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R th(unión− capsula) :
R th(unión−radiador) :
R th(unión− ambiente) :
Z th(unión− ambiente) :
t = 0'5 sg
Z th(unión− ambiente) :
t = 10 sg
Z th(unión− ambiente) :
t = 100 sg
Z th(unión− ambiente) :
t = 500 sg
Z th(unión− ambiente) :
t = 1000 sg
Z th(unión− ambiente) :
t = 5000 sg
NOTA: Se dispone de las hojas de características del diodo SKN-100 y del radiador P4.
ELECTRÓNICA DE POTENCIA I PROBLEMA núm: 4.3
NOTA: Se dispone de las hojas de características del diodo SKN-100 y del radiador P4.
ELECTRÓNICA DE POTENCIA I PROBLEMA núm: 4.4
Se ha construido un puente rectificador monofásico para alimentar una carga resistiva con
4 diodos del tipo SKN-100 montados sobre dos radiadores P4/400 de Semikron.
NOTA: Se dispone de las hojas de características del diodo SKN-100 y del radiador P4.
ELECTRÓNICA DE POTENCIA I PROBLEMA núm: 4.5
Se pide:
a) Determina la máxima temperatura alcanzada por la unión del semiconductor.
b) Determina la temperatura de la unión del semiconductor en el instante T4.