Vous êtes sur la page 1sur 6

Configuración Darlington

Facultad de Ingeniería Electrónica y Eléctrica - UNMSM

Los objetivos de esta experiencia fue determinar las características de operación de un amplificador
de corriente transistorizado, utilizamos multímetro y osciloscopio para hallar los voltajes, corrientes y
ganancias de los transistores. Se apreció que los resultados teóricos y simulados son distintos ya que
en la computadora se puede apreciar con mayor precisión los valores que queremos, mientras que el
teórico es una aproximación de los valores y en el medido se presenta factores como la resistencia
interna de los instrumentos que altera los resultados. En conclusión la configuración Darlington tiene
alta ganancia de corriente y éstos se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar
cargas grandes con corrientes muy pequeñas.

I. INTRODUCCIÓN
La configuración Darlington es una conexión de dos transistores de unión bipolar. Su característica
principal es que el transistor compuesto actúa como una sola unidad con una ganancia de corriente
que es el producto de las ganancias de corriente de los transistores individuales, cabe recalcar que
este es un valor aproximado si ambas ganancias son muy grandes:

Un inconveniente es la duplicación aproximada de la base-emisor de tensión. Ya que hay dos uniones


entre la base y emisor de los transistores Darlington, el voltaje base-emisor equivalente es la suma de
ambas tensiones base-emisor:

II. MATERIALES Y MÉTODOS

A. Equipos ,materiales y herramientas utilizados


 Osciloscopio
 Multímetro
 Generador de señales
 Fuente de poder DC
 2 Transistores 2N2222
 Resistores de 1kΩ, 1.5kΩ, 2 de 12kΩ, 7.5kΩ y 100k Ω
 Condensadores de 16V 100µF y 2 de 22µF
B. Esquemas
Para el laboratorio no se contó con una resistencia de 7.5kΩ ni con un condensador de 22µF.
Por esa razón usamos lo que teníamos como 3 resistencias que sumaban 7.6kΩ y 3
condensadores que sumaban 22.2µF y los colocamos en serie y paralelo respectivamente.

Simulación del VCE del primer transistor

Simulación del VCE del segundo transistor


Figura 1

C. Procedimiento
1. Implemente el circuito de la figura 1.
2. Mida los puntos de reposos Q y llene la tabla 1.
3. Aplicar una señal sinusoidal de 1kHz de frecuencia en la entrada del amplificador. Varíe la
amplitud de la señal hasta que se obtenga en la salida del amplificador la señal de mayor
amplitud, no distorsionada.
4. Determine las impedancias y ganancias luego de medir Vo, Vi, Io e Ii. Llene la tabla 2.

III. RESULTADOS

TABLA 1. RESULTADOS
VCE1 VCE2 IC1 IC2
(V) (V) (µA) (mA)
Valor
5.87 6.57 56.2 5.62
calculado
Valor
5.88 6.58 56.3 5.62
simulado
Valor
5.57 6.29 58.1 5.83
medido

Vth=(15V*12k)/(7.5k+12k) = 9.23V =Vb


Rth=(7.5k *12k)/(7.5k+12k ) = 4.62kΩ
Entonces: Rb=4.62k +100k= 104.62kΩ

βt=β1*β2=10000, Vbe=0.7V Aplicando mallas: Ib1=0.56µA


Sabemos: Ic2= βtIb1=5.62mA Ic1=Ic2/β2=56.2µA

VCE1=15-Ic2*1.5k-0.7=5.87V
VCE2=15-Ic2*1.5k=6.57V

Av Ai Zi Zo
Valor
1.01 673.3 6.88MΩ 17,42kΩ
calculado
Valor
1.01 687 11.6MΩ 17.07kΩ
simulado
Valor
1.04 209.09 3.11MΩ 15.52KΩ
medido

Los valores calculados de esta tabla se hallan a partir de los valores de la Tabla 2:

Av= Vo/ Vi=35.2mV/34.81mV=1.01


Ai= Io/Ii=2.02µA/0.003µA=673.3
Zi= Vi/Ii=34.94mV/0.005µA=6.88MΩ
Zo= Vo/Io=35.2mV/2.02µA=17,4kΩ
TABLA 2. RESULTADOS
Vo Vi Io Ii
Valor
35.2mV 34.94mV 2.02µA 0.005µA
calculado
Valor
35.18mV 34,81mV 2.061µA 0.003µA
simulado
Valor
35.78mV 34.23mV 2.3µA 0.011µA
medido

IV. ANÁLISIS DE RESULTADOS


Cuestionario:
1. Compare sus datos teóricos con los obtenidos en la experiencia.
El valor medido hay un poco de errores debido a que el multímetro presenta una resistencia
interna y altera los cálculos y el valor calculado son col las ecuaciones de teoría de transistores.

2. Dibuje algunos esquemas prácticos en donde se encuentra la configuración Darlington.

Figura 1: un transistor Darlington de PNP


Figura 2: un transistor Darlington de NPN

3. ¿Qué modificaciones realizaría al circuito experimentado? ¿Por qué?

De la figura esquemático del circuito de Darlington, realizaría esta modificaciones por ejemplo
retirar la resistencia R3 y el condensador C2 para tener un amplificador Darlington de divisor
de tensión, tal que generaría un mayor ganancia de corriente.

4. De acuerdo al experimento, cuáles son sus conclusiones.

En la experiencia 2 tenemos que tener en cuenta la teoría de transistores BJT, para poder
entender que comportamiento tienen dentro del circuito.
Observamos que la configuración Darlington tiene alta ganancia de corriente y se utilizan
ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas grandes con corrientes muy
pequeñas y la impedancia de entrada es mucho mayor que la de salida como se puede
apreciar en la tabla.

V. CONCLUSIONES

 Hay que tomar en cuenta la teoría de transistores BJT, para entender su comportamiento en el
circuito.
 En resumen se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas
grandes con corrientes muy pequeñas.
 El Darlington tiene alta ganancia de corriente.
 La impedancia de entrada es mucho mayor que la de salida.
 La ganancia de entrada es mayor que la salida.
REFERENCIAS

[1] Robert L. Boylestad “Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos” (10ma


edición).
[2] David A. Hodges “Darlington’s Contributions to Transistor Circuit Design”
[3] Malvino “Principios de electrónica”
[4]http://www.electronicasi.com/ensenanzas/electronica-avanzada/electronica-
universitaria/transistor-darlington/
[5]http://platea.pntic.mec.es/~lmarti2/circuitos/celsolar/transistodarlington.htm
[6] https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_Darlington