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1 INTRODUCCIÓN A LOS SEMICONDUCTORES

1.1 EL ÁTOMO Partícula sub-atómica Masa [kg] Carga [Coulomb]
La materia está constituida por átomos. Desde un punto de p+ 1.6726 1027  1.6 10 19 
vista eléctrico: átomo=[cantidad de protones (p ) con carga 
+
n 1.6748 1027 0 (sin carga)
en el núcleo + cantidad igual de electrones ( e– ) con carga
rotando a gran v alrededor del núcleo en órbitas del espacio] e– 9.1093 1031  1.6 10 19 

 Átomo = [Núcleo ( p+ + n )(carga  ) + Corteza (nube de e– rodeando al núcleo)(carga)]

 En el núcleo se concentra toda la [masa (masa de e– es despreciable), carga  ] del átomo.
 Debido a la rotación de los e– alrededor del núcleo, sobre ellos actúa una Fcentrifuga que trata de
alejarlos del núcleo, pero esta F se equilibra con la Fatracción (Felectrostática)(FCoulomb)(e–, núcleo
 ) que el núcleo ejerce sobre los e–, por lo que los e– se mantienen rotando en órbitas estables.
 Número atómico ( Z ) = Nº p+ que tiene el núcleo de un átomo de un elemento químico.
Número másico ( A ) = ( Nº p+ + Nº n ) ≡ ( Z + N ): [mátomo ≈ mnúcleo = ( mp+ + mn )](masa ≡ m)
A
 Nomenclatura de un átomo (o isótopo) X de un elemento químico: Z X [X: Símbolo del átomo]
 Átomo eléctricamente neutro→(Nº e– =Nº p+ =Z). El Z es lo que distingue a un elemento de otro.
 ( Átomos de un mismo elemento tienen igual Z )( Átomos de ≠ elementos tienen ≠ Z )
 Isótopos: Átomos de un mismo elemento, con igual Z, pero ≠ A  ( igual Nº p+, ≠ Nº n )  ≠ m
 ( 126 C, 136 C ) : Isótopos del C, ambos con ( 6 p+, 6 e– )( Z = 6 ); uno con 6 n y el otro con 7 n
 3 isótopos del hidrógeno: [ 11H ( Hidrógeno )(sin n en su núcleo), 21H ( Deuterio ), 31H (Tritio ) ]
Las propiedades químicas de un elemento están determinadas por los (p+, e– ), los n no participan en
los cambios químicos  los isótopos del elemento tendrán un comportamiento químico similar.
 Los átomos en estado natural son neutros. Los e– de la última órbita (de valencia) son los más
alejados del núcleo  perciben menos su Fatracción  pueden salirse de esa órbita, dejando al átomo
con carga  . Al proporcionar E a un e–, éste puede dejar el átomo venciendo la Fatracción que lo une
al núcleo. Cuanto más lejos se encuentre un e– del núcleo atómico, mayor será su nivel de E y por
tanto solo requiere una cantidad de E para superar la Fatracción del núcleo y quedar libre; un e– que
haya abandonado a su átomo, tendrá un nivel de E mayor que cualquier otro e– en la estructura atómica.
 Al quitar 1 e– del átomo, éste ya no es eléctricamente neutro, queda con carga  [ hay 1 p+ más
en el núcleo que e– en la corteza ( alrededor del núcleo )]  se forma un ión positivo ( catión )
 Un átomo puede captar 1e–  queda con carga (por tener 1 e– más)  ión negativo ( anión )
carga del ión
 Nomenclatura: X [ X: Símbolo del átomo ] → Ej.: ( Li+, O2–, Al3+ )
 Si al isótopo más abundante del H se le arranca su único e–  queda 1 p+ ( H+ )(protón)

 Masa atómica ( Mr )( Ar ): [ 1 unidad de masa atómica (uma)] = [( 1 / 12 ) masa del 126 C (isótopo
más abundante del C)] = 1.66  1027 kg [ ( 12uma = masa de 1 átomo de 12C )]. Todas las Mr son
masas relativas, representan cuántas veces la masa del átomo es > (1/12) masa de un átomo de 12C.
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–
 Configuración electrónica (distribución de e en los orbitales atómicos) más estable de un átomo: Si
su última capa (capa de valencia) tiene 8 e– [e– de valencia, los únicos que participan en reacciones
químicas y enlaces entre átomos]. Todos los átomos (excepto átomos de gases nobles) se combinan
entre sí, compartiendo/cediendo e–, para alcanzar esta configuración estable → Regla del octeto
 Átomo estable: Su última capa está completamente llena de e– o al menos tiene 8 e– en ella.
 Átomo inestable: Su última capa no está completamente llena de e–, ni tiene 8 e– en ella.
 Postulados de Bohr: Los e– están rotando alrededor del núcleo en ciertas órbitas circulares definidas
y estacionarias, asociadas a niveles de E; y en las que los e– no intercambian E. La transferencia de
un e– desde una órbita a otra con ≠ E, requiere de la absorción o emisión de una cierta cantidad de E.

Los niveles (1, 2) acomodan (2, 8)e– respectivamente, los cuales están ligados al átomo y no pueden ser
perturbados. En el nivel más externo ( capa de valencia )( 3 ) hay 4 e– de valencia, que ocupan 4 de los
8 estados permitidos en el número cuántico (n = 3), y su E es superior a la del resto de e– del átomo Si.
Capa (Shell) n > 0 0 ≤ ℓ ≤ (n–1) – ℓ ≤ mℓ ≤ ℓ mS =  1/2 niveles Nº máx. e–
NÚMEROS CUÁNTICOS
(QUANTUM NUMBERS)

(Nº máx. e– / capa) = 2n2

K 1 0 0  1/2 1s 2
0 0  1/2 2s 2
L 2 1 0  1/2
1 –1  1/2 2p 6
1 +1  1/2
0 0  1/2 3s 2
M 3 1 – – 3p 6
2 – – 3d 10
 n [define la Etotal de un e– en un estado cuántico particular; entero (1, 2, 3…). Los niveles de E en n
también se designan mediante capas electrónicas ( K, L, M, N, O, P…)( dentro de cada capa, los e–
ocupan orbitales, zonas donde  95% probabilidad de encontrar un e– ) ]; ℓ ( número cuántico
azimutal ); mℓ ( número cuántico de orbital magnético )[ dirección del momento angular orbital;
un e– en una órbita representa una carga acelerada  campo magnético asociado ]; mS ( número
cuántico espín)[e–, en su órbita, rota sobre su propio eje en 2 direcciones (únicas, opuestas) respecto
a su momento orbital  cada e– puede existir en 2 estados de rotación (intrínseca)(espín)(opuestos)]
 Principio de exclusión de Pauli : 2 e– no pueden compartir un mismo estado cuántico [identificado
por ( n, ℓ, mℓ, mS )]; no puede haber más de 1 e– en cualquier estado existente. La multiplicidad del
espín implica que en cada nivel energético sólo puede haber como máximo 2 e– con espín opuesto.
Los e– con igual n pero ≠ ℓ no tienen todos el mismo nivel de E. En una misma capa, con un valor
de n dado, un e– s (ℓ =0) tiene E más baja que un e– p (ℓ =1), y éste tiene menor E que un e– d, y así
sucesivamente. e– con igual ( n, ℓ ) y ≠ ( mℓ, mS ) tienen pequeñas diferencias de E, correspondientes
a ≠ niveles de E. Las capas más alejadas del núcleo son las que tienen (mayor n, las E más elevadas)
Principio de Aufbau : Los e– van ocupando los orbitales disponibles en orden creciente de E.
Principio de incertidumbre de Heisenberg : Es imposible conocer la situación exacta de un e–
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 Sólido cristalino: sus átomos/moléculas se encuentran dispuestos en el espacio de manera ordenada,
siguiendo una estructura periódica en las 3 direcciones del espacio (red cristalina/retículo cristalino)
Sólido amorfo: Tiene una estructura desordenada. No tiene estructura cristalina, (vidrio, plásticos)
 Enlace IÓNICO (heteropolar): Entre átomos con electronegatividades muy diferentes. Se forma al
captar el átomo electronegativo (capta e– con facilidad) el/los e– del átomo electropositivo (cede e–
con facilidad)  El/Los e– cedidos están localizados en el átomo electronegativo → (ion  , ion)
 Cesión de e– casi completa  cada átomo constituye un ion. La Fenlace es de tipo electrostático.
La estructura del sólido es de tipo reticular, con los (iones  , iones) localizados en los nudos
de la red cristalina; los cristales formados son [duros, malos conductores (térmicos, eléctricos)]
 Materiales con enlace iónico: óxidos (Fe2O3, MgO...), sales (ClNa, ClCs, CO3Ca...), H2O
 Ej. de formación de moléculas: ①Fluoruro de aluminio [ Al + 3 F → F3Al ][el átomo de Al
(1s2 2s2 2p6 3s2 3p1 ) cede los 3 e– de valencia; cada átomo de F ( 1s2, 2s2 2p5 ) capta 1 e– y así
completa con 8 e– su última capa (capa de valencia)]; ②Sal [ Cl2 + 2 Na → 2 ClNa ][el átomo
de Na ( 1s2 2s2 2p6 3s1 ) cede 1 e– de valencia; el átomo de Cl (1s2, 2s2 2p6, 3s2 3p5) capta 1 e– ]
 Enlace METALICO : Se forma al constituir los e– de valencia de cada átomo una nube electrónica
que actúa como pegamento entre los iones  metálicos, situados en los nudos de la red cristalina.
 En metales [grupos ( I, II, III )(pocos e– de valencia)(átomos electropositivos)]; e– no localizados
(no se comparten), se mueven con cierta libertad dentro de la nube electrónica/gas electrónico.
 Fenlace debidas al gas electrónico. La estructura del sólido es de tipo reticular, iones  en los
nudos de la red y el gas electrónico rodeándolos; constituye cristales dúctiles, maleables, y de
conductividad (térmica, eléctrica)(ya que los e– pueden moverse con libertad por toda la nube)
 Enlace COVALENTE (homopolar): Entre átomos con electronegatividades y no muy diferentes
 Las Fenlace se deben a la compartición de e–. La estructura del sólido es de tipo reticular, iones 
en los nudos y los e– entre ellos. Cristales duros, frágiles, conducen poco el calor y la corriente.
 Compuesto orgánico (CH4…); molécula homopolar (Cl2, O2...); semiconductor (Si, Ge, GaAs...)
 Átomos con configuración electrónica (s2 p2) en la última capa (4 e–); cada átomo comparte 4 e–
de su última capa con 4 átomos para tener 8 e– (s2 p6); los e– compartidos se localizan entre los
átomos que los comparten; (2 orbitales s, 2 orbitales p) se hibridan para formar 4 orbitales sp

 Un átomo semiconductor tiene 4 e– en su capa de valencia (última capa)  inestable  2 opciones

para hacerse estable: ①desprenderse de los 4 e–, ②compartir 4 e– para tener 8 e– y hacerse estable.
②(Si, Ge, GaAs)(semiconductores) cristalizan en el sistema cúbico con red centrada en las caras.
El GaAs cristaliza en una estructura zinc-blenda; (Si, Ge) cristalizan en una estructura de diamante
(cada átomo rodeado por otros 4 átomos iguales, a igual distancia espacial); en estado cristalino, los
átomos ocupan posiciones tetraédricas en el interior de una red reticular similar a la del diamante.
 La unidad básica de un cristal se llama celda unidad (unit cell), que se repite espacialmente.
Un cristal semiconductor está formado por átomos enlazados entre sí de manera covalente. Un átomo
de (Si, Ge) se combina con otros 4 átomos iguales compartiendo 1 e– con cada uno de ellos, comparte
sus 4 e– de valencia formando enlaces covalentes, completando así con 8 e– su capa más externa.

 Nº átomos en una celda: 1 en cada esquina ( 8); 1 en cada cara ( 6); 4 internos en las diagonales.
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1.2 MODELO DE BANDAS DE ENERGÍA (E)
 Según la mecánica cuántica, los e– de átomos aislados solo pueden existir en determinados niveles
de E discretos. En un átomo aislado, los niveles de E permitidos de los e– están bien definidos, pero
al interaccionar varios átomos entre sí se perturban, de manera que si en N átomos iguales que
interaccionan entre ellos, se mira conjuntamente el que debiera ser el mismo nivel energético, éste
aparece desdoblado en N niveles muy próximos, formando bandas de niveles de E  en un sólido
cristalino/cristal el nº átomos es tan  que los niveles de E forman bandas continuas, resultado de
la superposición de los ≠ niveles de E de los (átomos)cristal. Los átomos se agrupan (se unen unos con
otros) de forma ordenada formando una red cristalina; por la proximidad de los átomos entre ellos,
las órbitas, en donde están los e– de un átomo, se ven afectadas por la presencia de átomos vecinos, y
dichas órbitas se solapan entre sí dando lugar a bandas continuas de E, en las cuales puede haber e–
 Niveles de E en un átomo aislado : Niveles energéticos bien definidos y separados unos de otros.
 Ocupación de los orbitales atómicos ( s, p, d, f )(niveles de E discretos permitidos) disponibles:
 Principio de exclusión de Pauli: Sólo se permiten 2 e– máx. en cada nivel de E diferente.
 Niveles de E en un sólido cristalino (unión de N átomos iguales, N es del orden de 1023 átomos):
 Ocupación de los N orbitales: Principio de exclusión de Pauli (2 e– en cada nivel de E diferente)
Necesidad de superponer (N orbitales s, N orbitales p, N orbitales d, N orbitales f…)
 N átomos  N niveles  BANDAS : Al formarse un sólido mediante la unión de N átomos, los
niveles de E cambian, se forman N niveles de E por cada nivel de E que haya en un átomo 
desdoblamiento de nivel de E (energy level splitting); el grado de desdoblamiento ↑ cuanto
mayor sea la interacción entre los (átomos)sólido  (interacciones entre e–, principio de
exclusión de Pauli) provocan desdoblamiento de los niveles de E dando lugar a la formación de
bandas continuas de E (con niveles discretos de E muy juntos). Los e– de los (átomos)sólido solo
pueden ocupar ciertas bandas, y van llenando las bandas vacías en orden ↑ (de menor a mayor E)
 Solo los e– de las capas más externas de un átomo participan en el enlace con otros átomos, el resto
de e– sigue unido a sus núcleos respectivos. En un enlace covalente, como el de muchas moléculas
di-atómicas homopolares (H2, Cl2,...), la interacción de los e–de enlace con el potencial eléctrico de
los 2 núcleos atómicos da lugar al desdoblamiento de los niveles de E originales de esos e–, creando
2 niveles nuevos separados por ΔE, uno ( estado fundamental )(e– de enlace moviéndose alrededor
de los núcleos atómicos, en los orbitales moleculares) con E más baja que el nivel original, y el otro
(estado excitado) con mayor E. Los e– de enlace se sitúan en los nuevos niveles de E, ocupando 1º
los de menor E, y por el principio de exclusión de Pauli (cada subnivel de E puede alojar a 2e– como
máximo, debido al apareamiento del espín), si cada átomo aporta 1 e– al enlace, los 2 e– se sitúan en
el nivel inferior (el de menor E) con sus espines apareados, dejando vacío el nivel superior (el de
mayor E, y susceptible de ser ocupado si la molécula está en estado excitado). El resto de e– de las
capas más internas (las más cercanas al núcleo atómico) no participan en el enlace y se mantienen
en los orbitales atómicos originales, con una E casi igual a la que tenían con los átomos separados.
En una molécula simple aislada, formada por N átomos iguales, los e– de las capas más internas se
mantienen en sus niveles originales y los e– de enlace se sitúan en nuevos niveles originados por el
desdoblamiento de los últimos niveles atómicos. El desdoblamiento producido provoca la aparición
de N niveles nuevos (subniveles) donde se sitúan los e– de enlace, ocupando 1º los de E más baja.
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En (semiconductores, metales) en los que el nº átomos participantes en el enlace covalente es [≈
1023(átomos/ cm3)]: La interacción de los e– de enlace con los N átomos da lugar al desdoblamiento
de los niveles atómicos originales más elevados en un total de N nuevos subniveles. La diferencia
(ΔE) entre el subnivel de E más bajo y el más alto es independiente del nº total de (átomos )molécula,
y es de pocos eV, por lo que los subniveles individuales están próximos entre sí, separados por una
E, ya que N es . La continuidad en E de los subniveles permite hablar de una banda de E de
pocos eV de ancho, constituida por N subniveles, y capacidad para alojar 2N e– provenientes de los
e– de valencia de cada átomo. Si cada átomo aporta 1e–, la banda quedaría ocupada hasta la mitad;
si aportan 2e–, la banda quedaría completamente ocupada; esta banda ocupada por e– de valencia se
llama banda de valencia (BV). Los orbitales atómicos originales de los e– de valencia forman, por
solapamiento de unos con otros, nuevos orbitales que se extienden espacialmente por todo el sólido.

 ① Formación de bandas de E al ↓ distancia inter-atómica ( d )(T = 0K) en una red cristalina de N

átomos de Si ( 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2 ): con los átomos aislados, todos los estados de E hasta el nivel 3p
están llenos con el nº máximo de e– que pueden alojar ( 2 e– con sus espines apareados ); el 3p tiene
6 estados cuánticos  necesita 6 e– para llenarse (1e– / estado), pero solo 2 estados están llenos, (2e–,
4 vacantes). Los niveles (3s, 3p) tendrán ( Es, Ep ) respectivamente, ( d1 ); a T, algunos e– podrán
saltar desde 3s hasta algún estado vacío del 3p. Para ( d ), el nivel 3p en la capa M y todos los
niveles de E más bajos se muestran en el diagrama como líneas rectas continuas, ya que los átomos
aún no han empezado a interactuar entre ellos. A ir ↓ d empieza a observarse la interacción mutua
entre los átomos; los orbitales forman, por la distorsión creada, un sistema electrónico único, y se
empiezan a formar bandas de E; el nivel 3p se desdobla 1º, seguido por el nivel 3s; a ( d )( d2 ),
las 2 bandas formadas por los niveles (3s, 3p) se juntan y forman una sola banda que contiene 8N
estados (4N estados sin e–, 4N estados con 4N e–); a una d0 (normal atomic spacing)(equilibrium
interatomic distance) la banda se desdobla en 2 (BC, BV), separadas por Eg y con 4N niveles/banda.
Niveles de E producen (bandas estrechas, gap); niveles de E producen (bandas anchas, gap)
 ② El nº e– disponible en la BC es f (T). A (T = 0K)(cero absoluto)(o T) y como los e– tienden a
ocupar 1º los niveles de E más bajos posibles, habrá 4N e– llenando completamente la BV; no hay e–
en la BC. A T (T >> 0K), los e– pueden ser excitados (excitación térmica) desde la BV hasta la BC.
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Desdoblamiento de niveles
de energía ( E )
al ( ↓ d ) (distancia inter-
atómica) para un metal (Cu),
un aislante (SiO2), y un
semiconductor (Si)
 La teoría de bandas de E en un material permite explicar su capacidad para conducir o no la Ieléctrica
[niveles de E, separación ( Eg )( gap ), nº e–…]bandas están determinados por factores intrínsecos
(tipo de enlace, distancia interatómica...) del material y extrínsecos (T, %impurezas…) al material.
 ① Li (buen conductor metálico): Se ven los estados disponibles en un átomo aislado; luego, con N
átomos aislados, los estados de E disponibles (capacidad de los orbitales) se ven multiplicados por
N, pero los niveles energéticos permanecen básicamente idénticos. Cuando los N átomos están muy
cercanos entre sí, como en una red cristalina en un sólido, la capacidad electrónica se multiplica
por N, y los niveles disponibles ya no coinciden con los niveles de E de los N átomos aislados, pues
se expanden para formar bandas de E. Las regiones entre las bandas son zonas [bandas prohibidas
( BP ) o barreras energéticas] que no pueden ser ocupadas por e–. En el átomo de Li, el orbital 1s
está ocupado por 2 e–, el 2s está parcialmente ocupado (por 1 e–) y los 2p están vacíos  ( la banda
2s es la BV; la banda 2p es la BC ). En general, en metales conductores, (BV, BC) son casi contiguas.
②Na, BV(parcialmente llena) sobrepuesta con la banda adyacente vacía (BC)  metal muy conductor.

① Formación de bandas
energéticas en N átomos
inter-actuantes de Li
②Sobre-posición de las
bandas de E en un muy
buen conductor ( Na )
 Banda de valencia – BV : Banda completamente ocupada (o semi-ocupada) por e– (no móviles)
 Última banda con estados/niveles de E posibles/permitidos, ocupados por los e– de valencia (de
enlace)(los más alejados del núcleo, son los únicos que interactúan con otros átomos, formando
enlaces covalentes con los e– de átomos adyacentes).Todas las bandas por debajo de la BV están
ocupadas por e– ligados a sus átomos y no participan en procesos de conducción. Algunos de los
e– en los niveles de E más altos de la BV pueden adquirir suficiente E y poder saltar hasta la BC.
 Banda de conducción – BC : Banda vacía o parcialmente ocupada de e– (desligados de sus átomos)
 1ª banda con estados/niveles de E (posibles/permitidos) vacíos (sin e–), que pueden ser ocupados
por todos aquellos e– que rompieron su enlace covalente y pueden moverse con cierta libertad
(e–libres, en realidad quasi-libres) dentro del material; responsables de la conducción de Ieléctrica
 BV, BC : ① separadas por una banda prohibida – BP [banda de niveles de E no permitidos para
los e–. Impide (o dificulta) que los e– salten desde la BV hasta la BC] → (aislante, semiconductor); o
② (solapadas, contiguas), permitiendo una transición fácil de e– de una banda a otra → (conductor)

( Ancho de BP )( Energy gap )( Eg )( EG )( Esalto de banda ) = [ Econducción ( Ec ) – Evalencia ( Ev ) ] [eV]

 Emin necesaria para que un e– de valencia pueda romper su enlace y saltar de una banda a otra.
 Niveles de E: Ec (nivel energético más bajo de la BC); Ev (nivel energético más alto de la BV)
 La mayor diferencia entre los diferentes materiales radica en su Eg [ es f (tipo de material, T)]
Eg determina las características de conducción de los materiales (aislante, conductor, semiconductor)
Las (propiedades eléctricas)sólido cristalino dependen de la posición relativa entre las bandas de E.
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–
 Requisitos para la conducción eléctrica : ① Debe haber una banda de E parcialmente llena de e ,
cerca de otra banda con niveles de E más altos y vacíos; niveles de E vacíos en bandas próximas
(en la BV o en la BC)[los e– ocupan 1º las bandas inferiores (de menor E)]–②Existencia /Aplicación

de un campo eléctrico ( E ) para acelerar a los e– que se encuentran en una banda parcialmente llena.
Las bandas internas llenas NO colaboran en el transporte de carga eléctrica, no hay posibilidad de
excitar un e– a otro nivel de E vacío. La banda más externa (la última banda) SÍ puede colaborar:
 Banda externa llena: Los e– pueden ser excitados a otra banda superior (necesariamente vacía)
 Banda externa no llena: Los e– pueden ser excitados hasta niveles energéticos superiores (vacíos)
dentro de la misma banda o de otra banda superior, la cual debe estar necesariamente vacía.
 Cerca del 0 absoluto, los e– de la BV ocupan los niveles de E más bajos, formando parte del enlace
entre átomos; si la banda no está totalmente ocupada, los niveles de E más altos dentro de la banda
permanecerán vacíos. A T mayores, una fracción apreciable de e– puede ser excitada a niveles con
E superior, siempre que estén vacíos. La existencia de niveles de E vacantes en una banda permite a

los e– moverse dentro del cristal bajo la acción de un campo eléctrico ( E ) aplicado. El movimiento
de los e– en el cristal implica una ganancia en Ecinética y por tanto en su Etotal; este ↑ E sólo ocurre si
 niveles de E vacantes en la BV, de manera que los e– en su movimiento puedan saltar hasta ellos.

Banda totalmente ocupada  aplicar un E no implica necesariamente un desplazamiento neto de e–

en la dirección del E , aunque los e– puedan tener cierta movilidad dentro de la banda. La ausencia
de niveles energéticos vacantes hace que el desplazamiento de un e– esté siempre compensado por
el movimiento de otro e–, pero en sentido opuesto  La presencia de e– en una banda (BV o BC),
en la cual  niveles/estados de E vacantes a los cuales los e– se puedan trasladar, es una de las
condiciones para que los e– de esa banda participen en los procesos de conducción eléctrica al

aplicar un campo eléctrico ( E ). Sólo una banda parcialmente llena de e– puede contribuir a la
conducción; bandas completamente llenas o vacías de e– no contribuyen a la conducción eléctrica.
Analogía mecánica (tubo de vidrio herméticamente cerrado, con agua en su interior): (a) Tubo lleno
sin movimiento del agua al inclinar el tubo. Si no está completamente lleno, debido a que el agua
ocupa sólo un cierto vol. del tubo (b), o a la presencia de burbujas de aire (c), el agua se mueve al
inclinar el tubo. En (c), el movimiento se detecta por el desplazamiento de las burbujas en sentido
opuesto al del agua  debe haber un vol. desocupado de líquido para que el agua pueda moverse.
Analogía mecánica del fenómeno de la
conducción eléctrica debido al desplazamiento
de los e– hasta niveles de E vacantes (vacíos)
TIPOS DE MATERIALES (AISLANTES-CONDUCTORES-SEMICONDUCTORES)
 Desde el punto de vista eléctrico, los materiales se dividen en 3 categorías según su conductividad:
(aislantes, conductores, semiconductores), con una estructura típica de bandas de E [ a ( T > 0K ) ]:
[Aislante (  > 105 ); semiconductor ( 10–3 <  < 105 ); conductor (  < 10–3 )];  (resistividad)[  cm]
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 Aislante : BV separada de la BC por una BP. A (T = 0K o T) todos los niveles de E de la BV
están ocupados (BV completamente llena de e–), y los de la BC están vacíos (BC vacía, sin e– libres);
los e– de valencia (en la BV) no pueden ser arrastrados por un campo eléctrico ( E ) aplicado, ya que
no pueden acelerarse, al no haber disponibles estados vacíos en la BV y la E que podría suministrar
E no llega para superar la Eg. A Tamb (300K) la mayoría de los e– de valencia no pueden excitarse
y saltar hasta la BC, porque la Etérmica que obtienen por excitación térmica es insuficiente (<< Eg)
para romper sus enlaces covalentes y saltar la BP, necesitan una E para hacerlo  el contenido
calórico ( Etérmica ) de un aislante a T ordinarias no llega para llevar a un nº apreciable de e– a la BC.
 Si E es suficientemente intenso para que un e– supere la BP y llegue a BC  ruptura dieléctrica
 Propiedades eléctricas dominadas por los fenómenos de polarización: deformación de la nube
electrónica que rodea a átomos/moléculas por efecto del E aplicado, formando dipolos eléctricos.
Algunos aislantes tienen cierta conductividad(), debido a factores externos (impurezas, defectos
del material), que originan una inyección de e– en la BC; por excitación térmica (aporte de Etérmica)
muy pocos e– consiguen saltar la BP y ocupar niveles de E vacíos en la BC  ↑sensiblemente las
(propiedades conductoras)aislante. Nivel de E de Fermi (EF) localizado en la mitad [≈ (Eg / 2)] de la BP.
Un aislante se caracteriza por: ( densidad de portadores de carga casi nula, BC vacía ); sus átomos
ofrecen resistencia al paso de e– a través de ellos [los e–de valencia están fuertemente ligados a
los núcleos atómicos  muy pocos pueden liberarse para desplazarse con libertad a través de toda
la estructura molecular)] muy mal conductor (o apenas conduce) de Ieléctrica  conductividad 
El aislante perfecto para aplicaciones eléctricas sería un material absolutamente no conductor, pero
no existe. Los materiales usados como aislantes siempre conducen algo, pero tienen una resistencia
al paso de Ieléctrica de hasta 2.5  1024 veces mayor que la de los buenos conductores como (Ag, Cu)
Ejemplos de materiales aislantes: vidrio, porcelana, madera, nylon, cuarzo, mica, baquelita, resinas
sintéticas, plásticos (polietileno), aire (también buen aislante del calor), SiO2, C, diamante puro…

 Conductor :  BP, (BC, BV) solapadas (superpuestas) o contiguas  los e– de valencia necesitan
una E para saltar desde la BV a la BC, donde pueden moverse fácilmente y generar una Ieléctrica.
Los e– pueden ser excitados a niveles de E vacíos y próximos [dentro de la BV (los e– de valencia) o
de la BC (e– libres)(ya que en BC hay muchos estados vacíos)] mediante la E aportada por un campo
eléctrico ( E ) aplicado o la Etérmica extra que adquieren los e– debido a un ↑ T (excitación térmica).
BV llena o semi-ocupada por e– de valencia. Un buen conductor se caracteriza por: [ densidad de
portadores de carga; BC parcialmente llena (hay muchos niveles energéticos ocupados) de e– libres
(únicos portadores de carga)]; sus átomos ofrecen resistencia al paso de e– a través de ellos [e–
de valencia están débilmente ligados al núcleo atómico  pueden liberarse fácilmente y desplazarse
por toda la (estructura molecular)material, siempre que haya aplicada una (d.d.p, tensión eléctrica)]
En los metales,  un enlace covalente compartido entre todos los átomos, y cada átomo aporta 1 o
varios e– de enlace, según la valencia del metal  los e– están dentro de una banda de E única (BC),
que tiene un nº de niveles de E vacantes. A 0K, todos los e– de esta banda ocupan los niveles de E
más bajos hasta un cierto valor de E, por encima del cual el resto de niveles está vacío. A (T > 0K),
la existencia de niveles vacíos con mayor E permite a los e– saltar hasta ellos por excitación térmica.

Al aplicar un E , los e– se desplazan saltando entre niveles vacíos, participando así en la conducción.
 Si ( ↑ T )  [( ↑ resistividad )( ↑ resistencia al paso de Ieléctrica )]  ( ↓ conductividad )conductor
Un ↑T para facilitar el salto de e– y así ↑conductividad, también produce ↑ agitación térmica de
los átomos (y por tanto de los e–), aumentando los choques entre ellos  ↑( resistividad )material
 9
 Al aplicar un E , predominan los fenómenos de conducción, debido al movimiento de e– libres
dentro del material arrastrados/guiados por ese E . Nivel de E de Fermi ( EF ) ubicado en la BC.
 Los mejores conductores de Ieléctrica son los (metales y sus aleaciones) (conductores metálicos)
 Conductores no metálicos: (grafito, soluciones salinas, materiales en estado de plasma)
 Algunos elementos conductores: ( Cu, Ag, Au ), (Fe, Ni, Pt), (Al, Sn, Pb), ( Na, K, Mg, Ca )
En un conductor metálico la conducción es electrónica, los portadores de carga son e– libres y
la electricidad circula a través de la materia. En conductores electrolíticos [electrolitos (ácidos,
bases o sales disueltas/fundidas)] la conducción es iónica; cuando sus moléculas se disuelven /
funden, se disocian total/parcialmente formando iones (  o)(portadores de carga); el paso de
Ieléctrica corresponde a un desplazamiento de material, viene acompañada de una reacción química.
Conductor gaseoso: en estado normal, los gases no son conductores, pero pueden convertirse en
buenos conductores si están ionizados. La conducción a través de un gas no sigue la Ley de Ohm.
Superconductor: A T cercanas al 0 absoluto adquiere conductividad ∞, la resistencia al flujo de
cargas por su interior es 0. Una vez establecida la Ieléctrica, los e– fluyen por un tiempo indefinido.

 Semiconductor : ( BC, BV ) separadas por una BP muy estrecha, con una Eg (< Eg del aislante) 
un aporte energético es suficiente para que los e– de valencia pueden saltar dese la BV hasta la BC.
Se comporta como conductor o como aislante, dependiendo de diversos factores (campo eléctrico o
magnético aplicado, p, radiación incidente sobre él, T del ambiente en el que esté). Son materiales
que, respecto a su conductividad eléctrica, se encuentran entre los materiales aislantes y los metales.
 A T (0K o próximas al 0 absoluto), todos los e– están en reposo y ordenados en la BV, ocupando
los niveles más altos de E, y no tienen E suficiente para saltar hasta la BC, a los niveles de menor E
disponibles; todos los e– de valencia forman parte de un enlace covalente y por tanto no están libres

 no pueden ser arrastrados mediante un campo eléctrico ( E ) aplicado [ BV llena (sin estados de
E vacantes), BC vacía]ambas bandas no contribuyen al mecanismo de conducción de la Ieléctrica:
 A ( T = 0K )(o T próximas al 0 absoluto) un semiconductor se comporta como un aislante
 La conductividad es casi nula a ( T = 0K )(0 absoluto) ya que no hay (e– libres en BC, h+ en BV),
y la Etérmica disponible para la generación de portadores de carga (e–, h+) es nula o insuficiente.
 Al ( ↑ T )( T > 0K ) de un semiconductor puro, los e– de la BV ganan Etérmica  algunos e– pueden
alcanzar una E ≥ ( Eg )BP y saltar hasta la BC donde pasan a ser e– de conducción [e– quasi-libres, se
comportan como e– libres de masa efectiva ( mn )]; ganan suficiente E como para romper sus enlaces
covalentes, liberándose de la atracción que ejerce el núcleo atómico sobre ellos y así poder moverse
con relativa libertad desde un átomo a otro dentro de la red cristalina al aplicar un campo eléctrico

( E ). Al saltar un e– desde BV a BC deja un estado vacío (hueco)( h+) en BV  se crean pares (e–, h+)
[ BV llena en su mayoría, BC parcialmente llena ]  ambas contribuyen a la conducción de Ieléctrica
Al ( ↑ T )  ( ↑ agitación térmica de los e– )  ↑ Nº enlaces covalentes rotos  ↑ Nº ( e–, h+ ) [ ↑
concentración de portadores de carga libres ( e– en la BC, h+ en la BV ) ][ a ( T > 0K ), la Etérmica
disponible para su generación empieza a ser importante] ( ↑ Ieléctrica ) ↑ conductividad eléctrica
 A T, un semiconductor se comporta como un aislante; a T (medias, ), su comportamiento se
acerca al de un metal. En Si [1022 átomos / cm3], el nº e– que, por excitación térmica a Tamb, pueden
saltar hasta la BC es del orden de (1010 e– libres / cm3)  conductividad más  que la de un metal.
En un semiconductor puro (intrínseco), la conducción se debe a (e–, h+) generados térmicamente.
[e– conductores en BC, h+ conductores (debidos a e– de valencia que saltaron desde BV a BC) en BV]
 10
– –
 Los e de valencia tienen Eenlace y la E necesaria para romper el enlace es la ( Eg )BP; los e de BV
pueden recibir esta E mediante (procesos de excitación térmica, aplicación de un potencial eléctrico,
iluminación) y saltar hasta los niveles de E vacantes de la BC. Mediante excitación térmica [cuando
(↑ Tmaterial )][a Tamb (300K)], una fracción apreciable de e– de valencia ganan E de la red cristalina,
debido a las vibraciones de los átomos, en cantidad suficiente para romper su enlace covalente, y
saltar desde la BV hasta la BC, donde hay una cantidad de niveles de E vacíos, que junto con las

vacantes generadas en la BV, hacen que los e– participen en procesos de conducción al aplicar un E
Se producen e– libres (e– de valencia excitados que saltaron a la BC) en la BC y el correspondiente
nº h+ generados en la BV; no están estáticos, están en continuo movimiento dentro del cristal; la

Emovimiento procede del E o de la ( Etérmica )cristal [E impartida por las vibraciones de los (átomos)red]
 Cada e– que  en la BC es porque se ha roto un enlace covalente en la BV, y el e– superó la BP  en
la BV se genera un hueco/vacante ( h+ )(partícula ficticia con carga  [de (igual magnitud, sentido
opuesto) a la carga del e–], representa la ausencia temporal de un e–)(una vacante en un enlace
covalente roto) dejado por un e– que migró a la BC, quedando un enlace covalente incompleto, que
se restaurará si: ① un e– en la BC retorna a la BV  recombinación de un par (e–, h+) – ② un e– de
valencia es transferido desde uno de los enlaces covalentes adyacentes mediante la aplicación de un

E (campo eléctrico)  al quedar un h+ en la BV, un e– de la BV, perteneciente a un enlace próximo
y cercano al h+, puede ocupar ese h+ generando a su vez otro h+ en el lugar donde estaba ese e–, que
a su vez sería ocupado por otro e– de la BV, dejando un nuevo h+, y así sucesivamente. Este proceso
origina un desplazamiento del h+ en sentido opuesto al del e– que realiza el salto  mediante un
intercambio repetido del h+ con los e– de valencia próximos, se origina un movimiento del h+ desde
un punto a otro del cristal, con un consumo de E  Ieléctrica(total) = I de e– en la BC [bajo la acción

del E , los e– libres de la BC sufren una Farrastre y adquieren cierta v, creando un flujo de cargas
 
en sentido opuesto al del E ] + I de e– en la BV [los e– de la BV también ganan v debido al E , lo que
les permite moverse hasta h+ disponibles; esta I puede describirse como una I debida al movimiento

de h+ (flujo de cargas  ) en el mismo sentido que el del E , opuesto al sentido de movimiento de e–]
Los h+ de la BV tienen un comportamiento similar al de los e– de la BC; pueden moverse dentro del
cristal  se les puede asociar una Ecinética (de movimiento) (en realidad se trata de la E de los e– de
valencia que se desplazan en sentido opuesto ocupando las posiciones de los h+). El h+ se mueve

con E dentro de la BV y tiene carga   puede ser arrastrado con cierta movilidad mediante un E .
A (e–, h+) de un semiconductor puro se les llama ( portadores de carga )( portadores intrínsecos )
 Definimos a un semiconductor como: elemento bipolar con 2 tipos diferentes de cargas móviles
(portadores de carga)[electrones (e–) de la BC, huecos (h+)  de la BV], que son responsables de
transportar la carga eléctrica y por tanto responsables de la Ieléctrica [(Ieléctrica de e– )+ (Ieléctrica de h+)]
 Un e– que salta a la BC deja un h+ en BV, el cual puede moverse
por el interior del material como una partícula con carga  . Al
desplazarse un e– hacia la dcha. (→) para llenar un h+, ese h+ se
desplaza en sentido contrario (←), y es ocupado por otro e–, que
a su vez deja otro h+  portadores se mueven [movimiento de
e– en (BC, BV), movimiento de h+ en la BV] en sentidos opuestos.
 Modelo de enlace covalente de un semiconductor: Representación bidimensional de la red reticular
del diamante, en la que cristalizan el (Si, Ge); cada átomo está enlazado con sus 4 átomos vecinos,
compartiendo con cada uno, 1 e– de sus 4 e– de valencia (de los orbitales más externos), formando
un enlace covalente. (a)( T = 0K )( 0 absoluto)( T ); (b) Tamb (300K ); (c) generación de un par
(e–, h+); al liberarse un e– de su enlace, éste es libre de moverse por toda la red y ocupar un h+ vacío.
 11

 ① Al ↑ E de un e–, éste ocupa un nivel de E mayor en la banda (BV o BC) en la que se encuentre; el
↑ E de un h+ se debe al ↑ nivel de E del e–. Al moverse un e– hacia arriba dentro de la BV, se crea un
h+ que se mueve hacia abajo dentro de la BV, ocupando un nivel de E menor al del e–  un ↑ E del
h+ está asociado con su movimiento hacia abajo dentro de la BV. Un e– localizado en el nivel más
bajo de la BC, en reposo, tiene ( Epotencial = Ec, Ecinética = 0 ); un h+ localizado en el nivel más alto de
la BV, en reposo, tiene (Epotencial = Ev, Ecinética = 0). [e– localizados por encima de Ec, h+ localizados
por debajo de Ev] se dice que tienen una Ecinética dada por la diferencia entre la E del nivel donde
estén y el nivel de E del extremo [tope ( Ev ) o fondo ( Ec )] de la banda en la que están localizados.
La escala vertical representa la Etotal ( E ) de los niveles de E en la (BV, BC). En el esquema, el valor
de E corresponde a la Emin necesaria para romper un enlace, lo que a su vez implica que ( e–, h+ )
generados quedan en reposo en los niveles de E correspondientes al fondo ( Ec ) de la BC, y al tope (
Ev ) de la BV, respectivamente. En este proceso de ruptura de un enlace, cualquier exceso de E
absorbida sobre el valor de Eg obedece bien sea a que el e– liberado procede de un nivel de E < Ev
en la BV, o a que el nivel de destino en la BC tiene E > Ec; en uno u otro caso, se imparte al e– o al
h+ creado una E adicional que se traduce en Emovimiento a través del cristal. Si E representa la Efinal
del e– una vez que pasa a la BC, (E – Ec) es la Ecinética asociada al movimiento del e– en la BC; si el h+
generado en la BV se encuentra en un nivel energético E (por supuesto diferente al del e–), ( Ev – E )
representa la Ecinética del h+. En uno y otro caso, puesto que E representa la ( Etotal )partícula, E = ( Ecin
+ Epot ); (Ec, Ev) son la Epotencial (asociada al enlace) medida desde un nivel de referencia para los e–
en la BC y h+ en la BV, respectivamente en el modelo de bandas, la Ecinética de los e– de la BC es el
valor de E medido desde Ec; la Ecinética de los h+ es el valor de E medido desde Ev hacia abajo. Para
la Epotencial (Ec, Ev) se puede tomar un origen arbitrario en un modelo de bandas se suele omitir el
nivel de referencia, o tomar como referencia el nivel de vacío o infinito, a varios eV por encima de Ec
 12
 PARA ↑CONDUCTIVIDAD ELÉCTRICA DEL SEMICONDUCTOR: ① ↑ T ② Dopado ③ ↑ Iluminación
① Conductividad eléctrica = f ( Tinterna )  Si ( ↑T )  Resistividad ↓ rápido de forma exponencial.
② Dopado : Proceso de impurificación que consiste en introducir, de forma controlada, impurezas
(dopantes) en la red cristalina del material semiconductor. Permite (controlar, modificar, mejorar)
las propiedades (eléctricas, ópticas) de un semiconductor puro (intrínseco). No crea pares (e–, h+)
 Un %átomos del elemento semiconductor se sustituye por átomos (impurezas) de otro elemento
que tengan un exceso o un defecto de e– en su capa más externa (capa de valencia) respecto al
material intrínseco original; impurezas con estructura atómica diferente a la del semiconductor.
Átomos de diferente valencia introducidos, en una proporción adecuada, en la red cristalina del
semiconductor; los e– de valencia de los átomos impureza establecen enlaces covalentes con los
e– de valencia de los átomos del semiconductor. En semiconductores de valencia +4, como (Si,
Ge), los átomos añadidos suelen ser de valencia +3, (B, Al…), o de valencia +5, (P, As, Sb…)
 Permite obtener un valor prefijado de antemano de la concentración de portadores de carga (e–,
h+) disponibles, y por tanto de la (conductividad eléctrica)semiconductor, en un rango de T.
Objetivo: modificar el comportamiento eléctrico del semiconductor puro alterando la densidad /
concentración de portadores de carga libres. En el dopado se controla: tipo de conductividad
(semiconductor tipo-n o tipo-p), valor de la conductividad eléctrica, ancho ( Eg )(gap) de la BP.
Añadir impurezas provoca ↑concentración de uno de los 2 tipos de portadores  afectará a la
conductividad. El proceso no es efectivo en un material buen conductor (como el Cu), ya que su
concentración de e– es tan  que apenas varía al añadir impurezas. Los (e–, h+) excedentes en
el semiconductor, favorecen la circulación de e– dentro de su red cristalina  ↑ conductividad,
la cual pasa a estar dominada/controlada por la (concentración, naturaleza)átomos impureza añadidos.
 Los requerimientos de pureza [(%impurezas no deseadas << %impurezas dopantes) para que las
propiedades de conducción estén determinadas solo por el dopaje] y cristalinidad del material
semiconductor original son importantes para determinar con precisión sus propiedades eléctricas.
 Proceso usado en la fabricación de dispositivos semiconductores en la industria electrónica.
 3 tipos de procesos de dopaje: Difusión – Implantación de iones – Crecimiento epitaxial
③ e– de valencia pueden liberarse (romper sus enlaces covalentes) si el semiconductor se ilumina
con un haz de fotones con ( Efotón ≥ Eg )  un e– absorbe la Efotón (h  ) incidente y gana suficiente
E como para sobrepasar la BP y saltar hasta la BC  se genera un e– libre en la BC y un h+ en la BV.
 Es necesario un valor mínimo de Efotones para que la conductividad del material iluminado varíe.
 Una variación en la Efotones proporciona una variación en la (conductividad eléctrica)semiconductor

1.4 SEMICONDUCTORES (INTRÍNSECOS-EXTRÍNSECOS)-DOPADO CON IMPUREZAS

 Semiconductor intrínseco : Sólido cristalino extremadamente puro, no dopado [libre de impurezas
o átomos distintos a los que constituyen el semiconductor, (o tienen una cantidad insignificante de
átomos impureza)]; sus propiedades son innatas al material semiconductor, no son producidas o
modificadas por agentes externos (como ocurre en los semiconductores extrínsecos). También se
dice que el semiconductor es intrínseco cuando la cantidad de impurezas que contiene es pequeña
comparada con la cantidad ( ni )( concentración intrínseca ) de ( e–, h+ ) generados térmicamente.
 Igual concentración de portadores en condiciones de equilibrio térmico: Nº e– libres = Nº h+
(cantidad de h+ dejados por los e– en la BV al atravesar éstos la BP para llegar hasta la BC )( p ) =
(cantidad de e– libres que se encuentran presentes en la BC)( n ) = concentración intrínseca ( ni )
 Conductividad intrínseca (sin impurezas) a (T = 0K) es nula. Controlada por la razón (Eg / k  T)
 13
–
 Elementales [silicio (Si), germanio (Ge)](grupo IV A): tetravalentes, tienen 4e en su capa de valencia
(última capa)(  capaces de formar 4 enlaces covalentes ), se les conoce como de tipo diamante.
Compuestos binarios (fórmula química AB)–Combinación de elementos de los grupos (III, V, II, VI):
[ ( III A )( B, Al, Ga, In, Tl ) + ( V A )( P, As, Sb, Bi ) ][ arseniuro de galio ( GaAs ), arseniuro de indio
( InAs ), fosfuro de galio ( GaP ), antimoniuro de indio ( InSb )…]; [ ( II B )( Zn, Cd, Hg ) + ( VI A )( O,
S, Se, Te, Po )][ teluro de cadmio ( CdTe ), sulfuro de zinc ( ZnS ), sulfuro de cadmio ( CdS )…]
Compuestos ternarios (de fórmula química ABC): ( AlxGa1–xSb, InxGa1–xAs…)(con x entre 0 y 1)
Compuestos orgánicos: antraceno, naftaleno, cristales líquidos…
 La conductividad eléctrica de un semiconductor intrínseco es  y muy sensible a los cambios de
T, lo que es un inconveniente para su uso en la fabricación de dispositivos electrónicos de estado
sólido, ya que el objetivo es que el comportamiento de estos dispositivos con la T sea lo más estable
posible. Interesan semiconductores cuya conducción esté dominada por un solo tipo de portadores de
carga (e– o h+); además, Ieléctrica originada a Tamb [debido a la cantidad de portadores libres
creados]  Dopado, permite obtener un valor  y relativamente cte del nº (e–, h+) creados a Tambiente
Semiconductores intrínsecos dopados (muy importantes en ESF): ↑(conductividad, I)eléctrica, puede
controlarse por la concentración de impurezas (dopantes), la conductividad varía muy poco con la T.
[Semiconductor puro con dopaje (ligero, moderado)  semiconductor extrínseco ][ Semiconductor
altamente dopado, que actúa más como un conductor que como un semiconductor  degenerado ]
 Semiconductor extrínseco : Semiconductor intrínseco dopado ( con impurezas ) Nº ( h+) ≠ Nº (e– )
 Su densidad de portadores de carga está alterada respecto a su concentración inicial (intrínseca)
Las concentraciones de (e–, h+) en equilibrio térmico son ≠ de la concentración intrínseca ( ni ).
Sistema en el que las impurezas añadidas, eléctricamente activas, incrementan la (concentración
de e– libres) donando e– a la BC, o incrementan la (concentración de h+) creando h+ en la BV.
 Los dopantes modifican la estructura de bandas del semiconductor intrínseco, ya que introducen
nuevos niveles energéticos: ED (nivel donador) próximo a la BC (caso de dopantes donadores);
EA (nivel aceptador) próximo a la BV (caso de los dopantes aceptadores). (ver modelo de bandas)
 En semiconductores extrínsecos, el mecanismo de conducción se debe a los (e–, h+) generados
por las modificaciones estructurales atribuibles a la presencia de agentes dopantes (impurezas)
 El dopado produce 2 tipos de semiconductores extrínsecos, identificados en f (tipo de portador
de carga cuya concentración se ha visto incrementada, y por tanto será el portador mayoritario):
( tipo-n )(↑ concentración de e–)(nº e– > nº h+) – ( tipo-p )(↑ concentración de h+)(nº h+ > nº e–)
 Impurezas donadoras/donantes (sus átomos, átomos donadores/donantes): Aportan e– adicionales.
P, Sb, As [ elementos pentavalentes, 5 e– en la capa de valencia ( 1 e– de valencia más en su capa
más externa que el átomo semiconductor) ]: Aportan e– en exceso  son donadores de e–. Estos e–
adicionales no se encuentran enlazados (formando enlaces covalentes con e– de valencia de átomos
adyacentes)  se necesita muy poca cantidad de E para ionizar estos átomos impureza, y hacer que
esos e– excedentes puedan moverse fácilmente por toda la red cristalina, y ↑ conductividad de ésta.
Al añadir átomos donadores al semiconductor intrínseco  nº (e– libres) > nº (h+) [↓ concentración
de h+, ↑ concentración de e– libres (muy por encima del nivel intrínseco)] Semiconductor tipo-n.
 Llamado así porque el semiconductor recibe una cantidad adicional de portadores de carga
 [ ( e– )( portadores mayoritarios )][ ( h+ )( portadores minoritarios ) ]→[  exceso de e– ()]
la conducción eléctrica será predominantemente electrónica (conducción por e– libres en BC)
 Material con átomos impureza que permiten la aparición de e– sin crear h+ asociados a ellos.
 La carga de los e– libres se equilibra con una carga  equivalente, situada en el núcleo de los
átomos donadores (eléctricamente neutros)el cristal formado tiene carga eléctrica neta neutra
 14

 Impurezas aceptadoras (sus átomos, átomos aceptadores/aceptores): Necesitan e– adicionales.

B, In, Ga, Al [elementos trivalentes, 3 e– en la capa de valencia (1e– de valencia menos en su capa
más externa que el átomo semiconductor)]: No aportan los 4 e– necesarios para formar los 4 enlaces
covalentes en la red  defecto de e–  se originan h+  aceptadores de e– (o donadores de h+)
Al añadir átomos aceptadores al semiconductor intrínseco nº (h+) > nº (e– libres)[ ↑concentración
de h+, ↓concentración de e– libres (muy por debajo del nivel intrínseco)]  Semiconductor tipo-p.
 [ ( e– )( portadores minoritarios ) ][ ( h+ )( portadores mayoritarios ) ]→[  exceso de h+ (  )]
 la conducción eléctrica será predominantemente por h+(conducción por h+ creados en la BV)
 Material con átomos impureza formando parte de su red cristalina, que permiten crear h+ sin
que aparezcan e– asociados a los mismos (que es lo que ocurre al romperse un enlace covalente)
 El cristal formado es eléctricamente neutro, su carga eléctrica neta permanece neutra.

2
 Ley de acción de masas – ( n  p )  ni : En condiciones de equilibrio térmico, y a una T dada, en un
semiconductor extrínseco o intrínseco, el producto de las densidades volumétricas de los (e–, h+)
(portadores de carga) se mantiene cte, independientemente de la cantidad de impurezas añadidas.
 Un sistema permanece en equilibrio térmico cuando no tiene otra interacción con el exterior
que aquella que es suficiente para mantener su T constante en el espacio y en el tiempo.
 En un semiconductor extrínseco, el ↑ concentración de un tipo de portador tiende a ↓ la del otro
por fenómenos de recombinación de forma que la cantidad ni permanece constante a una T dada.
Indica que en un semiconductor extrínseco tipo-n, con una concentración de e– en la BC, el
nº h+ en la BV será   (e– son los portadores mayoritarios, h+ los portadores minoritarios).
En un semiconductor extrínseco tipo-p, en condiciones análogas, tenemos la situación opuesta.
La concentración de impurezas [donadoras ( ND ) o aceptadoras ( NA )] y su Eionización [( Ec –ED ) o
( EA – Ev )], es tal que, a Tamb, [(concentración de portadores extrínsecos generados)( no o po ) >>
concentración de portadores intrínsecos ( n = p = ni )]. En un semiconductor extrínseco tipo-n, la
concentración de e– libres en la BC ↑ respecto a la del intrínseco, y por la ley de acción de masas,
un ↑ concentración de (portadores de carga)(e– libres en la BC) conlleva una ↓ concentración de
(portadores de carga  )( h+ en la BV ), ya que el producto (n  p) ha de permanecer constante ( ni2 )
 15
① El átomo donador de fósforo (P)
proporciona un e– extra – ② Se crea un
h+ después de que el átomo de B acepta
un e–. El átomo de B ionizado representa
una carga inmobilizada de valor ( –q );
la vacante creada en el enlace covalente
representa un h+ móvil con carga  ( + q)
③ Un h+ móvil, moviéndose por la red.

 Si la red cristalina está libre de defectos y formada por un único cristal (mono-cristal), al añadir
átomos impureza en %, éstos se incorporan a la red; cada átomo impureza añadido se asienta en
la red, formando parte de ella y ocupando un puesto similar al que ocuparía el átomo semiconductor,
quedando rodeado por 4 átomos de semiconductor, compartiendo 1 e– de valencia con cada átomo.
 ①Cristal de Si (o Ge) dopado con átomos de B (impureza aceptadora)(átomo impureza trivalente):
Aunque todos los e– de valencia del átomo de B forman enlaces covalentes con los e– de los átomos
vecinos de Si, uno de los enlaces no puede completarse ya que al átomo de B le falta 1 e–de valencia
en su capa de valencia respecto a los que tienen los átomos de Si  en la red cristalina hay 1 h+ 
cualquier e– de los enlaces covalentes adyacentes puede absorber suficiente E para romper su enlace

y moverse a través de la red para llenar ese h+. Bajo la acción de un campo eléctrico ( E ) aplicado,
una cantidad de E [<< ( Eg )semiconductor puro] es suficiente para atraer un e– desde un átomo de Si
adyacente y llenar el h+, quedando el átomo impureza ionizado con carga (se crea un ión impureza)
y ligado a la red. Como la E necesaria para la activación es , a Tamb todos los átomos de B están
ionizados, han recibido 1 e– extra para completar su enlace covalente. Se crean tantos ( h+ )(huecos)
(vacantes de e– de enlace) como átomos impureza añadidos y no se liberan e– al crear los h+. Los h+
creados actúan como portadores de carga  y contribuyen ( Ihuecos ) a la Ieléctrica(total), y pueden ser
atraídos hacia el terminal de una pila  ↑concentración de un solo tipo de portador de carga (h+)
 ②Cristal de Si (Ge) dopado con átomos de As (impureza donadora)(átomo impureza pentavalente):
4 e– enlazados (forman enlaces covalentes) y el 5ºe– no forma enlace covalente ya que no encuentra
un e– de valencia libre adyacente, queda débilmente unido al núcleo del átomo impureza y un aporte
energético( Etérmica a Tamb ) es suficiente para separarse del átomo impureza y saltar hasta la BC
donde puede moverse con relativa libertad por toda la red cristalina, quedando el átomo impureza
ionizado con carga  y ligado a la red  ↑ conductividad debido al ↑ e– en la BC. Bajo la acción de

un E , una E es suficiente para que el e– excedente sea (móvil, conductor); actúa como portador
de carga, contribuyendo ( Ielectrones ) a la Ieléctrica(total), y puede ser atraído hacia el terminal  de
una pila  sin rotura de enlaces entre átomos al liberarse el e– excedente  no ↑concentración de h+
 16

Diagrama de bandas de E al añadir impurezas y efecto de T sobre la ionización de los átomos impureza
 ① Diagrama de bandas de E–Semiconductor extrínseco tipo-n : El átomo donador genera en la BP
un nivel de E ( ED ) permitido, localizado muy cerca del nivel de E más bajo ( Ec ) de la BC, de modo
que ( ΔE = Ec – ED ) << Eg  una cantidad de E, obtenida por excitación térmica a Tamb (300K),
es suficiente para que los e– extra salten desde el nivel donador hasta la BC (vacía), y al hacerlo se
crean h+ en el nivel donador pero no en la BV; todos los donadores quedan ionizados con carga  y
permanecen fijos en la red cristalina [ este proceso de ionización crea e– libres (extrínsecos) en la
BC, donde se comportan como agentes conductores (portadores de carga)( ↑ conductividad ),
sin crearse h+ en la BV (llena de e– de valencia)]→ Diferencia respecto al proceso intrínseco, el cual
además de producir e– libres (intrínsecos) en la BC, también produce h+ en la BV. Los e– extrínsecos,
en la BC son indistinguibles de los e– intrínsecos, y participan por igual en procesos de conducción.
 ( ED )( Eactivación )donador (nivel donador): E de los e– extra introducidos por los átomos donadores.
Eionización (Ec – ED) del átomo donador: E necesaria para llevar a su 5º e– de valencia (e– extra) a
la BC, donde se convierte en un e– libre, dando lugar a un átomo donador ionizado con carga 
 Al ↑Tsemiconductor  ↑ E conseguida por efecto térmico  ↑nº e– que saltarán a la BC. A (T > 0K)
un e– de un emplazamiento donador efectuará (una transición/un salto) a la BC. A Tamb todos los
emplazamientos donadores quedarán vacíos  se produce un ↑ (concentración de e–) en la BC.
 ② Diagrama de bandas de E – Semiconductor extrínseco tipo-p : El átomo aceptor genera en la BP
un nivel de E ( EA ) permitido, localizado muy cerca del nivel de E más alto ( Ev ) de la BV  una
cantidad de E [ΔE = (EA – Ev) << Eg], obtenida a T, es suficiente para excitar e– desde la BV al
nivel aceptor, al hacerlo se crean h+ en la BV y los átomos aceptores quedan ionizados con carga
y fijos en la red  con este mecanismo de ionización por efecto térmico, no se crean e– libres en la
BC, se crean h+ en la BV, donde se comportan como agentes conductores (portadores de carga  ) y
cuyo comportamiento eléctrico es igual al de los h+(intrínsecos) generados térmicamente en la BV.
 ( EA )( Eactivación )aceptor (nivel aceptor): E de los h+ extra introducidos por los átomos aceptores.
Eionización ( EA – Ev ) del átomo aceptor: E necesaria para llevar a un e– de la BV al nivel aceptor.
 A Tamb, hay suficiente Etérmica para excitar a los e– desde la BV hasta el nivel aceptor; realizan
un salto a un emplazamiento aceptor; todos los emplazamientos aceptores quedan ocupados por
e–  todos los átomos aceptores quedan ionizados, y ↑ (concentración de h+) en el material.
 17
 (Generación–Recombinación): semiconductor intrínseco en equilibrio térmico, a una determinada T
 ① En un semiconductor intrínseco, la agitación térmica (ganancia de Etérmica) a causa de la T,
produce una excitación térmica continua de e– desde la BV a la BC, dejando un nº igual de h+ en
la BV; un e– de la BV pueden alcanzar la BC, dejando un h+ en la BV  generación [se genera un
par (e–, h+)]. Se caracteriza por Gth (nº pares generados por unidad de volumen y de tiempo).
 ② Un e– de la BC puede perder E (emitiéndola en forma de fotones, por ej.) y caer hasta la BV,
ocupando un nivel de E vacío, o sea, recombinándose con un h+  recombinación [desaparece
un par (e–, h+)]. Se caracteriza por Rth (nº pares recombinados por unidad de vol. y de tiempo)
 ③ En equilibrio térmico: ( Gth = Rth ), y se mantiene la validez de la ley de acción de masas.

Esta condición de equilibrio se rompe por la presencia de un campo eléctrico ( E ) exterior o la
incidencia de un haz luminoso de fotones con suficiente E como para romper enlaces covalentes.
 Velocidad neta de recombinación = (velocidad de generación – velocidad de recombinación)
 [ U = ( G – R ) ]→En equilibrio térmico: [ ( R = G )  ( U = 0 ) ] [ ( nº generaciones = nº
recombinaciones), no hay cambio neto en la concentración de portadores de carga (e–, h+) ]
 (e– en la BC, h+ en la BV) generados térmicamente, adquieren cierta Ecinética que les permite moverse
dentro del material; sin embargo, su tiempo de vida no es ilimitado, una fracción de ellos está
sometida constantemente a procesos de recombinación, que hacen que un e– en la BC pueda ocupar
el nivel correspondiente a un h+ en la BV, desapareciendo ambos y liberando una cierta cantidad de
E. En equilibrio térmico, la recombinación se compensa con la generación de nuevos pares (e–, h+)
Sea un semiconductor intrínseco a una T dada, y las funciones [G(T), R(T)][ nº portadores generados
o eliminados (se recombinan) por unidad de tiempo y vol.]  en equilibrio térmico: G(T) = R(T) ①
[G(T), R(T)] ↑ al ↑T (mayor nº e– se excita hasta la BC, también mayor nº e– se des-excita hasta la BV);
[(concentración de e– libres en BC)(n), (concentración de h+ en BV)(p)] se mantienen constantes con
el tiempo. En régimen estacionario, (n, p) deben tener un valor constante con el t si T es constante, a
pesar de que continuamente se producen procesos de (generación + recombinación) de pares (e–, h+)
En un semiconductor extrínseco, (generación, recombinación) alteran la (n, p) respecto al intrínseco.
Al añadir una concentración (ND) de impurezas donadoras en suficiente cantidad, a Tamb tendremos
( n ≈ ND )(n ↑ hasta aproximarse al valor de ND); el ↑ n origina ↓ p, ya que hay mayor probabilidad
de que ocurran recombinaciones. Al añadir una concentración ( NA ) de impurezas aceptadoras en
suficiente cantidad, a Tamb, tendremos que ( p ≈ NA )( p ↑ hasta aproximarse al valor de NA ), y n ↓
Consideremos un semiconductor tipo-n con una ND y queremos calcular p: Suponemos (válido para
tipo-p) que la vrecombinación (R) es proporcional a (n, p) R=[A  (n  p)](A: Cte de proporcionalidad)
Teniendo en cuenta que para cualquier T, ( R, G ) han de ser constantes  ②[( n  p ) = Cte (T)],
válida para (intrínseco, extrínseco); para un semiconductor dado (puro o dopado), el valor de la Cte
(dependiente con la T) debe ser el mismo, y para calcularla extendemos ② al caso intrínseco:
 ( n = p = ni )[ Cte(T) = ni2 (T) ] Obtenemos la ley de acción de masas: ( n  p ) = ni2 ( T )
 Ej. A una muestra de Si puro le añadimos una (ND = 1014cm–3), suponemos que a Tamb todos los
átomos donadores están ionizados [n =1014cm–3, p= ( ni2 / n)=(l.45  l010)2/1014 =2.l  l06 cm–3]
A medida que ( n ↑ ), ( p ↓ ) en la misma proporción. Una fracción de e– procedentes de átomos
donadores contribuye a saturar una parte importante de los niveles de E vacantes, haciendo que
↓ p  es posible variar (n, p) en un semiconductor intrínseco, añadiendo un % de impurezas
donadoras/aceptadoras. En este ej., (1014 átomos impureza/cm3) es una fracción despreciable
frente a ( 5  l022 átomos de Si / cm3); aun así, la n ↑ sobre la p en varios órdenes de magnitud.
 18
MASA EFECTIVA DE (ELECTRONES, HUECOS)
 En un semiconductor, un e– en la BC tiene un comportamiento similar al de un e– libre en el sentido
de que tiene relativa libertad para moverse dentro del material. Sin embargo, por la existencia de un
potencial periódico creado por los núcleos atómicos de la red cristalina, la masa del e– en la BC ≠
masa (m) del e– libre. La misma idea para un h+ creado (dejado por un e– que saltó a la BC) en la BV.
 El movimiento de un e– en el interior de una red cristalina difiere del de un e– en el espacio libre 
se introduce el concepto de masa efectiva, cuando el e– se mueve en el interior de la red cristalina;
permite describir su dinámica de forma sencilla. En un cristal sometido a la influencia de un campo
    
eléctrico ( E ): ( Fuerza total que actúa sobre un e– dentro del cristal ) FT  ( FE  Fred )  ( m  a )
 ( m ) es la masa en reposo de la partícula (e–) y ( a ) la aceleración a la que se ve sometido el e–

 Fred [engloba las Finternas en el cristal, debidas a ( (iones, protones) cargados  , e– cargados)]
 
se suma a FE (Fexterna aplicada, debida al E ); ambas influyen en el movimiento de los e– dentro
   
del cristal. ( Fred es difícil de calcular, y sólo se conoce FE )  se puede poner: FT  ( mn  a )

 mn (masa efectiva del e–): relación entre (FT aplicada–aceleración del e– en la BC), cuando el e– se
mueve en la red cristalina. Tiene en cuenta la masa (m) del e– (libre) y el efecto de las Finternas (es
decir, el efecto de la red cristalina). Concepto cuántico que puede determinarse experimentalmente.
 [ Si ( mn > m )  la red hace pesado al e– ]; [ si ( mn < m )  la red hace ligero al e– ]
 El e–, durante su movimiento, está constantemente interaccionando con los átomos de la red 
mn no es una constante, es f (estructura cristalina, disposición de los átomos en una dirección
determinada…). Por ello, mn está influenciada por la dirección del movimiento del e–.
 Algo similar ocurre para los huecos (h+), se puede considerar que tienen una masa efectiva mp ,
relación entre (FT aplicada–aceleración del h+ en la BV), cuando el h+ por toda la red cristalina.
 19
SEMICONDUCTOR EN EQUILIBRIO TÉRMICO-DENSIDAD DE PORTADORES DE CARGA
 En un semiconductor, la Ieléctrica se debe al flujo de 2 tipos de portadores de carga (e–, h+)  Hay
que determinar la densidad de esos portadores, [nº (e– en la BC, h+ en la BV) que estarán disponibles
para la conducción eléctrica], relacionada con la (densidad de estados, función de distribución). El
nº portadores que pueden contribuir a la conducción eléctrica es f (nº estados cuánticos/energéticos),
ya que, por el principio de exclusión de Pauli, solo 1e– puede ocupar un estado cuántico determinado.
A DENSIDAD DE ESTADOS ENERGÉTICOS/CUÁNTICOS PERMITIDOS
 N( E ) : Función densidad de estados energéticos permitidos por unidad de volumen ( V ) y unidad
de energía ( E ), para un determinado nivel energético ( E ); para e– libres en un metal (conductor):

N ( E )  4  π [ ( 2  m ) / h2 ]3 / 2  E1 / 2 ①: Al ↓ E del e– libre  ↓nº de estados cuánticos disponibles

 [N(E)  dE] = Nº total de estados energéticos permitidos por unidad de V en un intervalo/rango
energético ( dE ) en torno a un determinado nivel energético ( E ); representa la fracción de e–
(cada estado cuántico permitido solo puede alojar 1 e–) con E dentro del intervalo [E, ( E + dE )]
 La E (energía) corresponde a un conjunto de estados cuánticos 
solo puede tomar determinados valores discretos. En la figura se
representa la distribución de estados energéticos, N(E) en f ( E )
 La curva real no es continua, pero está formada por un conjunto
discreto de puntos y los estados energéticos adyacentes están tan
cercanos unos de otros, que la curva puede considerarse continua.
 ① es válida para un semiconductor cristalino (e– quasi-libres y ligados a un potencial periódico),
hay que introducir (Ec, Ev) y sustituir m por la masa efectiva (mn, mp) del portador de carga (e–, h+)
Teniendo en cuenta que el nivel de E más bajo que tiene un e– en la BC es Ec, siendo ésta además la
Epotencial en reposo del e– en la BC, cuando el e– gana E se sitúa en un nivel de E > Ec dentro de BC;
es decir, un ↑E de un e– en la BC corresponde al e– moviéndose hacia arriba en la escala de E dentro
de la BC  ( E – Ec ) es la Ecinética del e–  tomando como origen de E el nivel Ec, en la función
densidad de estados de los e– en la BC aparece la variable ( E – Ec )  Nº estados permitidos por
2 3 / 2  ( E  E )1 / 2
unidad de V y unidad de E en la BC: N n ( E )  4  π [ ( 2  mn ) / h ] c [para (E ≥ Ec )]

Un ↑E de un h+ en la BV corresponde al h+ moviéndose hacia abajo en la escala de E dentro de la BV

en la función densidad de estados de los h+ en la BV aparece ( Ev – E ) Nº estados permitidos
2 3 / 2  ( E  E )1 / 2
por unidad de V y de E en la BV: N p ( E )  4  π [ ( 2  mp ) / h ] v [para ( E ≤ Ev ) ]

 Área rayada: representa el nº estados que  en

el intervalo energético ( dE ) por unidad de V.
 N(E) en la BC es mín. en las proximidades de
su nivel de Emin ( Ec ); N(E) en la BV es mín.
en las proximidades de su nivel de Emax ( Ev )
 [ N( E ) = 0 ]  E  [ Ev < E < Ec ]( BP )
Unidades: [ N( E ) ] = [ eV  cm3 ]–1
 Las bandas de E permitidas, (BV, BC) se componen de niveles de
E discretos. Hay que obtener la densidad de estados energéticos
posibles en cada banda de E como f (E), es decir, concentración
de estados energéticos para un valor de energía (E), susceptibles
de ser ocupados por e–. Junto con la función de distribución, nos
permite calcular las concentraciones de (e– en la BC, h+ en la BV)
 20
B PROBABILIDAD DE OCUPACIÓN DE LOS NIVELES/ESTADOS ENERGÉTICOS
 Distribución de los portadores de carga entre los estados energéticos obtenidos, en f [(Tabsoluta)( T )]
Objetivo: Encontrar una expresión matemática (función de distribución) que a una T dada nos dé la
probabilidad de que una partícula, en equilibrio térmico, ocupe un estado de E dado. En física
estadística,  3 funciones/leyes de distribución (se supone que las partículas no son interactuantes):
1) Distribución de (Maxwell–Boltzmann): Función estadística para modelar sistemas físicos basados
en la mecánica clásica. Sin limitación en el nº partículas [idénticas, pero distinguibles (numeradas,
por ej. de 1 a N)] que pueden ocupar un estado de E dado. Cada estado del sistema físico tiene igual
probabilidad de ser ocupado. Ej.: comportamiento de las moléculas de un gas en un recipiente a p
f MB ( E, T )  C  e  [ E / ( k T ) ] [ k (Cte de Boltzmann), C (Cte de proporcionalidad), T (Tabsoluta) ]
 Sistema cuántico  2 funciones de distribución, cuya diferencia está en si las partículas (idénticas e
indistinguibles) cumplen o no el Principio de exclusión de Pauli [ 2 (o más) partículas no pueden
ocupar el mismo estado cuántico (definido por 4 números cuánticos) en un sistema con un nº
de e–, éstos irán ocupando los niveles de mayor E a medida que los niveles inferiores se van llenando]
2) Bosones: no cumplen el Principio de exclusión de Pauli, sin limitación en el nº partículas permitidas
en cada estado cuántico. Ej.: Comportamiento de fotones, partículas de radiación del cuerpo negro.
[ ( E  E B ) / ( k T ) ] 1
 Siguen la función de distribución de (Bose–Einstein): f BE ( E, T )  [1  e ]

3) Fermiones : partículas de spin semientero que cumplen el Principio de exclusión de Pauli, que dicta
que 2 fermiones (e– en un cristal) no pueden ocupar simultáneamente el mismo estado cuántico.
En (semiconductores, metales) la probabilidad de ocupación de estados energéticos por e– se rige
por la función de distribución/probabilidad de (Fermi–Dirac)[aplicada a e– de un sistema cuántico]:
f F ( E, T )  [ 1  e [ ( E E F ) / ( k T ) ] ]1 Da la probabilidad de que un estado cuántico con energía
( E ) esté ocupado por un e– a una determinada T; en condiciones de equilibrio térmico indica la
fracción de estados energéticos ocupados por e–  1 – fF(E, T) : Probabilidad de que un estado de
E esté vacío (sin e–) ≡ probabilidad de encontrar un h+ en un estado con energía ( E ) a una T dada.
 EF ( Nivel de E de Fermi ): E que debe tener la partícula para que la probabilidad de ocupación
sea 0.5 a cualquier T. Para ( E = EF ), durante un largo periodo de tiempo, la probabilidad es tal
que la mitad de los estados están ocupados. [fF(E, T) es simétrica con [1–fF(E, T)] en torno a EF]
A (T = 0K), EF es el nivel de E por debajo del cual todos los estados están ocupados por e– y por
encima todos los estados están vacíos; la E del nivel más alto ocupado por un sistema cuántico.
 divide los estados que están ocupados por e– de los que están ocupados por h+ (vacíos de e– )
Un estado con ( E > EF ) tendrá más posibilidades de ser ocupado a mayor T: al ↑T, algunos e–
adquieren suficiente E para saltar a estados con E > EF  A mayor T, mayor probabilidad de
ocupación de un estado. Si ↑ T, los niveles de E > EF empiezan a tener mayor probabilidad de
ser ocupados por e– (agitados térmicamente) de la banda por debajo del EF  niveles de E < EF
tampoco estarán del todo llenos de e–, mostrando cierta probabilidad [1–fF(E, T)] de ocupación.
 A una T, la probabilidad de ocupación de un estado será menor cuanto mayor sea el nivel de
E de ese estado  estados con niveles superiores tienen menor probabilidad de ocupación por
e– que los estados con niveles menores. N(E) será mayor cuanto mayor sea el nivel de E  para
niveles de E superiores, donde los estados son más numerosos, la probabilidad de ocupación
de un estado es mucho menor que a niveles inferiores, con un nº estados inferior, ya que los
e– ocupan 1º los niveles inferiores (de menor E), y cumplen el Principio de exclusión de Pauli.
Probabilidad de encontrar niveles ocupados en la BC; probabilidad de encontrar e– en la BV.
 21

 ( fF(E), [1–fF(E)] ) son simétricas en torno a EF : ①fF(E) para (E > EF) es simétrica a [1–fF(E)] para
( E < EF )  fF(E) para [E = (EF + dE)] es igual a [1–fF(E)] para [E = (EF – dE)]; la probabilidad de
ocupación de un estado cuya E está dE por encima de EF es igual a la probabilidad de que un estado
a (dE) por debajo de EF esté vacío. ② fF(E) para ( E < EF ) es simétrica a [1–fF(E)] para ( E > EF )
 A cualquier T: Para ( niveles de E < EF ), fF(E) > 0.5; para ( E > EF ), fF(E) < 0.5; fF( E = EF ) = 0.5
 A (T = 0K), los estados energéticos con (E < EF) están ocupados por e– y aquellos con (E > EF) están
vacíos de e–: fF(E, T = 0K) = { 1 [ para ( E < EF )], [ 0 [ para (E > EF ) ] } ; ver gráfica para (T = 0K)
 Probabilidad de ( encontrar un e– con E > EF )( que un estado cuántico esté ocupado en un nivel
de E > EF ) es 0; la probabilidad de ( encontrar un e– con E < EF )( que un estado cuántico esté
ocupado para E < EF) es 1. Todos los e– están en los niveles de E más bajos posibles, con E < EF
 Fig.: A (T= 0K) la probabilidad de que un estado esté ocupado por 1e– en (E1,...,E4) es 1, en E5 es
0; EF debe ser (>E4, <E5). A (T>0K) algunos e– ganan Etérmica y saltan a estados vacíos de mayor E
(1e– saltó de E3 a E4 y 2e– de E4 a E5) la distribución de e– entre los estados disponibles cambiará.
  [ ( E  E )  0 ][ ( E  E )     ( f (E)  1 ) ] f ( E  E , T  0 K )  ( 1  e   ) 1  1  
 F F F F F

  [ ( E  E F ) >> 0 ][ ( E  E F )     ( f F (E)  0 ) ] f F ( E  E F , T  0 K )  ( 1  e   ) 1  0  
 
 f F[E  ( EF  3kT ), T]  0.9526 f F[ E  ( E F  2k T ), T ]  0.8808 f F[ E  ( E F  k T ), T ]  0.7311  
 
 f F[ E  ( E F  k T ), T ]  0.2689 f F[ E  ( E F  2k T ), T ]  0.1192 f F[ E  ( EF  3kT ), T ]  0.0474  
 22
[ ( E  E F ) / ( k T ) ] 1
 Cuando [ ( E – EF ) >> ( k  T ) ]  f F ( E, T )  [ 1  e ]  e [ ( E  E F ) / ( k T ) ]
 Es la aproximación de Maxwell–Boltzmann [sistema clásico (un gas de partículas)] a la fF(E,T)
 NOTA: EF no tiene necesariamente que corresponder a un nivel de E permitido.
 Para [ E ≥ 3kT por encima del EF, (BC) ], la exponencial ( ex ) de fF( E, T ) es > 20  aproximación:
 [ ( E  E F ) / ( k T ) ]
 [ (1  e x ) 1  e x ]  f F ( E, T )  f c ( E, T )  e para [( E  E F )  ( 3  k  T )]
 Todos los estados con E de 3kT por encima de EF se considera que están ocupados por e–
Para [E ≥ 3kT por debajo del EF, (BV)], la exponencial ( ex ) de fF(E, T) es < 0.05  aproximación
[ 1  (1  e x ) 1]  (1  e x ) 1  e x  e [ ( E F E ) / ( k T ) ]  la probabilidad de encontrar un h+ es:
 [ 1  f F ( E, T ) ]  f v ( E, T )  e  [ ( E F  E ) / ( k T ) ] [ para ( E F  E )  ( 3  k  T ) ]
 Todos los estados con E de 3kT por debajo de EF se considera que están vacíos de e–
Error cometido al usar [ fc(E), fv(E) ] en lugar de fF( E ) es < 5% si [( E – EF ) ≥ 3kT, (EF – E) ≥ 3kT]
La diferencia entre la aproximaci ón [e  x  (1  e x ) 1] / (1  e x ) 1  0.051  x  Ln 20  3 
   
 de Boltzmann y f F es un (5% f F )   x  [ ( E  E F ) / ( k  T ) ]  ( E  E F )  ( 3  k  T ) 
 Semiconductor extrínseco no degenerado: EF dentro de la BP y alejado de los bordes de las bandas
[Ev (BV), Ec (BC)] una (distancia en E) ≥ 3kT. Se cumple en muchos dispositivos semiconductores
(diodo, transistor…) La no-degeneración implica necesariamente que la concentración de (e–, h+)
en (BV, BC) no sea  y se presenta siempre que el dopaje no sea  y T no sobrepase cierto límite.
 Condición a cumplir en un semiconductor no degenerado: ( Ev + 3kT ) ≤ EF ≤ ( Ec – 3kT )
k : Cte de Boltzmann  8.62 10 5[eV / K ]  Semiconduc tor no degenerado : E debe estar 
  F
 A (T  Tamb  300K) : (k  T)  0.026 eV  como mín. a una distancia  0.078eV (3  k  Tamb) 
 19 J   de los bordes ( E v , E c ) de la (BV, BC) a la Tamb 
(1 electrón-voltio )( 1eV )  1.602 10 
Semiconductor extrínseco degenerado: EF coincide con uno de los bordes de las bandas permitidas
o se interna en ellas → con (concentraciones)impurezas; si [( Ec − EF ) < 3kT ][( EF – Ev ) < 3kT ]
 Semiconductor no degenerado: concentración de átomos impureza añadidos en comparación con
la densidad de átomos semiconductores; el nº átomos impureza es tal que la distancia interatómica
entre ellos es lo suficientemente  como para no permitir la interactuación entre los e– del donador,
por ej., en un material tipo-n. En este caso las impurezas introducen estados energéticos donadores
o aceptores, según el tipo de semiconductor (tipo-n, tipo-p), discretos, y no inter-actuantes entre sí.
Si ↑concentración de impurezas, la distancia interatómica entre átomos impureza ↓, haciendo que,
por ej., los e– de los donadores empiecen a interactuar entre ellos. Cuanto esto ocurre, el nivel de E
donador discreto (ED) se desdoblará en una banda de E; si la concentración donadora sigue ↑ más,
esta banda de estados donadores se vuelve más ancha y puede sobrepasar el nivel de E más ( Ec )
de la BC; ocurre cuando la concentración de donadores alcanza un valor comparable a la densidad
de estados efectivos. Si la concentración de e– en la BC excede la densidad de estados (Nc), EF queda
dentro de la BC  Semiconductor tipo-n degenerado. Similarmente, si en un tipo-p la concentración
aceptadora ↑, el nivel de E aceptor (con estados energéticos aceptores discretos) se desdoblará en
una banda de E que puede sobrepasar el nivel más (Ev) de BV; si la concentración de h+ en la BV
excede la densidad de estados (Nv), EF queda dentro de la BV  Semiconductor tipo-p degenerado.
Fig.: Modelos de bandas de E para un semiconductor degenerado (tipo-n, tipo-p). Estados con E <
EF están casi todos llenos con e– y estados de E > EF están casi todos vacíos. En un tipo-n, estados
energéticos con E entre EF y Ec están casi todos llenos con e–; concentración de e– en la BC. En
un tipo-p, los estados con E entre Ev y EF están casi todos vacíos; concentración de h+ en la BV.
 23
C ( DENSIDAD VOLUMÉTRICA / CONCENTRACIÓN ) DE PORTADORES DE CARGA
 ( e–, h+ ) en un semiconductor tienen un comportamiento estadístico, de forma que su movimiento
dentro de las bandas (BC, BV) se realiza con un cierto intercambio de E entre ellos. Como resultado
de este intercambio, el conjunto de e– en cada banda se distribuye entre los ≠ niveles de E, pero esta
distribución no es uniforme en las ≠ regiones de E dentro de las bandas, ya que hay determinados
intervalos de E donde la concentración de e– puede ser mayor que en otras zonas; la razón es debida
a la diferencia en la cantidad de niveles disponibles para los e– en cada intervalo de E. Incluso, en un
intervalo determinado, la probabilidad de ocupación en un intervalo puede ser mayor que en otro.
 Concentración/Densidad volumétrica de portadores (e– en la BC, h+ en la BV) en un semiconductor
(nº portadores de carga por unidad de V y E) = [N(E)][densidad de estados energéticos permitidos
por unidad de V y de E, con posibilidad de ser ocupados]  [fF(E, T)][ probabilidad de ocupación por
los portadores de carga de los distintos niveles energéticos y sus respectivos estados energéticos]
 Se llama también función de distribución de los portadores, nos dice cómo están distribuidos
en los diferentes intervalos infinitesimales de E dentro de las bandas de E del semiconductor.
Supongamos un intervalo( E ) de energía centrado en torno al valor E dentro de la BC. Siendo
n(E, T) la concentración de e– cuya E está comprendida dentro de ese intervalo, la densidad de e–
por unidad de vol. y por unidad de intervalo de E vendrá dado por [ n(E, T) / E ]. En el límite de
intervalos infinitamente pequeños (pero conteniendo un nº de niveles de E) el cociente tiende a
n(E, T)[n(E, T)  dE] es la fracción de e– cuya E está comprendida dentro del intervalo [E, E + dE]
En un rango/intervalo ( dE ) de energías: dn(E, T) = [ n(E, T)  dE ] = [ Nn(E)  fc(E, T) ]  dE.
La densidad de e– en la BC se obtendrá integrando para valores entre Ec (nivel inferior de BC) y ETOP
(nivel superior de la BC). Por simplicidad tomamos ( Ec = 0 ) como origen de energías ( E ) en la BC.
  E TOP [ n(E, T)  dE ]    [ N (E)  f (E, T)  dE ]   Asumimos que m 
  E  n c  n 
n  
c 0
 es cte  podemos 
 2 3 / 2   

  4  π [( 2  mn ) / h ]   0 ( E  E c )  e
1 / 2  [( E  E F ) / ( k T )]
 dE  sacarla de la integral 
    
 
  Haciendo: x [ ( E  E c ) / ( k T ) ][ E  E c  ( xk T ) ][ dE  dx( k T ) ] Integral de valor π / 2  
 3 / 2  [ ( E c  E F ) / ( k T ) ]   
2 3/ 2
 n  4  π [ ( 2  mn ) / h ]  ( k  T ) e  (  [ x1 / 2  e  x  dx ] )  
0
  
  [ Densidad volumétrica de electrones ( e  ) en la banda de conducción( BC ) ][e  / cm3 ]  
   
  n (T)  2  [ ( 2  π mn  k  T ) / h 2 ]3 / 2  e  [ ( E c  E F ) / ( k T ) ]  N c  e [ ( E c  E F ) / ( k T ) ]  
La densidad de h+ en la BV se obtendrá integrando [ N p (E)  f v (E, T) ] para valores entre Ev y EDOWN
(nivel inferior de la BV). Por simplicidad tomamos ( Ev = 0 ) como el origen de energías en la BV.
  Ev 0  Asumimos que mp 
  E [ p (E, T)  dE ]   [ N p (E)  f v (E, T)  dE ]   
p   DOWN 
 es cte  podemos 
 
  4  π [( 2  mp ) / h 2 ]3 / 2    ( E v  E)1 / 2  e  [( E F  E ) / ( k T )]  dE  sacarla de la integral 
0
  
    
 
   Haciendo el cambio de variable : x [ ( E v  E ) / ( k T ) ]  [ E  E v  ( xk T ) ]  [ dE   dx( k T ) ]   
 3 / 2  [ ( E F  E v ) / ( k T ) ]  0  
2 3/ 2
   p  4  π [ ( 2  mp ) / h ]  ( k  T ) e    [ x1 / 2  e  x  dx ]    
    

   NOTAS : el límite más bajo de x se vuelve   cuando E  ; la integral vale [( π / 2)]   
 
  [ Densidad volumétrica de huecos ( h  ) en la banda de valencia( BV ) ][ h  / cm3 ]   
   
  p (T)  2  [ ( 2  π mp  k  T ) / h 2 ]3 / 2  e  [ ( E F  E v ) / ( k T ) ]  N v  e [ ( E F  E v ) / ( k T ) ]   
   
 24
 Densidad efectiva de estados permitidos [Nc (en la BC), Nv (en la BV)][Ctes dependientes de la T]:
se interpretan como el límite máximo de estados posibles en la (BC, BV), respectivamente, de forma
que si todos esos estados estuvieran ocupados, su valor representaría la concentración máx. posible
de (e–, h+), en cada caso. Sin embargo, en un semiconductor no degenerado esto no puede darse, ya
que implicaría que EF estaría en el borde inferior ( Ec ) de la BC o en el borde superior ( Ev ) de la BV.
 Los valores de (n, p) son la concentración total de portadores de carga (e– de la BV que saltaron hasta
la BC, h+ creados en la BV) en equilibrio térmico, para semiconductores intrínsecos o extrínsecos. El
equilibrio térmico implica que no hay Fexternas tales como (voltajes, campos eléctricos / magnéticos,
gradientes de T) que afecten al semiconductor, y cuyas propiedades son independientes del tiempo.
 Para un semiconductor degenerado la aproximación de Boltzmann no es aplicable, debemos usar la
[fF(E,T), 1–fF(E,T)] y no sus aproximaciones [fc(E, T), fv(E, T)]integral de Fermi-Dirac [F1/2(F)]
 2 3 / 2   
 n  4  π [( 2  m n ) / h ]    ( E  E c )1 / 2  [1  e[( E  E F ) / ( k T )] ]1  dE  [usamos f F (E, T) ] 
 0 
 
  Cambio η  [ ( E  E c ) / ( k  T ) ]  [ E  E c  ( η k  T ) ]  [ dE  d  ( k  T ) ]  
    
 de variable ηF  [ ( E F  E c ) / ( k  T ) ]  [ ( E  E F ) / ( k  T )]  ( η ηF )  
 Integral de Fermi-Dirac : Función tabulada de la variable ( η F )  
    
 n (T)  4  π [ ( 2  mn  k  T ) / h 2 ]3 / 2    η1 / 2  [ 1  e( η η F ) ]1  dη   (2 / π )  N c  F1 / 2 (ηF )  
   0   
 Si ( F > 0 )  ( EF > Ec )  EF está en la BC. Para (F < –1), la integral se aproxima mediante
una función exponencial. En (F = 0)( EF = Ec ), [(F ≈ 0.6) n ≈ (0.7  Nc)]; gráfica (F1/2 – F)
 Para un semiconductor no degenerado, puede usarse la aproximación de Boltzmann para la F1/2
F1/ 2 ( ηF  [( EF  Ec ) / ( k  T )] )  ( π / 2 )  e[( Ec E F ) / ( k T )]  n  Nc  e[( Ec E F ) / ( k T )]
 
p  4  π [( 2  mp ) / h 2 ]3 / 2    ( E v  E )1 / 2  [1  e [( E F  E ) / ( k T )] ]1  dE  usamos [1  f F (E, T) ]
0
    
 
 Cambio η  [ ( E v  E ) / ( k  T ) ]  [ E  E v  ( η k  T ) ]  [ dE  d   ( k  T ) ]  
    
de variable ηF  [ ( E v  E F ) / ( k  T ) ]  [ ( E F  E ) / ( k  T )]  ( η ηF )   
       
 p(T)  4  π [( 2  mp  k  T ) / h 2 ]3 / 2    η1 / 2  [ 1  e( η  η F ) ]1  dη   (2 / π )  N v  F1 / 2 (ηF )  

  0   
 La integral es igual que en el caso anterior, pero el significado de la variable ηF es diferente.
 Si ( ηF > 0 )  ( Ev > EF )  EF está en la BV
 25
–
 Semiconductor intrínseco en equilibrio térmico : n = p = ni : n (concentración de e libres en la
BC)[Nº e– / cm3] = p (concentración de h+ en la BV)[Nº h+ / cm3] = ni (concentración intrínseca de
portadores](concentración de portadores intrínsecos)[constante para cada semiconductor intrínseco
a una determinada Tabsoluta (T)][Nº (e– o h+) / cm3]. Se obtiene a partir de la ley de acción de masas.
 [ E g / ( k T ) ]
ni2  ( n  p )  [ Nc  e  [ ( E c  E F ) / ( k T ) ] ]  [ N v  e  [ ( E F  E v ) / ( k T ) ] ]  ( Nc  N v )  e
 [ E g / ( 2k T ) ]  [ E g / ( 2k T ) ]
 ni  ( Nc  N v )1 / 2  e  2  [ ( 2  π k  T ) / h 2 ]3 / 2  ( mn  mp )3 / 4  e
 Suponiendo que las masas efectivas ( mn, mp ) no cambian con la T, ( ni ) puede escribirse como:
[ E g / ( 2k T ) ]
ni ( T )  A T3 / 2  e [ A ( Cte característica del material, independiente de la T ) ]
Eg [eV] = ( Ec – Ev ): [(ancho de la BP, gap de energía) del semiconductor; f (tipo de material)]
 Es f [ ( tipo de material semiconductor usado )( Nc , Nv, Eg ), Tabsoluta ( T ) ]: [ cuanto mayor sea
la Tcristal, mayor es la E de las vibraciones de los átomos de la red cristalina; cuanto menor sea
Eg, mayor es el nº e– que puede tener suficiente Eexcitación para poder saltar desde la BV hasta la
BC a una T dada ]( ↑ ni ). [ Un semiconductor con mayor Eg (BP más ancha) tendrá menor ni ]
 Para un semiconductor dado a una T constante, el valor de ni es una Cte e independiente del EF
 Nivel de Fermi intrínseco – ( Ei )( EFi ) en un semiconductor intrínseco:
 Semiconductor intrín seco : ( n  p  n )  N  e [ ( E c  E F ) / ( k T ) ]  N  e [ ( E F  E v ) / ( k T ) ] 
 i c v

 Densidades efectivas : N c  2  [ ( 2  π mn  k  T ) / h 2 ]3 / 2 N v  2  [ ( 2  π m p  k  T ) / h 2 ]3 / 2 
 
E i  E F  [ ( E c  E v ) / 2 ]  [ ( 3 / 4 )  ( k  T )  Ln ( mn / m p ) ]  [ ( E c  E v ) / 2 ]  E midgap 
 
[E g  ( E c  E v )]  Nivel de Fermi intrínseco : ( Ei )( E F i )  [ E v  ( E g / 2 ) ]  [ E c  ( E g / 2 ) ]
 Si (mn = mp)  ( Ei = Emidgap )(Ei está en el centro de la BP); si (mp > mn)  Ei está ligeramente
por encima del centro de la BP; si (mp < mn)Ei está ligeramente por debajo del centro de la BP.
 A Tamb el 2do término en la ecuación de Ei es mucho más pequeño que el 1º y puede despreciarse
 en un semiconductor intrínseco Ei está muy cerca de la mitad de la BP, aproximadamente a
medio camino entre entre el nivel (Ev) de mayor E de la BV y el nivel (Ec) de menor E de la BC.
 Ei se usa como nivel de referencia en un modelo de bandas de E; con semiconductores de igual
naturaleza, pero ≠ dopaje, Ei es común a todos, su valor no depende del dopaje del semiconductor.

 [Concentración de e– (libres, móviles) en la BC]( no ) en un semiconductor extrínseco tipo-n, bajo la

condición de ionización completa [hay la misma concentración de e– (libres, móviles) en la BC que
de iones donadores (fijos) en su nivel energético ( ED )] (ND: concentración de átomos donadores)

 no  n  Nc  e[ ( Ec E F ) / ( k T ) ]  ND  Nivel de Fermi : EF  Ec  [ k  T Ln ( Nc / ND ) ]

 Se ha supuesto ( ND >> ni )[ la concentración de e– en la BC producidos por la introducción de
átomos donadores es mucho mayor que la producida ( ni ) por efecto térmico ( Etérmica a Tamb )]
 La distancia entre el nivel de E ( Ec ) más bajo de la BC y EF es una función logarítmica de la ND
 NOTA: si tenemos un semiconductor tipo–n compensado, ND se reemplaza por ( ND – NA )
[ Concentración de h+ (móviles) en la BV ]( po ) en un semiconductor extrínseco tipo-p, bajo la
condición de ionización completa [hay la misma concentración de h+ (móviles) en la BV que de
iones aceptores (son fijos) en su nivel energético ( EA )] ( NA: concentración de átomos aceptores )

 po  p  N v  e[ ( E F E v ) / ( k T ) ]  NA  Nivel de Fermi : EF  E v  [ k  T Ln ( N v / NA ) ]

 Se ha supuesto ( NA >> ni )[ la concentración de h+ en la BV producidos por la introducción de
 26
impurezas aceptadoras es mucho mayor que la producida (ni) por efecto térmico (Etérmica a Tamb)]
 La distancia entre EF y el nivel de E ( Ev ) más alto de la BV es una función logarítmica de la NA
 NOTA: si tenemos un semiconductor tipo–p compensado, NA se reemplaza por ( NA – ND )
Nivel de Fermi extrínseco ( EF ): En un tipo-n, EF se ubica cada vez más cerca del nivel de E mín.
( Ec ) de la BC a medida que ↑ ND [al ↑ ND  ( Ec – EF )↓  no ↑ ]. En un tipo-p, EF está cada vez
más cerca del nivel de E máx. ( Ev ) de la BV a medida que ↑ NA [ al ↑ NA ( EF – Ev )↓  po ↑ ]
 Su valor está determinado por (el contenido de impurezas, otros parámetros) del semiconductor.
 Concentración de portadores en un semiconductor extrínseco en f [( ni )( concentración intrínseca
de portadores), ( Ei )(nivel de Fermi intrínseco](parámetros que definen el semiconductor intrínseco)

n  N  e [(Ec  E F ) / (k T)] Reemplazan

    ni  N c  e [(Ec  E i ) / (k T)] 
do: (n por ni , E F por E i )
 c 
 n  N  e  [( E c  E i ) / (k T)]  e [( E F  E i ) / (k T)]  n  e [( E F  E i ) / ( k T )]  n (e extrínsecos) 
 c i o 
 p  N  e [( E F  E v ) / (k T)] Reemplazan
    ni  N v  e [(Ei  E v ) / (k T)] 
do: ( p por ni , E F por E i )
 v 
 p  N  e  [( E i  E v ) / (k T)]  e [(E F  E i ) / (k T)]  n  e [( E i  E F ) / (k T )]  p (h  extrínsecos)
 v i o 
 El producto de ambas densidades ( no, po ) nos da la ley de acción de masas: ( no  po )  ni2

 Si ( EF = Ei )( semiconductor intrínseco )  [ no = po = ni (concentración intrínseca) ]

 En ambas ecuaciones, las variables son [densidad de portadores extrínsecos (e– en la BC, h+ en
la BV)( no, po ) en equilibrio térmico, diferencia de energía ( E ) entre ( Ei, EF )]. La localización
de Ei con respecto a los niveles energéticos ( Ec, Ev ) de la ( BC, BV ) no cambia; Ei proporciona
una referencia útil para analizar semiconductores extrínsecos. Si E cambia ( no, po ) cambian:
 [si ( EF > Ei )( semiconductor extrínseco tipo-n )  ( no > ni )( po < ni ) ( no > po ) ]
 [si ( EF < Ei )( semiconductor extrínseco tipo-p )  ( po > ni )( no < ni ) ( po > no ) ]
 Nivel de Fermi en un semiconductor extrínseco tipo-n, en el que se cumple [( n  no )  N D ] :
 [ ( E F  E i ) / ( k T ) ] 
 no  ni  e  EF  Ei  ( k  T )  Ln ( no / ni )  Ei  ( k  T )  Ln ( N D / ni ) 

 Nivel de Fermi en un semiconductor extrínseco tipo-p, en el que se cumple [( p  po )  N A ] :
 [ ( E i  E F ) / ( k T ) ] 
 po  ni  e  EF  Ei  ( k  T )  Ln ( po / ni )  Ei  ( k  T )  Ln ( N A / ni ) 
En semiconductor tipo-n, EF se sitúa cada vez más lejos del nivel intrínseco (Ei) y por tanto más
cerca del nivel mínimo ( Ec ) de la BC a medida que ↑ concentración de átomos donadores (ND).
En un tipo-p, EF se sitúa cada vez más cerca del nivel intrínseco ( Ei ) y por tanto cada vez más
lejos del nivel máximo ( Ev ) de la BV a medida que ↑ concentración de átomos aceptores ( NA )
En un semiconductor compensado, se sustituye ND por ( ND – NA )(tipo-n) o NA por ( NA –ND )
(tipo-p). Si está completamente compensado ( ND = NA )( EF = Ei )( no = po = ni ) tiene las
características de un intrínseco en térmicos de (concentraciones de portadores, posición del EF)

 Semiconductor no  EF  E c  [( k  T)  Ln ( N c / N D )]  ( N c  N D  ni )  E F siempre  

 E 
 E i  [( k  T )  Ln ( N D / ni )]  por (debajo de E c , encima de E i )  
 degenerado , bajo las  Tipo-n :
   F
 
 condicione s (ionizació n Tipo-p : EF  E v  [( k  T)  Ln ( N v / N A )]   ( N v  N A  ni )  E F siempre  
E 
total, equilibrio térmico) 
  F  Ei  [( k  T )  Ln ( N A / ni )] por (encima de E v , debajo de E i ) 
 27

 Fig.: [densidad de estados con E permitida, N(E)] [función de probabilidad de Fermi–Dirac, fF(E)];
(distribución / concentración) de portadores ≡ densidad de (e– en la BC, h+ en la BV) ≡ ( n(E), p(E) )
①Semiconductor intrínseco
②Semiconductor tipo-n: EF
está por encima de ( Eg / 2 );
EF > Ei (intrínseco); (n >> p)
③Semiconductor tipo-p: EF
está por debajo (Eg / 2 ); [EF
< Ei (intrínseco); ( p >> n )

 En la BC  cantidad de estados permitidos, pero la probabilidad f(E) de que sean ocupados es

. En la BV hay cantidad de estados permitidos, y la probabilidad de que sean ocupados por
e– es  (casi 1). Su diferencia hasta la unidad indica que hay estados no ocupados por e–, es decir,
 28
+ – +
que hay h en la BV. En un semiconductor intrínseco el nº e en la BC coincide con el nº h en la BV.
 N(E) es prácticamente igual en los 3 casos, excepto en la BP, donde vale 0 para un semiconductor
intrínseco, o bien adopta valores finitos en ciertos niveles de E para tener en cuenta la existencia de
estados (donadores, aceptores) capaces de albergar e–. La f(E) es similar en los 3 casos excepto en lo
referente al EF, cuya ubicación es f (tipo de semiconductor). Las [n(E), p(E)] toman valores finitos,
hasta un cierto máx., por encima del borde inferior de la BC y por debajo del tope de la BV, (en todos
los casos el semiconductor está a Tamb), disminuyendo ambas después del máx. según nos alejamos
de los límites. En un semiconductor intrínseco, [n(E), p(E)] tienen igual forma y valores  ya que
el nº portadores generados térmicamente es ; ni(E) es la densidad intrínseca de portadores,
(área sombreada en la BC = área sombreada en la BV)]. En un semiconductor extrínseco, [n(E), p(E)]
toman valores mucho mayores (nótese la diferencia de concentraciones en la BV y BC en cada caso).

 (a) Semiconductor intrínseco (puro, sin átomos impureza) ideal (sin defectos en su red cristalina); a
T > 0K se crean pares (e–, h+) mediante Etérmica (excitación térmica), de forma que (nº e– en BC = nº
h+ en BV). Fig. [función densidad de estados [Nn(E), Np(E)] en la (BC, BV), función de probabilidad
de Fermi-Dirac] a ( T > 0K ), con EF aproximadamente a mitad de camino ( Eg / 2 ) entre ( Ec, Ev )
 Si ( mn = mp )[masas efectivas de (e–, h+)]  [ Nn(E), Np(E) ] son simétricas en torno a (Eg / 2)
Si ( mn ≠ mp )  [ Nn(E), Np(E) ] no son simétricas en torno a ( Eg / 2 ). Para un semiconductor
intrínseco el EF se desplazaría ligeramente a partir de ( Eg / 2 ) para conseguir que ( n = p )
 Densidades de portadores iguales, [ n(E), = p(E) ][ áreas (  ,)(en gris) son iguales ]
 Añadir átomos impureza (donadores o aceptores) a un semiconductor puro cambiará las densidades/
concentraciones de (e–, h+) en el material. Como EF está relacionado con la función de distribución,
EF cambia a un valor ≠ Ei (nivel intrínseco) al añadir impurezas  [n(E), p(E)] también cambiarán.
(b)(EF > Ei)[n(E) > p(E)][semiconductor extrínseco tipo-n, se añaden átomos impureza donadores]
La función de probabilidad fF(E)↑ en la BC, [1–fF(E)][probabilidad de un estado vacío (h+)]↓ en la BV
(c)( EF < Ei )[p(E) > n(E)][semiconductor extrínseco tipo-p, se añaden átomos impureza aceptores]
La función de probabilidad fF(E)↓ en la BC, [1–fF(E)][probabilidad de un estado vacío (h+)]↑ en la BV

 Ocupación de las bandas de E –Ej.: Ocupación de una sala de cine →Analogía: [filas de butacas =
niveles de E permitidos de un átomo]; [nº identificativo de fila = nº nivel energético (NE = 1, 2…)]
 ( Nº espectadores en una fila )( Nº butacas ocupadas ) = [ Nº butacas en una fila ][ N(NE) ]  [ %
ocupación][Nº espectadores que ocupan butaca, en % respecto al nº butacas en una fila][fF(NE)]
 Nº e– en un nivel de E = [Nº estados permitidos en el nivel de E]  [probabilidad de ocupación]
[Nº e– que ocupan estados permitidos, en % respecto al nº estados permitidos en el nivel de E]
 29
 CASOS : ① espectadores disciplinados (T = 0K)(aquellos que ocupan los asientos ordenadamente);
② espectadores no disciplinados (T > 0K)(dejan huecos, aunque empiezan por ocupar las 1as filas)
( Nº fila )[ NE ] 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 TOT
( Nº butacas en la fila )[ N(NE) ] 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 75
CASO① espectadores disciplinados Fila de Fermi: ( %ocupación ≥ 50% ), nivel de Fermi ( NF ) = 5;
intuitivamente (última fila mayoritariamente ocupada)
Nº espectadores en la fila 3 4 5 6 7 0 0 0 0 0 25
( %ocupación )[ fF(NE ) ] 100 100 100 100 100 0 0 0 0 0
CASO② espectadores Fila de Fermi: ( %ocupación ≥ 50% ), nivel de Fermi ( NF ) = 5;
no disciplinados intuitivamente (última fila mayoritariamente ocupada)
Nº espectadores en la fila 3 4 5 5 4 2 1 1 0 0 25
( %ocupación )[ fF(NE ) ] 100 100 100 83 57 25 11 10 0 0

Semiconductor Si Ge GaAs GaP InP InSb InAs CdS CdTe CdSe ZnO
Eg 0K 1.17 0.744 1.52 2.32 1.42 0.23 0.43 2.58 1.61 1.84 3.43
[eV] 300K 1.12 0.66 1.42 2.25 1.27 0.17 0.36 2.42 1.44 1.74 3.20
Semiconductor ZnS ZnSe GaSb AlSb AgF AgCl AgBr AgI CuCl CuBr CuI
Eg 300K 3.56 2.67 0.71 1.63 2.8 3.25 2.68 3.02 3.39 3.07 3.11
Variación de Eg (band gap) con la temperatura T  (x10 )
–3 
Material Eg(T=0) Eg( T=300K )
[eV ] [eV / K] [ K ] ( Eg ↓ al ↑T )
E g ( T )[eV ]  E g (T  0 K)  [( α T 2 ) / ( T β )]
Si 1.166 0.473 636 1.120519
Source: C. D. Thurmond, “The Standard Thermodynamic
Function of the Formation of Electrons and Holes in Ge, Ge 0.7437 0.477 235 0.663457
Si, GaAs and GaP”, Journal of Electrochem. Society (1975) GaAs 1.519 0.541 204 1.422393
Tamb Nc Nv ni (intrínseca) Densidad atómica Masa efectiva
(300K) [estados / cm3] [estados/cm3] [portadores / cm3] [átomos / cm3] mn e– mp h+
Si 2.8  1019 1.04  1019 1.5  1010 4.96  1022 1.08  m 0.56  m
Valores
usados

Ge 1.04  10 19
6  10 18
2.4  10 13
4.42  10 22
0.55  m 0.37  m
GaAs 4.7  1017 7  1018 1.8  106 2.21  1022 0.07  m 0.48  m
 30
[ E g / ( 2k T ) ]
 ni ( T )  B1 / 2  T3 / 2  e [cm–3]
 k (Constante de Boltzmann) = 8.62  10–5 [eV / K]
 T (Tabsoluta)[ K ] a la que se encuentra el semiconductor.
 Eg ( ancho de la BP )( bandgap energy )[ eV ]
 B [K–3  cm–6]: Parámetro dependiente del semiconductor.
[1.08  1031 ( Si ); 2.31  1030 ( Ge ); 1.27  1029 ( GaAs )]
 A ( T = Tamb = 300K ) → [ ( 2  k  T ) = 0.05172 eV ]
Semiconductor Si Ge GaAs
ni (Tamb) [cm–3] 0.7  1010 2.31  1013 2.3  106
Microelectronic Circuit Design (4ªed.)(R.C. Jaeger & T.N. Blalock)

Usando la Si : ni ( T  300 K )  ( 1.08 1031 )1 / 2  3003 / 2  e  [ 1.12 / ( 20.0259 ) ]  0.6954 1010 cm 3

ecuación
Ge : ni ( T  300 K )  ( 2.311030 )1 / 2  3003 / 2  e  [ 0.66 / ( 20.0259 ) ]  2.31211013 cm 3
de ni de
arriba GaAs : ni ( T  300 K )  ( 1.27 1029 )1 / 2  3003 / 2  e  [ 1.42 / ( 20.0259 ) ]  2.3026 106 cm 3

(REGIONES DE FUNCIONAMIENTO)(RANGOS DE T) DE UN SEMICONDUCTOR

 ①: Variación de la concentración de portadores mayoritarios en f ( T ) para Si tipo-n dopado con
As, con una concentración ( ND = 1015 átomos de As / cm3 )(línea continua). También se muestra la
variación de portadores ( ni ) para el caso en el que el semiconductor fuera intrínseco (línea a trazos).
A T el %átomos de As ionizados es , por lo que la concentración de portadores (e– libres
en la BC) también es  (tramo a). A T (<100K); comienza la ionización de los átomos impureza
donadores, por lo que n ↑ rápidamente con la T. Si la T va ↑ cada vez más, llegará un momento en
que prácticamente todos los átomos de As quedarán ionizados, con lo que n alcanza un valor estable
( = ni )(concentración intrínseca); esto ocurre desde T > 100K hasta 450K, (tramo b). A (T > 450K)
empieza a dominar el proceso de ionización de átomos de Si, aumentando de forma considerable el
(nº portadores intrínsecos)( ni ); el valor de n ↑, iniciándose el comportamiento intrínseco (tramo c)
 Un semiconductor puede comportarse como intrínseco incluso si está dopado, para ello basta con
↑ T lo suficiente. El rango de operación útil de un semiconductor corresponde al (tramo b), llamado
rango de saturación, ya que en esta región la concentración de portadores tiene un valor constante
dentro de un margen de T que incluye a la Tamb. La concentración y el signo de los portadores es
controlable a voluntad dentro de este rango; basta con añadir impurezas (aceptadoras o donadoras)
 31
en la proporción debida. Éste es uno de los aspectos más característicos de los semiconductores, ya
que mediante dopaje es posible prefijar la conductividad del material en un valor determinado.
 ② [concentración de portadores mayoritarios ( n ) / concentración de donadores ( ND )] en f ( T )
en un semiconductor extrínseco tipo-n: Se añade una concentración (ND = 1016cm–3) de impurezas
donadoras a una muestra de Si puro. Región (0  150K)(freeze-out range)( rango congelado ); a T
cercanas al 0 absoluto, la (concentración de e– libres en la BC) es 0 ya que la Etérmica a esa T no llega
para ionizar a ningún átomo donador ni para excitar e– desde la BV hasta la BC. Al ir ↑ T, algunos
átomos donadores quedan ionizados, cediendo sus e– a la BC. A T en torno a 150K, (concentración
de e– libres < concentración de donadores) ya que no todos los átomos donadores están ionizados y
muy pocos e– han sido excitados desde BV a BC. Región ( 150  450 )K ( región extrínseca )( rango
de saturación)(saturation range); a ( T > 150K ) hay ionización total ( todos los átomos donadores
están ionizados ) [concentración de portadores(e–) ≅ concentración de donadores ]( n ≅ ND ); la
concentración de e– permanece cte en el valor ND también para T >Tamb (300K), a la cual se
cumple [(n ≅ ND) >> ni]
A (T > 450K)( rango intrínseco )(intrinsic range),(concentración intrínseca de portadores)[ni = (no
≡ n )] ↑ rápido, alcanzando valores >>ND, ya que una cantidad de e– son excitados térmicamente
desde BV a BC. ND despreciable frente a no (concentración de e– libres en la BC); el nº e– excitados
banda a banda supera bastante al nº fijo de e– procedentes de los donadores (semiconductor se
vuelve intrínseco)

Fuente: ①Fundamentos de electrónica física y microelectrónica. J. M. Albella & J. M. Martínez-Duart

② Semiconductor devices. Kanaan Kano (professor, Syracuse University). Ed. Prentice-Hall, Inc. 1998
 32

 La función de distribución de (e– donadores en los estados donadores, h+ aceptores en los estados
aceptores) es ≠ función de distribución/probabilidad de Fermi-Dirac para (e– de la BC, h+ de la BV)
Semiconductor no degenerado [impurezas (donadoras o aceptadoras) no se afectan mutuamente]:
 [Densidad de e– ocupando los estados del nivel de E donador ( ED )][ nD ] ≡ [concentración de
0 [ ( E D  E F ) / (k T) ] 1
átomos donadores sin ionizar][ N 0D ] → ( nD  N D )  N D  [1  ( 1 / g )  e ]
Concentración ( N D ) de átomos donadores :  ND  N D  [1  2  e [ ( E F  E D ) / ( k T) ] ]1 
 0   0   
 N D  ( N D  N D )  N D  ( N D  N D )   Los e  libres en la BC se originan a partir 
 0 [( E  E ) / ( k T)] 1   
 N D  N D  [1  ( 1 / 2 )  e D F ]   de los átomos donadores o desde la BV 
 [Densidad de h+ en los estados del nivel de E aceptor ( EA )][ pA ] ≡ [concentración de átomos
0 [ ( E F  E A ) / (k T) ] 1
aceptores sin ionizar][ N 0A ] → ( pA  N A )  N A  [1  ( 1 / g )  e ]
 Concentración ( N A ) de átomos aceptores :   NA  N A  [1  4  e [ ( E A  E F ) / (k T) ] ]1 
 0   0   
 NA  ( NA  NA )  NA  ( NA  NA )     Los h  en la BV se originan a partir  
 0 [ ( E F  E A ) / ( k T ) ] 1    
 N A  N A  [1  ( 1 / 4 )  e ]    de los átomos aceptores o de la BV  
 g (degeneracy factor): 2 [un nivel donador puede aceptar 1 e– con cualquiera de los 2 espines (o
puede no haber e–)][cada nivel donador tiene 2 estados cuánticos, ya que hay 2 orientaciones
posibles de espín para cada e– donador. Insertar 1 e– en un estado cuántico excluye insertar otro
e– en el 2do estado cuántico, ya que al añadir 1 e–, el requisito de vacante del átomo se satisface
y añadir otro e– no es posible]; 4 [un nivel aceptador puede aceptar 1 h+ de cualquiera de los 2
espines y además es doblemente degenerado como resultado de las 2 BV degeneradas]
  Fracción de e  que aún permanecen en los átomos donadores (no ionizados) :  E (E ) 
   d ionización 
 [ N 0 / ( N 0  n ) ]  [1  ( n / N 0 ) ]1  [1  0.5  ( N / N )  e [ E d / ( k T ) ] ]1    ( E c  E D ) 
 D D D c D  
   Concentración de átomos donadores sin ionizar Aproximación de Boltzmann : [ ( E D  E F )  ( k T ) ]  
  N 0  N  [1  ( 1 / 2 )  e[ ( E D  E F ) / ( k T ) ] ]1  N 0  2  N  e [ ( E D  E F ) / ( k T ) ]  
 D D D D
 
  n  N  e [ ( E c  E F ) / ( k T ) ]  ( n / N 0 )  [ 0.5  ( N / N )  e [ ( E c  E D ) / ( k T ) ] ]  
 c D c D  
–3
 Ej.: Muestra de Si dopado con P, para (T = 300K), para una concentración ( ND = 10 cm ) 16

 [ N 0D / ( N 0D  n ) ]  [ 1  0.5  ( 2.8 1019 / 1016 )  e [ 0.045 / ( 0.0259 ) ] ]1  0.0041  x 

 
 N 0D  [ x / ( 1  x ) ] 100  n  [ 0.0041 / ( 1  0.0041 ) ] 100  n  ( 0.41%  n ) 
 Observamos que hay una cantidad de e– en los estados donadores comparado con el total de
 33
–
e en la BC  Podemos decir que a Tamb todos los átomos donadores se encuentran ionizados.
  Fracción de h  que todavía quedan en en los átomos aceptores (no ionizados) : E (E ) 
   a ionización 
 [N 0 / ( N 0  p )]  [1  ( p / N 0 )]1  [1  0.25  ( N / N )  e [ E a / ( k T ) ] ]1    ( E A  E v ) 
 A D A v A  
  Concentración de átomos aceptores sin ionizar Aproximación de Boltzmann : [ ( E F  E A )  ( k T ) ]  
  N 0  N  [1  ( 1 / 4 )  e[ ( E F  E A ) / ( k T ) ] ]1 0
 NA  4  NA  e [ ( E F  E A ) / ( k T) ]  
 A A
 
  p  N  e [ ( E F  E v ) / ( k T ) ]  ( p / N 0 )  [ 0.25  ( N / N )  e [ ( E A  E v ) / ( k T ) ] ]  
 v A v A  
 A (T=0K), todos los e- están en sus estados de E más bajos posibles. Para un semiconductor tipo-n,
cada estado donador debe contener 1 e–, por lo que ( N 0D = ND, N D = 0 )  la exponencial ( e ) de
N 0D , debe ser 0; como T = 0K, esto ocurrirá para ( e  =0 ), lo que significa que ( EF > ED)  en el
0 absoluto, EF debe estar por encima del nivel de E donador ( ED ). En un semiconductor tipo-p, los
átomos aceptores no contendrán ningún e– extra, de manera que EF debe estar por debajo del nivel
de E aceptor ( NA ). A ( T = 0K ), EF se ubica a mitad de camino entre Ec y ED para un tipo-n y
entre EA y Ev para un tipo-p. La fig. muestra estos casos  Efecto freeze-out: ningún e– es
llevado/excitado desde el nivel donador ( ED ) hasta la BC, ni desde la BV hasta el nivel aceptor ( EA
), mediante excitación térmica (aporte extra de Etérmica)
 Se considera un semiconductor extrínseco tipo-n puro (NA=0)(solo átomos donadores disponibles)
  Ley de neutralida d eléctrica : [ ( n  N  )  ( p  N  ) ]  n  ( p  N   N  )  ( p  N  )  
 A D D A D

 Si la contribuci ón principal a la conducción proviene de los átomos donadores ion izados ( N D ) : 
 
 ( N D )  ni [ ( n  p )  ni2 ]  n  N D  N D  [1  2  e [ ( E F  E D ) / ( k T) ] ]1 ( densidad d e e  )  
 
  [ ( E c  E F ) / ( k T ) ]  
 n  Nc  e  N c  e[ ( E F  E D ) / ( k T ) ]  e  [ ( E c  E D ) / ( k T ) ] 

   [ ( E F  E D ) / ( k T ) ] 
 e  ( n / Nc )  e [ ( E c  E D ) / ( k T ) ]
 sustituimo s en la ecuación de n   

 [( E c  E D ) / ( k T )] 1 2 [ E d / ( k T ) ]  
  n  N D  [1  2  ( n / N c )  e ]  2  ( n / Nc )  e  n  ND  0  
1 / 2 [ E d / ( 2k T ) ]
 A ( T ) n  [ ( N D  N c ) / 2 ]  e (D.A. Neamen, S. M. Sze)
En este rango de T hay muchas impurezas donadoras sin ionizar (átomos donadores que todavía
retienen sus e– de valencia, y por tanto no están ionizados) se conoce como rango congelado.
 [ Ed = ( Ec – ED ): E de los niveles donadores medida desde el fondo ( Ec ) de la BC]
 Una representación de ( log n ) en f (1 / T) dará una recta de pendiente y proporcional a Ed

 A (T)(medias) n ≈ ND : la concentración de e– de donadores ha alcanzado su valor máximo

posible, igual a la concentración de donadores, y por tanto todos los átomos donadores están
ionizados; y por ello se habla de rango de saturación.
 A ( T ): ↑ concentración de e– excitados desde la BV (a través del gap de la BP), y sobrepasa
la densidad de e– de donadores, ( n = ni ) >> ND  En este rango de T, el semiconductor tipo-n
se comporta como semiconductor intrínseco, y por tanto se le conoce como región intrínseca.
En fig.③ se ve la variación de la concentración de e– con la T en el Si dopado con 5  1014 átomos
donadores / cm3. Al ir ↑T pueden observarse 3 zonas [ionización parcial (freeze-out), extrínseca
(ionización total), intrínseca]

 Consideremos un semiconductor tipo-n no compensado, ( NA = 0 )  distinguimos 3 rangos de T:

1) A (T) la concentración de portadores está controlada por el proceso de ionización de impurezas,
de forma que sólo una cierta fracción ( N 
D ) de átomos donadores están ionizados. En este rango de
 34
congelación, EF se encuentra aproximadamente a media distancia entre el fondo ( Ec ) de la BC y el
nivel ED de los donadores, aunque el valor exacto depende de factores como [T, concentración de
impurezas ( ND )...]. A medida que ↑ T, ↑ concentración de portadores mayoritarios (e–) de manera
exponencial debido a la excitación de e– desde los niveles donadores hasta la BC. Una vez calculado
n, la concentración ( p ) de portadores minoritarios (h+) en la BV se obtiene con la ley de acción de
masas. Una ecuación similar a la de n se puede desarrollar para p en un semiconductor tipo-p. Los
procesos de excitación desde los niveles donadores son análogos a los de excitación desde BV a la
BC, la diferencia es que la E necesaria para la excitación es mucho menor en el 1er caso, ( Ed << Eg )
2) A T intermedias ()(rango de saturación)(rango extrínseco) en el cual todas las impurezas están
ionizadas, n ≈ ND, es constante con la T. Esta característica hace que este rango de T, entre (100 
500)K, sea de gran utilidad cuando se quiere controlar las propiedades de conducción del
semiconductor extrínseco.
3) A medida que ↑ T por encima del rango de saturación, llega un momento en que la concentración
de portadores intrínsecos es importante, su concentración puede sobrepasar sensiblemente a la de
portadores extrínsecos. En este rango de T, rango intrínseco, la concentración de portadores ↑
rápidamente con la T. La ubicación del EF corresponde a la de un semiconductor intrínseco, ( Ei )
 Fig. 2.7-Variación del EF en los 3 rangos de T para semiconductor (intrínseco, tipo-n, tipo-p): En el
rango extrínseco, EF está situado a medio camino bien sea entre los niveles donadores y el fondo de
la BC para tipo-n (curva b) o bien entre los niveles aceptores y el tope de la BV si es tipo-p (curva c).
A medida que ↑ T, rango de saturación, las ecuaciones para obtener EF predicen una ↓ (o ↑) del EF
según que el semiconductor sea tipo-n (o tipo-p). Al alcanzar el rango intrínseco a T, el EF se
aproxima al nivel intrínseco ( Ei )( EF que tendría el semiconductor si fuera intrínseco )(curva a).
Al ↑T, EF se aproxima al nivel de E intrínseco ( Ei ), el semiconductor se convierte en intrínseco.
 Fig. 2.8 (Albella)-Variación de la ( concentración de e– ) en f ( 1 / T ), dentro de los 3 rangos de T,
para un semiconductor tipo-n dopado con una concentración de impurezas donadoras ( ND ) =
1015cm–3.
En el rango extrínseco, la ecuación de n predice que, en una escala logarítmica, la variación debe
ajustarse a una recta de pendiente proporcional a Ed. En el rango de saturación (zona intermedia
de T) el valor de n se estabiliza en ≈ ND, éste es el rango más apropiado para el funcionamiento de
los dispositivos semiconductores electrónicos ya que dentro de él la concentración de portadores es
constante y su valor se puede prefijar de antemano durante el proceso de preparación del material.
En el rango intrínseco, la curva se aproxima a una recta cuya pendiente debe ser proporcional a Eg.
 35
 Ley de (igualdad de carga)(neutralidad eléctrica): Tenemos un semiconductor extrínseco dopado
con una concentración (ND) de átomos donadores y una concentración ( NA ) de átomos aceptores.
Concentraciones/Densidades volumétricas: [nº portadores de carga por unidad de volumen][( nº e–
o nº h+ ) / cm3 ]; [ nº átomos impureza (donadores o aceptores) por unidad de vol. ][nº átom. / cm3]
 (no, po): concentración de (e– en BC, h+ en BV) en semiconductor extrínseco en equilibrio térmico.
 ( N0D , N0A ) (concentración donadores/aceptores no ionizados, a una T dada); N 0D (concentración
de e– en los estados de E donadores); N 0A (concentración de h+ en los estados de E aceptores)
 (N D , N A ) [concentraciones de átomos (donadores, aceptores) que están ionizados a una T dada]
N D (concentración de estados donadores cargados  ); N A (concentración de estados aceptores
cargados )  la condición de neutralidad de carga eléctrica exige que para esa T se cumpla:
q  ( no  N A )  q  ( po  N D ) (carga = carga  )(carga neta nula)(semiconductor neutro)
(e–, h+) se distribuyen entre los estados energéticos, creando cargas (  ,), pero la densidad de
carga neta es nula. Condición usada para determinar las concentraciones de (e–, h+) en equilibrio
térmico, como una función de la concentración de átomos impureza (dopantes)(NA, ND) añadidos.
 A T todas las impurezas (donadoras ,  (Con ionización total)
 N D  N D  N 0D   amb 
   aceptadora s) están ionizadas  :  Ley de neutralidad de carga
 N A  N A  N 0A     0 0  (n N )( p N )
[ ( N D  N D )( N A  N A ) ]( N D  N A  0 ) o A o D

[Nº total de cargas(e– libres en la BC + iones aceptores fijos) = Nº total de cargas  (h+ en la BV
+ iones donadores fijos)]→Un semiconductor intrínseco (puro) dopado uniformemente (mismo
nº impurezas en cualquier punto del material) y en equilibrio térmico, es eléctricamente neutro.
   Semiconduc tor compensado : Dopado con impurezas donadoras ( N D ) y aceptadoras ( N A )  
  
   ( no  N A )  ( po  N D ) resolviendo la n  ( 1 / 2 )  [ ( N  N )  ( N  N ) 2  ( 4  n 2 ) ]   
    o D A D A i  
   ( no  po )  ni  ecuación cuadrática  p  ( 1 / 2 )  [( N  N )  ( N  N ) 2  ( 4  n 2 ) ]    

2
  o A D A D i  
 
  Al resolver [ no  no  ( N D  N A )  ni  0 ][ po  po  ( N A  N D )  ni  0 ] se usó el signo () para  
2 2 2 2
  la raíz, ya que en el límite de un semiconductor intrínseco, cuando ( N  N ), la concentración  
  A D  
  de portadores extrínsec os (e  en la BC o h  en la BV) debe ser una cantidad positiva (n  p  n )  

  o o i  

 Las ecuaciones de (n , p ) se usan para calcular la concentración de portadores mayoritarios (e  en  
  o o
 
 semiconductor tipo-n, h  en un tipo-p ). La concentración de portadores minoritarios (h  en tipo-n,  
   
  e en tipo-p ) se obtiene usando la ley de acción de masas [ p  ( n / n )]( h ); [ n  ( n / p )]( e ) 
  2  2 
  o i o o i o  
  [Si ( N  N )  (n  p )(tipo-n compensado)][Si ( N  N )  (n  p )(tipo-p compensado)]  
 D A o o D A o o
  
    Si ( N  N ) con [ ( N  N )  n ]  n  ( N  N ); p  [ n 2 / ( N  N ) ]   
 D A D A i o D A o i D A
  
    Si ( N  N ) con [ ( N  N )  n ]  p  ( N  N ); n  [ n 2 / ( N  N ) ]   
 A D A D i o A D o i A D 
 
  [ Si ( N D  N A )  ( no  po  ni ) ]  ( Semiconduc tor completame nte compensado )  
 
   Tipo - n : [ ( N  0 )( N  n ) ]  [ ( n  N ); p  ( n 2 / N ) ]  ( n  p )   
  A D i o D o i D o o
  
   Tipo - p : [ ( ND  0 )( N A  ni ) ]  [ ( po  N A ); no  ( ni2 / N A ) ]  ( po  no )   
    
  2 2 2   
   no  ( 1 / 2 )  [ N D  N D  ( 4  ni ) ]  ( N D / 2 )  [1  1  4  ( ni / N D ) ]  ( N D / 2 )  2  N D   
  2 2 2  
   po  ( 1 / 2 )  [ N A  N A  ( 4  ni ) ]  ( N A / 2 )  [ 1  1  4  ( ni / N A ) ]  ( N A / 2 )  2  N A   
 36
SEMICONDUCTORES COMPENSADOS
 Semiconductor compensado : Contiene impurezas donadoras y aceptadoras en la misma región.
Puede formarse mediante difusión de (átomos aceptores en un material tipo-n o átomos donadores
en un material tipo-p). En un semiconductor tipo-n compensado, (ND > NA); en un semiconductor
tipo-p compensado, ( NA > ND ). Si ( NA = ND )  semiconductor completamente compensado,
el cual tendrá las características de un semiconductor intrínseco. Los semiconductores compensados
se crean de manera natural durante la fabricación de dispositivos semiconductores de estado sólido.
 Ej.①: Concentraciones de (e–, h+) en equilibrio térmico para semiconductor tipo-n puro (NA = 0) de
Si a ( T = Tamb = 300K ), dopado con una concentración ( ND = 1016cm–3 ) de impurezas donadoras.
 2 2 2 
 no  ( 1 / 2 )  [ ( N D  N A )  ( N D  N A )  ( 4  ni ) ]  ( N D / 2 )  [ 1  1  4  ( ni / N D ) ]   
 16 10 16 2 16 3 10 3 
   ( 10 / 2 )  [ 1  1  4  ( 1.5 10 / 10 ) ]  10 cm  N D  [ ni ( 1.5 10 cm ) ]  
 2 10 2 16 4 3 16 3 
 po  ( ni / no )  [ ( 1.5 10 ) / 10 ]  2.25 10 cm  [ no ( 10 cm ) ] 
Vemos que (ND >> ni)  no (concentración de e– portadores mayoritarios en equilibrio térmico) es
casi igual a la ND (concentración de átomos donadores). Las (no, po)(concentraciones de portadores
minoritarios y mayoritarios) en equilibrio térmico pueden diferir en varios órdenes de magnitud.
Al añadir átomos donadores, la concentración ( no ) de portadores mayoritarios (e– en la BC) ↑ por
encima de la concentración ( ni ) de portadores intrínsecos, y la concentración ( po ) de portadores
minoritarios ( h+ ) ↓ por debajo de ni. NOTA: al añadir donadores (con sus e– donadores) hay una
redistribución de los e– entre todos los estados de E disponibles. Algunos de los e– donadores caerán
a estados vacíos de la BV y al hacerlo ocuparán algunos h+ intrínsecos, provocando su desaparición
↓concentración de h+ (minoritarios). Debido a la redistribución, la concentración neta de e– en la
BC es ≠ [concentración de donadores + concentración de e– intrínsecos (generados térmicamente)]
 Ej.②: Concentraciones de (e–, h+) en equilibrio térmico para semiconductor tipo-n puro (NA=0) de
Ge a [T = Tamb(300K)], dopado con una concentración (ND =5  1013cm–3) de impurezas donadoras.
 2 2 2 
  no  ( 1 / 2 )  [ ( N D  N A )  ( N D  N A )  ( 4  ni ) ]  ( N D / 2 )  [ 1  1  4  ( ni / N D ) ]   
 13 13 13 2 13 3 13 3  
   ( 5 10 / 2 )  [ 1  1  4  ( 2.4 10 / 5 10 ) ]  5.97 10 cm  [ ni ( 2.4 10 cm ) ] 
 2 13 2 13 12 3 13 3 
 po  ( ni / no )  [ ( 2.4 10 ) / 5.97 10 ]  9.65 10 cm  [ no ( 5.97 10 cm ) ] 
Si la concentración ( ND ) de átomos donadores no es demasiado diferente en magnitud de la ni 
la concentración ( no ) de e– portadores mayoritarios en equilibrio térmico está influenciada por ni
 ni es f (T). Al ↑ T se generan térmicamente pares (e–, h+) adicionales  ni2 (ecuación de no) puede
volverse dominante y hacer que el semiconductor pierda eventualmente sus propiedades extrínsecas.
Ver tema “regiones de funcionamiento de un semiconductor” (intrínseca, extrínseca, congelación)
 Ej.③: Concentraciones de (e–, h+) en equilibrio térmico para un semiconductor tipo-p compensado
(NA > ND) de Si a (T = Tamb = 300K), que está dopado con una concentración ( ND = 3  1013cm–3 )
de impurezas donadoras y con una concentración ( NA = 1016cm–3 ) de impurezas aceptadoras.
  2 2  
 p   ( 1 / 2 )  [ ( N A  N D )  ( N A  N D )  ( 4  ni ) ]   15 3 
 o    7 10 cm  (N A  N D ) 
16 15 16 15 2 10 2 
   0.5  [(10  3 10 )  (10  3 10 )  4  (1.5 10 ) ]  
 2 10 2 15 4 3 15 3 10 3 
no  (ni / po )  [(1.5 10 ) / 7 10 ]  3.2110 cm  po (7 10 cm )  ni (1.5 10 cm )
 Con ionización completa y (NA – ND) >> ni  la concentración de h+ mayoritarios es, con gran
aproximación, igual a la diferencia entre concentraciones de átomos donadores y aceptadores.
 37
 Fig.①: Diagrama de bandas de E de un semiconductor al añadirle impurezas (átomos donadores y
aceptores) en una misma región del material para formar un semiconductor extrínseco compensado.
Muestra los (aceptores, donadores) ionizados y no ionizados, y portadores generados térmicamente.
Fig.②: Diagrama de bandas de E en semiconductor tipo-n compensado. Muestra un esquema de la
redistribución de e– cuando se añaden átomos donadores. Fig.③: Ionización completa, (T=300K)

 Ionización : Mecanismo mediante el cual un e– de BV puede absorber suficiente E para separarse

de su estructura atómica (romper el enlace covalente que lo une a su átomo) y saltar hasta la BC.
Eionización : E necesaria para ionizar un átomo donador o aceptador, (ambos son átomos impureza)
 Cuando los átomos donadores ceden 1e– quedan con carga  ; cuando los átomos aceptores reciben
1e– quedan con carga. A T(< 100K), sólo una fracción de átomos impureza están ionizados.
Ionización completa : A Tamb, la Etérmica debida a la propia vibración de las partículas es suficiente
para que todos los átomos (donadores queden ionizados con carga  , aceptores queden ionizados
con carga). Cada átomo donador proporciona un e– a la BC y cada átomo aceptor genera un h+ en
la BV  En un semiconductor extrínseco tipo-n, ( nº e– en la BC ) = ( nº átomos donadores ). En un
semiconductor extrínseco tipo-p, ( nº h+ en la BV ) = ( nº átomos aceptores ), debido a la excitación
térmica (mediante Etérmica a Tamb) de e– desde la BV hasta los niveles de E de los átomos aceptores.

 Niveles de E por debajo del centro de la BP se miden desde la parte superior de la BV y son niveles
aceptores [a menos que una (D) indique que es un nivel donador]; niveles por encima del centro de la
BP se miden desde la parte inferior de la BC y son niveles donadores [a menos que una (A) indique
 38
que es un nivel aceptor]. Algunos átomos tienen varios niveles de E. Hay impurezas cuyos niveles
de E distan más de los límites de las bandas que en los elementos dopantes usados habitualmente.
Eionización [eV] para Impurezas aceptadoras (EA – Ev) Impurezas donadoras (Ec – ED)
distintas impurezas B Al Ga In Tl P As Sb Li
en el silicio ( Si ) 0.045 0.057 0.065 0.157 0.3 0.045 0.054 0.039 0.033
en el germanio (Ge) 0.0104 0.0102 0.0108 0.0112 0.01 0.0127 0.013 0.0096 0.0093

 Fenómenos de conducción : (e– en la BC, h+ en la BV) pueden participar directamente en procesos

de conducción. Aplicamos sobre una barra semiconductora uniforme de longitud (L) una diferencia
de potencial [V=(V2 – V1), V2 > V1]. Este potencial eléctrico se superpone al potencial al que están
sometidos los e– dentro del cristal y hace que su Epotencial varíe en la cantidad (–q  V2 ) para los e–
que están en un extremo del semiconductor y en ( –q  V1 ) para los e– que están en el extremo
contrario. Si hacemos (V1 = 0), podemos decir que la Epotencial de los e– ↓ uniformemente desde uno
de los lados hasta el otro, hasta alcanzar el valor (–q  V2 = –q  V). En el modelo de bandas, esto
implica que las líneas que representan los niveles ( Ec, Ev ) deben representarse inclinadas, con una

caída total (q  V). Además, si el semiconductor es uniforme, el campo eléctrico ( E ) en su
interior, asociado al potencial aplicado, debe ser constante, de valor (–V/ L). Esto quiere decir que

la pendiente de las bandas coincide en valor absoluto con el valor del E . En todos estos casos la

pendiente de las bandas en cada punto del semiconductor es proporcional al valor del E en dicho

punto, cambiado de signo. El movimiento de e– es en sentido opuesto al del E , desplazándose

siempre hacia los puntos de menor Epotencial. Así pues, la aplicación del E hace que los e– de la BC
se muevan dentro de la banda bajando hacia los puntos de menor Epotencial. En la BV también puede
haber movimiento de e– siempre que haya un h+ en sus proximidades; cuando esto ocurre, el e–
viaja del mismo modo hacia los puntos de Epotencial más baja, intercambiando su posición con el h+
correspondiente, lo que se traduce en un desplazamiento del h+ en sentido contrario al del e–  los

h+ de la BV se desplazan en el sentido del E , es decir, hacia valores de mayor Epotencial.
 Analogía mecánica–(tubo de agua): Al tubo inferior se le extrajo una cantidad de agua, dejando
unas burbujas de aire, y esa cantidad se pasó al tubo superior. Al inclinar los tubos, las burbujas del
tubo inferior se moverán hacia arriba, y la cantidad de agua del tubo superior se desplazará hacia

abajo  el movimiento de los e– en la BC por acción del E puede describirse como el de partículas
que se desplazan hacia posiciones de Epotencial menor; el movimiento de los h+ en la BV equivale al
de burbujas que tienden a flotar en un mar de e–, desplazándose hacia posiciones de mayor Epotencial.
Conducción eléctrica a través de un semiconductor: resultado del movimiento de e– (portadores de
carga) y h+ (portadores de carga  ) en sentidos opuestos al conectarse a una pila. Si se somete
el cristal a una d.d.p ( V ) se producen 2 Ieléctricas: [ Ielectrones debida al movimiento de e– libres en la
BC + I debida al desplazamiento de e– en la BV, que tenderán a saltar a los h+ próximos, originando
una Ihuecos ]. Los e– libres () se dirigen al polo  (cátodo) de la pila, los h+ (  ) se dirigen hacia
el polo(ánodo). (NOTA: por el conductor exterior sólo circulan los e– que originan la Ieléctrica; los
 39
+ –
h son cargas ficticias que indican una ausencia de e , y sólo existen en el seno del semiconductor)
La conducción ocurre cuando la fracción de e– ubicada en el nivel de E más alto de la BV saltan a
los niveles de E vacíos de la BC, 1º por agitación térmica y luego acelerados por el campo eléctrico (

E ) exterior aplicado. Estos e– deben de cumplir la condición [(E – EF ) > ( kT )] [E (energía del
nivel energético ocupado por el e– conductor/libre en la BC), EF (energía del nivel de Fermi); k
(Constante de Boltzmann), T (temperatura absoluta a la que se encuentra el material semiconductor)
 Cuando los e– libres alcanzan el extremo derecho del semiconductor (tipo-n), entran al conductor
externo (hilo de Cu) y circulan hacia el terminal  de la batería. Los e– libres en el terminal de la
batería fluirían hacia el extremo izquierdo del cristal, entran en él y se recombinan con los h+ que
llegan al extremo izquierdo del cristal  Hay un flujo estable de (e– libres, h+) dentro del cristal.
 Fig.: (–)( movimiento de los h+ )( sentido convencional de Ieléctrica ); (–)( movimiento de los e– )
Similar al caso de un metal, aplicar un voltaje ( V ) a un material tipo-n, hará que un e– débilmente
ligado al átomo impureza se mueva hacia un punto de potencial  , originando un flujo de corriente
electrónica. Al contrario de lo que sucede en un metal, un ↑ T permite a más e– estar disponibles
para la conducción [↓(resistencia)material]. En un material tipo-p, la conducción se debe a portadores
de carga  (huecos)(h+), que se mueven hacia el terminal del circuito (flujo de corriente por h+).
En el terminal, los h+ que llegan son neutralizados por los e– emitidos por dicho terminal; en el
terminal  , los e– procedentes de los enlaces covalentes debilitados son removidos, creando nuevos
h+, que se mueven hacia el terminal (e– al  ), y son anulados por los e– emitidos en ese terminal.

Parámetros (  ) Movilidad de los ( D ) Constante de difusión

de los portadores [cm2 / V  s ] ( Difusividad ) [cm2 / s]
portadores
n ( e– ) p ( h+ ) Dn ( e– ) ( Dp )( h+ )
Si 1350-1300 500-480 35 13
300K

Ge 3900-3600 1900-1800 101 49

GaAs 8500-8000 420-300 220 10
[ ΔE  ( E 2  E1 )  ( h  )  h  ( c / λ ) ]  Longitud de onda : λ  [ ( h  c ) / E ]   1.24 [eV  m] 
 34 8 19 1 6      
( h  c )  ( 6.625 10 J  s )  ( 3 10 m / s )  ( 1.6 10 eV / J )  1.24 10 eV  m  E[eV ] 

(FENÓMENOS DE TRANSPORTE/PROCESOS DE CONDUCCIÓN) DE PORTADORES

 El movimiento de (e–, h+)(portadores de carga) origina Ieléctrica. Fenómenos que afectan a (e–, h+):
Movimiento aleatorio térmico–Arrastre (desplazamiento)–Difusión–(Generación-Recombinación)
 40
 Hasta ahora se trató al semiconductor en equilibrio térmico (sin la influencia de agentes externos). Si
se da una excitación externa al semiconductor, se altera la vmedia de los portadores de forma que ya
no es 0; en estas condiciones el semiconductor está fuera del equilibrio térmico → Fenómenos de
transporte: mecanismos provocados en los portadores por acción de una excitación externa, que
puede ser de tipo (eléctrico, térmico, óptico) → Destacan los fenómenos de: ①[conducción por
arrastre: al someter al semiconductor a una diferencia de potencial ( d.d.p )(V) o a la acción de un

campo eléctrico ( E ); ②[conducción por difusión: la corriente de portadores generada por difusión
se debe a la ≠ concentración de portadores dentro del semiconductor)]; ③[efecto Hall: la corriente
 
de portadores se crea por la acción conjunta de ( E +campo magnético ( B )) sobre el semiconductor]
 Transporte de carga: (a) En un semiconductor hay 2 tipos de portadores, que se mueven en sentidos

opuestos al aplicar un ( E ); (b)Puede haber variaciones locales en la concentración de portadores,
dando lugar a desplazamientos locales de carga mediante difusión [es un mecanismo de transporte
de carga importante en el funcionamiento de dispositivos semiconductores (diodos, transistores)]
A MOVIMIENTO ALEATORIO TÉRMICO Y ARRASTRE (DESPLAZAMIENTO) DE PORTADORES DE CARGA
 Condiciones: Semiconductor intrínseco (puro) dopado con una concentración de átomos impureza

(donadores o aceptores) constante, en equilibrio térmico, a una temperatura ( T ), sin un E aplicado.
 En equilibrio térmico, los portadores dentro del semiconductor están siempre en movimiento
térmico aleatorio. Según la mecánica estadística, y a partir del Teorema de equipartición de E:
un portador a una T tiene una ( Etérmica )promedio = [( k  T ) / 2] por cada grado de libertad. Los
e– en la BC son esencialmente partículas libres, ya que no están asociados a ninguna estructura
en particular; tienen 3 grados de libertad ya que pueden moverse en un espacio tridimensional
 ( Etérmica )promedio de los e– en la BC = [ ( 3 / 2 )  k  T ] [ k (Cte de Boltzmann), T (Tabsoluta) ]
 Los e– (o los h+) tienen una cierta Ecinética debido a su excitación térmica a los niveles de la BC (o de
la BV); esta Ecinética de los e– (o h+) está determinada por la diferencia entre su Etotal y la del borde (
Ec ) de la BC [o la del borde ( Ev ) de la BV, cambiada de signo]. Debido a esta Ecinética, (e–, h+) están
en continuo movimiento a través de la red, interaccionando con los átomos, y en estos procesos de
interacción, los (e–, h+) pueden perder o ganar cierta cantidad de E, aunque en conjunto, la función
de distribución de (e–, h+), y por tanto su (Ecinética)media se mantiene constante. Para obtener la vmedia
de los e– en la BC, podemos suponer que toda la Etérmica transferida por la red a los e– se convierte en
2
[(Ecinética)de traslación]( E – Ec )( Ecinética = Etérmica )promedio de los e–  (1 / 2 )  mn  vth  (3 / 2)  k  T
1/ 2
 vth (velocidad térmica promedio): vth  [( 3  k  T ) / mn ] A Tamb (300K),(vth  107cm/s)(Si)
 mn: masa efectiva de los e– en conducción (e– quasi-libres en BC). Tiene en cuenta la influencia
de la estructura cristalina en esos e–; es ligeramente diferente de la masa ( m ) de los e– libres.
 Al recibir Etérmica, los e– están en continuo movimiento, por lo que no están asociados con ninguna
posición particular de la red cristalina; se mueven rápido en todas las direcciones dentro del cristal,
alternando recorridos libres y colisiones con los (átomos, impurezas del dopaje)red. El movimiento
térmico de un e– puede verse como una sucesión de movimientos aleatorios con colisiones; aunque
la vth pueda parecer , tener en cuenta que los e– cambian constantemente su dirección debido a
colisiones. Este movimiento aleatorio supone un desplazamiento neto nulo de carga (de un e–) en un

periodo de tiempo suficientemente largo (siempre que no haya E aplicado)(en equilibrio

térmico, con E =0), el movimiento de todos los portadores se cancela y (Imedia en cualquier
dirección = 0)

 vth = ( l / τn ): l ( recorrido libre medio )( distancia promedio entre colisiones ), τn ( tiempo libre
 41
– –5 7 –12
medio )( tiempo promedio entre colisiones ); [para los e (300K): τn ≅ (10 cm / 10 cm/s) ≅ 10 s]
Movimiento de un e– en la BC, ( T > 0K ), a
través de la red de átomos del semiconductor:

( a ) movimiento térmico aleatorio con ( E = 0)
( b ) movimiento debido a un campo eléctrico

( E ) aplicado, sumado al movimiento térmico

 Las partículas cargadas se mueven en respuesta a un campo eléctrico ( E ) aplicado, su movimiento
se denomina de arrastre (drift) y el flujo de I resultante se denomina corriente de arrastre (drift

current). Las cargas  son arrastradas en el mismo sentido que el del E , y las  en sentido
opuesto.

Al someter al semiconductor a un campo eléctrico E (de magnitud ε) en una dirección determinada,
cada e– queda sometido a una aceleración (an) debida a una fuerza de magnitud (–q  ε), es acelerado

en sentido opuesto al del E . Los e– recorren una distancia ( l ) antes de la próxima colisión, en la
 
dirección del E , pero en sentido opuesto; una parte de la E ganada del E se cede a la red cristalina
en las colisiones con los átomos en reposo. Como consecuencia de ello, los e– adquieren una nueva
componente de v, vn (velocidad de arrastre)(drift velocity); sufren un arrastre en sentido opuesto al

del E , ya que a la vth (debida al movimiento térmico aleatorio) se superpone ahora la vn (<< vth, para
la mayoría de dispositivos semiconductores  puede considerarse como una perturbación de vth ).

La acción combinada ( vth + vn ) origina un movimiento neto de los e– en sentido contrario al del E .
t τ
 Fε   ( q  ε )  ( mn  an )  mn  ( dvn / dt )  vn   n [( q  ε) / mn ]  dt  [( q  τ n ) / mn ]  ε
0
Suponemos : [masa efectiva (mn ), ε] no son f (T) velocidad de arrastre

[Momento (fuerza  tiempo) aplicado a un e– durante su recorrido libre entre colisiones = Momento
ganado por el e– en el mismo periodo]→ En el caso estacionario, todo el momento que se gana entre
colisiones se cede a la red cristalina en la colisión, iniciándose nuevamente el proceso antes de la

siguiente colisión. Por conservación del momento: (momento proporcionado por la acción del E )(

impulso mecánico del E entre 2 colisiones)(− q  ε  τn ) = (momento lineal ganado entre colisiones)
(variación media de la cantidad de movimiento)( mn  vn ) vn = – [( q  τn ) / mn ]  ε [ cm / s ] es

proporcional al E ( ε ) aplicado. El factor de proporcionalidad, que depende de (tiempo libre medio,
masa efectiva) se llama movilidad μn [cm2/V  s] del e–  μn = [( q  τn ) / mn ]  vn = – ( μn  ε )
Parámetro importante en el transporte de portadores, magnitud característica del movimiento de e–;

expresa cuantitativamente la facilidad o no de movimiento de los e– bajo a la acción de un ( E )
El análisis hecho para los e– en la BC puede extrapolarse para los h+ en la BV: μp = [ ( q  τp ) / mp ]

 vp = ( μp  ε ) (no aparece el signo, porque los h+ se desplazan en el mismo sentido que el del E
)
 ( mn, τn, μn )(e– en BC); ( mp, τp, μp )( h+ en la BV ): Propios de cada tipo de portador. En general
( mn < mp )( τn = τp )  (movilidad de los e– en la BC)( μn ) > (movilidad de los h+ en la BV)( μp )
para una misma concentración de impurezas [átomos donadores (tipo-n) o aceptores (tipo-p)]
 vn de los e– puede diferir bastante de la vp de los h+, ya que el desplazamiento de los h+ implica
cambios en los enlaces interatómicos, mientras que los e– se mueven con relativa libertad dentro
de la nube electrónica a través de los átomos  es de esperar que [ μn ( de e– ) >> μp ( de h+ ) ]
 La ( v )portadores no puede ↑ indefinidamente, concretamente no más allá de la vluz ( c )( 3  108m/s ).
En el Si, por ej., la relación entre (velocidad lineal–campo eléctrico) dada por ( v = μ  ε ), es válida
solo para ε < 5000 V/cm (0.5 V/m). Cuando ε ↑ por encima de este valor, la v de (e–, h+) empieza a
 42
saturarse. Para ε, la pendiente de las curvas representadas en la fig. representa la movilidad (  );
para ε > 3  104 V/cm, en el Si, la v se aproxima a la vsaturación ( vsat )( varrastre(saturada) ) ; para (e–, h+),
en el Si, vsat = 107cm/s  el término [ ( μ n  ε )  vn ][ o ( μ p  ε )  vp ] debe reemplazarse por la vsat

 Fig.: ( μn, μp ) en el (Si, Ge, GaAs) a Tamb (300K) en f (concentración de impurezas). A una T dada,
μ es f (concentración de impurezas); ( μn, μp ) tienen un valor máximo para una concentración de
impurezas (limitación impuesta por las colisiones), y ↓ al ↑ (concentración de impurezas).
Uno de los factores que más afecta a la ( μ ) es la Tsemiconductor, ya que T produce un ↑amplitud de
vibración de los átomos de la red, lo que a su vez hace que el τn sea cada vez más . Esto da lugar
a una ↓ μ con la T. En semiconductores muy dopados, la interacción de e– con las impurezas puede
dominar sobre otros mecanismos de colisión produciendo una variación más compleja de τn con T.

 Fig. Diagrama de bandas en un semiconductor tipo-n dopado homogéneamente; (a) semiconductor

en equilibrio térmico; (b) semiconductor bajo condiciones de polarización, se aplica una tensión de
polarización ( V ) en el terminal derecho [los terminales (derecho, izquierdo) son óhmicos, con una
caída de tensión despreciable (V ≈ 0) en cada contacto (metal–semiconductor)]
Fig. 2.10: Esquema del movimiento de portadores en el semiconductor: (a) Se aplica una diferencia
de potencial (d.d.p)( V ) entre los extremos, lo que da lugar a un desnivel de las bandas de E en una
cantidad (q  V). (b) Movimiento de e– en BC debido a la caída de potencial en el semiconductor.

Campo eléctrico ( E ) se define como la fuerza de tipo eléctrico ejercida sobre la unidad de carga 
 
Al aplicar un E (de magnitud ε) al semiconductor, el E ejerce una fuerza (–q  ε) sobre cada e– (q es
el valor de la carga del e–), que es igual al valor del gradiente (variación espacial) de la Epotencial
del e–. El nivel de E inferior ( Ec ) de la BC corresponde a la Epotencial de un e–; como nos interesa el
gradiente de la Epotencial, podemos usar cualquier parte del diagrama de bandas que sea paralelo a
Ec (es decir, EF, Ei, Ev); conviene usar Ei, ya que es muy usada en la unión p-n  para el caso
unidimensional: [ Fε = ( –q  ε ) = – ( dEi / dx )( gradiente de Epotencial)  ε = [( 1 / q )  ( dEi / dx ) ]
Para un semiconductor con dopado homogéneo, la Epotencial ( Ec ) y por tanto Ei, ↓ linealmente con
la distancia, con lo que ε es constante al aplicar una diferencia de potencial ( V ) constante. Su
valor iguala a la V aplicada dividido por la longitud ( L ) de la muestra. La caída de tensión entre 2
puntos es la E usada o adquirida para mover una carga  unidad desde un punto al otro. Para mover
una carga  ( Q ) desde un punto a otro entre los que hay una V, se realiza un trabajo, y la E usada
es (Q  V), por lo que al llegar a su destino, la carga  ha ganado una Epotencial = E usada, es decir,
 43
– –
(Q  V). Si un e (carga)( q ) es llevado de B hasta A con una V, el e pierde una Epotencial (–q  V)
( Variación de E potencial )( E p ) = (q  V )  
   El campo eléctrico ( E ) tiene un valor constante.
| ε | = |  ( 1 / q )  [( q  V ) / L ] | = (V / L) = cte 
Los e– en BC se mueven hacia la derecha. Cuando un e– colisiona, cede su Ecinética a la red cristalina
y vuelve a su posición en equilibrio térmico. Posteriormente este e– empieza a moverse de nuevo
hacia la derecha, repitiéndose el mismo proceso repetidas veces. La conducción por h+ puede ser
entendida de manera similar, pero en sentido opuesto.

 Fig.2.10- Al estudiar el fenómeno de conducción, la presencia de un E constante en el interior del
semiconductor normalmente es debida a la aplicación de una diferencia de potencial ( V ) en sus
extremos a través de sendos contactos metálicos. Esto implica que los e– en el lado  tienen una
Epotencial más baja, de valor (–q  V), que en el lado. En un diagrama de bandas de E esta
situación se representa mediante una inclinación uniforme de las bandas en esa misma cantidad.

Las bandas de E de los contactos metálicos quedan inalteradas, ya que se supone que el E en el
interior del metal es 0 y por tanto   caída de potencial. Dejando aparte el transporte de carga
desde el metal al semiconductor, se puede visualizar el movimiento de arrastre de los e– entre 2
colisiones dentro del semiconductor mediante un desplazamiento horizontal dentro de BC,
implicando con ello una ganancia de Ecinética a costa de una pérdida de Epotencial. En la colisión hay
pérdida de Ecinética (transferida a la red en forma de calor dando lugar al efecto Joule), cayendo el
e– (en energía) prácticamente al fondo (Ec) de la BC (desplazamiento vertical). Después de esta

pérdida de E, el e– se acelera de nuevo ganando E del E hasta que sufre una nueva colisión. Para
los h+ ocurre algo similar, aunque viajan en sentido opuesto y aproximándose tras cada colisión al
tope ( Ev ) de la BV

 El transporte de portadores de carga (e– en la BC, h+ en la BV) bajo la acción de un campo eléctrico

( E ) produce una corriente de arrastre (drift current). Semiconductor homogéneo uniformemente
dopado, con forma de barra [longitud ( L ), sección transversal ( A )], con una concentración de (n

e– / cm3). Se somete la barra a un E (magnitud ε) externo, cuya presencia origina una corriente de
arrastre de los e– cuya densidad de corriente ( Jn )(corriente por unidad de superficie) se obtiene
sumando para cada uno de los n e– por unidad de vol. el producto de su carga (–q) por su velocidad.
 Para los n e– desplazándose por el interior del semiconductor con una ( varrastre )promedio ( vn ):
J ndrift  ( I n / A )  i 1[( )q  vi ]  ( q  n  vn )  ( q  n  μ n  ε ) [A/cm2] (In : corriente de e–)
n

 vi: velocidad de cada e–, con carga (–q) moviéndose bajo la acción del campo eléctrico ( E )
 Q = ( –q  n ) [ C / cm3 ]: Densidad de carga, carga por unidad de volumen [ J = ( Q  v ) ]
 ( Corriente de e– )( In )[ ( C / s )( A ) ] = q [ C / e– ]  n [ e– / cm3 ]  vn [ cm / s ]  A [ cm2 ]
drift
De igual forma, para los h+ creados en la BV: J p  ( q  p  vp )  ( q  p  μ p  ε ) [A/cm2]

 Densidad de corriente neta de portadores de carga debida a la acción del E externo aplicado:
drift
J total  ( J ndrift  J pdrift )  [( q  n  μ n )  ( q  p  μ p )]  ε  ( σ ε ) σ  q  [( n  μ n )  ( p  μ p )]

 Conductividad ( σ )[ S / cm ]: indica la capacidad del semiconductor de conducir una Ieléctrica

 Conductividad total = ( Σ contribuciones individuales de cada tipo de portador de carga )
La contribución de los portadores de carga (e–, h+) a la σ es aditiva.
 Es f (características del semiconductor, T). Dentro de ciertos rangos de T, la concentración
de portadores↑ exponencialmente;  ↓ con T, aunque no lo suficiente para compensar el ↑
 44
debido a la concentración de portadores. Esto hace, en conjunto, que la σ del semiconductor
en el rango intrínseco aparezca como una función creciente con la T, justo lo contrario que
los metales, en los que, debido a que en ellos la concentración de portadores es cte, σ↓ al ↑T
[ E g / ( 2k T )] [ E g / ( 2k T )]
σ  q  [( n  μ n )  ( p  μ p )]  [ q  ( Nc  N v )1/ 2  ( μ n  μ p )]  e  σo  e
( n, p )[concentraciones/densidades volumétricas de (e–, h+)], ( n, p )[movilidad de (e–, h+)]; q
[carga del (e–, h+)]; Eg (ancho de la BP)(gap de E); k (Cte de Boltzmann); [  (T = 0K) = o ]

 Resistividad del semiconductor: ρ  ( 1 / σ )  1 / [ ( q  n  μ n )  ( q  p  μ p ) ] [Ω  cm]

 En un semiconductor extrínseco, hay una concentración de portadores de carga que es mayoritaria

respecto de la otra (en varios órdenes de magnitud)  según sea un semiconductor tipo-n o tipo-p:
 Semiconductor tipo-n ( n >> p )[ (μ n  n)  (μ p  p) ]: σ  ( q  n  μ n )  [( q  μ n )  ( ND  NA )]
 Semiconductor tipo-p ( p >> n )[ (μ p  p)  (μ n  n) ]: σ  ( q  p  μ p )  [( q  μ p )  ( NA  ND )]
 Para igual concentración de impurezas (donadoras o aceptadoras), la ρ de un tipo-p es mayor
que la ρ de un semiconductor tipo-n: [ ( μn > μp )( mn < mp ) ]  ( σn > σp )  ( ρp > ρn )

B PROCESOS DE DIFUSIÓN DE PORTADORES DE CARGA

 El movimiento de portadores de carga (e–, h+) en un semiconductor, que origina la Ieléctrica, puede ser

causado por la aplicación de un campo eléctrico ( E ), que provoca una corriente de arrastre (Iarrastre)
(drift current) o por procesos de difusión de portadores, frecuentes en semiconductores, y ocurren
cuando, por cualquier motivo/circunstancia, se produce una variación de distribución de portadores
de un punto a otro en el interior del semiconductor, provocando una corriente de difusión (Idifusión)
(diffusion current)(corriente de portadores que aparece en semiconductores cuando se produce una
variación espacial de la concentración de portadores). La difusión tiene su origen en el movimiento
aleatorio de e– dentro del semiconductor, durante el cual están continuamente intercambiando su E.
①Semiconductor extrínseco dopado con concentración de impurezas no homogénea; inicialmente,
la concentración de portadores, para cualquier intervalo de E, será mayor en aquellas zonas donde el
contenido de impurezas sea mayor, ya que a Tamb todas las impurezas están ionizadas. ②Un exceso
de portadores aparece cuando el semiconductor se ilumina en un punto determinado con radiación
de E suficiente para excitar localmente e– desde la BV a la BC; al iluminar una pequeña región cerca
del centro de una barra (larga, delgada) de material semiconductor, el exceso de portadores creado
se moverá aleatoriamente hacia la derecha. y hacia la izquierda de la zona de generación, originando
un flujo de cargas que se aleja del centro. ③En ambos ej., la variación local de la concentración de
portadores desde un punto a otro del semiconductor origina un proceso de difusión, mediante el
cual los portadores tienden a moverse desde las zonas de mayor concentración hasta las zonas de
menor concentración, tendiendo a igualar la concentración en todos los puntos del cristal. Se dice
que los portadores se difunden (igual que una gota de tinta se mezcla rápido con el agua de un vaso)
El símil más parecido es el de la difusión de un fluido a través de una membrana que separa a 2
recintos con ≠ concentración; o la difusión del calor de un punto a otro debida a una diferencia de T.
 Fig [concentración de e– que varía con la posición ( x ) en el interior del semiconductor ][ n = n(x) ]
Cristal en equilibrio térmico, de forma que la ( Etérmica )promedio no varía con x, sólo varía la n(x). Se
pretende calcular el flujo de e– que atraviesa un área unidad en la unidad de tiempo. Debido a la T,
los e– tendrán un movimiento térmico aleatorio con una vtérmica ( vth ) y un recorrido libre medio ( l )
( vth  τn )][τn ( tiempo libre medio )( tiempo promedio entre colisiones )]. Consideramos un plano de
área unidad dispuesto en (x = 0). El nº e– que atraviese esta área procederá de aquellos que estén
situados a ambos lados del plano una distancia = l. Ello se debe a que, por la propia definición de l,
todos los e– situados a una ( distancia = l ) no habrán colisionado todavía y lo harán atravesando el
plano (x = 0). Por otra parte, y en promedio, sólo la mitad de la concentración de e– situados en la
 45
posición ( – l ) y de idéntica forma los situados en ( + l ), fluirán al área localizada en (x = 0). Las
otras mitades fluirán en sentido opuesto, debido a que  probabilidad del 50% de ir a la izquierda

o hacia la derecha (ya que al no haber E aplicado, no hay una dirección privilegiada de
movimiento).
 1º se calcula el flujo promedio de e– (nº e–) atravesando la unidad de área por unidad de tiempo
desde la posición ( – l ) hasta ( x = 0 ): F1  [ ( 1 / 2 )  n(  l )  l ] / τ n  [ ( 1 / 2 )  n(  l )  vth ]
 Flujo desde ( +l ) que atraviesa la sección localizada en ( x = 0 ): F2  [ ( 1 / 2 )  n(  l )  vth ]
 Flujo neto ( Fneto )(considerando como sentido  del flujo el sentido de ↑ concentración de e–):
Fneto  ( F1 F2 )  ( 1 / 2 )  vth  [ n(  l )  n(  l ) ] →[n(+l) > n(–l)]  Fneto (< 0 ), es decir, en
el sentido de mayor a menor concentración de e– (resultado lógico, pues la mitad de una cantidad
mayor es mayor que la mitad de una cantidad menor). Se pueden aproximar las concentraciones
en (x = ± l ) por los 2 1os términos del desarrollo en serie de Taylor en torno a la posición (x= 0):
Fneto  (1 / 2)  vth { [n(0)  l  ( dn / dx ) x 0 ]  [n(0)  l  ( dn / dx ) x 0 ] }  vth  l  ( dn / dx ) x 0

 Para un plano situado en la posición ( x ): Fneto  ( vth  l )  [( dn / dx )]   Dn  ( dn / dx )

Dn  ( vth  l ) [ cm2 / s ]: coeficiente de difusión o difusividad de los e–.

 Las expresiones anteriores muestran que el flujo ( F ) de e– en un semiconductor que tenga una
variación espacial de su concentración de e– se produce en el sentido opuesto al gradiente (dx / dn).
Suponiendo una concentración que ↑ en el sentido de las x  [( dn / dx ) > 0 ] dará lugar a un F
hacia las x (los e– se mueven hacia zonas de menor concentración). La Idifusión generada fluirá en
sentido opuesto al del movimiento de los e– y tendrá el sentido del gradiente, es decir, hacia las x 
El flujo de e– origina una I cuya densidad es el producto de la carga (–q) de cada e– por dicho flujo,
J ndiff  (q  F)  [q  Dn  ( dn / dx )] ; para ( h+ )(portadores  ): J pdiff  (q  F)  [q  Dp  ( dp / dx )]

Las ( Idifusión )portadores minoritarios son importantes en el funcionamiento de diodos y otros dispositivos
semiconductores, formados por la unión de 2 o más semiconductores. Son sistemas no homogéneos
en los que la concentración de portadores puede variar de un punto a otro, dando lugar a Idifusión

C DENSIDAD DE CORRIENTE DE CONDUCCIÓN (TOTAL)-RELACIÓN DE EINSTEIN

 Ecuaciones de la densidad de corriente de conducción : Considerando los fenómenos de transporte

de portadores de carga [arrastre (presencia de un campo eléctrico ( E )(magnitud ε) débil aplicado);
difusión (distribución espacial de la concentración de portadores)] en un material semiconductor,
la densidad de corriente neta será la suma de las densidades de corriente aportadas por cada efecto.
drift diff
 Densidad de corriente de e–: J n  ( J n  J n )  ( q  n  μ n  ε )  [ q  Dn  ( dn / dx ) ] [A / cm2]
drift diff
 Densidad de corriente de h+: J p  ( J p  J p )  ( q  p  μ p  ε )  [ q  Dp  ( dp / dx ) ] [A / cm2]
 J conducción ( J n  J p )  ( q  ε ) [ ( μ n  n )  ( μ p  p ) ]  q [ Dn  ( dn / dx )  Dp  ( dp / dx ) ]
q [coulombios][C], μ [cm2/V  s], (n, p) [cm–3], ( Dn, Dp )[cm2/ s], ( dn / dx )( dp / dx ) en [cm–4]

 Las expresiones anteriores (Jn, Jp, Jconducción) son para un E débil aplicado en la dirección ( x );

con un E , el término [ ( μ n  ε )  vn ][ o ( μ p  ε )  vp ] debe reemplazarse por la vsaturación ( vS )
 46
 Teorema de equipartic ión de la E para el caso unidimensi onal (1 grado de libertad) :  
 2  ( 1/ 2 )  k  T ]  v2  [ ( k  T ) / m ] 

 ( E cinética  E térmica )  [ ( 1 / 2 )  mn  vth th n  
  
  Movilidad de los e  en la BC : μ  [( q  τ ) / m ]  Tiempo libre medio : τ  [ μ  (m / q )]  
 n n n n n n  

  ( Recorrido libre medio )( Distancia promedio entre colisiones )( para e ) : l  ( v  τ )  
 th n  
2
 Relación de Einstein: Dn  (vth  l )  (vth  τ n )  [( k  T ) / mn ]  [ μ n  (mn / q)]  [( k  T μ n ) / q]
 Análogamente se puede obtener una expresión similar para los ( h+ ): Dp  [ ( k  T μ p ) / q ]

 Relaciona los 2 comportamientos/parámetros (difusividad, movilidad)( D,  ) que caracterizan el

transporte de portadores de carga por difusión y por movilidad en un material semiconductor.
 Para un semiconductor no degenerado, cuando los movimientos de los portadores por arrastre

del E y por difusión, ocurren con el mismo mecanismo de interacción con los átomos de la red
se cumple la ecuación de Einstein para las movilidades: ( Dn / μ n )  ( Dp / μ p )  [( k  T ) / q ]
(Voltaje térmico)(Voltaje equivalente de la T): VT  [( k  T ) / q ] ; Tamb (300K), VT = 0.0258V

 J n  ( q  n  μ n ) [ ε ( VT / n )  ( dn / dx )] J p  ( q  p  μ p )  [ ε  ( VT / p )  ( dp / dx )] [A / cm2]

Fig. 21: Concentración de electrones en función de la distancia. El sentido de

la corriente y del movimiento de los electrones se indica mediante flechas.
 Fig. 22: [difusividades ( Dn, Dp ), movilidades ( n, p )] para el (Si, GaAs) a Tamb (300K) en f
(concentración de impurezas). A una T fija existe una relación de proporcionalidad entre ambos
parámetros, de ahí que puedan representarse conjuntamente utilizando 2 escalas en el eje y.

 Generación: Al romperse los enlaces covalentes en un semiconductor puro, se generan pares (e–,
h+ )( portadores de carga ) que quedan libres y pueden moverse con libertad por todo el cristal.
En un semiconductor en equilibrio térmico a una T dada,  un proceso continuo de excitación de e–
desde la BV a la BC, que implica la rotura de un enlace y la creación del h+ correspondiente en la BV.
Los procesos de excitación están compensados por procesos de recombinación que actúan en
sentido opuesto, en los que 1e– de la BC se des-excita y pasa a ocupar un nivel de E vacante de la BV,
con lo que desaparece un h+. Cada cierto tiempo [ = tiempo de vida de ( e–, h+ ) = tiempo que tarda
en producirse la recombinación] hay encuentros ( e–– h+ ) que restablecen un enlace con liberación
de E en forma de calor; un e– cae desde la BC a un h+ en la BV, liberando E (=Eg)→ Recombinación
de pares ( e–, h+ ). A una T dada, las (vgeneración, vrecombinación) de pares ( e–, h+ ) se igualan  la
concentración global de portadores (e–, h+) permanece invariable [concentración intrínseca, f (T)]
La Ieléctrica producida es aleatoria, sin una dirección determinada  No aprovechable en un circuito.
Objetivo: mantener la Ieléctrica para aprovecharla externamente  evitar recombinación (separar,
 
dirigir) el movimiento de (e–, h+) mediante un E . Bajo la acción del E hay desplazamiento de e– en
 
BC en dirección opuesta al E y desplazamiento de h+ en la BV en la dirección del E . Ambos (e–, h+)

contribuyen a la conducción eléctrica. Con E se consigue el objetivo, pero la E usada en mantener
este estado sería mayor a la obtenida  Dopado (la mejor alternativa para mantener la conducción)
 Ieléctrica se debe a: ①Desplazamiento 
de ( e–, h+ )(moviéndose ambos en sentido contrario) bajo
la acción de un campo eléctrico ( E )–②Difusión de portadores si  gradiente de concentración.

 En equilibrio térmico y sin campo eléctrico aplicado ( E = 0), el movimiento aleatorio térmico
 47
de todos los portadores dentro del semiconductor se cancela, y la Imedia=0 en cualquier dirección.

SEMICONDUCTORES CON DOPAJE NO UNIFORME:CURVATURA DE LAS BANDAS DE E

 Desde un punto de vista energético, el proceso de difusión puede dar lugar a un efecto de curvatura
de las bandas de E y aparición de campos eléctricos en el interior del semiconductor. Consideremos
un semiconductor tipo-n con dopaje no homogéneo, con una concentración de impurezas donadoras
variable a lo largo de la coordenada (x). Inicialmente, antes de alcanzar el equilibrio, la concentración
de e– en la BC tendrá también una variación similar a lo largo del eje x. Esto quiere decir que, en la
región izda. del semiconductor, en x1 por ej., la función de distribución de los e–, n(E), toma valores
más elevados que en la región dcha., en x2. Asimismo, el nivel de E de Fermi ( EF ) variará su altura
de acuerdo con la concentración de portadores en cada punto, con una posición más próxima a la
BC en los puntos donde la concentración de portadores es mayor. Debido a la diferente concentración
en cada punto, antes de alcanzarse el equilibrio habrá una Idifusión de e–. Dado que no hay una fuente
externa de carga, esta Idifusión no puede durar indefinidamente. En un gas de partículas sin carga, la
difusión se mantendría hasta que se igualaran las concentraciones en todos los puntos de gas. En un
semiconductor la difusión cesa mucho antes, ya que el movimiento de e– hacia un lado de la barra
semiconductora origina una acumulación de carga en ese lado, dejando un exceso de carga  en
el lado opuesto de la barra. Esta carga  , llamada también carga espacial, es fija, ya que es debida
a la carga de los iones de las impurezas del semiconductor que quedan sin compensar (fig.c).
Después de alcanzarse el equilibrio, la presencia de estas cargas origina a su vez un campo eléctrico

E que tiende a oponerse al movimiento de e– por efecto de la difusión. En realidad, se trata de una
situación de equilibrio dinámico, donde la Idifusión es compensada por otra I igual y de sentido

contrario debida al E originado por la carga espacial.

Potencial eléctrico asociado al E creado por la carga espacial: Si n(x) es la concentración de e– en

cada punto x del semiconductor, la Itotal debido a los fenómenos de (difusión, arrastre por el E )
vendrá dado por la ec. [2.35]. La condición de equilibrio implica además ( Jn = 0 ), por tanto:
Teniendo en cuenta que dV = -Edx, tendremos:
Si en x1 la concentración de portadores es n1 y en x2 es n2 (fig.a), la ecuación anterior se puede
integrar resultando:
La ecuación [2.39] indica que la diferencia de potencial entre 2 puntos con ≠ concentración de
portadores sólo depende de la concentración de portadores relativa en esos 2 puntos. El signo del
potencial es tal que tiende a oponerse a la Idifusión (en el ej. de la fig. el potencial es tanto más 
cuanto más a la izquierda del semiconductor).

 Debido al E creado después de la difusión, los portadores tienen una Epotencial adicional a la que ya
tienen por el hecho de moverse en la BC o BV. Así, en el ej. de la fig. un e– situado en la zona izda.
del semiconductor (donde hay exceso de carga  ) tendrá una Epotencial menor que en la zona dcha.
Esta situación queda descrita mediante una curvatura de las bandas de forma que la diferencia de
Epotencial en sus extremos sea igual a (q.V), tal como se representa en la fig.c. Recordar que la

existencia de un E en el interior del semiconductor trae consigo una curvatura de las bandas de E,

siendo la pendiente de la curva en cada punto proporcional al valor del E cambiado de signo. En
realidad, la curvatura de las bandas es consecuente con el cambio de la E de los e–, de forma que la
función de distribución, n(E), en cada punto x del semiconductor queda también desplazada en una
proporción igual a la de las bandas. Si se tratara de un semiconductor tipo-p con una distribución
similar, la curvatura de las bandas de E sería entonces descendiente hacia la dcha.
 48

CONSTANCIA DEL NIVEL DE ENERGÍA DE FERMI

 La difusión no implica cambios en la Etotal del sistema siempre que el semiconductor se encuentre
aislado y en equilibrio térmico. En consecuencia, la EF se debe mantener constante en el interior de
todo el semiconductor, tal como se indica en la fig. Es fácil demostrar que la E (q  V), asociada a
la curvatura de las bandas después de alcanzarse el equilibrio es exactamente igual a la diferencia
de E de los niveles de Fermi, (EF1 – EF2) , correspondientes a (x2, x1). Por tanto, el desplazamiento
de las bandas de E da lugar a un corrimiento paralelo del nivel hasta que queda horizontal. Nótese
en la fig.c que la distancia del EF a la BC en cada punto sigue siendo la misma que antes de
producirse la curvatura de las bandas, ya que la función de distribución, n(E), queda prácticamente
inalterada.
Este resultado es aplicable, además de a un semiconductor único, a cualquier sistema formado por
la unión de materiales de ≠ tipos, conductores o no, siempre que el sistema esté aislado y en
equilibrio termodinámico. Se puede establecer como un principio fundamental que en condiciones
de equilibrio, el EF en todo el interior de un material aislado (o de un grupo de materiales en

contacto), es decir, sin E aplicado, tiene un valor constante. Principio de gran aplicación en el
estudio del comportamiento de los dispositivos semiconductores.
 Si el sistema de e– está en equilibrio térmico, niveles con la misma E deben tener también la misma
probabilidad de ocupación en cualquier punto del cristal; o a la inversa, niveles que tengan la
misma probabilidad (como es el caso del EF, con probabilidad 1/2) han de tener la misma E,
independientemente de la posición en el interior del semiconductor. Se puede, pues, concluir que un
sistema en el que la distribución de e– esté inicialmente fuera del equilibrio, evoluciona hasta que el
EF es constante en el interior del semiconductor.
 De acuerdo con estos postulados, se puede decir que la curvatura en las bandas de E tiende a
mantener constante en cada punto del cristal la probabilidad de ocupación de cada nivel de E
permitido. Siguiendo con el ej. de la fig., es fácil demostrar que en la región izqda. del
semiconductor, en x1, la concentración de e– que en la región izquierda del semiconductor situados
en la cola de la función de distribución, n(E), con E > (q  V)(zona rayada), debe ser ligeramente
mayor (aunque bajo ciertas aproximaciones se puede considerar prácticamente igual) que la
concentración de e– en cualquier otro punto situado a la dcha. del cristal, en x2- (fig. 2.12). Son
estos e–, con E > (q  V), por encima de la BC, los que pueden moverse libremente hacia la dcha.
en el proceso de difusión. En el equilibrio, esta Idifusión se ve compensada por la I de e– que se

desplaza en sentido opuesto empujada por el E presente en el semiconductor.

1.4 UNIÓN p-n

A DEFINICIÓN–PROCESO DE FORMACIÓN DE LA UNIÓN-CORRIENTES GENERADAS
 Unión p-n : Material semiconductor formado por la unión de 2 semiconductores a los que se ha
dotado de concentraciones diferentes de e–, mediante un proceso de dopado. Importante que en la
unión (zona N–zona P) no haya interrupción  la unión se constituye como un solo cristal, pero es
instructivo imaginar la formación de una unión p-n juntando un cristal tipo-p con un cristal tipo-n.

 ① Antes de unir las 2 mitades, la tipo-n tiene (concentración de e– libres, concentración de h+),
la tipo-p lo contrario  al unir ambas mitades se produce desequilibrio debido a la ≠ concentración
de (e–, h+) en cada mitad. Para alcanzar el equilibrio se produce difusión de portadores mayoritarios
[debido al gradiente de concentración de portadores de un mismo tipo a cada lado de la unión
(en un lado son mayoritarios y en el otro minoritarios), tienden a pasar por difusión desde el lado
 49
+
donde son mayoría al lado donde son minoría]→ Movimiento de h de zona P a N, quedando aquella
con carga, y al mismo tiempo, movimiento de e– de la zona N a P, quedando aquella con carga 

Se crea un campo eléctrico de difusión ( Edifusión )(con sentido de P a N) corriente de difusión

 ② Recombinación: Portadores que atraviesan la unión [que ahora serán minoritarios (h+ en N, e–
en P)] se recombinan (los h+ en P desaparecen al recombinarse con e– difundidos a través de la unión
procedentes de N )(los h+ difundidos a través de la unión procedentes de P neutralizan a los e– libres
en N), hasta alcanzar el equilibrio →③ Esto se produce en una zona cercana a la unión, formándose
una zona de carga espacial ( zce )( de deplexión )( de transición )(de vaciamiento) estable, neutra,
libre de portadores y habitada sólo por iones cargados (  en N,  en P), ligados a la red cristalina

y que generan en la unión un campo eléctrico de arrastre ( E o ), orientado de N (  ) a P (), y que
reconduce el movimiento de e–, arrastra e– de P hacia N, y expulsa h+ desde N hacia P  Se origina
una corriente de arrastre. En una unión p-n aparecen 3 zonas de densidad de carga [ neutra en la
unión (concretamente en zce),  en la zona N próxima a la unión,en la zona P próxima a la unión]

 ④ El E o originado supone la existencia de una barrera de E ( barrera de potencial )( potencial de
contacto / de unión / de equilibrio / termodinámico )( VO )[el valor de este salto energético es <
anchura de la BP de los semiconductores que participan en la unión], que inhibe la difusión, impide
que más portadores (e–, h+) atraviesen la unión: e– de N que tienden a seguir difundiéndose a través
de la unión son repelidos por la carga inducida en P; h+ de P que tienden a seguir difundiéndose a
través de la unión son repelidos por la carga  inducida en N, llegando a una situación de equilibrio.
VO impide por tanto la igualación de concentraciones de ambas zonas; impide una interacción total
entre ambas zonas. Puede representarse como una batería imaginaria conectada a través de la unión.
 ⑤ La dirección del proceso de arrastre es contraria a la del proceso de difusión.
 El equilibrio se alcanza cuando ambos movimientos (difusión, arrastre) se compensan.
 Al alcanzar el equilibrio: ( Ineta )unión p-n = ( Iarrastre – Idifusión ) = 0 (no hay conducción eléctrica)
 ( Ineta )unión p-n resulta del balance de estas 2 I y de las tasas de (recombinación, generación) de
portadores ( nº eventos producidos por cm3 y por segundo ) en cada punto del dispositivo.
 Corriente de difusión – Id : Debida a los portadores mayoritarios ( flujo de e– desde N hasta P,
flujo de h+ dese P hasta N). [ Id = f ( VO ): ( a mayor VO  menor Id ) ]
 Corriente de saturación inversa ( de arrastre )(de deriva)–( IS )( I0 ) = f ( T, VO ): Debida a
los portadores minoritarios ( flujo de h+ de N a P, flujo de e– de P a N ). Algunos h+ (generados

térmicamente) en N se mueven por difusión hacia la unión, allí E o los arrastra hacia P; algunos e–

(generados térmicamente) en P se mueven por difusión hacia la unión, allí E o los arrastra hacia N.
Los semiconductores dopados n y p, son eléctricamente neutros, por ello no son útiles como tales para
su uso en elementos electrónicos. Sin embargo, cuando un cristal homogéneo de material
semiconductor de Ge o Si, por ejemplo, es tratado con impurezas pentavalente y trivalente, de tal forma
que la mitad del cristal homogéneo es dopada con impureza trivalente mientras que la otra mitad es
dopada con impureza pentavalente, aparece una fuerza a través de la unión (de naturaleza
electroquímica), que se manifiesta como una atracción de los electrones del material n, por el material
p.
Esto último es provocado por el exceso de electrones en el material n y la deficiencia de ellos en el
material p, que causa que los electrones del material n abandonen la estructura de dicho material y
entren a la estructura del material p. Como consecuencia, la zona (muy fina) adyacente a la unión, del
lado de la estructura p del cristal es cargada negativamente, mientras que la zona similar, pero ahora del
lado de la estructura del material n, es cargada positivamente. La estructura de carga formada en la
unión, constituye una barrera de potencial o de unión que impide el flujo de corriente eléctrica a través
de ella. Cabe aclarar que este fenómeno solo se da si se parte de un cristal homogéneo de material
 50
semiconductor y, la unión de dos piezas separadas de materiales n y p no producen el efecto esperado.
Una unión de este tipo constituye lo que se denomina un diodo semiconductor.

B CIRCULACIÓN DE I A TRAVÉS DE LA UNIÓN pn/POLARIZACIÓN DE LA UNIÓN

 Unión p-n en circuito abierto : Ineta = (Id – IS) = 0 (Id = IS )(equilibrio)(sin conducción eléctrica)
( V = 0 )  Vo se compensa con la V de los contactos óhmicos [ uniones ( metal–semiconductor ) ]
 Unión polarizada en directa : Se aplica una (d.d.p) entre los extremos de la unión, de forma que P
adquiera V  respecto a N. El  de batería conectado a P, el  a N. En zce, ↓ barrera de potencial

( Vo –V )  ( ↓ E o )↓ Iarrastre y no puede compensar la Idifusión  equilibrio, hay un flujo neto de I
Se producirán procesos de difusión [inyección de e– en la zona P procedentes de N, en donde al ser
minoritarios avanzan por difusión  Idifusión de e–][inyección de h+ en N procedentes de P, en donde
al ser minoritarios avanzan fundamentalmente por difusión  Idifusión de h+ ]; en zce se produce
recombinación de ( h+, e– )  Hay 2 I en sentidos contrarios, pero como se trata de partículas de ≠
signo, ambas I no se anulan entre sí y originan a una Itotal aprovechable: Ineta = ( Idifusión + Iarrastre )
 El criterio convencional en electricidad toma como sentido de la Ineta el debido a las cargas  [
el movimiento de huecos ( h+ ) ]  la Ineta entra en la unión por la zona P y sale por la zona N.
 e– de P cercanos al polo  rompen sus enlaces covalentes y entran en la batería, creando en el
material nuevos h+; al mismo tiempo, e– libres de N son repelidos por el polo (batería) y se
mueven hacia la unión, con E suficiente para poder atravesar la barrera, y al hacerlo van creando
h+ que son ocupados por nuevos e– que ingresan en N procedentes del   zce se estrecha y e–
empiezan a difundirse rápido a través de la unión (pasan a P) dirigiéndose al  , al combinarse
con los h+ de P. La circulación de I continúa mientras se mantenga conectada la batería (o pila)
 Unión polarizada en inversa : La (d.d.p) aplicada hace que P esté a menor V que N. El  de batería

conectado a N, el  a P. En zce, ↑ barrera de potencial (Vo +V)  ↑ E o y el paso de portadores (e–,
h+) de una zona a otra de la unión queda debilitado  la I que atraviesa la unión es muy pequeña.
Los e– libres de N son atraídos por el polo  ( batería ), alejándose de la unión, y al mismo tiempo,
los h+ de P son atraídos por el , alejándose también de la unión; al inyectar e– en P, rellenarán los
huecos (portadores mayoritarios en P), y se formarán más iones  zce se ensancha y la ( d.d.p )
llega casi al nivel de Vbatería  Los e– de N lo tienen cada vez más difícil para pasar a P  la unión
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p-n no debería conducir I (como un aislante), pero por efecto de la T (agitación térmica) se forman
pares ( e–, h+ ) a ambos lados de la unión originando una corriente inversa de saturación ( IS )

 ¿Qué pasará si seguimos metiendo más e–, o lo que es lo mismo, si seguimos ↑ la V de la fuente de
alimentación en polarización inversa?  Efecto avalancha : Llegará un momento en que todos los
e– rellenen los huecos de P y si metemos más ( al ↑ Vfuente ), éstos quedarán como e– libres en P. En
N también estamos metiendo huecos que los ocuparán los e– libres que tenía esta zona; al meter más
huecos y que se rellenen todos con los e– libres que tenía, los siguientes huecos que metamos quedan
libres esperando e– para ser rellenados. En estas condiciones, los e– libres inyectados en P mediante
la fuente, serán atraídos por los huecos inyectados en N y atravesarán la z.c.e con mucha E, [todo
esto lo estamos produciendo ↑ la Vfuente (d.d.p) ]; además, los iones formados en P les dan más E
en su repulsión, y tienen tanta E que incluso antes de ocupar un hueco pueden chocar con un átomo
de P y romper los enlaces existentes, liberando más e– y éstos a su vez romper otros enlaces de otros
átomos, liberando más e– todavía  Efecto en cadena, que produce una avalancha de e– en pocos
instantes generándose una I que hace que se rompa la unión PN  Se quemaría el diodo. La V a
la que se llega al efecto avalancha es la tensión de ruptura, en ese momento, I ↑ mucho, aunque no
↑ V  el diodo se quema. Diodos zener aprovechan el efecto avalancha controlado para funcionar.

 Diodo : Dispositivo electrónico de estado sólido basado en una unión p-n, que permite el paso de
Ieléctrica en un solo sentido (sin apenas caída de V), tiene resistencia a la conducción eléctrica en
sentido contrario. Con polarización directa, la I que circula por él ↑ exponencialmente, el flujo de I
↑ al ↑V externa aplicada; con polarización inversa, I se mantiene en un valor ( I0 ) (cercano a 0)
 VD  Factor de idealidad  VD 
LEY DEL DIODO IDEAL   para un diodo ideal  
   mVT  1 ] ( m 1 )
   VT   1 ]
ECUACIÓN DE SHOCKLEY D I I 0 [ e       D 0 I I [ e

 Potencial   k T   1.38 10 23  298   Para ( Si ) a T  25º C (298 K) :

 
 T 
V   
   0.02566 V  
 térmico   q   1.60211019   VT  25.67 mV 
I0 IS  Corriente inversa de saturación del diodo; f ( Tinterna )
VD  V externa aplicada al diodo.  cuando el valor en el ( A ) es superior al del ( K ): ( VA > VK )
m  Factor de idealidad del diodo = [ 1 ( Ge ), 2 ( Si ) ]
q (carga del e–) =
1.6021  10 19 C ;
T ( Tabsoluta del diodo
[K] ); k ( Cte de
Boltzmann) =
1.38 1023 ( J / K)
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