NIVELES DE ENERG�A

Cuanto m�s alejado est� un electr�n del n�cleo, mayor es su estado de energ�a y
cualquier
electr�n que haya abandonado a su �tomo padre tiene un estado de energ�a mayor que
todo
electr�n que permanezca en la estructura at�mica.

Material tipo n
Un material tipo n se crea introduciendo elementos de impureza
que contienen cinco
electrones de valencia (pentavelantes), como el antimonio, el ars�nico
y el f�sforo. Las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se conocen
como �tomos donadores.

Material tipo p
El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con
�tomos de impureza
que tienen tres electrones de valencia.Las impurezas difundidas con tres electrones
de valencia se llaman �tomos aceptores.
DIODO SEMICONDUCTOR
Sin polarizaci�n aplicada (V=0 V)
Esta regi�n de iones positivos y negativos revelados se llama regi�n de
�empobrecimiento�,
debido a la disminuci�n de portadores libres en la regi�n.

Condici�n de polarizaci�n en inversa (VD<0V)

La corriente en condiciones de polarizaci�n en inversa se llama corriente de
saturaci�n en
inversa y est� representada por Is

1a.-Condici�n de polarizaci�n en directa (VD>0V)

La condici�n de polarizaci�n en directa o �encendido� se establece aplicando el
potencial positivo
al material tipo p y el potencial negativo al tipo n como se muestra en la figura
1.14.

Regi�n Zener
El m�ximo potencial de polarizaci�n en inversa que se puede aplicar antes de entrar
a la
regi�n Zener se llama voltaje inverso pico (conocido como valor PIV) o voltaje de
reversa
pico (denotado como valor PRV).

Efectos de la temperatura
En la regi�n de polarizaci�n en directa las caracter�sticas de un diodo de silicio
se desplazan
a la izquierda a raz�n de 2.5 mV por grado cent�grado de incremento de temperatura.

En la regi�n de polarizaci�n en inversa la corriente de saturaci�n en inversa de un

diodo de
silicio se duplica por cada 10�C de aumento de la temperatura.

NIVELES DE RESISTENCIA
A medida que el punto de operaci�n de un diodo se mueve de una regi�n a otra, su
resistencia
tambi�n cambia debido a la forma no lineal de la curva de caracter�sticas.

Resistencia de CD o est�tica
Rd=(Vd/Id) En general, por consiguiente, cuanto mayor sea la corriente a trav�s de
un diodo, menor ser�
el nivel de resistencia de cd.

1b.-Resistencia de CA o din�mica
En general, por consiguiente, cuanto m�s bajo est� el punto de operaci�n (menor
corriente
o menor voltaje), m�s alta es la resistencia de ca.

1c.-Resistencia de ca promedio
Como con los niveles de resistencia de cd y ca, cuanto m�s bajo sea el nivel de las
corrientes
utilizadas para determinar la resistencia promedio, m�s alto ser� el nivel de
resistencia.
PD m�x= VD* ID

1d.-DIODOS ZENER
La caracter�stica cae casi verticalmente con un potencial de polarizaci�n en
inversa denotado V
. El hecho de que la curva caiga y se aleje del eje horizontal en vez de elevarse y
alejarse en la regi�n de V
positivo, revela que la corriente en la regi�n Zener tiene una direcci�n opuesta a
la de un diodo
polarizado en directa.

Conclusiones y conceptos importantes

1. Las caracter�sticas de un diodo ideal son exactamente las de un interruptor
simple, excep-
to por el hecho importante de que un diodo ideal puede conducir en s�lo una
direcci�n.
2. El diodo ideal es un corto circuito en la regi�n de conducci�n y un circuito
abierto en la
regi�n de no conducci�n.
3. Un semiconductor es un material que tiene un nivel de conductividad entre la de
un buen
conductor y la de un aislante.
4. Un enlace de �tomos, reforzado por la compartici�n de electrones entre �tomos
vecinos,
se llama enlace covalente.
5. El aumento de las temperaturas puede provocar un incremento significativo del
n�mero
de electrones libres en un material semiconductor.
6. La mayor�a de los materiales semiconductores utilizados en la industria
electr�nica tienen
coeficientes de temperatura negativos; es decir, la resistencia se reduce con un
aumento
de temperatura.
7. Los materiales intr�nsecos son aquellos semiconductores que tienen un nivel muy
bajo de
impurezas, en tanto que los materiales extr�nsecos son semiconductores que se
expusieron
a un proceso
de dopado.
8. Un material tipo n se forma agregando �tomos donadores que tengan cinco
electrones de
valencia para establecer un alto nivel de electrones relativamente libres. En un
material ti-
po n, el electr�n es el portador mayoritario y el hueco es el portador minoritario.

9. Un material tipo p se forma agregando �tomos aceptores con tres electrones de

valencia
para establecer un alto nivel de huecos en el material. En un material tipo n, el
hueco es el
portador mayoritario y el electr�n el minoritario.
10. La regi�n cerca de la uni�n de un diodo que tiene muy pocos portadores se llama
regi�n de
empobrecimiento.
11. Sin ninguna polarizaci�n externa aplicada, la corriente en el diodo es cero.
12. En la regi�n de polarizaci�n en directa, la corriente en el diodo se incrementa
exponen-
cialmente con el aumento del voltaje a trav�s del diodo.
13. En la regi�n de polarizaci�n en inversa, la corriente en el diodo es la
corriente de satura-
ci�n en inversa muy peque�a hasta que se alcanza la ruptura Zener y la corriente
fluye en
la direcci�n opuesta a trav�s del diodo.
14. La corriente de saturaci�n en inversa I
s
casi duplica su magnitud por cada 10 veces de incremento
de la temperatura.
15. La resistencia de cd de un diodo est� determinada por la relaci�n del voltaje y
la corriente
en el diodo en el punto de inter�s y no es sensible a la forma de la curva. La
resistencia de
cd se reduce con el incremento de la corriente o voltaje en el diodo.
16. La resistencia de ca de un diodo es sensible a la forma de la curva en la
regi�n de inter�s y
se reduce con altos niveles de corriente o voltaje del diodo.
17. El voltaje de umbral es aproximadamente de 0.7 V para diodos de silicio y de
0.3 V para
diodos de germanio.
18. El nivel de disipaci�n de potencia nominal m�xima de un diodo es igual al
producto del
voltaje y corriente del diodo.
19. La capacitancia de un diodo se incrementa exponencialmente con el aumento del
voltaje de
polarizaci�n en directa. Sus niveles m�nimos ocurren en la regi�n de polarizaci�n
en inversa.
20. La direcci�n de conducci�n de un diodo Zener se opone a la de la flecha en el
s�mbolo y el
voltaje Zener tiene una polaridad opuesta a la de un diodo polarizado en directa.
21. Los diodos emisores de luz (LED) emiten luz en condiciones de polarizaci�n en
directa
pero requieren 2 V a 4 V para una buena emisi�n.

Aplicaciones del diodo

1e.-AN�LISIS POR MEDIO DE LA RECTA DE CARGA
las caracter�sticas del diodo se colocan en el mismo sistema de ejes como una
l�nea recta definida por los par�metros de la red, la cual se llama recta de carga
porque la carga
aplicada R define la intersecci�n en el eje vertical. Por consiguiente, el an�lisis
a seguir se lla-
ma an�lisis por medio de la recta de carga. La intersecci�n de las dos curvas
definir� la soluci�n
para la red, as� como los niveles de corriente y voltaje.

1f.-ENTRADAS SENOIDALES; RECTIFICACI�N DE MEDIA ONDA

1g.-PIV (PRV)
La capacidad de voltaje inverso pico (PIV) [o PRV (voltaje reverso pico )] del
diodo es de primordial
importancia en el dise�o de sistemas de rectificaci�n. Recuerde que no se debe
exceder el
valor nominal de voltaje en la regi�n de polarizaci�n en inversa o el diodo entrar�
a la regi�n
de avalancha Zener. El valor nominal de PIV requerido para el rectificador de media
onda se determina
con la figura 2.52, la cual muestra el diodo polarizado en inversa de la figura
2.44 con un
voltaje m�ximo aplicado. Aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff, es obvio que el
valor nominal
de PIV del diodo debe ser igual a o exceder el valor pico del voltaje aplicado.

1h.-RECTIFICACI�N DE ONDA COMPLETA

1i.-Transformador con derivaci�n central

RECORTADORES
Los recortadores son redes que emplean diodos para �recortar� una parte de una
se�al de
entrada sin distorsionar la parte restante de la forma de onda aplicada.

SUJETADORES
Un sujetador es una red compuesta de un diodo, un resistor y un capacitor que
desplaza
una forma de onda a un nivel de cd diferente sin cambiar la apariencia de la se�al
aplicada.

Conclusiones y conceptos importantes

?
1. Las caracter�sticas de un dispositivo no se ven alteradas por la red en la cual
se emplea. La
red s�lo determina el punto de operaci�n del dispositivo.
2. La intersecci�n de la ecuaci�n de la red y una ecuaci�n que define las
caracter�sticas del
dispositivo determina el punto l punto de operaci�n de una red.
3. En la mayor�a de las aplicaciones, el voltaje de umbral en la regi�n de
polarizaci�n en
directa y un circuito abierto con voltajes aplicados menores que el valor de
umbral, definen
las caracter�sticas de un diodo.
4. Para determinar el estado de un diodo, consid�relo inicialmente como un resistor
y determine
la polaridad del voltaje y la direcci�n de la corriente convencional a trav�s de
�l. Si el voltaje
que lo cruza tiene polarizaci�n en directa y la corriente tiene una direcci�n que
coincide con la flecha del s�mbolo,
el diodo est� conduciendo.
5. Para determinar el estado de diodos utilizados en una compuerta l�gica, primero
haga una
suposici�n disciplinada sobre el estado de los diodos y luego ponga a pruebas sus
suposiciones.
Si su estimaci�n es incorrecta, refine su suposici�n y trate de nuevo hasta que el
an�lisis compruebe las conclusiones.
6. La rectificaci�n es un proceso mediante el cual una forma de onda aplicada de
valor promedio
cero se cambia a una que tiene un nivel de cd. Con se�ales aplicadas de m�s de
algunos volts,
normalmente se puede aplicar la aproximaci�n de diodo ideal
7. Es muy importante verificar la capacidad de voltaje inverso pico de un diodo
cuando se elige
uno para una aplicaci�n particular. Basta determinar el voltaje m�ximo a trav�s del
diodo en condiciones
de polarizaci�n en inversa y coampararlo con la capacidad indicada en la placa del
fabricante. Para los rectificadores de onda completa y media onda, es el valor
pico de la se�al aplicada. Para el rectificador de onda completa de transformador
con derivaci�n
central, es dos veces el valor pico (el cual puede llegar a ser bastante alto).
8. Los recortadores son redes que �recortan� una parte de la se�al aplicada para
crear un tipo
espec�fico de se�al o para limitar el voltaje que se puede aplicar a una red.
9. Los sujetadores son redes que �sujetan� la se�al de entrada a un nivel de cd
diferente. En
todo caso, la excursi�n pico a pico de la se�al aplicada no cambia.
10. Los diodos Zener son los que utilizan efectivamente el potencial de ruptura
Zener de una
caracter�stica de uni�n p-n com�n para hacer que un dispositivo sea m�s importante
y se le
pueda utilizar en diversas aplicaciones. Para conducci�n Zener, la direcci�n del
flujo convencional
se opone a la flecha del s�mbolo. La polaridad en la situaci�n de conducci�n
tambi�n se opone a la del diodo convencional.
11. Para determinar el estado de un diodo Zener en una red de cd, s�lo qu�telo de
la red y
determine el voltaje de circuito abierto entre los dos puntos donde estaba
conectado
originalmente el diodo Zener. Si es mayor que el potencial Zener y tiene la
polaridad correcta,
el diodo Zener est� �encendido�.
12. Un duplicador de voltaje de media onda u onda completa emplea dos capacitores;
un triplicador,
tres; y un cuadruplicador, cuatro. De hecho, para cada uno, el n�mero de diodos es
igual al n�mero de capacitores
.