasta su tensión de arco, que suele tomar valores entre 20 y
150V. Esta caída puede ser admisible por el circuito a proteger (por ejemplo un rectificador), ó puede
no ser admisible (por ejemplo un circuito de control de un convertidor ó sistemas informáticos). Los
descargadores de gas constan de dos electrodos metálicos separados una cierta distancia (que depende
de la tensión a suprimir) encerrados en una cápsula de vidrio y en los más grandes de cerámica. La
cápsula se rellena con algún gas como neón, argón y hexafluoruro de azufre. Cuando aparece un
determinado pico de tensión entre sus bornes salta un arco entre los electrodos. La caída de tensión del
arco es baja (como ya se dijo), y la corriente circula en el arco. Al reducirse la sobretensión, y la
corriente pasar por un bajo valor, el arco interno se extingue, momento a partir del cual vuelve a
comportarse como un circuito abierto. Estos dispositivos pasan de un estado de muy alta resistencia
(GΩ) a otro de baja (decenas de Ω) en nanosegundos, de modo que minimizan la disipación de
potencia y pueden absorber picos de corriente de muchos kA, muy por encima de los varistores,
componentes estos más recientes que se han desarrollado.

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Símbolos:

.
Varistor
Descargador de gas

Ejemplos de conexión:

Entrada
Equipo
a
proteger
Entrada .. Equipo
a
proteger

Cuando se requiere proteger un equipo ó instalación grande contra sobretensiones severas del orden de
los kV, como las que pueden provenir de la descarga de un rayo en la línea de distribución de energía
eléctrica, se recurre a la combinación de supresores de gas de alta potencia con bobinas en serie y
derivadores a tierra. La bobina serie debe ser resistente al fogueo entre espiras (pocas espiras al aire,
muy separadas). El derivador de rayos puede realizarse mediante una bobina (se construye sobre un
cilindro cerámico sobre cuya superficie hay dos acanaladuras helicoidales distintas imbricadas
paralelamente sobre las que se devanan sendos conductores de cobre ó latón desnudos, resultando dos
devanados en hélice próximos pero galvánicamente aislados) que funciona como un circuito abierto
para la tensión de alimentación nominal y como cortocircuito derivador a tierra para muy altas
frecuencias como las asociadas a las descargas de rayos.

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Asimismo se han desarrollado supresores de sobretensión derivados de los tiristores que operan como
los supresores de gas en versiones uni ó bidireccionales. Son semiconductores de silicio de tres ó
cuatro capas que entran en conducción regenerativa cuando la tensión entre terminales alcanza cierto
valor de disparo bien preciso. En conducción, la tensión cae a varios Volts en décimas de
microsegundos, y puede absorber picos de corriente elevados aunque no llegan a los valores
permitidos por los supresores de gas. Se comercializan en cápsulas para montaje superficial y en
cápsulas análogas a las empleadas en semiconductores de baja potencia.

Protección contra derivadas de tensión

Algunos semiconductores de potencia, como los tiristores, deben ser protegidos no solamente contra
tensiones elevadas sino también contra una elevación excesivamente rápida de tensión, aunque su
valor instantáneo no sobrepase valores correctos. Como se explicó, cuando un tiristor en estado de
bloqueo es sometido a una derivada de tensión positiva alta puede dispararse. El circuito al que sirven,
deben estar diseñados para que tales derivadas no ocurran en funcionamiento normal ni tampoco ante
situaciones anómalas.
Los circuitos RC serie colocados en paralelo (como los mencionados anteriormente) con el tiristor son
la solución normalmente adoptada al respecto.

Fusibles ultrarrápidos
Un fusible ultrarrápido consta de una cinta de plata con varios cuellos rodeada de arena de cuarzo
(similares a los conocidos NH).
La coordinación entre semiconductor y fusible se hace sobre el parámetro I2t, cuyo concepto ilustra la
disipación de energía que un pico de corriente va a provocar en un semiconductor (que no debe ser
destruido por elevación de la temperatura) y en un fusible (que debe ser fundido para que proteja).
El I2t de una onda de corriente i=f(t), entre los instantes tA y tB se define como: tB

I 2 t = ∫ i 2 ⋅ dt
tA

cuyo valor depende de la forma de onda y de la duración considerada. Es un parámetro útil para
predecir el efecto de fuertes y cortas sobrecargas. En los semiconductores es un índice del calor
generado durante una sobrecorriente transitoria, mientras que en los fusibles lo es de la energía que
dejan pasar durante el proceso de fusión.
Tanto los fabricantes de semiconductores como los de fusibles, dan en sus hojas de datos los
parámetros característicos (entre los que se incluye el I2t) para la correcta protección, a través de
valores y curvas.

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Cuando se requiere proteger un semiconductor, lo que se pretende es que, tras una sobrecarga, no se
sobrepase ni siquiera transitoriamente su temperatura máxima admisible, por encima de la cual se
produciría en su pastilla un daño irreversible. La protección contra sobrecorrientes de un
semiconductor consiste entonces en limitar la máxima temperatura que pueda alcanzar.
En corriente continua el funcionamiento es distinto que en corriente alterna porque la tensión del
circuito siempre tiene la misma polaridad y, en consecuencia, la actuación del fusible es más difícil. Se
hace necesario para su estudio considerar la constante de tiempo del circuito (τ=L/R). Si es pequeña, la
corriente crecerá rápidamente y se creará un arco múltiple (uno en cada cuello del fusible), siendo el
funcionamiento similar al de corriente alterna. Para mayores valores de τ, el tiempo de fusión aumenta
y la fusión puede producirse en un número menor de cuellos, incluso en uno solo, en cuyo caso se
reduce la longitud efectiva total del arco y, por consiguiente, la capacidad de bloquear tensión. Los
fusibles para corriente continua son, cuando se aplican a tensiones por encima de los 400V, más largos
que sus homólogos para corriente alterna.

En general, los fusibles se prefieren en la protección de diodos y tiristores, no así en transistores en los
que se prefiere recurrir a la protección con circuitos amortiguadores ó varistores.

Protección magnética y electrónica

La protección contra sobrecorrientes de los semiconductores de potencia no se realiza exclusivamente
con fusibles ultrarrápidos. En algunos equipos de baja potencia se aplican también interruptores
automáticos termomagnéticos muy rápidos (curva A) para proteger diodos y tiristores.
La protección con fusibles ultrarrápidos se conoce bien y es segura. No obstante, adolece de la
incomodidad y costo de la reposición del fusible tras su actuación. Esto no presenta normalmente
problemas, ya que dicha protección suele estar pensada con un nivel de prioridad de actuación
secundario y opera ocasionalmente, cuando no funcionan otras protecciones de mayor prioridad como
circuitos amortiguadores ó supresores.
Los transistores de potencia en todas sus versiones (bipolares, FET, IGBT, etc.) disponen
inherentemente de la posibilidad de limitar ó cortar su corriente en caso de que alcance valores
excesivos actuando en su circuito de excitación. Esta protección en alguna de sus posibles modalidades

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la incorporan muchos módulos con transistores, pero el diseñador puede incorporarla con su
correspondiente circuito.
La protección de un transistor contra sobrecorrientes necesita en primer lugar la medición de esta, que
suele realizarse agregando una resistencia de bajo valor y de corriente adecuada, en serie con el
terminal de emisor ó fuente. La tensión que cae en dicha resistencia es controlada por un detector de
nivel de tensión (realizado habitualmente con amplificadores operacionales). Cuando la corriente y la
tensión correspondiente en la resistencia alcanza un valor predeterminado, el detector produce una
señal que puede emplearse para cortar la excitación del transistor y/ó para desencadenar alguna
operación en un circuito de protección general.
En la siguiente figura se observa un circuito conceptual como el explicado, en la excitación y
protección de un IGBT:

Aislamiento de compuerta en circuitos de excitación

En muchas aplicaciones de electrónica de potencia se requiere que los circuitos de control y de
potencia estén aislados galvánicamente (prescindir de conexión eléctrica entre ellos) ya que
generalmente, un circuito de control debe disparar distintos dispositivos de potencia con una
determinada secuencia lógica (esto sucede en los convertidores, que se estudiarán más adelante).
Hay dos maneras de aislar la señal de control ó de compuerta con respecto a tierra:

1. Transformadores de pulsos
Los transformadores de pulsos solo tienen un bobinado primario, y pueden tener uno ó varios
bobinados secundarios. Con varios secundarios se pueden tener señales simultáneas de
compuerta para transistores conectados en serie ó en paralelo. El transformador deberá tener
una inductancia de fuga muy pequeña, y el tiempo de subida del pulso de salida deberá ser muy
pequeño. Con un pulso relativamente largo y con baja frecuencia de conmutación, el
transformador se saturaría y su salida se distorsionaría.
A modo de ejemplo, presentamos el siguiente circuito, en el cual se realiza un control de fase
utilizando como circuito de disparo el generador de pulsos con UJT ya estudiado, aislando la
salida de este de la compuerta del tiristor mediante un transformador de pulsos (téngase en
cuenta la conexión de los bobinados del transformador, observando la ubicación de los bornes
homólogos):

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R4

R2 R1
RP

VBB

C
..TI VCA

0
De esta forma, los circuitos quedan aislados eléctricamente. Además, el mismo circuito de disparo
puede operar varios circuitos de potencia con otros secundarios del mismo transformador de pulsos.
Esta técnica de aislamiento también se usa para la excitación de BJT y de FET de potencia.

2. Optoacopladores
En los optoacopladores se combina un diodo emisor de luz (LED) de luz infrarroja, y un
fototransistor de silicio. La señal de entrada se aplica al LED y la señal de salida se toma del
fototransistor. Los tiempos de subida y bajada de los fototransistores son muy pequeños (2 a 5
microsegundos para el encendido y 300 nanosegundos para el apagado). Estos tiempos de
encendido y apagado limitan las aplicaciones en alta frecuencia. En ocasiones, el fototransistor
puede ser un Darlington.
Es otra forma de aislar eléctricamente los circuitos de disparo y de potencia.
También suele recurrirse al empleo de otros componentes optoelectrónicos para la recepción de
la señal de salida, como pueden ser los fototiristores.
El siguiente es un ejemplo de circuitos aislados eléctricamente, conectados a través de un
fotoSCR acoplado:

También existen para la excitación de compuertas circuitos integrados. Estos toman información de la
señal de entrada, la comparan con valores prefijados y generan las señales de disparo. Existen diversas
series de circuitos integrados para esto, según sea la necesidad. Recuérdese, que en muchas
aplicaciones es necesario que exista una coordinación entre la señal a controlar y la señal de disparo,
ya que existen numerosas aplicaciones que así lo requieren, como se estudiará más adelante.

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