Tema 1-Semiconductores y Componentes Electricos - Aplicaciones-2

Fundamentos
F d t ded
Electrónica
1. Semiconductores y Componentes
p
eléctricos. Aplicaciones
INDICE
1.1. Semiconductores intrínsecos y extrínsecos.
1 2 Dispositivos Electrónicos
1.2. Electrónicos.
a. Componentes Pasivos.
b. Componentes activos
1.3. El diodo Semiconductor, características, tipos y aplicaciones
de los diodos.
1 4 El ttransistor
1.4. i t BiBipolar.
l M Modelos
d l y aplicaciones.
li i
1.5. El transistor de Efecto de Campo (FET-MOSFET). Modelos y
aplicaciones.
aplicaciones
Teoría de las bandas de Energía
Conformación de las bandas de energía.

Dentro de una banda los niveles de energía son muy numerosos y
tienden a considerarse continuos:
1. La separación entre niveles.

1 niveles
2. La energía es comparable con la incertidumbre energética.
Bandas de energía
La banda de valencia (BV): ocupada por los electrones que forman
los enlaces entre los átomos, pero no intervienen en la conducción
eléctrica.
La banda de conducción (BC): ocupada por los electrones libres,
pueden moverse fácilmente, son los responsables de conducir la
corriente eléctrica.
Partículas en interacción con objetos múltiples
 M lé l de
Molécula d Hidrógeno.
Hid ó
+
++
Conforme se acercan dos átomos se produce un desdoblamiento de los

estados energéticos permitidos debido a la interacción de los electrones,
la diferencia de energía entre el estado fundamental aislado y el estado
g
ligado es la energía
g de enlace molecular: 2.65 eV para el hidrógeno.
g
Red cristalina
R0
+
++
Un conjunto
j ordenado de átomos o moléculas ancladas entre sí por p medio
de energía de enlace constituye una red cristalina sólida. La distancia de
separación entre objetos se denomina radio interatómico natural R0.
Desdoblamiento en Múltiples de niveles en una red cristalina
Al acercar dos átomos

aumenta el nº de niveles
+ energéticos
éti permitidos
itid
++
R0
Cuatro dos átomos juntos

generan muchos número
de niveles permitidos.
Desdoblamiento de Niveles en Bandas de energía en una red
En una red cristalina

completa la interacción de
+ los electrones con los
++ átomos circundantes en el
cristal produce un
desdoblamiento en tantos
niveles energéticos
permitidos que tienen
estructura d
de b d
banda
continua. Básicamente se
denomina banda de
valencia a la
correspondiente a los
electrones de valencia
(reacciones químicas)
Diagrama de Bandas de Energía
El carbono presenta diversas estructura de bandas de energía en
función de su estado cristalográfico.
La solución de la ecuación de
+ Schrödinger para el carbono
++
presenta desdoblamiento de
niveles permitidos en bandas y
para algunas distancias
interatómicas, presenta
solapamiento de bandas.
En los estados cristalinos qque corresponden

p con una distancia interatómica
en la cual hay solapamiento entre la banda de valencia y la banda de
conducción el carbono en un conductor eléctrico: grafito (R = R3).
Los sólidos se pueden caracterizar por su diagrama de bandas
de energía
g
+
++
Algunos materiales necesitan energías superiores a 5 eV, para que sus electrones alcancen
la banda de conducción,, son los aislantes. Otros con energías
g inferiores a 5 eV consiguen
g
que electrones alcancen la banda de conducción, energía obtenible del “calor ambiente” se
denominan semiconductores. Los metales presentan solapamiento entre las bandas de
valencia y conducción en su estado natural (R (R=Ro)
Ro) y son conductores desde el cero
absoluto.
Función de trabajo
La función de trabajo, es la energía mínima (eV), necesaria para

arrancar un electrón de un sólido, a un punto inmediatamente fuera de
l superficie
la fi i del
d l sólido
ólid (o
( la
l energíaí necesaria
i para mover un electrón
l tó
desde el nivel de Energía de Fermi hasta el vacío).
Energía de extracción
Energía de Fermi EF
Energía del nivel más alto ocupado a temperatura cero (0 K).
El nº total de electrones libres (de conducción) = nº de estados

permitidos hasta la EF.
Funciones de distribución
Di t ib ió de
Distribución d F
Fermii
++
1
n( E )  E  EF
n(E): Distribución de Fermi
Fermi, probabilidad
de ocupación en función de la energía y la
1 e KT posición del EF = Nivel de Fermi. n(EF)=
EF es una característica del material.
KT  E0  Energía media en equilibrio térmico
Variación de la concentración con la temperatura
++
Cálculo de la concentración de electrones de conducción
n= concentración de portadores
(electrones libres)

n   n( E )  N ( E )dE
0
++ N(E) densidad de estados equivalentes

(Estados ppermitidos Nº estados/volumen)
3/ 2
 2m *

N ( E )  dE  8  2   E 1/ 2  dE
 h 
3
 2m* KT  2
N ( EC  )  2   2

 h 
m*=masa efectiva del portador,

característica del material.
Conducción eléctrica en sólidos
El comportamiento como conductor eléctrico de un sólido radica en el

solapamiento de bandas permitidas de energía, lo cual depende de los detalles
de la geometría de su estructura cristalina. Concretamente si la banda de
valencia que debería estar completamente llena se solapa (traslapa) con otras
banda que debía estar completamente vacía se obtiene dos bandas
++ la conducción eléctrica.
parcialmente llenas lo cual implica
Está comprobado que para que un sólido sea un Li > 1S2 2S1 : 1e.l. Conductor
aislante eléctrico es necesario que en su red cristalina Na >..2S2 2p6 3S1 : 1 e.l. Conductor
h
haya un número
ú par de
d electrones
l t por celda
ld unitaria,
it i
Al >..2S2 2p6 3S2 3p1 : 1 e.l. Conductor
en este caso las bandas llenas estarán lejos de la vacías
Cu >..3S2 3p6 3d10 4S1 : 1 e.l.
y no se producirá el traslape, caso del diamante Conductor
2C(8E), ClNa (8e)
Zn >..3S2 3p6 3d10 4S2 : 2 e.l. Conductor
Los semiconductores están en este caso pero con S > ... 3S2 3p4 : 6 e.v. Aislante
energía
í térmica
té i ambiental,
bi t l electrones
l t alcanzan
l l
la
banda de conducción.
Resumen de formulas sobre electrones en sólidos
V0  w0  E F
metalees. EF> Ec
Afinidad
Afi id d electrónica
l t ó i = función
f ió de d trabajo
t b j (energía
( í
mínima de extracción) + energía de Fermi
2
h 2  3N  3
EF    Expresión válida para KT <<EF , lo cual se
8m    cumple en metales hasta varios miles de grados.
 Concentración de electrones en una franja

n   n( E )  N ( E )dE energética.
0 3
 2m* KT 
no metalles. Ev < EF < Ecc
2 Concentración de estados permitidos

N ( EC  )  Nc  2   2
 en la banda de conducción
 h 
1
n( E )  E  EF Distribución de Fermi: Probabilidad de
ocupación de estados para una energía E.
1 e KT
1 Concentración de electrones ((libres)) en la

n
n  Nc  Eg
banda de conducción en semiconductores
puros: EF = (Ec+Ev)/2
1  e 2 KT
1
El modelo de banda de Energíag caracteriza los estados de

conducción eléctrica de los sólidos.
1.1. Se
Semiconductores
co ducto es intrínsecos
t secos y extrínsecos
e t secos
La Teoría de bandas describe la estructura electrónica de un material.

Se basa el hecho de que en una molécula los orbitales de un átomo se
solapan produciendo un número discreto de orbitales moleculares.
Red cristalina:
Conjunto ordenado de átomos o moléculas ancladas entre si por medio
de la energía de enlace.
La distancia de separación entre objetos = R0, radio interatómico
natural.
Estructura de los semiconductores
Semiconductores = 4º columna de la tabla periódica.
Estructura compleja, superposición de estructuras más sencillas:

Estructura del diamante,
diamante semiconductores Si y Ge
Estructura del Zinc-Blenda, Arseniuro de Galio.
Cada átomo se encuentra unido a otros cuatro mediante enlaces

covalentes con simetría tetraédrica.
A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben

suficiente energía
g calorífica p
para librarse del enlace covalente y
moverse a través de la red cristalina, convirtiéndose en electrones
libres.
Portadores de carga
Movilidad de electrones y huecos =
Electrón = carga negativa, banda de conducción

Hueco = carga positiva, banda de valencia
L h
Los huecos sólo
ól existen
i t en ell seno d
dell cristal
i t l semiconductor.
i d t
Tipos de semiconductores
Semiconductores puros o intrínsecos:

Red formada por el mismo tipo de átomos, la concentración de
portadores positivos= concentración de portadores negativos.
Semiconductores extrínsecos
Se colocan en la red cristalina una determinada cantidad de átomos
de otra naturaleza (columna III o columna V).
Las impurezas crean niveles de energía dentro de la banda prohibida
próximos a las bandas de conducción o valencia.
Ti
Tipos d
de semiconductores
i d t
Nc=Concentración máxima de electrones permitida en la banda de

conducción.
Nv=Densidad
Nv Densidad de máxima de huecos en la banda de valencia.
Probabilidad de ocupación de estados permitidos
Función de probabilidad de ocupación de Fermi-Dirac
Probabilidad de no ocupación
Semiconductores intrínsecos
Concentración de electrones.
1
n  Nc E c E F
1 e KT
Concentración de huecos.
1
p  Nv E v E F

1 e KT
A
Aproximación
i ió de
d Boltzmann:
B lt
Eg
E E F 
n (E c )  e
 c
KT p  Nv e 2 KT
2KT
Semiconductores intrínsecos
S
Semiconductores
i d t intrínsecos
i t í
Concentración intrínseca:
n  p  n i (T )
Depende
D d sólo
ól d l
del ti
tipo d
de
semiconductor y de la temperatura:
Dopados con impurezas pentavalentes.
Son elementos cuyos átomos tienen cinco electrones de valencia en

su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el fósforo, el antimonio
y el arsénico.
Cuando un elemento con cinco electrones de valencia entra en la
red cristalina del silicio
silicio, se completan los cuatro electrones de
valencia que se precisan para llegar al equilibrio y queda libre un
quinto electrón escapa fácilmente, portador = semiconductor tipo N.
Dopados con impurezas trivalentes. Son elementos cuyos átomos

tienen tres electrones de valencia en su orbital exterior. Entre ellos se
encuentran el boro,
boro el galio y el indio
indio.
Si se introduce una impureza trivalente en la red cristalina del silicio

silicio,
se forman tres enlaces covalentes con tres átomos de silicio vecinos,
crean un hueco extra en la red cristalina = semiconductor tipo P.
Los materiales pentavalentes generan ionización

ó positiva,
liberando un electrón.
Los materiales trivalentes generan ionización negativa
negativa, dejando
un hueco libre y capturando un electrón.
Nivel donador: están los electrones liberados, próximo al nivel de

conducción.
S
Semiconductores
i d t extrínsecos
t í
N D Concentración de impurezas donadoras (átomos/cm3).
N A Concentración de impurezas aceptadoras (átomos/cm3).

N D  Concentración de impurezas donadoras ionizadas
ionizadas.
 1
N D  ND E D E F
1 e KT
N A  Concentración de impurezas aceptadoras ionizadas

ionizadas.
 1
N A  NA E A E F
1 e KT
La ionización de impurezas empieza a temperaturas bajas

bajas.
Cálculo de concentraciones (documentación Adicional)
L d
Ley de A
Acción
ió dde masas
n  p  n i2
Eg Eg
 
n  p  NC e 2 KT
Nv e 2 KT
Ley de neutralidad de carga


n  pND
Zonas de Temperatura:
Temperaturas bajas: ionización de impurezas.
Temperaturas medias: ionización total de impurezas.

Concentración de impurezas > Concentración intrínseca.
Temperaturas altas: Concentración intrínseca > Concentración de

impurezas.
Cál l de
Cálculo d concentraciones
t i (documentación Adicional)
Para semiconductor tipo n
2º Concentración de minoritarios despreciable frente a mayoritarios

Para semiconductor tipo p
Con las aproximaciones anteriores, se obtiene:

S
Semiconductores
i d t compensados
d (documentación Adicional)
Si se d
dopa un semiconductor
i d t con iimpurezas d
donadoras
d y aceptadoras
t d
a la vez.
Ecuación de neutralidad de carga:
“Semiconductor parcialmente compensado”.

S
Semiconductores
i d t compensados
1º Si = semiconductor como tipo P

S
Semiconductores
i d t compensados
2º Si
2 = semiconductor como tipo N
S
Semiconductores
i d t compensados
3º Si
3 = semiconductor compensado
compensado.
Tiene un comportamiento parecido a un semiconductor intrínseco.

1 2 Dispositivos
1.2. Di iti Electrónicos.
El t ó i
Conceptos fundamentales
•Ingeniería
I i í es la
l ciencia
i i y ell arte
t dde aplicar
li llos conocimientos
i i t científicos
i tífi en
beneficio de la humanidad.
•Ingeniería Electrónica es la ciencia y el arte de diseñar componentes y
circuitos
i it en b beneficio
fi i dde lla h
humanidad.
id d
•Componente o dispositivo es un objeto físico que presenta unas relaciones
determinadas de tensión y corriente.
•Circuito es un sistema de componentes interconectados.
•Elemento de circuito es un modelo matemático sencillo que relaciona la
corriente
i t con lal ttensión.
ió U Un componente t se modela
d l mediante
di t uno o varios
i
elementos. Puede haber varios modelos diferentes del mismo componente.
•El modelo del circuito se obtiene sustituyendo los componentes por sus
modelos.
G
Generador
d o fuente
f t independiente
i d di t d de ttensión
ió id
ideall
•Mantiene entre sus terminales una tensión determinada
independientemente de la corriente que la atraviesa.
atraviesa
i
v
i
+ vg(t)
vg(t) v vg(t)
_
t v
i
v
i
+
VG VG
v VG
_
t v
Generador o fuente independiente de corriente ideal
•Mantiene entre sus terminales una corriente determinada
independientemente de la tensión entre ellos.
i
i
ig(t) i
+
ig(t)
ig(t) v
_
t v
i
i i
+ IG
IG
IG v
_ v
t
Dispositivos
p Electrónicos Pasivos Ideales
Elementos pasivos son aquellos componentes de los circuitos, que disipan

g eléctrica o magnética
o almacenan energía g y constituyen
y por ello los
p
receptores o cargas de un circuito. Estos elementos son modelos
matemáticos lineales e ideales de los elementos físicos del circuito que,
individualmente pueden presentar las siguientes propiedades:
individualmente,
a) Disipación de energía eléctrica (R: resistencia);
b) Almacenamiento de energía en campos magnéticos (L: coef.
coef de
autoinducción);
c) Almacenamiento de energía en campos eléctricos (C: capacidad).
Las tres propiedades pueden darse en mayor o menor grado en el
comportamiento de un componente de un circuito real, por ello las
características de los componentes prácticos pueden sintetizarse por
medio de una adecuada combinación de R, L y C.
Dispositivos
Resistencia
Es el elemento del circuito en el que se disipa energía eléctrica.
eléctrica Su
valor se mide en ohmios (Ω) y los sentidos de referencia asociados son
los de la tensión y la corriente asociada.
V (t )  R  i (t )
La relación matemática anterior es únicamente válida para las

polaridades mostradas en la Fig. De este modo se observa que:
• Si i(t)>0 (la corriente entra por el terminal A),
A) entonces v(t)>0,
v(t)>0 lo que
significa que la corriente entra por el terminal de mayor potencial A y se
traslada al de menor potencial B.
•Si suponemos que i(t)<0 (corriente entra por el terminal B), entonces
v(t)<0 y el terminal B tiene mayor potencial que el terminal A. De nuevo,
otra vez, la corriente entra por el terminal cuyo potencial es mayor.
Dispositivos
Bobina
Es el elemento del circuito capaz de capaz de almacenar energía
magnética. Su valor se mide en herzios (Hr) y los sentidos de
referencia asociados son los de la tensión y la corriente asociada.
di (t )
v(t )  L 
dt
La diferencia de potencial en bornes de la bobina es directamente proporcional a la
variación de la corriente respecto al tiempo. El factor de proporcionalidad es la
inductancia de la bobina L.
Se observa que si i(t) es constante, entonces la tensión v(t) es cero. De este modo,
una bobina alimentada con corriente continua (estacionaria) actúa como un
cortocircuito. Si, en cambio, la corriente i(t) cambia con rapidez, se obtendrá una
fuerte tensión entre los terminales. Una bobina no puede cambiar bruscamente la
corriente
i t que circula
i l por ella,
ll porque estet hecho
h h daría
d í lugar
l a una tensión
t ió infinita
i fi it
en bornes, cosa físicamente imposible.
Dispositivos
Bobina
di (t )
Para obtener i(t) se debe derivar la expresión anterior: v(t )  L 
dt
t t t
di(t ) 1 di(t ) 1 1
  v(t )    dt   v(t )  dt i(t )  i(t0 )   v(t )  dt
dt L t0
dt L t0 L t0
t
1
i(t )  i(0)   v(t )  dt
L0
La expresión anterior indica que la corriente en la bobina es un tiempo t>0 es igual
a la corriente inicial i(0) más la corriente que se desarrolla a partir de t=0.
Analizando se observa que la bobina tiene un efecto de memoria,memoria ya que la
corriente en un tiempo t depende no solamente de la entrada i(t) en ese momento
sino también del valor pasado de la entrada.
di(t )
La potencia “absorbida” por la bobina será igual: p(t )  v(t )  i(t )  L  i(t ) 
t t dt
di(t ) 1
W (t )   v(t )  i(t )  dt  L  i(t )  dt  L  i 2
0 0
dt 2
Dispositivos
Condensador
Es el elemento del circuito capaz de almacenar energía eléctrica.
eléctrica Su
valor se mide en faradios (F) y los sentidos de referencia asociados son
los de la tensión y la corriente asociada.
dv(t )
i (t )  C 
dt
La corriente en un condensador es directamente proporcional a la variación de la
tensión respecto del tiempo. Un aumento de la tensión corresponde a una corriente
positiva y una reducción de la tensión corresponde a una corriente negativa. Se
observa que si v(t) es constante, entonces la corriente i(t) es igual a cero. De este
modo un condensador alimentado con una tensión continua (estacionaria) se
modo,
comporta como un circuito abierto. En esencia, podemos decir que un
condensador bloquea la corriente DC y permite “pasar” la corriente AC (sobre
t d cuanto
todo t mayor sea su frecuencia
f i fundamental).
f d t l) De
D igual
i l forma,
f podemos
d
observar que la tensión entre las placas de un condensador nunca puede
variar de forma instantánea, ya que ello exigiría una corriente infinita que lo
destruiría. Cuando veamos corriente AC definiremos la llamada frecuencia
propia de un condensador.
Dispositivos
Condensador
dv(t )
Para obtener v(t) se debe integrar la expresión anterior: i (t )  C 
dt
t t t
dv(t ) 1 dv(t ) 1 1
  i(t )    dt   i(t )  dt v(t )  v(t0 )   i(t )  dt
dt C t0
dt C t0 C t0
t
1
v(t )  v(0)   i(t )  dt
C0
La expresión anterior indica que la tensión en el condensador en un tiempo t>0 es
igual a la tensión inicial v(0) más la tensión desarrollada a partir de t=0. El
condensador tiene un efecto de memoria ya que los valores pasados de la
corriente afectan los valores actuales de la tensión. Y la energía almacenada entre
0 y t segundos será igual a dv(t )
p(t )  v(t )  i(t )  C  v(t ) 
t t
dt
dv(t ) 1
W (t )   v(t )  i(t )  dt  C  v(t )  dt  C  v 2
0 0
dt 2
Transformador
 El transformador es un dispositivo capaz de
transferir energía eléctrica de un circuito para
otro por medio de un campo magnético
que enlazan ambos circuitos. hierro
+ +
vp ip is vs
- -
Np Ns
• El campo magnético
éti que enlaza
l las
l espiras
i está
tá dado
d d por la
l ley
l ded F Faraday:
d
vp Np

vs Ns
• Utilizado
l d principalmente
l en circuitos con tensión y corriente alterna,
l presenta un
comportamiento linear.
• Cuando operamos de forma linear el modelo básico ideal del transformador se determina
por el principio de conservación de energía (toda energía entregado al circuito primario
es traspasada al secundario) de modo que:
ip
p p  ps is
vp is N p 1 + + + Modelo
v p i p  v s is     vp ais avp v
s Ideal
vs i p N s a - - -
Transformador - Ejemplos
j p
51
Dispositivos
Fuentes dependientes
Existen
E i t f
fuentes
t en losl que los
l valores
l d v ó i no son fijos,
de fij sino
i que
dependen de la tensión o corriente en otros puntos de la red; este tipo
de generadores se conocen con el nombre de generadores
dependientes o generadores controlados. Pueden darse cuatro tipos
de fuentes controladas, dependiendo de que cada generador suministre
una tensión o una corriente y según sea la variable de control una v o
una i.
C.E. Circuito eléctrico

Dispositivos
Asociaciones de Fuentes
a)) Fuentes
F t ded Tensión
T ió ideales.
id l
vt   Vi
b)F
b)Fuentes
t ded Corriente
C i t ideales.
id l
it   ii
c) Otras asociaciones
a b
1.2. Dispositivos
p Electrónicos Pasivos Reales
Ejemplo
Componente Modelos
Modelo ideal
Pila de 9 V
Modelo más
p
aproximado
¿Cómo se determina el modelo de un componente?
M d l
Modelo 9,10 V
Como llos iinstrumentos no son exactos en realidad

C lid d sólo
ól se que lla
tensión de la pila está entre 9,04 V y 9,16 V
Circuito formado por una pila y
una resistencia
+
9,10 V
100  VR
Modelo _
VR = 9,10 V (calculado)
VR = 8,75 V (medido)
Si es necesaria más exactitud modelo más aproximado

•Supongamos que añadiendo una resistencia podemos obtener un
modelo más aproximado de la pila.
modelo
pila
il RF
VF = 9,10 V
+
VF R = 100 Ω
R VR
_ VR = 8,75 V
RF = ?
VF  VR 9,10 V  8,75 V
RF  R  100   4  4Ω
VR 8,75 V
9,10 V
Modelo más aproximado de la pila
C d t id
Conductor ideall
•Mantiene la misma tensión en todos sus puntos (resistencia 0).
i i
v
_
v
v=0
Componente: conductor real

Se utiliza
S tili para iinterconectar
t t
componentes
I t
Interruptor
t ideal
id l
•Tiene dos estados: abierto (OFF) y cerrado (ON)
•Cuando está abierto no puede circular corriente. Cuando está cerrado
equivale a un conductor.
i
i
+
+ Cerrado
Abierto v
v ON
OFF _
_
i i
i=0 v=0
v v
Modelos de Dispositivos Reales
 Fuente de Tensión
Modelo más realista
Modelo Ideal del del dispositivo
dispositivo
v
i
VG
+ VG
v
_ t
 Fuente de Corriente
Modelo Ideal del Modelo más realista
dispositivo del dispositivo
i i
+ IG
IG v
_
t
 Resistencia
 Condensador
Imagen del Modelo Ideal del Modelo más realista
dispositivo Real dispositivo del dispositivo
C1 L
33uF R
33uF
 Inductor
Imagen del Modelo Ideal del Modelo más realista
dispositivo Real dispositivo del dispositivo
L1 L1
10mH R 10
10mH
C
Fuentes Reales de Energía
Ejemplos: Baterías electroquímicas, materiales piezoeléctricos, bobinas
girando en presencia de campo magnético, atracción entre materiales no
conductores (electricidad electrostática), materiales fotoeléctricos
 Que modelo emplear:
 Fuente de Tensión Ideal?

– Fuente de Tensión en Serie con una Resistencia?
i
- Rsi + i Ese modelo puede ser
empleado
p dentro del
+ R
Rs + estudio de corriente y
+
+V v tensión en que la relación
v
-V entre la corriente y la
- tensión en los terminales
- -
de la fuente de energía
v puede ser expresa por:
Región de
validez del modelo
v= Rsi+V
i
1.3. El diodo Semiconductor,, características,,
tipos y aplicaciones de los diodos
Dispositivo formado por la unión de 2 semiconductores (tipo n y tipo p),

permite el paso de la corriente eléctrica en una única dirección.
iD
Ánodo Cátodo
+ VD -
Inicialmente sólo hay portadores de tipo a la izquierda de la unión y de
del tipo n a la derecha, pero tras unir ambos cristales, se manifiesta
una difusión de electrones del cristal n al p (Je).
1.3. El diodo Semiconductor, características,
ti
tipos y aplicaciones
li i de
d los
l diodos
di d
Debido al gradiente de concentración los huecos se difunden hacia la

derecha atravesando la unión y los electrones en sentido contrario
contrario.
La región de la unión no tiene cargas móviles=zona de deplexión.
La acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos

en la zona p, crea un campo
p eléctrico ((E)) q
que actuará sobre los
electrones libres con una fuerza de desplazamiento.
Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia

de tensión entre las zonas p y n.
 En el silicio 0
0,7V.
7V
 En el germanio 0.3 V.
tipos
p y aplicaciones
p de los diodos
Polarización directa
Se disminuye
S di i l barrera
la b d potencial
de t i l de
d
la zona de carga, permitiendo el paso de
la corriente de electrones a través de la
unión; conduce la electricidad.
Los huecos atravesarán la unión desde la
región tipo p hasta la n= inyección de
portadores minoritarios.
Los electrones atravesarán la unión en
sentido inverso= corriente minoritaria
h i ell lado
hacia l d p.
Ánodo Cátodo
tipos
p y aplicaciones
p de los diodos
Polarización inversa
El polo negativo de la batería se conecta

a la zona p y el polo positivo a la zona n,
se aumenta aumentar la l zona de d carga
espacial, y su tensión.
Se tiende a llevar los huecos del tipo p y
los electrones del tipo n a alejarse de la
unión.
En principio resulta una corriente cero,
aunque fluye una pequeña corriente
debida
deb da a la
a eenergía
e g a té
térmica
ca = co
corriente
e te
inversa de saturación del diodo, que
aumenta con la temperatura.
Funcionamiento Ideal:
En la Zona Directa tiene un comportamiento como un generador
de tensión de continua.
En la Zona Inversa se puede considerar como un circuito abierto.
Si se supera la tensión inversa se produce un aumento importante
d la
de l corriente
i t inversa
i pudiendo
di d romper ell dispositivo.
di iti
Polarización
Directa
Polarización
Inversa
0.5 -0.7 V para silicio
0.2-0.4
0.2 0.4 V para germanio
Consideraciones para el uso de diodos:
La tensión inversa máxima aplicable al componente, repetitiva o

no (VRRR máx o VR máx, respectivamente) ha de ser mayor (del
orden de tres veces) que la máxima que este va a soportar.
La corriente máxima en sentido directo que puede atravesar al

componente, repetitiva o no (IFRM máx e IF máx respectivamente), he
de ser mayor (del orden del doble) que la máxima que este va a
soportar.
La potencia máxima que puede soportar el diodo (potencia

nominal) ha de ser mayor (del orden del doble) que la máxima
que este
t va a soportar.
t
Relación V-I en el Diodo
Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ),tensión de la zona de

carga espacial del diodo no polarizado.
Corriente máxima (Imax ), corriente máxima que puede conducir.
Corriente inversa de saturación (Is )), corriente que se establece al
polarizar inversamente el diodo por la temperatura.
Corriente superficial de fugas
fugas, circula por la superficie del diodo
diodo.
Relación V-I en el Diodo
 nKT
qVD

I  I S  e  1
 
I : intensidad de la corriente que atraviesa el diodo
VD: diferencia de tensión entre sus extremos.
IS : corriente de saturación (aproximadamente 10 − 12A)
q :es la carga del electrón.
T: temperatura de la unión
K: cte de Boltzmann
N coeficiente
N: fi i t ded emisión,
i ió ddepended ddell proceso d
de ffabricación;
bi ió 1
(para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio).
Diodo Zener
Permite
e e la
a co
conducción
ducc ó de la
a co
corriente
e ee en las
as dos d
direcciones.
ecc o es
Las aplicaciones de los diodos Zener se pueden definir como de

referencia o comparación
comparación, requiriéndose un voltaje de ruptura
constante; en la zona de ruptura.
iD + VD -
Ánodo Cátodo
- Vz + iz
Diodo Zener
Cátodo
En la Zona Directa: como un generador de tensión de continua.
continua
En la Zona Inversa: como un circuito abierto hasta Vz nom. . Si se supera
l tensión
la t ió inversa
i d disrupción
de di ió se produce
d un comportamiento
t i t como un
generador de tensión de valor Vf=-Vz. Su funcionamiento normal es en
esta zona de disrupción
Iz min: Mínima corriente inversa
que atraviesa el diodo a partir
de la cual se garantiza el
adecuado funcionamiento,
zona de disrupción (Vz min).
)
1.Iz max: Máxima corriente

inversa que atraviesa el diodo
a partir de la cual el dispositivo
se destruye (Vz max).
)
Diodo Zener
Consideraciones para el uso de un diodo zener en un circuito:
 Para un correcto funcionamiento,

funcionamiento por el zener debe
circular una corriente inversa mayor o igual a Iz min.
 La corriente máxima en sentido inverso ha de ser siempre

menor que Iz max.
 La potencia nominal Pz que puede disipar el zener ha de

ser mayor (del orden del doble) que la máxima que este va
a soportar en el circuito.
Diodo LED
iD
Ánodo Cátodo
+ VD -
Funcionamiento similar al diodo rectificador con algunas diferencias:
 Tensión de codo de mayor valor , entre 1.2-1.5 V.
 Según
S ú ell material
t i l y la
l tecnología
t l í ded fabricación
f bi ió estos
t diodos
di d puedend emitir
iti
en el infrarojo (diodos IRED), rojo, azul, amarillo y verde, dependiendo de
cual sea la longitud de onda en torno a la cual emita el LED.
Entre sus aplicaciones podemos destacar: pilotos de señalización,

instrumentación,, optoaclopadores,
p p , etc.
 Resulta difícil distinguir, por pura inspección visual, el modelo del LED así
como el fabricante: los valores máximos de tensión y corriente que puede
soportar y que suministra el fabricante serán por lo general desconocidos.
desconocidos
Por esto, cuando se utilice un diodo LED en un circuito, se recomienda que
la intensidad que lo atraviese no supere los 20 mA, precaución de carácter
general que resulta muy válida.
válida
Otros Diodos
NOMBRE SIMBOLO CURVA
DIODO TUNEL
DIODO
SCHOTTKY
FOTODIODO
Aplicaciones de los diodos
 Circuitos de Rectificación
 Circuitos Modificadores de Forma de Onda
 Limitadores
 Fijadores de nivel
 Protección contra cortocircuitos
 Demoduladores
 Mezcladores
 Circuitos Lógicos Elementales
 Osciladores, etc
1.4. El transistor Bipolar. Modelos y aplicaciones
Introducción al transistor
El transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede

variar en función de la señal de entrada, lo que provoca que
sea capaz de regular la corriente que circula por el circuito al
que está conectado.
Posibles funciones Amplificador, Oscilador, Conmutador,
Rectificador.
Introducción al transistor
Existen tres factores que intervienen en la dimensión y forma del

transistor:
 Intensidad máx. por base y colector.
 Valor del parámetro de ganancia β.

β
 Potencia máx. disipada.

Características del Transistor
Los transistores se diferencian según su

encapsulado que pueden ser de:
encapsulado,
-Metal
Metal
-Cerámica
C á i
-Plástico
Plá ti
-Papel
El transistor consta de un sustrato ((silicio)) y tres p

partes:
– Emisor que emite portadores,
– Colector que los recibe o recolecta
– Base: modula el paso entre los portadores anteriores.
Tienen 3 capas de dopados, 2 uniones (J1 J2) y tres

terminales cuya agrupación da lugar a 2 tipos de transistores
según
ú la
l disposición
di i ió de
d las
l capas.
Características del Transistor Bipolar
Para la utilización de un transistor es necesario conocer:

 el tipo de encapsulado,
 ell esquema de
d identificación
id tifi ió de
d los
l terminales
t i l y
 los valores máximos de tensiones, corrientes y
potencias (dependiente de la temperatura) que no
p
debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo.
p p
Todos estos valores críticos los proporcionan los
fabricantes en las hojas de características de los distintos
dispositivos.
VCB≈0V
Características del
T
Transistor
i t Bipolar
Bi l
NPN PNP
Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:
1
1. ACTIVA DIRECTA: El transistor sólo amplifica en esta zona, y se comporta como una
fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de
corriente).
2. SATURACIÓN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación
(potencia circuitos digitales,
(potencia, digitales etc.),
etc ) y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el
colector y el emisor. Y la corriente del colector y del emisor alcanzan su intensidad
máxima.
3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación ((potencia, circuitos
digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prácticamente
nulas (y en especial Ic).
4. ACTIVA INVERSA: los terminales colector y emisor se intercambian, es decir, el emisor
hace la función de colector y viceversa.
viceversa Se invierten las condiciones de polaridad
Características del transistor Bipolar
Modo de
Unión de emisor Unión Colector Características
operación
VBE comprendida entre 0.4 y 0.8 V

Directa Inversa Activa directa
βF=αF/(1- αF), βF≈hFE IC/IB
Inversa Directa Activa inversa βF muy bajo
VBE y VBC tiene tensiones inferiores a

Inversa Inversa Corte 100mV (≈0V)
(≈0V), Corrientes Ie y Ic muy
bajas
VCE(sat)= VBE (sat) - VBC (sat)
Directa Directa Saturación VCE(sat)=0.1 ó 0.2 V
VBE (sat) ≈0.8 , βF (sat) < βF
Características del Transistor Bipolar
Corrientes en un transistor bipolar:
I E  I B  IC con  VCE VCB VBE para NPN

VEC VBC VEB para PNP
Modelo de Ebers-Moll
Ebers Moll
VBE VBC
I E  I ES ( e VT
 1 )   R I CS ( e VT
1)
VBE VBC
I C   F I ES ( e VT
 1 )  I CS ( e VT
1)
Donde IES y ICS son corrientes de saturación y αF factor de

defecto y αR la fracción de inyección de portadores
minoritarios.
 F I ES   R I CS
V l
Valores tí i
típicos: αF=0.99,
0 99 αR=0.66,
0 66 IES=10
10-15
15 A y I =10
CS 10
15 A
-15
Recta de Carga Estática
Saturación Funcionamiento en la zona lineal:
VCC  VBE
Punto
P t de
d trabajo
t b j en CC
IB  ppara VBE  0.7V
Zona lineal RB
I CQ  hFE I BQ
VCEQ  VCC  I CQ RC
Corte
Potencia de disipación estática máxima PCmax
PC  I BVBE  I CVCE  I CVCE  I B  I C

VBE  VCE C
1.5. El transistor de Efecto de Campo (FET-
MOSFET) Modelos y aplicaciones
MOSFET).
Características del Transistor de Unión de Efecto de Campo
p (JFET)
( )
Los transistores FET son unos dispositivos semiconductores que

controlan un flujo de corriente por un canal semiconductor,
p
aplicando un campo
p eléctrico p
perpendicular
p a la trayectoria
y de la
corriente.
P d ser d
Pueden de d
dos titipos:
JFET MOSFET
Características del Transistor JFET
La polarización
L l i ió de
d un JFET exigei
que las uniones p-n estén
inversamente polarizadas. En un
JFET de canal n la tensión de
drenador debe ser mayor que la
de la fuente para que exista un
flujo de corriente a través de
canal Además,
canal. Además la puerta debe
tener una tensión más negativa
que la fuente para que la unión p-
n se encuentre polarizado
inversamente. Ambas
polarizaciones se indican en la
figura.
Zonas de funcionamiento del transistor JFET:
1. Zona Óhmica o Lineal: El transistor se comporta como una resistencia variable
dependiente de VGS. Los fabricantes proporcionan rDS(0n) para diferentes valores de VGS.
2. SATURACIÓN: En esta zona el transistor amplifica y se comporta como una fuente de
corriente dependiente de VGS.
3
3. CORTE: el transistor no conduce ID=0A.
=0A VGS(off) ó Vp es negativa y se le llama en estas
condiciones tensión de estrangulamiento o pinch off.
4. Zona de Ruptura: se produce cuando entre los terminales del transistor se somete a una
alta
lt tensión
t ió provocandod la
l ruptura
t por avalancha
l h a través
t é de d la
l unión
ió de
d puerta.
t Los
L
fabricantes indican VGS con la puerta cortocircuitada con la fuente (BVDSS) su valor está
comprendido entre 20 a 50 V.
Características del transistor JFET
Modo de operación Características
Comportamiento resistencia variable controlada por VGS, Rd

  3
3 
2   VDS  VGS  VGS 2 
2
rDS ( on ) 1  
Óhmica o Lineal Rd  rDS ( on )  VDS    
VGS ID  3   VP 
 VP 
1   
Vp
VGS  VP , VGS  VP  VDS VDS  VP  VGS
Tensión de ruptura entre drenador y fuente con la puerta cortocircuitada

Zona de Ruptura
p
BVDSS, 20V ≤ BVDSS ≥ 50V
Corte ID=0A, Rd=∞, | VGS|>| VP |
Amplificación (fuente de corriente controlada por VGS)

ID independiente VDS. IDSS (VGS=0V) Corriente de saturación
2
 VGS 
S
Saturación
ió
I D  I DSS  1  
 VP 
VGS  VP y VDS  VGS  VP
90
Recta de Carga Estática de JFET

Funcionamiento en la región de saturación:
2
 VGS 
I D  I DSS  1  
 VP 
VGS  VP y VDS  VGS  VP o VDS  VP  VGS
91
Principales Aplicaciones de JFET
APLICACIÓN PRINCIPAL VENTAJA USOS
Aislador o separador Impedancia de entrada alta y de

Uso general,
general equipo de medida,
medida receptores
(buffer) salida baja
Amplificador de RF Bajo ruido Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones
Mezclador Baja distorsión de intermodulación Receptores de FM y TV, equipos para comunicaciones
Amplificador con CAG Facilidad para controlar ganancia Receptores, generadores de señales
Amplificador cascodo Baja capacidad de entrada Instrumentos de medición, equipos de prueba
Troceador Ausencia de deriva Amplificadores de CC, sistemas de control de dirección
Resistor variable por Amplificadores operacionales, órganos electrónicos,

Se controla por voltaje
voltaje controlas de tono
Amplificador de baja Capacidad pequeña de
Audífonos para sordera,
sordera transductores inductivos
frecuencia acoplamiento
Oscilador Mínima variación de frecuencia Generadores de frecuencia patrón, receptores
Ci it MOS digital
Circuito di it l P
Pequeño
ñ ttamaño
ñ I t
Integración
ió en gran escala,
l computadores,
t d memorias
i
Transistores JFET
A diferencia de los transistores BJT,

BJT se les
puede usar como amplificadores o como
i t
interruptores
t electrónicos.
l tó i S ventaja
Su t j con
respecto a los anteriores, es que pueden
trabajar a altas frecuencias mientras que los
BJT solo trabajanj en frecuencias bajas
j y
medias.
Transistor MOSFET
 MOSFET:
OS Transistor
a s s o de e
efecto
ec o ca
campo
po basado e
en la
a
estructura MOS (Metal-Óxido-Semiconductor).
 Permitieron un diseño extremadamente compacto,
necesario para los circuitos altamente integrados (CI).
 Es el más utilizado en microelectrónica. Prácticamente
l totalidad
la t t lid d de
d los
l circuitos
i it integrados
i t d ded uso comercial
i l
están basados en MOSFET.
 La forma más habitual de emplearlos es en circuitos de
tipo CMOS.
Transistor MOSFET
 Tienen
e e treses terminales:
e a es d
drenador
e ado ((Drain),
a ), pue
puerta
ta (Ga
(Gate)
e)
y fuente (Source). La corriente que circula entre
drenador y surtidor es controlada por la tensión
aplicada
li d a la l puerta.
t
 Existen MOSFETs de acumulación o canal inducido y
de deplexión o canal difundido.
difundido Ambos pueden ser de
canal p o de canal n.
 Las pprincipales
p ventajas
j con respecto
p a los bipolares:
p
 Consumo en modo estático muy bajo.
 Tamaño inferior.
 Gran capacidad integración.
 Funcionamiento por tensión.
Características del Transistor MOSFET o Metal-
Oxido-Semiconductor
id i d ((MOS))
Diferencias con los JFET:

 el tipo:
p de acumulación ((enhancement)) o de enriquecimiento
q y de deplexion
p
(deplexion),
 La tensión mínima para crear ese capa de inversión se denomina tensión
umbral o tensión de threshold (VT) y es un parámetro característico del
transistor. Si la VGS < VT, la corriente de drenador-fuente es nula; valores típicos
de esta tensión son de de 0.5 V a 3 V.
 El esquema de identificación de los terminales
96
Características
d l transistor
del t i t NMOS
Modo de operación Características
C
Comportamiento
t i t resistencia
i t i variable
i bl controlada
t l d por VGS
 VDS 
2
VGS  VT VDS 
W
ID  k 
Óhmica o Lineal L 2
 
W
0  VDS  VGS  VT y VGS  VT  k
L
Zona de Ruptura
p Tensión de ruptura
p entre drenador y fuente con la puerta
p cortocircuitada
Corte ID=0A VGS < VT
Amplificación
p cac ó ((fuente
ue e de cocorriente
e e co
controlada
o ada po
por VGS)
ID independiente VDS.

Saturación
ID  VGS  VT 2
2
0  VGS  VT  VDS y VGS  VT
CMOS
 C OS
CMOS: Complementary
Co pe e a y MOS
OS ((Metal-Óxido-
e a Ó do
Semiconductor).
 Es un diseño con 2 MOSFET, uno de canal n y otro de
p, que se complementan mutuamente y consumen muy
poca corriente en un funcionamiento sin carga. Pueden
fabricarse en gran escala dentro de los CI (chips).
(chips)
 Por ello, hoy la mayoría de los circuitos integrados
(chips) se construyen con tecnología CMOS.
 Por tanto, CMOS se emplea para la fabricación de
microprocesadores, memorias, DSPs y otros
dispositivos que requieren de altos niveles integración.
BIBLIOGRAFÍA
 Hambley, Allan R: Electrónica. Prentice Hall. 2001.
 Millman, J.; Grabel, A.: Microelectrónica. Hispano Europea. 2001.
 J. Espí, G. Camps y J. Muñoz. "Electrónica Analógica. Problemas y cuestiones". Pearson
Educación. Prentice-Hall. (2006)
 Boylestad, R.; Nashelsky, I: Electrónica. Teoría de Circuitos. Prentice-Hall. 1989.
 M lik N.
Malik, N RR.: Ci
Circuitos
it electrónicos.
l tó i P ti H ll 1999
Prentice-Hall. 1999.
 García Breijo, E.; Ibáñez Civera, J.; Gil Sánchez, L.: "PSpice Simulación y Análisis de
Circuitos Analógicos asistida por Ordenador" Edit.
 Paraninfo 1995.
1995
 Muñoz Merino, E.: SPICE Manual de uso. Publicaciones ETSI Telecomunicación Madrid.
 Angulo Usategui, J.: Laboratorio de Prácticas de Microelectrónica. Edit McGraw Hill 2002.
Direcciones Web:
 Analog Devices: http://www.analog.com/
 Texas Instruments: http://www.ti.com/
 Fairchild Semiconductors: http://www.fairchildsemi.com/
 Phillips Seminconductors: http://www.semiconductors.philips.com/
 Toshiba Semiconductors: http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/
 Motorola Semiconductors: http://www.motorola.com/
 Source Electronic Components: http://www.1sourcecomponents.com/?s=ggl
 Electronix Express: http://www.elexp.com/links.htm
 Williamson Labs: http://www.williamson-labs.com/
99
Circuitos de Polarización de transistores BJT

VCC  VBE
Polarización de Corriente de base IB 
RB  ( 1  hFE )RE
I C  hFE I B
 1  hFE 
VCE  VCC  I C  RC  RE 
 hFE 
Si I B  I C para hFE  1 entonces
VCC  VBE
IB 
RB  hFE RE
VCE  VCC  I C RC  RE 
Polarización de Tensión de base constante
VBB  VBE
IB 
RB  ( 1  hFE )RE
I C  hFE I B
 1  hFE 
 hFE 
100
Circuitos de Polarización de transistores BJT

A t
Autopolarización
l i ió
VBB  VBE
IB 
RB  ( 1  hFE )RE
I C  hFE I B
 1  hFE 
 hFE 
R V
para RB  RB 1 RB 2 y VBB  B 1 CC
RB 1  RB 2
Polarización de Colector
Colector- base
VCC  VBE
IB 
RB  ( 1  hFE )( RC  RE )
I C  hFE I B
VCE  I B RB  VBE
Circuitos de Polarización de transistores JFET
Polarización Simple
VDD 2
 VGS 
I D  I DSS  1  
 VP 
VGS  VGG
VDD  I D RL  VDS
Autopolarización
VDD
2
 VGS 
I D  I DSS  1  
 VP 
VGS   I D RS
VDD  I D RL  RS   VDS
Ejemplo
2
VDD  V 
I D  I DSS  1  GS 
 VP 
VGS   I D RS
Condiciones JFET canal n : VP  0 y VGS  0 , además I D  I DSS
2
 I D RS 

I D  I DSS  1   ,VGS igual signo que VP
 VP 
 2 I D RS I D 2 RS 2 
I D  I DSS  1   ,
VP 
2
 VP
2 4
VP VP VP
 2 
 VP 2 VP  VP
2 2
RS I DSS RS 4
RS I DSS
2
 I D  2  2   2  0, I D 
2
ID
 RS I DSS RS  RS 2
Para I DSS  4 mA, RG  1M , Rs  1K y VP  2V

I D1  4 mA  VGS  4V VGS  VP respuesta falsa
I D 2  1mA  VGS  1V VGS  VP respuesta verdadera
Ejemplo
VDD  VGS 
2
I D  I DSS  1  
 VP 
VGS  VGG  I D RS
Condiciones JFET canal n : VP  0 y VGS  0 , además I D  I DSS
2
 I R  VGG 
I D  I DSS  1  D S  ,VGS igual
i l signo
i que VP
 VP 
 2I D RS  VGG  I D 2 RS 2  2 I D RSVGG  VGG 2 
I D  I DSS  1   2
,

 V P V P 
 VP 2 VP  VGG  VP  VGG  2VGGVP
2 2
 I D  2 2  0
2
ID  2
 RS I DSS R S  RS
P
Para A, RG  1M , RS  1K , VGG  1,9V y VP  2V
I DSS  4 mA
I D  2 ,365 A

Tema 1-Semiconductores y Componentes Electricos - Aplicaciones-2

Transféré par

Informations du document

Description originale:

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Tema 1-Semiconductores y Componentes Electricos - Aplicaciones-2

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Fundamentos

Conformación de las bandas de energía.

1. La separación entre niveles.

Conforme se acercan dos átomos se produce un desdoblamiento de los

Al acercar dos átomos

Cuatro dos átomos juntos

En una red cristalina

En los estados cristalinos qque corresponden

La función de trabajo, es la energía mínima (eV), necesaria para

El nº total de electrones libres (de conducción) = nº de estados

++ N(E) densidad de estados equivalentes

m*=masa efectiva del portador,

El comportamiento como conductor eléctrico de un sólido radica en el

 Concentración de electrones en una franja

2 Concentración de estados permitidos

1 Concentración de electrones ((libres)) en la

El modelo de banda de Energíag caracteriza los estados de

La Teoría de bandas describe la estructura electrónica de un material.

Semiconductores = 4º columna de la tabla periódica.

Estructura compleja, superposición de estructuras más sencillas:

Cada átomo se encuentra unido a otros cuatro mediante enlaces

A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben

Movilidad de electrones y huecos =

Electrón = carga negativa, banda de conducción

Semiconductores puros o intrínsecos:

Nc=Concentración máxima de electrones permitida en la banda de

Probabilidad de ocupación de estados permitidos

Función de probabilidad de ocupación de Fermi-Dirac

Son elementos cuyos átomos tienen cinco electrones de valencia en

Dopados con impurezas trivalentes. Son elementos cuyos átomos

Si se introduce una impureza trivalente en la red cristalina del silicio

Los materiales pentavalentes generan ionización

Nivel donador: están los electrones liberados, próximo al nivel de

N D Concentración de impurezas donadoras (átomos/cm3).

N A Concentración de impurezas aceptadoras (átomos/cm3).

N A  Concentración de impurezas aceptadoras ionizadas

La ionización de impurezas empieza a temperaturas bajas

Ley de neutralidad de carga

Temperaturas bajas: ionización de impurezas.

Temperaturas medias: ionización total de impurezas.

Temperaturas altas: Concentración intrínseca > Concentración de

Para semiconductor tipo n

2º Concentración de minoritarios despreciable frente a mayoritarios

Para semiconductor tipo p

Con las aproximaciones anteriores, se obtiene:

Ecuación de neutralidad de carga:

“Semiconductor parcialmente compensado”.

1º Si = semiconductor como tipo P

Tiene un comportamiento parecido a un semiconductor intrínseco.

Elementos pasivos son aquellos componentes de los circuitos, que disipan

La relación matemática anterior es únicamente válida para las

C.E. Circuito eléctrico

¿Cómo se determina el modelo de un componente?

Como llos iinstrumentos no son exactos en realidad

Si es necesaria más exactitud modelo más aproximado

Componente: conductor real

 Que modelo emplear:

 Fuente de Tensión Ideal?

Dispositivo formado por la unión de 2 semiconductores (tipo n y tipo p),

Debido al gradiente de concentración los huecos se difunden hacia la

La región de la unión no tiene cargas móviles=zona de deplexión.

La acumulación de iones positivos en la zona n y de iones negativos