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FECHA DE
GUÍA DE LABORATORIO VERSION No. 1 EMISION
INGENIERÍA ELECTRÓNICA EXTENSIÓN TUNJA
2016/24/10
PRACTICA No. 04
DETERMINACION GRAFICA DE PARAMETROS HIBRIDOS
1.Objetivos:
A.Modelar el transistor como una red de dos puertos para establecer sus parámetros híbridos.
B.Calcular los parámetros híbridos del transistor sugerido para las configuraciones de Emisor Común (EC), Colector
Común (CC) y Base Común (BC).
2.Materiales y Equipos
•Osciloscopio.
•Generador de señales.
•Fuente DC variable.
•Multímetros.
•Protoboard.
• •Resistencias.
•Caimanes
•Transistores NPN y PNP de alta y baja potencia (2N3904, 2N3906, 2N2222, 2N2907, TIP41, TIP42).
3.Planteamiento y Procedimiento:
Cuando el transistor opera en la zona activa es posible obtener aplicaciones de amplificación y oscilación, lo que
permite que a partir de señales de poca amplitud se obtengan señales de mayor amplitud acordes con la señal de
entrada. Debido a la complejidad asociada a los circuitos de amplificación se hace necesario modelar el transistor a
partir de una red de dos puertos, para ello se selecciona el modelo hibrido h gracias a que ofrece las siguientes
ventajas; es el adecuado para el análisis del transistor en baja y media frecuencia, el fabricante entrega los
parámetros h en las hojas de especificaciones y por ultimo al hacer simplificaciones, el modelo se vuelve simple para
su análisis.
Los parámetros híbridos se miden de acuerdo a pequeñas variaciones de voltajes y corrientes, menores al 5% y con
respecto al punto de operación del transistor que se encuentra operando dentro de la región activa. Es importante
resaltar que tres (3) son las configuraciones de polarización utilizando el transistor BJT que se diferencian entre sí
por la terminal común a la entrada y la salida del amplificador. Entre las cuales se destacan :
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Los parámetros híbridos de esta red pueden ser medidos mediante las siguientes expresiones:
VBE I C I C VBE
hie hoe h fe hre
I B VCEQ kte
VCE IBQ kte
I B VCEQ kte
VCE IBQ kte
Figura 1. Ecuaciones de medición de parámetros híbridos para la configuración de Emisor Común.
3.2Base Común: Los parámetros híbridos de esta red pueden ser medidos mediante las siguientes ecuaciones:
VBE I C I C VBE
hib hob h fb hrb
I E VCBQ kte
VCB IEQ kte
I E VCBQ kte
VCB IEQ kte
3.3 Colector Común: Los parámetros híbridos de esta red pueden ser medidos mediante las siguientes ecuaciones:
I E VBC VBC I E
h fc hrc hic hoc
I B VCEQ kte
VCE IBQ kte
I B VCEQ kte
VCE IBQ kte
VBB VCEQ
IBQ
VBEQ
0 β
Figura 4. Transistor NPN Tabla1. Datos del diseño EC realizado para npn.
configurado en emisor común.
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4.1.1 Teniendo en cuenta las ecuaciones de la figura 1, determine los parámetros híbridos para el transistor en la
configuración emisor común. Consigne los valores y cálculos en la siguientes tablas:
4.1.2 Cambie el transistor por un PNP y repita el procedimiento anterior ajustando el circuito a dicho caso. Consigne
los valores y cálculos en la siguientes tablas:
4.1.3 Utilizando Orcad, encuentre los parámetros híbridos de cada uno de los transistores utilizados. Anexe las
simulaciones al informe.
Incluya en la siguiente tabla, para cada transistor utilizado, los parámetros encontrados mediante simulación y
experimentalmente.
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4.1.4 Dibuje el modelo hibrido H e incluya los parámetros obtenidos para el transistor NPN y el PNP utilizado
¿Qué puede decirse de los resultados obtenidos?
¿Los parámetros híbridos EC del transistor BTJ varían según el punto de operación en DC? Explique
Explique qué es hie, hfe, hre y hoe.
Para el circuito de la figura 7 (transistor NPN), diseñe un punto de operación en la recta de carga en DC de 0.5
anexando al informe los cálculos y consideraciones realizadas. (Utilice los mismos transistores que se usaron para
EC). Diligencie para el caso la siguiente tabla:
RE TEÓRICO PRACTICO
TRANSISTOR
RB VCC
ICQ
VCEQ
VBB VCC IBQ
VBEQ
β
0 Tabla 10. Datos del diseño CC realizado para npn.
Figura 5. Transistor NPN configurado
en colector común.
4.2.1 Teniendo en cuenta las ecuaciones de la figura 3, determine los parámetros híbridos para el transistor para la
configuración colector común. Consigne los valores y cálculos en las siguientes tablas:
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Tabla 11. Obtención de parámetros prácticos Tabla 12. Obtención de parámetros prácticos
para un transistor NPN y para un transistor NPN
4.2.2 Cambie el transistor por un PNP y repita el procedimiento anterior ajustando el circuito a dicho caso.
Consigne los valores y cálculos en las siguientes tablas:
Tabla 13. Obtención de parámetros prácticos Tabla 14. Obtención de parámetros prácticos
para un transistor PNP y para un transistorPNP
4.2.3 Utilizando Orcad, encuentre los parámetros híbridos de cada uno de los transistores utilizados. Anexe las
simulaciones al informe.
Incluya en la siguiente tabla, para cada transistor utilizado, los parámetros encontrados mediante simulación y
experimentalmente. Concluya acerca de los resultados
Tabla 7. Obtención de parámetros prácticos
y para un transistor PNP
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TRANSISTOR
Parámetro Simulación Practico Transistor
VCC
ICQ NPN
VCEQ
IBQ
VBEQ
β PNP
Tabla 15. Datos del diseño CC realizado Tabla 16. Comparación de los parámetros de simulación y
para PNP prácticos.
4.2.4 Dibuje el modelo hibrido H e incluya los parámetros obtenidos para el transistor PNP y el NPN utilizado.
Utilizando las ecuaciones de transformación convierta los parámetros híbridos experimentales de emisor común a
parámetros de colector común. Verifique las coincidencias entre hacer la conversión por las ecuaciones y los que se
hallaron directamente en colector común.
Obtenidos por
Obtenidos ecuaciones de
Parámetro Transistor
directamente transformación
EC a CC
NPN
PNP
Tabla 17. Comparación de los parámetros CC hallados directamente y a través de ecuaciones de conversión.
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4.3.2. Para cada configuración, mida la ganancia en corriente de cada transistor por separado y la que se obtienen
cuando forman el par Darlington. Analice el funcionamiento de una configuración Darlington.
Compare los resultados obtenidos reportando los hallazgos en una tabla (corrientes y ganancias) para cada caso.
4.4 Diseño :
A partir de los resultados encontrados en el numeral 4.1, escoger un transistor NPN O PNP , teniendo en cuenta los
parámetros híbridos , implementar un diseño de Polarización en Emisor Común, con capacitor de Desacople , en
donde la ganancia total de Voltaje sea de AVT = -20 , una carga de RL = 1KΩ. La señal de entrada será una de tipo
alterna con una frecuencia de 1KHZ .Asuma lo que se requiera.
¿Qué se Observa a la salida del diseño?
Comparar los datos y graficas con las simulaciones realizadas. Determine de su diseño Particular, la ganancia de
Corriente (AIT), la ganancia de Volatje (AVT) , las impedancias de Entrada (Zi) y la impedancia de Salida (Zo)
5.PREGUNTAS DE INVESTIGACIÓN:
Nota: Para el informe se deberá entregar este documento con los datos solicitados y como anexo las simulaciones
(pre informe), el análisis teórico, conclusiones y demás requerimientos establecidos por la guía.
RESUMEN
DESCRIPCIÓN DEL DISEÑO
ANÁLISIS DE RESULTADOS
CONCLUSIONES
BIBLIOGRAFÍA (USAR NORMAS APA)
PARA EL REGISTRO DEL INFORME SE DEBE UTILIZAR EL FORMATO DISPUESTO POR EL DOCENTE. LA
EXTENSIÓN DEL INFORME NO DEBE SUPERAR 10 PÁGINAS (SUGERIDO).
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6.RECOMENDACIONES:
6.1. DE DISEÑO:
Recuerde que los incrementos para cada uno de los casos no deben ser superiores a 5% respecto al punto de trabajo.
6.2. GENERALES:
Realizar simulaciones antes de la implementación de los circuitos.
Verificar el buen estado de los elementos de trabajo antes y después de finalizar la práctica ( Fuentes de Poder,
Multímetros, Osciloscopios, Generadores, sondas, etc)
Para el Préstamo de los equipos se tienen los primeros 15 minutos de la práctica y la entrega los 15 minutos finales.
7.BIBLIOGRAFÍA