Apellidos y Nombres Código de Matrícula

Ramos Palomino, Angel 15190129

Curso Tema

Dispositivos Electrónicos TRANSISTOR BIPOLAR NPN

BC548-BC547

Informe Fechas Nota

Final Fecha de Fecha de

realización entrega
Número

7 30-06-16 05-07-16

Grupo Profesor
G8 LUNES 8:00-10:00am Ing. Luis Paretto Quispe
 TRANSISTOR BIPOLAR NPN BC547-BC548

I. OBJETIVOS:

 Verificar las condiciones de un transistor bipolar NPN BC547-BC548.

 Comprobar las características del funcionamiento de un transistor bipolar
NPN BC547-BC548.

II. INTRODUCION TEORICA:

 ¿Qué es un transistor NPN?

Un transistor PNP es uno que controla el flujo de corriente principal,
alterando el número de agujeros en lugar del número de electrones en la
base. El bajo costo, fiabilidad y el tamaño pequeño de los transistores los
ha convertido en uno de los grandes inventos del siglo 20.

 Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo

cristal semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta
manera quedan formadas tres regiones:
 Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.
 Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
 Colector, de extensión mucho mayor.

 ESTRUCTURA:

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras

dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector.
Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP

 Región activa directa en cuanto a la polaridad:

Corriente del emisor = (β + 1)·Ib ; corriente del colector= β·Ib
 Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de
corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la
corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de
β (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de
señal.

 Región inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el
transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de
los BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo,
el parámetro beta en modo inverso es drásticamente menor al presente en
modo activo.

 Región de corte: Un transistor está en corte cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje
de alimentación del circuito. (Como no hay corriente circulando, no hay caída
de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la
corriente de base = 0 (Ib =0)
Forma simplificada, se puede decir que el la unión CE se comporta como un
circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

 Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:

Corriente de colector ≈ corriente de emisor = corriente máxima, (Ic ≈ Ie = Imáx)
En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación
del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en
ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre
el colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral VCE,sat. Cuando
el transistor esta en saturación, la relación lineal de amplificación I c=β·Ib (y
por ende, la relación Ie=(β+1)·Ib ) no se cumple.

III. MATERIAL Y EQUIPO UTILIZADO:

 Un miliamperímetro DC.
 Un multímetro digital.
 Un micro amperímetro DC.
  Un voltímetro de C.C.
 Un transistor BC548-BC547
 Un osciloscopio.
 Resistores: Re=220Ω, Rc=1KΩ, R1=56KΩ, R2=22KΩ.
 Condensadores Cb=0.1µF, Cc=0.1µF, Ce=3.3µF.
 Una fuente de C.C variable.
 Un potenciómetro de un 1MΩ.
 Cables conectores.

IV. PROCEDIMIENTOS:

i. Verificar el estado operativo del transistor, usando el ohmímetro. Llenar la

tabla 1.

ii. Armar el circuito:

a) Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib).
Obtener el β (usar P1=0).
b) Medir los voltajes entre el colector-emisor (Vce), entre base-emisor
(Vbe) y entre emisor-tierra (Ve).
c) Colocar los datos obtenidos en la tabla 2.
R1=56k Ic(mA) Ib(uA) β Vce(V) Vbe(V) Ve(V)
Teóricos 6.65 28.7 231.7 5.35 0.7 2.21
Prácticos 6.87 24.0 286.3 5.06 0.626 2.49

TABLA 2 – Q1
 En esta tabla, medimos nuevamente el valor de Vce porque
encontramos defectuoso el voltímetro y cambiamos de equipo.
d) Cambiar R1 a 68KΩ, repetir los pasos (a) y (b) y anotar los datos en
la tabla 3 (por ajuste de P1).

R1=68k Ic(mA) Ib(uA) β Vce(V) Vbe(V) Ve(V)

Teóricos 5.54 22.7 244 6.46 0.7 1.84
Prácticos 5.72 20.0 286.0 6.18 0.633 2.11

TABLA 3 – Q2

e) Aumentar las resistencias de P1 a 100KΩ, 250KΩ, 500KΩ y 1MΩ.

observar lo que sucede con las corrientes Ic, Ib y con el voltaje Vce.
Llenar la tabla 5.
P1 100k 250k 500k 1M

Ic(mA) 2.09 0.62 0 0

Ib(uA) 75.0 20 0 0

Vce(V) 9.62 11.23 11.97 11.98

TABLA 5

iii. Ajustar el generador de señales a 50mv.pp, 1KHz., onda senoidal. Observar

la salida de Vo con el osciloscopio. Anotar en la tabla 4.

Tabla Vi(mv.pp) Vo(v.pp) Av Vo(sin ce) Av(sin ce)

Q2 500 9 1.6

TABLA 4

CON Ce
 Sin Ce
V. CUESTIONARIO FINAL:

(a) Explicar el comportamiento del transistor al hacer su verificación

operativa con el Ohmímetro.

En la tabla 1 se observa que las resistencias base-emisor, base-

colector y colector-emisor en polarización directa son bajas, ya que en
polarización directa el transistor conduce corriente. En polarización
inversa se observa que las resistencias son muy altas lo cual está
bien ya que en polarización inversa el transistor no conduce corriente.
(b) Representar la recta de carga en un gráfico Ic VS Vce del circuito
del experimento. Ubicar los puntos correspondientes a las Tabla 2,
3 y 5.
8

4
Series1
2

0
0 5 10 15
-2

(c) ¿En qué regiones de trabajo se encuentran los puntos de las Tabla
2 y 3?

Los puntos de la tabla 2 y 3 están en la región activa

 (d) ¿Qué sucedería con el punto de operación si cambios R1 a 150kΩ?
Explicar lo ocurrido e indicar sus valores teóricos.

Es lo que sucede en la tabla 5, aumentando la resistencia R1 el punto de

trabajo se va hacia la región de corte.

(e) Indicar las diferencias más importantes entre el circuito de este

experimento (transistor NPN) con respecto al anterior (transistor
PNP).

- La diferencia en la polaridad de sus electrodos.

- El orden de colector base emisor no es la misma.
- La ganancia del NPN siempre es mayor a la del PNP.

VI. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES:

 El transistor BC547 y el BC548 poseen características muy parecidas

además de que pertenecen a la misma serie.
 Cuando el capacitor Ce se encuentra, no se toma en consideración la
resistencia Re (Cortocircuito), lo que modifica la ganancia de tensión; porque
dicha ganancia depende inversamente de Re.
 Se recomienda revisar el equipo antes de adquirirlo de almacén, así
evitamos lecturas erróneas y problemas con el mismo almacén.

VII. BIBLIOGRAFIA:

 http://www.ecured.cu/Transistor_2N3904
 http://www.datasheetcatalog.net/es/datasheets_pdf/2/N/3/9/2N3904.shtml
 http://www.futurlec.com/Transistors/2N3904.shtml
 Dispositivos Electrónicos, 8va Edición – Thomas L. Floyd