Integrantes:

 Juárez Castillo, Rosa Estefanny 16190296

 Mariños Herrera, Nilton Isaías 16190286
 Pumachagua, Cristhian
CURSO: Dispositivos Electrónicos
PROFESOR: Jaime Luque Quispe
TEMA: Diodo Semiconductor
2017

Lab. 1: DIODO SEMICONDUCTOR

Tabla 2: medición de voltajes y corrientes

 Vr: voltaje en el resistor, vd: voltaje en el diodo, id: corriente en el diodo.

Medición Vr Vd medido Id medida Id (Vd/R)

1 0.1 0.523 0.0002 0.00134

2 0.2 0.558 0.0004 0.00143

3 0.3 0.578 0.0006 0.00148

4 0.4 0.592 0.0008 0.00152

5 0.5 0.603 0.00106 0.00155

6 0.6 0.612 0.001 0.00157

7 0.7 0.62 0.0015 0.00159

8 0.8 0.627 0.0021 0.00161

9 0.9 0.632 0.0023 0.00162

10 1 0.635 0.0026 0.00163

11 2 0.67 0.005 0.00172

12 3 0.689 0.008 0.00177

13 4 0.702 0.01 0.0018

14 5 0.712 0.013 0.00184

15 6 0.72 0.015 0.00185

16 7 0.725 0.018 0.00186

17 8 0.731 0.021 0.00187

18 9 0.736 0.023 0.00189

19 10 0.74 0.026 0.00190

Análisis e interpretación de los resultados:

1. Graficar la curva voltaje versus corriente del diodo

 Vd vs id
0.03

0.025

0.02
i (corriente)

0.015

0.01

0.005

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
V (voltaje)

2. Obtener el valor de la corriente de saturación inversa Is y el factor n del diodo

(idea: usar una curva de ajuste lineal como en el ejemplo de la sección 3.1
hecho arriba.

Medición Vd Ln(Id)
1 0.523 -8.52
2 0.558 -7.82
3 0.578 -7.42
4 0.592 -7.13
5 0.603 -6.85
6 0.612 -6.5
7 0.62 -6.45
8 0.627 -6.17
9 0.632 -6.07
10 0.635 -5.95
 11 0.67 -5.29
12 0.689 -4.83
13 0.702 -4.61
14 0.712 -4.34
15 0.72 -4.2
16 0.725 -4.02
17 0.731 -3.86
18 0.736 -3.77
19 0.74 -3.64

V vs Ln(i)
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

-1
y = 22.597x - 20.408
-2

-3

-4
Ln(i)

-5

-6

-7

-8

-9

-10
V (Voltaje)
Cálculo de Is y n:

De la ecuación y = 22.597x - 20.41 de la Grafica Vd vs Ln (id):

- La corriente de saturación inversa es : -20.41

- El factor n del diodo se halla mediante la fórmula:

1
𝑛= (𝛼)
(𝑚 × 𝑣𝑡)

Donde m es la pendiente de la recta Vd vs Ln (id) y vt es el voltaje térmico. Este

último se obtiene de la siguiente manera:

𝑘𝑏 × 𝑡𝑘
𝑣𝑡 =
𝑞𝑒

Donde kb es la constante de Boltzman (1.38 × 10−23 ), tk es la temperatura en grados

Kelvin (273 + 25°C) y 𝑞𝑒 es la carga del electrón.

1.38 × 10−23 × 298°𝑘

𝑣𝑡 = = 25.7 𝑚𝑉
1.6 × 10−19 𝐶

Reemplazando los valores en (𝛼):

1
𝑛=
22.597 × 0.0257

𝑛 = 1.722

3. Obtener la resistencia dinámica (rd) en un punto de la curva de operación obtenida en (a).

Nota 1. La elección de este punto es libre pero debe estar arriba del punto de inflexión de la
curva. Nota 2: para el cálculo considere un rango pequeño de excursión de la corriente i d
arriba y abajo del punto escogido (ej. excursión de 1 mA).