UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

E.A.P DE INGENIERIA ELECTRONICA

DOCENTE : ING. PARETO

PRESENTADO POR :

YAGUA HUAMAYALLI, JUAN JOSE 11190027

ASIGNATURA : TEMA :

NUMERO DE INFORME:

LIMA – PERU
2014
 EXPERIMENTO Nº07
I.-TEMA.-EL TRANSISTOR BIPOLAR NPN:
CARACTERISTICAS BASICAS
II.-OBJETIVOS

1.-Verificar las condiciones de un transistor bipolar NPN.

2.-Comprobar las características de funcionamiento de un transistor bipolar NPN

ÍII.-CUESTIONARIO PREVIO

1.-Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un transistor

bipolar.

2.-De los manuales, obtener los datos de los transistores bipolares

3.-Determinar el punto de operación del circuito de operación del circuito del experimento

IV.-FUNDAMENTO TEORICO

El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus
terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias
al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos
inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan generalmente en
electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones de electrónica digital,
como la tecnología TTL o BICMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

La técnica de fabricación más común es la deposición epitaxial. En su funcionamiento

normal, la unión base-emisor está polarizada en directa, mientras que la base-colector en
inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es
muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y estado
de actividad.
El Alfa y Beta del transistor

Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de electrones

capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto dopaje de la región del emisor y
el bajo dopaje de la región de la base pueden causar que muchos más electrones sean
inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. La
ganancia de corriente emisor común está representada por o por hfe. Esto es
aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la
base en la región activa directa y es típicamente mayor a 100. Otro parámetro
importante es la ganancia de corriente base común, . La ganancia de corriente base
común es aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la
región activa directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila
entre 0.98 y 0.998. El Alfa y Beta están más precisamente determinados por las
siguientes relaciones (para un transistor NPN):

NPN

El símbolo de un transistor NPN.

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P"
se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del
transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a
que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.

Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la
"base") entre dos capas de material dopado N. Una pequeña corriente ingresando a la
base en configuración emisor-común es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la
dirección en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.

2N222 Transistor Datasheet.

Los parámetros y características.

Designador de tipo: 2N222

Material del transistor: Ge

Polaridad: pnp

Máxima del colector disipación de potencia (Pc): 70mW

Máxima tensión colector-base (Ucb): 15V

Máxima tensión colector-emisor (Uce): 12V

Máximo emisor-base voltaje (Ueb): -

La corriente de colector máxima (Ic max): 70mA

La temperatura máxima de la unión (Tj): 85°C

Transición frecuencia (ft): 400KHz

Recaudador de capacitancia (Cc), Pf: 70

Transferencia de la relación de corriente (hFE), min/max: 20T

Fabricante de transistor 2N222: RCAPackage of 2N222 transistor: TO1

Aplicación: bajo consumo, de uso general

V.-MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO

1.-Multimetro

2.-Un miliamperímetro

3.- Un micro amperímetro

4.-Un voltímetro de C.C

5.-Un transistor NPN

6.-Un osciloscopio

7.-Resistores

Re=350Ω, Rc=820Ω,R1= 47KΩ,R2=22kΩ

8.-Condensadires

10.-Una fuente de CC variable

11.- Cables conectores(tres coaxiales )

12.-Un potenciómetro

13.- Una placa con zócalo de 3 terminales

14.-Dos placas con zócalo de 2 terminales

VI.-PROCEDIMIENTO

1.-Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmímetro .Llenar la tabla1

RESISTENCIA DIRECTA(Ω) INVERSA(Ω)

BASE-EMISOR 1191 Ω >40MΩ
BASE-COLECTOR 1107Ω >40MΩ
COLECTOR-EMISOR >1.5m >40MΩ
2.-Armar el siguiente circuito

a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).Obtener el
β(PI=0Ω)

b) Medir los voltajes entre colector-emisor (Vce),entre la base-emisor(Vbe, y entre

emisor-tierra(Ve)

c) Colocar los datos obtenidos en la Tabla 2

d) Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los pasos (a)y (b)

Y anotar los datos en la Tabla 3(por ajuste de P1)

e) Aumentar la resistencia de P1 a 100KΩ,250 KΩ,500 KΩ y 1MΩ.. Obsérvese lo que

sucede con las corrientes Ic y Ib y con el voltaje Vce. Llenar la Tabla.

3.-Ajustar el generador de señales a 50 mv-pp, 1K Hz, onda senoidal. Observar la salida

Vo con el osciloscopio. Anotar en la Tabla 4

TABLA 2

Valores(R1=47KΩ) Ic(mA) Ib(µA) β Vce(v) Vbe(v) Ve(v)

Teóricos
Medidos 10 mA 19 µA 3.307v 0.667v 2.047v

TABLA 3
Valores(R11=70KΩ) Ic(mA) Ib(µA) β Vce(v) Vbe(v) Ve(v)
Teóricos
Medidos 6.25 mA 11 µA 6.70v 0.048v 1.684

TABLA 4

TABLA Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo(sin Ce) Av(sin Ce)

2(Q1)
3(Q2)

TABLA 5

P1 160KΩ 304 KΩ 543 KΩ 1MΩ

Ic(mA) 2.6v 0.6v - -
Ib(µA) 4.5v 1v - -
Vce(v) 9.81v 11.48v 12.00v -

VII-CUESTIONARIO FINAL

1.-Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación operativa con el

Ohmímetro

2.-Representar la recta de carga en un grafico Ic vs Vce del circuito del experimento.

Ubicar los puntos correspondientes a las tablas 2 , 3 y 5

3.- ¿En qué regiones de trabajo se encuentran los puntos de las tablas 2 y 3

4.-¿Qué sucede con el punto de operación si cambiamos R1 a 150 KΩ Explicar lo

ocurrido e indicar sus valores teóricos

5.-Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de este

experimento(Transistor NPN) con respecto al anterior (TRANSISTOR PNP)

6.-Esponer sus conclusiones acerca del experimento

DE LOS EXPERIMENTOS REALIZADOS. PODEMOS CONCLUIR LO

SIGUIENTE:
EL FUNCIONAMIENTO DE UN TRANSISTOR BJT. YA SEA NPN O PNP,
DEPENDE DE LA POLARIZACION QUE SE LE APLICA EN SUS TERMINALES,
YA QUE UNA MALA POLARIZACION PODRIA FUNCIONAR MAL TODO EL
CIRCUITO EN EL QUE SE LE APLIQUE O EL USUARIO NO PODRIA TERNER
LOS RESULTADOS SATISFACTORIOS.
DURANTE EL EXPERIMENTO PODIMOS COMPROBAR LA TEORIA QUE FUE
ASIMILADA EN EL SALON DE CLASES, POR EJEMPLO. QUE LA CORRIENTE
DEL COLECTOR DESPUÉS DE CIETO VOLTAJE SE APROXIMA ALA
CORRIENTE DEL EMISOR.
TAMBIEN SE PUDO DEMOSTRAR QUE SI SE APLICA UN VOLTAJE ENTRE EL
EMISOR Y LA BASE SE PUEDE OBTENER UNA GANACIA DE VOLTAJE EN
EL COLECTOR Y LA BASE ASI SE PUEDE COMPROBAR QUE ESTE TIPO DE
SISPOSITIVOS SE PUEDEN UTILIZAR COMO AMPLIFICADORES.