Informe Previo No.

2: “La Característica Exponencial del

Transistor Bipolar”

Fig. 2. Zonas de operación de un transistor bipolar.

Resumen- Obtener Valores típicos de estos 1. Calcule el punto de
experimentalmente el parámetros son: αF=0.99, operación del transistor
contenido armónico de la αR=0.66, IES=10-15A y
corriente de colector del del amplificador de la
-15
transistor bipolar. ICS=10 A. fig.3.

En la fig.2 se muestra las Analizando en DC, el

I. INTRODUCCIÓN zonas de operación de un 2. Determine una expresión
circuito de la fig.3, cuando
Transistor Bipolar transistor bipolar, en la está en resonancia. general para VA, VB y V0
Un transistor bipolar está región directa. en resonancia asumiendo
Tomando en cuenta algunas aproximaciones:
formado por dos uniones pn los datos de la bobina y
en contraposición. Para el presente laboratorio I C �I E I B �0
un QT alto (los datos de
Físicamente, el transistor se estudiara las transistor son conocidos).
está constituido por tres características del transistor Vcc R2
regiones semiconductoras, bipolar, utilizando el - VBE
R1 + R2
emisor, base y colector, circuito mostrado en la I C �I E =
siendo la región de base fig.3, analizando la corriente R3
muy delgada (< 1µm). El del colector del transistor y
modo normal de hacer la señal en la salida Vo que Remplazando los valores sugeridos en el circuito de la fig.1,
operar a un transistor es en produce el voltaje Vin. tenemos:
la zona directa. En esta
zona, los sentidos de las II. CUESTIONARIO. Remplazando
12 x 22 K valores que sugiere el circuito de la fig.3.
corrientes y tensiones en los - 0.7 en AC en resonancia, tenemos:
Analizando el circuito
terminales del transistor se I C �22 K(n+ 22 K
+Kn3 ) (n + n )
210
muestran en la fig.1. vT VA = g=ma
v0RCV2 in 3
n1 n0
I C �0.53mA n
v0 = vTV( 3=) RC I CQ V
An1 in
Hallando el VCE. VT
Finalmente, si Vin = Vm cos( wt ) , introducimos el factor de
CC - I C ( R3 + R4 )
VCE �Vcorrección
n n3 � 2I �
v0 = gvalores.
Remplazando m(
3
) RC vin = g m RC ( ) � 1( x ) �Vin
n n1 �xI 0( x ) �
VCE �12 - 0.53m1(10 K + 1K )
Fig. 1. Símbolos y sentido de referencia
VCE �6.17 n3 V I
de un transistor bipolar. v =VG0 m( x) RC ( )Vin ; x = m , g m = CQ
Ebers y n1 VT VT
Moll desarrollaron un Por tanto
Deellapunto de operación
relación del númerodeldetransistor es:el inductor, obtenemos
vueltas en
modelo que relacionaba las I �
VA Cy VB.0.53 mA
corrientes con las tensiones
vBV = G ( x ) RV
�m6.17 CVin
en los terminales del CE 2 I1( x )
transistor. Este modelo, n1 , con Gm ( x ) = g m
establece las siguientes v A = Gm ( x ) RC ( )Vin xI 0( x )
n2 + n3
ecuaciones generales:

Donde IES y ICS representan

las corrientes de saturación
para las uniones emisor y
colector, respectivamente,
αF el factor de defecto y αR
la fracción de inyección de
portadores minoritarios.
Para un transistor ideal, los
anteriores cuatro parámetros
están relacionados mediante
el teorema de reciprocidad. Fig. 3. Amplificador.
 tabla 1, teniendo en cuenta Con
que: Vm 260mV
x= = = 10
Vin Vin VT 26mV
x= =
VT 26mV
Gm (10) = 9.3

Gm ( x ) VT 26mV � 2In( x) �
3. Calcule y gm = = = 49.05 � � I �
I CQ 0.53mA n n 1
2 I 2( x ) v0 = Gm ( x ) RC ( 3 ) � 1+ � ( 2 )( ) �
0( x )
V
� 2 I1( x ) n - 1 QT �in
I 0( x )
para los Vin (mV) X Gm(x) 2In2(x)
1 /I0(x) n =1
� I 0( x ) �
valores de Vin = 20, 50,
20 0.77 44.92 0.14 � �
70, 100, 200, 300, 50 1.92 34.82 0.57
350mV. 70 2.69 28.52 0.83
100 3.85 21.83 1.11
Ayudándonos de la teoría 200 7.69 11.9 1.51
del libro de Clark & Hess, III. MATERIALES Y
tenemos las siguientes 300 11.54 8.12 EQUIPOS 1.67
ecuaciones. 350 13.46 7.01 1.71
VBE Vm cos( wt ) Tabla.1.Valores
V de gm(x) y 2I2(x)/I0(x), para distintos valores de Vin.
, si x = POSICIÓN NOMBRE VALOR
m
iC = a I ES e VT
e VT
VT
VBE Q1 Transistor BF 494
iC = a I ES e VT
e x cos( wt )
= I EQ e x cos( wt )
4. Para Blanca
wt
Vin = 260mV cos( 0 )
Bobina de FI de AM Negra
Desarrollando en series de Fourier. n amarilla
encuentre una 47Ω
expresión general para 2X 1KΩ
� I � � R1 Resistencia
2X 10KΩ
1 + 2� n ( x )
iC = I EQ I 0( x ) � cos( nwt ) Vo(t).
�
2X 22KΩ
� n =1 I 0( x ) �
Dede la
Hallando los coeficientes de la serie expresión
Fourier, parala vo,
mediante Rp Potenciómetro 100KΩ
Función de Besel Modificada, detallada en el Apéndicelibro
desarrollado en el del de Condensador 1µF
libro de Clark & Hess. Clark & Hess. C1, C2
Electrolítico 3x 10µF
47pF
1 p � 2 I n ( x ) C3 � Condensador Cerámico 100pF
�e cos nq dq
x cosq
In( x) = � � I �
2p -p n3 � cos wt � Fuente de alimentación
v0 = Gm ( x ) RC ( )vin 1 + � 30V
0( x )

n1 � n =1 2 I1( x ) wt � doble
Para calcular lo que nos piden: � cos( )
I n � Osciloscopio
� 0( x ) �
p
x cos q Generador de señales
2
I 2( x ) �e cos 2q dq …De(1)la propiedad:
=2 p p -
Multímetro Digital.
I 0( x ) e q dq
�
x cos
p - Tabla. 1. Tabla de materiales.
p
2I 2 �e q cos q dq
1( x )
x cos

Gm ( x ) =g m =g p
p … (2)
m
- .
xI x �e q dq
0( x )
x cos
p -

Fig. 4. Circuito equivalente utilizando parámetros п.

Z L ( jw ) n 1
=
n - 1 QT
2
Z
L ( jw )
n

De las ecuaciones (1) y (2),

se hacen los cálculos, cuyos
resultados se muestran en la