TRANSISTORES FET

FET TRANSISTORS
Jeferson Agustin Caizapasto Guachala
Facultad de Ingeniería en Ciencias Aplicadas – Carrera de Ingeniería en Mecatrónica
Universidad Técnica del Norte
Ibarra Ecuador
jacaizapastog@utn.edu.ec

Resumen- Este texto presenta los fundamentos
de dispositivos electrónicos, por ejemplo,
polarización de los transistores FET conceptos,
el cómo trabaja. Para que cuando llegue el
momento de utilizar los Transistor nos permita
utilizar técnicas de análisis de circuitos en
circuitos simples.
Palabras Clave- Transistor, zona de trabajo,
polarización.
Abstract- This text presents the basics of
electronic devices, for example, polarization
of FET transistors concepts, how it works.
So that when the time comes to use the
transistor allows us to use circuit analysis
techniques in simple circuits.
I. TRANSISTOR FET
La polarización del FET se tiene que tener
familiarizado con los transistores para aprender el
funcionamiento de la estructura, símbolos y curvas
características que serán de gran ayuda para
abordar con éxito la polarización del dispositivo.
son los transistores de unión de efecto campo
(JFET), que normalmente se les denomina FET.
Mientras que el transistor de unión bipolar (BJT),
tanto el PNP como el NPN, es un dispositivo de
corriente controlada en el cual intervienen tanto la
corriente de electrones como la de huecos, el FET
es un dispositivo unipolar. EI FET opera como un
dispositivo controlado por tensión, donde la
corriente es debida exclusivalnente a los electrones
en el FET de canal N y a los huecos en el de canal
P.
Tanto los BJT como los FET pueden utilizarse en
circuitos amplificadores o en otros circuitos
electrónicos, pero con diferentes consideraciones
de polarización.
La estructura de un FET de canal P se indica en la
figura 1, el que está formado por una barra de
material de tipo Pen la que se han difundido dos
regiones de tipo N que contiene una sola union
básica P-N

El transistor de efecto de camp (FET) es un

dispositivo semiconductor que depende, en cuanto
a gobierno de corriente, de un campo eléctrico que Fig1. Transistor FET canal P
 El FET es un dispositivo de tres terminales III.APLICACIONES
denominados fuente (S), puerta(G) y
drenador(D). en el simbolo del FET de canal P
la flecha señala la puerta y el amterial es de
tipo N.
.

II. POLARIZACIÓN DE UN TRANSISTOR

FET

 Este tipo de transistor se polariza de manera

diferente al transistor bipolar, el terminal de
drenaje se polariza positivamente con respecto
al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o
gate se polariza negativamente con respecto a
la fuente (-Vgg)
 A mayor voltaje –Vgg, mas angosto es el canal
y más difícil para la corriente pasar del
terminal drenador al terminal fuente Tabla1. Aplicaciones de los FET
 El transistor bipolar es un dispositivo operado
por corriente y requiere que haya cambios en
la corriente de base para producir cambios en IV.REFERENCIAS
la corriente del colector mientras que en el [1]. Electrónica: diccionario enciclopédico.
transistor. FET es controlado por tensión y los Tomo 1, edited by Stan Gibilisco, and Neil
cambios en tensión de la compuerta a fuente Sclater, McGraw-Hill Interamericana,
modifican la región de rarefacción y causan 1994.
[2] Iranzo, Pontes, Manuel, et al. Electrónica
que varié el ancho del canal.
analógica discreta, Instituto Politécnico
Nacional, 2010.