Universidad de Costa Rica

Anteproyecto

Experimento 4: Aplicaciones especiales y Optoelectrónica

Prof. Diego Redondo

Kendall Barboza Piedra, B50851

Susan Morales Alfaro, A94203
Grupo 2

21 de mayo de 2018

1
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Índice
1. Objetivos 4
1.1. Objetivo general . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.1.1. Objetivos específicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

2. Marco teórico 5
2.1. Ventanas de Histerésis en componentes con Disparador Schmitt . . . . . . . . . . . . 5
2.1.1. Disparador Schmitt y ventana de Histéresis . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.2. Circuito Integrado NTE4093B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2.3. Fotoconductores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.3.1. Resistencia de oscuridad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.3.2. Sensitividad . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.3.3. Rapidez de respuesta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.3.4. Histéresis del fotoconductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
2.4. El Relé . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2.5. Switches de estado sólido . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.5.1. Rectificador Controlado de Silicio (SCR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.5.2. Diodo para Corriente Alterna (DIAC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
2.5.3. Triodo para Corriente Alterna (TRIAC) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
2.5.4. Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

3. Diseño 12
3.1. Generador de pulsos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
3.1.1. Relé . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

4. Lista de equipos 15

5. Lista de componentes 16

6. Procedimiento 17

Bibliografía 18

7. Anexos 19
7.1. Hoja Fabricante NTE4093B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
7.2. Hoja Fabricante Panasonic Relay. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

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Índice de figuras
1. Comparador con ventana de histéresis. Fuente: [2] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
2. Curva de histéresis para el NTE4093B con Vcc = 5 V. Fuente: Elaboración propia. . . 6
3. Estructura y simbología del relé. Fuente: [8] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
4. Circuito para activar el relé. Fuente: [7] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
5. Composición y símbolo del SCR. Fuente: [5] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
6. curva característica del SCR. Fuente: [5] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
7. Características del DIAC. Fuente: [5] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
8. Configuración y símbolo del TRIAC. Fuente: [5] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
9. Curva característica del TRIAC. Fuente: [5] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
10. Circuito interno equivalente del IGBT. Fuente: [11] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
11. Curva característica del IGBT. Fuente: [11] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
12. Generador de pulsos [6] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
13. Circuito para el caso con luz. Diseño propio en TINA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
14. Circuito para el caso sin luz. Diseño propio en TINA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
15. Circuito del relé. Diseño propio en TINA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14

Índice de tablas
1. Lista de equipos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2. Lista de componentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16

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1. Objetivos
1.1. Objetivo general
Implementar circuitos básicos, utilizando elementos optoelectrónicos y dispositivos de control
de potencia.

1.1.1. Objetivos específicos

Desarrollar habilidades en el uso de dispositivos sensibles a la radiación electromagnética.

Aprender a manejar dispositivos de control de potencia,

Diseñar e implementar circuitos que permitan la conversión y manipulación de una señal lumí-
nica a una eléctrica.

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2. Marco teórico
2.1. Ventanas de Histerésis en componentes con Disparador Schmitt

2.1.1. Disparador Schmitt y ventana de Histéresis

El Disparador Schmitt es un circuito comparador que convierte una señal normalmente analógica
en una cuadrada, incorporando realimentación positiva [3]. Cuando la señal de entrada es mayor
a un umbral establecido (VH ), la salida toma y mantiene un valor extremo (Vmax1 ); y cuando la
entrada es menor a otro umbral establecido (VL ), la salida toma el otro valor extremo (Vmax2 ).
Donde Vmax1 > Vmax2 para un circuito no inversor, y Vmax1 < Vmax2 para uno inversor. Este efecto
de que la señal se mantenga constante debido al doble umbral se llama Histéresis [1].
El principal beneficio del circuito es que provee una excelente protección contra el ruido. Dado
que con un único umbral de comparación, una pequeña señal de ruido podría hacer que el circuito
cambiara su salida de un valor a otro casi aleatoriamente; mientras que con la ventana, dicha señal
de ruido sería capaz de llevar la salida a un estado pero no regresarlo al otro [1]. Tal comportamiento
se observa en la figura 1. La ventana también dota al disparador de memoria, permitiendo mantener
salidas constantes hasta que una señal adecuada cambie su estado [3].

Figura 1: Comparador con ventana de histéresis. Fuente: [2]

2.2. Circuito Integrado NTE4093B

El NTE4093B es un circuito integrado (IC) que consiste en cuatro circuitos disparadores Schmitt.
Cada circuito funciona una compuerta NAND (A ∧ B) de dos entradas, con disparadores Schmitt
en cada una; el circuito está pensado para utilizarse en ambientes con alto ruido. La tensión de
histéresis de define como la diferencia Vp − Vn . Para una tensión Vcc de 5 V, y a partir de los datos
que se encuentran en la hoja de datos, se puede dibujar la siguiente curva de histéresis para dicho
componente:

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Figura 2: Curva de histéresis para el NTE4093B con Vcc = 5 V. Fuente: Elaboración propia.

2.3. Fotoconductores
Un fotoconductor es un sólido no metálico cuya conductividad incrementa cuando es expuesto a
radiación electromagnética

2.3.1. Resistencia de oscuridad

Como su nombre lo implica, es la resistencia del dispositivo en condiciones de cero iluminación. Es
normalmente definida como la resistencia mínima que se puede esperar después de un cierto tiempo
de exposición a una muy pequeña intensidad de luz. [9]

2.3.2. Sensitividad
Es una la relación entre la luz incidiendo en el dispositivo y la señal de salida resultante. Más
específicamente, la relación entre la luz incidente y la correspondiente resistencia obtenida. [10]

2.3.3. Rapidez de respuesta

Es una medida de la velocidad a la cual el dispositivo responde a un cambio de luz a oscuridad
o de oscuridad a luz. Esta característica depende de factores como intensidad de luz, temperatura
ambiente y luz recibida anteriormente. A mayor cantidad de luz la velocidad es superior, y a menor
cantidad, la velocidad es inferior. [10]

2.3.4. Histéresis del fotoconductor

También entendida como memoria de luz o efecto del historial de luz. Un fotoconductor tiende a
recordar su condición de almacenamiento reciente (luz u oscuridad), por lo que su conductividad se
verá fuertemente definida por esa condición. Que tanto se ve afectada la conductividad depende de
la cantidad de luz aplicada y el tiempo de exposición a cada estado de luz. Este comportamiento es

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muy similar al del ojo humano, cuya sensitividad en un momento depende de la cantidad de luz a la
cual estuvo anteriormente. [10]

2.4. El Relé
El relé es un switch operado por señales eléctricas. Un relé común se muestra en la figura 3,
funciona de la siguiente manera: se tiene una bobina cerca de una pieza de metal, normalmente
frente a ella aunque puede estar en su interior; dicha pieza se encarga de cerrar o abrir el circuito,
dependiendo del tipo de relé que se tenga (normalmente abierto o normalmente cerrado). Cuando
se aplica una corriente a la bobina, esta se convierte en un electroimán; acercando la pieza metálica
hacia ella, esto activa el interruptor. Casi todos los relés se resetean"solos, esto es, cuando se deja de
aplicar corriente a la bobina, un resorte en el interruptor lo regresa a su posición original. [7]

Figura 3: Estructura y simbología del relé. Fuente: [8]

El circuito básico para activar el relé se muestra en la figura 4. La tensión de control es normal-
mente digital dado que el relé presenta solo dos estados, el diodo que se le conecta en paralelo protege
al transistor de cualquier sobretensión que se pueda producir debido a la bobina presente en el relé.

Figura 4: Circuito para activar el relé. Fuente: [7]

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2.5. Switches de estado sólido

2.5.1. Rectificador Controlado de Silicio (SCR)
Es un dispositivo de cuatro capas pnpn y tres entradas: el ánodo, el cátodo y la puerta; conduce
corriente sólo en el sentido ánodo-cátodo, su símbolo y configuración se muestran en la figura 5.

Figura 5: Composición y símbolo del SCR. Fuente: [5]

Cuando la corriente en la puerta (IG ) es cero, se tiene una gran resistencia entre el ánodo y el
cátodo la cual permite modelar el dispositivo como un switch abierto. Al aplicar un pulso de corriente
IG positivo, se obtiene una resistencia entre el cátodo y ánodo muy pequeña, permitiendo modelar el
dispositivo como un switch cerrado; este último estado se mantiene aún después de retirar la corriente
(IG ). Otra forma de alcanzar este último estado es aplicando una tensión entre el ánodo y cátodo
que exceda una tensión de disparo VBR(F ) . Para apagar el dispositivo, o cambiar su estado de circuito
abierto, se requiere que la corriente en el ánodo disminuya a menos de IH ; ya sea volviéndola cero o
invirtiendo su dirección. Tal comportamiento del dispositivo se muestra en la a continuación. [5]

Figura 6: curva característica del SCR. Fuente: [5]

2.5.2. Diodo para Corriente Alterna (DIAC)

Es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que conduce corriente en cualquier dirección
una vez que se activa. Su configuración de capas y símbolo se muestran en la siguiente figura.

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Figura 7: Características del DIAC. Fuente: [5]

Tal como se observa, este dispositivo se enciende (alcanza su estado de conducción) por medio de
la aplicación de una tensión adecuada a través de cualquiera de sus terminales, ya que cuenta una
tensión de disparo positiva y otra negativa. Para llevarlo al estado de apagado, se requiere que la
corriente a través de él disminuya a menos de IH .

2.5.3. Triodo para Corriente Alterna (TRIAC)

Es un dispositivo similar al diac pero con una terminal de puerta, la cual al aplicarle un pulso
de corriente lo enciende; por lo que no requiere una tensión de disparo como lo hace el diac. En la
figura se observa su símbolo. El triac se puede considerar como dos scr antiparalelos que comparten
la misma terminal de puerta y la corriente atravesará sólo uno a la vez dependiendo de la polaridad
de la tensión aplicada. Para apagar el dispositivo se requiere que la corriente a través de él caiga a
un valor menor que IH . [5]

Figura 8: Configuración y símbolo del TRIAC. Fuente: [5]

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Figura 9: Curva característica del TRIAC. Fuente: [5]

2.5.4. Transistor Bipolar de Puerta Aislada (IGBT)

Es dispositivo de potencia cuatro capas de semiconductor, se puede considerar un híbrido entre
un MOSFET y un BJT, ya que posee la terminal puerta de un MOSFET y las terminales Colector
y Emisor de un BJT. Normalmente es operado en la región de saturación. Si se aplica una tensión
positiva entre el colector y el emisor (VCE > 0) se tiene el transistor en modo bloqueo; al aplicar una
tensión también positiva entre la puerta y el emisor mayor que la tensión de encendido (VGE > VT )
se genera una corriente en el colector. [11]

Figura 10: Circuito interno equivalente del IGBT. Fuente: [11]

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Figura 11: Curva característica del IGBT. Fuente: [11]

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3. Diseño
3.1. Generador de pulsos

Figura 12: Generador de pulsos [6]

Se debe expresar Vx en términos de Vcc , R1 , R2 y Rλ , para obtener Vx se realiza un divisor de

tensión:

V cc(R1 + R2 )
Vx = (1)
R1 + R2 + Rλ
Se puede averiguar un valor típico para la expresión R1 + R2 al despejarla de la ecuación (1) y
reemplazar los valores de histéresis de la compuerta y la resistencia en luz y en oscuro del fotoresistor.
Con la hoja del fabricante, al alimentar a la compuerta con una tensión mínima de Vx = 2,9 V
se permite que se genere un pulso de 5 V en la salida (Positive Trigger Threshold Voltage). Por la
histéresis, usando una tensión máxima de Vx = 1,9 V se genera una salida de 0 V en la compuerta
(negative Trigger Threshold Voltage).
Entonces, utilizando este despeje de la ecuación (2),
Rλ Vx
R1 + R2 = (2)
Vcc − Vx
cuando hay luz, se requiere que Rλ = 1kΩ y V x > 2,9V , para poder obtener un uno en la
compuerta. Entonces (R1 + R2 ) ≥ 1381 Ω. A continuación, la simulación en TINA presenta una
salida VF 2 = 50mV :

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Figura 13: Circuito para el caso con luz. Diseño propio en TINA.

Análogamente, despejando la ecuación (2) para Rλ = 1M Ω, V x < 1, 9V , se requiere que de la

compuerta salga un cero, por lo tanto, (R1 + R2 ) ≤ 613kΩ, la siguiente figura representa el circuito
simulado en TINA y su salida VF 1 = 4,95V :

Figura 14: Circuito para el caso sin luz. Diseño propio en TINA.

Para haber simulado ambos se tomó una resistencia (R1 + R2 ) = 200kΩ, la cual se compone de
R1 = 150kΩ y R2 = 100kΩ, donde R2 es un potenciómetro.

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3.1.1. Relé
Se pide diseñar un relé para manejar un bombillo de 30W a 120VAc , además, diseñar la etapa
necesario para activarlo utilizando un transistor.

Figura 15: Circuito del relé. Diseño propio en TINA

Se sabe que el relé se activará a una corriente de IR = 24mA por los datos del fabricante, esta
corriente se tomará como la Ic del transistor y se podrá aplicar la razón de Iβc = Ib . Como se está
utilizando el transistor 2N2222A, entonces se hará uso de un valor de β = 75. Entonces, se logra
obtener un valor de Ib = 0,32mA.

También se sabe que para hallar la resistencia Rb se puede hacer una malla entre los 5V de
la fuente, sumado a los VBE = 0,7V y la resistencia de la cual conocemos la corriente, entonces,
despejando la malla, se obtiene:
5V − 0,7V
Rb = = 13437 Ω (3)
0,32mA

Se utilizará un valor comercial de Rb = 15k Ω.Por último, investigando, se concluye que se necesita
el diodo como protección del transistor ante la fuente senosoidal. Por lo tanto, la figura 15 muestra
la simulación en TINA.

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4. Lista de equipos
La lista de equipos utilizados en el experimento se muestra en la Tabla1

Tabla 1: Lista de equipos

Equipo Marca Modelo (Placa)

Osciloscopio digital - - -
Generador de señales - - -
Fuente DC - - -
Multímetro - - -

Donde la marca y modelo de cada equipo se especificara una vez realizado el experimento, así
como también la placa del del equipo respectivamente usado.

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5. Lista de componentes
La lista de componentes utilizados en el experimento se muestra en la Tabla2:

Tabla 2: Lista de componentes

Cantidad Componente Sigla Valor nominal Valor Medido

1 Fotorresistor Rλ 1k-1M (Ω) -
1 Resistor R1 150 kΩ -
1 Resistor R2 1 kΩ -
1 Resistor Rb 15 kΩ -
1 Potenciometro P 100 kΩ -
1 Compuerta - NTE4093B -
1 Relé - 5V -
1 Diodo - - -
1 Transistor T 2N2222A -

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6. Procedimiento
1. Realice la caracterización de un fotoconductor para obtener su relación de resistencia contra
iluminancia (Rlambdamax y Rlambdamin ).

2. Compruebe el correcto funcionamiento de la compuerta NTE4093B del generador de pulsos.

Conecte ambas entradas (cortocircuitadas) a una señal sinusoidal de amplitud adecuada y
realice una captura donde se muestre la salida de la compuerta. Tome capturas y asegúrese de
que se pueden apreciar los valores de Vx a los que cambia el estado de la salida.

3. Dibuje la ventana de histéresis esperada para la compuerta y obtenga esta con ayuda del
osciloscopio. Compare ambos resultados.

4. Arme el generador de pulsos y verique que funciona correctamente. Realice una captura de la
salida y la entrada de la compuerta al cambiar Rlambda entre sus valores máximo (oscuridad) y
mínimo (luz).

5. Arme la etapa del relé y verique que el bombillo se enciende para un pulso de entrada de 5 V.

6. Conecte la salida del NTE4093B a la etapa de activación del relé, de forma que se encienda el
bombillo cuando la resistencia toma valores máximos. Utilice el potenciómetro para ajustar el
generador de pulsos y obtener un desempeño adecuado.

7. Para la segunda parte del experimento, seguir las instrucciones dada por el profesor Luis Diego
Marín así como anotar los datos necesarios durante la práctica.

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4. NTE Electronics Inc. (s.f.). NTE4093B and NTE4093BT Integrated Circuit CMOS, Quad 2-
Input NAND Schmitt Trigger. Extraído de http://www.nteinc.com/specs/4000to4099/pdf/
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7. McComb, G. (2011). Robot Builder’s Bonanza McGraw-Hill

8. Gibilisco, S. & Monk, Simon. (2016). Teach Yourself Electricity and Electronics New York:
McGraw-Hill Education

9. Bass, M. (2010). Handbook of Optics: Volume II - Design, Fabrication, and Testing; Sources and
Detectors; Radiometry and Photometry New York: The McGraw-Hill Companies

10. Fried, L. (s.f.) Photoconductive Cells. Extraído de http://www.ladyada.net/media/sensors/

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11. Lutz, J., Schlangenotto, H., Scheuermann, U. & De Doncker, R. (2011). Semiconductor Power
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7. Anexos
7.1. Hoja Fabricante NTE4093B

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7.2. Hoja Fabricante Panasonic Relay.

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