Tema 1.

Física de Semiconductores

Tema 1
FÍSICA DE SEMICONDUCTORES: PROBLEMAS

Contenido
FÍSICA DE SEMICONDUCTORES: P ROBLEMAS ......................................................................................................................... 1

1. Problemas resueltos ....................................................................................................................................2

2. Problemas propuestos .................................................................................................................................9
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1. Problemas resueltos

1) Calcular la longitud de onda de la radiación luminosa necesaria para excitar al único electrón del átomo de
Hidrógeno desde el nivel energético básico hasta el segundo nivel.

DATOS

E1 E2 h c q

-13.6 eV -3.41 eV 6.6 10-34 Js 3 108 ms-1 1.6 10-19 C

La energía del fotón para excitar al electrón debe ser:

∆E = E2 − E1 = −3.41 eV + 13.61 eV = 10.19 eV = 1.63 10−18 J

Donde se ha tenido en cuenta que la relación entre la energía expresada en eV y J es

E (eV ) ⋅ q (C ) = E ( J )
donde q es la carga del electrón. Puesto que la energía del fotón y su frecuencia están relacionadas a través
de la constante de Planck y a su vez la frecuencia del mismo con la longitud de onda a través de la
velocidad de la luz en el vacío (otra constante) se puede llegar a la siguiente relación:

c hc 6.610−34 ( Js ) ⋅ 3108 (ms −1 ) °

E = hf = h →λ = = = 1.2110 −7
m = 0.121 µ m = 1210 Α
λ E 1.6310−18 ( J )

PROPUESTA: Demostrar que tal y como se indicó en los apuntes de clase, la longitud de onda en
Angstrom puede calcularse aproximadamente mediante la siguiente expresión dadas las energías de los
niveles en eV.

12400
λ=
E2 − E1
2) Hallar la concentración intrínseca de portadores del Silicio a 300 y 500 K.

DATOS

Eg me mh h q k

1.1 eV 9.84 10-31 kg 5.37 10-31 kg 6.6 10-34 Js 1.6 10-19 C 1.38 10-23 JK-1

La concentración de portadores en las bandas de conducción y valencia se podía determinar integrando el

producto de la densidad de estados de energía en dichas bandas por la función de probabilidad de Fermi-
Dirac. Dicha integración no es posible analíticamente aunque para semiconductores no degenerados, se
puede suponer válida la aproximación de Maxwell – Boltzmann, que permite determinar analíticamente el
resultado de dichas integrales. Este resultado junto con el hecho de que en un semiconductor intrínseco, la
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concentración de electrones es idéntica a la concentración de huecos permitía expresar la ley de acción de

masas como sigue:

 2π kT 
3

n = no po = 4  2  ( me mh ) e g
2 3/2 − E / kT
i
 h 
En dicha expresión, todos los datos son conocidos de modo que es posible determinar dicha concentración
para las temperaturas indicadas como:

1/ 2
  
3

  2 ⋅ π ⋅1.3810 ( J / K )300( K ) 
−23
ni ( 300 K ) =  4 ( 57.7610 (kg ) ) e
−62 ⋅ 10−19 ( J )/1.38 10−23 ( J / K )300( K ) 
2 3/2 −1.11.6

  ( 6.610−34 ( Js ) ) 
2

 
 
peh peh
ni ( 300 K ) = 1.141016 3 = 1.141010 3
m cm

En el cálculo anterior se han convertido todas las magnitudes a unidades del sistema internacional
resultando finalmente como unidades m-3. Al tratarse de una concentración de estados, se ha incluido en el
resultado peh haciendo referencia a los pares electrón – hueco que hay por unidad volumétrica.

Procediendo del mismo modo, a 500 K la concentración intrínseca valdrá:

peh peh
ni (500 K ) = 1.20 10 20 3
= 1.20 1014
m cm3

Como se puede apreciar, un aumento de temperatura de 200K multiplica por 10000 la concentración de
portadores libre y por lo tanto la influencia de la temperatura en la conductividad de un semiconductor
extrínseco aumenta considerablemente.

3) Se tiene Silicio tipo n con N d = 1015 cm −3 . La situación del nivel energético introducido por la impurezas

donadoras está situado a Ec − Ed = 0.04 eV y el nivel de Fermi intrínseco se asume situado justo en

medio de la banda prohibida. Calcular n0, p0 a temperatura ambiente, sabiendo que a esta temperatura la

concentración intrínseca vale ni = 1.5 ⋅1010 cm −3 .

A temperatura ambiente, es correcto considerar que todos los átomos donadores estarán ionizados por lo
que la condición de neutralidad de cargas en el semiconductor implica que:

no = N D + po

La concentración de impurezas es mucho mayor que la concentración intrínseca por lo que se puede realizar
la hipótesis (que posteriormente se comprobará) de que la concentración de minoritarios es mucho menor
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que la de donadores de modo que la concentración de mayoritarios será aproximadamente igual a la de

donadores.

Si po << N D → no ≈ N D = 1.5 ⋅1015 cm −3

Aplicando la ley de acción de masas se puede calcular la concentración de minoritarios como:

ni2
po = = 2.25⋅105 cm −3
no

El resultado anterior permite comprobar cómo la hipótesis de partida es válida pues hay 10 órdenes de
magnitud de diferencia.

4) Se tienen un semiconductor con Eg=0.24 eV a temperatura ambiente (300 K), cuyas densidades de estado
en las en las bandas de conducción y valencia vienen dadas por:

N e ( E ) = g c = 2 ⋅1018 estados / eV ⋅ cm3 si E > Ec

N h ( E ) = g v = 8 ⋅1020 estados / eV ⋅ cm3 si E < Ev

a) Razonar cualitativamente si Ei está por encima o por debajo de (Ec+Ev)/2.

b) Hallar las densidades efectivas de estados Uc y Uv, así como la posición del nivel de Fermi
intrínseco Ei y la concentración intrínseca ni suponiendo la aproximación de Maxwell – Boltzmann.
c) Si se dopa el semiconductor con impurezas que introducen un estado energético situado en
Eimp=Ec - 0.125 eV, y como resultado se desplaza el nivel de Fermi a la posición EF=Ev+0.15 eV,
razonar de qué tipo de impurezas se trata.
d) Calcular la concentración de electrones y huecos en dicho caso.

a) Si la densidad de estados es mayor en la banda de valencia que en la de conducción, para que

exista igual número de electrones que de huecos la función de probabilidad de ocupación por parte
de electrones debería compensar este efecto. Para compensarlo, toda la función, y por tanto el
nivel de Fermi también, debe estar desplazado hacia donde la densidad de estados sea menor. El
nivel de Fermi intrínseco estará por encima del punto medio de la banda prohibida.
b) La concentración de electrones en la capa de conducción se puede determinar integrando el
producto de la densidad de estados por la función de probabilidad de Fermi-Dirac como:

+∞ +∞ ( )
− E − E f / kT ( )
− Ec − E f / kT
no = ∫ N e ( E ) f ( E , T )dE = ∫ gc e dE = gc kTe
Ec Ec

donde hemos supuesto la aproximación de MB.

Están
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Si relacionamos esta expresión con la conocida y deducida en clase que relaciona la densidad
efectiva de estados con la concentración de portadores, podremos deducir que la densidad
efectiva de estados se puede calcular a partir de los datos conocidos:

( )
− Ec − E f / kT estados
no = U c e →U c = g c kT = 5.18⋅1016
cm3

De igual modo podemos calcular la densidad efectiva de portadores en la capa de valencia como:

estados
U v = g v kT = 2.07 ⋅1019
cm3
Una vez conocidas las densidades efectivas de estado en las capas de valencia y conducción, se
puede determinar la concentración intrínseca mediante la siguiente relación:

− Eg / kT
ni2 = U vU c e → ni = 1 ⋅1016 cm −3

En un semiconductor intrínseco, la concentración de electrones es igual a la de huecos por lo que

dividiendo las expresiones que nos relacionan ambas con la densidad efectiva de estados se
puede encontrar una relación entre el nivel de Fermi intrínseco Ei y los niveles Ev y Ec como sigue:

no U e−( Ec − Ei ) / kT E + Ev kT U v
= 1 = c −( E − E ) / kT → Ei = c + ln
po Uv e i v 2 2 Uc
Ei = Ev + 0.198 (eV ) = Ec − 0.042 (eV )
En el cálculo anterior se ha considerado que Ev y Ec están separadas por Eg.

c) Puesto que el nivel de Fermi está por debajo del nivel intrínseco, podemos afirmar que se trata de
impurezas aceptadoras y por tanto el semiconductor será de tipo p.
d) La concentración de portadores puede relacionarse con el desplazamiento del nivel de Fermi
respecto al nivel intrínseco y la concentración intrínseca del siguiente modo:

− ( Ec − EF ) / kT −( Ec − EF + Ei − Ei ) / kT −( Ei − EF ) / kT
no = U c e = U ce = ni e = 15.56 ⋅1014 cm −3

La concentración de huecos puede determinarse de igual modo o con la ayuda de la ley de acción
de masas:

ni2
po = = 6.43 ⋅1016 cm −3
no

5) Se tiene un semiconductor intrínseco de longitud L = 0.1 cm y sección uniforme con una banda prohibida de

anchura 1.1 eV, siendo las movilidades de los electrones y los huecos µe = µ h = 103 cm 2 / V ⋅ s . A
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temperatura ambiente, la concentración intrínseca es ni = 1.5 ⋅1010 cm −3 . Si se aplica una tensión de 10

V entre los extremos del semiconductor, calcular la densidad de corriente de arrastre total producida
suponiendo que las concentraciones corresponden a las de equilibrio térmico.

Las densidades de corriente de arrastre para los electrones y los huecos vienen dadas por las siguientes
expresiones:

J de = qnµ eξ
J dh = qp µ hξ
Al ser idénticas las movilidades para los electrones y para los huecos, la densidad de corriente de arrastre
total debida a los electrones y huecos vendrá dada por:

J d = J de + J dh = q( p + n)µξ

Puesto que la sección del semiconductor es homogénea a lo largo de toda su longitud, la diferencia de
potencial aplicada en sus extremos provocará un campo eléctrico constante en todo el semiconductor de
valor:

V
ξ= = 100 V ⋅ cm −1
L
Por otro lado al ser un semiconductor intrínseco, las concentraciones de huecos y electrones serán iguales a
la intrínseca de modo que la corriente de arrastre total puede finalmente calcularse como:

J d = 1.6 ⋅10−19 ( C ) 2 ⋅1.5 ⋅1010 ( cm −3 )103 ( cm 2 ⋅V −1 ⋅ s −1 )100 (V ⋅ cm−1 )

J d = 4.8 ⋅10−4 ( C ⋅ cm −2 ⋅ s −1 ) = 4.8 ⋅10−4 ( A ⋅ cm −2 )

6) Si el semiconductor anterior se dopa uniformemente con una concentración N d = 1015 cm −3 de donadores

y N a = 104 cm −3 de aceptores, calcular la densidad de corriente de arrastre total resultante suponiendo

que las concentraciones son las de equilibrio térmico.

Por los datos del enunciado, puesto que la concentración de donadores es mayor que la de aceptadores, el
semiconductor será tipo n. Además Nd-Na>>ni por lo que la concentración de portadores mayoritarios y
minoritarios pueden determinarse directamente de las concentraciones de impureza como:

n ≈ N d = 1015 cm−3
ni2
p≈ = 2.25 ⋅105 cm −3
n

Por lo que suponiendo las movilidades iguales la densidad de corriente total debida al arrastre en este caso
será:
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A
J d = J de + J dh = q ( p + n) µξ = 16
cm 2

Como se puede apreciar, la densidad de corriente ha cambiado considerablemente debido al dopado al que
ha sido sometido el semiconductor.

7) Si al semiconductor del problema 5) se dopa de tal modo que las concentraciones de electrones y huecos
vienen dadas por:

n( x) = 1012 ⋅ e − x cm −3
p( x) = 1012 ( x 2 + 2 ) cm −3
donde x está expresado en micras, determinar la corriente de difusión total medida en x=1 µm.

∂p ( x )
J dh ( x ) = − qDh
∂x
∂n ( x )
J de ( x ) = qDe
∂x
Para determinar los coeficientes de difusión utilizamos la movilidad y las relaciones de Einstein:

De Dh
kT cm 2
= = = 0.0258 (V ) → De = Dh = 25
µe µh q s
Las derivadas de las concentraciones vienen dadas por:

∂p ( x) cm −3
= 2 x ⋅1012 = 2 x ⋅1016 cm −4
∂x µm
∂n( x) cm −3
= −1012 e − x = −1016 e − x cm −4
∂x µm

Por lo que la densidad de corriente total debida a la difusión será:

J d ( x) = J dh ( x) + J de ( x) = −1.6 ⋅10 −19 (C ) ( 25 ⋅ e− x ⋅1016 + 50 x ⋅1016 ) (cm −2 ⋅ s −1 )

J d ( x) = −1.6 ⋅10−19 ( 25 ⋅ e − x ⋅1016 + 50 x ⋅1016 ) ( A ⋅ cm −2 )
mA
J d ( x = 1µ m) = −94.72
cm 2

8) Se tiene un semiconductor de sección uniforme, dopado con N d = N do e − ax cm −3 átomos donadores,

medido x en micras. Hallar el campo eléctrico interno que aparece en el caso de que el semiconductor se
encuentre en equilibrio térmico y en la zona donde se pueda considerar que es fuertemente extrínseco.
Calcular la diferencia de potencial desde x = 0 hasta un punto genérico x en el semiconductor.
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En equilibrio térmico, las corriente neta es nula. En particular, las corrientes netas de huecos y electrones
también serán nulas. La corriente neta de electrones o huecos es debida a la contribución de la corriente de
arrastre y la de difusión, de modo que:

∂n
J n = qnµeξ + qDe =0
∂x
D 1 ∂n kT 1 ∂n
ξ =− e =−
µe n ∂x q n ∂x
Si se considera la zona donde el semiconductor es fuertemente extrínseco, la concentración de electrones
será aproximadamente igual a la concentración de impurezas donadoras de modo que en esa zona el campo
eléctrico se puede expresar como:

−3
kT 1 − ax  cm  akT 4 V akT V
ξ =− ( − a ) N do e   = 10 =
 µm  q µm
− ax −3
q N do e  cm  q cm
Por definición, la diferencia de potencial eléctrico entre un punto situado en x y el origen vendrá dada por:

x akT akT V
V ( x) − V (0) = − ∫ dx = x
0 q q µm
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2. Problemas propuestos

1) En un semiconductor con me = mh , ni = 1.5 ⋅1010 cm −3 y Eg = 1.1 eV , se cumple que

Ec = EF + 0.3 eV . Hallar la concentración de huecos a temperatura ambiente.

Datos: ( kT = 0,0258 eV a T = 300 K)

Solución: 9.29 105 cm-3

2) Se tiene un semiconductor con ni = 1.5 ⋅1010 cm −3 y N d = 2.5 ⋅1010 cm −3 . Hallar las concentraciones de

electrones y huecos en equilibrio térmico a temperatura ambiente.

Datos: ( kT = 0,0258 eV a T = 300 K, q = 1.6 10-19 C)

Solución: p = 7.03 109 cm-3, n = 3.20 1010 cm-3

3) Se tiene un semiconductor con ni = 1.5 ⋅1010 cm −3 , N a = 2.4 ⋅1018 cm −3 y N d = 1.3 ⋅108 cm −3 . Hallar

las concentraciones de electrones y huecos a temperatura ambiente en equilibrio térmico.

Datos: ( kT = 0,0258 eV a T = 300 K, q = 1.6 10-19 C)

Solución: p = 2.4 1018 cm-3, n = 0.93 102 cm-3

4) Un semiconductor de Eg = 1.11 eV a la temperatura de 300 K tiene una concentración intrínseca de

ni = 1.5 ⋅1010 cm −3 . Hallar la concentración intrínseca a 600 K suponiendo que las densidades efectivas de

estado electrónicas en las bandas del semiconductor no dependen de la temperatura, es decir,

U c e U v ≠ f (T ) .

Datos: ( k = 1.38 10-23 JK-1)

Solución: ni(600 K) = 6.82 1014 cm-3

5) Las densidades efectivas de estados electrónicas en las bandas de un semiconductor tipo n son iguales, no

dependen de la temperatura y de valor U c = U v = 25 ⋅1018 cm−3 . El ancho de banda prohibida es

Eg = 1.11 eV . Hallar la concentración intrínseca a temperatura ambiente.

Datos: ( kT = 0,0258 eV a T = 300 K)

Solución: ni (300 K) = 1.14 1010 cm-3

6) Se tiene un semiconductor intrínseco con ni = 1.5 ⋅1010 cm −3 en el que hay un campo eléctrico aplicado de

valor ξ = 2 ⋅103V / m . Hallar la corriente de arrastre de electrones, si la movilidad de electrones y huecos

es de valor µe = µh = 103 cm 2 / V ⋅ s .
Datos: (q = 1.6 10-19 C)

Solución: Jae = 48 10-6 A/cm2

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7) Se tiene un semiconductor (de 100 µm de profundidad y ni = 1.5 ⋅1010 cm −3 a temperatura ambiente)

dopado con impurezas donadoras N d ( x ) = 1015 ⋅ e −100 x cm −3 , con x medida en cm. Hallar el campo

eléctrico en el interior del semiconductor, si la corriente neta de electrones es nula en equilibrio térmico.

Datos: ( kT = 0,0258 eV a T = 300 K, q = 1.6 10-19 C)

Solución: ε = 25.89V / cm
8) Se tiene un semiconductor intrínseco ( ni = 1.5 ⋅1010 cm −3 ) de forma cilíndrica. La longitud es 1 mm y el

radio 0,1 mm. Se crea un campo eléctrico en el interior aplicándole una tensión de 1 voltio entre los extremos
del semiconductor. La movilidad de electrones y huecos es aproximadamente constante y de valor

µe = µh = 103 cm 2 / V ⋅ s . Hallar el valor del flujo de arrastre de huecos, y la corriente total producida.
Solución: Φ h = 1.5 ⋅ 1014 cm −2 s −1 , I TOTAL
= 15.08 nA

9) Si al semiconductor anterior se le dopa con una concentración de impurezas donadoras

N d ( x ) = (1 − x ) ⋅10 20 cm −3 , medido x en cm, y se le deja en equilibrio térmico. Hallar los flujos de

electrones.

e ( x ) = Φ e + Φ e = − ( 2.58 + 1000 (1 − x ) ) ⋅ 10 cm s
−2 −1
Solución: Φ tot d dif 21

10) Se tiene Silicio ( ni = 1010 cm −3 ) dopado uniformemente con átomos de Fósforo en una concentración de

N d = 1016 cm −3 . Las movilidades de electrones y huecos son µe = 103 cm 2 / V ⋅ s y

µh = 0.5 ⋅ 103 cm 2 / V ⋅ s . Sabiendo que existe un campo eléctrico interno de ξ x = 102 V / cm en el

sentido positivo del eje X, hallar el valor de la densidad de corriente de arrastre de electrones en la dirección
X.

Datos: ( k = 1.38 10-23 JK-1, q = 1.6 10-19 C)

Solución: J ed = 160 A / cm 2

11) Se tiene Silicio ( ni = 1010 cm −3 ) dopado con átomos de Fósforo en una concentración que varía con la

profundidad según la ecuación N d ( x) = 1016 ⋅ e−10 x cm−3 , siendo x la profundidad en micras. Los

coeficientes de difusión de electrones y huecos son De = 25 cm 2 / s y Dh = 12.5 cm2 / s . Hallar el valor

de la densidad de corriente de difusión de electrones en la dirección X.

Datos: ( k = 1.38 10-23 JK-1, q = 1.6 10-19 C)

Solución: J edif = −0.4 ⋅ e−10 x A / cm 2