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NMOS resistive load inverter

Kn’=100μA/V2 • A resistor load to “pull” 
VTN=0.6V the output up toward 
the power supply VDD. 
• Switch between two 
states:
– Triode region: 

Design: Chose R and  – Cutoff region: 
W/L of MS
EE 331 Spr 2014 Microelectronic Circuit Design © UW EE Chen/Dunham
NMOS resistive load inverter
Kn’=100μA/V2 MS cutoff
VTN=0.6V •
• is set by power supply 
voltage VDD.
• should be less than  , 
typically 

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Announcements
• HW #5 due today
• Exam 2 in class on Monday 5/19
– MOSFETs
– MOSFETs in circuits and NMOS Logic
– HWs 4‐6

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Design of  and R

Kn’=100μA/V2 , MS triode


VTN=0.6V • Drain current (P=0.20 mW, VDD=2.5V )
80 μA
• Triode region equation:

2
• 2.5 V, 0.2 V
.

, • Load resistor: 
Current determined by  28.8 kΩ
permissible power dissipation 
of the NMOS, 
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Noise Margin Analysis
Procedure:
• Find relation between 
and 
• Calculate (VIL , VOH) and 
(VIH , VOL) by 
• Calculate noise margin by 

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Calculate (VIL , VOH)
• small and  large, saturation:

• Load Line:  ②
• Combine ①②:

2

• Setting   1, we get

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Calculate (VIH , VOL)
• large and  small, triode:

• Load Line:  ②
• Combine ①②:

2
1

2
• Setting   1, we get
You can write  in terms of 
• 0.816
and solve for  1, but 
that’s tedious! • 2

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Calculate noise margin
1
NM 1.63
2

1
NM 0.816

• Noise margins increase as 
increases for typical values of 
greater than 2. 
• For the previous design 
A long chain of such inverters can  • 0.756 V, 2.42 V
tolerate noise and process variations  • 1.46 V, 0.51 V
around 0.25 V in the low‐input state and  • NM 0.96 V, NM 0.25 V
0.96 V in the high state.

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Load resistor
• Resistance of the resistor: 

• Consider a 28.8 k Ω load:
2.88 10 Ω 10 cm
0.001 Ω cm
2880
Geometry of a simple  1
rectangular resistor • If width is 1 μm, length has to be 
2.88 mm!
t: typically 1 μm
• Load resistor takes too much area 
ρ: 10‐3 Ω cm on a chip 
• Alternatives ??
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