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Ing. Electromecánica
Fundamentos de Electrónica
Investigacion
1IE-131
Integrantes:
MATERIAL
El diodo Zener es un diodo de silicio fuertemente dopado1 que se ha construido para que
funcione en las zonas de rupturas, recibe ese nombre por su inventor Clarence Melvin
Zener.
Esta tensión zener en la curva I-V es casi una línea recta vertical.
Un circuito simple, donde se quiera hacer uso de un Zener como regulador, requiere de
una resistencia de bajo valor conectada en serie con la fuente de tensión de entrada.
El valor bajo es necesario para permitir el máximo flujo de corriente a través del diodo
(se conecta en paralelo).
1. La corriente a través del Zener no debe ser inferior a su corriente mínima. En pocas
palabras, para una tensión de entrada mínima y una corriente de carga máxima, la
corriente del diodo Zener debe ser, al menos, Izmin.
2. La potencia que debe disipar el diodo debe ser inferior a su potencia máxima:
Potencia Máx = Imax * Vz
“RECORTADOR” DE TENSIÓN”
En un circuito con una fuente de entrada de AC también se puede utilizar un diodo Zener.
El diodo se puede utilizar para limitar el pico de la tensión de salida a la tensión zener en
un lado y a la tensión umbral en el otro semiciclo de la onda.
Durante el ciclo positivo, una vez que la tensión de entrada alcanza el valor de la tensión
zener (Vz), la tensión de salida es constante durante un cierto tiempo hasta que la
tensión comienza a disminuir.
A medida que la tensión negativa aumenta hasta la tensión de umbral hacia adelante, el
diodo comienza a conducir y el lado negativo de la tensión de salida se limita a la tensión
de umbral.
Si son colocados dos diodos Zener opuestos en serie, se podrá obtener una señal
recortada a Vz en ambos semiciclos de la onda.
PRINCIPIO DE OPERACIÓN
Cuando lo polarizamos inversamente y llegamos a Vz el diodo conduce y mantiene la
tensión Vz constante aunque nosotros sigamos aumentando la tensión en el circuito. La
corriente que pasa por el diodo zener en estas condiciones se llama corriente inversa
(Iz).
Se llama zona de ruptura por encima de Vz. Antes de llegar a Vz el diodo zener NO
Conduce.
Pero mientras la tensión inversa sea inferior a la tensión zener, el diodo no conduce, solo
conseguiremos tener la tensión constante Vz, cuando esté conectado a una tensión igual
a Vz o mayor. Aquí puedes ver una la curva característica de un zener:
Para el zener de la curva vemos que se activaría para una Vz de 5V (zona de ruptura),
lógicamente polarizado inversamente, por eso es negativa. En la curva de la derecha
vemos que sería conectado directamente, y conduce siempre, como un diodo normal.
Este diodo se llamaría diodo zener de 5V, pero podría ser un diodo zener de 12V, etc.
Sus dos características más importantes son su Tensión Zener y la máxima Potencia que
pueden disipar = Pz (potencia zener).
Un ejemplo: Tenemos un diodo zener de 5,1V y 0,5w. ¿cual será la máxima corriente
inversa que soportará?
Para evitar que nunca pasemos de la corriente inversa máxima, los diodos zener se
conectan siempre con una resistencia en serie que llamamos "Resistencia de Drenaje".
MATERIALES
Los LED están hechos de una gran variedad de elementos químicos, entre estos se
encuentran: Boro, carbono, Nitrógeno, Aluminio, Galio, Indio, Germanio, Arsénico,
Fosforo y Silicio.
Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que
atraviesa el LED y evitar que este se pueda dañar; para ello, hay que tener en cuenta que
el voltaje de operación va desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que está
relacionado con el material de fabricación y el color de la luz que emite) y la gama de
intensidades que debe circular por él varía según su aplicación. Los Valores típicos de
corriente directa de polarización de un LED están comprendidos entre los 10 y 20
miliamperios (mA) en los diodos de color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA)
para los otros LED. Los diodos LED tienen enormes ventajas sobre las lámparas
indicadoras comunes, como su bajo consumo de energía, su mantenimiento casi nulo y
con una vida aproximada de 100,000 horas. Para la protección del LED en caso haya picos
inesperados que puedan dañarlo. Se coloca en paralelo y en sentido opuesto un diodo
de silicio común
En general, los LED suelen tener mejor eficiencia cuanto menor es la corriente que circula
por ellos, con lo cual, en su operación de forma optimizada, se suele buscar un
compromiso entre la intensidad luminosa que producen (mayor cuanto más grande es la
intensidad que circula por ellos) y la eficiencia (mayor cuanto menor es la intensidad que
circula por ellos).
LED rojo: Formado por GaP consiste en una unión p-n obtenida por el método de
crecimiento epitaxial del cristal en su fase líquida, en un substrato.
La fuente luminosa está formada por una capa de cristal p junto con un complejo de ZnO,
cuya máxima concentración está limitada, por lo que su luminosidad se satura a altas
densidades de corriente. Este tipo de LED funciona con baja densidades de corriente
ofreciendo una buena luminosidad, utilizándose como dispositivo de visualización en
equipos portátiles. El constituido por GaAsP consiste en una capa p obtenida por difusión
de Zn durante el crecimiento de un cristal n de GaAsP, formado en un substrato de GaAs,
por el método de crecimiento epitaxial en fase gaseosa.
LED anaranjado y amarillo: Están compuestos por GaAsP al igual que sus hermanos los
rojos pero en este caso para conseguir luz anaranjada y amarilla así como luz de longitud
de onda más pequeña, lo que hacemos es ampliar el ancho de la "banda prohibida"
mediante el aumento de fósforo en el semiconductor. Su fabricación es la misma que se
utiliza para los diodos rojos, por crecimiento epitaxial del cristal en fase gaseosa, la
formación de la unión p-n se realiza por difusión de Zn.
LED verde: El LED verde está compuesto por GaP. Se utiliza el método de crecimiento
epitaxial del cristal en fase líquida para formar la unión p-n.
Al igual que los LED amarillos, también se utiliza una trampa isoelectrónica de nitrógeno
para mejorar el rendimiento. Debido a que este tipo de LED posee una baja probabilidad
de transición fotónica, es importante mejorar la cristalinidad de la capa n. La disminución
de impurezas a larga la vida de los portadores, mejorando la cristalinidad.Su máxima
emisión se consigue en la longitud de onda 555 nm.
FUNCIONAMIENTO FISICO DEL LED
- En dispositivos de alarma.
La curva característica del diodo led representa la relación entre la caída de tensión en
los terminales ánodo y cátodo y la corriente que circula a través del ánodo.
La curva real del diodo led de potencia de 10w se puede ver en la siguiente figura. De ella
se desprende que las características indicadas por en fabricante que se pueden observar
en el apartado anterior no corresponden con el diodo led real. La respuesta del diodo led
mostrado en la figura es el resultado de medir la tensión en los bornes del diodo led
(ánodo-cátodo) en función de la corriente de ánodo, alimentando el diodo led mediante
una corriente constante desde 10mA hasta la corriente máxima directa de trabajo. Se
puede observar que para la corriente máxima de trabajo de 900mA la caída de tensión
directa en el diodo led es de 9,33V, muy distante de la indicada por el fabricante, 12V.
FOTODIODO
• SIMBOLOGIA
¿QUE ES UN FOTODIODO?
¿COMO FUNCIONA?
PIN
Es un diodo semiconductor al que se le ha introducido una zona intermedia llamada
intrínseca para que la eficiencia del fotodiodo sea alta. El problema que presenta es que
el tiempo de tránsito de los fotoportadores es mayor, aumentando el tiempo de
respuesta.
ADP
El fotodiodo APD o de avalancha es un fotodiodo con ganancia interna debido al efecto
de avalancha.
PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
Al principio de este artículo se dijo que un fotodiodo podía ser visto como un diodo
polarizado a la inversa, esto se debe al funcionamiento de este. En un diodo ordinario la
polarización debe ser directa, esto permite que la corriente eléctrica pase por un solo
sentido y no pueda regresar en sentido contrario. En los fotodiodos la corriente circula
de manera inversa, esto permitirá que se produzca un aumento de la corriente cuando
el fotodiodo sea excitado por un aumento en la luz.
En caso contrario cuando la luz se encuentre ausente, la corriente sera muy pequeña al
punto de ser casi irrelevante, a este corriente se le llama corriente de oscuridad.
APLICACIONES
Medición de luz
Fotometría
Espectrometría
Control de láseres
Sensores
Proximidad
Composiciones
Detección remota
Interferométricos
En guía de onda
MATERIALES Y ESTRUCTURAS
Coeficiente de absorción
Curvas Características
La corriente inversa a través del fotodiodo varia linealmente con la iluminancia una vez
que se está significativamente por encima de la región de corriente oscura.
DIODO LÁSER
1. SIMBOLOGÍA
2. ESTADO SÓLIDO
2.1 MATERIALES O ALEACIONES DE FABRICACIÓN
Semiconductores
Aislantes: Materiales que no son conductores de la electricidad como cuarzo,diamante,
goma o plástico.
Conductores: Materiales que son conductores de la electricidad como oro, plata, cobre.
Semiconductores: Materiales con una conductividad eléctrica intermedia entre
materiales conductores y no conductores.
Ejemplos: Ge, Si, GaAs, InP, GaAlAs.
2.2 ESTRUCTURA
2.3 PRINCIPIOS DE OPERACIÓN
En los diodos láser, para favorecer la emisión estimulada y generación de luz láser, el
cristal semiconductor del diodo puede tener la forma de una lámina delgada con un lado
totalmente reflectante y otro sólo reflectante de forma parcial (aunque muy reflectante
también), lográndose así una unión PN de grandes dimensiones con las caras exteriores
perfectamente paralelas y reflectantes. Es importante aclarar que las dimensiones de la
unión PN guardan una estrecha relación con la longitud de onda a emitir.
Este conjunto forma una guía de onda similar a un resonador de tipo Fabry-Perot. En ella,
los fotones emitidos en la dirección adecuada se reflejarán repetidamente en dichas
caras reflectantes (en una totalmente y en la otra sólo parcialmente), lo que ayuda a su
vez a la emisión de más fotones estimulados dentro del material semiconductor y
consiguientemente a que se amplifique la luz (mientras dure el bombeo derivado de la
circulación de corriente por el diodo). Parte de estos fotones saldrán del diodo láser a
través de la cara parcialmente transparente (la que es sólo reflectante de forma parcial).
Este proceso da lugar a que el diodo emita luz, que al ser coherente en su mayor parte
(debido a la emisión estimulada), posee una gran pureza espectral. Por tanto, como la
luz emitida por este tipo de diodos es de tipo láser, a estos diodos se los conoce por el
mismo nombre.
3. CURVAS CARACTERÍSTICAS
2. ESTADO SÓLIDO
2.1 MATERIALES O ALEACIONES DE FABRICACIÓN
Los diodos Schottky están normalmente formados por metales como el platino y silicio,
surge de la unión de un platino, con silicio de tipo n.
2.2 ESTRUCTURA
3. CURVAS CARACTERÍSTICAS
2. ESTADO SÓLIDO
A. MATERIALES O ALEACIONES DE FABRICACIÓN.
El diodo PIN se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja
resistividad representada, está formada por difusión de átomos de boro en un bloque de
silicio tipo P y la capa N muy delgada está formada difundiendo grandes cantidades de
fósforo.
B. ESTRUCTURA
El diodo PIN es una estructura de tres capas, siendo la intermedia un semiconductor
intrínseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo N. Sin embargo, en la práctica, la
capa intrínseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad (π) o bien por
una capa n de alta resistividad (ν). La región intrínseca amplia es en contraste con un
diodo PN ordinario. La región intrínseca amplia hace el diodo PIN un rectificador inferior,
pero hace que el diodo PIN sea adecuado para atenuadores, interruptores rápidos,
fotodetectores, y aplicaciones de electrónica de potencia de alta tensión.
C. PRINCIPIOS DE OPERACIÓN
Un diodo PIN opera bajo lo que se conoce como la inyección de alto nivel. En otras
palabras, la región intrínseca "i" se inunda con los portadores de carga de las regiones
de "n", "p" y. El diodo conduce la corriente una vez que los electrones y los huecos
inundados llegan a un punto de equilibrio, donde el número de electrones es igual al
número de agujeros en la región intrínseca.
Cuando el diodo está polarizado hacia adelante, la concentración de portadores
inyectada es típicamente varios órdenes de magnitud más alta que la concentración de
portadores nivel intrínseco. Debido a esta inyección de alto nivel, que a su vez se debe al
proceso de agotamiento, el campo eléctrico se extiende profundamente en la región.
Este campo eléctrico ayuda en la aceleración del transporte de portadores de carga
desde la P a la región N, que se traduce en un funcionamiento más rápido del diodo, por
lo que es un dispositivo adecuado para operaciones de alta frecuencia.
3. CURVA CARACTERÍSTICA
4. PARÁMETROS MÁS IMPORTANTES
Un diodo PIN obedece a la ecuación del diodo estándar para señales de baja frecuencia.
A frecuencias más altas, el diodo se parece a una resistencia casi perfecta. Hay una gran
cantidad de carga almacenada en la región intrínseca. A bajas frecuencias, la carga se
puede quitar y el diodo se apaga. A frecuencias más altas, no hay tiempo suficiente para
retirar la acusación, por lo que el diodo no se apaga nunca. El diodo PIN tiene un mal
tiempo de recuperación inverso.
La resistencia de alta frecuencia es inversamente proporcional a la corriente continua de
polarización a través del diodo. Un diodo PIN, adecuadamente sesgada, por lo tanto,
actúa como una resistencia variable. Esta resistencia de alta frecuencia puede variar en
un amplio intervalo.
La región intrínseca amplia también significa que el diodo tendrá una capacitancia baja
polarizado inversamente.
En un diodo PIN, la región de agotamiento existe casi por completo dentro de la región
intrínseca. Esta región de agotamiento es mucho más grande que en un diodo PN, y casi
constante de tamaño, independiente de la polarización inversa aplicada al diodo. Esto
aumenta el volumen en el que los pares electrón-hueco pueden ser generados por un
fotón incidente. Algunos dispositivos fotodetectores, tales como fotodiodos PIN y
fototransistores, utilizan una unión pin en su construcción.
El diseño de diodo tiene algunas ventajas y desventajas de diseño. El aumento de las
dimensiones de la región intrínseca permite que el diodo se vea como una resistencia a
frecuencias más bajas. Se afecta negativamente el tiempo necesario para apagar el diodo
y su capacitancia en derivación. Diodos PIN se adaptarán para un uso particular.
5. APLICACIONES
• Interruptores de RF y microondas: Bajo el sesgo cero o inverso, un diodo PIN tiene
una capacidad baja. La baja capacidad no va a pasar mucho de una señal de RF. En virtud
de un sesgo hacia adelante de 1 mA, un diodo PIN típico tendrá una resistencia de RF de
aproximadamente 1 ohmio, por lo que es un buen conductor de RF. En consecuencia, el
diodo PIN hacen un buen interruptor de RF. Aunque los relés de RF se pueden utilizar
como interruptores, cambian muy lentamente. Un interruptor de diodo PIN puede
cambiar mucho más rápidamente.
• RF y microondas atenuadores variables Al cambiar la corriente de polarización a
través de un diodo PIN, es posible cambiar rápidamente la resistencia RF. A altas
frecuencias, el diodo PIN aparece como un resistor cuya resistencia es una función
inversa de la corriente directa. En consecuencia, el diodo PIN se puede utilizar en algunos
diseños atenuador variable como moduladores de amplitud o circuitos de nivelación de
salida.
Los diodos PIN pueden ser utilizados, por ejemplo, como el puente y las resistencias en
derivación en un puente-T atenuador. Otro enfoque común es utilizar diodos PIN como
terminaciones conectadas a la 0 grados y -90 grados puertos de un híbrido en
cuadratura. La señal a ser atenuada se aplica al puerto de entrada, y el resultado se toma
atenuada desde el puerto aislamiento. Las ventajas de este enfoque más de los enfoques
puente-T y PI son no se necesitan unidades de polarización del diodo PIN
complementarias la misma polarización se aplica a los dos diodos y la pérdida en el
atenuador es igual a la pérdida de retorno de las terminaciones, que se puede variar en
un gama muy amplia.
• Limitadores: los diodos PIN veces se utilizan como dispositivos de protección de
entrada para sondas de prueba de alta frecuencia. Si la señal de entrada está dentro del
rango, el diodo PIN tiene poco impacto como una pequeña capacidad. Si la señal es
grande, entonces el diodo PIN se inicia para llevar a cabo y se convierte en una resistencia
que desvía la mayor parte de la señal a tierra.
• Célula fotoeléctrica y fotovoltaica: El fotodiodo PIN fue inventado por Jun-ichi
Nishizawa y sus colegas en 1950. Los fotodiodos PIN se utilizan en las tarjetas de red de
fibra óptica y los interruptores. Como un fotodetector, el diodo PIN está polarizado
inversamente. En polarización inversa, el diodo normalmente no realiza. Un fotón entrar
en la región intrínseca libera un portador. El campo de polarización inversa barre el
portador fuera de la región y crea una corriente. Algunos detectores pueden usar la
multiplicación de avalancha.
DIODO TÚNEL
1. SIMBOLOGÍA
2. ESTADO SÓLIDO
A. MATERIALES O ALEACIONES DE FABRICACIÓN
Los diodos túnel son generalmente fabricados en Germanio, pero también en silicio y
arseniuro de galio. Son diodos muy rápidos que presentan una respuesta una zona con
“resistencia negativa”, que permite su utilización como elemento activo en osciladores
y amplificadores. En la práctica los diodos túnel operan con unos pocos miliamperios y
potencias muy bajas.
B. ESTRUCTURA
Los diodos túnel poseen una región de juntura extremadamente delgada que permite a
los portadores cruzar con muy bajos voltajes de polarización directa y tienen una
resistencia negativa, esto es, la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje
aplicado.
C. PRINCIPIOS DE OPERACIÓN
En un diodo túnel, la corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la
tensión aplicada hasta alcanzar un valor máximo, denominado corriente de cresta. A
partir de este punto, si se sigue aumentando la tensión aplicada, la corriente comienza a
disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mínimo, llamado corriente de valle, desde
el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero
luego se hace cada vez más rápido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de
alguna manera. Estos diodos tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip
e Iv muy rápidamente, cambiando de estado de conducción al de no conducción incluso
más rápido que los diodos Schottky.
3. CURVA CARACTERÍSTICA