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RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA

AMPLIFICADOR CON BJT

En el extremo de alta frecuencia, existen dos factores que


definen el punto de corte de -3 dB: la capacitancia de la red
(parásita e introducida) y la dependencia de la frecuencia de
ℎ𝑓𝑒 (𝛽).

Parámetros de la red (b)


Observe que f2 aparece en el denominador de la relación
En la región de alta frecuencia, la red RC de interés tiene la de frecuencia en lugar de en el numerador como ocurrió La capacitancia Ci incluye la capacitancia de alambrado de
configuración que aparece en la figura. para f1 en la ecuación. entrada, la capacitancia de transición Cbe y la capacitancia
Miller. La capacitancia Co incluye la capacitancia de
alambrado de salida, la capacitancia parásita Cce y la
capacitancia de efecto Miller de salida. En general, la
capacitancia Cbe es la más grande de las capacitancias
parásitas, con Cce como la más pequeña.
Sea la Red:
Analizando la red:

Para el circuito de entrada

A medida que la frecuencia se incrementa, la magnitud de la


reactancia Xc se reduce, con el resultado de un efecto de
cortocircuito a través de la salida y una reducción de la
ganancia. La derivación que conduce a la frecuencia de corte
de esta configuración RC sigue líneas semejantes a las
encontradas para la región de baja frecuencia.

La diferencia más significativa radica en


la siguiente forma general de Av:

(a)

En la figura (a) se incluyen las diversas capacitancias parásitas


(Cbe, Cbc, Cce) del transistor junto con las capacitancias de
alambrado introducidas durante la construcción. El modelo
equivalente de alta frecuencia de la red de la figura (a)
Esta da por resultado una gráfica de magnitud aparece en la figura (b). Observe que faltan los capacitores Cs,
como la de la figura que reduce a 6 dB/octava CC y CE los cuales se supone que se encuentran en estado de
a medida que se incrementa la frecuencia. cortocircuito en estas frecuencias.
UNMSM
Para el circuito de salida RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA; AMPLIFICADOR
CON FET
El análisis de la respuesta en alta frecuencia del
amplificador con FET es muy parecido al del amplificador
con BJT. Como se muestra en la figura, hay capacitancias
entre electrodos y capacitancias de alambrado que
determinarán las características de alta frecuencia del
amplificador. Los capacitores y en general varían de 1 pF
a 10 pF, en tanto que la capacitancia Cds suele ser un
poco más pequeña y varía de 0.1 pF a 1 pF.

Variación de ℎ𝑓𝑒 (𝛽)

La variación de ℎ𝑓𝑒 (𝛽) con la frecuencia se


aproximará, con un cierto grado de precisión, a la
CURSO: CIRCUITOS ELECTRONICOS II
siguiente relación: (c)
TEMA: RESPUESTA EN ALTA
Como la red de la figura (c) es un amplificador inversor,
en la red equivalente de ca en alta frecuencia aparecerá
FRECUENCIA DE AMPLIFICADOR
una capacitancia de efecto Miller. A altas frecuencias, Ci
se aproximará a un equivalente de cortocircuito y el valor
ALUMNOS:
La única cantidad no definida, fb, está determinada
de Vgs se reducirá y, por tanto, también lo hará la
por un conjunto de parámetros empleados en el ganancia total. A frecuencias en que Co tiende a su
modelo híbrido o de Giacoletto. equivalente de cortocircuito, la magnitud voltaje de
salida en paralelo Vo se reducirá.
AÑO:

2018
(Producto ganancia
para el transistor)

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