Laboratorio Nº3

“Circuitos de control de disparo aplicado al TRIAC”

(Informe Previo)
Facultad de ingeniería Eléctrica y Electrónica UNI
Laboratorio de Electrónica II-P (EE432M)
Jimenez Mamani Victor Enrique
vejimenezm@uni.pe

I. OBJETIVOS
-Comprender el
funcionamiento del TRIAC
así como el ángulo de disparo
posible en cada circuito para
cada cuadrante, visualizar los
posibles resultados de ondas.
II. FUNDAMENTO
TEÓRICO
A. DIAC
Es un componente electrónico
que está preparado para
conducir en los dos sentidos
de sus terminales, por ello se
le denomina bidireccional,
siempre que se llegue a su
tensión de cebado o de
disparo (30v
aproximadamente,
dependiendo del modelo).
Fig. 1 Símbolo del diac
Los encapsulados de estos
dispositivos suelen ser iguales
a los de los diodos de unión o
de zener.
Es un diodo bidireccional
disparable que conduce la
corriente, solo tras haberse
superado su tensión de
disparo, y mientras la
corriente circulante no sea
inferior al valor característico
para ese dispositivo.
El comportamiento es fundam
entalmente el mismo para am
bas direcciones de la
corriente. La mayoría de los
DIAC tienen una tensión de
disparo de alrededor de 30V.
En este sentido, su
comportamiento es similar a
un neón. Los diac son una
clase de tiristor, y se usan
normalmente para disparar los
TRIAC, otra clase de tiristor.
Es un dispositivo
semiconductor de dos
terminales, llamados ánodo y
cátodo.Actúa como un
interruptor bidireccional el
cual se activa cuando el
voltaje entre sus terminales
alcanza el voltaje de ruptura,
dicho voltaje puede estar entre
20 y 36 volts según la
referencia.
Cuando la tensión de disparo
se alcanza, la tensión en el
DIAC se reduce y entra en
conducción dejando pasar
la corriente necesaria para el
disparo del SCR o TRIAC. Se
utiliza principalmente en
aplicaciones de control de
potencia mediante control de
fase.
Un diac es un elemento
semiconductor utilizado
normalmente en el control
de potencia, lo que significa
que servirá para controlar
electrónicamente el paso de
corriente eléctrica.
Principio de operación y
curva característica
La operación del DIAC
consiste fundamentalmente en
llevar la estructura NPN hasta
un voltaje de ruptura
equivalente al del
transistor bipolar. Debido a la
simetría de construcción de
este dispositivo, la ruptura
puede ser en ambas
direcciones y debe procurarse
que sea la misma magnitud de
voltaje. Una vez que el
dispositivo empieza a
conducir corriente sucede un
decremento en el voltaje de
ruptura, presentando una
región de impedancia negativa
(si se sigue aumentando la
corriente puede llegar hasta la
segunda ruptura), entonces se
logra que el dispositivo
maneje corrientes muy
grandes.
Fig. 2 grafica
característica del DIAC
Como se ilustra en la figura2,
en este dispositivo se tiene sie
mpre una pendiente negativa,
por lo cual no es aplicable el
concepto de corriente de
sustentación.
La conducción ocurre en el
DIAC cuando se alcanza
el voltaje de ruptura, con
cualquier polaridad, a través
de las dos terminales. La
curva de la figura 2 ilustra
esta característica. Una vez
que tiene lugar la ruptura, la
corriente fluye en una
dirección que depende de
la polaridad del voltaje en las
terminales. El dispositivo se
apaga cuando la corriente cae
abajo del valor de retención
B. TRIAC
El triac es un dispositivo
semiconductor de tres
terminales que se usa para
controlar el flujo de corriente
promedio a una carga, con la
particularidad de que conduce
en ambos sentidos y puede ser
bloqueado por inversión de la
tensión o al disminuir la
corriente por debajo
del valor de mantenimiento.
El triac puede ser disparado
independientemente de la
polarización de puerta, es
decir, mediante una corriente
de puerta positiva o negativa.
Cuando el triac conduce, hay
una trayectoria de flujo de
corriente de muy
baja resistencia de una
terminal a la otra,
dependiendo la dirección de
flujo de la polaridad del
voltaje externo aplicado.
Cuando el voltaje es mas
positivo en MT2, la corriente
fluye de MT2 a MT1 en caso
contrario fluye de MT1 a
MT2. En ambos casos el triac
se comporta como un
interruptor cerrado. Cuando el
triac deja de conducir no
puede fluir corriente entre las
terminales principales sin
importar la polaridad del
voltaje externo aplicado por
tanto actúa como un
interruptor abierto.
Debe tenerse en cuenta que si
se aplica una variación de
tensión importante al triac
(dv/dt) aún sin conducción
previa, el triac puede entrar en
conducción directa.
Fig.3 circuito
equivalente
C. UJT
consiste en una placa de
material ligeramente dopado
de silicio tipo-n. Los dos
contactos de base se unen a
los extremos de esta
superficie tipo n. Estos se
indican como B1
y B2 respectivamente. Un
material de tipo p se utiliza
para formar una juntura p-n en
el límite de la varilla de
aluminio y la placa de silicio
tipo n. El tercer terminal
llamado emisor (E) se hace a
partir de este material tipo-p.
El tipo n está ligeramente
contaminado, mientras que el
de tipo p está fuertemente
contaminado. Como el tipo n
está ligeramente dopado,
ofrece una alta resistencia
mientras que el material tipo
p, ofrece baja resistividad
puesto que está fuertemente
contaminado.
Características
Fig4 característica de
UJT
Fijándose en la curva
característica del UJT se
puede notar que cuando el
voltaje VEB1 sobrepasa un
valor VP de ruptura, el UJT
presenta un fenómeno de
modulación de resistencia
que, al aumentar la corriente
que pasa por el dispositivo, la
resistencia de esta baja y por
ello, también baja el voltaje
en el dispositivo, esta región
se llama región de resistencia
negativa. Este es un proceso
con realimentación positiva,
por lo que esta región no es
estable, lo que lo hace
excelente para conmutar, para
circuitos de disparo de
tiristores y en osciladores de
relajación
Operación
El UJT se polariza
normalmente según se
observa en su curva de
polarización. La base B1 se
lleva a una tensión positiva
(5V≤VBB≤30V). Por la
resistencia RB1B2 circula
entonces una corriente IB2=Ie
El cátodo del diodo emisor se
encuentra a una tensión
 Especificaciones
del Diac DB3
El diodo puede presentar una
polarización inversa VE si es
inferior a VC por lo que se
presentará una corriente de
fuga IEB0 muy pequeña. Por
otro lado si VE es
superior VC, el diodo queda
polarizado directamente y por
ende circula una
corriente formada por
portadores minoritarios que
son depositados R1 en . Esta
se anula disminuyendo su
valor; por esto la tensión V0
disminuye también, ahora si
bien VE si es constante, IE
debe aumentar, lo que
disminuye aún más a R1.
III. DATA SHEET DE
LOS ELEMENTOS
 Curva
característica del
Triac BT136
 α=
1.75/16.67*360°=37.
79°

Fig.5
IV. EQUIPOS Y Simulación del circuito Fig.
MATERIALES A 7 Simulación
del circuito B
Los materiales a utilizar en el
laboratorio son:
 1 Zenner 1N4742 Con una Rvar=15k Fig.
9 grafica de
 1 Tiristor C106D
VC y Vdiac
 1 Tiristor BT 136
 Resistencias de
c. Circuito C:
220ohm/5W y
Medicion de pulso de
2Kohm/0.5W
disparo del TRIAC
 Fuente de
usando un
alimentacion
 Diodos N4004 optoaclopador
 Potenciometro
10K,500K, lineal
Con una
 1 condensador
Rvar=30k
0.1uF,400 V
Fig.6 grafica
 1 UJT 2N2646
de VRL y VMT1/MT2
 Foco
 1 Transistor 2N2907
 1 optoacoplador El angulo de disparo
MOC3021 sera
α=
V. DESARROLLO 3.5/16.67*360°=75.5 Fig.10 Simulación del
DE LA
8° circuito C
EXPERIENCIA Y
SIMULACIÓN b. Circuito B El circuito se activa
Control de
a. Circuito mediante pulsos
disparo de 0 a
A :Control de
180 generados por el
disparo de 0 a 90 Simulaciones del timer 555
Simulaciones del Fig.
circuito y
circuito y graficos en 8 grafica de
graficos en VRL y
ISISproteus
ISISproteus VMT1/MT2

El angulo de disparo
sera
 Fig.13 grafica
obtenida en la carga

VI. REFERENCIAS

[1] Electrónica de
Potencia Muhammad H.
Rashid

[2] National Analog and

Interface Products
Databook.
National Semiconductor.

[3]
http://es.slideshare.net/RJ
Fig.11 grafica
en la carga
HO777/presentacion-
triac-23590726
d. Circuito D:circuito
en sincronismo con
la tension de red y
ajusta el angulo de
disparo de 0 a180

Fig.12
Simulación
del circuito D

El angulo en la carga puede

variar de 0 a 180°